KR101317834B1 - 고체 확산법을 이용한 ｃｉｇ 박막의 셀렌화 및 황산화 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 고체확산법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계; 를 포함하는 CIGS의 제조방법에 관한 기술이다. 상기 고체확산법은 (1) 균일한 크기의 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 수득하기 위해 TOP(Trioctylphosphine)에 셀레니움 또는 황을 10 ml : 0.01 M의 비율로 용해시켜 TOP-Se 또는 TOP-S 용액을 수득하는 제A단계; (2) CIG precursor layer상부에 셀레니움 또는 황을 균일하게 도포하는 제B단계; 및 (3) TOP를 건조시킨 후, 셀레니움 또는 황을 CIG precursor layer로 확산시키는 제C단계를 포함한다.

Description

고체 확산법을 이용한 ＣＩＧ 박막의 셀렌화 및 황산화 방법{The selenization and sulfurization method using solid diffusion}
본 발명은 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 고체확산법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계; 를 포함하는 CIGS의 제조방법에 관한 기술이다. 상기 고체확산법은 (1) 균일한 크기의 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 수득하기 위해 TOP(Trioctylphosphine)에 셀레니움 또는 황을 10 ml : 0.01 M의 비율로 용해시켜 TOP-Se 또는 TOP-S 용액을 수득하는 제A단계; (2) CIG precursor layer상부에 셀레니움 또는 황을 균일하게 도포하는 제B단계; 및 (3) TOP를 건조시킨 후, 셀레니움 또는 황을 CIG precursor layer로 확산시키는 제C단계를 포함한다.
본 발명에서 사용된 ‘CIGS’중 ‘CIG’는 ‘구리인듐갈륨(CuInGa)’을 의미하고, ‘S’는 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 의미한다.
CuInSe2로 대표되는 I-III-VI족 찰코게나이드계화합물 반도체는 직접 천이형 에너지 밴드 구조를 가지고있고, 광흡수계수가 105cm-1로 반도체중에서 가장 높아 두께 1~2um로도 고효율의 태양전지제조가 가능하다. 또한 장기적으로 전기,광학적 안정성이 매우 우수한 특성을 가지고 있어 광흡수층으로 매우 이상적이다. 이를 대표하는 흡수층으로는 CIS,CIGS가 있다. 현제 광흡수층의 효율을 향상 시키기 위해 많은 연구가 진행 중이며, 특히 Se, S를 사용하여 셀렌화(Selenization) 및 황산화(Sulfurization) 를 하는 방법은 이슈의 중심에 있다.
본 발명은 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층 및 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착한 후, ‘고체확산법’을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 CIGS의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에서는 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 고체확산법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계;를 포함하는 CIGS의 제조방법을 제공한다.
상기 기판의 소재는 소다석회유리(Soda-lime Glass), 스테인레스강(Stainless Steel), 티탄(titanium; Ti), 구리(copper; Cu) 및 폴리이미드(Polyimide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 기판의 크기는 10×10mm2 ~ 50×50mm2 인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1단계의 증착은 스퍼터링 시스템(Sputtering system)을 이용하여 기판 상부에 몰리브덴을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 스퍼터링 시스템은 (1) Mo target의 규격이 2 inch이고, 두께가 0.25 mm이고, 순도가 99.9~99.999 %이고; (2) Plasma gas는 순도 99.9~99.999 %의 아르곤(Ar), 크세논(Xe) 및 네온(Ne)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하고, (3) Rotary pump 및 Turbo Molecular Pump(TMP)로 반응기 내부의 압력을 10-6 torr로 유지하고, 성장온도는 약 50~120℃이고, 성장압력은 3~9 mtorr이고, DC power는 약 165 W 인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1단계 이후 Mo target 표면에 존재하는 불순물을 제거하고, 박막의 균일성을 향상시키기 위해 4~6 분간, 5~20 rpm 으로 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1단계에서 증착된 몰리브덴 전극층의 두께는 0.9~1.1㎛인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2단계의 증착은 다중-스퍼터링 시스템(Co(cooperation)-sputtering system)을 이용하여 몰리브덴 전극층 상부에 CIG precursor layer을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 다중-스퍼터링 시스템은 (1) CuIn 또는 CuGa을 사용하고, 규격이 2 inch이고, 순도가 99.9~99.999 %이고; (2) 성장압력이 3~10 mtorr이고, 성장전력이 200~250 W이고; (3) 균일한 증착을 위해 기판을 14~16 rpm으로 회전시키는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 고체확산법은 (1) 균일한 크기의 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 수득하기 위해 TOP(Trioctylphosphine)에 셀레니움 또는 황을 10 ml : 0.01 M의 비율로 용해시켜 TOP-Se 또는 TOP-S 용액을 수득하는 제A단계; (2) CIG precursor layer상부에 셀레니움 또는 황을 균일하게 도포하는 제B단계; 및 (3) TOP를 건조시킨 후, 셀레니움 또는 황을 CIG precursor layer로 확산시키는 제C단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제B단계의 도포는 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 500 ~ 1000 rpm으로 수행함을 특징으로 할 수 있다.
상기 제C단계의 건조는 75~85℃의 온도로 55~65분 동안 건조하는 것임을 특징으로 할 수 있다.
상기 제C단계의 확산은 200~400℃로 열처리하여 확산시키는 것임을 특징으로 할 수 있다.
이하에서 본 발명의 기술적 수단에 대해서 구체적으로 기재한다. 최근 태양전지 중 CIS/CIGS계의 박막형 태양전지가 비실리콘 태양전지 중 가장 높은 에너지 변화 효율로 인해 각광받고 있다. 박막형 태양전지 CIGS의 제조기술 중 CIG의 성장 방법은 Co-Evaporation, 스퍼터링(Sputtering) 증착법과 셀렌화(Selenization)을 사용하여 제작되고 있고 또한 화학적인 방법으로는 전착법(Electrodeposition)등이 있다. CIGS박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 특히 박막의 조성뿐아니라 기판온도, 증착시간 등에 의해서도 크게 변하기 때문에 엄밀한 공정 제어가 필수적이다. 우리의 고체 확산법을 이용한 기술은 CIG를 고체확산을 통해 셀렌화(Selenization) 및 황산화(Sulfurization)를 함으로써 CIGS를 쉽게 제작하며 공정의 간소화는 물론, 기판온도와 증착시간을 자유로이 조절하여 고효울의 CIGS박막을 성장할 수 있다.
기존의 Co-Evaporation, 스퍼터링(Sputtering) 증착법과 기체 셀렌화(Selenization)방법은 제조공정이 매우 까다롭고, 전체적인 셀렌화(Selenization)의 조절이 어려우며, CIGS의 성장 시 불순물의 오염 등 문제가 되어왔다. 하지만 우리의 기술은 고체화된 Se, S의 Powder를 사용하여 CIG위에 위치시킨 후, 이를 어닐링을 통해 확산 시킴으로써 기존에 방법보다 확산 깊이가 깊고, 전체적으로 균일한 셀렌화(Selenization) 및 황산화(Sulfurization)이 가능하다. 또한 불순물에 의한 오염이 적다.
본 발명인 고체 확산법을 이용한 CIG 박막의 셀렌화 및 황산화 방법에는 다음과 같은 유리한 효과가 인정된다.
첫째, 고체화된 Se, S의 Powder를 사용하여 CIG위에 위치시켜 이를 어닐링을 통해 셀렌화(Selenization) 및 황산화(Sulfurization)을 함으로써 CIGS를 제작하였고, 이를 특성 평가를 통해 우수한 CIGS박막임을 확인, 증명하였다. 후에 Full structure를 제작하였을때 기존보다 향상된 고효율의 CIGS박막 태양전지를 구현 할 수 있다.
둘째, 고체 확산법을 이용하여 Selenization 및 황산화(Sulfurization) 방법으로 제작된 CIGS 흡수층은 현제 미적용 중이며, 우리의 방법을 통해 CIGS 태양전지를 제작한다면 고효율의 태양전지를 제작할 수 있을 것이다.
도 1은 CIGS/Mo/Glass의 FE-SEM 이미지이다.
본 발명은 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 고체확산법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계; 를 포함하는 CIGS의 제조방법에 관한 것이다.
상기 기판의 소재는 소다석회유리(Soda-lime Glass), 스테인레스강(Stainless Steel), 티탄(titanium; Ti), 구리(copper; Cu) 및 폴리이미드(Polyimide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 기판의 크기는 10×10mm2 ~ 50×50mm2 인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1단계의 증착은 스퍼터링 시스템(Sputtering system)을 이용하여 기판 상부에 몰리브덴을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 스퍼터링 시스템은 (1) Mo target의 규격이 2 inch이고, 두께가 0.25 mm이고, 순도가 99.9~99.999 %이고; (2) Plasma gas는 순도 99.9~99.999 %의 아르곤(Ar), 크세논(Xe) 및 네온(Ne)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하고, (3) Rotary pump 및 Turbo Molecular Pump(TMP)로 반응기 내부의 압력을 10-6 torr로 유지하고, 성장온도는 약 50~120℃이고, 성장압력은 3~9 mtorr이고, DC power는 약 165 W 인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1단계 이후 Mo target 표면에 존재하는 불순물을 제거하고, 박막의 균일성을 향상시키기 위해 4~6 분간, 5~20 rpm 으로 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1단계에서 증착된 몰리브덴 전극층의 두께는 0.9~1.1㎛인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2단계의 증착은 다중-스퍼터링 시스템(Co(cooperation)-sputtering system)을 이용하여 몰리브덴 전극층 상부에 CIG precursor layer을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 다중-스퍼터링 시스템은 (1) CuIn 또는 CuGa을 사용하고, 규격이 2 inch이고, 순도가 99.9~99.999 %이고; (2) 성장압력이 3~10 mtorr이고, 성장전력이 200~250 W이고; (3) 균일한 증착을 위해 기판을 14~16 rpm으로 회전시키는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 고체확산법은 (1) 균일한 크기의 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 수득하기 위해 TOP(Trioctylphosphine)에 셀레니움 또는 황을 10 ml : 0.01 M의 비율로 용해시켜 TOP-Se 또는 TOP-S 용액을 수득하는 제A단계; (2) CIG precursor layer상부에 셀레니움 또는 황을 균일하게 도포하는 제B단계; 및 (3) TOP를 건조시킨 후, 셀레니움 또는 황을 CIG precursor layer로 확산시키는 제C단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제B단계의 도포는 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 500 ~ 1000 rpm으로 수행함을 특징으로 할 수 있다.
상기 제C단계의 건조는 75~85℃의 온도로 55~65분 동안 건조하는 것임을 특징으로 할 수 있다.
상기 제C단계의 확산은 200~400℃로 열처리하여 확산시키는 것임을 특징으로 할 수 있다.
이하에서 공정예에 의거하여 구체적으로 설명한다.
[제1단계] 기판위에 Mo전극층을 형성시키는 과정
Figure 112011025510380-pat00001
이 공정은 기판 위에 후면전극인 Mo을 증착시키는 과정이다. 50 × 50 mm2, 25 × 25 mm2, 10 × 10 mm2 등의 다양한 크기의 Soda Lime Glass 기판 위에 Sputtering system, 을 이용하여 후면전극인 Mo 박막을 증착시킨다. Mo target의 규격은 2 inch, 두께는 0.25 mm이고, 순도는 99.9~99.999 %이다.
Plasma gas로는 순도 99.9~99.999 %의 Ar을 사용한다. Rotary pump와 Turbo Molecular Pump(TMP)로 반응기 내부의 압력을 10E-6 torr로 유지한다. 성장온도는 약 50~120℃ 이며, 압력은 3~9 mtorr 이다. DC power는 약 165 W 이다. Mo target 표면에 존재하는 불순물을 제거하기 위해 5분간 Sputtering을 한다.
박막의 균일성을 향상시키기 위해 기판을 5~20 rpm 으로 회전시키고, Sputtering 시간을 조절하여 박막의 두께를 약 1 μm정도 성장시킨다.
기판으로는 Soda-lime Glass, Stainless Steel, Ti, Cu 그리고 Polyimide와 같은 고분자 물질 등이 사용될 수 있다. Plasma gas로는 Ar, Xe, Ne 등의 불황성 기체가 사용된다.
[제2단계] Mo/Substrate위에 CIG precursor layer을 형성시키는 과정
Figure 112011025510380-pat00002

Mo 박막 위에 Co-sputtering system을 이용하여 CIG precursor layer를 성장시킨다. CIG precursor를 성장시키기 위해 CuIn, CuGa target을 사용하며, 상온에서 성장시킨다.
성장압력은 3~10 mtorr이며, 성장전력은 약 200~250 W이다. 균일한 증착을 위해 기판을 15 rpm으로 회전시킨다. CuIn, CuGa target의 규격과 순도는 Mo target과 동일하다.
성장전력과 온도를 변화시켜 CIG precursor layer의 조성을 변화시킬 수 있다. CuInGa precursor를 제작하기 위해 CuIn, CuGa과 같은 합금 target 또는 Cu, In, Ga 등 단일 target을 사용할 수 있다.
[제3단계] 고체 확산법을 이용한 Selenization, Sulfurization 방법
[제A단계] TOP-Se 또는 TOP-S 용액을 수득하는 단계
Figure 112011025510380-pat00003

이 과정은 리간드인 TOP에 Se, S의 원소를 결합시키는 과정이다. 리간드 TOP의 역할은 Se,S를 균일한 크기로 분리하고, Se,S의 표면을 보호하는 역할을 한다. 결국 이는 CIG위에 증착시킬 균일한 크기의 Se, S 원소를 만들기 위함이다. Powder상태의 Se, S를 바로 CIG위에 뿌린다면 전체적인 균일성을 조절하기 어렵기 때문이다. Trioctylphosphine(TOP)에 Selenium(Se)와 Sulfur(S) 분말을 혼합하여 초음파세척을 하여 TOP-Se, S 용액을 만든다. 순도 99.9~99.999 %의 Se과 S를 사용한다. 초음파세척 시간은 TOP 내의 Se, S 분말이 완전히 용해될 때까지 한다. TOP와 Se, S의 비율은 10 ml : 0.01 M 이다.
[제B단계] CIG precursor layer상부에 셀레니움 또는 황을 균일하게 도포하는 단계
Figure 112011025510380-pat00004

이 과정은 CIG precursor layer 위에 Se, S 화합물을 균일하게 도포하는 과정이다. CIG precursor layer 내로 균일하게 Se, S을 확산시키 위해서 화합물을 균일하게 도포해야 한다.
CIG precursor layer가 증착된 샘플에 스핀 코터를 이용하여 TOP-Se, S 용액을 샘플 표면에 균일하게 도포시킨다. 스핀코터의 rpm은 약 500 ~ 1000 rpm으로 한다.
[제C단계] TOP를 건조시킨 후, 셀레니움 또는 황을 CIG precursor layer로 확산시키는 단계
Figure 112011025510380-pat00005
이 과정은 CIGS 흡수층을 만들기 위해 TOP를 건조시켜 Se, S만을 확산시키는 과정이다. TOP-Se, S를 도포한 샘플을 80℃의 오븐에 약 1시간 동안 건조시킨다. 건조시키는 이유는 Se, S의 리간드인 TOP를 분해시키기 위해서이다. 리간드에서 분리된 Se, S은 CIG precursor Layer 위에 droplet형태로 존재하게 된다. 그 다음은 CIG precursor layer 위에 형성된 Se, S droplet을 확산시켜 CIGS 흡수층을 만드는 과정이다. CIG precursor layer 위에 형성된 droplet 형태의 Se, S를 열처리하여 Se, S를 CIG precursor layer로 확산시킨다. 열처리 온도는 200~400℃이다.
도 1 및 아래의 그림과 같이 Se, S의 확산으로 CIG precursor layer의 색이 검게 변하였으며, Se, S의 확산으로 CIG precursor layer의 두께가 약 1.5배 증가하였다. 결정립의 크기 또한 약 1.5배 증가하였음을 확인할 수 있다.
Figure 112011025510380-pat00006

이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
하기와 같은 점에서 본 발명은 산업적으로 이용될 수 있는 것으로 인정될 수 있다. 본 발명이 세계 기술 시장에 공개된다면 CIGS 흡수층 제작 연구에 크게 이바지 할 수 있다. 또한 이를 통해 박막형 태양전지 발전의 가속화를 이룰 것이다.
첫째, 기술의 적용 형태와 관련하여 태양전지 중 CIGS계의 박막형 태양전지가 비실리콘 태양전지 중 가장 높은 에너지 변화 효율로 인해 각광받고 있다. CIGS성장 방법 중 우리의 기술을 사용하여 흡수층을 개발한다면 효율을 극대화 할 수 있고, 이를 적용하여 다양한 태양광 자동차, 태양광 주택, 태양광 가로등 등의 제품에 응용할 수 있다.
둘째, 기술적용 시장과 관련하여 고체 확산법을 사용하여 제작한 CIGS 박막형 태양전지의 효율 극대화를 이룩하여 고효율의 flexible 태양전지, 태양전지 자동차, 태양광 주택, 태양전지 가로등 등에 적용 할 수 있다.

Claims (13)

  1. (1)기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키고 몰리브덴 전극층 표면에 존재하는 불순물을 제거하고, 박막의 균일성을 향상시키기 위해 4∼6분간, 5∼20rpm으로 회전시키는 제1단계;
    (2)상기의 몰리브덴 전극층 상부에 구리인듐갈륨 프리커서 층(CuInGa[CIG] precursor layer)를 증착시키는 제2단계; 및
    (3)상기의 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer) 상부에 하기 (A)단계 내지 (C)단계의 고체확산법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계;를 포함하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
    (A)균일한 크기의 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 수득하기 위해 트리옥틸포스파인(Trioctylphosphine, TOP)에 셀레니움 또는 황을 10ml : 0.01M의 비율로 용해시켜 셀레늄이 함유된 트리옥틸포스파인(TOP-Se) 또는 황이 함유된 트리옥틸포스파인(TOP-S) 용액을 수득하는 제A단계;
    (B)구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer) 상부에 셀레늄이 함유된 트리옥틸포스파인(TOP-Se) 또는 황이 함유된 트리옥틸포스파인(TOP-S) 용액을 균일하게 도포하는 제B단계; 및
    (C)트리옥틸포스파인(TOP)을 건조시킨 후, 셀레니움 또는 황을 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer)으로 확산시키는 제C단계.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 소재는 소다석회유리(Soda-lime Glass), 스테인레스강(Stainless Steel), 티탄(titanium; Ti), 구리(copper; Cu) 및 폴리이미드(Polyimide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 크기는 10×10mm2 ∼ 50×50mm2 인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 몰리브덴 전극층은 스퍼터링 시스템(Sputtering system)을 이용하여 기판 상부에 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 스퍼터링 시스템은 (1)몰리브덴 타겟(Mo target)의 두께가 0.25mm이고, 순도가 99.9∼99.999중량％이고; (2)플라즈마 가스(Plasma gas)는 순도 99.9∼99.999부피％의 아르곤(Ar), 크세논(Xe) 및 네온(Ne)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하고, (3)로터리 펌프(Rotary pump) 및 터보 몰큘러 펌프(Turbo Molecular Pump, TMP)로 반응기 내부의 압력을 10-6torr로 유지하고, 성장온도는 50∼120℃이고, 성장압력은 3∼9mtorr이고, 직류 파워(Direct current power, DC power)는 165W인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서의 몰리브덴 전극층의 두께는 0.9∼1.1㎛인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서, 상기 제B단계의 도포는 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 500∼1000rpm으로 수행함을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제C단계의 건조는 75∼85℃의 온도로 55∼65분 동안 건조하는 것임을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제C단계의 확산은 200∼400℃로 열처리하여 확산시키는 것임을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법.
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