KR101317835B1

KR101317835B1 - 수용액법을 이용한 ｃｉｇ 박막의 셀렌화 및 황산화 방법

Info

Publication number: KR101317835B1
Application number: KR1020110032334A
Authority: KR
Inventors: 이철로; 라용호; 심재관
Original assignee: 전북대학교산학협력단
Priority date: 2011-04-07
Filing date: 2011-04-07
Publication date: 2013-10-15
Also published as: KR20120114665A

Abstract

본 발명은 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 수용액법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 증착시키는 제3단계; 를 포함하는 CIGS의 제조방법에 관한 것이다. 상기 수용액법은 (1) Na₂SO₄수용액에 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 0.1 mol/L : 0.01~0.02 mol 의 비율로 용해시키는 제A단계; (2) 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 CIG(CuInGa) precursor layer가 증착된 기판을 RTA(Rapid Thermal Anneal) Furnace에서 500~600℃로 가열하는 제B단계; (3) 상기 제A단계에서 수득한 셀레니움 또는 황이 용해된 Na₂SO₄용액에, 상기 제B단계에서 수득한 열처리된 몰리브덴 전극층 및 CIG precursor layer가 증착된 기판을 침지시키는 제C단계; 및 (4) 상기 침지 후, N₂ Blowing으로 건조시키는 제D단계; 를 포함한다.

Description

수용액법을 이용한 ＣＩＧ 박막의 셀렌화 및 황산화 방법{The selenization and sulfurization method using solution}

본 발명은 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG(CuInGa) precursor layer)를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer) 상부에 수용액법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계;를 포함하는 CIGS의 제조방법에 관한 기술이다. 상기 수용액법은 (1) Na₂SO₄수용액에 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 0.1 mol/L : 0.01~0.02 mol 의 비율로 용해시키는 제A단계; (2) 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG(CuInGa) precursor layer)이 증착된 기판 래피드 써멀 어닐 퍼니스(Rapid Thermal Anneal(RTA) Furnace)에서 500~600℃로 가열하는 제B단계; (3) 상기 제A단계에서 수득한 셀레니움 또는 황이 용해된 Na₂SO₄용액에, 상기 제B단계에서 수득한 열처리된 몰리브덴 전극층 및 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer)이 증착된 기판을 침지시키는 제C단계; 및 (4) 상기 침지 후, N₂ Blowing으로 건조시키는 제D단계;를 포함한다.

본 발명에서 사용된 ‘CIGS’중 ‘CIG’는 ‘구리인듐갈륨(CuInGa)’을 의미하고, ‘S’는 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 의미한다.

CuInSe₂로 대표되는 I-III-VI족 찰코게나이드계화합물 반도체는 직접 천이형 에너지 밴드 구조를 가지고 있고, 광흡수계수가 10⁵cm^-1로 반도체중에서 가장 높아 두께 1~2um로도 고효율의 태양전지제조가 가능하다. 또한 장기적으로 전기,광학적 안정성이 매우 우수한 특성을 가지고 있어 광흡수층으로 매우 이상적이다. 이를 대표하는 흡수층으로는 CIS,CIGS가 있다. 현제 광흡수층의 효율을 향상 시키기 위해 많은 연구가 진행 중이며, 특히 Se, S를 사용하여 셀렌화(Selenization)및 Sulfurization를 하는 방법은 이슈의 중심에 있다.

본 발명은 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착한 후, ‘수용액법’을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 CIGS의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명에서는 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 수용액법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계;를 포함하는 CIGS의 제조방법을 제공한다.

상기 기판의 소재는 소다석회유리(Soda-lime Glass), 스테인레스강(Stainless Steel), 티탄(titanium; Ti), 구리(copper; Cu) 및 폴리이미드(Polyimide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 기판의 크기는 10×10mm² ~ 50×50mm² 인 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제1단계의 증착은 스퍼터링 시스템(Sputtering system)을 이용하여 기판 상부에 몰리브덴을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 스퍼터링 시스템은 (1) Mo target의 규격이 2 inch이고, 두께가 0.25 mm이고, 순도가 99.9~99.999 %이고; (2) Plasma gas는 순도 99.9~99.999 %의 아르곤(Ar), 크세논(Xe) 및 네온(Ne)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하고, (3) Rotary pump 및 Turbo Molecular Pump(TMP)로 반응기 내부의 압력을 10^-6 torr로 유지하고, 성장온도는 약 50~120℃이고, 성장압력은 3~9 mtorr이고, DC power는 약 165 W 인 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제1단계 이후 Mo target 표면에 존재하는 불순물을 제거하고, 박막의 균일성을 향상시키기 위해 4~6 분간, 5~20 rpm 으로 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제1단계에서 증착된 몰리브덴 전극층의 두께는 0.9~1.1㎛ 인 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2단계의 증착은 다중-스퍼터링 시스템(Co(cooperation) -sputtering system)을 이용하여 몰리브덴 전극층 상부에 CIG precursor layer을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 다중-스퍼터링 시스템은 (1) CuIn 또는 CuGa을 사용하고, 규격이 2 inch이고, 순도가 99.9~99.999 %이고; (2) 성장압력이 3~10 mtorr이고, 성장전력이 200~250 W이고; (3) 균일한 증착을 위해 기판을 14~16 rpm으로 회전시키는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 수용액법은 (1) Na₂SO₄ 수용액에 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 0.1 mol/L : 0.01~0.02 mol 의 비율로 용해시키는 제A단계; (2) 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 CIG(CuInGa) precursor layer가 증착된 기판 RTA(Rapid Thermal Anneal) Furnace에서 500~600℃로 가열하는 제B단계; (3) 상기 제A단계에서 수득한 셀레니움 또는 황이 용해된 Na₂SO₄ 용액에, 상기 제B단계에서 수득한 열처리된 몰리브덴 전극층 및 CIG precursor layer가 증착된 기판을 침지시키는 제C단계; 및 (4) 상기 침지 후, N₂ Blowing으로 건조시키는 제D단계; 를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 침지는 1~10 초 동안 침지하는 것임을 특징으로 할 수 있다.

이하에서 본 발명의 기술적 수단에 대해서 구체적으로 기재한다. 최근 태양전지 중 CIS/CIGS계의 박막형 태양전지가 비실리콘 태양전지 중 가장 높은 에너지 변화 효율로 인해 각광받고 있다. 박막형 태양전지 CIGS의 제조기술 중 CIG의 성장 방법은 Co-Evaporation, 스퍼터링(Sputtering) 증착법과 셀렌화(Selenization)을 사용하여 제작되고 있고 또한 화학적인 방법으로는 전착법(Electrodeposition)등이 있다. CIGS박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 특히 박막의 조성뿐아니라 기판온도, 증착시간 등에 의해서도 크게 변하기 때문에 엄밀한 공정 제어가 필수적이다. 우리의 수용액 방법을 이용한 기술은 CIG를 수용액 확산법을 통해 셀렌화(Selenization) 및 Sulfurization를 함으로써 CIGS를 쉽게 제작하며 공정의 간소화는 물론, 기판온도와 증착시간을 자유로이 조절하여 고효울의 CIGS박막을 성장할 수 있다.

기존의 Co-Evaporation, 스퍼터링(Sputtering) 증착법과 기체 셀렌화(Selenization)방법은 제조공정이 매우 까다롭고, 전체적인 셀렌화(Selenization)의 조절이 어려우며, CIGS의 성장 시 불순물의 오염 등 문제가 되어왔다. 하지만 우리의 기술은 고체화된 Se, S의 Powder를 수용액에 녹여 포화시킨 후 CIG를 성장시킨 기판을 수용액에 담구고 이를 시간에 따라 실험을 진행하였다. CIG기판을 다양한 온도에서 수용액 열처리을 통해 확산 시킴으로써 기존에 방법보다 확산 깊이가 깊고, 전체적으로 균일한 셀렌화(Selenization)및 Sulfurization이 가능하다. 또한 불순물에 의한 오염이 적다.

본 발명인 수용액법을 이용한 CIG 박막의 셀렌화 및 황산화 방법에는 다음과 같은 유리한 효과가 인정된다.

첫째, 고체화된 Se, S의 Powder를 수용액에 녹여 포화시킨 후 CIG를 성장시킨 기판을 가열한 후 수용액에 담구고 이를 시간 및 온도에 따라 수용액 열처리을 통해 셀렌화(Selenization)및 Sulfurization을 함으로써 CIGS를 제작하였고, 이를 특성 평가를 통해 우수한 CIGS박막임을 확인, 증명하였다. 후에 Full structure를 제작하였을때 기존보다 향상된 고효율의 CIGS박막 태양전지를 구현 할 수 있다.

둘째, 수용액 이용한 CIG의 Selenization 및 Sulfurization 방법으로 제작된 CIGS 흡수층은 현재 미적용 중이며, 우리의 방법을 통해 CIGS 태양전지를 제작한다면 고효율의 태양전지를 제작할 수 있을 것이다.

도 1은 CIGS/Mo/Glass의 FE-SEM 이미지이다.

본 발명은 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 수용액법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계;를 포함하는 CIGS의 제조방법에 관한 것이다.

상기 제1단계에서 증착된 몰리브덴 전극층의 두께는 0.9~1.1㎛인 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2단계의 증착은 다중-스퍼터링 시스템(Co-sputtering system)을 이용하여 몰리브덴 전극층 상부에 CIG precursor layer을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 수용액법은 (1) Na₂SO₄ 수용액에 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 0.1 mol/L : 0.01~0.02 mol 의 비율로 용해시키는 제A단계; (2) 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 CIG(CuInGa) precursor layer가 증착된 기판을 RTA(Rapid Thermal Anneal) Furnace에서 500~600℃로 가열하는 제B단계; (3) 상기 제A단계에서 수득한 셀레니움 또는 황이 용해된 Na₂SO₄ 용액에, 상기 제B단계에서 수득한 열처리된 몰리브덴 전극층 및 CIG precursor layer가 증착된 기판을 침지시키는 제C단계; 및 (4) 상기 침지 후, N₂ Blowing으로 건조시키는 제D단계; 를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

이하에서 공정예에 의거하여 구체적으로 설명한다.

[제1단계] 기판위에 Mo전극층을 형성시키는 과정

이 공정은 기판 위에 후면전극인 Mo을 증착시키는 과정이다. 50 × 50 mm², 25 × 25 mm², 10 × 10 mm²등의 다양한 크기의 Soda Lime Glass 기판 위에 Sputtering system, 을 이용하여 후면전극인 Mo 박막을 증착시킨다. Mo target의 규격은 2 inch, 두께는 0.25 mm이고, 순도는 99.9~99.999 %이다.

Plasma gas로는 순도 99.9~99.999 %의 Ar을 사용한다. Rotary pump와 Turbo Molecular Pump(TMP)로 반응기 내부의 압력을 10E-6 torr로 유지한다. 성장온도는 약 50~120℃ 이며, 압력은 3~9 mtorr 이다. DC power는 약 165 W 이다. Mo target 표면에 존재하는 불순물을 제거하기 위해 5분간 Sputtering을 한다.

박막의 균일성을 향상시키기 위해 기판을 5~20 rpm 으로 회전시키고, Sputtering 시간을 조절하여 박막의 두께를 약 1 μm정도 성장시킨다.

기판으로는 Soda-lime Glass, Stainless Steel, Ti, Cu 그리고 Polyimide와 같은 고분자 물질 등이 사용될 수 있다. Plasma gas로는 Ar, Xe, Ne 등의 불황성 기체가 사용된다.

[제2단계] Mo/Substrate위에 CIG precursor layer을 형성시키는 과정

Mo 박막 위에 Co-sputtering system을 이용하여 CIG precursor layer를 성장시킨다. CIG precursor를 성장시키기 위해 CuIn, CuGa target을 사용하며, 상온에서 성장시킨다.

성장압력은 3~10 mtorr이며, 성장전력은 약 200~250 W이다. 균일한 증착을 위해 기판을 15 rpm으로 회전시킨다. CuIn, CuGa target의 규격과 순도는 Mo target과 동일하다.

성장전력과 온도를 변화시켜 CIG precursor layer의 조성을 변화시킬 수 있다. CuInGa precursor를 제작하기 위해 CuIn, CuGa과 같은 합금 target 또는 Cu, In, Ga 등 단일 target을 사용할 수 있다.

[제3단계] 수용액법을 이용한 Selenization, Sulfurization 방법

[제A단계] Na₂SO₄ 수용액에 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 0.1 mol/L : 0.01~0.02 mol 의 비율로 용해시키는 단계

이 과정은 Selenium(Se)과 Sulfur(S) 의 화합물 수용액을 만드는 과정이다. 먼저 Selenium(Se)과 Sulfur(S) 의 Powder 물질을 사용하여 화합물을 만든다. 이 화합물을 Na₂SO₄ 수용액에 넣는다. 즉 Na₂SO₄ 수용액 안에 순도 99.99% 의 Se과 S를 희석시켜 용액을 만든다.

이와 같이 Na₂SO₄ 을 쓰는 이유는 적절한 양의 Na이 첨가된 CIGS는 효율 향상을 보이기 때문이다. Na₂SO₄ 수용액에 Se과 S의 양을 조절하여 CIG precursor layer 내로 확산되는 Se 및 S 의 양을 조절한다.

[제B단계] 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 CIG(CuInGa) precursor layer가 증착된 기판을 RTA(Rapid Thermal Anneal) Furnace에서 500~600℃로 가열하는 단계

이 과정은 Se와 S이 함유된 Na₂SO₄ 수용액과 Selenization 및 Sulfurization을 위해 500∼600℃에서 가열된 CIG/Mo/Substrate 샘플을 준비하는 과정이다. 먼저 CIG precursor layer가 증착된 샘플을 RTA Furnace에서 500~600℃로 가열한다. 가열하는 이유는 CIGS 흡수층을 제작하기 위하여 Se 또는 S를 CIG precursor layer 내로 손쉽게 확산시키기 위함이다. 이는 기존의 SiO₂ 박막 층을 형성하는 방법과 동일한 방법으로써 고온에서 가열한 Si 기판을 물(H₂O)용액에 침지 시킴으로써 O₂가 Si 기판 안에 침투하여 SiO₂ 층을 형성하는 방법과 동일한 방법을 이용하기 위함이라고 할수있다. 용액을 CIG precursor layer 위에 도포하지 않고 용액 속에 샘플을 천천히 침지시키는 이유는 CIG precursor layer의 균열을 최대한 억제하고, Se 또는 S 화합물을 샘플 표면에 균일하게 도포하기 위해서 이다.

[제C단계] 상기 제A단계에서 수득한 셀레니움 또는 황이 용해된 Na₂SO₄ 용액에, 상기 제B단계에서 수득한 열처리된 몰리브덴 전극층 및 CIG precursor layer가 증착된 기판을 침지시키는 단계

이 과정은 Se와 S이 함유된 Na₂SO₄ 수용액속에 500∼600℃에서 가열된 CIG/Mo/Substrate 샘플을 넣음으로써 Se,S을 CIG속에 확산시키는 과정이다. 즉 Selenization 및 Sulfurization과정이다. 500∼600℃에서 가열된 CIG가 성장된 샘플을 Se 또는 S 화합물이 함유된 Na₂SO₄ 수용액에 서서히 침지시킨다.

이는 기존의 SiO₂ 박막 층을 형성하는 방법과 동일한 방법으로써 고온에서 가열한 Si 기판을 물(H₂O)용액에 침지 시킴으로써 O₂가 Si 와 반응하여 Si기판 안으로 O₂ 가 침투하여 SiO₂ 층을 형성하는 방법과 동일한 방법이라고 할 수 있다. 침지시간은 1~10초로 한다.

[제D단계] 침지 후, N₂ Blowing으로 건조시키는 단계

상기와 같이 침지시킨 후에 N₂ Blowing하여 건조시킨다.

아래와 같이 Mo/substrate위의 CIG안에 Se이나 S가 잘 확산되어 Selenization 및 Sulfurization이 잘 되었음을 나타낸다. Se의 확산으로 CIG precursor layer의 두께가 약 1.5배 증가하였으며, 결정립의 크기 또한 약 1.5배 증가하였음을 확인할 수 있다.

이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.

하기와 같은 점에서 본 발명은 산업적으로 이용될 수 있는 것으로 인정될 수 있다. 본 발명이 세계 기술 시장에 공개된다면 CIGS 흡수층 제작 연구에 크게 이바지 할 수 있다. 또한 이를 통해 박막형 태양전지 발전의 가속화를 이룰 것이다.

첫째, 태양전지 중 CIGS계의 박막형 태양전지가 비실리콘 태양전지 중 가장 높은 에너지 변화 효율로 인해 각광받고 있다. CIGS성장 방법 중 우리의 기술을 사용하여 흡수층을 개발한다면 효율을 극대화 할 수 있고, 이를 적용하여 다양한 태양광 자동차, 태양광 주택, 태양광 가로등 등의 제품에 응용할 수 있다.

둘째, 수용액 이용한 CIG의 Selenization 및 Sulfurization 방법을 사용하여 제작한 CIGS 박막형 태양전지의 효율 극대화를 이룩하여 고효율의 flexible 태양전지, 태양전지 자동차, 태양광 주택, 태양전지 가로등 등에 적용 할 수 있다.

Claims

(1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키고 몰리브덴 전극층 표면에 존재하는 불순물을 제거하고, 박막의 균일성을 향상시키기 위해 4∼6분 동안 5∼20rpm으로 회전시키는 제1단계;
(2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 구리인듐갈륨 프리커서 층(CuInGa(CIG) precursor layer)를 증착시키는 제2단계; 및
(3) 상기 증착된 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer) 상부에 수용액법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계;를 포함하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법으로서,
상기 수용액법은 (A) Na₂SO₄수용액에 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 0.1 mol/L : 0.01∼0.02 mol 의 비율로 용해시키는 제A단계;
(B) 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG(CuInGa) precursor layer)이 증착된 기판을 래피드 써멀 어닐 퍼니스(Rapid Thermal Anneal(RTA) Furnace)에서 500∼600℃로 가열하는 제B단계;
(C) 상기 제A단계에서 수득한 셀레니움 또는 황이 용해된 Na₂SO₄용액에, 상기 제B단계에서 수득한 열처리된 몰리브덴 전극층 및 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer)이 증착된 기판을 침지시키는 제C단계; 및
(D) 상기 침지 후, N₂ 블로잉(Blowing)으로 건조시키는 제D단계;를 포함하는 것임을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법..
제1항에 있어서, 상기 기판의 소재는 소다석회유리(Soda-lime Glass), 스테인레스강(Stainless Steel), 티탄(titanium; Ti), 구리(copper; Cu) 및 폴리이미드(Polyimide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 기판의 크기는 10×10mm²∼50×50mm²인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 제1단계의 증착은 스퍼터링 시스템(Sputtering system)을 이용하여 기판 상부에 몰리브덴을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
제4항에 있어서, 상기 스퍼터링 시스템은 (1)몰리브텐 타겟(Mo target)의 두께가 0.25mm이고, 순도가 99.9∼99.999중량％이고; (2)플라즈마 가스(Plasma gas)는 순도 99.9∼99.999부피％의 아르곤(Ar), 크세논(Xe) 및 네온(Ne)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하고, (3)로터리 펌프(Rotary pump) 및 터보 몰큘러 펌프(Turbo Molecular Pump, TMP)로 반응기 내부의 압력을 10^-6 torr로 유지하고, 성장온도는 50∼120℃이고, 성장압력은 3∼9mtorr이고, 직류 파워(Direct current power, DC power)는 165W인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
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제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 증착된 몰리브덴 전극층의 두께는 0.9∼1.1㎛인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
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제1항에 있어서, 상기 침지는 1∼10초 동안 침지하는 것임을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.