KR101331918B1 - 불소 가스 공급 시스템 - Google Patents

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다츠오 미야자키
게이타 나카하라
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샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명은, 불소 가스 발생 장치에서 발생시킨 불소 가스를 반도체 처리 장치에, 안정적이고, 대량으로 또한 정밀한 농도로 공급 가능한 불소 가스의 공급 시스템을 제공하는 것을 과제로 한다. 불소 가스의 공급 시스템에 있어서, 버퍼 탱크에 저장한 혼합 가스를, 버퍼 탱크 내에서 혼합 가스를 조정하기 전의 가스 도입 배관에 도입하여, 혼합 가스를 순환시키는 것, 또한, 혼합 가스 중의 불소 농도를 측정하는 감시 장치를 설치하고, 얻어진 불소 농도에 응답하여, 불활성 가스 공급원의 유량을 조정할 수 있는 구성으로 하였다.

Description

불소 가스 공급 시스템{FLUORINE GAS SUPPLY SYSTEM}
본 발명은, 온 사이트 불소 가스 발생 장치와 불소 가스를 사용하는 반도체 처리 장치 사이에 있어서의 불소 가스의 공급 시스템으로서, 불소 가스의 in-situ 가스 혼합 및 희석 시스템에 관한 것이다.
이제까지, 전자 재료 가스(예를 들어, 플루오로카본, 6불화유황 가스, 3불화질소 등의 불화물 가스)는, 반도체 처리 공정의 클리닝이나 에칭 프로세스에 대하여, 고성능이기 때문에 광범위에 걸쳐 대량으로 사용되어 왔으나, 이들 불화물 가스는 지구 온난화 계수가 커 지구 환경에 대하여 악영향을 미치기 때문에, 앞으로, 폐지 혹은 그 사용을 제한해 가는 것이 결정되어 있다.
불소 가스는, 지구 온난화 계수가 0으로서, 상기 불화물 가스의 대체물로서 사용이 검토되기 시작하였다. 불소 가스는, 독성·부식성·반응성이 현저하게 강하기 때문에, 봄베에 충전하여 대량으로 수송이나 저장하는 것은 위험이 따르므로, 불소 가스를 질소 가스나 헬륨 가스 등의 불활성 가스로 20% 정도 이하까지 희석시켜 가스봄베에 충전된 것을 사용하여 불소 가스를 공급하는 방법이 실시되고 있다.
그러나, 불활성 가스에 의해 불소 가스를 희석한 가스봄베에서는, 불소 가스의 충전량이 소량이 되기 때문에, 가스봄베의 교환 빈도가 많아지고, 가스봄베를 교환할 때마다, 불소 가스 공급의 프로세스 최적화를 행할 필요가 있어, 생산성의 효율이 저하되는 문제가 있다.
또한, 불소 가스의 충전량을 최대한으로 하기 위해 가스봄베를 고압으로 하면 가스 공급 용기의 파손 등의 잠재적인 위험성이 거론되고 있다.
그래서, 상기 대책에 있어서, 안전·안정적으로 불소 가스를 발생시켜, 그 자리에서 사용하는 온 사이트 불소 가스 발생 장치 등이, 산업계로부터 요망되고 있고, 몇 가지 제안이 이루어져 있다(특허문헌 1, 2).
그러나, 온 사이트 불소 가스 발생 장치와 불소 가스를 사용하는 반도체 처리 장치 사이에 있어서의 불소 가스의 공급을 확보하기 위한 인터페이스적 장치(불소 가스의 공급 시스템)가 매우 중요함에도 불구하고, 그 검토는 적은 것이 현 상황이다.
일본 공개특허공보 제2004-169123호 일본 공개특허공보 제2007-191378호
종래, 온 사이트 불소 가스 발생 장치에서 얻어진 불소 가스를 직접 버퍼 탱크에 도입하여, 반도체 처리 장치에 도입하기 직전에 희석하는 방법, 또한, 얻어진 불소 가스를, 불소 가스를 사용하는 반도체 처리 장치에 도입할 때에, 얻어진 불소 가스와 불활성 가스의 각 성분을 각각 개별적으로 유량 제어하여 유통하고, 그것들을 합류하여, 버퍼 탱크에 저장하고, 이들의 혼합 가스의 유량 제어를 행하여, 불소 가스를 사용하는 반도체 처리 장치에 도입하는 방법이 행해지고 있었다.
얻어진 불소 가스를 직접 버퍼 탱크에 도입하는 방법에서는 독성·부식성이 현저하게 강하기 때문에, 대량으로 버퍼 탱크에 저장하는 것은 바람직하지 않다. 또한, 최근, 반도체 처리 공정에 있어서, 생산 효율을 향상시킬 목적에서, 사용 기판의 대형화가 진행되어, 대형 실리콘 웨이퍼가 사용되기 시작하였다. 실리콘 웨이퍼의 대형화에 대응하여, CVD 장치나 에칭 장치 등의 반도체 처리 장치의 대형화가 진행되고 있고, 반도체 처리 장치의 대형화에 수반하여, 클리닝 프로세스나 에칭 프로세스 등에 사용되는 불소 가스의 사용량이 급격하게 증가하고 있다.
그 때문에, 불소 가스의 사용량 증대에 수반하여, 온 사이트 불소 가스 발생 장치에서 얻어진 불소 가스를, 불소 가스를 사용하는 반도체 처리 장치에 도입하는 방법에서는, 불소 가스의 대량 공급이 가능하도록, 보다 대형의 버퍼 탱크가 사용되게 되고 있다.
가스의 대량 공급이 가능한 대형 버퍼 탱크를 사용하여 혼합 가스를 저장하는 경우, 용기가 커짐에 따라, 혼합 가스가 균일화되기 어려워진다. 단순히, 장시간 방치함으로써 혼합 가스를 균일화하는 것도 가능하지만, 종래의 방법에서는, 용기가 커짐에 따라, 혼합 가스의 각 성분이 균일화될 때까지의 시간이 길어져, 생산성의 저하로 연결되는 문제점이 있었다.
또한, 집적 회로의 미세화와 고집적화에 수반하여, 사용되는 불소 가스의 농도에 대한 요구 정밀도도 높아지고 있다. 그 때문에, 혼합 가스의 각 성분을 확실하게 균일화한 후, 요구되는 정밀도에 대응하여, 혼합 가스를 조정할 필요가 있다.
본 발명은, 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로서, 불소 가스 발생 장치에서 발생시킨 불소 가스를 반도체 처리 장치에, 안정적이고, 대량으로 또한 정밀한 농도로 공급 가능한 불소 가스의 공급 시스템을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해, 예의 검토한 결과, 버퍼 탱크에 저장한 혼합 가스를, 버퍼 탱크 내에서 혼합 가스를 조정하기 전의 가스 도입 배관에 도입하여, 혼합 가스를 순환시키는 것, 또한, 혼합 가스 중의 불소 농도를 측정하는 감시 장치를 설치하고, 얻어진 불소 농도에 응답하여, 불소 또는 불활성 가스 로 이루어지는 가스 공급원의 유량을 조정함으로써, 불소 가스 발생 장치에서 발생시킨 불소 가스를 반도체 처리 장치에, 안정적이고, 대량으로 또한 정밀한 농도로 공급이 가능한 것을 알아내어, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명에서는, 반도체 처리 장치의 가스 공급계에 배치 설치되어, 불소 가스를 공급하는 시스템에 있어서, 불소 가스와 불활성 가스의 가스 공급원을 포함하는 가스 공급부와, 상기 불소 가스와 상기 불활성 가스의 혼합 가스를 저장하는 버퍼 탱크와, 상기 각 가스 공급원의 가스를 도입하여, 상기 버퍼 탱크를 연결하는 배관 A와, 상기 버퍼 탱크와 상기 배관 A를 연결하고, 상기 버퍼 탱크 내의 혼합 가스를 순환시켜, 혼합 가스 중의 불소 농도를 균일화하기 위한 배관 B와, 상기 버퍼 탱크와 상기 반도체 처리 장치를 연결하는 가스 배관 C와, 상기 가스 공급부의 불활성 가스 공급원에 설치되어, 불활성 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치와, 상기 가스 배관 C에 설치되어 있고, 상기 버퍼 탱크로부터 상기 반도체 처리 장치에 공급하는 가스 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치와, 상기 혼합 가스에 있어서의 불소 농도를 측정하고, 그것에 응답하여 상기 가스 공급부의 가스 유량 계측 장치를 조정하고, 소정의 불소 농도를 유지하는 감시 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 불소 가스 공급 시스템이다.
본 발명의 불소 가스 공급 시스템은, 불소 가스 발생 장치에서 발생시킨 불소를 반도체 처리 장치에 도입할 때, 불소 가스를 안정적이고, 대량으로 또한 정밀한 농도로 공급할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명에 관련된 불소 가스 공급 시스템이 적용되는 개략도이다.
도 2는 불소 가스 공급 시스템의 비교예가 적용되는 개략도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시양태의 일례를, 도면을 이용하여 설명한다.
도 1은, 본 발명에 관련된 불소 가스 공급 시스템이 적용되는 개략도이다.
도 2는, 불소 가스 공급 시스템의 본 발명에 대한 비교예가 적용되는 개략도이다.
(본 발명에 관련된 불소 가스 공급 시스템)
먼저, 도 1에 나타내는 본 발명에 관련된 불소 가스 공급 시스템에 대해 설명한다.
도 1에 나타내는 불소 가스 공급 시스템은, 불소 가스 발생 장치에서 얻어진 불소 가스와 불소 가스를 소정 농도로 조정하기 위한 불활성 가스를 혼합하여, 버퍼 탱크에 혼합 가스를 저장하고, 혼합 가스를 대상 장치가 되는 반도체 처리 장치에 공급하는 가스 공급 시스템으로서, 버퍼 탱크에 저장한 혼합 가스를 버퍼 탱크 내에서 혼합 가스를 조정하기 전의 가스 도입 배관에 도입하여, 혼합 가스를 순환시킴으로써, 혼합 가스 중의 불소 농도를 균일하게 하는 것을 특징으로 하고 있다.
도 1에 나타내는 불소 가스 공급 시스템은, 불소 가스 발생 장치에서 얻어진 불소 가스를 공급하는 가스 공급원(1)과, 불소 가스를 소정 농도로 조정하는 불활성 가스를 공급하는 가스 공급원(2)을 포함하는 가스 공급부(3)를 구비하고, 각 가스 공급원(1, 2)은, 각 가스를 도입하는 배관(4)을 통해, 각 가스를 혼합하여 저장하는 버퍼 탱크(5)에 접속되어 있고, 버퍼 탱크(5)에 배관(6)이 접속되어 있어, 버퍼 탱크(5)에 저장한 혼합 가스가, 반도체 처리 장치(7)에 공급된다.
버퍼 탱크 내의 혼합 가스 중의 불소 농도를 균일하게 하기 위해, 버퍼 탱크(5)와 각 가스를 도입하는 배관(4)을 접속하기 위한 배관(8)이 설치되어 있다.
또한, 버퍼 탱크 내의 가스 순환 유량을 변경하고, 버퍼 탱크 내의 불소 가스 농도를 조정하기 위한 배관(8)에 바이패스 밸브를 설치해도 된다.
이 버퍼 탱크(5)와 각 가스를 도입하는 배관(4)을 접속하기 위한 배관(8)을 설치함으로써, 한번 버퍼 탱크(5)에 저장한 혼합 가스를, 각 가스를 도입하는 배관(4)에 도입하여, 혼합 가스를 순환시킴으로써 불소 농도가 균일한 혼합 가스를 조정할 수 있게 된다.
또한, 버퍼 탱크(5)와 각 가스를 도입하는 배관(4)을 접속하기 위한 배관(8)에 있어서, 밸브(9)를 설치하고, 사용하는 버퍼 탱크의 크기나 요구되는 혼합 가스의 불소 농도 등의 조건에 따라, 버퍼 탱크의 혼합 가스를 순환시킬 필요성이 있는지를 고려하여, 밸브의 개폐 및 개도 조절을 행하고, 버퍼 탱크 내의 혼합 가스의 불소 가스 농도를 조절하는 것이 바람직하다.
버퍼 탱크(5)의 혼합 가스를 순환시키기 위해, 혼합 가스를 순환시키는 가스 라인, 예를 들어, 버퍼 탱크(5)와 각 가스를 도입하는 배관(4)을 접속하기 위한 배관(8)에, 혼합 가스를 순환시키는 펌프(12)를 설치하는 것이 바람직하다.
또한, 혼합 가스를 순환시키는 가스 라인에 설치한 펌프(12)를 인버터로 제어하는 것, 및, 밸브(9)의 개폐도에 따라, 순환 가스의 유량 조정을 행함으로써, 버퍼 탱크(5)에 저장되는 혼합 가스의 불소 농도를 임의로 조정할 수 있게 된다.
불활성 가스 공급원(2)의 가스 공급 라인에는, 버퍼 탱크(5)에 공급되는 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치(11)가 설치되어 있다.
불활성 가스 공급원(2)과 버퍼 탱크(5)를 연결하는 가스 도입 배관(4) 사이에, 혼합 가스 중의 불소 농도를 제어하기 위한 감시 장치(13)가 설치되어 있고, 감시 장치(13)는, 불활성 가스 공급원(2)에 설치된 불활성 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치(11)와 제어 회로(15)를 통해 접속되어 있다.
온 사이트 불소 가스 발생 장치에서 얻어지는 불소 가스의 유량은, 주로 불소 가스를 발생시키는 전해조의 전류값, 밸브의 개폐도 등에 따라 조정하는 것이 일반적이지만, 불소 가스 공급원(1)의 가스 공급 라인에, 불소 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치(aa)가 설치되어 있어도 된다.
불소 가스 공급원(1)의 가스 공급 라인에, 불소 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치(aa)를 설치하는 경우, 감시 장치(13)는, 불활성 가스 공급원(1)의 경우와 마찬가지로, 불소 가스 공급원(1)에 설치된 불소 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치(aa)와 제어 회로(15)를 통해 접속할 수 있다.
감시 장치(13)는, 순환시키는 혼합 가스를 분석할 수 있는 장소이면, 특별히 한정되지 않지만, 버퍼 탱크(5)와 각 가스를 도입하는 배관(4)을 접속하기 위한 배관(8), 또는, 버퍼 탱크(5)에 가스를 도입하기 직전의 가스 라인에 설치하는 것이 바람직하다.
감시 장치(13)에 의해, 혼합 가스 중의 불소 가스의 농도를 측정하여, 얻어진 농도 정보를, 제어 회로(15)를 통해 보내고, 그 정보를 바탕으로, 불활성 가스 공급원(2)의 가스 공급 라인에 설치된 가스 유량 조정 장치(11)를 조정함으로써, 혼합 가스 중의 불소를 소정 농도로 유지할 수 있게 된다.
또한, 마찬가지로, 불소 가스 공급원(1)의 가스 공급 라인에 가스 유량 조정 장치를 설치하고, 감시 장치(13)에 의해, 불소 가스의 유량을 조정하여, 혼합 가스 중의 불소 농도를 조정하는 것도 가능하다.
또한, 감시 장치(13)에 있어서, 불소 가스의 농도를 측정하기 위해, 인 라인 가스 분석기를 설치하는 것이 바람직하다. 인 라인 가스 분석기로서, 불소 농도를 측정할 수 있으면, 특별히 한정되지 않지만, 자외 가시 분광 광도계(UV-Vis)가 특히 바람직하다.
또한, 버퍼 탱크(5)에 저장한 혼합 가스를 반도체 처리 장치(7)에 공급하기 위한 배관(6)에는, 가스 유량 조정 장치(10)가 설치되어 있어, 사용하는 반도체 처리 장치의 조업 조건에 따라, 가스 유량을 조정하는 것이 바람직하다.
버퍼 탱크의 혼합 가스압을 적정하게 유지하기 위해, 버퍼 탱크 내에 가스압을 검출하는 가스압 검출 장치가 설치되어 있는 것이 바람직하고, 가스 검출 장치로부터 검출되는 혼합 가스압의 값을, 감시 장치를 통해, 온 사이트 불소 발생 장치에 설치된 정류기(불소 가스 도입측)로 보내고, 정류기의 전류값(전류값의 상승, 하강)에 의해, 불소 가스의 유량 제어를 행하는 것이 바람직하다.
공급하는 불소 가스를 발생시키는 방법으로는, 불화수소를 포함하는 용융염으로 이루어지는 전해조 중에서 불화수소를 전기 분해함으로써 불소 가스를 발생시키는 방법, 금속 불화물 고체의 열분해 반응에 의해 불소 가스를 발생시키는 방법 등, 온 사이트로 불소 가스를 생성 및 공급하는 방법이면, 특별히 한정되지 않는다.
여기서, 온 사이트란, 불소 가스를 생성 및 공급하는 기구가, 소정의 처리 장치, 예를 들어, 반도체 처리 장치의 주(主)처리 장치가 조합되는 것을 의미한다.
사용하는 불활성 가스로는, 아르곤, 질소, 헬륨, 네온 등을 들 수 있고, 불소 가스와 상호 작용이 없는 것, 사용하는 반도체 처리 장치에 영향을 미치지 않는 것이면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
버퍼 탱크에 사용하는 재질로는, 불소 가스 내성이 높고, 또한, 충분한 기계적 강도를 가지는 니켈, 모넬, 스테인리스강 등의 금속을 들 수 있다.
(불소 가스 공급 시스템의 비교예)
다음으로, 도 2에 나타내는 불소 가스 공급 시스템의 본 발명에 대한 비교예에 대해 설명한다. 이하, 도 1의 설명과 마찬가지로, 도 2의 불소 가스 공급 시스템의 비교예에 대해 설명하는데, 특별히 언급이 없는 한, 기본적인 가스 공급 시스템의 구성, 작용은 동일하다.
도 2에 나타내는 불소 가스 공급 시스템은, 불소 가스 발생 장치에서 얻어진 불소 가스와 불소 가스를 소정 농도로 조정하기 위한 불활성 가스를 혼합하여, 버퍼 탱크에 혼합 가스를 저장하고, 혼합 가스를 대상 장치가 되는 반도체 처리 장치에 공급하는 가스 공급 시스템이다.
도 2에 나타내는 불소 가스 공급 시스템은, 불소 가스 발생 장치에서 얻어진 불소 가스를 공급하는 가스 공급원(15A)과, 불소 가스를 소정 농도로 조정하는 불활성 가스를 공급하는 가스 공급원(16)을 포함하는 가스 공급부(17)를 구비하고, 각 가스 공급원(15A, 16)은, 각 가스를 도입하는 배관(18)을 통해, 각 가스를 혼합하여 저장하는 버퍼 탱크(19)에 접속되어 있고, 버퍼 탱크(19)에 배관(20)이 접속되어 있어, 버퍼 탱크(19)에 저장한 혼합 가스가, 반도체 처리 장치(21)에 공급된다.
각 가스 공급원(15A, 16)의 가스 공급 라인에는, 버퍼 탱크(19)에 공급되는 불활성 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치(23)가 설치되어 있다.
버퍼 탱크(19)에 저장한 혼합 가스를 반도체 처리 장치(21)에 공급하기 위한 배관(20)에는, 가스 유량 조정 장치를 설치하고, 사용하는 반도체 처리 장치의 조업 조건에 따라, 가스 유량을 조정한다.
각 가스 공급원(15A, 16)과 버퍼 탱크(19)를 연결하는 가스 도입 배관(20) 사이에, 펌프(24)가 설치된다.
(비교예와 본 발명의 차이점)
이하, 본 발명과 불소 가스 공급 시스템의 비교예의 차이점에 대해 설명한다.
도 2에 나타내는 불소 가스의 공급 시스템의 비교예는, 도 1에 나타내는 본 발명에 관련된 불소 가스 공급 시스템과 달리, 혼합 가스를 저장하는 버퍼 탱크에 혼합 가스를 순환시키기 위한 배관이 설치되어 있지 않다. 그 때문에, 비교예에서는, 대형 버퍼 탱크를 사용한 경우, 혼합 가스를 균일화시키기가 어렵다.
그 대책으로서, A. 장시간 방치하여 혼합 가스를 균일화시키는 방법, B. 대형 팬 등을 사용하여 버퍼 탱크의 혼합 가스를 균일화하는 방법, C. 가스를 혼합할 때에 가스 혼합 장치(스태틱 믹서)를 사용하여 미리, 소정의 가스 농도로 희석된 가스를 도입하는 방법 등이 취해지고 있었다.
그러나, 이들 방법으로는, 버퍼 탱크 내의 불소 가스 농도의 변경이 곤란하고, 또한, 시간적인 로스나, 설비 비용으로부터 생산성이 저하되는 원인이 된다. 또한, 버퍼 탱크 내의 불소 가스 농도의 변경은 B, C의 방법을 조합하고, 불소 농도를 측정하는 감시 장치를 설치함으로써 가능하지만, 기기가 늘어나기 때문에, 설비 비용 증가의 원인이 된다.
한편, 도 1에 나타내는 본 발명의 불소 가스 공급 시스템은, 혼합 가스를 저장하는 버퍼 탱크에 혼합 가스를 순환시키기 위한 가스 도입 배관을 설치하는 것을 특징으로 하고 있다.
그 때문에, 본 발명에 관련된 불소 가스 공급 시스템은, 버퍼 탱크 내의 혼합 가스를 단시간 또한 저비용으로 균일화할 수 있는 특징, 또한, 버퍼 탱크 내의 불소 가스의 농도를 임의로 변경할 수 있기 때문에, 사용하는 반도체 처리 장치 등의 조업 조건(요구되는 불소 농도, 불소 사용량 등)에 대하여, 적절한 불소 가스 농도의 혼합 가스를 공급할 수 있는 특징을 가진다.
또한, 도 1에 나타내는 본 발명에 관련된 불소 가스 공급 시스템은, 혼합 가스 중의 불소 농도를 측정하는 감시 장치를 설치하고, 얻어진 불소 농도에 응답하여, 불활성 가스의 유량을 조정하는 것, 또한, 반도체 처리 장치의 불소 사용량에 따라 불소 발생량을 조정함으로써, 도 2에 나타내는 불소 가스 공급 시스템의 비교예에 비하여 정밀한 농도로 불소 가스를 공급할 수 있는 특징을 가진다. 또한, 도 1 및 도 2에서의 MFC는, Mass Flow Controller의 약어이다.
1, 15A 불소 가스 공급원
2, 16 불활성 가스 공급원
3, 17 가스 공급부
4, 6, 18, 20 가스 배관
5, 19 버퍼 탱크
7, 21 반도체 처리 장치
8 혼합 가스를 순환시키기 위한 가스 배관
9 밸브
10, 11, 22, 23, aa 가스 유량 조정 장치
12, 24 펌프
13 감시 장치
15 제어 회로

Claims (3)

  1. 반도체 처리 장치의 가스 공급계에 배치 설치되어, 불소 가스를 공급하는 시스템으로서, 불소 가스와 불활성 가스의 가스 공급원을 포함하는 가스 공급부와, 상기 불소 가스와 상기 불활성 가스의 혼합 가스를 저장하는 버퍼 탱크와, 상기 각 가스 공급원의 가스를 도입하여, 상기 버퍼 탱크를 연결하는 배관 A와, 상기 버퍼 탱크와 상기 배관 A를 연결하고, 상기 버퍼 탱크 내의 혼합 가스를 순환시켜, 혼합 가스 중의 불소 농도를 균일화하기 위한 배관 B와, 상기 버퍼 탱크와 상기 반도체 처리 장치를 연결하는 가스 배관 C와, 상기 가스 공급부의 불활성 가스 공급원에 설치되어, 불활성 가스의 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치와, 상기 가스 배관 C에 설치되어 있고, 상기 버퍼 탱크로부터 상기 반도체 처리 장치에 공급하는 가스 유량을 조정하는 가스 유량 조정 장치와, 상기 혼합 가스에 있어서의 불소 농도를 측정하고, 그것에 응답하여, 상기 불활성 가스의 유량을 조정하는 유량 계측 장치를 조정하고, 소정의 불소 농도를 유지하는 감시 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 불소 가스 공급 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 감시 장치가, 인 라인 분석기를 구비하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 감시 장치가, 자외 가시 분광 광도계(UV-Vis)를 구비하는 것을 특징으로 하는 시스템.
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