JP5447925B2 - 光硬化物複合体及び該光硬化物複合体を形成するための光硬化性組成物並びに光硬化物複合体の製造方法 - Google Patents
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Description
上記の光硬化物複合体において、前記薄膜部の厚さが、20nm〜10μmであることが好ましい。
本発明に係る第2の光硬化物複合体は、基板と、前記基板上に形成された薄膜部と前記薄膜部から突出した突出部とを有する光硬化物と、を含み、前記薄膜部は、粒子を含有し、前記粒子の粒径が100nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−25%乃至+25%であり、前記粒子の粒径が100nm以上500nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−20%乃至+20%であり、前記粒子の粒径が500nm以上1000nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−15%乃至+15%であり、前記粒子の粒径が1000nm以上の場合の前記薄膜部の厚さは前記の粒径の−10%乃至+10%であることを特徴とする。
上記の光硬化物複合体において、前記粒子と前記光硬化物との屈折率の差が0.03以下であることが好ましい。
上記の光硬化物複合体において、前記粒子の粒径は500nm以上であり、前記粒子と前記光硬化物との屈折率の差が0.03以下であることが好ましい。
本発明に係る光硬化物複合体の製造方法は、粒子を含有する光硬化性組成物を基板と凹凸パターンを有するモールドとの間に挟み、前記光硬化性組成物に光を照射することにより硬化させて、前記基板と前記モールドの前記凹凸パターンの凸部との間に薄膜部を有する光硬化物を形成する第1の工程と、前記光硬化物を前記モールドから離型する第2の工程と、を含み、前記第1の工程において、前記粒子の粒径が100nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−25%乃至+25%であり、前記粒子の粒径が100nm以上500nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−20%乃至+20%であり、前記粒子の粒径が500nm以上1000nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−15%乃至+15%であり、前記粒子の粒径が1000nm以上の場合の前記薄膜部の厚さは前記の粒径の−10%乃至+10%であることを特徴とする。
上記の光硬化物複合体の製造方法において、前記光硬化性組成物の前記粒子の含有量は、前記光硬化性組成物の光硬化性成分全体積に対して、0.01%乃至30%であることが好ましい。
上記の光硬化物複合体の製造方法において、前記光硬化性組成物の25℃における粘度は、10Pa・sであることが好ましい。
上記の光硬化物複合体の製造方法において、前記光硬化性組成物の25℃における粘度は、50mPa・sであることが好ましい。
上記の光硬化物複合体の製造方法において、前記第1の工程は、前記基板と前記モールドとの間に0.01MPa乃至100MPaの圧力を加えることが好ましい。
(光硬化性組成物Aの調製)
光重合性化合物としてベンジルアクリレート15質量部、トリエチレングリコールジアクリレート55質量部、及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート25質量部と、光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール5質量部とを配合し、ベンジルジメチルケタールが溶解するまで室温で攪拌した。ここに比重1.65、平均粒径540nmの球状粒子(商品名:オプトビーズ500S、日産化学工業(株)製)1.65質量部を添加し、湿式微粒化装置(スギノマシン製)を用いて室温で2時間撹拌して粒子を分散させて液状の光硬化性組成物Aを調製した。粒子の含有量は、光硬化性組成物Aの光硬化性成分全体積に対し1%である。粒子の分散度は1.1であった。なお、粒子の分散度及び平均粒径は25℃において粒度分布計(商品名:High Performance Particle Sizer、Malvern社製)を用いて測定した。
高さ250nm、幅250nmでラインアンドスペースが1:1のラインパターンを有する1インチ角の石英モールドを純水で洗浄後、UVオゾンクリーナーで30分間処理した。これを1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルトリメトキシシランの1質量%ハイドロフルオロエーテル(C4F9OCH3)溶液に浸漬し、引き上げた後、室温、常圧で一昼夜放置し乾燥させた。これをハイドロフルオロエーテルに浸漬して余分な1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルトリメトキシシランを除き、表面に離型処理を施した石英モールドを得た。
調製した上記光硬化性組成物Aを洗浄済みのガラス基板上に滴下した。次に上記の離型処理済石英モールドとガラス基板とを対向させて光硬化性組成物Aを挟み込み、インプリント装置(商品名;ST−02、東芝機械(株)製)を用いて0.3MPaの圧力で押圧して、モールドの凹凸パターンに光硬化性組成物Aを充填した。モールドを押圧していくと、モールドの薄膜部形成面と基板の間に存在する厚さ方向に重ならない粒子により、途中で押圧する動きが規制され、粒子の最大粒径と同程度の厚さの薄膜部が形成された。その後、超高圧水銀ランプを用いて1J/cm2露光して光硬化性組成物Aを硬化させて成形した後、モールドを離型し、モールドの凹凸形状が転写された薄膜部と該薄膜部から突出した突出部とからなる光硬化物を基板上に形成した光硬化物複合体を得た。得られた光硬化物の薄膜部の厚さを表面粗さ計で5箇所測定して薄膜部の厚さの平均値及び標準偏差を求めた。結果を表1に示す。表1に示すように、薄膜部の厚さの面内ばらつきが少ない光硬化物複合体が得られた。
球状粒子として比重1.65、平均粒径2200nmの球状粒子(商品名:オプトビーズ2000M、日産化学工業(株)社製)1.65質量部を用いた他は、実施例1と同様の方法で光硬化性組成物Bを調製した。また実施例1と同様の方法で光硬化物複合体を得た。結果を表1に示す。
球状粒子として比重1.65、平均粒径6500nmの球状粒子(商品名:オプトビーズ6500M、日産化学工業(株)社製)1.65質量部を用いた他は、実施例1と同様の方法で光硬化性組成物Cを調製した。また実施例1と同様の方法で光硬化物複合体を得た。結果を表1に示す。
光重合性化合物として2−ヒドロキシエチルアクリレート30質量部、エポキシアクリレート(商品名:エポキシエステル80MFA、共栄社化学(株)製)50質量部、及びペンタエリスリトールトリアクリレート15質量部と、光重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン5質量部とを配合し、室温で攪拌した。ここに平均粒径230nmのシリカ微粒子の分散体(商品名:MP−2040、日産化学工業(株)社製)25質量部を添加し、湿式微粒化装置を用いて室温で2時間撹拌して粒子を分散させて液状の光硬化性組成物Dを調製した。調製した上記光硬化性組成物Dを洗浄済みのガラス基板上に膜厚400〜500nmになるようにスピンコートした後、60℃のホットプレート上で10分加熱して分散媒を除去した。次に実施例1の離型処理済石英モールドとガラス基板とを対向させて光硬化性組成物Dを挟み込み、インプリント装置(商品名;ST−02、東芝機械(株)製)を用いて0.3MPaの圧力で押圧して、モールドの凹凸パターンに光硬化性組成物Dを充填した。モールドを押圧していくと、モールドの薄膜部形成面と基板の間に存在する厚さ方向に重ならない粒子により、途中で押圧する動きが規制され、粒子の最大粒径と同程度の厚さの薄膜部が形成された。その後、超高圧水銀ランプを用いて1J/cm2露光して光硬化性組成物Dを硬化させて成型した後、モールドを離型し、モールドの凹凸形状が転写された薄膜部と該薄膜部から突出した突出部とからなる光硬化物を基板上に形成した光硬化物複合体を得た。得られた光硬化物の薄膜部の厚さを表面粗さ計で5箇所測定して薄膜部の厚さの平均値及び標準偏差を求めた。結果を表1に示す。
球状粒子として平均粒径35nmのシリカ微粒子の分散体(商品名:スノーテックスCM、日産化学工業(株)社製)を用いたこと以外は実施例4と同様の方法で光硬化性組成物Eを調製した。また実施例4と同様の方法で光硬化物複合体を得た。結果を表1に示す。
球状粒子として、平均粒径500nmのアクリル微粒子(商品名:リオスフィア、東洋インキ(株)社製)1質量部を用いた他は、実施例1と同様の方法で光硬化性組成物Gを調製した。また、実施例1と同様の方法で光硬化物複合体を得た。結果を表1に示す。
光硬化性組成物Aを、球状粒子を添加しない光硬化性組成物Fとした以外は実施例1と同様の方法で光硬化物複合体を得た。結果を表1に示す。粒子を添加した実施例1と比較して薄膜部の厚さのばらつきが大きく、薄膜部の厚さが均一な光硬化物複合体を得ることができなかった。
比較例1の光硬化性組成物Fの光硬化物、実施例6で使用したアクリル微粒子及び実施例1で使用した球状粒子の波長589nm、23℃における屈折率の値を表2に示す。また、光硬化性組成物Fの光硬化物と各粒子との屈折率の差を表3に示す。光硬化性組成物Fの光硬化物の屈折率は多波長アッベ屈折計(型番:DR−M2、アタゴ(株)製)を用いて測定した。また粒子の屈折率はBecke法により求めた。
光硬化性組成物Fの膜厚約1μmの塗布膜をシリコンウェハー上に形成し、不活性ガス中で超高圧水銀ランプを用いて1J/cm2露光して光硬化性組成物を硬化させた。次にドライエッチング装置(型番:RIE101IPH、SAMCO社製)を用いて下記条件で上記硬化物をドライエッチングし、エッチング前後の膜厚差から光硬化性組成物Fの光硬化物のドライエッチングレートを求めた。結果を表2に示す。また、実施例6で使用したアクリル微粒子及び実施例1で使用した球状微粒子のドライエッチングレートに対する光硬化性組成物Fの光硬化物のドライエッチングレートの比率を表3に示す。
<エッチング条件>
酸素ガス流量・・・・5mL/min
アルゴンガス流量・・0.5mL/min
チャンバー圧力・・・1Pa
バイアス電力・・・・50W
光硬化性組成物Fの膜厚約1μmの塗布膜を10cm角のガラス基板上に形成し、不活性ガス中で超高圧水銀ランプを用いて1J/cm2露光して光硬化性組成物Fを硬化させた。次に誘電率測定装置(型番:PSS−003A、KEYCOM社製)を用いて、25℃、周波数10GHzにおける光硬化性組成物Fの光硬化物の比誘電率を測定した。測定結果を表2に示す。また、実施例6で使用したアクリル微粒子及び実施例1の球状微粒子の比誘電率測定結果を表2に、実施例6で使用したアクリル微粒子及び実施例1の球状微粒子と光硬化性組成物Fの光硬化物との比誘電率の差を表3に示す。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に形成された薄膜部と前記薄膜部から突出した突出部とを有する光硬化物と、を含み、
前記薄膜部は、前記薄膜部の厚さ方向には重ならない粒子を含有し、
前記薄膜部の厚さは前記粒子によって規定されていること、
を特徴とする光硬化物複合体。 - 基板と、
前記基板上に形成された薄膜部と前記薄膜部から突出した突出部とを有する光硬化物と、を含み、
前記薄膜部は、粒子を含有し、
前記粒子の粒径が100nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−25%乃至+25%であり、
前記粒子の粒径が100nm以上500nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−20%乃至+20%であり、
前記粒子の粒径が500nm以上1000nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−15%乃至+15%であり、
前記粒子の粒径が1000nm以上の場合の前記薄膜部の厚さは前記の粒径の−10%乃至+10%であること、
を特徴とする光硬化物複合体。 - 請求項1に記載の光硬化物複合体において、
前記薄膜部の厚さが、20nm〜10μmであること、
を特徴とする光硬化物複合体。 - 請求項1又は2に記載の光硬化物複合体において、
前記粒子と前記光硬化物との屈折率の差が0.03以下であること、
を特徴とする光硬化物複合体。 - 請求項2に記載の光硬化物複合体において、
前記粒子の粒径は500nm以上であり、
前記粒子と前記光硬化物との屈折率の差が0.03以下であること、
を特徴とする光硬化物複合体。 - 粒子を含有する光硬化性組成物を基板と凹凸パターンを有するモールドとの間に挟み、前記光硬化性組成物に光を照射することにより硬化させて、前記基板と前記モールドの前記凹凸パターンの凸部との間に薄膜部を有する光硬化物を形成する第1の工程と、
前記光硬化物を前記モールドから離型する第2の工程と、を含み、
前記第1の工程において、
前記粒子の粒径が100nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−25%乃至+25%であり、
前記粒子の粒径が100nm以上500nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−20%乃至+20%であり、
前記粒子の粒径が500nm以上1000nm未満の場合の前記薄膜部の厚さは前記粒径の−15%乃至+15%であり、
前記粒子の粒径が1000nm以上の場合の前記薄膜部の厚さは前記の粒径の−10%乃至+10%であること、
を特徴とする光硬化物複合体の製造方法。 - 請求項6に記載の光硬化物複合体の製造方法において、
前記光硬化性組成物の前記粒子の含有量は、前記光硬化性組成物の光硬化性成分全体積
に対して、0.01%乃至30%であること、
を特徴とする光硬化物複合体の製造方法。
- 請求項6又は7に記載の光硬化物複合体の製造方法において、
前記光硬化性組成物の25℃における粘度は、10Pa・sであること、
を特徴とする光硬化物複合体の製造方法。 - 請求項8に記載の光硬化物複合体の製造方法において、
前記光硬化性組成物の25℃における粘度は、50mPa・sであること、
を特徴とする光硬化物複合体の製造方法。 - 請求項6乃至9のいずれかに記載の光硬化物複合体の製造方法において、
前記第1の工程は、前記基板と前記モールドとの間に0.01MPa乃至100MPaの圧力を加えること、
を特徴とする光硬化物複合体の製造方法。
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