KR101292475B1 - 전기분해를 이용한 박리제 재생방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 TFT-LCD제조공정 또는 반도체 제조 공정에서 포토레지스트를 제거하기 위해 사용된 박리제(Stripper) 또는 용제류를, 전기 분해 장치를 이용하여 포토레지스트를 분해시켜 박리제 또는 용제를 재생하여 사용하는 것을 것을 특징으로 하는 박리제 재생방법에 관한 것이다. 본 발명은 a)사용된 박리제 또는 용제류 폐액에 양극 금속판과 음금 금속판을 설치하고 전원부를 연결하는 공정, b) 상기 전원부에서 상기 금속판에 전원을 인가하여 박리제내의 포토레지스트를 분해시키는 방법을 포함하는 박리제 재생방법을 제공한다.
박리제, 전기분해, 포토레지스트, 재생방법
Description
도 1은 본 발명에 따라 박리제를 재생하기 위한 전기분해 장치의 개략도이다.
본 발명은 유기물질의 전기분해를 이용한 박리제(Stripper)의 재생방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 본 발명은 반도체 소자나 박막 트랜지스터 액정 표시패널(TFT-LCD PANEL)의 배선 형성 시 사용되는 포토레지스트를 제거하는데 사용 된 용제나 박리제를 재생하여 사용하기 위해, 전기분해를 이용하여 용액내의 포토레지스트를 분해 제거하는 것을 특징으로 하는 박리제 재생방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자나 박막트랜지스터 액정표시패널(TFT-LCD PANEL)의 금속배선 형성과정은 우선 스퍼터링 방법을 이용하여 기판 상에 금속막을 형성하는 금속막 형성공정, 금속막 상에 포토레지스트층이 형성되도록 금속막 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포 공정, 포토마스크에 의한 선택적 노광 및 현상과정을 통해 포토레지스트층을 패터닝하는 포토레지스트패턴 형성 공정, 포토레지 스트패턴에 의해 형성된 금속막의 금속 식각영역을 건식 또는 습식 식각하는 식각공정, 그리고 박리제를 이용하여 남아 있는 포토레지스트 패턴을 제거하는 박리공정을 포함하며, 이들 각각의 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함할 수 있다.
전술한 금속배선 형성과정 중 박리공정은 박리제를 이용하여 금속 배선 후에 남은 포토레지스트를 제거하는 공정을 의미하며, 통상적으로 박리 후에 박리제에 다량의 포토레지스트가 녹아 들어가 박리 성능이 떨어지면 폐액으로 처리를 하고 있다.
그러나 폐액으로 처리하게 될 경우에는 처리비용이 많이 들 뿐 아니라, 환경적으로도 해롭다는 문제점을 안고 있다.
이에 본 발명자는 전술한 문제점을 해소할 수 있는 방법을 찾기 위해 수많은 연구를 수행한 결과 전기분해방법을 이용하여 박리제 또는 유기용제 폐액 내의 포토레지스트 성분을 분해 제거함으로써 박리제의 수명을 연장시킬 수 있고, 또한 박리제를 재생하여 재활용함으로써 처리비용을 줄이고 또한 환경적으로도 유리하다는 사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하게 되었다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 TFT-LCD제조 공정 또는 반도체 제조공정에서 포토레지스트를 제거하기 위해서 사용된 박리제 또는 용제류를 재생하는 방법으로, a)박리제 또는 유기용제 폐액이 들어있는 전해조 내에 음극과 양극으로 구성된 금속 전극판을 각각 이격되게 설치 및 배열하고 상기 금속판에 전원부를 연결하는 단계; 및 b)상기 전원부에서 상기 금속 전극판에 전원을 인가하여 포토레지스트 성분을 분해 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박리제 재생방법을 제공한다.
이하, 도 1을 일예로 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 박리제 재생을 위한 전기분해 장치의 개략도로, 폐박리제를 수용할 수 있는 전해조에 음극 금속 전극판 1개 및 양극 금속 전극판 2개가 이격되어 설치되어 있으며, 상기 금속 전극판에 전원을 인가하는 전원부가 구비되어 있다.
상기 장치에 의하여 본 발명은, 박리제 또는 유기용제 폐액을 전해조에 넣고, a)상기 전해조 내에 음극과 양극으로 구성된 금속 전극판을 각각 1개 이상을 이격되게 설치 및 배열하고 상기 금속 전극판에 전원부를 연결하는 공정, b)상기 전원부에서 상기 금속 전극판에 전원을 인가하여, 박리제 내에 녹아 있는 포토레지스트 성분을 분해 제거하는 공정을 수행한다.
본 발명의 방법 중 상기 금속 전극판은 유기 용제나 박리제와 반응성이 없는 금속으로 마련되며, 바람직하게는 백금, 금, 스테인레스(SUS) 및 이들의 합금 중에서 선택 될 수 있으나, 상기 용액내에서 반응성이 없으면 반드시 이들로 제한되지는 않는다.
상기 a)단계에서 상기 금속 전극판의 모양은 판상, 그물형상, 다공성 금속판 등의 모양으로 만드는 것이 바람직하지만, 반드시 이들로 제한 되지는 않는다.
상기 a)단계에서 사용되는 금속 전극판의 수는 양극과 음극 각1개 이상으로 구성되며, 그 수는 제한되지 않는다. 금속 전극판이 2개 이상 배열될 경우에 양극과 음극 전극판이 엇갈리게 배열되도록 한다.
상기 a)단계에서 상기 금속 전극판에 걸리는 전압은 바람직하게는 -5.0 내지 +5.0 volt로 상기 전압을 제어하여 상기 포토레지스트의 분해속도 및 분해 정도를 조절하는 것이 바람직하다.
상기 전기분해는 10 내지 70℃에서 수행하며, 바람직하게는 상온에서 수행한다.
상기 전기분해를 이용해 재생할 수 있는 박리제나 유기용제는 전기분해시 인가 되는 전압에 의해 분해되지 않거나 반응성이 약한 그룹에서 선택 되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 박리제 또는 유기용제는 디이소부틸케톤 (Diisobutyl ketone), 메틸이소부틸케톤(Methyl isobutyl ketone), 3-메틸-2-부타논(3-Methyl-2-butanone), 2-헥사논(2-Hexanone), 에틸렌카보네이트(Ethylene carbonate), 프로필렌카보네이트 (Propylene carbonate), 포르믹아미드(Formicamide), 2-펜타논(2-Pentanone), 디아세톤알콜(Diacetone alcohol), 디메틸카보네이트(Dimethyl carbonate), 메틸이소부틸케톤(Methyl isobutenyl ketone), 5-메틸-3-헵타논(5-Methyl-3-heptanone), 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드(3-Buthoxy-N,N-dimethylpropionamide), 5-메틸-2-헥사논(5-Methyl-2-hexanone), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone), 2,5-헥산디온(2,5-Hexanedione), 2-헵타논(2-Heptanone), N-아세틸에탄올아민(N-acetylethanolamine), 2-피롤리디논 (2-pyrrolidinone), 감마-부티로락톤(gamma-Butyrolactone), 디메틸아세트아미드 (Dimethylacetamide), 2,4-톨루엔디이소시아네이트(2,4-Toluenediisocyanate)중에서 선택된 1종 이상이다.
본 발명에 따르면, 전해조 내에 스테인레스(SUS)또는 백금, 금과 같은 용제 또는 박리제와 반응성이 없는 금속판을 이용하여 양극과 음극을 구성하고, 반도체 소자나 박막트랜지스터 액정표시패널(TFT-LCD PANEL)의 제조상에서 사용된 다량의 포토레지스트가 녹아 들어가 박리 성능이 떨어진 박리제 폐액을 넣은 후, 전압을 인가하여 박리제 안에 용해되어 있는 포토레지스트 성분을 분해하여 재활용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전기분해장치를 이용하여 박리제 또는 유기용제 폐액내의 포토레지스트 성분을 분해 제거함으로써 박리제의 수명을 연장시킬 수 있고 박리제를 재생하여 재활용함으로써 처리비용을 크게 줄이고 또한 환경적으로도 유리하다.
Claims (8)
- TFT-LCD제조 공정 또는 반도체 제조공정에서 포토레지스트를 제거하기 위해서 사용된 박리제 또는 용제류를 재생하는 방법으로, a)박리제 또는 유기용제 폐액이 들어있는 전해조 내에 음극과 양극으로 구성된 금속 전극판을 이격되게 설치 및 배열하고 상기 금속판에 전원부를 연결하는 단계; 및 b)상기 전원부에서 상기 금속 전극판에 전원을 인가하여 포토레지스트 성분을 분해 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박리제 재생방법
- 청구항 1에 있어서, 상기 a)단계에서 상기 금속 전극판이 박리제 또는 유기 용제와 반응성이 없는 금속판으로서 백금, 금, 스테인레스(SUS) 및 이들의 합금으로 구성된 군에서 선택 되는 것을 특징으로 하는 재생 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 a)단계에서 상기 금속전극판의 모양은 판상, 그물형상 및 다공성 금속판에서 선택되는 것을 특징으로 하는 재생방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 a)단계에서 사용되는 금속 전극판의 수는 양극 및/또는 음극이 2개 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 재생방법.
- 청구항 4에 있어서, 금속 전극판이 각 2개 이상 배열될 경우에 양극과 음극 전극판이 엇갈리게 배열 되도록 하는 것을 특징으로 하는 재생방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 b)단계에서 상기 금속 전극판에 걸리는 전압은 -5.0 내지 +5.0 volt 이며, 상기 전압을 제어하여 상기 포토레지스트의 분해속도 및 분해 정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 재생방법.
- 청구항 1에 있어서, 전기분해를 이용해 재생하기 위한 박리제 또는 유기용제는 전기분해 시 인가되는 전압에 의해 분해되지 않거나 반응성이 약한 그룹에서 선택 되는 것을 특징으로 하는 재생방법.
- 청구항 7에 있어서, 상기 박리제 또는 유기용제가 디이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 3-메틸-2-부타논, 2-헥사논, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 포르믹아미드, 2-펜타논, 디아세톤알콜, 디메틸카보네이트, 메틸이소부틸케톤, 5-메틸-3-헵타논, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 5-메틸-2-헥사논, 1,3-디메틸-2- 이미다졸리디논, 2,5-헥산디온, 2-헵타논, N-아세틸에탄올아민, 2-피롤리디논, 감마-부티로락톤, 디메틸아세트아미드 및 2,4-톨루엔디이소시아네이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 재생방법.
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KR1020060082363A KR101292475B1 (ko) | 2006-08-29 | 2006-08-29 | 전기분해를 이용한 박리제 재생방법 |
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KR0153201B1 (ko) * | 1995-12-01 | 1998-11-16 | 김무 | 은 박리공정에서 방출되는 폐유기용액의 재생방법 |
JP2000305285A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 使用済レジスト用剥離液の再生方法 |
KR20000076546A (ko) * | 1999-01-29 | 2000-12-26 | 아리타 켄이치 | 박리액의재생방법및장치 |
JP2002131932A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Kimura Chem Plants Co Ltd | レジスト剥離液の再生回収方法及び再生回収装置 |
-
2006
- 2006-08-29 KR KR1020060082363A patent/KR101292475B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20000076546A (ko) * | 1999-01-29 | 2000-12-26 | 아리타 켄이치 | 박리액의재생방법및장치 |
JP2000305285A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 使用済レジスト用剥離液の再生方法 |
JP2002131932A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Kimura Chem Plants Co Ltd | レジスト剥離液の再生回収方法及び再生回収装置 |
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