KR101376340B1 - 포토레지스트 패턴의 ｌｗｒ 개선용 공정액 - Google Patents

포토레지스트 패턴의 ｌｗｒ 개선용 공정액 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 탄소수 1~8의 알코올 0.001 내지 3중량%; 계면활성제 0.0001 내지 1중량%; 알칼리 물질 0.0001 내지 1중량%; 및 물 95 내지 99.9997중량%를 포함하여, 포토레지스트 패턴의 LWR 개선 및 패턴의 무너짐 현상을 방지할 수 있는 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액에 관한 것이다.

Description

포토레지스트 패턴의 ＬＷＲ 개선용 공정액 {PROCESS SOLUTION COMPOSITION FOR IMPROVING LWR OF PHOTORESIST PATTERN}
본 발명은 반도체 제조 공정 중에 형성되는 포토레지스트 패턴의 LWR(line width roughness) 개선용 공정액에 관한 것이다.
반도체를 제조하는 공정에 있어서, 과거에는 365nm 파장의 i-line 광원을 이용하여 반도체 기판에 패턴을 형성하였으나 더 미세한 패턴을 형성하기 위해 더 작은 파장대의 광원을 필요로 하게 되었다.
실제로 KrF(248nm)를 시작으로 ArF(198nm), EUV(extreme ultra violet-극자외선, 13.5nm) 광원을 이용한 리소그래피(lithography)기술이 개발되어, 현재 상용화되었거나 상용화 중에 있으며 이를 이용하여 더 미세한 파장을 구현할 수 있게 되었다. 그러나, 패턴이 미세화(수십nm)되면서, 비교적 큰(수백nm) 패턴일 때 문제가 되지 않았던, 형성된 패턴 측벽의 거칠기(LWR, line width roughness)가 제조 공정에서 공정 마진을 줄이는 문제가 발생하게 되었다.
이에, LWR이 불량해지는 문제점을 개선하기 위해, 기존 포토레지스트(photoresist)의 구성 물질 중 폴리머의 구조를 개선하거나 분자량을 작게 하거나 포토레지스트 자체의 빛에 대한 감도를 증가시키는 등의 노력들이 있었으나 완전한 해결 방안이 되지는 못했다.
이와 별도로 최근에는 패턴을 더 미세화하고 해상력을 높이기 위한 방법으로 유기 용매를 사용한 현상 방법들이 소개되고 있다.
그 예로서 일본특허공개 2000-199953, 일본특허공개 2001-215731, 일본특허공개 2006-227174, 일본특허공개 평6-194847 및 한국공개특허 2010-0096051에는 에테르계, 케톤계, 알코올계, 아세테이트계 등의 용매를 사용하여 패턴을 현상하는 방법들이 기재되어 있다.
상기 나열된 특허들을 살펴보면, 노광 에너지 조건에 따른 포토레지스트의 분자량 감소를 비롯한 상태 변화와 그에 맞는 용매를 현상액으로 사용하는 것에 초점이 맞추어져 있으며, 통상의 TMAH(테트라메틸암모늄하이드록사이드) 현상액을 사용하는 공정과는 구분된다.
한편, 현상 후 물로만 세정할 경우 패턴의 LWR이 불량하게 되어 패턴과 패턴이 붙는 브릿지(bridge)를 형성하거나 패턴이 가늘게 되어 쓰러지는 leaning 현상을 야기하는 등 패턴에 결함을 가지게 하여 공정 마진이 없어 양산을 어렵게 하는데 이를 개선하기 위해 물을 대신하여 현상 공정 이후 사용될 수 있으며, 패턴의 LWR을 개선하여 패턴의 균일성을 확보할 수 있는 기술 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 반도체 소자 제조공정에서 형성되는 포토레지스트 패턴의 LWR을 개선하여 패턴의 균일성을 확보할 수 있는, 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액을 제공하고자 한다.
이에 본 발명은 바람직한 제1 구현예로서, 탄소수 1~8의 알코올 0.001 내지 3중량%; 계면활성제 0.0001 내지 1중량%; 알칼리 물질 0.0001 내지 1중량%; 및 물 95 내지 99.9997중량%를 포함하는 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액을 제공한다.
상기 구현예에 의한 탄소수 1~8의 알코올은 메탄올, 에탄올, 부탄올, 부탄다이올, 프로판올, 이소프로판올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 구현예에 의한 계면활성제는 비이온성 계면활성제인 것일 수 있다.
상기 구현예에 의한 비이온성 계면활성제는 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르가 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 구현예에 의한 알칼리 물질은 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액은 포토레지스트의 미세 패턴 형성에 있어서 LWR을 개선하여 패턴의 무너짐(collapse)을 방지함을 물론이고 초첨 심도 마진(DoF margin) 및 에너지 마진(EL margin)을 높여주므로 반도체 제조 공정을 용이하게 해 줄 수 있다.
도 1은 비교실험예 및 실험예 1의 포토레지스트 패턴을 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명은 탄소수 1~8의 알코올 0.001 내지 3중량%; 계면활성제 0.0001 내지 1중량%; 알칼리 물질 0.0001 내지 1중량%; 및 물 95 내지 99.9997중량%를 포함하는 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정에서 미세 패턴 형성에 이용되는 포토레지스트 구성물질의 물리 화학적 성질을 적절히 이용하여 패턴의 LWR 불량을 야기하는 패턴 측벽의 거친 부분을 다듬을 수 있다. 즉, 현상 공정시 패턴 측벽의 거친 부분의 물리화학적 상태에 맞는 적절한 화학물질을 사용하여 튀어나온 부분과 많이 깎인 부분을 보정하는 것이 가능하다.
KrF 및 ArF, EUV 광원을 이용하여 패턴을 이루는 포토레지스트는 폴리머(polymer) 또는 레진(resin)과 현상액에 불용성인 폴리머 부분을 용해성 물질로 분해시키는 광산발생제(Photo Acid Generator), 발생된 산을 제어하는 제어제(quencher)로 구성된다. 이로 인해서 현상 후 물로만 세정하게 되면 완전하게 세정이 되지 않아 노광된 포토레지스트의 현상이 덜 되어 패턴이 불균일하게 된다.
LWR이 불량한 포토레지스트의 표면은 현상액에 덜 녹아 나간 소수화된 폴리머와 일부 광산발생제에 의해 발생된 산(acid)이 패턴 표면이나 폴리머 사이에 미량 존재하게 된다.
이를 해결하기 위해 덜 녹아 나간 폴리머 사이의 산을 활성화시키거나, 소수성의 폴리머를 친수성으로 변화시켜 남은 포토레지스트를 완전히 제거하여 패턴의 LWR을 개선할 수 있다.
산을 활성화시키는 방안으로는 포토레지스트의 표면을 부풀려(스웰링-swelling)줄 수 있는 스웰링 물질(sweller)을 사용하여 패턴 표면을 약하게 만들어 표면에 존재하는 산(acid)이 활성화될 수 있도록 해준다. 패턴 면에서 튀어나온 부분에 존재하는 산을 활성화시키는 것과 동시에 소수성 폴리머를 친수화시켜 제거할 수 있는 친수화제(hydrophilic agent)와 상호 작용으로 거칠어진 패턴 면의 잔류 레지스트를 제거할 수 있다.
또한, 노광은 되었으나 현상 후에도 남는 포토레지스트도 제거되어야 하는데 노광된 포토레지스트는 알카리 가용성이므로 공정액에 약간의 알카리성을 가질 수 있는 알카리 물질도 포함되어 그 성능을 향상시킬 수 있다.
거친 패턴 면 중 일부 노광되지 아니한 포토레지스트 부분도 제거할 필요가 있으므로 포토레지스트를 약하게 녹여줄 수 있는 용매도 포함될 수 있다.
전술한 바와 같이, 포토레지스트 패턴 표면이나 폴리머 사이에 존재하는, 광산발생제에 의해 발생되는 산을 활성화하기 위한 스웰링 물질; 포토레지스트 패턴의 표면에서 현상액에 의해 덜 녹아 나간 소수화된 폴리머를 친수화하기 위한 친수화제; 노광 후에도 남는 포토레지스트를 제거하기 위한 알칼리성 물질을 이용하여, 포토레지스트 패턴의 LWR을 개선시킬 수 있다.
이에 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액은 스웰링 물질로서 탄소수 1~8의 알코올; 친수화제로서 계면활성제; 알칼리성 물질을 포함하며, 상기 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액은 물을 기본 용매로 하므로, 상기 탄소수 1~8의 알코올, 계면활성제 및 알칼리 물질은 모두 물에 쉽게 녹아야 하고, 각 성분간 반응성이 없어야 하며, 현상 후 최종 세정액인 물 대신 사용하는 것이므로, 잔류물이 남지 않아야 하며, 금속 또는 금속 이온이 포함된 것은 바람직하지 않다.
탄소수 1~8의 알코올은 포토레지스트를 스웰링시킬 수 있으며, 구체적으로는, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 부탄올(butanol), 부탄다이올(butandiol), 프로판올(propanol), 이소프로판올(isopropanol), 펜탄올(pentanol), 헥산올(hexanol), 헵탄올(heptanol), 옥탄올(octanol) 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 탄소수 1~8의 알코올의 함량은 전체 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액 중에서 0.0001 내지 3중량%일 수 있으며, 상기 탄소수 1~8의 알코올 함량이 0.0001중량% 미만인 경우 스웰링 효과를 확인할 수 없으며, 3중량%를 초과하는 경우 패턴이 과다하게 부풀어지거나 녹아서 패턴과 패턴이 붙는 원인이 된다.
계면활성제는 소수성인 포토레지스트를 친수성으로 되게 하는 것과 동시에 잔류 산의 작용을 원활하게 함으로써 잔류 포토레지스트를 제거할 수 있으며, 금속 이온이 포함되지 아니한 계면활성제를 사용할 수 있다.
또한, 계면활성제는 패턴의 미세화로 인해 A/R(Aspect ratio)비가 커서 현상 후 물로만 세정할 경우 패턴 무너짐 현상이 발생하게 되는 문제점도 해결할 수 있다.
패턴이 쓰러지는 이유는 물이 패턴 사이에 존재하다가 스핀드라이(spin dry) 공정에 의해 물을 제거할 때 빠져나가는 물의 표면 장력과 물과 패턴이 이루는 접촉각에 의한 힘에 기인하기 때문에 물보다 표면장력을 낮은 세정제를 사용함으로써 해결이 가능하다. 패턴에 가해지는 힘은 표면장력과 접촉각의 코사인(cosin) 값에 비례하므로 표면장력이 낮을수록 접촉각이 클수록 패턴에 가해지는 힘은 작아져서 패턴 무너짐 현상을 방지할 수 있다.
표면장력을 낮출 수 있는 물질로는 계면활성제를 사용할 수 있으며, 양이온성, 음이온성 비이온성, 양쪽성으로 구분될 수 있는데 반도체 제조 공정에 사용되는 것이므로 웨이퍼에 이온들이 존재하게 되면 곤란하므로 본 발명에서는 비이온성으로 한정한다.
비이온성 계면활성제로는 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리에틸렌글리콜패티에시드에테르 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 계면활성제의 함량은 전체 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액 중에서 0.0001 내지 1중량%일 수 있다. 상기 계면활성제의 함량이 0.0001중량% 미만인 경우 잔류 소수성 포토레지스트에 대한 친수화 효과가 없을뿐더러 표면장력을 낮추는 효과도 거의 없으며, 1중량%를 초과하는 경우 웨이퍼 표면에 거품이 발생하거나 세정 후 잔유물이 존재하거나 오히려 친수화 효과가 줄어드는 경향이 있어 균일한 패턴의 형성에 장애로 작용할 뿐만 아니라 표면장력을 낮추는 효과보다는 오히려 패턴이 무너지게 된다.
알칼리 물질은 노광은 되었으나 현상 후에도 남는 포토레지스트를 제거하는 기능을 하며, 금속 이온이 없는 것이어야 하며, 구체적으로, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 알카리 물질의 함량은 전체 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액 중에서 0.0001 내지 1중량%인 것일 수 있다. 상기 알카리 물질의 함량이 0.0001중량% 미만인 경우 알카리의 농도가 낮아 노광은 되었으나 잔류하고 있는 포토레지스트에 잔류물에 대한 제거 효과가 없으며, 1중량%를 초과하는 경우 알카리의 농도가 높아 패턴을 형성하고 있는 포토레지스트를 깎아 내어 패턴의 두께 및 간격에 대한 치수가 변하여 후공정에 영향을 주는 등의 문제점이 있다.
물은 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액의 성분인 탄소수 1~8의 알코올, 계면 활성제 및 알칼리 물질을 용해시켜 조성물을 형성하기 위한 것으로, 그 함량은 전체 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액 중에서 95 내지 99.9997중량%일 수 있다. 상기 물의 함량이 95중량% 미만이면, 함유하고 있는 고형분 성분이 기판상에 잔류물로 남을 수 있는 문제점이 있고, 99.9997중량% 초과이면 패턴의 LWR 및 무너짐 방지 기능을 발휘하지 못하는 문제점이 있다.
상기와 같은 조성의 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액은 정상적인 패턴을 형성한 포토레지스트에 대해 영향을 주지 않아야 하지만, 패턴을 다듬어 주는 역할을 하므로 미세하게 패턴에 영향을 줄 수 밖에 없으므로 세정액의 사용량에 주의하여야 한다. 공정액에 포함된 물질의 종류와 함량에 따라 약간의 차이가 있긴 하지만, 300mm 웨이퍼 기준으로 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액을 10ml 이하 사용하면 웨이퍼 전체로 퍼져나가지 못할 뿐만 아니라 그 효과가 거의 없으며 2,000ml 이상 사용하면 공정시간과 비용이 많이 소요될 뿐만 아니라 정상적인 패턴에까지 영향을 미쳐 오히려 패턴 무너짐 현상이 있어 300mm 웨이퍼 기준으로 사용량은 10~2,000ml인 것이 바람직하다.
전술한 바와 같은 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액은 패턴 측벽을 메우고 깎아서 패턴의 크기를 균일하게 하고 패턴에 작용하는 힘을 작게 하여 패턴의 쓰러짐을 방지하여 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 공정에 있어 높은 공정 마진을 제공하므로 생산 수율 및 비용 절감을 기대할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 설명한다.　 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
이소프로판올 0.0001중량%, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.0001중량%, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.0001중량%이 포함된, 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액을 아래와 같은 방법으로 제조하였다.
이소프로판올(IPA), 폴리옥시에틸렌알킬에테르(POEAE), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)를 증류수에 투입하여 5시간 교반한 뒤 미세 고형분 불순물을 제거하기 위해 0.02um 필터에 통과시켜, 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액을 제조하였다.
실시예 2 ~ 실시예 11
표 1에 기재된 바와 같은 조성에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액을 제조하였다.
비교예
일반적으로 반도체 소자 제조공정 중 현상 공정의 마지막 세정액으로 사용되는 증류수를 준비하였다.
실험예 1
EUV에 감응하는 포토레지스트를 300 mm 실리콘 웨이퍼에 스핀(spin) 코터(coater)를 이용하여 1500rpm의 속도로 스핀 코팅하고, EUV가 발생되는 노광기를 이용하여 8~16mj/cm2 범위로 노광한 후, 90℃에서 60초간 핫플레이트(hot plate)에서 건조 후 TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide) 2.38% 용액을 20ml를 뿌려주고 고인 상태(puddle)로 30초 처리하여 현상한 다음, 실시예 1에서 제조된 공정액 40ml을 500ml/min의 속도로 사용하여 세정함으로써, 실리콘 웨이퍼에 포토레지스트 패턴 형성을 완료하였다. 이때, 형성된 패턴의 크기는 30nm이다.
실험예 2 ~ 실험예 11
공정액으로서 실시예 2 ~ 실시예 11에서 각각 제조된 공정액을 사용한 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 방법으로 패턴 형성을 하였다.
실험예 12
실시예 1에서 제조된 공정액 2000ml을 500ml/min의 속도로 사용한 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 방법으로 패턴 형성을 하였다.
실험예 13
실시예 1에서 제조된 공정액 3000ml을 500ml/min의 속도로 사용한 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 방법으로 패턴 형성을 하였다.
비교실험예
공정액으로서 비교예의 증류수를 사용한 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 방법으로 패턴 형성을 하였다.
실험예 1 ~ 실험예 13 및 비교실험예에서 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼에 대해, LWR, EL(Expose Latitude) margin, DoF(Depth Of Focus) margin 및 패턴 무너짐 정도를 측정하여, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
(1) LWR
크리티칼디멘션-주사전자현미경(CD-SEM, Hitachi)을 이용하여 패턴 중 가장 넓은 부분과 좁은 부분의 차이를 측정하여 LWR 값을 확인하였으며, LWR의 수치는 작을수록 패턴이 균일하다는 것을 의미한다.
(2) EL(Expose Latitude) margin
패턴의 선폭(Critical Dimension)을 측정할 수 있는 크리티칼디멘션-주사전자현미경(CD-SEM, Hitachi)을 이용하여 EL margin을 측정하였으며, EL 마진은 패턴 크기 30nm를 기준으로 5%의 편차 이하이며, 패턴이 붙거나 쓰러짐이 없는 구간만을 설정하였다. EL은 노광에 사용할 수 있는 에너지 마진으로서, 그 범위가 클수록 공정에 유리하다.
(3) DoF(Depth Of Focus) margin
패턴의 선폭(Critical Dimension)을 측정할 수 있는 크리티칼디멘션-주사전자현미경(CD-SEM, Hitachi)을 이용하여 DoF margin을 측정하였으며, EL 마진과 마찬가지로 패턴 크기 30nm를 기준으로 10%의 편차 이하이며, 패턴이 붙거나 쓰러짐이 없는 구간만을 설정하였다. DoF 는 노광시 사용할 수 있는 포커스 마진으로서, 그 범위가 클수록 공정에 유리하다.
(4) 패턴 무너짐 정도
크리티칼디멘션-주사전자현미경(CD-SEM, Hitachi)과 주사전자현미경(FE-SEM, Hitachi)을 이용하여 패턴 무너짐 유무 및 패턴간에 붙는 브릿지(bridge) 현상 유무를 측정하였다.
탄소수 1~8의 알코올 계면활성제 알칼리 물질 증류수
명칭 함량
(중량%)		 명칭 함량
(중량%)		 명칭 함량
(중량%)		 명칭 함량
(중량%)
실시예1 이소프로판올 0.0001 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.0001 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.0001 증류수 99.9997
실시예2 이소프로판올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.0001 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.0001 증류수 99.9898
실시예3 이소프로판올 3 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.0001 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.0001 증류수 96.9998
실시예4 이소프로판올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.0001 증류수 98.9899
실시예5 이소프로판올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.0001 테트라메틸암모늄하이드록사이드 1 증류수 98.9899
실시예6 메탄올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.01 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.01 증류수 99.97
실시예7 프로판올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.01 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.01 증류수 99.97
실시예8 펜탄올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.01 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.01 증류수 99.97
실시예9 옥탄올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.01 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.01 증류수 99.97
실시예10 이소프로판올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 0.01 테트라메틸암모늄하이드록사이드 0.01 증류수 99.97
실시예11 이소프로판올 0.01 폴리옥시에틸렌알킬에테르 0.01 테트라부틸암모늄하이드록사이드 0.01 증류수 99.97
비교예 - - - - - - 증류수 100
LWR
(nm)		 EL margin
(mj/cm2)		 DoF margin
(um)		 패턴무너짐정도
실험예1 3.2 4.5 0.40 없음
실험예2 2.8 5.0 0.40 없음
실험예3 3.0 5.0 0.40 없음
실험예4 2.7 5.0 0.40 없음
실험예5 3.9 5.0 0.35 없음
실험예6 4.8 5.2 0.35 없음
실험예7 4.5 4.8 0.35 없음
실험예8 3.9 5.0 0.35 없음
실험예9 4.2 5.2 0.40 없음
실험예10 3.5 4.8 0.35 없음
실험예11 3.8 5.0 0.35 없음
실험예12 4.6 3.9 0.30 없음
실험예13 X X X 있음
비교실험예 6.5 2.0 0.20 있음
상기에서 언급한 것과 같이 LWR의 수치는 작을수록 패턴이 균일하다는 것을 나타내고 LWR의 수치가 낮을수록 EL 마진과 DoF 마진 수치가 높게 되므로 공정마진이 좋아진다.
실험예 1 내지 실험예 12는 비교예와 비교했을 때, LWR의 수치가 낮아 거친 정도가 개선되어 패턴의 균일도가 향상되었으며, 이로 인해 EL margin과 DoF margin이 증가된 것을 확인할 수 있었다.
실험예 13은 세정액을 과다하게 처리한 것으로 측정이 불가능할 정도로 패턴이 모두 뭉치거나 쓰러진 것을 알 수 있다.
또한, 도 1에 나타난 바와 같이, 현상액 처리 후 증류수로 마지막 세정을 한 비교실험예는 초점심도 마진(EL margin)이 0.2um, 에너지 마진(EL margin)이 2mj/cm2인 것에 비해, 실시예 1의 조성을 가진 공정액으로 처리한 실험예 1은 초점심도 마진이 0.4um 이상, 에너지 마진이 4.5mj/cm2 이상으로 비교실험예보다 큰 공정마진을 가지는 것을 확인할 수 있다.

Claims (5)

  1. 탄소수 1~8의 알코올 0.0001 내지 3중량%;
    계면활성제 0.0001 내지 1중량%;
    알칼리 물질 0.0001 내지 1중량%; 및
    물 95 내지 99.9997중량%를 포함하며,
    상기 탄소수 1~8의 알코올은 메탄올, 에탄올, 부탄올, 부탄다이올, 프로판올, 이소프로판올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제인 것임을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 비이온성 계면활성제는 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리에틸렌글리콜패티에시드에테르 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 물질은 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 LWR 개선용 공정액.
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