KR101386194B1 - 표시패널 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 표시패널 및 이의 제조방법에 따르면, 표시패널을 구성하는 어느 하나의 기판은 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 구비하고, 데이터라인으로부터 분기된 소오스전극 및 소오스전극과 동일한 물질을 포함하는 드레인전극을 구비한다. 데이터라인, 소오스전극 및 드레인전극은 니켈을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어진다. 알루미늄 합금은 내식성이 강하여 표시패널을 제조하는 공정 중에 데이터라인, 소오스전극 및 드레인전극이 외부의 이온과 결합하여 부식되는 현상이 방지된다.
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'을 절취한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시패널의 단면도이다.
도 4 내지 도 10는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시패널의 제조 방법을 나타낸 도면들이다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시패널의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 -- 제 1 기판 110 -- 게이트전극
120 -- 게이트절연막 130 -- 액티브 패턴
140 -- 오믹콘택패턴 152a -- 제 1 금속층
155a -- 제 2 금속층 160 -- 소오스전극
165 -- 드레인전극 170 -- 층간절연막
180 -- 유기절연막 200 -- 액정
300 -- 제 2 기판 500 -- 액정표시패널
PE -- 화소전극 T -- 박막트랜지스터
DL -- 게이트라인 GL -- 게이트라인
본 발명은 표시패널 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 제조 비용이 절감되는 표시패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 영상을 표시하는 표시패널은 표시기판과 상기 표시기판과 마주보는 대향기판을 포함하고, 표시기판 및 대향기판 사이에 액정이 구비되는 액정표시패널의 경우, 표시기판 및 대향기판 각각에는 전극이 구비되어 상기 전극을 이용하여 상기 액정의 비틀림 각을 제어한다.
액정표시패널은 상기 전극에 구동신호를 공급하기 위해서 배선이 형성되는데, 액정표시패널의 크기가 커질수록, 배선의 길이도 길어진다. 그 결과, 배선이 갖는 저항에 의해서 구동신호가 손실되고, 이에 따라 상기 구동신호의 손실을 최소화시키기 위하여 배선의 저항을 감소시키는 것이 요구된다. 하지만, 저항이 작은 물질을 이용하여 배선을 형성하는 것에 따른 다른 문제점들, 예컨대 배선이 부식되는 문제 또는 이를 극복하기 위한 공정이 추가되는 문제점이 발생한다.
본 발명의 목적은 제조비용이 절감된 표시패널 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 표시패널은 서로 마주보는 제 1 및 제 2 기판, 상기 제 1 기판에 형성되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이타라인, 상기 데이터라인으로부터 분기된 소오스전극, 상기 데이터라인 및 상기 소오스전극과 동일한 물질을 포함하고 상기 소오스전극과 이격되는 드레인전극, 및 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되어 상기 화소영역에 배열되는 화소전극을 포함한다.
상기 데이터라인, 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극은 니켈을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어진다. 상기 알루미늄 합금은 란타늄 또는 붕소를 더 포함할 수 있고, 상기 게이트라인은 상기 데이터라인과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 데이터라인은 몰리브덴, 티타늄 및 탄탈륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 도전층을 포함하는 이중층으로 이루어질 수도 있다.
또한, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 표시패널의 제조방법은, 제 1 기판을 준비하는 단계, 상기 제 1 기판 위에 게이트라인을 형성하는 단계, 상기 게이트라인과 부분적으로 오버랩되는 반도체 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판 위에 상기 게이트라인과 함께 상기 제 1 기판에 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계, 상기 화소영역에 상기 데이터라인으로부터 분기되는 소오스전극을 형성하는 단계, 상기 화소영역에 상기 소오스전극과 이격되는 드레인전극을 형성하는 단계, 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되어 상기 화소영역에 배열되는 화소전극을 형성하는 단계, 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포 함한다.
상기 데이터라인, 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극은 동일한 공정에서 형성된다. 보다 상세하게는, 상기 데이터라인, 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극을 형성하는 단계는, 상기 제 1 기판 위에 니켈을 포함하는 알루미늄 합금층을 형성하는 단계 및 상기 알루미늄 합금층을 패터닝하는 단계를 포함한다.
상기 알루미늄 합금층은 내식성이 강하여 상기 알루미늄 합금층 표면에 생성된 화합물을 제거하는 공정과 상기 알루미늄 합금층 표면 주위의 이온들을 세정하는 공정을 진행하지 않더라도, 상기 알루미늄 합금층과 주위의 이온들이 반응하여 화합물이 생성되는 것이 억제된다. 그 결과, 상기 표시패널을 제조하는 공정을 단순화시킬 수 있고, 상기 표시패널의 제조공정이 단순화됨에 따라 상기 표시패널의 제조비용이 절감된다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 다만 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 함께 제시된 도면은 명확한 설명을 위해서 다소 간략화되거나 과장된 것이며, 도면상에 동일 한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시패널의 부분 평면도이다.
도 1을 참조하면, 액정표시패널(500)은 서로 마주보는 제 1 기판(100),제 2 기판(300) 및 상기 제 1 기판(100) 및 상기 제 2 기판(300) 사이에 개재된 액정(도 2의 200)을 포함한다.
상기 제 1 기판(100)은 투명한 유리 기판으로, 상기 제 1 기판(100) 위에는 화소영역을 정의하는 데이터라인(DL) 및 게이트라인(GL)이 형성된다. 또한, 상기 화소영역에는 화소전극(PE)이 일대일 대응하여 구비되는데, 상기 화소전극(PE)은 상기 제 2 기판(200)의 공통전극(도 2의 330)과 전계를 형성하여 상기 액정의 비틀림 각을 제어한다. 이에 따라, 상기 액정표시패널(500)은 상기 액정의 비틀림 각에 따라 상기 제 1 기판(100)을 투과하여 상기 제 2 기판(300)으로 진행하는 광의 양을 조절할 수 있다. 한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 액정표시패널(500)의 평면도에서 상기 화소전극(PE)으로 도시된 부분은 상기 화소영역과 동일한 것으로 보아도 무방하다.
또한, 상기 화소영역에는 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 게이트 라인(GL)으로부터 분기된 전극을 갖는 박막트랜지스터(T)가 구비되고, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 화소전극(PE)과 일대일 대응하여 전기적으로 연결된다. 상기 박막 트랜지스터(T)는 스위칭 소자로, 상기 게이트라인(GL)으로부터 제어신호를 입력받아 턴-온 되면, 상기 데이터라인(DL)로부터 제공되는 데이터신호는 상기 화소전극(PE) 측으로 출력된다.
상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트라인(GL)으로부터 분기된 게이트전극(도2의 110), 상기 데이터라인(DL)으로부터 분기된 소오스전극(도2의 160) 및 상기 데이터라인(DL)과 동일한 물질을 포함하는 드레인전극(도2의 165)을 포함한다. 즉, 상기 데이터라인(DL), 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극은 동일한 물질로 이루어지고, 보다 상세하게는, 상기 데이터라인(DL), 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극은 니켈을 포함하는 알루미늄 합금층과 몰리브덴을 포함하는 도전층으로 이루어진다. 이에 대한, 구체적인 설명은 상기 박막트랜지스터(T)의 단면도를 이용하여 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 I-I'을 절취한 부분을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 제 2 기판(300)은 투명한 유리기판으로, 상기 제 2 기판(300)은 공통전극(330), 블랙 매트릭스(310) 및 컬러필터(320,325)를 구비한다.
상기 공통전극(330)은 투명한 도전물질로 형성되어 화소전극(PE)과 전계를 형성하여 상기 액정(200)의 비틀림 각을 제어한다. 또한, 박막트랜지스터(T)의 위치와 대응하여 상기 제 2 기판(300)에는 상기 블랙 매트릭스(310)가 형성된다. 상기 블랙매트릭스(310)는 상기 제 1 기판(100)으로부터 상기 제 2 기판(300) 측으로 진행하는 광을 차단한다. 또한, 상기 컬러필터(320,325)는 소정의 색상을 갖는 감광막으로 이루어져 상기 컬러필터(320,325)를 투과하는 백색광은 소정의 색상을 갖게 된다.
상기 박막트랜지스터(T)는 제 1 기판(100) 상에 게이트라인(도1의 GL)으로 부터 분기된 게이트전극(110), 상기 게이트전극(110)과 오버랩되는 액티브 패턴(130), 상기 액티브 패턴(130)의 양단부와 오버랩되는 오믹콘택 패턴(140), 상기 오믹콘택패턴(140)과 오버랩되어 형성되는 소오스전극(160), 및 상기 소오스전극(160)과 이격되어 상기 오믹콘택패턴(140)과 오버랩되는 드레인전극(165)을 포함한다.
데이터라인(도1의 DL), 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)은 니켈 및 란타늄을 포함하는 알루미늄 합금 및 몰리브덴을 포함하는 이중 금속층으로 이루어진다. 보다 상세하게는, 상기 소오스전극(160)은 몰리브덴으로 이루어진 제 1 금속패턴(152b)과 상기 알루미늄 합금으로 이루어진 제 2 금속패턴(155b)으로 이루어진다. 또한, 상기 드레인전극 (165)은 몰리브덴으로 이루어진 제 3 금속패턴(152c)과 상기 알루미늄 합금으로 이루어진 제 4 금속패턴(155c)으로 이루어진다.
도 7을 참조하면, 상기 제 1 및 제 3 금속 패턴(152b,152c)은 몰리브덴을 포함하는 제 1 금속층(152a)을 상기 제 1 기판(100) 위에 적층시킨 후, 상기 제 1 금속층(152a)을 패터닝하여 형성된다. 또한, 상기 제 2 및 제 4 금속패턴(155b,155c)은 상기 알루미늄 합금으로 이루어진 제 2 금속층(155a)을 상기 제 1 기판(100) 위에 적층시킨 후, 상기 제 2 금속층(155a)을 패터닝하여 형성한다.
상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)의 상기 알루미늄 합금으로 이루어진 상기 제 2 금속패턴(155b) 및 상기 제 4 금속패턴(155c)은 액정표시패널의 제조 공정 중에 외부에 노출되는 층이다. 하지만, 상기 제 2 및 제 4 금속패 턴(155b,155c)은 알루미늄 합금으로 이루어지므로 단일 원소로 이루어진 금속패턴보다 내식성이 우수하다.
일반적으로, 데이터라인, 소오스전극 및 드레인전극이 알루미늄 단일 원소로 이루어진 금속층으로 형성되면, 상기 금속층은 주변의 이온들과 쉽게 반응하여 상기 금속층 표면에 화합물이 생성된다. 상기 화합물은 상기 금속층의 저항을 증가시키고, 상기 금속층의 부식을 진행시키므로 상기 금속층에 의해 전달되는 데이터신호를 손실시킨다. 이를 방지하기 위하여, 상기 금속층을 에칭한 후, 상기 금속층 상에 생성된 화합물을 제거하는 공정과 상기 금속층에 잔존한 이온들을 제거하는 공정을 진행하거나, 또는 상기 금속층 상에 몰리브덴과 같은 금속을 이용하여 상기 금속층 표면을 코팅한다.
하지만, 데이터라인(도1의 DL), 소오스전극(160) 및 드레인전극(165)을 니켈 및 란타늄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성하면, 단일 원소로 이루어진 층보다 내식성이 개선된다. 따라서, 상기 데이터라인, 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)가 외부의 이온들과 반응하여 화합물이 생성되는 것이 억제된다. 이는, 상기 데이터라인, 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)의 표면에 생성된 화합물 또는 표면에 접촉된 이온들을 제거하는 공정을 생략할 수 있음을 의미하고, 그 결과, 액정표시패널의 제조공정이 단순화되어 제조비용이 절감된다.
또한, 상기 알루미늄 합금은 상기 화소전극(PE)과 직접적으로 콘택이 가능하여 상기 드레인전극(165) 상에 상기 화소전극(PE)과 오믹콘택을 위하여 몰리브덴과 같은 금속으로 형성된 별도의 금속층을 형성할 필요가 없다. 그 결과, 액정표시 패널의 제조공정이 단순화되고, 공정 시간이 감축되는 효과도 발생한다.
한편, 몰리브덴을 포함하는 상기 제 1 금속패턴(152b) 및 제 3 금속패턴(152c)은 상기 오믹콘택 패턴(140)과 접촉하여 상기 오믹콘택 패턴(140) 및 상기 제 2 금속 패턴(155b) 간의 접촉저항과 상기 오믹콘택 패턴(140) 및 상기 제 4 금속 패턴(155c) 간의 접촉저항을 감소시킨다. 그 결과, 상기 박막트랜지스터(T)의 채널층인 상기 액티브패턴(130)을 통해 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165) 간에 전류가 원활하게 이동할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에서는, 데이터라인(도1의 DL), 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)이 니켈 및 란타늄을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어지지만, 니켈 및 붕소를 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어질 수도 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에서는, 상기 제 1 금속패턴(152b) 및 상기 제 3 금속패턴(152c)은 몰리브덴을 포함하지만, 상기 제 1 금속패턴(152b) 및 상기 제 3 금속패턴(152c)은 몰리브덴 대신에 티타늄 또는 탄탈륨을 포함할 수도 있다.
앞서 상술한 본 발명의 효과를 위해 게이트라인 (도1의 GL)은 상기 데이터라인, 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 게이트라인이 알루미늄 합금으로 형성되는 경우, 상기 게이트라인은 절연체인 제 1 기판(100) 상에 형성되어 상기 게이트라인과 상기 제 1 기판(100) 간에 접촉저항을 감소시킬 필요가 없으므로, 상기 게이트라인에는 몰리브덴 층이 별도로 구비될 필요가 없다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시패널의 단면도이다. 도 3을 설명함에 있어서, 앞서 상술한 구성요소에 대해서는 도면부호를 병기하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 소오스전극(155d) 및 드레인전극(155e)은 니켈 및 란타늄을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어지는 단일 금속층으로 형성된다. 상기 소오스전극(155d) 및 상기 드레인전극(155e)을 상기 알루미늄 합금으로 이루어진 단일 금속층으로 형성하여 상기 알루미늄 합금으로 이루어진 층 하부에 몰리브덴으로 이루어진 층이 구비되지 않는다. 따라서, 몰리브덴으로 이루어진 층의 제조 공정이 생략되어 액정표시패널의 제조 공정이 단순해지고, 이에 따라 액정표시패널의 제조 비용이 절감된다. 이에 대한 보다 상세한 설명은 도 11을 이용하여 설명하기로 한다.
도 4 내지 도 10는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시패널의 제조 방법을 나타낸 도면들이다. 도 4 내지 도 10를 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대해서는 참조번호를 병기하고, 중복된 설명은 생략한다.
도 4 내지 도 10를 참조하면, 제 1 기판(100) 위에 게이트전극(110)을 형성한 후, 상기 게이트전극(110)을 커버하는 게이트절연막(120)이 형성한다.
상기 제 1 기판(100) 위에 게이트절연막(120)이 형성된 후, 액티브 패턴(130) 및 오믹콘택 패턴(140)이 형성된다. 상기 액티브 패턴(130) 및 상기 오믹콘택 패턴(140)은 액티브층(미도시) 및 오믹콘택층(미도시)을 연속적으로 상기 제 1 기판(100) 위에 증착시킨 후, 상기 액티브층 및 상기 오믹콘택층에 대해 동일한 포토마스크를 이용한 사진식각공정을 진행하여 형성한다.
상기 제 1 기판(100) 위에 상기 액티브 패턴(130) 및 상기 오믹콘택 패턴(140)이 형성된 후, 상기 제 1 기판(100) 위에 스퍼터링법을 이용하여 제 1 금속층(152a)을 형성시킨다. 상기 제 1 금속층(152a)은, 앞서 상술한 바와 같이, 몰리브덴으로 이루어지는 금속층이다.
상기 제 1 기판(100) 위에 상기 제 1 금속층(152a)이 형성된 후, 상기 제 1 기판(100) 위에 스퍼터링법을 이용하여 제 2 금속층(155a)을 형성시킨다. 상기 제 2 금속층(155a)은, 앞서 상술한 바와 같이, 니켈 및 란타늄을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어진 금속층이다.
상기 제 1 기판(100) 위에 상기 제 2 금속층(155a)이 형성된 후, 상기 제 1 및 제 2 금속층(152a,155a) 위에 감광막 패턴(미도시)을 형성한 후, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제 1 금속층(152a) 및 상기 제 2 금속층(155a)을 연속적으로 건식 식각한다. 그 결과, 제1 및 제2 금속 패턴(152b,155b)으로 이루어진 소오스전극(160)과 제 3 및 제 4 금속 패턴(152c,155c)으로 이루어진 드레인전극(165)이 형성된다.
또한, 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)을 형성한 후, 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)을 식각 마스크로, 오믹콘택 패턴(140)의 일부를 식각하는 공정, 소위, 에치백(etch back) 공정을 진행한다.
본 발명에 따른 실시예에서는, 상기 제 1 및 제 2 금속층(152a,155a)을 건식 식각하는 것이 바람직한데, 그 이유는, 상기 제 1 및 제 2 금속층(152a,155a)을 이방성 식각 방식인 건식 식각하면, 상기 제 1 및 제 2 금속층(152a,155a)이 식각 되는 부분의 형상을 제어하기가 용이해지고, 이에 따라, 상기 액티브패턴(130)이 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)에 의해 커버되지 않고 외부로 노출된 화소전극(도9의 PE) 간에 발생되는 캡의 발생이 최소화되기 때문이다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(152a,155a)의 패터닝 공정이 완료되면, 그 결과, 제 1 금속패턴(152b) 및 제 2 금속패턴(155b)으로 이루어진 소오스전극(160) 및 제 3 금속패턴(152c) 및 제 4 금속패턴(155c)으로 이루어진 드레인전극(165)이 형성된다.
상기 제 2 금속패턴(155b) 및 상기 제 4 금속패턴(155c)은 내식성이 강한 알루미늄 합금으로 이루어지기 때문에, 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)을 형성시킨 후, 상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)의 표면에 화합물의 생성이 억제된다. 또한, 상기 제 1 내지 제 4 금속패턴은 이온들과 반응성이 작으므로, 상기 제 1 및 제 2 금속층(152a,155a)의 식각 과정에서 상기 제 1 내지 제 4 금속 패턴의 외부로 노출된 표면에 잔존한 이온들을 세정하는 공정을 생략하여도 무방하다. 이는, 액정표시패널의 제조공정을 단순화시키고, 제조비용을 절감시킨다.
상기 소오스전극(160) 및 상기 드레인전극(165)이 형성되면, 상기 제 1 기판(100)의 전면에 층간절연막(170) 및 유기절연막(180)이 형성된다. 상기 층간절연막(170) 및 상기 유기절연막(180)이 형성된 후, 상기 제 4 금속패턴(155c)의 일부가 외부로 노출되도록 상기 층간절연막(170) 및 상기 유기절연막(180)을 패터닝한다. 상기 층간절연막(170) 및 상기 유기절연막(180)이 패터닝된 후, 상기 제 4 금 속패턴(155c)과 전기적으로 연결되는 화소전극(PE)을 형성한다.
상기 제 1 기판(100)에 상기 화소전극(PE)이 형성되면, 도면에 도시되지 않았지만, 상기 제 1 기판(100) 위에 액정(도2의 200)을 적하시킨 후, 제 2 기판(도 2의 300)과 상기 제 1 기판(100)을 합착시켜 액정표시패널(도 2의 500)을 최종 완성한다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시패널의 제조방법을 나타낸 도면이다. 도 11을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대한 도면부호를 병기하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시패널의 제조방법에 대한 상세한 설명에서는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예와 중복되는 부분은 제외된다.
도 11을 참조하면, 게이트전극(110), 액티브패턴(130) 및 오믹콘택패턴(140)이 형성된 제 1 기판(100) 위에 제 2 금속층(155a)이 형성된다. 상기 제 2 금속층(155a)은, 앞서 상술한 바와 같이, 니켈 및 란타늄을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어진다. 본 발명의 제 1 실시예에서는 상기 제 2 금속층(155a)을 상기 제 1 기판(100) 위에 형성하기전, 제 1 금속층(도6의 152a)을 형성하나, 본 발명의 제 2 실시예에서는 상기 제 1 금속층을 형성하지 않고, 상기 오믹콘택패턴(140) 상에 상기 제 2 금속층(155a)을 형성한다.
상기 제 2 금속층(155a)이 형성되면, 상기 제 2 금속층(155a)을 패터닝하여 소오스전극(도3의 155d) 및 드레인전극(도3의 155e)이 형성된다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극은 상기 알루미늄 합금 층으로만 이루어진 단일층으로 형성된다.
상술한 본 발명의 표시패널 및 이를 제조하는 방법에 따르면, 데이터배선, 소오스전극 및 드레인전극은 니켈을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어져 화소전극과 직접적으로 콘택이 가능하고, 외부의 이온들과 반응성이 낮기 때문에, 제 2 금속층 표면에 외부 이온들과 반응하여 생성된 화합물 및 제 2 금속층 표면에 잔존한 이온들을 제거하기 위한 세정 공정을 생략하여도 무방하다. 따라서, 표시패널의 제조하는 공정을 단순화할 수 있고, 이에 따라 표시패널의 제조비용이 절감된다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
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- 제 1 기판을 준비하는 단계;상기 제 1 기판 위에 게이트라인을 형성하는 단계;상기 게이트라인과 부분적으로 오버랩되는 반도체 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 기판 위에 상기 게이트라인과 함께 상기 제 1 기판의 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계;상기 화소영역에 상기 데이터라인으로부터 분기되는 소오스전극을 형성하는 단계;상기 소오스전극과 동일한 물질을 포함하고, 상기 화소영역에 상기 소오스전극과 이격되는 드레인전극을 형성하는 단계;상기 드레인전극과 전기적으로 연결되어 상기 화소영역에 배열되는 화소전극을 형성하는 단계; 및상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하고,상기 데이터라인, 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극을 형성하는 단계는,상기 제 1 기판 위에 니켈을 포함하는 알루미늄 합금층을 형성하는 단계; 및상기 알루미늄 합금층을 건식 식각으로 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 게이트라인은 상기 데이터라인과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 알루미늄 합금층은 란타늄을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 알루미늄 합금층은 붕소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 데이터라인, 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극을 형성하는 단계는,상기 알루미늄 합금층을 형성하기 전에 상기 제 1 기판 위에 몰리브덴, 티타늄 및 탄탈륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 도전층을 형성하는 단계; 및상기 도전층을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 건식 식각에 의해 상기 데이터라인, 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극이 형성된 이후에, 상기 알루미늄 합금층에 포함된 니켈에 의해 상기 데이터 라인, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 각각의 노출된 표면 및 이온들 간의 반응성이 감소되는 것을 특징으로 하는 표시패널의 제조방법.
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Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013683A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造および配線構造を備えた表示装置 |
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| KR20150029177A (ko) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN104730782B (zh) * | 2015-04-01 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
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| CN105336792B (zh) * | 2015-11-02 | 2019-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 碳纳米管半导体器件及其制备方法 |
| KR102553976B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2023-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010066176A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 윤종용 | 배선의 제조 방법 및 그 배선을 포함하는 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20050048776A (ko) * | 2003-11-20 | 2005-05-25 | 삼성전자주식회사 | 전극 패턴 형성방법 |
| JP2006330662A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-12-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表示デバイスの素子構造 |
| JP2007081385A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Kobe Steel Ltd | ソース−ドレイン電極、トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220562A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-08-30 | Toshiba Corp | 表示装置用アレイ基板およびその製造方法 |
| TW451447B (en) * | 1999-12-31 | 2001-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same |
| TWI263339B (en) * | 2002-05-15 | 2006-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2004363556A (ja) | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 半導体素子 |
| JP2005303003A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法 |
| KR100590270B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| US7531904B2 (en) * | 2005-04-26 | 2009-05-12 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Al-Ni-B alloy wiring material and element structure using the same |
| US7683370B2 (en) * | 2005-08-17 | 2010-03-23 | Kobe Steel, Ltd. | Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices |
-
2007
- 2007-06-22 KR KR1020070061693A patent/KR101386194B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-06-20 US US12/214,570 patent/US20090039350A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-12-29 US US12/981,287 patent/US8273612B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010066176A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 윤종용 | 배선의 제조 방법 및 그 배선을 포함하는 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20050048776A (ko) * | 2003-11-20 | 2005-05-25 | 삼성전자주식회사 | 전극 패턴 형성방법 |
| JP2006330662A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-12-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表示デバイスの素子構造 |
| JP2007081385A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Kobe Steel Ltd | ソース−ドレイン電極、トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080112794A (ko) | 2008-12-26 |
| US8273612B2 (en) | 2012-09-25 |
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