KR101407494B1 - 전도성 패턴 형성방법 및 전도성 패턴이 형성된 구조물 - Google Patents

전도성 패턴 형성방법 및 전도성 패턴이 형성된 구조물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수지로 형성된 지지체를 선택적으로 도금하여 전도성 패턴을 형성하는 방법 및 구조물에 선택적으로 도금된 전도성 패턴이 형성된 구조물에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 전도성 패턴의 도금성이 좋고, 도금막의 두께가 균일하게 형성되며, 공정의 수율이 높고, 공정 단가가 낮은 장점이 있다.
본 발명의 전도성 패턴 형성방법은 에칭 후 도금이 가능한 수지로 형성된 지지체의 표면의 적어도 일부를 에칭하는 에칭 단계, 상기 에칭 단계에서 에칭된 표면 중 패턴이 형성될 패턴 영역을 제외한 비패턴 영역의 에칭된 표면을 제거하는 에칭면 제거 단계 및 상기 패턴 영역을 도금하여 전도성 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계를 포함한다.

Description

전도성 패턴 형성방법 및 전도성 패턴이 형성된 구조물{METHOD FOR STRUCTURING CONDUCTIVE PATTERN AND STRUCTURE WITH CONDUCTIVE PATTERN}
본 발명은 전도성 패턴 형성방법 및 전도성 패턴이 형성된 구조물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 수지로 형성된 지지체를 선택적으로 도금하여 전도성 패턴을 형성하는 방법 및 구조물에 선택적으로 도금된 전도성 패턴이 형성된 구조물에 관한 것이다.
정보통신 기술이 발달함에 따라, 전자 기기에 실장되는 패키지 소자의 크기도 점차 소형화, 경량화되고 있다. 패키지 소자란, 예를 들어, 패키지 형태로 실장된 안테나, 회로 기판, 각종 센서, 반도체 칩 등을 의미한다.
패키지 소자에 있어서, 각종 소자 또는 단자의 전기적 연결을 위하여, 각종 소자 또는 단자를 와이어링하는 대신에 패키지 소자의 지지체의 표면에 전도성 패턴을 형성하여 전기적으로 연결하는 것은 패키지 소자의 소형화에 특히 유리하다. 또한, 패턴의 피치 및 폭이 미세화된 회로나 안테나 패턴 등을 형성하는데 있어서도 지지체의 표면에 전도성 패턴을 형성하는 것이 더욱 정교한 패턴을 구현할 수 있고, 높은 수율을 달성할 수 있다.
지지체에 전도성 패턴을 구현하는 방법의 종래 기술은 대한민국 등록특허 10-0487850호에 개시되어 있다. 더욱 상세하게는, 상기 종래 기술은 레이저 현상 마스킹 층을 이용하는 금속 기판의 선택적 도금방법 및 상기 방법을 실행하는 장치로서, 금속 기판상에 도금 레지스트의 박층을 적용하고, 레이저 빔을 가해 상기 도금 레지스트의 박층을 선택적으로 제거하고, 금속 도금을 하여 금속 기판을 선택적으로 도금하는 방법을 개시하고 있다.
그러나 종래의 기술은 도금 레지스트의 박층으로 개시되는 도금 방지막을 전도성 패턴이 형성될 패턴 영역에 형성시킨 후, 레이저 빔을 적용하여 제거하는데, 이러한 방법은 패턴 영역의 표면을 고르지 못하게 하여 도금성이 떨어질 뿐만 아니라 도금의 두께가 균일하지 못하다는 단점이 있었다. 또한, 지지체에 있어서, 패턴 영역의 면적이 넓은 경우, 많은 영역에 레이저 빔을 가해야 하므로, 효율이 떨어진다는 문제점이 있다.
다른 지지체에 전도성 패턴을 구현하는 방법의 종래 기술은 대한민국 등록특허 10-0716486호에 개시되어 있다. 더욱 상세하게는, 상기 종래 기술은 도체 트랙 구조물 및 그 구조물의 제조 방법으로서, 지지체에 스피넬 구조를 갖는 고급 산화물이거나 상기 스피넬 구조와 유사한 단순한 d-금속 산화물 또는 상기 산화물의 혼합물 혹은 혼성 금속간 화합물을 첨가하고, 상기 지지체 중 패턴 영역에 전자기파 방사선에 의해 상기 금속간 화합물을 파괴하여 금속핵이 형성되도록 하고, 형성된 금속핵을 도금하여 전도성 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기 종래 기술은 반드시 특정 금속간 화합물이 첨가된 수지를 사용하여야 하므로, 공정상 선택이 제한적인 문제가 있다. 또한, 등록특허 10-0487850호와 같이, 패턴 영역에 레이저 빔 또는 전자기파 방사선을 가해야 하므로, 지지체 중 패턴 영역이 상대적으로 넓은 면적을 차지하는 경우, 많은 영역에 전자기파 방사선을 가해야 하므로, 여전히 효율이 떨어진다는 문제점이 있다.
이에 도금성이 좋고, 도금막이 균일하게 형성되며, 패턴 영역 전체에 레이저 등을 가할 필요가 없는 방법의 전도성 패턴 형성방법 및 전도성 패턴이 형성된 구조물에 대한 요구가 있어 왔다.
본 발명의 목적은 도금성이 좋고, 도금막이 균일하게 형성되며, 패턴 영역 전체에 레이저 등을 가할 필요가 없는 방법의 전도성 패턴 형성방법 및 전도성 패턴이 형성된 구조물을 제공하는 것이다.
본 발명의 전도성 패턴 형성방법은 에칭 후 도금이 가능한 수지로 형성된 지지체의 표면의 적어도 일부를 에칭하는 에칭 단계, 상기 에칭 단계에서 에칭된 표면 중 패턴이 형성될 패턴 영역을 제외한 비패턴 영역의 에칭된 표면을 제거하는 에칭면 제거 단계 및 상기 패턴 영역을 도금하여 전도성 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계를 포함한다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 에칭 단계는, 상기 비패턴 영역의 적어도 일부를 에칭이 되지 않도록 마스킹하는 마스킹 단계 및 상기 마스킹 단계에서 마스킹되지 않은 영역을 에칭하는 부분 에칭 단계를 포함할 수 있다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 마스킹하는 것은 에칭방지 코팅막 형성, 에칭방지 필름 부착 또는 에칭방지 가림막 형성 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합일 수 있다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 에칭면 제거 단계는, 상기 비패턴 영역의 에칭된 표면에 레이저를 조사하여 에칭면을 제거하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 패턴 형성 단계는, 상기 패턴 영역을 1차 도금하여 상기 패턴 영역의 표면상에 1차 도금막을 형성하는 1차 도금 단계; 및 상기 1차 도금막을 2차 도금하여 상기 1차 도금막의 표면상에 2차 도금막을 형성하는 2차 도금 단계를 포함할 수 있다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 패턴 형성 단계는, 상기 1차 도금막 중 상기 패턴 영역의 외곽에 형성된 1차 도금막 부분을 제거하는 패턴 외곽부 제거 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 패턴 외곽부 제거 단계는 상기 패턴 영역의 외곽에 형성된 1차 도금막 부분에 레이저를 조사하여 제거하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 1차 도금 단계는 상기 1차 도금막을 0.1㎛ 내지 5㎛로 형성하고, 상기 2차 도금 단계는 상기 2차 도금막을 1㎛ 내지 30㎛로 형성할 수 있다.
상기 전도성 패턴 형성 단계에 있어서, 상기 수지는 ABS, LCP 또는 기타 에칭 후 도금이 되는 수지 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성될 수 있다.
본 발명의 전도성 패턴이 형성된 구조물은 표면에 전도성 패턴이 형성된 구조물로서, 상기 구조물은 에칭 후 도금이 가능한 수지로 형성되고, 상기 구조물의 표면은 전도성 패턴이 형성된 패턴 영역 및 상기 패턴 영역을 제외한 비패턴 영역으로 구성되고, 상기 패턴 영역은 상기 패턴 영역에 해당하는 구조물의 표면을 에칭한 에칭면 및 상기 에칭면 상에 형성되는 도금막을 포함하고, 상기 비패턴 영역은 표면에 에칭면이 형성된 후, 제거된 에칭 제거 영역을 포함한다.
상기 전도성 패턴이 형성된 구조물은 상기 비패턴 영역은 표면에 에칭 방지 마스킹이 형성된 마스킹 영역을 더 포함할 수 있다.
상기 전도성 패턴이 형성된 구조물은 상기 에칭 제거 영역은 상기 비패턴 영역의 에칭면에 레이저를 조사하여 상기 에칭면이 제거된 것일 수 있다.
상기 전도성 패턴이 형성된 구조물은 상기 도금막은 상기 패턴 영역의 에칭면 상에 형성되는 1차 도금막 및 상기 1차 도금막 상에 형성되는 2차 도금막을 포함할 수 있다.
상기 전도성 패턴이 형성된 구조물은 상기 1차 도금막은 0.1㎛ 내지 5㎛로 형성되고, 상기 2차 도금막은 1㎛ 내지 30㎛로 형성될 수 있다.
상기 전도성 패턴이 형성된 구조물은 상기 수지는 ABS, LCP 또는 기타 에칭 후 도금이 되는 수지 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성될 수 있다.
본 발명의 전도성 패턴 형성방법 및 전도성 패턴이 형성된 구조물에 따르면, 전도성 패턴의 도금성이 좋고, 도금막의 두께가 균일하게 형성되며, 공정의 수율이 높고, 공정 단가가 낮은 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 전도성 패턴이 형성된 구조물을 사시도이다.
도 2는 본 발명의 전도성 패턴 형성방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 에칭 단계의 공정을 도시한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 에칭면 제거 단계의 공정을 도시한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 1차 도금 단계 및 패턴 외곽부 제거 단계의 공정을 도시한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 2차 도금 단계의 공정을 도시한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 전도성 패턴이 형성된 구조물의 단면도이다.
하기 설명에서는 설명되는 실시예들의 기초 개념을 잘 이해하기 위해 많은 특정 세부 사항이 제시된다. 그러나, 당업자라면 설명된 실시예들이 이러한 특정 세부 사항의 일부 또는 전부가 없더라도 실시될 수 있음을 잘 알 것이다. 다른 경우에, 잘 알려져 있는 구성요소에 대해서는 본 발명의 기본 개념을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 설명하지 않았다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 각 실시예에 대한 첨부된 각 도면들의 참조번호를 부여하는데 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 다른 도면에 표시되더라도 가능한 동일한 번호를 부여하였고, 유사하거나 유사한 기능을 수행하는 구성요소에 대하여는 가능한 유사한 번호를 부여하였다.
이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 전도성 패턴 형성방법에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 전도성 패턴 형성방법에 의해 제조된 전도성 패턴이 형성된 구조물의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 전도성 패턴 형성방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3 내지 도 6은 도 1에 도시된 전도성 패턴이 형성된 구조물의 임의의 일 단면을 절단한 단면도로서, 도 3 내지 도 6에서 도시된 패턴 영역 및 비패턴 영역은 설명의 편의성을 위하여 도 1의 임의의 단면을 절단한 것으로 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 1 및 도 3 내지 도 6에 도시한 패턴 영역 및 비패턴 영역은 설명의 편의성을 위하여 도식적으로 도시한 것으로, 본 발명은 그 도시한 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도 1 및 도 3 내지 도 6에는 지지체의 일면에만 에칭이 수행되고 패턴이 형성되는 것으로 도시하였으나, 이는 설명의 편의성을 위하여 간략하게 표시한 것이고, 본 발명은 지지체의 일면에만 에칭이 수행되고 패턴이 형성되는 것뿐만 아니라 선택된 다수 면 또는 모든 면에 에칭이 수행되고 패턴이 형성되는 것까지 포함한다.
전도성 패턴 형성방법은 에칭 단계(S100), 에칭면 제거 단계(S200) 및 패턴 형성 단계(S300)를 포함한다.
이하, 도 3을 참조하여 에칭 단계(S100)에 대하여 설명하도록 한다. 도 3은 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 에칭 단계(S100)의 공정을 도시한 단면도들이다.
도 3의 가장 상단에 도시된 단면도는 에칭 단계(S100)가 수행되지 전의 지지체(95)를 도시한 것으로, 이후 단계들을 거쳐 패턴이 형성될 영역인 패턴 영역(100) 및 패턴이 형성되지 않는, 패턴 영역을 제외한 비패턴 영역(200)을 구분하여 표시하였다.
에칭 단계(S100)는 에칭 후 도금이 가능한 수지로 형성된 지지체(95)의 표면의 적어도 일부를 에칭하는 단계이다. 수지에 있어서, 몇몇의 특정 종류의 수지는 에칭 과정을 거친 후에 도금이 가능하다. 에칭 과정이란 에칭 용액으로 표면을 처리하는 등의 과정을 통해 표면 조화와 화학적 변화를 일으키게 함으로써 도금의 밀착성을 향상시키는 것이다.
상기 에칭 후 도금이 가능한 수지는 ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), LCP(Liquid Crystal Polymer) 또는 기타 에칭 후 도금이 되는 수지 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성될 수 있다. 그러나 수지는 상술한 것에 한정되는 것은 아니다.
ABS 수지의 에칭 과정은 아크릴로니트릴-스틸렌 수지 중에 공 모양의 폴리부타디엔이 에칭으로 인해 용출되여 오목한 형상이 됨에 따라 발생하는 투묘(投錨)현상을 얻는 것이 대표적이다. 이러한 에칭 과정을 거친 ABS는 금속 밀착성이 향상되어 도금이 가능하다. 또한, 수지는 LCP 계열의 레진일 수도 있다.
에칭 단계(S100)에서는 지지체(95)의 전부 또는 일부가 에칭될 수 있다. 에칭되어 에칭면(110)이 형성되는 부분 중 적어도 일부는 이후 도금이 되어 패턴이 형성될 수 있는 영역이다. 따라서 이후의 단계에서 도금이 되어 패턴이 형성되지 않는 영역인 비패턴 영역(200) 중 적어도 일부의 영역은 에칭이 되지 않도록 할 수 있다. 패턴 영역(100)의 형상이 복잡하고 정교한 경우 패턴 영역(100)만을 선택적으로 에칭되도록 하는 것은 어려울 수 있다. 따라서 패턴 영역(100) 및 그 주변의 비패턴 영역(200)을 포괄적으로 에칭되도록 하되, 패턴 영역(100)의 주변이 아닌 비패턴 영역(200)의 일부 영역은 에칭이 되지 않도록 할 수 있다. 이러한 방법을 통해 이후의 에칭면(110) 제거 단계에서 제거하여야할 에칭면(110)의 면적이 줄어들게 되어 효율성을 증대시킬 수 있다.
예를 들면, 지지체의 일면에는 복잡한 도전성 패턴이 형성되는 반면, 타면에는 단순한 형상의 단자부만 형성될 경우, 일면은 전부 에칭되도록 하되, 타면은 단자부 부근을 제외한 부분은 에칭되지 않도록 할 수 있다. 또한, 다른 예로서, 지지체의 일면 중 일부에 치우친 부분에만 복잡한 도전성 패턴이 형성되는 경우, 도전성 패턴이 형성되는 일부가 아닌 부분은 에칭되지 않도록 할 수 있다.
비패턴 영역(200)의 적어도 일부를 에칭이 되지 않도록 하는 방법 중 하나는 마스킹하는 방법이다. 마스킹하는 것은 에칭이 되지 않도록 하는 영역에 에칭방지 코팅막을 형성하거나, 에칭방지 필름 부착하는 방법이 사용될 수 있다. 상기 에칭방지 코팅막이나 필름은 에칭 용액이 지지체의 표면에 직접적으로 닿지 않도록 하여 에칭이 되는 것을 방지하는 것이다. 또한 에칭방지 가림막이 사용될 수 있다. 에칭 용액이 지지체 표면에 분사되거나 플라즈마 등의 분사로 에칭하는 경우, 에칭방지 가림막은 지지체의 에칭이 되지 않도록 하는 영역에 에칭 용액이 분사되지 않도록 하거나 플라즈마가 분사되지 않도록 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 비패턴 영역(200)의 일부를 에칭이 되지 않도록 할 때, 상기 에칭 단계는 마스킹 단계(S110)와 부분 에칭 단계(S120)를 포함할 수 있다.
마스킹 단계(S110)는 비패턴 영역(200)의 적어도 일부를 에칭이 되지 않도록 마스킹하는 단계이고, 부분 에칭 단계(S120)는 상기 마스킹 단계에서 마스킹되지 않은 영역을 에칭하는 단계이다.
이하, 도 4를 참조하여 에칭면 제거 단계(S200)에 대해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 에칭면 제거 단계(S200)의 공정을 도시한 단면도들이다.
에칭면 제거 단계(S200)는 상기 에칭 단계에서 에칭된 표면 중 패턴이 형성될 패턴 영역(100)을 제외한 비패턴 영역(200)의 에칭된 표면을 제거하는 단계이다.
에칭면(110)은 이후 도금을 통해 패턴이 형성될 수 있다. 따라서 에칭된 에칭면(110) 중 패턴이 형성되지 않을 비패턴 영역(200)은 에칭된 표면이 제거되어야 한다. 에칭된 표면을 제거하는 방법 중 하나는 비패턴 영역(200)의 에칭된 표면에 레이저(500)를 조사하여 에칭면(110)을 제거하는 것이다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 패턴 형성 단계(S300)에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 1차 도금 단계(S310) 및 패턴 외곽부 제거 단계(S320)의 공정을 도시한 단면도들이고, 도 6은 본 발명의 전도성 패턴 형성방법 중 2차 도금 단계(S330)의 공정을 도시한 단면도들이다.
패턴 형성 단계(S300)는 상기 패턴 영역(100)을 도금하여 전도성 패턴을 형성하는 단계이다. 도금 방법으로는 무전해 도금이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 지지체(95)를 도금 용액에 담그면 에칭면(110)에 금속이 밀착되어 도금막(130)이 형성된다. 이전의 에칭면(110) 제거 단계에서 비패턴 영역(200)의 에칭면(110)을 제거하였으므로, 패턴 영역(100)에 도금막(130)이 형성되게 된다.
패턴 형성 단계(S300)는 1차 도금 단계(S310) 및 2차 도금 단계(S330)를 포함할 수 있다. 1차 도금 단계(S310)는 상기 패턴 영역(100)을 1차 도금하여 상기 패턴 영역(100)의 표면상에 1차 도금막(131)을 형성하는 단계이고, 2차 도금 단계(S330)는 상기 1차 도금막(131)을 2차 도금하여 상기 1차 도금막(131)의 표면상에 2차 도금막(133)을 형성하는 단계이다. 이때 1차 도금 단계(S310)는 1차 도금막(131)을 0.1㎛ 내지 5㎛로 형성하고, 2차 도금 단계(S330)는 2차 도금막(133)은 1㎛ 내지 30㎛로 형성할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
패턴 형성 단계(S300)는 상기 1차 도금 단계(S310)가 수행된 후에 수행되는 패턴 외곽부 제거 단계(S320)를 더 포함할 수 있다. 패턴 외곽부 제거 단계(S320)는 상기 1차 도금막(131) 중 상기 패턴 영역(100)의 외곽에 형성된 1차 도금막 부분(132)을 제거하는 단계이다. 에칭면(110) 제거 단계에서 비패턴 영역(200)의 에칭면(110)을 제거하였지만, 패턴 영역(100)과 비패턴 영역(200)의 경계 부분에서 에칭면(110)이 말끔히 제거되지 않을 수 있다. 또한, 레이저(500)를 조사하여 에칭면(110)을 제거하는 과정에서 분진 등이 패턴 영역(100)의 외곽에 밀착되어 존재할 수 있다. 이러한 경우, 1차 도금 단계를 거친 지지체(95)는 그 외곽에 불필요한 도금막(132)이 형성될 수 있다. 이러한 불필요한 도금막(132)을 제거하는 단계로 패턴 외곽부 제거 단계(S320)가 수행될 수 있다. 패턴 외곽부 제거 단계(S320)는 상기 패턴 영역(100)의 외곽에 형성된 1차 도금막 부분(132)에 레이저(500)를 조사하여 제거하는 것을 특징으로 할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여, 전도성 패턴이 형성된 구조물(300)에 대해서 설명한다. 도 7은 본 발명의 전도성 패턴이 형성된 구조물의 단면도이다. 설명의 편의성을 위하여, 전도성 패턴이 형성된 구조물(300)을 설명하는데 있어서, 앞서 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 전도성 패턴 형성 방법과 동일한 내용 중 일부는 생략하였다.
본 발명의 전도성 패턴이 형성된 구조물(300)은 표면에 전도성 패턴이 형성된 구조물로서, 상기 구조물은 에칭 후 도금이 가능한 수지로 형성되고, 상기 구조물의 표면은 전도성 패턴이 형성된 패턴 영역(100) 및 상기 패턴 영역(100)을 제외한 비패턴 영역(200)으로 구성된다.
상기 수지는 ABS, LCP 또는 기타 에칭 후 도금이 되는 수지 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성될 수 있다.
상기 패턴 영역(100)은 상기 패턴 영역(100)에 해당하는 구조물의 표면을 에칭한 에칭면(110) 및 에칭면(110) 상에 형성되는 도금막(130)을 포함한다. 상기 도금막(130)은 상기 패턴 영역(100)의 에칭면(110) 상에 형성되는 1차 도금막(131) 및 상기 1차 도금막(131) 상에 형성되는 2차 도금막(133)을 포함할 수 있다. 상기 1차 도금막(131)은 0.1㎛ 내지 5㎛로 형성되고, 상기 2차 도금막(133)은 1㎛ 내지 30㎛로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 비패턴 영역(200)은 표면에 에칭면(110)이 형성된 후, 제거된 에칭 제거 영역을 포함한다. 상기 에칭 제거 영역은 상기 비패턴 영역(200)의 에칭면(110)에 레이저(500)를 조사하여 상기 에칭면(110)이 제거된 것일 수 있다.
상기 비패턴 영역(200)은 표면에 에칭 방지 마스킹(230)이 형성된 마스킹(230) 영역을 더 포함할 수 있다. 마스킹(230) 영역은 상기 전도성 패턴 형성 방법에서 설명한 것과 같이, 그 표면에 에칭방지 코팅막이 형성되거나 에칭방지 필름이 부착될 수 있다. 또한, 에칭방지 가림막을 이용하여 마스킹(230)될 수도 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
100 : 패턴 영역 110 : 에칭면
130 : 도금막 131 : 1차 도금막
133 : 2차 도금막
200 : 비패턴 영역 230 : 마스킹
300 : 구조물
500 : 레이저

Claims (15)

  1. 에칭 후 도금이 가능한 수지로 형성된 지지체의 표면의 적어도 일부를 에칭하는 에칭 단계;
    상기 에칭 단계에서 에칭된 표면 중 패턴이 형성될 패턴 영역을 제외한 비패턴 영역의 에칭된 표면을 제거하는 에칭면 제거 단계; 및
    상기 패턴 영역을 도금하여 전도성 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계를 포함하는
    전도성 패턴 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭 단계는,
    상기 비패턴 영역의 적어도 일부를 에칭이 되지 않도록 마스킹하는 마스킹 단계; 및
    상기 마스킹 단계에서 마스킹되지 않은 영역을 에칭하는 부분 에칭 단계를 포함하는
    전도성 패턴 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 마스킹하는 것은 에칭방지 코팅막 형성, 에칭방지 필름 부착 또는 에칭방지 가림막 형성 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합인
    전도성 패턴 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭면 제거 단계는,
    상기 비패턴 영역의 에칭된 표면에 레이저를 조사하여 에칭면을 제거하는 것을 특징으로 하는
    전도성 패턴 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴 형성 단계는,
    상기 패턴 영역을 1차 도금하여 상기 패턴 영역의 표면상에 1차 도금막을 형성하는 1차 도금 단계; 및
    상기 1차 도금막을 2차 도금하여 상기 1차 도금막의 표면상에 2차 도금막을 형성하는 2차 도금 단계를 포함하는
    전도성 패턴 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 패턴 형성 단계는,
    상기 1차 도금막 중 상기 패턴 영역의 외곽에 형성된 1차 도금막 부분을 제거하는 패턴 외곽부 제거 단계를 더 포함하는
    전도성 패턴 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 패턴 외곽부 제거 단계는 상기 패턴 영역의 외곽에 형성된 1차 도금막 부분에 레이저를 조사하여 제거하는 것을 특징으로 하는
    전도성 패턴 형성방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 1차 도금 단계는 상기 1차 도금막을 0.1㎛ 내지 5㎛로 형성하고,
    상기 2차 도금 단계는 상기 2차 도금막을 1㎛ 내지 30㎛로 형성하는
    전도성 패턴 형성방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지는 ABS, LCP 또는 기타 에칭 후 도금이 되는 수지 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성되는
    전도성 패턴 형성방법.
  10. 표면에 전도성 패턴이 형성된 구조물로서,
    상기 구조물은 에칭 후 도금이 가능한 수지로 형성되고,
    상기 구조물의 표면은 전도성 패턴이 형성된 패턴 영역 및 상기 패턴 영역을 제외한 비패턴 영역으로 구성되고,
    상기 패턴 영역은 상기 패턴 영역에 해당하는 구조물의 표면을 에칭한 에칭면 및 상기 에칭면 상에 형성되는 도금막을 포함하고,
    상기 비패턴 영역은 표면에 에칭면이 형성된 후, 제거된 에칭 제거 영역을 포함하는
    전도성 패턴이 형성된 구조물.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 비패턴 영역은 표면에 에칭 방지 마스킹이 형성된 마스킹 영역을 더 포함하는
    전도성 패턴이 형성된 구조물.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 에칭 제거 영역은 상기 비패턴 영역의 에칭면에 레이저를 조사하여 상기 에칭면이 제거된
    전도성 패턴이 형성된 구조물.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 도금막은 상기 패턴 영역의 에칭면 상에 형성되는 1차 도금막; 및
    상기 1차 도금막 상에 형성되는 2차 도금막을 포함하는
    전도성 패턴이 형성된 구조물.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 1차 도금막은 0.1㎛ 내지 5㎛로 형성되고,
    상기 2차 도금막은 1㎛ 내지 30㎛로 형성되는
    전도성 패턴이 형성된 구조물.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 수지는 ABS, LCP 또는 기타 에칭 후 도금이 되는 수지 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성되는
    전도성 패턴이 형성된 구조물.

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