CN107102481A - 一种tft‑lcd用配向膜制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种TFT‑LCD用配向膜制作方法，包括以下步骤：在第一基板上形成第一配向层，在第二基板上形成第二配向层,在第一基板与第二基板之间注入液晶混合物，并进行贴盒，以形成液晶盒；将所述液晶盒放入第一反应机台中采用不同方向的偏振光进行照射，以接收所述第一反应机台所提供电压、紫外线照射、以及温度，使所述液晶配向单体发生聚合反应；判断所述液晶盒在所述第一反应机台中的时间是否达到第一预设时间；如果达到所述第一预设时间，则将所述液晶盒从所述第一反应机台移至第二反应机台中，以接收所述第二反应机台所提供电压、以及温度，使所述液晶配向单体继续发生聚合反应，并在所述第一基板与所述第二基板的内表面分别形成配向膜。

Description

一种TFT-LCD用配向膜制作方法
技术领域
本发明涉及TFT-LCD技术领域，具体涉及一种TFT-LCD用配向膜制作方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模块(backlight module)。通常液晶面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封框胶(Sealant)组成；其工作原理是通过在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转，将背光模块的光线折射出来产生画面。
就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。而HVA2模式是VA模式中一个重要的分支。HVA2型液晶面板工作时是由阵列基板侧的像素电极和彩膜基板侧的公共电极形成的垂直电场来控制液晶分子的旋转。
HVA2型液晶面板采用的HVA2配向技术是指通过紫外(UV)线偏振光照射聚酰亚胺(Polyimide，PI)配向膜来诱导PI高分子聚合物形成预倾角的一种光配向技术。然而，在现有的HVA2配向技术中，需要加入扭转(Twist)技术，而扭转需要时间，并且在应对外力按压恢复上的表面较差，严重影响了液晶面板的品质。
发明内容
本发明旨在提供了一种TFT-LCD用配向膜制作方法。
本发明提供如下技术方案：
一种TFT-LCD用配向膜制作方法，包括以下步骤：
(1)在第一基板上形成第一配向层，在第二基板上形成第二配向层,在第一基板与第二基板之间注入液晶混合物，并进行贴盒，以形成液晶盒；
(2)将所述液晶盒放入第一反应机台中采用不同方向的偏振光进行照射，以接收所述第一反应机台所提供电压、紫外线照射、以及温度，使所述液晶配向单体发生聚合反应；
(3)判断所述液晶盒在所述第一反应机台中的时间是否达到第一预设时间；如果达到所述第一预设时间，则将所述液晶盒从所述第一反应机台移至第二反应机台中，以接收所述第二反应机台所提供电压、以及温度，使所述液晶配向单体继续发生聚合反应，并在所述第一基板与所述第二基板的内表面分别形成配向膜。
所述液晶混合物包含液晶分子和液晶配向单体。
所述所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板。
所述偏振光的照射方向分别与液晶盒的夹角为40°。
所述所述第一反应机台提供的电压为7V-50V、紫外线照射的照度为0.5-12毫瓦/平方厘米、以及温度为25-80℃，所述第二反应机台提供的电压为8V-50V、以及温度为40-100℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过利用相同方向的紫外线偏振光照射第一基板与第二基板上，使第一基板与第二基板上的相对配向膜的配向方向一致，这样在第一基板和第二基板对盒时，无需加入扭转技术，同时通过两组反应机台提供聚合反应的条件，反应时间，避免了产能的瓶颈，进而缩短了制备时间。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例 一种TFT-LCD用配向膜制作方法，包括以下步骤：
(1)在第一基板上形成第一配向层，在第二基板上形成第二配向层,在第一基板与第二基板之间注入液晶混合物，并进行贴盒，以形成液晶盒；
(2)将所述液晶盒放入第一反应机台中采用不同方向的偏振光进行照射，以接收所述第一反应机台所提供电压、紫外线照射、以及温度，使所述液晶配向单体发生聚合反应；
(3)判断所述液晶盒在所述第一反应机台中的时间是否达到第一预设时间；如果达到所述第一预设时间，则将所述液晶盒从所述第一反应机台移至第二反应机台中，以接收所述第二反应机台所提供电压、以及温度，使所述液晶配向单体继续发生聚合反应，并在所述第一基板与所述第二基板的内表面分别形成配向膜。
所述液晶混合物包含液晶分子和液晶配向单体。
所述所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板。
所述偏振光的照射方向分别与液晶盒的夹角为40°。
所述所述第一反应机台提供的电压为7V-50V、紫外线照射的照度为0.5-12毫瓦/平方厘米、以及温度为25-80℃，所述第二反应机台提供的电压为8V-50V、以及温度为40-100℃。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种TFT-LCD用配向膜制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在第一基板上形成第一配向层，在第二基板上形成第二配向层,在第一基板与第二基板之间注入液晶混合物，并进行贴盒，以形成液晶盒；
(2)将所述液晶盒放入第一反应机台中采用不同方向的偏振光进行照射，以接收所述第一反应机台所提供电压、紫外线照射、以及温度，使所述液晶配向单体发生聚合反应；
(3)判断所述液晶盒在所述第一反应机台中的时间是否达到第一预设时间；如果达到所述第一预设时间，则将所述液晶盒从所述第一反应机台移至第二反应机台中，以接收所述第二反应机台所提供电压、以及温度，使所述液晶配向单体继续发生聚合反应，并在所述第一基板与所述第二基板的内表面分别形成配向膜。
2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD用配向膜制作方法，其特征在于：所述液晶混合物包含液晶分子和液晶配向单体。
3.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD用配向膜制作方法，其特征在于：所述所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板。
4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD用配向膜制作方法，其特征在于：所述偏振光的照射方向分别与液晶盒的夹角为40°。
5.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD用配向膜制作方法，其特征在于：所述所述第一反应机台提供的电压为7V-50V、紫外线照射的照度为0.5-12毫瓦/平方厘米、以及温度为25-80℃，所述第二反应机台提供的电压为8V-50V、以及温度为40-100℃。
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