KR101418081B1 - 칩핑 골재를 이용한 아스팔트 포장공법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 골재(21)의 표면을 코팅재(22)에 의해 코팅하여 칩핑 골재(20)를 제조하는 칩핑 골재 제조단계; 매스틱 아스팔트를 포설하여 포장체(10)를 형성하는 포장단계; 칩핑 골재(20)를 포장체(10)의 상면에 살포하는 칩핑 골재 살포단계;를 포함하는 칩핑 골재를 이용한 아스팔트 포장공법을 제시함으로써, 아스팔트 포장체로부터 칩핑 골재의 이탈을 방지하여 우수한 미끄럼 저항성을 확보할 수 있도록 한다.

Description

칩핑 골재를 이용한 아스팔트 포장공법{CONSTRUCTION METHOD FOR ASPHALT PAVEMENT USING CHIPPING AGGRAGATE}

본 발명은 토목 분야에 관한 것으로서, 상세하게는 아스팔트 포장공법에 관한 것이다.

매스틱 아스팔트(mastic saphalt)는 석회석분, 채움재(filler), 천연 아스팔트 분말을 주재료로 하는 특수 아스팔트 포장재를 말하며, 구스 아스팔트(guss asphalt), 아스팔트 꿀레(Asphalt coule) 등으로도 불리운다.

이는 위 주재료가 적절한 비율로 배합된 혼합액, 골재, 모래, 석회석분, 채움재 등을 고온(170℃∼250℃)에서 혼합한 후 포설하는 방식으로 시공되는데, 이때 혼합액의 중량은 혼합물 전체중량의 15∼34% 정도를 차지하고, 모래 및 골재, 석분 등은 혼합물 전체중량의 66∼85%를 차지한다.

매스틱 아스팔트 혼합물에 섞이는 혼합액은 기존의 가열아스팔트 용액과는 달리 온도나 하중변화에 의해 일어나는 단점들을 모두 극복할 수 있는 높은 결합력과 내구성 및 방수성을 갖는다.

특히, 매스틱 아스팔트 혼합물은 고온에서 일정 시간 가열혼합하면, 그 혼합물은 화산에서 분출된 용암이 흘러내리는 것처럼 유동성이 매우 뛰어나며 자연냉각되므로, 별도의 다짐 공정을 수행하지 않아도 포장층을 일체화시킬 수 있다는 장점이 추가된다.

다만, 이러한 매스틱 아스팔트에 의해 형성된 포장체의 표면은 대단히 매끄러운 구조를 취하게 되므로, 차량의 주행에 대한 미끄럼 저항을 높이기 위하여 그 표면에 칩핑(chipping) 골재를 살포하는 등 별도의 처리를 수행하여야 한다.

그런데, 종래에는 위 칩핑 골재로서 일반 골재를 그대로 살포하는 방식을 취하였는바, 이와 같이 시공하는 경우 골재와 매스틱 아스팔트 포장체의 결합력이 좋지 못하여 골재의 이탈이 많다는 점, 이로 인하여 계획된 미끄럼 저항성을 확보할 수 없다는 점 등의 문제가 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 아스팔트 포장체로부터 칩핑 골재의 이탈을 방지하여 우수한 미끄럼 저항성을 확보할 수 있도록 하는 칩핑 골재를 이용한 아스팔트 포장공법을 제시하는 것을 그 목적으로 한다.

상기 과제의 해결을 위하여, 본 발명은 골재(21)의 표면을 코팅재(22)에 의해 코팅하여 칩핑 골재(20)를 제조하는 칩핑 골재 제조단계; 아스팔트를 포설하여 포장체(10)를 형성하는 포장단계; 상기 칩핑 골재(20)를 상기 포장체(10)의 상면에 살포하는 칩핑 골재 살포단계;를 포함하는 칩핑 골재를 이용한 아스팔트 포장공법을 제시한다.

상기 코팅재(22)는 아스팔트, 유화아스팔트, 에폭시, MMA 수지, 폴리머 계열 접착제 중 하나 또는 2 이상의 혼합에 의해 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 칩핑 골재 제조단계에서 상기 코팅재(22)는 상기 골재(21) 100 중량부에 대하여 0.5~2 중량부가 코팅되는 것이 바람직하다.

상기 칩핑 골재 제조단계 이전, 상기 골재(21)를 가열하여 수분 및 더스트를 제거하는 골재 가열단계를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 칩핑 골재 제조단계는 상기 코팅재(22)를 150~180℃로 가열하여 코팅하는 것이 바람직하다.

상기 칩핑 골재 살포단계는 상기 칩핑 골재(20)를 100~120℃로 가열하여 살포하는 것이 바람직하다.

상기 칩핑 골재 살포단계에서 상기 칩핑 골재(20)의 살포량은 5~20kg/㎡인 것이 바람직하다.

상기 칩핑 골재 살포단계 이후, 상기 포장체(10) 및 칩핑 골재(20)의 살포면을 다짐하는 다짐단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기 다짐단계에서 다짐온도는 60~90℃인 것이 바람직하다.

상기 포장단계에서 상기 포장체(10)는 매스틱 아스팔트의 포설에 의해 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명은 아스팔트 포장체로부터 칩핑 골재의 이탈을 방지하여 우수한 미끄럼 저항성을 확보할 수 있도록 하는 칩핑 골재를 이용한 아스팔트 포장공법을 제시한다.

도 1 이하는 본 발명의 실시예를 도시한 것으로서,
도 1은 포장체의 단면도.
도 2는 칩핑 골재의 단면도.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관하여 상세히 설명한다.

도 1 이하에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 아스팔트 포장공법은 기본적으로, 골재(21)의 표면을 코팅재(22)에 의해 코팅하여 칩핑 골재(20)를 제조하는 칩핑 골재 제조단계; 콘크리트 기층(1), 교량의 상판 등의 위에 아스팔트를 포설하여 포장체(10)를 형성하는 포장단계; 칩핑 골재(20)를 포장체(10)의 상면에 살포하는 칩핑 골재 살포단계;를 포함하여 구성된다.

여기서, 코팅재(22)란 아스팔트, 유화아스팔트, 에폭시, MMA 수지, 폴리머 계열 접착제 등과 같이, 골재(21)와 매스틱 아스팔트의 접착력을 증대시킬 수 있는 재료를 의미한다.

본 발명은 매스틱 아스팔트 포장체와 같이 표면이 매끄럽게 형성되는 아스팔트 포장체(10)의 상면에 골재를 살포하되, 종래와 같이 일반 골재(21)를 그대로 살포하는 것이 아니라, 이를 코팅재(22)에 의해 먼저 코팅한 후 살포한다는 특징이 있는 것이다(도 2).

이와 같이 코팅재(22)에 의해 코팅된 칩핑 골재(20)가 살포되는 경우, 그 표면에 코팅된 코팅재(22)와 아스팔트 포장체(10)의 친화력에 의해 우수한 결합력을 발휘하게 되는바, 종래와 같은 칩핑 골재의 이탈을 방지할 수 있고, 이로 인하여 차량에 대한 우수한 미끄럼 저항성을 확보한다는 효과가 있다.

코팅되는 코팅재(22)의 양은 골재(21) 100 중량부에 대하여 0.5~2 중량부 정도가 적절한데, 이보다 작으면 코팅의 효과가 너무 작고, 이보다 크면 코팅재와 골재의 결합력이 커져 작업성을 떨어뜨리기 때문이다.

골재(21)에 대한 코팅 이전, 먼저 골재(21)를 180~300℃ 정도로 가열하여 수분 및 더스트를 제거하는 것이 바람직하다.

골재(21)에 대한 코팅재(22)의 원활한 코팅이 이루어지도록 하기 위해서는, 코팅재(22)의 종류에 따라 적절한 혼합온도 하에서 위 코팅작업이 수행되도록 하여야 한다.

코팅재(22)로서 일반 아스팔트를 사용하는 경우에는 아스팔트를 150~180℃로 가열하여 코팅하는 것이 바람직하고, 상온형 아스팔트를 사용하는 경우에는 상온에서 코팅하는 것으로 충분하다.

칩핑 골재의 살포 시 포장체(10)의 온도가 고온을 유지하는 것이 결합력의 증대를 위해 바람직한데, 포장체(10)의 두께가 얇아 금방 식게 된 경우에는 칩핑 골재(20)를 100~120℃로 가열하여 살포하는 것이 바람직하다.

칩핑 골재(20)의 살포량은 5~20kg/㎡ 정도가 바람직한데, 이보다 작으면 골재가 촘촘하게 박히지 않아 미끄럼 저항성의 개선 정도가 작아지고, 이보다 많으면 비효율적이기 때문이다.

본래 매스틱 아스팔트 포장에는 다짐이 필요 없지만, 칩핑 골재(20)의 살포 이후, 포장체(10) 및 칩핑 골재(20)의 살포면을 다짐하는 경우, 그 결합력이 더욱 우수해진다는 장점이 추가된다.

이때, 다짐 온도는 60~90℃ 정도를 유지하는 것이 바람직하다.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.

1 : 콘크리트 기층 10 : 포장체
20 : 칩핑 골재 21 : 골재
22 : 코팅재

Claims (10)

1. 골재(21)를 가열하여 수분 및 더스트를 제거하는 골재 가열단계;
   상기 골재(21)의 표면을 코팅재(22)에 의해 코팅하여 칩핑 골재(20)를 제조하되, 상기 코팅재(22)는 상기 골재(21) 100 중량부에 대하여 0.5~2 중량부가 코팅되도록 하고, 상기 코팅재(22)를 150~180℃로 가열하여 코팅하는 칩핑 골재 제조단계;
   매스틱 아스팔트를 포설하여 포장체(10)를 형성하는 포장단계;
   상기 칩핑 골재(20)를 상기 포장체(10)의 상면에 살포하되, 상기 칩핑 골재(20)를 100~120℃로 가열하여 살포하고, 상기 칩핑 골재(20)의 살포량은 5~20kg/㎡인 칩핑 골재 살포단계;
   상기 포장체(10) 및 칩핑 골재(20)의 살포면을 다짐온도는 60~90℃로 다짐하는 다짐단계;를 포함하고,
   상기 코팅재(22)는
   아스팔트, 유화아스팔트, 에폭시, MMA 수지, 폴리머 계열 접착제 중 하나 또는 2 이상의 혼합에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩핑 골재를 이용한 아스팔트 포장공법.
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