KR101325343B1 - 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자를 포함하는 ｃｍｐ 슬러리 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 표면 연마 등에 사용되는 CMP (Chemical Mechanical Polishing, 화학 기계적 연마) 슬러리 조성물과 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자 연마방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물은 용매, 기능성 첨가제, 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자를 포함하고, 상기 연마 제1 입자와 상기 연마 제2 입자의 비율은 중량비로 2:8 내지 8:2일 수 있다.

Description

연마 제1 입자 및 연마 제2 입자를 포함하는 ＣＭＰ 슬러리 조성물 {CMP Slurry Composition Including First Polishing Particle And Second Polishing Particle}
본 발명은 반도체 표면 연마 등에 사용되는 CMP (Chemical Mechanical Polishing, 화학 기계적 연마) 슬러리 조성물과 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자 연마방법에 관한 것이다.
반도체의 고성능화, 고집적화의 추세에 따라 미세 회로 소자의 디자인 룰은 해마다 미세해지고 VLSI, ULSI 반도체 디바이스 설계 및 제조에 있어서 다층배선구조가 필수적으로 요구되고 있다. 전체적으로 배선 폭이 미세해지고 다층화 됨에 따라 포토리소그래피 공정의 초점심도가 얕아지고 공정마진이 적어지므로 패턴 형성 표면을 평탄화하여 공정 중의 단차 높이를 제거할 필요성이 대두되었다.
이러한 평탄화 방법으로 종래에는 스핀-온-글래스, 레지스트 에치백 등이 제안되어 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 방법으로는 진보된 VLSI, ULSI 반도체 디바이스 제조에 필요한 충분한 평탄성을 얻을 수 없었다. 따라서 화학적 기계적 연마방법이 제안되었으며, 지속적으로 연구 개발되어 최근에는 그 응용 범위가 매우 광범위해졌다.
이와 같이 반도체 소자의 집적화가 고도화됨에 따라서 보다 우수한 CMP 연마 조성물이 요구되고 있다. 특히, 반도체 기판 초기 연마율을 상승시켜 연마속도를 일정하게 유지하는 CMP 슬러리 조성물의 개발이 필요하다.
특히, 초기 연마 속도를 향상시킴과 동시에 표면의 결함은 감소된 CMP용 슬러리 조성물의 개발이 필요하다.
본 발명은 이와 같은 필요에 의하여 도출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 소자 등의 표면 처리에 사용되는 CMP용 슬러리 조성물을 제공함에 있어서, 초기 연마속도가 높으면서도, 연마 후 표면의 결함이 거의 없는 CMP용 슬러리 조성물과 그 제조방법을 제공하는 것이다.
이상과 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물은 용매, 기능성 첨가제, 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자를 포함하는 것이다.
상기 연마 제1 입자는 1차입자이고, 상기 연마 제2 입자는 2차입자일 수있다.
상기 연마 제1 입자는 액상법으로 제조된 것이고, 상기 연마 제2 입자는 고상법으로 제조된 것일 수 있다.
일측에 따르면, 상기 연마 제1 입자와 상기 연마 제2 입자의 비율은 중량비로 2:8 내지 8:2일 수 있다.
일측에 따르면, 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자는, 각각, 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아 및 산화몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 합은, 전체 CMP 슬러리 조성물 중 0.01 ~ 10 중량%일 수 있다.
일측에 따르면, 상기 기능성 첨가제는 분산제, 부식억제제, pH 조절제 및 완충 (buffer) 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 상기 분산제는, 인산, 인산염, 황산, 황산염, 아황산, 아황산염 및 글리콜류로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 상기 부식 억제제는, 암모니아, 알킬 아민류, 아미노산류, 이민류 및 아졸류로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일측에 따르면, 상기 pH 조절제는, 암모니아, 트리메탄올아민 (Trimetanolamine), 트리에탄올아민 (Trietanolamine), 트리메틸암모늄 하이드록사이드 (Trimethylammonium hydroxide), 트리에틸암모늄 하이드록사이드 (Triethylammonium hydroxide), 디메틸벤질아민 (Dimethylbenzylamine),　에톡시벤질아민 (Ethoxybenzylamine) 및 수산화 칼륨(Potassium hydroxide)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 염기성 pH 조절제; 또는 염산 (hydrochloric acid), 황산 (sulfuric acid), 인산 (phosphoric acid) 및 질산 (nitric acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 산성 pH 조절제;를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물 제조방법은, 액상법으로 연마 제1 입자를 형성하고, 고상법으로 연마 제2 입자를 형성하는 단계; 상기 연마 제1 입자 및 상기 연마 제2 입자를 2:8 내지 8:2 질량비로 용매에 투입하여 연마입자 분산 용액을 제조하는 단계; 및 상기 분산 용액에 첨가제를 투입하는 단계;를 포함한다.
일측에 따르면, 상기 액상법은 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아 및 산화몰리브덴로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 입자를 용액 중에서 가열하여 연마 제1 입자를 얻는 것일 수 있다.
일측에 따르면, 상기 고상법은 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아 및 산화몰리브덴로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 입자를 고온 처리하여 연마 제2 입자를 얻는 것일 수 있다.
일측에 따르면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물 제조방법에 있어서, 상기 연마 제1 입자는 1차입자이고, 상기 연마 제2 입자는 2차입자일 수 있고, 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 합은, 전체 CMP 슬러리 조성물 중 중 0.01 ~ 10 중량%일 수 있다.
일측에 따르면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물 제조방법에 있어서, 상기 기능성 첨가제로 분산제, 부식억제제, pH 조절제 및 완충 (buffer) 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 투입할 수 있다.
또한, 본 발명의 CMP 연마방법은, 상기의 CMP 슬러리 조성물을 이용하는 것이다.
본 발명에 따르면, CMP 슬러리 조성물이 연마 제1 입자와 연마 제2 입자를 모두 포함하여 연마 제1 입자를 포함한 효과로 초기 연마속도가 높고, 연마 제2 입자를 포함한 효과로서 연마 후 표면 결함이 거의 없다. 본 발명은 이와 같은 고성능 CMP용 슬러리 조성물 및 그 제조방법을 제공하고, 이를 이용한 본 발명의 연마방법에 따르면, 초기 연마속도가 높고, 연마 후 표면 결합이 거의 없어, 고집적화 반도체 소자의 표면 연마의 요구에 부응할 수 있다.
도 1은 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물의 입도분포 그래프이다.
도 2는 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정의 시간 별 연마 후 남아 있는 웨이퍼 산화막 두께를 나타낸 그래프이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정 후의 웨이퍼 표면의 Atlas 이미지이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정 후의 웨이퍼 표면의 광학현미경 이미지이다.
이상과 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물은 용매, 기능성 첨가제, 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자를 포함한다.
상기 연마 제1 입자는 1차입자이고, 상기 연마 제2 입자는 2차입자일 수 있고, 상기 연마 제1 입자는 액상법으로 제조된 것이고, 상기 연마 제2 입자는 고상법으로 제조된 것일 수 있다.
1차입자란 단일의 단위로서의 입자를 의미하는 것이고, 2차입자란 1차입자가 엉겨붙어 하나의 덩어리를 이루어 하나의 입자처럼 행동하고 취급되는 입자를 의미한다. 그러므로 2차입자의 장반경은 1차입자의 직경보다 크다.
액상법의 경우 대체로 1차입자가 형성되고, 고상법의 경우 대체로 2차입자가 형성되나, 액상법의 경우에도 2차입자가 일부 형성될 수 있고, 고상법의 경우에도 1차입자가 일부 형성될 수 있다.
상기 연마 제1 입자와 상기 연마 제2 입자의 비율은 중량비로 2:8 내지 8:2일 수 있다. 즉, 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 비율이 각각 20 내지 80 중량% 범위 내여야 한다.
연마 제1 입자만을 포함하는 CMP 슬러리 조성물은 초기 연마율이 높은 장점은 있으나, 연마 후 표면에 결함이 쉽게 발생하는 문제가 있고, 연마 제2 입자만을 포함하는 CMP 슬러리 조성물은 연마 후 표면 결함의 발생 확률은 현저히 줄어드나, 초기 연마율이 높지 않은 문제점이 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 한 CMP 슬러리 조성물은 연마 제1 입자와 연마 제2 입자를 최적의 비율로 혼합하여 포함함으로써, 초기 연마율이 높아 연마속도가 일정하게 유지되는 동시에 연마 표면 결함이 거의 나타나지 않는다.
연마 제1 입자의 비율이 80 중량%를 초과 (연마 2차입자의 비율이 20 중량% 미만)하면, 연마 제1 입자만 포함한 경우와 유사하게 표면 결함이 허용 범위를 넘게 되고, 반대로 연마 제1 입자의 비율이 20 중량% 미만 (연마 제2 입자의 비율이 80 중량% 초과)하면 초기 연마율이 낮아져 전체 연마속도가 낮아지는 문제점이 발생한다. 이는 이하에 설명할 실시예 및 비교예를 통하여도 확인된다.
본 발명의 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자는, 각각, 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아 및 산화몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자가 동일한 종류의 입자일 수도 있으나, 필요에 따라 서로 다른 종류의 입자를 포함할 수도 있다.
상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 합은, 전체 CMP 슬러리 조성물 중 0.01 ~ 10 중량%일 수 있다. 연마 입자의 량이 전체 CMP 슬러리 조성물 중 0.01 중량%보다 낮은 경우에는 연마율이 너무 낮아지는 문제가 있고, 연마 입자의 량이 전체 CMP 슬러리 조성물 중 10%를 초과하는 경우에는 과도한 연마에 의한 표면 결함이 발생할 확률이 높고, 연마 입자 잔류현상 증가로 인한 웨이퍼 표면 디펙트 (defect) 현상이 발생할 수 있다.
상기 기능성 첨가제는 필요에 따라, 분산제, 부식억제제, pH 조절제, 완충 (buffer) 용액일 수 있다.
상기 분산제는 인산, 인산염, 황산, 황산염, 아황산, 아황산염 또는 글리콜류일 수 있고, 상기 부식 억제제는 암모니아, 알킬 아민류, 아미노산류, 이민류 또는 아졸류일 수 있다.
CMP 슬러리 조성물은 필요에 따라 pH를 조절할 필요가 있어, 첨가제로 pH 조절제를 투입하는데, 상기 pH 조절제는, 암모니아, 트리메탄올아민 (Trimetanolamine), 트리에탄올아민 (Trietanolamine), 트리메틸암모늄 하이드록사이드 (Trimethylammonium hydroxide), 트리에틸암모늄 하이드록사이드 (Triethylammonium hydroxide), 디메틸벤질아민 (Dimethylbenzylamine),　에톡시벤질아민 (Ethoxybenzylamine), 수산화 칼륨(Potassium hydroxide) 등의 염기성 pH 조절제일 수 있고, 염산 (hydrochloric acid), 황산 (sulfuric acid), 인산 (phosphoric acid), 질산 (nitric acid) 등의 산성 pH 조절제일 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물 제조방법은, 액상법으로 연마 제1 입자를 형성하고, 고상법으로 연마 제2 입자를 형성하는 단계; 상기 연마 제1 입자 및 상기 연마 제2 입자를 2:8 내지 8:2 질량비로 용매에 투입하여 연마입자 분산 용액을 제조하는 단계; 및 상기 분산 용액에 첨가제를 투입하는 단계;를 포함한다.
연마 제1 입자를 얻기 위한 액상법은 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아, 산화몰리브덴 등의 입자를 습식으로 용액 중에서 가열하여 연마 제1 입자를 얻는 것일 수 있다.
연마 제2 입자를 얻기 위한 고상법은 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아, 산화몰리브덴 등의 입자를 건식으로 고온 처리하여 연마 제2 입자를 얻는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물 제조방법에 있어서, 상기 연마 제1 입자는 1차입자이고, 상기 연마 제2 입자는 2차입자일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물 제조방법에 있어서, 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 합은, 전체 CMP 슬러리 조성물 중 중 0.01 ~ 10 중량%일 수 있다. 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 합은, 전체 CMP 슬러리 조성물 중 0.01 ~ 10 중량%일 수 있고, 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 슬러리 조성물 제조방법에 있어서, 상기 기능성 첨가제로 분산제, 부식억제제, pH 조절제 및 완충 (buffer) 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 투입하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 CMP 연마방법은, 상기의 CMP 슬러리 조성물을 이용하는 것이다.
실시예 및 비교예
이하 몇 가지 비교예 및 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 이는 설명을 위한 것일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
세리아 입자를 액상법에 의하여 50 ~ 130 ℃에서 세륨을 함유하는 염을 액상 침전시켜 연마 제1 입자를 제조하고, 고상법에 의하여 400 ~ 1000 ℃에서 세륨을 함유하는 염을 고온 처리하는 건식 고온 처리를 통하여 연마 제2 입자를 형성하였다.
실시예 1
연마 제2 입자와 연마 제1 입자를 2:8 비율로 초순수에 넣고 첨가제로서 분산제 및 pH 조절제를 넣어 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다. CMP 슬러리 조성물 전체 중 연마 입자의 농도는 0.01 ~ 10 중량%로 투입하였다.
실시예 2
다른 조건은 실시예 1과 동일하고, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 비율만 5:5로 하였다.
실시예 3
다른 조건은 실시예 1과 동일하고, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 비율만 8:2로 하였다.
비교예 1
연마 입자로서는 연마 제1 입자만 (즉, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 비율이 0:10)을 포함하는 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 2
다른 조건은 실시예 1과 동일하고, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 비율만 1:9로 하였다.
비교예 3
다른 조건은 실시예 1과 동일하고, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 비율만 9:1로 하였다.
비교예 4
연마 입자로서는 연마 제2 입자만 (즉, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 비율이 10:0)을 포함하는 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다.
아래의 표 1은 실시예 및 비교예의 CMP 슬러리 조성물의 물성을 나타낸 것이다.
연마 제2 입자 :
연마 제1 입자		 물성
pH Cond. [㎲] Zeta [mV] PS D50 [㎚]
실시예 1 2 : 8 4.86 23.2 103 161
실시예 2 5 : 5 4.72 34.2 97 159
실시예 3 8 : 2 5.12 26.4 99 163
비교예 1 0 : 10 5.20 22.1 73 162
비교예 2 1 : 9 4.82 24.9 114 162
비교예 3 9 : 1 5.22 28.7 85 161
비교예 4 10 : 0 5.94 21.8 94 187
도 1은 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물의 입도분포 그래프이다.
연마 제1 입자만을 포함하는 비교예 1의 CMP 슬러리 조성물 중의 연마 입자의 입도분포가 가장 넓은 피크를 나타내었다. 연마 제2 입자만을 포함하는 비교예 4의 CMP 슬러리 조성물 중의 연마 입자의 입도분포도 비교적 넓은 입도분포를 나타내었고, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자를 혼합하는 경우, 입도분포가 좁아지는 경향을 나타내었고, 특히 연마 제2 입자의 비율이 10 ~ 50 % 범위의 혼합비율이 가장 좁은 입도분포를 나타내었다.
실시예 및 비교예에서 제조된 CMP 슬러리 조성물을 이용하여 웨이퍼의 연마 공정을 실시하였다. 연마는 UNIPLATM 231 CMP장비를 이용해서 슬러리 공급속도 200cc/min, Wafer 회전속도 70rpm, platen 24rpm, Retainer, 8psi, Down force 3psi로 진행했으며, 연마시간은 ⅰ) 30 초 연마 후, ⅱ) 추가적으로 60초 연마 후 (누적 연마 시간 90 초), ⅲ) 추가적으로 60초 연마 후 (누적 연마 시간 150초) 3단계로 나누어 각 단계별 연마율을 측정하였다.
도 2는 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정의 시간 별 연마 후 남아 있는 웨이퍼 산화막 두께를 나타낸 그래프이고, 도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정 후의 웨이퍼 표면의 Atlas 이미지이고, 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 비교예 및 실시예의 CMP 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정 후의 웨이퍼 표면의 광학현미경 이미지이다.
도 2에서 보듯이, 연마 제1 입자만을 포함하는 비교예 1 및 연마 제2 입자 대 연마 제1 입자의 비율이 1:9인 비교예 2는 초기 연마율은 높은 특성을 보이지만, 100초가 넘어서면서 웨이퍼의 표면 손상이 심해 연마율을 측정하기 불가능한 상태에 이르렀고 (도 2에서 비교예 1 및 비교예 2는 90초까지만 측정되어 표시되어 있고, 150초에서는 측정 불가하여 표시되어 있지 않음), 이는 도 3c 및 도 3d와 도 4a의 표면 이미지로부터 표면결함이 상당한 수준으로 발생한 것을 확인할 수 있었다.
반대로 연마 제2 입자만을 포함하는 비교예 4는 도 3e 및 도 4c에서 나타나듯이, 연마 후 표면의 상태는 양호하나, 도 2에서 보듯이 초기 연마율이 낮아 전체 연마속도가 낮아지는 문제점이 있음을 확인할 수 있었다.
연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 혼합비율이 1:9인 경우 (비교예 2)와 2:8인 경우 (실시예 1)를 비교하면, 도 3d 및 도 3a를 통하여 비교예 2 (도 3d)의 경우에는 연마 제1 입자만을 포함하는 경우 (비교예 1, 도 3c)보다는 양호하지만 표면결함이 상당히 발생하는 문제가 있음을 확인할 수 있었고, 실시예 1의 경우에는 표면 결함이 수용가능한 수준으로 감소하는 것을 확인할 수 있었다 (도 3a). 실시예 3 및 비교예 3은 초기 연마율은 양호한 수준을 나타내었다.
반대로, 연마 제2 입자와 연마 제1 입자의 혼합비율이 9:1인 경우 (비교예 3)와 8:2인 경우 (실시예 3)를 비교하면, 도 2를 통하여 혼합 비율이 9:1인 경우에는 초기 연마율이 수용가능한 수준에 못 미치지만, 혼합 비율이 8:2에 이르면 초기 연마율이 수용가능한 수준에 도달하는 것을 확인할 수 있었다. 실시예 3 및 비교예 3은 표면 결함은 양호한 수준을 나타내었다.
제2 연마 입자와 연마 제1 입자의 혼합 비율이 5:5인 실시예 2의 경우에는 초기 연마율 및 표면 결함 (도 3b 및 도 4b 참조)이 모두 양호한 수준을 나타내었다.
아래의 표 2는 실시예 및 비교예의 CMP 슬러리 조성물을 이용한 웨이퍼 연마 결과로서 초기 연마율과 연마 후 표면 결함 여부를 나타낸 것이다.
연마 제2 입자 :
연마 제1 입자		 초기 연마율 표면 결함
실시예 1 2 : 8 O 양호
실시예 2 5 : 5 O 양호
실시예 3 8 : 2 O 양호
비교예 1 0 : 10 O 결함
비교예 2 1 : 9 O 결함
비교예 3 9 : 1 X 양호
비교예 4 10 : 0 X 양호
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4로부터 연마 제1 입자와 연마 제2 입자의 비율은 2:8 내지 8:2 범위에서 성능이 확보되는 것을 확인할 수 있었다.
이로써 본 발명의 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자를 8:2 내지 2:8로 혼합하는 경우 연마 속도 및 표면 결함 모두 유효한 수준의 효과를 얻을 수 있는 것을 확인하였다.

Claims (17)

  1. 용매, 기능성 첨가제, 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자를 포함하고,
    상기 연마 제1 입자는 액상법으로 제조된 것이고, 상기 연마 제2 입자는 고상법으로 제조된 것이고,
    상기 기능성 첨가제는 분산제, 부식억제제, pH 조절제 및 완충 (buffer) 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 연마 제1 입자와 상기 연마 제2 입자의 비율은 중량비로 2:8 내지 8:2인 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자는, 각각, 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아 및 산화몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 입자인 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 합은, 전체 CMP 슬러리 조성물 중 0.01 ~ 10 중량%인 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 상기 분산제는, 인산, 인산염, 황산, 황산염, 아황산, 아황산염 및 글리콜류로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 부식억제제는, 암모니아, 알킬 아민류, 아미노산류, 이민류 및 아졸류로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 pH 조절제는,
    암모니아, 트리메탄올아민 (Trimetanolamine), 트리에탄올아민 (Trietanolamine), 트리메틸암모늄 하이드록사이드 (Trimethylammonium hydroxide), 트리에틸암모늄 하이드록사이드 (Triethylammonium hydroxide), 디메틸벤질아민 (Dimethylbenzylamine),　에톡시벤질아민 (Ethoxybenzylamine) 및 수산화 칼륨(Potassium hydroxide)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 염기성 pH 조절제; 또는
    염산 (hydrochloric acid), 황산 (sulfuric acid), 인산 (phosphoric acid) 및 질산 (nitric acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 산성 pH 조절제;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  11. 액상법으로 연마 제1 입자를 형성하고, 고상법으로 연마 제2 입자를 형성하는 단계;
    상기 연마 제1 입자 및 상기 연마 제2 입자를 2:8 내지 8:2 질량비로 용매에 투입하여 연마입자 분산 용액을 제조하는 단계; 및
    상기 분산 용액에 기능성 첨가제를 투입하는 단계;
    를 포함하는 CMP 슬러리 조성물 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 액상법은 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아 및 산화몰리브덴로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 입자를 용액 중에서 가열하여 연마 제1 입자를 얻는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 고상법은 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아 및 산화몰리브덴로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 입자를 400 내지 1000℃에서 고온 처리하여 연마 제2 입자를 얻는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물 제조방법.
  14. 삭제
  15. 제11항에 있어서, 상기 연마 제1 입자 및 연마 제2 입자의 합이 전체 CMP 슬러리 조성물 중 0.01 ~ 10 중량%인 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물 제조방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 기능성 첨가제로 분산제, 부식억제제, pH 조절제 및 완충 (buffer) 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 투입하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물.
  17. 제1항, 제4항 내지 제6항, 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항의 CMP 슬러리 조성물을 이용하는 CMP 연마방법.
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