KR101313410B1 - 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 수지 조성물, 그 사출 성형체 및 그 성형체를 사용한 광학 장치 - Google Patents

전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 수지 조성물, 그 사출 성형체 및 그 성형체를 사용한 광학 장치 Download PDF

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Abstract

백색 안료와 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르를 용융 혼련하여 수지 조성물을 얻을 때에, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르의 뛰어난 내열정, 성형성을 유지하면서 양호한 백색광 반사율을 달성한다. 즉, 배소 공정을 포함하는 제법으로 얻어진 백색 안료 97~85%질량%를 산화알루미늄 3~15질량%(양자를 합해 100질량%로 한다.)로 표면 처리하여 이루어지는 백색 안료 입자 35~100질량부와 전방향족 서모트로픽스 액정 폴리에스테르 100질량부를 포함하는 수지 조성물을 용융 혼련 공정을 포함하는 공정으로 얻는다.

Description

전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 수지 조성물, 그 사출 성형체 및 그 성형체를 사용한 광학 장치{WHOLLY AROMATIC THERMOTROPIC LIQUID CRYSTAL POLYESTER RESIN COMPOSITION, INJECTION MOLDED ARTICLE PRODUCED USING THE SAME, AND OPTICAL DEVICE USING THE MOLDED ARTICLE}
본 발명은, 특정 파장광의 반사율이 뛰어난 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 수지 조성물, 그 사출 성형체 및 그 성형체를 사용한 광학 장치에 관한 것이다. 특히, 그 광학 장치가 백색 발광 다이오드(이하 「LED」라고 한다.)를 사용한 것에 관한 것이다.
LED를 사용한 조명 장치 또는 표시 장치 등의 광학 장치는 광범위한 분야에서 사용되고 있지만, 이것들은 기판상의 회로 패턴에 도전성 접착제, 땜납 등으로 LED 소자가 실장되어 있고, 와이어 본딩으로 필요한 결선이 되고, LED의 광 이용율을 올리기 위해서 LED 소자의 주위에 리플렉터(반사 프레임)가 설치되고, 리플렉터 내에 위치하는 LED 소자는 투광성 수지로 시일링되어 있는 것이 사용되고 있다. 백색 LED는 각종의 것이 알려져 있지만, 예를 들면 일반적으로는, 녹색(G), 청색(B), 적색(R) 등의 복수의 LED를 조합하여 백색을 얻도록 한 것, 시일링 수지 중에 형광 물질을 배합해 파장 변환의 작용을 이용하고 있는 것도 있다. 파장 변환 을 하는 경우는 청색 LED가 주로 사용되지만, 자외선 발광 LED도 광원으로서 사용할 수 있다. 리플렉터로서는, 금속 산화물로 이루어지는 백색 안료 입자 등을 충전한 수지 조성물의 성형품이 사용되는 경우가 있다.
수지 조성물을 포함하는 리플렉터는, LED 소자를 기판에 실장할 때의 땜납 등의 가열 공정, 시일링 수지의 열경화시의 발열, LED 장치를 다른 부재에 결합하는 경우의 가열, LED 장치를 사용하는 환경에 있어서의 가열 등으로의 내열성과, 그 후 사용을 포함한 기간 중의 고반사율의 유지가 요구된다. 또한, 백색 LED에 있어서는, 특히 500㎚ 이하의 영역에서의 양호한 반사율의 유지가 요구된다. 이 점으로부터, 내열성이 뛰어난 서모트로픽 액정 폴리에스테르, 특히 융점이 320℃를 넘는 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르와 백색 안료로 이루어지는 수지 조성물은, LED 리플렉터용으로서 사용되게 되었다.(예를 들면, 특허 문헌 1~3 참조.)
[특허 문헌 1:일본국 특허공고 평6-38520호 공보]
[특허 문헌 2:일본국 특허공개 2004-256673호 공보]
[특허 문헌 3:일본국 특허공개 2005-232210호 공보]
그러나, 이들 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르로 이루어지는 LED 리플렉터는 종전부터 사용되고 있던 폴리아미드계 수지 조성물로 이루어지는 것과 비교하여, 백색광의 반사율 지표로서의, 480㎚파의 반사율(이하, 본 명세서에 있어서 「백색광 반사율」이라고 한다.)이 부족한 경향이 있다는 문제가 있다.
전방향족 액정 폴리에스테르에 첨가하는 백색 안료로서는, 그 높은 가공 온도에 있어서의 내열성을 갖고, 또한, 은폐력이 높은, 금속 산화물로 이루어지는 백색 안료 입자를 사용하는 것이 널리 알려져 있다. 이들 안료의 첨가는 일반적으로 용융 혼련(混練)에 의해 첨가하여 사용한다.
백색 안료 입자를 구성하는 금속 산화물은 산성 화합물이므로, 용융 혼련 공정에 있어서, 용융 상태에 있는 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르에 산성 화합물을 공존시키고, 또한 계속해서 큰 전단력을 더함으로써, 전방향족 액정 폴리에스테르가 분해하여 분자량의 저하, 저분자량 성분의 생성 등이 생긴다. 이 현상은 얻어진 수지 조성물을 사출 성형할 때의 가소화 공정에 있어서도 똑같이 생긴다. 또한, 이러한 현상은, 고온에서 더욱 현저해질 것으로 예상되기 때문에, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르의 융점이 높을수록 영향은 크다고 생각된다.
백색 안료와 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 수지 조성물의 제조시의 사출 성형품의 표면 반사율, 특히 백색 LED 장치의 리플렉터 부품으로서 사용된 경우의 반사율에 기여하는 용융 혼련 공정의 영향에 대해서는 충분한 해명 및 대책은 이루어져 있지 않다.
따라서, 본 발명은, 백색 안료 입자와 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르로부터 용융 혼련 공정을 거쳐 얻어지는 수지 조성물에 대해서, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르의 뛰어난 내열성, 성형성을 유지하면서 양호한 백색광 반사율을 달성하는 것을 과제로 하는 것이다.
본 발명의 제1은, 소성 공정을 포함하는 제법으로 얻어진 백색 안료 97~85질량％를 산화알루미늄 3~15질량％(양자를 합해 100질량％로 한다.)로 표면 처리하여 이루어지는 백색 안료 입자 35~100질량부 및 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 100질량부를 포함하고, 용융 혼련 공정을 거쳐 얻어지는 수지 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 제2는, 본 발명의 제1에 있어서, 상기 백색 안료가 황산법에 의해 얻어진 산화티탄(TiO2)인 것을 특징으로 하는 수지 조성물에 관한 것이다.
또, 본 발명의 제3은, 본 발명의 제1 또는 제2의 수지 조성물로부터 사출 성형하여 얻어진 480㎚파의 반사율이 80％ 이상인 성형 표면을 갖는 성형체에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 제4는, 본 발명의 제3의 성형체가 발광 장치 부재 및/또는 리플렉터로서 사용되고 있는 광학 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 제5는, 본 발명의 제4의 발광 장치가 백색 LED를 사용한 것임을 특징으로 하는 광학 장치에 관한 것이다.
(발명의 효과)
본 발명의 수지 조성물을 사용하면, 통상의 용융 혼련 공정에 의해, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르의 뛰어난 내열성, 성형성을 잃지 않고, 백색광 반사율이 뛰어난 성형품을 부여하는 수지 조성물을 얻을 수 있다. 따라서, 그 수지 조성물의 사출 성형품의 표면을 반사면으로 한 리플렉터, 특히 백색 LED에 적절한 리플렉터를 얻을 수 있고, 뛰어난 성능을 갖는 발광 장치를 제공할 수 있다.
(전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르)
본 발명에 관한 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르에 관해서는 특별히 제한은 없지만, LED 리플렉터로서 사용하기 위해서는, 내땜납 내열성이 요구되므로 융점이 320℃ 이상인 것이 바람직하다.
융점이 320℃ 이상인 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르을 얻으려면, 원료 모노머로서 p-히드록시 안식향산을 40몰％ 이상 사용하면 된다. 이 외에, 공지의 다른 방향족 히드록시카르본산, 방향족 디카르본, 방향족 디히드록시 화합물을 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들면, p-히드록시 안식향산이나 2-히드록시-6-나프토산(naphthoic acid) 등의 방향족 히드록시카르본산만으로부터 얻어지는 폴리에스테르, 또한 이것들과 테레프탈산, 이소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르본산 등의 방향족 디카르본산, 및/또는 하이드로퀴논, 레조르신, 4,4＇-디히드록시디페닐, 2,6-디히드록시나프탈렌 등의 방향족 디히드록시 화합물로부터 얻어지는 액정성 폴리에스테르 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.
특히 바람직하게는, p-히드록시 안식향산(Ⅰ), 테레프탈산(Ⅱ), 4,4'-디히드록시비페닐(Ⅲ)(이들 유도체를 포함한다.)을 80~100몰％(단, (Ⅰ)과 (Ⅱ)의 합계를 60몰％ 이상으로 한다.), 및, (Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ) 중 어느 하나와 중축합(重縮合) 반응 가능한 다른 방향족 화합물 0~20몰％를 중축합하여 얻어지는 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르이다.
전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르의 제조에 있어서는, 용융 중축합 시간을 단축하여 공정 중의 열이력의 영향을 저감시키기 위해, 상기의 모노머의 수산 기를 미리 아세틸화한 후에 용융 중축합을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 공정을 간략화하기 위해서는, 아세틸화는 반응조 중의 모노머에 무수 아세트산을 공급하여 행하는 것이 바람직하다. 이 아세틸화 공정을 용융 중축합 공정과 같은 반응조를 이용하여 행하는 것이 바람직하다. 즉, 반응조 중에서 원료 모노머와 무수 아세트산으로 아세틸화 반응을 행하고, 반응 종료 후 승온하여 중축합 반응으로 이행하는 것이 바람직하다.
아세틸화된 모노머의 탈아세트산 반응을 수반하면서 용융 중축합 반응을 행한다. 반응은 모노머 공급 수단, 아세트산 배출 수단, 용융 폴리에스테르 취출 수단 및 교반 수단을 구비한 반응조를 이용하여 행하는 것이 바람직하다. 이러한 반응조(중축합 장치)는 공지의 것으로부터 적절히 선택할 수 있다. 중합 온도는 바람직하게는 150℃~350℃이다. 아세틸화 반응 종료 후, 중합 개시 온도까지 승온하여 중축합을 개시하고, 0.1℃/분~2℃/분의 범위에서 승온하여, 최종 온도로서 280~350℃까지 상승시키는 것이 바람직하다. 중축합 반응의 촉매로서, Ge, Sn, Ti, Sb, Co, Mn, Mg 등의 화합물을 사용할 수 있다. 중축합의 진행에 의해 생성 중합체의 용융 온도가 상승하는 것에 대응하여 중축합 온도도 상승한다.
용융 중축합에 있어서, 그 유동점이 200℃ 이상, 바람직하게는 220℃~330℃에 이르면, 저중합도의 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르를 용융 상태인 채 중합조로부터 빼내고, 스틸 벨트나 드럼 쿨러 등의 냉각기로 공급하고, 냉각하여 고체화시킨다.
이어서, 고체화한 저중합도의 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르를, 후 속의 고체상 중축합에 적절한 크기로 분쇄한다. 분쇄 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 호소카와미크론사제의 페더밀(Feather Mill), 빅토리밀(Victory Mill), 코로플렉스(Coloplex), 펄버라이저(Pulverizer), 콘트라플렉스(Contraplex), 스크롤밀(Scroll Mill), ACM 펄버라이저(ACM Pulverizer) 등의 충격식 분쇄기, 마츠보사제의 가쇄(架碎)식 분쇄기인 롤그래뉼레이터(Roll Granulator) 등을 들 수 있다. 특히 바람직하게는, 호소카와미크론 사제의 페더밀이다. 본 발명에 있어서는, 분쇄물의 입자 직경에 특별히 제한은 없지만, 공업용 체(타일러 메쉬)로 4메쉬 통과~2000메쉬 불통의 범위가 바람직하고, 5메쉬~2000메쉬(0.01~4㎜)에 있으면 더 바람직하고, 9메쉬~1450메쉬(0.02~2㎜)에 있으면 가장 바람직하다.
이어서, 분쇄 공정에서 얻어진 분쇄물을 고체상 중축합 공정에 제공하여 고체상 중축합을 행한다. 고체상 중축합 공정에 사용하는 장치, 운전 조건에는 특별히 제한은 없고, 공지의 장치 및 방법을 이용할 수 있다. LED 리플렉터로서 사용하기 위해서는, 융점이 320℃ 이상인 것이 얻어질 때까지 고체상 중축합 반응을 행하는 것이 바람직하다.
백색 안료 입자로서, 백색 안료 97~85질량％를 산화알루미늄 3~15질량％(양자를 합쳐 100질량％로 한다.)로 표면 처리하여 이루어지는 것을 사용한다. 또한, 본 발명에 있어서는, 백색 안료는 산화알루미늄을 제외하는 것을 의미한다. 백색 안료로는, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르와의 용융 혼련 공정 및 사출 성형 온도 및 땜납 실장 공정 등에 있어서의 가열에 대해서 내열성을 갖는 한 특별히 제한은 없다.
배소 공정을 포함하는 제법으로 얻어진 백색 안료로서는, 산화티탄(TiO2), 산화아연(ZnO), 백연(2PbCO3·Pb(OH)2) 등을 사용할 수 있다. 내열성이 뛰어난 금속 산화물계 백색 안료가 바람직하다. 이 중에서도 은폐력이 큰 루틸형 산화티탄의 평균 입자 직경 0.1~0.5㎛의 범위에 있는 것을 사용하는 것이 가장 바람직하다. 색상의 기호에 따라서는 산화아연을 사용할 수도 있다.
금속 산화물계 백색 안료 중, 배소 공정을 포함하는 황산법으로 제조된 산화티탄이 특히 바람직하다. 본 발명자들은, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 수지에 배합하여 용융 혼련하여 얻어지는 조성물의 성형품의 백색광 반사율에 바람직하지 않은 영향을 주는 성분이 배소 공정에서 제거된다고 생각하고 있다.
산화알루미늄에 의해 백색 안료를 표면 처리하는 방법은, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 일본국 특허공개평5-286721호 기재의 방법 혹은 그 특허 문헌 중에 종래 방법으로서 기재되어 있는 방법 중 어느 것이어도 된다. 그 특허 문헌은, 주로 산화티탄의 표면 처리에 관한 것이지만, 다른 백색 안료에 대해서도 마찬가지로 표면 처리를 행할 수 있다. 산화알루미늄으로 표면 처리한 백색 안료는, 시장으로부터도 입수할 수 있다. 예를 들면, 사카이 화학(주)제「SR-1」(루틸형 산화티탄, 평균 입자 직경 0.25㎛, 표면 처리제 Al2O3, 처리량 5％)를 들 수 있다.
백색 안료를 산화알루미늄(Al2O3)(수화물을 포함한다.)으로 표면 처리한 백 색 안료 입자를 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르와 용융 혼련함으로써 얻어지는 효과에 대해서, 본 발명자들은, 산화알루미늄이 갖고 있는 양성(산성 및 염기성) 및 흡착제로서의 기능이 관여하고 있는 것이라고 생각하고 있다.
즉, 폴리머 중의 불순물을 흡착하는 기능 및 금속 산화물계 백색 안료의 표면을 피복하여, 산성 화합물로서의 금속 산화물이 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르의 가수 분해를 촉진하는 등의 영향을 완화하는 기능이다.
특히 전자의 기능 중에서도 주목해야 할 것은, 아세틸 유도체를 모노머로서 중축합을 행한 경우에 폴리머 중에 잔존하는 아세트산계 화합물을 흡착하는 기능이다. 따라서, 모노머의 아세틸화 유도체를 사용해 용융 중축합을 실시하는 공정을 포함하는 경우, 또한, 모노머의 아세틸화와 그 결과 얻어지는 아세틸화 유도체를 사용하는 용융 중축합이 동일 반응조에서 행해지는 경우 등의, 계내에 아세트산계 화합물이 잔존할 가능성이 높은 경우에 그 효과가 가장 발휘된다.
산화알루미늄이 3질량％ 이하이면, 백색 안료의 표면을 피복하는 효과 및 폴리머 중의 불순물의 흡착 효과를 충분히 발휘하지 못하고, 15질량％를 넘으면 백색 안료 입자의 응집 등에 의해 취급에 문제가 생기는 일이 있다. 따라서, 백색 안료 입자로서, 백색 안료 97~85질량％를 산화알루미늄 3~15질량％(양자를 합쳐 100질량％로 한다.)로 표면 처리하여 이루어지는 것을 사용한다. 산화알루미늄의 특히 바람직한 범위는 5~10질량%이다.
전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르와, 산화알루미늄으로 표면 처리된 백색 안료로 이루어지는 백색 안료 입자를 용융 혼련하는 방법 및 장치는, 공지의 용융 혼련에 사용되고 있는 것을 적합하게 사용할 수 있다. 단축 혼련기, 2축 혼련기, 밴버리믹서(Banbury mixer), 가압식 니더 등이 사용 가능하지만, 백색 안료 입자의 분산을 적합하게 하는 점에서 2축 혼련기가 특히 바람직하다.
백색 안료 입자의 첨가량은, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 100질량부에 대해서, 35질량부~100질량부의 범위이다. 35질량부 미만에서는 충분한 백색도를 얻지 못하고, 100중량부를 넘으면 성형성이 현저히 저하하여, 백색광 반사율이 80％ 이상인 성형 표면을 얻는 것이 곤란해진다.
본 발명의 수지 조성물에는, 공지의 무기 충전재, 유기 충전재를 본 발명의 효과를 잃지 않는 범위에서 첨가할 수 있다. 이것들은, 단독으로 사용해도 2종류 이상 사용해도 된다.
(실시예)
(서모트로픽 액정 폴리에스테르의 제조:용융 중축합)
더블 헤리컬형 교반 날개를 가지며, 내용적이 1.7㎥인, SUS316L(스테인리스강)제의 반응조에, p-히드록시 안식향산(우에노제약 주식회사제) 298.3㎏(2.16킬로몰), 4,4＇-디히드록시디페닐(혼슈 화학공업 주식회사제) 134.1㎏(0.72킬로몰), 테레프탈산(미츠이 화학 주식회사제) 89.7㎏(0.54킬로몰), 이소프탈산(에이지인터내셔널사제) 29.9㎏(0.18킬로몰), 촉매로서 아세트산마그네슘(키시다 화학 주식회사제) 0.11㎏, 아세트산칼륨(키시다 화학 주식회사제) 0.04㎏를 넣었다. 그리고, 중합조의 감압-질소 주입을 2회 행하여 질소 치환한 후, 무수 아세트산 385.9kg(3.78킬로몰)을 첨가하고, 교반 날개의 회전수 45rpm으로 150℃까지 1.5시 간으로 승온하여 환류 상태로 2시간 아세틸화 반응을 행했다. 아세틸화 종료 후, 아세트산 유출(留出)상태로 하여 0.5℃/분으로 승온하여 310℃까지 승온하고, 발생하는 아세트산을 제거하면서 중합 반응을 5시간 20분 행했다.
이어서, 반응조계를 밀폐하고, 그 계내를 질소로 14.7N/㎠(1.5kgf/㎠)로 가압하고, 반응조 내의 용융 중축합 반응 생성물인 저중합도 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 약 480㎏을, 반응조의 저부의 추출구로부터 빼내고 후술의 냉각 고체화 장치에 공급했다. 이 때의 용융 중축합 반응 생성물의 온도는 310℃이었다.
(냉각 고체화 공정)
냉각 고체화 장치로서, 일본국 특허공개 2002-179979에 따라, 직경 630㎜의 한 쌍의 냉각 롤, 롤간 거리 2㎜, 거리 1800㎜인 한 쌍의 둑을 갖는 장치를 이용했다. 그 한 쌍의 냉각 롤을 18rpm의 회전수로 대향 회전시키고, 그 한 쌍의 냉각 롤과 그 한 쌍의 둑으로 형성된 오목부에, 중축합 반응조로부터 빼내진 유동 상태의 용융 중축합 반응 생성물을 서서히 공급하고, 그 오목부 내에 유지시키면서, 그 한 쌍의 냉각 롤 내의 냉각수의 유량을 조정하여 롤 표면 온도를 조정하고, 롤간을 통과 직후에 냉각 고체화한 저중합도 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르의 표면 온도는 220℃이었다. 얻어진 두께 2㎜의 시트형상의 고화물을 해쇄기(닛쿠우 공업 주식회사제)에 의해, 약 50㎜각으로 해쇄(解碎)했다.
(분쇄 공정 및 고체상 중축합 공정)
이 해쇄물을, 호소카와미크론 주식회사제의 페더밀을 이용해 분쇄하여 고체 상 중축합용 원료를 얻었다. 분쇄물은, 사이즈 1㎜의 메쉬를 통과하는 것이었다. 그 분쇄물을 로터리킬른(rotary kiln)에 수납하고, 질소 유통 하, 실온으로부터 170℃까지 3시간에 걸쳐 승온한 후, 280℃까지 5시간에 걸쳐 승온하고, 또한, 300℃까지 3시간에 걸쳐 승온하여 고체상 중축합을 행하고, 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르 약480㎏을 얻었다.
(백색 안료 입자 및 다른 충전재)
백색 안료 입자 1
사카이 화학(주)제:상품명「SR-1」:배소 공정을 포함하는 황산법에 의해 얻어진 루틸형 산화티탄을 산화알루미늄으로 표면 처리한 것. 평균 입자 직경 0.25㎛. 산화티탄과 산화알루미늄의 질량％ 구성=95:5.
백색 안료 입자 2:
이시하라 산업(주)제=상품명「CR-60」:배소 공정을 포함하지 않는 염소법에 의해 얻어진 루틸형 산화티탄을 산화알루미늄으로 표면 처리한 것. 평균 입자 직경 0.21㎛. 산화티탄과 산화알루미늄의 질량％ 구성=95:5.
백색 안료 입자 3:
사카이 화학(주):상품명「R-310」:배소 공정을 포함하는 황산법에 의해 얻어진 루틸형 산화티탄. 표면 처리를 하지 않음. 평균 입자 직경 0.20㎛.
유리 섬유:
「아사히 파이버 글래스(주)제「PX-1」(평균 길이 3㎜, 평균계 10μ)
(수지 조성물의 제조)
표 1에 나타내는 양의 전방향족 서모트로픽 액정 폴리에스테르에 백색 안료 입자 1~3, 유리 섬유를 각각 별개로 혼합하고, 2축 압출기(이케가이 철강(주)제)에 의해 실린더의 최고 온도 430℃에서 용융 혼련하여 펠릿을 얻었다.
(사출 성형품의 제조)
얻어진 펠릿을 사출 성형기(스미토모 중기계공업(주)제 SG-25)를 이용하여, 실린더 온도 420℃, 사출 속도 100㎜/sec, 금형 온도 80℃에서, 30㎜(폭)×60㎜(길이)×(3.0㎜/0.5㎜)의 2단 두께(각 두께 부분의 길이는 30㎜씩)의 사출 성형품을 얻고, 백색광 반사율의 시험편으로 했다.
(백색광 반사율의 측정)
각 시험편의 표면에 대해서, 자기 분광 광도계(U-3500:(주)히타치 제작소제)를 이용해 480㎚의 광에 대한 확산 반사율의 측정을 행했다. 또한, 반사율은 황산바륨의 표준 백판의 확산 반사율을 100％로 했을 때의 상대값이다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008067415094-pct00001
실시예 1~5 및 비교예 1~2의 수지 조성물은, 모두 뛰어난 사출 성형성을 갖고 있었다. 실시예 1~3과 비교예 1~2는, 함유하는 산화티탄이 전자에서는 백색 안료 입자 1(본 발명에 관한 요건을 충족한다.), 후자에서는 백색 안료 입자 2 또는 백색 안료 입자 3(본 발명에 관한 요건을 충족하지 않는다.)인 것이 다르지만, 반사율의 값은, 전자가 후자와 비교하여, 시험편 두께 3.0㎜, 0.5㎜ 중 어느 조건에 있어서도 높은 값을 나타내는 것을 알 수 있다.
실시예 4는 비교예 1이 함유하는 백색 안료 입자 2(본 발명에 관한 요건을 충족하지 않는다.) 75질량부 중 50질량부를 백색 안료 입자 1(본 발명에 관한 요건을 충족한다.)로 치환한 것이지만, 반사율의 값은, 시험편 두께 3.0㎜, 0.5㎜ 중 어느 조건에 있어서도 비교예 1에 대해서 높은 값을 나타내는 것을 알 수 있다.
실시예 1~4는, 본 발명의 요건을 만족하는 범위에 있는 조성물이지만, 모두, 시험편 두께 3.0㎜, 0.5㎜ 중 어느 조건에 있어서도 반사율이 높은 값을 나타내는 것을 알 수 있다.
본 발명은, 액정 폴리에스테르 수지 조성물이 갖는 뛰어난 내열성, 사출 성형성을 갖는 것에 더하여, 뛰어난 반사율을 구비한 것이며, 발광 장치 부재 및/또는 리플렉터 등의 높은 반사율이 요구되는 부재, 특히, 발광 장치가 백색 LED를 사용하는 경우의 부재로서 사용할 수 있다.

Claims (5)

  1. 배소(焙燒) 공정을 포함하는 제법으로 얻어진 평균 입자 직경 0.1~0.25㎛의 백색 안료 97~85질량％를 산화알루미늄(수화물을 포함한다) 3~15질량％(양자를 합해 100질량％로 한다.)로 표면 처리하여 이루어지는 백색 안료 입자 35~100질량부 및 전방향족 서모트로픽(thermotropic) 액정 폴리에스테르 100질량부를 포함하고, 용융 혼련(混練) 공정을 거쳐 얻어지는 수지 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 백색 안료가 황산법에 의해 얻어진 산화티탄(TiO2)인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 수지 조성물로부터 사출 성형하여 얻어진 480㎚파의 반사율이 80％ 이상인 성형 표면을 갖는 성형체.
  4. 청구항 3에 기재된 성형체가 발광 장치 부재 및/또는 리플렉터로서 사용되고 있는 광학 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    발광 장치가 백색 LED를 사용한 것임을 특징으로 하는 광학 장치.
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