KR101375060B1 - 임프린트 방법 및 임프린트 시스템 - Google Patents

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Abstract

일 실시 형태에 따르면, 임프린트 방법은, 피가공막 상에 광 경화성 유기 재료를 도포하는 단계; 템플릿의 오목-볼록 패턴을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시키는 단계; 상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시킨 상태에서, 상기 템플릿에 힘을 가하는 단계; 상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시킨 상태에서, 상기 광경화성 유기 재료에 광을 조사하여 상기 광 경화성 유기 재료를 경화시키는 단계; 및 상기 광을 조사한 후에, 상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료로부터 이형하는 단계를 포함한다. 상기 템플릿에 가해진 힘은 상기 피가공막의 표면과 상기 템플릿 간의 간격에 대응한다.

Description

임프린트 방법 및 임프린트 시스템{IMPRINT METHOD AND IMPRINT SYSTEM}
<관련 출원의 상호 참조>
본원은 2011년 7월 21일에 출원된 일본 특허 출원 번호 제2011-159746호에 기초하여 우선권의 이익을 주장하며, 그 전체 내용은 본 명세서에 참조로서 원용된다.
본 명세서에 설명되어 있는 실시 형태는 일반적으로 임프린트 방법 및 임프린트 시스템에 관한 것이다.
미세 패턴을 저비용으로 형성하기 위한 기술로서, 광 나노 임프린트법이 알려져 있다. 광 나노 임프린트법으로는, 기판상에 형성될 패턴에 대응하는 요철을 갖는 템플릿(template)은, 기판의 표면에 도포된 광경화성 유기 재료층에 압박(press)되고, 유기 재료층은 광 조사에 의해 경화된다. 템플릿은 패턴을 전사(transcribe)하기 위해 유기 재료층으로부터 이형(release)된다.
템플릿이 광경화성 유기 재료에 압박될 때, 기판상의 얼라인먼트 마크 및 템플릿의 얼라인먼트 마크를 이용하여 템플릿과 기판 사이의 위치 정렬이 행해진다. 또한, 템플릿을 좌우로부터 가압하고, 템플릿의 형상을 보정함으로써, 전사 패턴이 형성될 위치의 오정렬을 감소시키는 방법이 알려져 있다. 그러나, 동일한 광 경화성 유기 재료를 사용하더라도, 가공 조건에 따라 광 경화성 유기 재료의 유동성이 변동된다. 따라서, 템플릿에 최적의 형상 보정을 행하지 않고, 전사 패턴의 위치 정렬 정밀도를 향상시키는 것이 곤란하다는 문제가 있었다.
일 실시 형태에 따르면, 임프린트 방법은, 피가공막 상에 광 경화성 유기 재료를 도포하는 단계; 템플릿의 오목-볼록 패턴을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시키는 단계; 상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시킨 상태에서, 상기 피가공막의 표면과 상기 템플릿 간의 간격에 대응하는 잔류막 두께에 기초한 힘을 상기 템플릿에 가하여, 상기 템플릿의 형상을 보정하는 단계; 상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시킨 상태에서, 상기 광경화성 유기 재료에 광을 조사하여 상기 광 경화성 유기 재료를 경화시키는 단계; 및 상기 광을 조사한 후에, 상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료로부터 이형하는 단계를 포함한다.
도 1의 (a) 내지 (c)는 임프린트 방법을 도시하는 공정 단면도이다.
도 2는 템플릿의 가압을 도시하는 도면이다.
도 3의 (a) 및 (b)는 임프린트 방법을 도시하는 공정 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 임프린트 시스템을 도시하는 개략 구성도이다.
도 5는 패턴의 오정렬을 측정하는 방법의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 데이터베이스 작성 방법을 도시하는 플로우차트이다.
도 7은 템플릿에 가해진 힘과 잔류막 두께 간의 관계의 일례를 도시하는 그래프이다.
도 8은 본 실시 형태에 따른 임프린트 방법을 도시하는 플로우차트이다.
첨부하는 도면을 참조하여 실시 형태들을 설명한다.
우선, 임프린트 방법에 대하여 설명한다. 임프린트 방법은, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(11) 상에 임프린트 재료(12)를 도포한다. 그 후, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 도포된 임프린트 재료(12)에, 형성될 패턴에 대응하는 요철을 갖는 템플릿(13)을 접촉시킨다. 임프린트 재료(12)는 예를 들면, 아크릴 모노머 등의 액상의 광 경화성 유기 재료이다. 기판(11)과 템플릿(13)에는 각각 위치 정렬용의 얼라인먼트 마크가 형성되고, 이 얼라인먼트 마크를 참조하여 기판(11) 또는 템플릿(13)을 주사(scan)함으로써 위치 정렬이 행해진다.
도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 액상의 임프린트 재료(12)는 템플릿(13)의 요철(오목-볼록) 패턴을 따라 흘러 들어간다. 이 경우, 가압 기구(도시 생략)를 이용하여 템플릿(13)을 가압하여, 템플릿(13)의 형상을 보정한다.
도 2는 임프린트 재료(12)에 접촉시킨 템플릿(13) 상부로부터 본 도면이다. 가압 기구는 템플릿의 4 방향(도면에서, 상측 방향, 하측 방향, 좌측 방향 및 우측 방향)으로부터 각각 적당한 힘을 가할 수 있다.
도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 임프린트 재료(12)가 템플릿(13)의 요철 패턴 내에 충전된 후, 광을 조사하여 임프린트 재료(12)를 경화시킨다. 조사된 광이 임프린트 재료(12)를 경화시키기만 해도, 임의의 조사된 광을 이용할 수 있다. 예를 들면, 자외선 광을 이용할 수 있다. 템플릿(13)은 광 투과 재료, 예를 들면, 석영 글래스로 구성된다.
도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 템플릿(13)을 임프린트 재료(12)로부터 분리한다. 이 상태에서, 임프린트 재료(12)는 이미 경화되어 있다. 따라서, 임프린트 재료(12)는, 템플릿(13)이 접촉되었을 때의 상태(형상)로 유지된다. 이러한 방식으로, 임프린트 처리에 의해 전사 패턴을 형성할 수 있다.
도 1의 (a) 내지 (c) 및 도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 공정을 반복하여, 기판(11) 상에 복수의 전사 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 도 1의 (c)에 도시하는 공정을 통해 템플릿(13)의 형상 보정을 행함으로써, 전사 패턴이 형성될 위치를 미세 조정할 수 있다. 이는, 예를 들면, 임프린트 처리에 의한 전사 패턴과, 기판(11)에 미리 형성된 기초 패턴 간의 오정렬을 감소시킬 수 있다.
템플릿(13)이 기판(11)에 직접 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 임프린트 처리에 의해 잔류막(14; residual film)을 형성한다. 이하의 설명에서는, 잔류막(14)의 두께 L을 잔류막 두께라고 칭한다. 잔류막 두께는, 템플릿(13)을 임프린트 재료(12)에 접촉시켰을 때의, 기판(11)의 표면과 템플릿(13) 간의 간격에 대응한다.
잔류막 두께가 얇아짐에 따라, 도 1의 (c)에 도시하는 공정에서, 임프린트 재료(12)의 유동성이 저하된다. 전사 패턴을 원하는 위치에 형성하기 위해서는, 임프린트 재료(12)의 유동성에 따라, 적절한 힘을 템플릿(13)에 가할 필요가 있다. 본 발명의 실시 형태에서는, 템플릿(13)을 적절하게 가압하여, 전사 패턴을 원하는 위치에 형성한다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 임프린트 시스템의 개략 구성을 도시한다. 임프린트 시스템(100)은, 임프린트 장치(110), 오정렬 측정 장치(120), 잔류막 두께 측정 장치(130) 및 보정량 산출 장치(140)를 포함한다.
임프린트 장치(110)는, 도 1 내지 도 3에 도시한 임프린트 처리를 행하는 장치이고, 임프린트 재료를 도포하도록 구성된 도포부, 템플릿을 이동시키도록 구성된 이동부, 임프린트 재료를 경화시키기 위해 광을 조사하도록 구성된 광 조사부, 및 템플릿에 힘을 가하여 템플릿의 형상을 보정하도록 구성된 가압부를 포함한다.
오정렬 측정 장치(120)는, 기판 상의 전사 패턴과, 기판에 형성되어 있는 기초 패턴 간의 오정렬을 측정하는 장치이다.
예를 들면, 도 5에 도시한 바와 같이, 오정렬 검사용의 더미 패턴(51a 내지 51d)을 기판에 미리 형성한다. 또한, 템플릿에도 오정렬 검사용의 더미 패턴을 가공하여, 임프린트 처리에 의해, 기판에 더미 패턴(52a 내지 52d)을 형성한다.
오정렬 측정 장치(120)는, 더미 패턴(51a 내지 51d)의 중심 좌표와, 더미 패턴(52a 내지 52d)의 중심 좌표를 산출하고, 그 중심 좌표들 간의 변위(displacement)에 기초하여, 기초 패턴과 전사 패턴 간의 오정렬을 산출한다.
이러한 오버레이(overlay) 마크를 이용한 방법은 일례이며, 오정렬 측정 장치(120)는 다른 방법을 이용하여 오정렬을 산출할 수도 있다.
잔류막 두께 측정 장치(130)는 잔류막 두께(도 3의 (b)의 잔류막(14)의 두께 L)를 측정하는 장치이다. 예를 들면, 잔류막 두께 측정 장치(130)는 잔류막에 광을 조사하고, 입사광 및 반사광의 편광 상태의 변동을 측정하고, 측정 결과로부터 막 두께를 산출하는 엘립소미터(ellipsometer)이다. 잔류막 두께 측정 장치(130)는, 1샷(one-shot)의 임프린트 처리에 의해 형성되는 1개의 전사 패턴의 복수 개소에서 잔류막 두께를 측정한다.
보정량 산출 장치(140)는, 임프린트 처리 시에 템플릿에 가해지는 힘(형상 보정량)을 임프린트 장치(110)에 지시한다. 또한, 보정량 산출 장치(140)는, 오정렬 측정 장치(120)로부터 오정렬의 측정 결과를 취득하고, 잔류막 두께 측정 장치(130)로부터 잔류막 두께의 측정 결과를 취득한다. 보정량 산출 장치(140)는, 잔류막 두께의 변동이 미리 정해진 범위 내에 있고, 오정렬이 미리 정해진 값 이하인 경우에, 전사 패턴을 형성하기 위한 임프린트 처리 시에 템플릿에 가해진 힘(형상 보정량)이 적절한 값임을 결정하고, 이 힘과 잔류막 두께의 조합을 기억부(141)에 기억시켜, 데이터베이스를 작성한다.
잔류막 두께와, 임프린트 처리 시에 템플릿에 가해진 적절한 힘 간의 대응 관계를 규정한 데이터베이스를 기억부(141)에 작성하는 방법을 도 6에 도시한 플로우차트를 이용하여 설명한다.
스텝 S101에서, 요철 패턴 가공이 행해진 템플릿을 준비한다.
스텝 S102에서, 임프린트 처리 시의 잔류막 두께를 설정한다.
스텝 S103에서, 스텝 S102에서 설정된 잔류막 두께를 갖도록 임프린트 처리를 행하여, 기판 상에 전사 패턴을 형성한다. 임프린트 처리는, 도 1의 (a) 내지 (c), 및 도 3의 (a) 및 (b)에 도시한 공정과 마찬가지이며, 템플릿에는 미리 정해진 힘이 가해진다.
스텝 S104에서, 잔류막 두께 측정 장치(130)는 스텝 S103에서 형성된 전사 패턴의 복수 개소에서 잔류막 두께를 측정한다. 측정값의 변동, 평균값 및 중심 값이 미리 정해진 범위 내에 있으면, 절차는 스텝 S106으로 진행한다. 그렇지 않은 경우에는, 절차는 스텝 S105로 진행한다.
스텝 S105에서, 임프린트 장치(110)의 도포부에 의해 기판상에 도포되는 임프린트 재료의 도포량이나 도포 위치를 변경한다. 절차는 스텝 S103으로 되돌아가, 재차, 임프린트 처리가 행해진다.
스텝 S106에서, 오정렬 측정 장치(120)는, 스텝 S103에서 형성된 전사 패턴과, 기판에 형성되어 있는 기초 패턴 간의 오정렬을 측정한다. 오정렬량이 미리 정해진 값 이하인 경우에는, 절차는 스텝 S108로 진행한다. 오정렬량이 미리 정해진 값보다 큰 경우에는, 절차는 스텝 S107로 진행한다.
스텝 S107에서, 스텝 S103의 임프린트 처리 시에 템플릿에 가해진 힘을 변경한다. 그 후, 공정은 스텝 S103으로 되돌아가, 재차, 임프린트 처리가 행해진다.
스텝 S108에서, 스텝 S102에서 설정된 잔류막 두께와, 스텝 S103의 임프린트 처리 시에 템플릿에 가해진 힘의 조합이 기억부(141)에 기억된다. 이 경우, 임프린트 재료의 도포량, 도포 위치 등의 조합도 기억부(141)에 기억될 수 있다.
스텝 S109에서, 데이터베이스 작성 처리를 계속하는 경우, 절차는 스텝 S102로 되돌아가고, 잔류막 두께가 변경된다. 그 후, 스텝 S103 내지 S108의 공정을 실행한다.
이러한 방식으로, 도 7에 도시한 바와 같이, 임프린트 처리시의 잔류막 두께와, 전사 패턴과 기초 패턴 간의 오정렬을 감소시키기 위해 템플릿에 가해진 적절한 힘의 조합(대응 관계)을 규정한 데이터베이스를 작성할 수 있다. 도 7로부터, 잔류막 두께가 얇을수록, 템플릿에 가해진 힘이 증가된다는 것을 알 수 있다. 이것은, 잔류막 두께가 얇을수록, 임프린트 재료의 유동성이 저하되기 때문이다.
다음으로, 이러한 데이터베이스를 참조하는(양산시의) 임프린트 방법에 대하여 도 8에 도시한 플로우차트를 참조하여 설명한다.
스텝 S201에서, 보정량 산출 장치(140)는 임프린트 장치(110)에 설정된 가공 조건에 포함되는 잔류막 두께를 취득한다. 임프린트 장치(110)는 잔류막 두께에 관한 정보를 보정량 산출 장치(140)에 송신할 수 있고, 또는 유저가 보정량 산출 장치(140)에 잔류막 두께에 관한 정보를 입력할 수도 있다.
그 후, 보정량 산출 장치(140)는 기억부(141)의 데이터베이스를 검색하여 취득한 잔류막 두께에 대응하는 형상 보정량(템플릿에 가해진 힘)을 추출한다. 보정량 산출 장치(140)는 추출된 형상 보정량을 임프린트 장치(100)에 지시한다.
또한, 보정량 산출 장치(140)는 데이터베이스로부터 도포 위치나 도포량을 취득하고, 취득된 도포 위치나 도포량을 임프린트 장치(100)에 지시할 수도 있다.
스텝 S202에서, 임프린트 장치(100)의 도포부는 피가공 기판(피가공막) 상에 임프린트 재료를 도포한다(도 1의 (a) 참조).
스텝 S203에서, 기판상에 도포된 임프린트 재료에 템플릿을 접촉시킨다. 그 후, 기판과 템플릿의 얼라인먼트 마크를 참조하여, 위치 정렬을 행한다(도 1의 (b) 참조).
스텝 S204에서, 임프린트 장치(100)의 가압부는, 스텝 S201에서 지시된 형상 보정량(템플릿에 가해진 힘)에 기초하여, 템플릿에 힘을 가한다(도 1의 (c) 참조).
스텝 S205에서, 템플릿의 요철 패턴 내에 임프린트 재료가 충전된 후, 임프린트 장치(100)의 광 조사부가 광을 조사하여, 임프린트 재료를 경화시킨다(도 3의 (a) 참조).
스텝 S206에서, 템플릿을 임프린트 재료로부터 이형시킨다(도 3의 (b) 참조).
샷 위치를 변경하여 스텝 S201 내지 S206을 반복함으로써, 피가공 기판상에 복수의 전사 패턴을 형성할 수 있다.
본 실시 형태는, 잔류막 두께에 따른 임프린트 재료의 유동성의 변동에 주목하고, 잔류막 두께와, 템플릿에 가해진 적절한 힘 간의 대응 관계의 데이터베이스를 작성한다. 데이터베이스를 참조하여, 양산시 등에, 잔류막 두께에 대응하는 적절한 힘을 템플릿에 가한다. 따라서, 미리 피가공 기판에 형성된 기초 패턴과, 임프린트 처리에 의해 형성된 전사 패턴 간의 오정렬을 감소시킬 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에 따르면, 전사 패턴의 위치 정렬 정밀도를 향상시킬 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 잔류막 두께에 따라 템플릿의 형상 보정량(템플릿에 가해진 힘)이 변경되지만, 적절한 형상 보정량은 템플릿에 가공되는 요철 패턴의 밀도나 애스펙트비(aspect ratio)에 따라서도 변경된다. 따라서, 이들 조건을 고려하여 기억부(141)의 데이터베이스를 작성함으로써, 전사 패턴의 위치 정렬 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 1개의 템플릿을 이용하여 기억부(141)의 데이터베이스를 작성하지만, 복수의 템플릿을 준비하여, 각 템플릿에 대하여 데이터베이스를 작성할 수도 있다. 또한, 도포되는 임프린트 재료의 종류를 변경하여, 도 6에 도시한 처리를 행하여, 각 임프린트 재료에 대하여 데이터베이스를 작성할 수도 있다.
소정의 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는 단지 예로서 제시했을 뿐이며 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 실제로, 본원에 개시되는 신규한 방법 및 시스템은 다양한 그 밖의 형태로 구현될 수 있고, 또한, 본 발명의 사상에서 벗어남 없이, 본원에 개시된 방법 및 시스템의 형태에 있어서 다양한 생략, 대체 및 변경이 이루어질 수 있다. 첨부하는 특허청구범위 및 그의 균등물은, 그러한 형태 또는 변형이 본 발명의 범위 및 사상 내에 있는 한, 그것을 커버하기 위한 것이다.
11: 기판
12: 임프린트 재료
13: 템플릿

Claims (14)

  1. 임프린트 방법으로서,
    피가공막 상에 광 경화성 유기 재료를 도포하는 단계;
    템플릿의 오목-볼록 패턴을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시키는 단계;
    상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시킨 상태에서, 상기 피가공막의 표면과 상기 템플릿 간의 간격에 대응하는 잔류막 두께에 기초한 힘을 상기 템플릿에 가하여, 상기 템플릿의 형상을 보정하는 단계;
    상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시킨 상태에서, 상기 광경화성 유기 재료에 광을 조사하여 상기 광 경화성 유기 재료를 경화시키는 단계; 및
    상기 광을 조사한 후에, 상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료로부터 이형(release)하는 단계
    를 포함하는, 임프린트 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 잔류막 두께가 얇을수록, 상기 템플릿에 가해지는 상기 힘이 증가되는, 임프린트 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 템플릿을 상기 광 경화성 유기 재료에 접촉시킨 후 및 상기 템플릿에 상기 힘을 가하기 전에, 상기 템플릿에 형성된 얼라인먼트 마크 및 상기 피가공막에 형성된 얼라인먼트 마크를 이용하여, 상기 템플릿과 상기 피가공막의 위치 정렬을 행하는, 임프린트 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 잔류막 두께 및 상기 템플릿에 가해진 상기 힘에 따른 도포 위치 및 도포량으로 상기 피가공막 상에 상기 광 경화성 유기 재료를 도포하는, 임프린트 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 템플릿의 4 방향으로부터 힘을 가하는, 임프린트 방법.
  6. 임프린트 시스템으로서,
    피가공막 상에 광 경화성 유기 재료를 도포하도록 구성된 도포부, 요철 패턴이 형성된 템플릿을 이동(shift)시키도록 구성된 이동부, 상기 광 경화성 유기 재료를 경화시키기 위해 광을 조사하도록 구성된 광 조사부, 및 상기 템플릿에 힘을 가하여 형상을 보정하도록 구성된 가압부를 포함하고, 임프린트 처리에 의해 상기 피가공막 상에 전사 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치;
    상기 전사 패턴과, 상기 피가공막에 형성되어 있는 기초 패턴 간의 오정렬(misalignment)을 측정하도록 구성된 오정렬 측정 장치;
    상기 전사 패턴의 복수 개소(site)에서의 잔류막 두께를 측정하도록 구성된 잔류막 두께 측정 장치; 및
    상기 전사 패턴의 오정렬이 미리 정해진 값 이하이며, 상기 잔류막 두께의 변동이 미리 정해진 범위 내에 있는 경우, 상기 전사 패턴의 형성시에 상기 템플릿에 가해진 힘과, 상기 전사 패턴의 잔류막 두께의 조합을 기억하도록 구성된 기억부를 포함하는 보정량 산출 장치
    를 포함하는, 임프린트 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보정량 산출 장치는, 상기 임프린트 장치에 설정된 가공 조건에 포함된 잔류막 두께를 취득하고, 상기 잔류막 두께에 대응하는 상기 템플릿에 가해진 힘을 상기 기억부로부터 추출하여, 추출된 상기 힘을 상기 임프린트 장치에 지시하고,
    상기 임프린트 장치가 상기 가공 조건에서 임프린트 처리를 행할 때, 상기 가압부는 상기 보정량 산출 장치에 의해 지시된 상기 힘을 상기 템플릿에 가하는, 임프린트 시스템.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 잔류막 두께 측정 장치는 잔류막에 광을 조사하고, 입사광과 반사광의 편광 상태의 변화를 측정하고, 측정 결과에 기초하여 잔류막 두께를 산출하는, 임프린트 시스템.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 가압부는 상기 템플릿의 4 방향으로부터 힘을 가하는, 임프린트 시스템.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 기억부는, 상기 전사 패턴의 오정렬이 미리 정해진 값 이하이며, 상기 잔류막 두께의 변동이 미리 정해진 범위 내에 있는 경우에, 상기 전사 패턴의 형성시에 상기 템플릿에 가해진 힘, 상기 전사 패턴의 잔류막 두께, 및 상기 전사 패턴의 형성시에 피가공막 상에 도포된 광 경화성 유기 재료의 도포 위치와 도포량의 조합을 기억하는, 임프린트 시스템.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 기억부는, 상기 전사 패턴의 오정렬이 미리 정해진 값 이하이며, 상기 잔류막 두께의 변동이 미리 정해진 범위 내에 있는 경우에, 상기 전사 패턴의 형성시에 상기 템플릿에 가해진 힘, 상기 전사 패턴의 잔류막 두께, 및 상기 요철 패턴의 밀도 또는 애스펙트비(aspect ratio)의 조합을 기억하는, 임프린트 시스템.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 기억부는, 상기 전사 패턴의 형성시에 상기 템플릿에 가해진 힘과, 상기 전사 패턴의 잔류막 두께의 조합을, 상기 전사 패턴의 형성시에 피가공막 상에 도포된 광 경화성 유기 재료의 종류에 따라 기억하는, 임프린트 시스템.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 보정량 산출 장치는, 상기 전사 패턴의 오정렬이 미리 정해진 값보다 클 경우, 상기 임프린트 장치에, 상기 템플릿에 가해지는 힘을 변경하도록 지시하는, 임프린트 시스템.
  14. 제6항에 있어서,
    상기 보정량 산출 장치는, 상기 잔류막 두께의 변동이 미리 정해진 범위 내에 있지 않은 경우, 상기 임프린트 장치에, 상기 광 경화성 유기 재료의 도포 위치 또는 도포량을 변경하도록 지시하는, 임프린트 시스템.
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