KR101902253B1 - 표시 패널 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

표시 패널의 제조 방법은 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 제1 베이스 기판 상에 제1 고분자막을 형성한다. 상기 제1 고분자막의 상기 제n 행(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제1 고분자막의 상기 제(n+1) 행의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 양의 방향을 공기를 분사하여 제1 배향막을 형성한다. 상기 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 단위 화소 영역은 매트릭스 형태로 배열된 상기 서브 화소 영역들을 포함하는 제2 베이스 기판 상에 제2 고분자막을 형성한다. 상기 제2 고분자막의 상기 제n 열의 서브 화소 영역들 상에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제2 고분자막의 상기 제(n+1) 열의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 양의 방향을 공기를 분사하여 제2 배향막을 형성한다. 상기 제1 베이스 기판과 상기 제2 베이스 기판 사이에 액정 물질을 주입하고 밀봉한다.

Description

표시 패널 및 이의 제조방법 {DISAPLAY PANE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 멀티 도메인을 형성시킨 표시 패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판표시장치의 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 개재된 액정층 및 상기 표시판의 바깥면에 부착되어 있는 편광판을 포함한다.
이러한 액정표시장치 중에서도, 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 기판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode)의 액정표시장치가 대비비가 크고 기준 시야각이 넓어서 각광받고 있다.
수직 배향 방식의 액정표시장치에서 넓은 기준 시야각을 구현하기 위한 구체적인 방법으로는 상기 전기장 생성 전극에 절개부, 즉 슬릿을 형성하는 방법과 상기 전기장 생성 전극 위에 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 상기 절개부 및 상기 돌기는 상기 액정 분자가 기울어지는 방향(tilt direction)을 결정하므로, 이들을 적절하게 배치하여 액정 분자의 경사 방향을 여러 방향으로 분산시킴으로써 기준 시야각을 넓힐 수 있다.
그러나, 상기 전기장 생성 전극에 형성된 슬릿 및 돌기는 화소의 투과율을 저하시키는 요인이 된다. 따라서, 상기 슬릿 및 돌기와 같은 요소들이 없이도 액정표시장치의 시야각을 크게 하고 투과율을 향상시킬 수 있는 기술이 요구된다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 상기한 기술적 요구에 착안한 것으로, 본 발명의 실시예들은 투과율 및 시야각을 향상시키는 표시 패널을 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예들은 상기 표시 패널의 제조방법을 제공한다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법은 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 제1 베이스 기판 상에 제1 고분자막을 형성한다. 상기 제1 고분자막의 상기 제n 행(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제1 고분자막의 상기 제(n+1) 행의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 양의 방향을 공기를 분사하여 제1 배향막을 형성한다. 상기 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 단위 화소 영역은 매트릭스 형태로 배열된 상기 서브 화소 영역들을 포함하는 제2 베이스 기판 상에 제2 고분자막을 형성한다. 상기 제2 고분자막의 상기 제n 열의 서브 화소 영역들 상에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제2 고분자막의 상기 제(n+1) 열의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 양의 방향을 공기를 분사하여 제2 배향막을 형성한다. 상기 제1 베이스 기판과 상기 제2 베이스 기판 사이에 액정 물질을 주입하고 밀봉한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 인접한 서브 단위 화소 영역들의 배향 방향은 상기 인접한 서브 단위 화소 영역들의 경계를 기준으로 서로 대칭일 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고분자막 및 상기 제2 고분자막은 고분자 물질을 잉크젯(ink jet) 방식을 이용하여 각각 상기 제1 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판상에 고분자 물질을 분사하여 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고분자막을 형성하는 단계는 상기 제n 행(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 음의 방향을 따라 고분자 물질을 분사하고, 상기 제(n+1) 행의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 양의 방향을 따라 상기 고분자 물질을 분사할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 고분자막을 형성하는 단계는 상기 제n 열(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 음의 방향을 따라 고분자 물질을 분사하고, 상기 제(n+1) 열의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 양의 방향을 따라 상기 고분자 물질을 분사할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 베이스 기판상에 상기 표시 패널의 구동 신호를 전달하는 신호선을 형성하고, 상기 제2 베이스 기판상에 상기 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 차광층을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제1 방향을 따라 상기 서브 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 제1 경계 라인을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 경계 라인은 상기 신호선과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 제2 방향을 따라 상기 서브 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 제2 경계 라인을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 경계 라인은 상기 차광층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고분자막의 상기 제1 방향과 평행한 상기 서브 단위 화소 영역의 경계 영역 상에 분사되는 공기량은 상기 제1 고분자막의 상기 서브 단위 화소 영역 상에 분사되는 공기량보다 클 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 고분자막의 상기 제2 방향과 평행한 상기 서브 단위 화소 영역의 경계 영역 상에 분사되는 공기량은 상기 제2 고분자막의 상기 서브 단위 화소 영역 상에 분사되는 공기량보다 클 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법은 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 제1 베이스 기판 상에 고분자막을 형성한다. 상기 제1 고분자막의 상기 제n 행(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제1 고분자막의 상기 제(n+1) 행의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 양의 방향을 공기를 분사한다. 상기 제1 고분자막의 상기 제n 열의 서브 화소 영역들 상에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제1 고분자막의 상기 제(n+1) 열의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 양의 방향을 공기를 분사하여 제1 배향막을 형성한다. 제2 베이스 기판 상에 제2 배향막을 형성한다. 상기 제1 베이스 기판과 상기 제2 베이스 기판 사이에 액정 물질을 주입하고 밀봉한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 베이스 기판상에 상기 표시 패널의 구동 신호를 전달하는 신호선을 형성할 수 있으며, 상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제1 방향을 따라 상기 서브 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 제1 경계 라인 및 상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제2 방향을 따라 상기 서브 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 제2 경계 라인을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 경계 라인 및 상기 제2 경계 라인은 상기 신호선과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 베이스 기판상에 상기 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 차광층을 형성하고, 상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제1 방향을 따라 상기 서브 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 제1 경계 라인 및 상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제2 방향을 따라 상기 서브 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 제2 경계 라인을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 경계 라인 및 상기 제2 경계 라인은 상기 차광층과 동일한 물질 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고분자막의 상기 서브 단위 화소 영역의 경계 영역 상에 분사되는 공기량은 상기 제1 고분자막의 상기 서브 단위 화소 영역 상에 분사되는 공기량보다 클 수 있다.
상기한 본 발명의 또 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 베이스 기판, 상기 인접한 서브 단위 화소 영역들의 선경사각은 상기 인접한 서브 단위 화소 영역들의 경계를 기준으로 서로 대칭으로 배향한 제1 배향막 및 상기 서브 단위 화소 영역들의 경계에 형성되는 제1 경계 라인 및 제2 경계 라인을 포함하는 제1 기판, 제2 배향막을 포함하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 개재되는 액정층을 포함한다.
상기한 본 발명의 또 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 베이스 기판, 상기 인접한 서브 단위 화소 영역들의 선경사각은 상기 인접한 서브 단위 화소 영역들의 경계를 기준으로 서로 대칭으로 배향하고, 상기 서브 단위 화소 영역들의 경계에서의 선경사각이 상기 서브 단위 화소 영역들 내에서의 선경사각보다 큰 제1 배향막을 포함하는 제1 기판, 제2 배향막을 포함하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 개재되는 액정층을 포함한다.
상기한 표시 패널 및 이의 제조방법에 의하면, 화소 전극과 같은 전계 생성 전극에 슬릿 패턴 또는 돌기 패턴과 같이 투과율을 감소시키는 요소를 형성하지 않고도 단위 화소 영역 상의 배향막을 멀티 도메인(Multi Domain)화 할 수 있다. 따라서 단위 화소 영역의 투과율이 향상되며, 배향시 발생하는 선경사각(Pretilt)로 인해 액정표시장치의 응답속도가 향상되어 액정표시장치의 표시품질이 향상된다.
또한, 공기 분사(Air Blowing)에 의한 배향막 형성을 통해, 배향막 상에 스크래치(Scrach) 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널을 I-I선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 패널의 제조방법을 설명하는 순서도이다.
도 4는 잉크 분사 장치에 대한 개념도이다.
도 5a, 5b, 5c 및 5d는 도 4의 잉크 분사 장치에 의한 고분자 물질의 분사 방법을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널의 하부 고분자막 및 상부 고분자막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
도 7은 배향막 형성 물질의 화학 구조이다.
도 8은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널의 하부 배향막 및 상부 배향막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 표시 패널의 하부 고분자막 및 상부 고분자 막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 하부 고분자막 및 상부 고분자막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 하부 배향막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시 패널을 I-I선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 패널(100)은 어레이 기판(101), 대향 기판(201) 및 액정층(301)을 포함한다.
상기 어레이 기판(101)과 상기 대향 기판(201)은 본 실시예에 따른 배향 기판들이며, 상기 어레이 기판(101) 및 상기 대향 기판(201)은 상기 액정층(301)이 갖는 액정 분자들을 초기 배향시킨다. 상기 어레이 기판(101)의 하부 배향막(180) 및 상기 대향 기판(201)의 상부 배향막(280)에 의해 상기 액정 분자들은 서로 다른 선경사각으로 초기 배향된다.
예를 들어, 상기 표시 패널(100)에는 매트릭스 형태로 복수의 단위 화소 영역들(PA)이 정의된다. 상기 단위 화소 영역(PA)은 상기 어레이 기판(101)의 하부 배향막(180) 및 상기 대향 기판(201)의 상부 배향막(280)에 의해 4개의 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)로 나누어 질 수 있다. 도 2를 참조하면 상기 단위 화소 영역은 4개의 서브 화소 영역들, 예를 들어, 1행1열 서브 화소 영역(SPA11), 1행2열 서브 화소 영역(SPA12), 2행1열 서브 화소 영역(SPA21) 및 2행2열 서브 화소 영역(SPA22)으로 구분되어 있다.
상기 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)은 각각 서로 다른 선경사각으로 초기 배향된다. 따라서, 상기 각 단위 화소 영역들(PA)은 4개의 멀티 도메인으로 나누어질 수 있다.
상기 대향 기판(201)은 R, G, B 컬러필터를 갖는 컬러필터 기판일 수 있다. 상기 어레이 기판(101)은 스위칭 소자를 이용한 액티브 매트릭스 구동 방식으로 구동되는 소자 기판일 수 있다.
상기 어레이 기판(101)은 대략 직사각형 형상을 가질 수 있다. 따라서 상기 어레이 기판(101)의 가로 방향 또는 행방향을 제1 방향(x)으로, 상기 어레이 기판(101)의 세로방향 또는 열방향을 제2 방향(y)으로 각각 정의한다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 패널의 제조방법을 설명하는 순서도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 어레이 기판(101)은 하부 베이스 기판(110)기판, 복수의 게이트 라인들(111), 복수의 데이터 라인들(115), 박막트랜지스터(TFT), 화소 전극(170) 및 하부 배향막(280)을 포함한다.
상기 대향 기판(201)은 상부 베이스 기판(210), 차광패턴(220), 컬러필터 패턴(230), 오버 코팅층(240), 공통 전극(270) 및 상부 배향막(280)을 포함한다.
본 실시예에서 상기 단위 화소 영역(PA)은 대략 직사각 형상을 갖는다. 이와 다르게, 상기 화소 영역(PA)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다.
예를 들면, 상기 단위 화소 영역들이 정의된 상기 어레이 기판(101) 및 상기 대향 기판(102)을 제공한다(단계 S10).
구체적으로, 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 게이트 금속을 증착하고, 사진-식각 공정에 의해 상기 게이트 라인들(111) 및 상기 게이트 라인들(111)로부터 돌출된 게이트 전극(112)을 형성한다. 상기 게이트 라인들(111)은 상기 하부 베이스 기판(110) 상에서 상기 제1 방향(x)으로 연장된다.
상기 하부 베이스 기판(110) 상에 게이트 절연막(120) 및 반도체 패턴(122)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 게이트 라인들(111)들 위에 형성된다. 상기 게이트 절연막(120) 상에 반도체 패턴(122)을 증착하고 식각하여 상기 반도체 패턴(122)을 형성한다. 상기 반도체 패턴(122)은 상기 게이트 전극(112) 상의 게이트 절연막(120) 위에 형성된다.
상기 게이트 절연막(120) 위에 데이터 금속층을 증착하고 패터닝하여 상기 데이터 라인(115), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(125)을 형성한다.
상기 데이터 라인들(115)은 상기 게이트 절연막(120) 상에서 상기 제2 방향(y)으로 연장되어 있다. 상기 소스 전극(123)은 상기 데이터 라인들(115)로부터 돌출되어 상기 게이트 전극(112) 상의 상기 반도체 패턴(122) 위로 연장된다.
상기 드레인 전극(125)은 상기 반도체 패턴(122) 위에서 상기 소스 전극(123)과 이격되어 배치되며, 상기 게이트 절연막(120) 위로 연장된다.
상기 게이트 전극(112), 상기 게이트 절연막(120), 상기 반도체 패턴(122), 상기 소스 전극(123) 및 상기 드레인 전극(125)은 박막트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 데이터 라인(115)이 형성된 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 패시배이션막(130)을 형성한다. 상기 패시배이션막(130) 상에 유기 절연막(140)을 형성한다. 상기 유기절연막(140) 및 상기 패시배이션막(130)에는 상기 드레인 전극(125)의 일부를 노출시키는 콘택홀들이 형성되어 있다.
상기 유기 절연막(140) 상에 투명한 전도성 물질층을 증착하고 패터닝하여 상기 화소 전극(170)을 형성한다. 상기 화소 전극(170)은 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(125)에 접촉되어 있다. 상기 투명 도전성 물질은 예를 들어, 산화인듐주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화인듐아연(indium zinc oxide: IZO) 등일 수 있다.
상기 대향 기판(201)은 상부 베이스 기판(210), 차광패턴(220), 컬러필터 패턴(230), 오버 코팅층(240), 공통 전극(270) 및 상부 배향막(280)을 포함한다.
상기 차광패턴(220)은 상기 게이트 라인들(111), 상기 데이터 라인들(115) 및 상기 박막트랜지스터(TFT)에 대응하여 형성되어 있다. 따라서 상기 화소 영역(PA)에 대응하는 상기 상부 베이스 기판(210)에는 컬러필터 패턴(230)이 형성된다. 상기 컬러필터 패턴(230)은 예를 들어, 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 포함할 수 있다. 상기 적색 필터, 상기 녹색 필터 및 상기 청색 필터 순서로 상기 제1 방향(x)을 따라 각 화소 영역(PA)에 배치될 수 있다.
상기 오버 코팅층(240)은 컬러필터 패턴(230) 및 차광패턴(220)을 덮고, 상기 공통 전극(270)은 오버 코팅층(240) 상에 형성된다. 상기 공통 전극(270)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전성 물질은 예를 들어, 산화인듐주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화인듐아연(indium zinc oxide: IZO) 등일 수 있다.
상기 화소 전극(170) 상에 하부 고분자막(180a)을 형성하고, 상기 공통 전극(270) 상에 상부 고분자막(280a)을 형성한다 (단계 S20). 상기 하부 고분자막(180a) 및 상기 상부 고분자막(280a)은 잉크젯 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 4는 잉크 분사 장치에 대한 개념도이다.
도 4를 참조하면, 상기 잉크 분사 장치(JT)는 고분자 물질을 포함하는 잉크젯 헤드(inkjet head)를 포함한다. 상기 잉크젯 헤드에 채워진 고분자 물질이 잉크 분사 장치(JT)의 단부에 형성된 노즐(nozzle)을 통해 기판에 분사 되어 상기 고분자막을 형성한다. 상기 잉크 분사 장치(JT)의 단부에는 상기 노즐이 적어도 한 개 이상 형성될 수 있다. 상기 인접한 노즐간의 간격(P)을 조절하여 상기 기판 상에 일정한 간격으로 상기 고분자 물질을 분사 할 수 있다.
도 5a, 5b, 5c 및 5d는 도 4의 잉크 분사 장치에 의한 고분자 물질의 분사 방법을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 5a를 참조하면, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 노즐들은 상기 제1 방향(x)을 따라 약 254um의 간격으로 형성된다. 상기 잉크 분사 장치(JT)가 상기 제2 방향(y)과 평행하게 이동하면, 상기 고분자 물질은 상기 제1 방향(x)을 따라 약 254um의 간격으로 형성된다. 또한, 상기 고분자 물질은 상기 제2 방향(y)과 평행한 복수의 열을 형성한다.
도 5b를 참조하면, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 노즐은 약 254um의 간격으로 형성되지만, 상기 잉크 분사 장치(JT)가 제1 방향(x)에 대하여 θ만큼 회전한 상태에서 상기 제2 방향(y)을 따라 이동 된다. 이 경우, 상기 고분자 물질은 제1 방향(x)을 따라 약 cos(θ)*254um의 간격으로 형성된다. 또한, 상기 고분자 물질은 상기 제2 방향(y)과 평행한 복수의 열을 형성한다.
도 5c를 참조하면, 상기 잉크 분사 장치(JT1, JT2)를 적어도 2개 이상 평행하게 배열하여 고분자 물질을 분사한다. 이 때, 각 상기 잉크 분사 장치(JT1, JT2)의 노즐들은 서로 교번적으로 배열된다. 즉, 상기 제1 잉크 분사 장치(JT1)의 노즐들 사이에 상기 제2 잉크 분사 장치(JT2)의 노즐들이 배치된다. 상기 제1 및 제2 잉크 분사 장치들(JT1, JT2)이 제2 방향(y)과 평행하게 이동하면, 상기 고분자 물질은 제1 방향(x)을 따라 약 254/2um의 간격으로 형성된다. 또한, 상기 고분자 물질은 상기 제2 방향(y)과 평행한 복수의 열을 형성한다.
만약 n개의 잉크 분사 장치(JT)가 배열되어 있다면, 상기 고분자 물질의 상기 제1 방향(x)에 따른 간격은 254/n um 이 된다.
도 5d를 참조하면, 하나의 상기 잉크 분사 장치(JT)를 이용하여 고분자 물질을 분사한다. 그러나, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)을 따라 이동시킴과 동시에, 상기 제1 방향(x)을 따라 254/2um 만큼 지그재그로 이동시킨다. 이와 같이 이동하게 되면, 상기 고분자 물질은 제1 방향(x)을 따라 약 254/2um의 간격으로 형성된다. 또한, 상기 고분자 물질은 상기 제2 방향(y)에 대하여 평행한 복수의 열을 형성한다.
만약 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)을 따라 이동시킴과 동시에, 상기 제1 방향(x)을 따라 254/n um 만큼 지그재그로 이동시키면, 상기 고분자 물질의 상기 제1 방향(x)에 따른 간격은 254/n um 이 된다.
본 실시예에서는 도 5a에 도시된 방법으로 잉크 분사 장치(JT)를 이동시켜 고분자 물질을 분사하는 것을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 배향막의 형성 조건에 따라, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 고분자 물질 분사는 적절하게 변형될 수 있다.
또한, 도 5a 내지 5d에는 도시되지 않았으나, 노즐의 간격뿐만 아니라 다른 요인에 의해 상기 고분자 물질의 간격을 조절할 수 있다.
<표 1>
Figure 112011066046626-pat00001
상기 표 1은 고분자막의 두께를 증가시키는 요소와 고분자막의 두께를 감소시키는 요소를 도시하였다.
상기 표 1을 참조하면, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 분사 주파수를 조정하여 고분자 물질의 간격을 조절할 수 있다. 상기 잉크 분사 장치(JT)의 분사 주파수를 높이면, 상기 고분자 물질의 간격이 좁아지며, 상기 분사 주파수를 낮추면, 상기 고분자 물질의 간격이 넓어진다.
또한, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 이동 속도를 증가시키면, 상기 고분자 물질의 간격이 넓어지면, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 이동 속도를 감소시키면, 상기 고분자 물질의 간격이 좁아진다.
상기 고분자 물질은 점성을 갖는 액상 물질이므로, 상기 잉크 분사 장치(JT)에 의해 분사된 후 주변으로 퍼져 나가게 된다. 따라서, 상기 고분자 물질의 간격이 좁아지면, 상기 고분자 물질이 퍼져 나가는 영역이 좁아 두껍게 형성될 수 있다. 이에 반해, 상기 고분자 물질의 간격이 넓으면, 상기 고분자 물질이 퍼져 나가는 영역이 넓어 상기 고분자 물질이 얇게 형성 될 수 있다.
또한, 상기 고분자 물질의 분사 횟수를 증가시키면, 상기 고분자 물질을 두껍게 형성할 수 있다.
그러므로, 상기 잉크 분사 장치의 토출량, 분사 주파수, 이동 속도, 이동 회수, 잉크 분사 장치의 배열 간격, 상기 고분자 물질의 농도 및 노즐의 배열 간격 등을 필요한 고분자 물질의 두께 및 고분자 물질간의 간격에 맞추어 적절히 조절하여 사용할 수 있다.
한편, 상기 잉크 분사 장치(JT)와 기판간의 간격에 의해, 상기 잉크 분사 장치(JT)에서 분사된 고분자 물질이 정확히 수직 방향의 기판으로 분사되지 않는다. 이러한 경우, 상기 기판 상에 고분자 물질이 균일하게 분사되지 않아 상기 고분자 물질이 없는 핀 홀(Pin hole)등이 형성되어, 균일한 배향막을 형성할 수 없다. 또한, 각 서브 화소 영역의 고분자막의 끝단이 정확하게 얼라인되지 않아 인접한 서브 화소 영역의 고분자막과 중첩되게 된다. 따라서, 배향막의 불량을 야기할 수 있다.
따라서, 상기 잉크 분사 장치(JT)와 기판간의 간격을 최소화하여 상기 잉크 분사 장치(JT)에서 분사된 고분자 물질이 정확히 수직 방향의 기판으로 분사되도록 조정할 수 있다. 이 때, 상기 잉크 분사 장치(JT)와 기판 간의 간격은 100±50um 일 수 있다.
또한, 상기 고분자 물질은 점성을 가지는 액적 형태로 분사되므로, 기판 상에서 퍼져나가게 된다. 이 때, 고분자 물질의 인쇄 방향의 간격이 노즐의 간격보다 크면, 분사되는 상기 고분자 물질이 상기 인쇄 방향 사이에서 고분자 물질이 퍼져나가기에 부족할 수 있다. 따라서, 상기 고분자 물질이 형성되지 않는 부분이 생길 수 있으며, 배향막의 단부에서 인쇄 방향의 간격이 시인되는 불량이 발생할 수 있다.
따라서, 상기 고분자 물질의 인쇄 방향의 간격이 노즐의 간격보다 작거나 같게 형성하여, 상기 고분자 물질이 분사된 후 기판 상에서 퍼져 나갈 때, 관찰자가 진행방향의 간격을 시인하지 못하도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널의 하부 고분자막 및 상부 고분자 막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 잉크젯 헤드에 상기 고분자 물질을 넣고 상기 잉크젯 헤드를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에서 이동시키면서, 주기적으로 상기 고분자 물질을 상기 하부 베이스 기판(110)으로 분사하여, 상기 하부 고분자막(180a)을 형성한다. 이 때, 상기 화소 영역(PA)의 일부에 대응하는 투과 영역들이 형성된 마스크를 이용할 수 있다.
구체적으로, 상기 화소 영역(PA)의 제1 열(SPA11, SPA21)을 오픈 시키고, 상기 화소 영역(PA)의 제2 열(SPA12, SPA22)을 차폐하는 제1 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제1 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제1 열(SPA11, SPA21) 상에 상기 고분자 물질이 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 분사된다.
이 후, 상기 화소 영역(PA)의 제1 열(SPA11, SPA21)을 차폐하고, 상기 화소 영역(PA)의 제2 열(SPA12, SPA22)을 오픈 하는 제2 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제2 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제2 열(SPA12, SPA22) 상에 상기 고분자 물질이 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 분사된다.
상기 고분자 물질이 상기 하부 베이스 기판(110)상에 분사되어 상기 하부 고분자막(180a)을 형성한다.
상기 상부 고분자막(280a)도 고분자 물질의 분사 방향을 제외하고는 상기 하부 고분자막(180a)과 동일한 방법에 의해 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 화소 영역(PA)의 제1 행(SPA11, SPA12)을 오픈 시키고, 상기 화소 영역(PA)의 제2 행(SPA21, SPA22)을 차폐하는 제3 마스크를 상기 상부 베이스 기판(210) 상에 배치한다. 상기 제3 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제1 행(SPA11, SPA12) 상에 상기 고분자 물질이 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 분사된다.
이 후, 상기 화소 영역(PA)의 제1 행(SPA11, SPA12)을 차폐하고, 상기 화소 영역(PA)의 제2 행(SPA21, SPA22)을 오픈 하는 제4 마스크를 상기 상부 베이스 기판(210) 상에 배치한다. 상기 제4 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제2 행(SPA21, SPA22) 상에 상기 고분자 물질이 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 분사된다.
상기 고분자 물질이 상기 상부 베이스 기판(210)상에 분사되어 상기 상부 고분자막(280a)을 형성한다.
상기 하부 고분자막(180a) 및 상기 상부 고분자막(280a)은 적어도 한 종류 이상의 폴리이미드(Polyimide) 또는 한 종류 이상의 폴리아믹산(Polyamicacid)물질을 포함할 수 있다. 또는, 상기 폴리이미드(Polyimide) 및 상기 폴리아믹산(Polyamicacid)의 교차 혼합물일 수 있다.
도 7은 배향막 형성 물질의 화학 구조이다
도 7을 참조하면, 상기 배향막 형성 물질의 A는 지방족 화합물(Aliphatic)을 포함할 수 있다.
상기 배향막 형성 물질의 B는 치환된 아릴기(Aryl)기 또는 사이클로 헥실기(Hexyl)를 포함할 수 있다. 또는, 상기 배향막 형성 물질의 B는 비치환된 아릴기(Aryl)기 또는 사이클로 헥실기(Hexyl)를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 배향막 형성 물질의 B는 아릴기(Aryl)기 또는 사이클로 헥실기(Hexyl)에 한정되지 않고, 그 외의 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 배향막 형성 물질의 C는 배향막의 수직 발현 성분으로 배향막의 수직 배향력 확보 및 액정 분자들의 선경사각 형성을 위해 C구조의 조성 및 최적화가 필요하다. 상기 배향막 형성 물질의 C는 알킬 체인(Alkyl chain), 아릴기(Aryl)기, 사이클로 헥실기(Hexyl) 및 이미드 고리(Imide ring)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 배향막 형성 물질의 C는 이에 한정되지 않고, 그 외의 다른 물질을 포함 할 수 있다. 상기 배향막 형성 물질의 C는 디아민(Diamine)구조와 직접 연결되거나, 유연기를 통해 연결 될 수 있다.
후술할 공기 분사 공정에 의해, 수직 배향되어 있던 상기 배향막 형성 물질의 C가 배향막에 대하여 특정 각도로 기울어져 선경사각을 갖는 배향막을 형성하게 된다.
상기 하부 고분자막(180a) 및 상부 고분자막(280a)을 구성하는 배향제는 용매 전체 중량에 대하여 N-메틸필로리돈 약 53wt% 이하 및 부틸 셀로솔브 약 47wt% 이하를 포함하는 유기용매에, 상기 배향막 형성 물질을 약 2.5wt% 를 혼합하여 사용할 수 있다.
공기 분사 방법을 이용하여 상기 하부 고분자막(180a) 및 상부 고분자막(280a) 각각 선경사각을 형성하여 하부 배향막(180) 및 상부 배향막(280)을 형성한다 (단계 S30).
도 8은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널의 하부 배향막 및 상부 배향막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 잉크 분사 장치(JT)의 잉크젯 헤드를 비운 상태에서, 상기 잉크젯 헤드를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에서 이동시키면서, 주기적으로 공기를 상기 하부 베이스 기판(110)으로 분사하여, 상기 하부 배향막(180)을 형성한다. 이 때, 상기 화소 영역(PA)의 일부에 대응하는 투과 영역들이 형성된 마스크를 이용할 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제1 마스크 상에 잉크젯 헤드가 비어 있는 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제1 열(SPA11, SPA21) 상에 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 하부 고분자막(180a)의 고분자 물질이 상기 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 기울어지게 된다.
이 후, 상기 제2 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제2 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제2 열(SPA12, SPA22) 상에 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 하부 고분자막(180a)의 고분자 물질이 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 기울어지게 된다.
상기 공기 분사 방법에 의해, 상기 제2 방향(y)의 음의 방향과 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 교번적으로 배향된 상기 하부 배향막(180)이 형성된다.
상기 상부 배향막(280)도 공기 분사 방향을 제외하고는 상기 하부 배향막(180)과 동일한 방법에 의해 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 제3 마스크를 상기 상부 베이스 기판(210) 상에 배치한다. 상기 제3 마스크 상에 잉크젯 헤드가 비어 있는 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제1 행(SPA11, SPA12) 상에 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 상부 고분자막(280a)의 고분자 물질이 상기 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 기울어지게 된다.
이 후, 상기 제4 마스크를 상기 상부 베이스 기판(210) 상에 배치한다. 상기 제4 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제2 행(SPA21, SPA22) 상에 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 상부 고분자막(280a)의 고분자 물질이 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 기울어지게 된다.
상기 공기 분사 방법에 의해, 상기 제1 방향(x)의 음의 방향과 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 교번적으로 배향된 상기 상부 배향막(280)이 형성된다.
상기 상부 배향막(280)의 배향 방향은 상기 상부 배향막(280)이 상기 하부 배향막(180)과 마주하고 있는 상태에서의 배향 방향이다.
본 실시예에서는 하부 배향막 형성과정에서 별도의 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크를 사용하고, 상부 배향막 형성과정에서 별도의 상기 제3 마스크와 상기 제4 마스크를 사용하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 이에 한정되지 않고 다양한 변형 예가 가능하다. 예를 들어, 하부 배향막 형성 과정에서 상기 제1 마스크를 이동시켜 형성함으로써 제2 마스크 없이 하부 배향막을 형성할 수 있다.
상기 상부 배향막(280) 및 상기 하부 배향막(180)의 선경사각은 공기 분사 조건에 따라 조절할 수 있다.
<표 2>
Figure 112011066046626-pat00002
상기 표 2는 선경사각을 증가시키는 요소와 선경사각을 감소시키는 요소를 도시하였다.
표 2를 참조하면, 상기 공기 분사 장치의 분사 주파수를 조정하여 선경사각을 조절할 수 있다. 상기 공기 분사 장치의 분사 주파수를 높이면, 상기 고분자막에 분사되는 공기의 양이 많아져, 상기 선경사각이 증가한다. 이에 반해, 상기 분사 주파수를 낮추면, 상기 고분자막에 분사되는 공기의 양이 감소하여, 상기 선경사각이 감소한다.
또한, 상기 공기 분사 장치의 이동 속도 또는 이동 횟수를 증가시키면, 상기 고분자막에 분사되는 공기의 양이 많아져, 상기 선경사각이 증가한다. 이에 반해, 상기 이동 속도 또는 이동 횟수를 낮추면, 상기 고분자막에 분사되는 공기의 양이 감소하여, 상기 선경사각이 감소한다.
그러므로, 상기 공기 분사 장치의 분사 주파수, 이동 속도, 이동 회수, 공기 분사 장치의 배열 간격, 노즐의 배열 간격 및 1회 분사되는 공기량등을 필요한 선경사각에 맞추어 적절히 조절하여 사용할 수 있다.
상기 어레이 기판(101)과 상기 대향 기판(201)을 결합시키고, 이들 사이에 액정을 주입하여 상기 액정층(301)을 형성하여 상기 표시 패널(100)을 형성한다. 상기 액정층(301)의 액정 분자들은 상기 화소 전극(170)과 상기 공통 전극(180)에 전압이 인가되지 않은 경우, 상기 어레이 기판(101) 및 상기 대향 기판(201)에 수직으로 배향되는 수직배향(vertical alignment) 모드의 액정일 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 상기 하부 기판(110) 및 상기 상부 기판(210) 사이에 위치한 액정 분자들은 상기 하부 기판(110)의 배향 방향과 상기 상부 기판(210)의 배향 방향들을 벡터적으로 합성한 방향으로 배향된다. 즉, 상기 액정 분자들은 상기 합성 배향 방향으로 선경사각을 가진다.
따라서, 상기 액정 분자들은 경계를 접하는 서브 화소 영역들 간에는 직교하게 배치되며, 대각선 방향으로 이웃한 서브 화소 영역들 간에는 180도 차이 나게 배열되어 있다. 그러므로, 하나의 화소 영역은 각각 서로 다른 4개의 선경사각을 갖는 4개의 서브 화소 영역을 형성할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 슬릿을 형성하거나 돌기를 형성하지 않고 배향막에 배향방향을 멀티로 형성하여 멀티 도메인을 구현할 수 있다. 따라서 상기 슬릿 및 돌기에 의한 투과율 감소가 방지되어 투과율이 향상된 표시 패널(100)을 제공할 수 있다.
또한, 잉크젯 방식으로 고분자막을 형성하고, 공기 분사 방식을 이용하여 상기 고분자막을 배향하므로, 고분자막을 용이하게 형성할 수 있고, 배향 과정에서 배향막 상에 스크래치 발생을 줄일 수 있다.
또한, 액정 분자가 선경사각을 갖도록 배열되기 때문에 수직 배향 모드의 액정의 응답속도가 향상된다. 그 결과 상기 표시 패널(100)의 표시품질이 향상된다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 10은 도 9에 도시된 표시 패널의 하부 고분자막 및 상부 고분자 막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
본 실시예에 따른 화소 구성은 하부 서브 경계부 및 상부 서브 경계부를 포함하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널의 화소 구성과 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 어레이 기판(101) 상에 하부 서브 경계부(190)을 형성한다. 상기 하부 서브 경계부(190)는 상기 게이트 라인들(111)과 동일한 물질 또는 상기 데이터 라인들(115)와 동일한 물질을 포함 수 있다. 상기 하부 서브 경계부(190)는 상기 화소 영역(PA)의 제1 열(SPA11, SPA21) 및 상기 제2 열(SPA12, SPA22)의 경계에 대응하게 형성될 수 있다.
상기 하부 서브 경계부(190)가 형성된 상기 어레이 기판(101) 상에 고분자 물질을 분사하여 상기 하부 고분자막(180a)을 형성한다. 상기 하부 고분자막(180a)를 공기 분사 방식을 이용하여 배향하여 하부 배향막(180)을 형성한다. 상기 하부 고분자막(180a) 및 상기 하부 배향막(180)은 도 6 및 도 8에 도시된 방법과 동일한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 대향 기판(201) 상에 상부 서브 경계부(290)을 형성한다. 상기 상부 서브 경계부(290)는 상기 차광 패턴(220)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 서브 경계부(290)는 상기 화소 영역(PA)의 제1 행(SPA11, SPA12) 및 상기 제2 행(SPA21, SPA22)의 경계에 대응하게 형성될 수 있다.
상기 상부 서브 경계부(290)가 형성된 상기 대향 기판(201) 상에 고분자 물질을 분사하여 상기 상부 고분자막(280a)을 형성한다. 상기 상부 고분자막(280a)를 공기 분사 방식을 이용하여 배향하여 상부 배향막(280)을 형성한다. 상기 상부 고분자막(280a) 및 상기 상부 배향막(280)은 도 6 및 도 8에 도시된 방법과 동일한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 하부 서브 경계부(190) 및 상기 상부 서브 경계부(290)는 상기 화소 영역(PA) 내에서 서로 직교하며, 상기 화소 영역(PA)을 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)로 나눈다. 따라서, 하부 서브 경계부(190) 및 상기 상부 서브 경계부(290)는 상기 화소 영역(PA)의 서브 도메인 경계부와 일치하게 된다.
본 실시예에 따르면, 상기 상부 고분자막(280a) 및 상기 하부 고분자막(180a)을 형성할 때, 상기 잉크 분사 장치에서 분사된 고분자 물질이 서브 도메인 경계부에서 인접한 도메인으로 퍼지는 것을 방지하게 되며, 상기 상부 배향막 및 상기 하부 배향막의 끝단이 관찰자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
본 실시예에 따른 화소 구성은 배향막의 선경사각을 불균일하게 형성하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널의 화소 구성과 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 상기 어레이 기판(101) 상에 고분자 물질을 분사하여 상기 하부 고분자막(180a)을 형성한다. 상기 하부 고분자막(180a)를 공기 분사 방식을 이용하여 배향하여 하부 배향막(180)을 형성한다. 이 때, 상기 하부 배향막(180)의 상기 화소 영역(PA)의 제1 열(SPA11, SPA21) 및 상기 제2 열(SPA12, SPA22)의 경계에 대응하는 영역(P1)의 선경사각이 나머지 영역(Q)의 선경사각보다 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 열(SPA11, SPA21) 및 제2 열(SPA12, SPA22)의 경계에 대응하는 영역(P)의 선경사각이 약 2도 라면, 상기 나머지 영역(Q)의 선경사각은 약 1.5도일 수 있다.
상기 상부 배향막(280)도 상기 하부 배향막(190)과 동일한 구조로 형성될 수 있다. 상기 상부 배향막(280)의 상기 화소 영역(PA)의 제1 행(SPA11, SPA12) 및 상기 제2 행(SPA21, SPA22)의 경계에 대응하는 영역(P2)의 선경사각이 나머지 영역(Q)의 선경사각보다 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 행(SPA11, SPA12) 및 상기 제2 행(SPA21, SPA22)의 경계에 대응하는 영역(P2)의 선경사각이 약 2도 라면, 상기 나머지 영역(Q)의 선경사각은 약 1.5도일 수 있다.
상기 화소 영역(PA)은 각각 반시계 방향으로 회전하는 배향 방향을 갖는 4개의 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)로 나누어 진다. 따라서, 상기 각각 인접한 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 배향 방향은 반시계 방향을 따라 직교하게 된다. 또한, 상기 제1 행(SPA11, SPA12) 및 상기 제2 행(SPA21, SPA22)의 경계 영역(P2)에서는 상기 제1행 제1열 서브 영역(SPA11) 및 상기 제1행 제2열 서브 영역(SPA12)의 배향 방향의 벡터적 합성 방향으로 배향된다.
따라서, 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 경계에서는 상기 액정 분자들이 빛의 진행방향에 대하여 수직하게 배향되어 투과율이 현저하게 떨어진다. 그러므로, 상기 화소 영역(PA)의 투과율을 증가시키기 위해서는 상기 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 경계를 최소화하여야 한다. 따라서, 상기 서브 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 경계에서 배향막의 선경사각을 크게 하여 배향 방향이 바뀌는 영역을 최소화 할 수 있다.
상기 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 경계에서 선경사각을 증가시키는 방법으로는, 상기 표 2에서 언급한 바와 같이, 상기 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 경계에서 공기 분사 장치의 이동 속도를 줄이거나, 분사되는 공기량을 늘일 수 있다. 또는 상기 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 경계영역에서만 공기 분사 회수를 증가시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 관찰자에게 시인되는 상기 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)의 경계 영역을 감소시켜 상기 화소 영역(PA)의 투과율을 증가시킬 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 12를 참조하면, 본 실시예의 어레이 기판(301)은 단위 화소 영역에 하이 영역 및 로우 영역이 분리되어 형성된 것과, 상기 하이 영역 및 상기 로우 영역에 대응하는 영역이 각기 4개의 서브 화소 영역들로 구분된 것을 제외하고는 도 1 내지 도 3에서 설명된 어레이 기판(101)과 실질적으로 동일하다. 따라서 대응하는 요소에 대응하는 참조 번호를 사용하고 중복된 설명은 생략한다. 본 실시예에서, 상기 단위 화소 영역(PA)은 상대적으로 높은 화소 전압으로 구동되는 하이 영역 및 상대적으로 낮은 화소 전압으로 구동되는 로우 영역으로 나누어진다. 상기 하이 영역이 상기 단위 화소 영역(PA)의 중심에 배치되고, 상기 로우 영역이 상기 하이 영역의 상부 및 하부에 배치된다.
상기 하이 영역 및 상기 로우 영역은 각각 서브 화소 영역들로 나누어진다. 상기 하이 영역은 매트릭스 형태로 배열된 인접한 4개의 서브 화소 영역들(SPAH11, SPAH12, SPAH21, SPAH22)로 나누어진다. 상기 로우 영역은 제1 행의 서브 화소 영역들(SPAL11, SPAL12)이 상기 하이 영역의 상부에 배치되고, 상기 제2 행의 서부 화소 영역들(SPAL21, SPAL22)이 상기 하이 영역의 하부에 배치된다.
상기 로우 영역에 형성된 로우 화소 전극(871)은 제1 박막트랜지스터(TFT1)와 연결되고, 상기 하이 영역에 형성된 하이 화소 전극(873)은 제2 박막트랜지스터(TFT2)와 연결된다. 상기 로우 화소 전극(871)은 상기 하이 화소 전극(873)과 이격되어 형성된다. 상기 제1 박막트랜지스터(TFT1) 및 제2 박막트랜지스터(TFT2)는 동일한 게이트 라인에 연결되고, 서로 다른 데이터 라인에 연결되어 1G2D 구동된다.
본 실시예에서 표시 패널의 배향 방향은 상기 하이 영역 및 로우 영역 모두 반시계 방향으로 변한다.
본 실시예에 따르면, 상기 화소 전극을 로우 화소 전극(871) 및 하이 화소 전극(873)으로 나누어 형성하고, 상기 로우 영역과 하이 영역을 각각 상기 제1 박막트랜지스터(TFT1) 및 상기 제2 박막트랜지스터(TFT2)에 연결하여 구동한다. 상기 로우 영역 사이에 상기 하이 영역을 배치하여 상기 화소 영역(PA)을 3분할하여 구동한다.
또는, 상기 하이 픽셀을 상기 화소 영역(PA)의 상부에 배치하고, 상기 로우 픽셀을 상기 화소 영역(PA)의 하부에 배치하여, 상기 화소 영역(PA)을 2분할하여 구동할 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 하부 고분자막 및 상부 고분자막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
본 실시예에 따른 표시 패널은 하부 고분자막 및 상부 고분자막을 형성하는 방법을 제외하고는 도 3에 도시된 표시 패널의 제조 방법과 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 상기 잉크 분사 장치(JT)의 잉크젯 헤드에 상기 고분자 물질을 넣고 상기 잉크젯 헤드를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에서 이동시키면서, 주기적으로 상기 고분자 물질을 상기 하부 베이스 기판(110)으로 분사하여, 상기 하부 고분자막(180a)을 형성한다.
이 때, 상기 하부 고분자막(180a)은 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)에 관계없이 모두 동일한 인쇄 방향으로 인쇄된다.
상부 고분자막(280a)도 상기 하부 고분자막(180a)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.
상기 하부 고분자막(180a)은 상기 제2 방향(y)을 따라 인쇄되고, 상기 상부 고분자막(280a)은 상기 제1 방향(x)을 따라 인쇄될 수 있다. 또는 상기 제1 방향(x)을 따라 인쇄되고, 상기 상부 고분자막(280a)은 상기 제2 방향(y)을 따라 인쇄될 수 있다. 또는, 상기 하부 고분자막(180a) 및 상기 상부 고분자막(280a)는 동일한 방향을 따라 인쇄될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 잉크 분사 장치(JT)를 이용하여 상기 고분자 물질을 분사하는 것을 예로 설명하였으나, 상기 잉크 분사 장치(JT) 대신, 롤 프린팅(Roll printing) 방식을 이용하여 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 전체적으로 동일한 인쇄 방향으로 상기 하부 고분자막(180a)을 형성할 수 있다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 하부 배향막을 형성하는 방법을 나타내는 사시도이다.
본 실시예에 따른 표시 패널은 하부 배향막 및 상부 배향막을 형성하는 방법을 제외하고는 도 3에 도시된 표시 패널의 제조 방법과 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 14a를 참조하면, 잉크 분사 장치(JT)의 잉크젯 헤드를 비운 상태에서, 상기 잉크젯 헤드를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에서 이동시키면서, 주기적으로 공기를 상기 하부 베이스 기판(110)으로 분사하여, 상기 하부 배향막(180)을 형성한다. 이 때, 상기 화소 영역(PA)의 일부에 대응하는 투과 영역들이 형성된 마스크를 이용할 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제1 마스크 상에 잉크젯 헤드가 비어 있는 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제1 열(SPA11, SPA21) 상에 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 하부 고분자막(180a)의 고분자 물질이 상기 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제2 방향(y)의 음의 방향을 따라 기울어지게 된다.
이 후, 상기 제2 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제2 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제2 열(SPA12, SPA22) 상에 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 하부 고분자막(180a)의 고분자 물질이 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제2 방향(y)의 양의 방향을 따라 기울어지게 된다.
도 14b를 참조하면, 상기 제3 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제3 마스크 상에 잉크젯 헤드가 비어 있는 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제1 행(SPA11, SPA12) 상에 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 하부 고분자막(180a)의 고분자 물질이 상기 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제1 방향(x)의 음의 방향을 따라 기울어지게 된다.
이 후, 상기 제4 마스크를 상기 하부 베이스 기판(110) 상에 배치한다. 상기 제4 마스크 상에 잉크 분사 장치(JT)를 배치하고, 상기 잉크 분사 장치(JT)를 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 이동시킨다. 따라서, 상기 화소 영역(PA)의 제2 행(SPA21, SPA22) 상에 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 주기적으로 공기 분사된다. 상기 분사된 공기에 의해, 상기 하부 고분자막(180a)의 고분자 물질이 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 배향된다. 예를 들어, 상기 배향막 형성 물질의 C가 상기 분사된 공기에 의해 상기 제1 방향(x)의 양의 방향을 따라 기울어지게 된다.
이 때, 처음 배향방향보다 마지막 배향방향의 방향 제어 효과가 크므로, 제3 마스크 및 제4 마스크를 이용하여 공기를 분사하는 경우는 상기 제1 마스크 및 제2 마스크를 이용하여 공기를 분사하는 경우보다 약하게 배향한다.
상기 상부 고분자막(280a)는 공기 분사를 이용하여 배향 하지 않는다.
본 실시예에 따르며, 상기 하부 고분자막(180a)을 상기 제1 방향(x)의 양의 방향 및 음의 방향과 상기 제2 방향(y)의 양의 방향 및 음의 방향으로 4번 배향한다. 따라서, 각 서브 화소 영역들(SPA11, SPA12, SPA21, SPA22)은 상기 배향 방향들을 벡터적으로 합성한 방향으로 배향된다. 즉, 상기 액정 분자들은 상기 합성 배향 방향으로 선경사각을 가진다.
따라서, 상기 액정 분자들은 경계를 접하는 서브 화소 영역들 간에는 직교하게 배치되며, 대각선 방향으로 이웃한 서브 화소 영역들 간에는 180도 차이 나게 배열되어 있다. 그러므로, 하나의 화소 영역은 각각 서로 다른 4개의 선경사각을 갖는 4개의 서브 화소 영역을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 하부 고분자막을 4번 배향하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 하부 고분자막은 배향하지 않고, 상부 고분자막을 4번 배향하여 표시 패널을 형성할 수도 있다.
도 14a 및 도 14b에는 도시되지 않았으나, 상기 어레이 기판(101)은 상에 상기 제1 행(SPA11, SPA12) 서브 화소 영역들 및 상기 제2 행(SPA21, SPA22) 서브 화소 영역들 사이에 배치되는 제1 경계 라인 및 상기 제1 열(SPA11, SPA21) 서브 화소 영역들 및 상기 제2 열(SPA12, SPA22) 서브 화소 영역들 사이에 배치되는 제2 경계 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 경계 라인 및 상기 제2 경계 라인은 상기 게이트 라인(111) 및 상기 데이터 라인(115)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또한, 도 14a 및 도 14b에는 도시되지 않았으나, 상기 제1 행(SPA11, SPA12) 서브 화소 영역들 및 상기 제2 행(SPA21, SPA22) 서브 화소 영역들 사이의 경계 영역의 선경사각들 및 상기 제1 열(SPA11, SPA21) 서브 화소 영역들 및 상기 제2 열(SPA12, SPA22) 서브 화소 영역들 사이의 경계 영역의 선경사각들이 상기 서브 화소 영역들의 선경사각들보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 상기 하부 고분자막(180a)은 공기 분사를 이용하여 배향하지 않는 대신, 상기 상부 고분자막(280a)을 4번 배향하여 표시 패널을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 경계 라인 및 상기 제2 경계 라인은 상기 차광층(220)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 슬릿을 형성하거나 돌기를 형성하지 않고 배향막에 배향방향을 멀티로 형성하여 멀티 도메인을 구현할 수 있다. 따라서 상기 슬릿 및 돌기에 의한 투과율 감소가 방지되어 투과율이 향상된 표시 패널을 제공할 수 있다.
또한, 잉크젯 방식으로 고분자막을 형성하고, 공기 분사 방식을 이용하여 상기 고분자막을 배향하므로, 고분자막을 용이하게 형성할 수 있고, 배향 과정에서 배향막 상에 스크래치 발생을 줄일 수 있다.
또한, 액정 분자가 선경사각을 갖도록 배열되기 때문에 수직 배향 모드의 액정의 응답속도가 향상된다. 그 결과 상기 표시 패널의 표시품질이 향상된다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 액정표시장치 101 : 어레이 기판
110 : 하부 베이스 기판 170 : 화소 전극
180 : 하부 배향막 201 : 대향 기판
210 : 상부 베이스 기판 270 : 공통 전극
280 : 상부 배향막 301 : 액정층
PA : 단위 화소 영역 SPA : 서브 화소 영역

Claims (20)

  1. 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 제1 베이스 기판 상에 제1 고분자막을 형성하는 단계;
    상기 제1 고분자막의 제n 행(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제1 고분자막의 제(n+1) 행의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 양의 방향을 따라 공기를 분사하여 제1 배향막을 형성하는 단계;
    상기 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 단위 화소 영역은 매트릭스 형태로 배열된 상기 서브 화소 영역들을 포함하는 제2 베이스 기판 상에 제2 고분자막을 형성하는 단계;
    상기 제2 고분자막의 제n 열의 서브 화소 영역들 상에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제2 고분자막의 제(n+1) 열의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 양의 방향을 따라 공기를 분사하여 제2 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 베이스 기판과 상기 제2 베이스 기판 사이에 액정 물질을 주입하고 밀봉하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 고분자막 및 상기 제2 고분자막의 수직 발현 성분인 배향막 형성 물질 C는 상기 공기 분사에 의해 특정 각도로 기울어지고, 상기 배향막 형성 물질 C는 알킬 체인(Alkyl chain), 아릴(Aryl)기, 사이클로 헥실(Hexyl)기 및 이미드 고리(Imide ring)를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 인접한 상기 서브 화소 영역들의 배향 방향은 인접한 상기 서브 화소 영역들의 경계를 기준으로 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 고분자막 및 상기 제2 고분자막은 고분자 물질을 잉크젯(ink jet) 방식을 이용하여 각각 상기 제1 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판상에 고분자 물질을 분사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 고분자막을 형성하는 단계는 상기 제n 행(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 음의 방향을 따라 고분자 물질을 분사하고, 상기 제(n+1) 행의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 양의 방향을 따라 상기 고분자 물질을 분사하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2 고분자막을 형성하는 단계는 상기 제n 열(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 음의 방향을 따라 고분자 물질을 분사하고, 상기 제(n+1) 열의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 양의 방향을 따라 상기 고분자 물질을 분사하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판상에 상기 표시 패널의 구동 신호를 전달하는 신호선을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 베이스 기판상에 상기 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 차광층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제1 방향을 따라 상기 서브 화소 영역의 경계에 배치되는 제1 경계 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 경계 라인은 상기 신호선과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 제2 방향을 따라 상기 서브 화소 영역의 경계에 배치되는 제2 경계 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2 경계 라인은 상기 차광층과 동일한 물질을 포함하는 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 배향막의 제조 단계에서,
    상기 제1 고분자막의 상기 제1 방향과 평행한 상기 서브 화소 영역의 경계 영역 상에 분사되는 공기량은 상기 제1 고분자막의 상기 서브 화소 영역 상에 분사되는 공기량보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제2 배향막의 제조 단계에서,
    상기 제2 고분자막의 상기 제2 방향과 평행한 상기 서브 화소 영역의 경계 영역 상에 분사되는 공기량은 상기 제2 고분자막의 상기 서브 화소 영역 상에 분사되는 공기량보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  13. 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 제1 베이스 기판 상에 제1 고분자막을 형성하는 단계;
    상기 제1 고분자막의 제n 행(n은 자연수)의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제1 고분자막의 제(n+1) 행의 서브 화소 영역들 상에는 제1 방향의 양의 방향을 따라 공기를 분사하는 단계;
    상기 제1 고분자막의 제n 열의 서브 화소 영역들 상에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 음의 방향을 따라 공기를 분사하고, 상기 제1 고분자막의 제(n+1) 열의 서브 화소 영역들 상에는 제2 방향의 양의 방향을 따라 공기를 분사하여 제1 배향막을 형성하는 단계;
    제2 베이스 기판 상에 제2 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 베이스 기판과 상기 제2 베이스 기판 사이에 액정 물질을 주입하고 밀봉하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 고분자막의 수직 발현 성분인 배향막 형성 물질 C는 상기 공기 분사에 의해 특정 각도로 기울어지고, 상기 배향막 형성 물질 C는 알킬 체인(Alkyl chain), 아릴(Aryl)기, 사이클로 헥실(Hexyl)기 및 이미드 고리(Imide ring)를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판상에 상기 표시 패널의 구동 신호를 전달하는 신호선을 형성하는 단계;
    상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제1 방향을 따라 상기 서브 화소 영역의 경계에 배치되는 제1 경계 라인을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제2 방향을 따라 상기 서브 화소 영역의 경계에 배치되는 제2 경계 라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 경계 라인 및 상기 제2 경계 라인은 상기 신호선과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 베이스 기판상에 상기 단위 화소 영역의 경계에 배치되는 차광층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제1 방향을 따라 상기 서브 화소 영역의 경계에 배치되는 제1 경계 라인을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 베이스 기판 상에 상기 제2 방향을 따라 상기 서브 화소 영역의 경계에 배치되는 제2 경계 라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 경계 라인 및 상기 제2 경계 라인은 상기 차광층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 제1 배향막의 제조 단계에서,
    상기 제1 고분자막의 상기 서브 화소 영역의 경계 영역 상에 분사되는 공기량은 상기 제1 고분자막의 상기 서브 화소 영역 상에 분사되는 공기량보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  19. 복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 베이스 기판, 인접한 상기 서브 화소 영역들의 선경사각은 인접한 상기 서브 화소 영역들의 경계를 기준으로 서로 대칭으로 배향한 제1 배향막 및 상기 서브 화소 영역들의 경계에 형성되는 제1 경계 라인 및 제2 경계 라인을 포함하는 제1 기판;
    제2 배향막을 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 개재되는 액정층을 포함하고,
    상기 제1 배향막의 수직 발현 성분인 배향막 형성 물질 C는 공기 분사에 의해 특정 각도로 기울어지고, 상기 배향막 형성 물질 C는 알킬 체인(Alkyl chain), 아릴(Aryl)기, 사이클로 헥실(Hexyl)기 및 이미드 고리(Imide ring)를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  20. 표시 패널에 있어서,
    복수의 단위 화소 영역들을 포함하고, 각 상기 단위 화소 영역들은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 베이스 기판, 인접한 상기 서브 화소 영역들의 선경사각은 인접한 상기 서브 화소 영역들의 경계를 기준으로 서로 대칭으로 배향하고, 상기 서브 화소 영역들의 경계에 인접한 경계 영역의 선경사각이 상기 서브 화소 영역들 내에서의 선경사각보다 큰 제1 배향막을 포함하는 제1 기판;
    제2 배향막을 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 개재되는 액정층을 포함하고,
    상기 제1 배향막의 수직 발현 성분인 배향막 형성 물질 C는 공기 분사에 의해 특정 각도로 기울어지고, 상기 배향막 형성 물질 C는 알킬 체인(Alkyl chain), 아릴(Aryl)기, 사이클로 헥실(Hexyl)기 및 이미드 고리(Imide ring)를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
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