KR101327650B1 - 타이어 가황 금형의 세정 방법 및 장치 - Google Patents

타이어 가황 금형의 세정 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

공기 주입 타이어의 트레드부를 성형하는 타이어 가황 금형의 섹터의 성형면에 부착되는 오염물과 화학 반응하는 반응 가스 분위기 중에서 생성된 플라즈마를 사용하여 섹터의 성형면을 세정하는 타이어 가황 금형의 세정 방법이다. 세정 처리조 내의 전극 테이블 상에 섹터를 배치하는 공정과, 세정 처리조 내를 감압하면서, 그 세정 처리조 내에 반응 가스를 공급하는 공정과, 방전용 전극에 고주파 전력을 공급하여 방전용 전극과 섹터의 성형면 사이에 플라즈마를 생성시키는 공정과, 전극 테이블에 방전용 전극에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 인가하여 전극 테이블에 부의 자기 바이어스 전압을 발생시키는 공정으로 이루어진다.

Description

타이어 가황 금형의 세정 방법 및 장치{METHOD AND EQUIPMENT FOR CLEANING TIRE VULCANIZATION DIE}
본 발명은, 타이어 가황 금형의 세정 방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 세정 시간을 단축하여 세정 효율을 향상시킬 수 있는 타이어 가황 금형의 세정 방법 및 장치에 관한 것이다.
최근, 스터드리스 타이어에서는, 성능을 한층 더 향상시키기 위해, 트레드 패턴에 3 차원 형상의 사이프나 마이크로 그루브 등을 채용하여, 트레드 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 이러한 스터드리스 타이어를 가황하는 타이어 가황 금형은, 3 차원 형상의 사이프나 마이크로 그루브를 성형하는 가는 성형골 (成形骨) 이 섹터의 성형면에 형성되기 때문에, 종래부터 금형의 세정에 사용되고 있는, 플라스틱 비드를 섹터의 성형면에 분사하여 세정하는 숏 블라스트방법이나, 고압수를 섹터의 성형면에 분사하여 세정하는 고압 젯 세정방법 등으로 세정하면, 성형골이 파손된다는 문제가 발생한다. 그래서, 이러한 타이어 가황 금형에서는, 물리적 데미지가 적은 플라즈마 세정방법이 채용되고 있다.
종래, 이러한 플라즈마 세정을 실시하는 장치로서, 예를 들면, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같은 타이어 가황 금형의 세정 장치가 알려져 있다. 이 세정 장치는, 공기 주입 타이어의 트레드부를 성형하는 타이어 가황 금형의 섹터 (20) 를 수용하는 세정 처리조 (101) 와, 세정 처리조 (101) 내를 부압 (負壓) 으로 하기 위한 진공 펌프 (102) 와 필터 (103) 등을 구비한 감압 수단 (104) 과, 세정 처리조 (101) 내에 반응 가스 (Q) 를 공급하는 공급 수단 (105) 을 갖고 있다. 세정 처리조 (101) 내에는, 임피던스 정합기 (106) 를 개재하여 고주파 전원 (107) 에 접속된 방전용의 상부 전극 (108) 과, 전극 테이블 (하부 전극) (109) 이 배치되어 있다.
상기 세정 장치는, 섹터 (120) 를 전극 테이블 (109) 상에 배치하고, 감압 수단 (104) 에 의해 세정 처리조 (101) 내를 부압으로 한 상태에서, 공급 수단 (105) 에 의해 반응 가스 (Q) 를 세정 처리조 (101) 내에 공급하고, 반응 가스 분위기 중에서 상부 전극 (108) 으로부터의 방전에 의해 상부 전극 (108) 과 섹터 (120) 의 성형면 (120a) 사이에 플라즈마 (Z) 를 생성시켜, 플라즈마 방전과 반응 가스 (Q) 의 화학 반응에 의해 섹터 (120) 의 성형면 (120a) 에 부착된 오염물을 제거하도록 구성하고 있다 (예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
그러나, 상기한 장치에 의한 플라즈마 세정은, 숏 블라스트방법 등의 종래의 세정 방법에 비해 세정 시간이 오래 걸리고, 특히 오염이 심한 스터드리스 타이어용 가황 금형에서는, 적어도 2 회 플라즈마 세정 처리를 실시할 필요가 있으며, 그 결과, 세정 시간이 대폭으로 증대되어, 세정 효율이 크게 저하된다는 문제가 있었다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2001-293729호
발명의 개시
본 발명의 목적은, 세정 시간을 단축하여 세정 효율을 향상시킬 수 있는 타이어 가황 금형의 세정 방법 및 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 타이어 가황 금형의 세정 방법은, 공기 주입 타이어의 트레드부를 성형하는 타이어 가황 금형의 섹터의 성형면에 부착되는 오염물과 화학 반응하는 반응 가스 분위기 중에서 생성된 플라즈마를 사용하여 상기 섹터의 성형면을 세정하는 타이어 가황 금형의 세정 방법으로서, 세정 처리조 내의 전극 테이블 상에 상기 섹터를 그 섹터의 성형면을 방전용 전극에 대면하게 배치하는 공정과, 상기 세정 처리조 내를 감압하면서, 그 세정 처리조 내에 상기 반응 가스를 공급하는 공정과, 상기 방전용 전극에 고주파 전력을 공급하여 상기 방전용 전극과 상기 섹터의 성형면 사이에 플라즈마를 생성시키는 공정과, 상기 전극 테이블에 상기 방전용 전극에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 인가하여 그 전극 테이블에 부 (負) 의 자기 바이어스 전압을 발생시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 타이어 가황 금형의 세정 장치는, 공기 주입 타이어의 트레드부를 성형하는 타이어 가황 금형의 섹터의 성형면에 부착되는 오염물과 화학 반응하는 반응 가스 분위기 중에서 생성된 플라즈마를 사용하여 상기 섹터의 성형면을 세정하는 타이어 가황 금형의 세정 장치로서, 상기 섹터를 수용하는 세정 처리조와, 그 세정 처리조 내에 배치되고, 상기 섹터를 탑재하는 전극 테이블과, 상기 세정 처리조 내를 감압하는 감압 수단과, 상기 세정 처리조 내에 상기 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 수단과, 상기 세정 처리조 내에 배치된 방전용 전극과, 그 방전용 전극에 고주파 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원과, 상기 전극 테이블에 상기 방전용 전극에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 공급하는 제 2 고주파 전원을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 서술한 본 발명에 의하면, 세정하는 섹터를 탑재하는 전극 테이블에, 방전용 전극에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 인가하여 전극 테이블에 부의 자기 바이어스 전압을 발생시키므로, 생성된 플라즈마 중의 정 (正) 이온을 전극 테이블 상에 탑재된 섹터에 종래보다 고속으로 흡인하여, 섹터의 성형면에 큰 이온 충격 에너지로 충돌시킬 수 있다. 그 때문에, 섹터의 성형면에 부착되는 오염물을 고속으로 효율적으로 제거할 수 있고, 섹터의 세정 시간을 단축하여 세정 효율을 높일 수 있게 된다.
도 1 은 본 발명의 타이어 가황 금형의 세정 장치의 일 실시형태를 세정하는 섹터를 배치한 상태에서 나타내는 개략 설명도이다.
도 2 는 도 1 의 타이어 가황 금형의 세정 장치를 세정하는 섹터가 없는 상태에서 우측 방향에서 보았을 때의 개략 설명도이다.
도 3 은 종래의 타이어 가황 금형의 세정 장치를 세정하는 섹터를 배치한 상태에서 나타내는 개략 설명도이다.
도 4 는 도 3 의 타이어 가황 금형의 세정 장치를 세정하는 섹터가 없는 상 태에서 우측 방향에서 보았을 때의 개략 설명도이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 첨부하는 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1, 2 는 본 발명의 타이어 가황 금형의 세정 장치의 일 실시형태를 나타낸다. 이 세정 장치는, 공기 주입 타이어의 트레드부를 성형하는 타이어 가황 금형의 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 에 부착되는 오염물과 화학 반응하는 반응 가스 분위기 중에서 생성된 플라즈마를 사용하여 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 을 세정하는 것으로, 세정할 섹터 (20) 를 수용하는 세정 처리조 (1) 를 갖고 있다. 이 세정 처리조 (1) 내에는, 방전용의 상부 전극 (2) 과 하부 전극 (3) 에 접속된 전극 테이블 (4) 이 배치되어 있다.
알루미늄 등의 도전성 금속으로 형성되는 상부 전극 (2) 은 판 형상체로 구성되고, 세정 처리조 (1) 의 상면 (1a) 의 중앙부로부터 지지 부재 (5) 를 개재하여 매달려 형성되어 있다. 상부 전극 (2) 은, 전극 테이블 (4) 에 탑재되는 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 과 대면하는 면 (2a) 과 대면하지 않는 면 (2b) 을 갖고 있으며, 대면하지 않는 면 (2b) 은 전기 절연층 (6) 으로 피복되어, 이 대면하지 않는 면 (2b) 으로부터 방전되지 않도록 하고 있다. 이것에 의해 플라즈마가 발생하는 영역을 한정하여, 후술하는 반응 가스 (Q) 의 사용량과 전력의 사용량을 저감시킬 수 있다.
상부 전극 (2) 은, 세정 처리조 (1) 의 외부에 설치된 제 1 고주파 전원 (7) 에 임피던스 정합기 (8) 를 개재하여 전기적으로 접속되어, 제 1 고주파 전원 (7) 으로부터 상부 전극 (2) 에 고주파 전력을 공급하도록 되어 있다. 제 1 고주파 전원 (7) 으로는, 예를 들면, 일본의 전파법에서 공업 주파수로 정해져 있는 13.56㎒ 의 고주파를 발진하는 고주파 발진기를 바람직하게 사용할 수 있다.
전극 테이블 (4) 은, 세정 처리조 (1) 의 바닥면 (1b) 상에 형성된 전기 절연체 (9) 상에 하부 전극 (3) 을 개재하여 배치되어 있다. 하부 전극 (3) 은, 접속부 (10) 를 개재하여, 세정 처리조 (1) 의 외부에 설치된 제 2 고주파 전원 (11) 에 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원 (11) 으로부터 접속부 (10) 와 하부 전극 (3) 을 개재하여, 전극 테이블 (4) 에 제 1 고주파 전원 (7) 으로부터 상부 전극 (2) 에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 공급하여, 전극 테이블 (4) 에 부의 자기 바이어스 전압을 발생시키도록 하고 있다.
제 2 고주파 전원 (11) 으로는, 40KHz ∼ 100KHz 의 고주파를 발진하는 고주파 발진기를 바람직하게 사용할 수 있다. 40KHz ∼ 100KHz 의 고주파를 발진하는 고주파 발진기를 제 2 고주파 전원 (11) 에 사용한 경우, 제 2 고주파 전원 (11) 으로부터 출력되는 고주파의 주기가 길어지므로 임피던스 정합이 불필요해져, 임피던스 정합기를 접속부 (10) 와 제 2 고주파 전원 (11) 사이에 전기적으로 접속시킬 필요가 없다. 제 2 고주파 전원 (11) 으로부터 출력되는 고주파의 주파수가 40KHz 보다 낮아도 100KHz 를 초과해도, 임피던스 정합하지 않게 된다.
제 1 고주파 전원 (7) 및 제 2 고주파 전원 (11) 에는, 제 1 고주파 전원 (7) 과 제 2 고주파 전원 (11) 으로부터의 출력을 각각 단계적으로 증가 제어하는 제어 수단 (12) 이 전기적으로 접속되어 있다.
세정 처리조 (1) 의 하부에는, 세정 처리조 (1) 내를 부압으로 하기 위한 감압 수단 (13) 이 접속되어 있다. 이 감압 수단 (13) 은, 필터 (14) 와 세정 처리조 (1) 내를 부압으로 흡인하기 위한 진공 펌프 (15) 를 갖고 있으며, 진공 펌프 (15) 가 세정 처리조 (1) 의 바닥면 (1b) 에 형성된 흡인구 (16) 에 필터 (14) 를 개재하여 접속되어 있다. 진공 펌프 (15) 에 의해 흡인되는 세정 처리조 (1) 내의 기체는, 진공 펌프 (15) 에서 세정 처리조 (1) 의 외부로 배출되도록 되어 있다. 감압 수단 (13) 에 의해 세정 처리조 (1) 내는, 60㎩ ∼ 90㎩ 의 압력으로 유지되도록 하고 있다. 세정 처리조 (1) 내의 압력을 60㎩ 보다 낮아지도록 상시 흡인하면, 진공도가 지나치게 높아져, 세정 처리조 (1) 내에 공급된, 후술하는 반응 가스 (Q) 가 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 근방에 체류하는 시간이 짧아지기 때문에, 플라즈마의 생성이 저해된다. 반대로 세정 처리조 (1) 내의 압력을 90㎩ 보다 높게 하면, 진공도가 지나치게 낮아져, 플라즈마 반응 후의 쓸모가 없어진 가스가 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 근방에 체류하여 방전을 차단하도록 작용하므로, 반응 가스 (Q) 의 반응 시간에 편차가 발생하여, 플라즈마 분포가 불균일해진다.
세정 처리조 (1) 의 측부에는, 세정 처리조 (1) 내에 반응 가스 (Q) 를 공급하는 반응 가스 공급 수단 (17) 이 접속되어 있다. 반응 가스 공급 수단 (17) 은, 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 에 부착되는 오염물과 화학 반응하는 반응 가스 (Q) 를 공급하는 것으로, 세정 처리조 (1) 의 측벽 (1c) 에 형성된 공급구 (18) 로 부터 세정 처리조 (1) 내의 상부 전극 (2) 과 전극 테이블 (4) 상에 탑재된 섹터 (20) 사이에 반응 가스 (Q) 를 분사하도록 구성되어 있다. 상부 전극 (2) 과 전극 테이블 (4) 상에 탑재된 섹터 (20) 사이에서 발생하는 글로우 방전에 의해, 상부 전극 (2) 과 섹터 (20) 사이에 반응 가스 (Q) 의 플라즈마 (Z) 가 생성된다.
반응 가스 (Q) 로는, 예를 들면, 산소와 4 불화탄소의 혼합 기체를 바람직하게 사용할 수 있다. 예를 들면, 반응 가스 (Q) 의 분사 압력을 0.15M㎩ 로 한 경우, 산소의 유량을 400SCCM, 4 불화탄소의 유량을 100SCCM 으로 할 수 있다.
세정 처리조 (1) 에 인접하고, 섹터 (20) 를 예열할 수 있는 예열 수단 (19) 이 형성되어 있다. 예열 수단 (19) 은, 섹터 (20) 를 예열하기 위한 고온조 (19A) 를 갖고, 이 고온조 (19A) 내에서 섹터 (20) 를 100℃ ∼ 160℃ 의 범위에서 가열할 수 있도록 되어 있다. 예열 수단 (19) 에 의해 섹터 (20) 를 미리 가열함으로써 섹터 (20) 의 습기를 제거하고, 그것에 의해 섹터 (20) 를 배치한 세정 처리조 (1) 내를 감압하였을 때의 진공도를 조기에 안정시키고, 생성된 플라즈마를 활성화시키면서 섹터 (20) 의 온도가 설정 온도까지 상승하는 시간을 단축할 수 있다. 가열 온도가 100℃ 보다 낮으면, 섹터 (20) 의 습기 제거가 불충분하여 진공도의 안정에 시간이 걸리며, 또한 플라즈마 에너지가 섹터 (20) 의 승온에 소비되므로, 플라즈마에 의한 화학 반응 속도가 늦어진다. 반대로 가열 온도가 160℃ 를 초과하면, 섹터 (20) 의 핸들링 등에 문제가 발생한다.
또한, 도면 중 30 은, 접속부 (10) 의 주위에 배치된 전기 절연체이다.
이하, 상기 서술한 세정 장치를 사용하여 본 발명의 타이어 가황 금형의 세 정 방법을 설명한다.
먼저, 세정하는 섹터 (20) 를 고온조 (19A) 내에서 미리 가열한다. 가열 온도는, 상기 서술한 바와 같이 100℃ ∼ 160℃ 의 범위이다. 이 예열 공정은, 상기한 이유로 실시하는 것이 바람직하지만, 반드시 실시할 필요는 없다.
섹터 (20) 를 예열한 후, 그 예열한 섹터 (20) 를 세정 처리조 (1) 내의 전극 테이블 (4) 상에 배치한다. 그 때, 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 이 상부 전극 (2) 의 면 (2a) 에 대면하도록 한다.
이어서, 감압 수단 (13) 의 진공 펌프 (14) 에 의해 세정 처리조 (1) 내를 감압하면서, 반응 가스 공급 수단 (17) 이 상부 전극 (2) 과 전극 테이블 (4) 상에 탑재된 섹터 (20) 사이에 반응 가스 (Q) 를 분사하여, 세정 처리조 (1) 내에 반응 가스 (Q) 를 공급한다. 반응 가스 (Q) 의 분사 압력과 유량은, 상기 서술한 바와 같이, 분사 압력이 0.15M㎩ 정도이고, 유량이 100SCCM ∼ 400SCCM 정도이다. 세정 처리조 (1) 내는, 감압 수단 (13) 에 의해 60㎩ ∼ 90㎩ 정도의 압력으로 유지된다.
세정 처리조 (1) 내가 상기 압력으로 감압되고, 반응 가스 (Q) 의 분위기하로 된 상태에서, 상부 전극 (2) 에 제 1 고주파 전원 (7) 으로부터 고주파 전력을 공급한다. 그와 동시에, 전극 테이블 (4) 에 제 2 고주파 전원 (11) 으로부터 고주파 전압을 인가한다. 이것에 의해, 상부 전극 (2) 과 전극 테이블 (4) 상에 배치된 섹터 (20) 사이의 공간에 플라즈마 (Z) 가 생성된다. 또한, 전극 테이블 (4) 에 부의 자기 바이어스 전압이 발생하고, 플라즈마 (Z) 중의 정 이온이 이 부의 자기 바이어스 전압에 의해 끌어 당겨져 가속되어, 전극 테이블 (4) 상에 탑재된 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 에 큰 이온 충격 에너지로 충돌한다. 이것에 의해 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 에 부착되는 오염물이 고속으로 효율적으로 제거된다. 또한, 반응 가스 (Q) 가 변화하여 발생한 이온이나 래디칼 입자 등과 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 에 부착되는 오염물 성분의 화학 반응에 의해 그 성분이 연소되어, 제거된다.
바람직하게는, 제어 수단 (12) 에 의해 제 1 고주파 전원 (7) 을 제어하여, 제 1 고주파 전원 (7) 으로부터 상부 전극 (2) 에 공급하는 고주파 전력의 출력을 단계적으로 증가시키면서, 상부 전극 (2) 에 제 1 고주파 전원 (7) 으로부터 고주파 전력을 공급하는 것이 좋다. 예를 들면, 고주파 전력의 출력을, 전체 출력의 50％ 에서 10％ 마다 100％ 까지, 30 초 또는 1 분마다 단계적으로 증가시킨다. 이것에 의해 임피던스 정합기 (8) 에 의한 정합이 용이해져, 플라즈마 (Z) 의 생성 밀도를 안정시킬 수 있으므로, 플라즈마 (Z) 에 의한 세정 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 상부 전극 (2) 에 고주파 전력의 공급을 개시하고 나서 10 초 ∼ 5 분 늦게, 전극 테이블 (4) 에 제 2 고주파 전원 (11) 으로부터 바이어스를 인가하는 한편, 제어 수단 (12) 에 의해 제 2 고주파 전원 (11) 을 제어하여, 인가하는 바이어스의 출력을 단계적으로 증가시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 인가하는 바이어스의 출력을, 전체 출력의 50％ 에서 10％ 마다 100％ 까지, 30 초 또는 1 분마다 단계적으로 증가시킨다. 이것에 의해 플라즈마 (Z) 의 생성 밀도를 한 층 더 안정시킬 수 있다. 지연이 10 초 미만이면, 플라즈마 상태가 안정되지 않기 때문에, 임피던스 정합이 곤란해진다. 반대로 지연이 5 분을 초과하면, 세정 처리에 걸리는 시간이 길어지므로 바람직하지 않다.
소정 시간, 세정 처리조 (1) 내를 부압으로 유지한 상태에서, 반응 가스 공급 수단 (17) 에 의해 반응 가스 (Q) 를 세정 처리조 (1) 내에 공급하면서, 반응 가스 분위기 중에서 상부 전극 (2) 과 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 사이에 플라즈마 (Z) 를 생성시켜, 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 에 부착된 오염물을 제거한다.
상기 서술한 본 발명에 의하면, 세정하는 섹터 (20) 를 탑재하는 전극 테이블 (4) 에 상부 전극 (2) 에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 인가하여 전극 테이블 (4) 에 부의 자기 바이어스 전압을 발생시키도록 하였으므로, 플라즈마 (Z) 중의 정 이온을 전극 테이블 (4) 상에 탑재된 섹터 (20) 에 종래보다 고속으로 흡인하여, 성형면 (20a) 에 큰 이온 충격 에너지로 충돌시킬 수 있다. 그 때문에, 섹터 (20) 의 성형면 (20a) 에 부착되는 오염물을 고속으로 효율적으로 제거할 수 있게 된다. 따라서, 섹터 (20) 의 세정 시간을 단축하여 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은, 상기 서술한 실시형태에서는, 복수의 섹터 (20) 를 세정하는 예를 나타냈는데, 1 개의 섹터 (20) 를 세정하는 경우이어도 되며, 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다.
상기 서술한 우수한 효과를 갖는 본 발명의 타이어 가황 금형의 세정 방법 및 장치는, 공기 주입 타이어를 가황하는 금형의 섹터, 특히 트레드 패턴이 미세화된 스터드리스 타이어를 가황하는 금형의 섹터를 세정하는데, 매우 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (16)

  1. 공기 주입 타이어의 트레드부를 성형하는 타이어 가황 금형의 섹터의 성형면에 부착되는 오염물과 화학 반응하는 반응 가스 분위기 중에서 생성된 플라즈마를 사용하여 상기 섹터의 성형면을 세정하는 타이어 가황 금형의 세정 방법으로서,
    세정 처리조 내의 전극 테이블 상에 상기 섹터를 그 섹터의 성형면을 방전용 전극에 대면하게 배치하는 공정과,
    상기 세정 처리조 내를 감압하면서, 그 세정 처리조 내에 상기 반응 가스를 공급하는 공정과,
    상기 방전용 전극에 고주파 전력을 공급하여 상기 방전용 전극과 상기 섹터의 성형면 사이에 플라즈마를 생성시키는 공정과,
    상기 전극 테이블에 상기 방전용 전극에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 인가하여 그 전극 테이블에 부의 자기 바이어스 전압을 발생시키는 공정으로 이루어지는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방전용 전극에 공급되는 고주파 전력의 출력을 단계적으로 증가시키는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 방전용 전극에 고주파 전력을 공급하는 것과, 상기 전극 테이블에 고주파 전압을 인가하는 것을 동시에 행하는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 방전용 전극에 고주파 전력의 공급을 개시하고 나서, 10 초 ∼ 5 분 늦게 상기 전극 테이블에 고주파 전압을 인가하는 한편, 그 전극 테이블에 인가하는 고주파 전압의 출력을 단계적으로 증가시키는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전극 테이블에 40㎑ ∼ 100㎑ 의 고주파 전원으로부터 상기 고주파 전압을 인가하는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 세정 처리조 내를 60㎩ ∼ 90㎩ 의 범위로 감압하는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 섹터를 상기 세정 처리조 내에 배치하기 전에 상기 섹터를 예열하는 공정을 갖는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 섹터를 100℃ ∼ 160℃ 의 범위에서 예열하는 타이어 가황 금형의 세정 방법.
  9. 공기 주입 타이어의 트레드부를 성형하는 타이어 가황 금형의 섹터의 성형면에 부착되는 오염물과 화학 반응하는 반응 가스 분위기 중에서 생성된 플라즈마를 사용하여 상기 섹터의 성형면을 세정하는 타이어 가황 금형의 세정 장치로서,
    상기 섹터를 수용하는 세정 처리조와, 그 세정 처리조 내에 배치되고, 상기 섹터를 탑재하는 전극 테이블과, 상기 세정 처리조 내를 감압하는 감압 수단과, 상기 세정 처리조 내에 상기 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 수단과, 상기 세정 처리조 내에 배치된 방전용 전극과, 그 방전용 전극에 고주파 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원과, 상기 전극 테이블에 상기 방전용 전극에 공급되는 고주파보다 낮은 주파수의 고주파 전압을 공급하는 제 2 고주파 전원을 구비하는 타이어 가황 금형의 세정 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 방전용 전극과 상기 제 1 고주파 전원 사이에 임피던스 정합기를 전기적으로 접속시킨 타이어 가황 금형의 세정 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 고주파 전원과 상기 제 2 고주파 전원의 출력을 단계적으로 증가 제어하는 제어 수단을 갖는 타이어 가황 금형의 세정 장치.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 섹터를 예열할 수 있는 예열 수단을 갖는 타이어 가황 금형의 세정 장치.
  13. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 방전용 전극이 알루미늄으로 이루어지는 판 형상체로 구성되고, 그 판 형상체의 면이 상기 전극 테이블 상에 탑재되는 상기 섹터의 성형면에 대면하는 타이어 가황 금형의 세정 장치.
  14. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 반응 가스 공급 수단은, 상기 방전용 전극과 상기 전극 테이블 상에 탑재된 상기 섹터 사이에 반응 가스를 분사하는 구성인 타이어 가황 금형의 세정 장치.
  15. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 세정 처리조의 하부에 상기 감압 수단을 접속시킨 타이어 가황 금형의 세정 장치.
  16. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 고주파 전원이 실질적으로 13.56㎒ 의 고주파를 발진하는 고주파 발진기로 이루어지고, 상기 제 2 고주파 전원이 실질적으로 40KHz ∼ 100KHz 의 고주파를 발진하는 고주파 발진기로 이루어지는 타이어 가황 금형의 세정 장치.
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