KR101259000B1 - 박막의 물성을 변화시키는 방법 - Google Patents

박막의 물성을 변화시키는 방법 Download PDF

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Abstract

본 출원의 일 실시예에 따르는 박막의 물성을 변화시키는 방법에 있어서, 먼저 기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막을 준비한다. 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대하여 수소 이온을 조사한다. 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 조사된 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과하는 에너지 영역에서 이루어지며, 상기 수소 이온의 조사 과정을 통하여, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 운반자 농도 변화보다 상대적으로 큰 상기 운반자의 이동도의 변화를 발생시킨다.

Description

박막의 물성을 변화시키는 방법{method of changing property of thin film}
본 출원은 박막의 물성을 변화시키는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막의 운반자의 이동도를 변화시키는 방법에 관한 것이다.
종래에, 일반적으로 기판의 전기적인 특성을 개선하기 위해서는 박막 증착 방법의 변화, 박막에 불순물 주입 및 열처리, 불순물의 플라즈마 처리 등과 같은 방법이 사용되어왔다. 이와 같은 방법으로, 박막 내 전기적 운반자의 농도 분포를 조절하여 운반자의 이동도를 변화시켜 전기적인 특성을 개선하였다. 상술한 방법은 대체로 제조된 박막에 대하여 후속 공정을 통하여 에너지를 전달하여 상기 박막 내의 결함 및 내부 응력을 제거 또는 생성하거나, 상기 주입된 불순물의 확산을 유발하고 상기 박막의 재결정화를 촉진시켜 상기 박막의 전기적 특성을 향상시키는 방법이다.
상기 후속 공정은 박막 제조 공정에 있어서 추가적으로 진행되는 공정이고, 후속 공정 진행 중에 하부의 박막이 열적으로 손상을 받을 가능성이 있다. 따라서, 반도체 소자 크기의 축소에 따라, 과도한 열적 부담을 주지않는 운반자 이동도의 개선방법이 연구될 필요가 있다.
종래에, 한국출원번호 1999-0060801에서는 반도체 소자용 TFR의 형성에 있어서 수소 이온을 폴리실리콘막에 주입시켜 내부의 트랩 사이트 밀도를 낮춤으로써 캐리어 이동도를 높이는 기술이 개시된 바 있다.
본 출원이 이루고자 하는 기술적 과제는 과도한 후속 열처리 없이, 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막의 운반자의 이동도를 변화시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 출원이 이루고자 하는 기술적 과제는 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막의 운반자 농도의 실질적인 변화없이, 운반자의 이동도를 변화시키는 방법을 제공하는 것이다.
상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 출원의 일 측면에 따른 박막의 물성을 변화시키는 방법이 개시된다. 상기 박막의 물성을 변화시키는 방법에 있어서, 먼저 기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막을 준비한다. 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대하여 수소 이온을 조사한다. 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 조사된 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과하는 에너지 영역에서 이루어지며, 상기 수소 이온의 조사 과정을 통하여, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 운반자 농도 변화보다 상대적으로 큰 상기 운반자의 이동도의 변화를 발생시킨다.
본 출원의 일 실시 예에 의하면, 고온의 열에너지 없이 실온에서 수소 이온의 조사량에 따라 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막의 운반자의 이동도를 변화시킬 수 있다.
본 출원의 일 실시 예에 의하면, 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막의 결정구조의 변화없이, 그리고 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막 내의 이동도 농도의 실질적인 변화없이, 운반자의 이동도를 변화시킬 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따르는 박막의 물성을 변화시키는 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 있어서, 수소 이온 조사에 따르는 타이타늄 산화물 박막의 X선 회절 패턴을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 출원의 일 실시 예에 있어서, 수소 이온 조사에 따르는 아연산화물 박막의 X선 회절 패턴을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 출원의 일 실시 예에 있어서, 수소 이온 조사에 따르는 타이타늄 산화물 박막의 운반자 농도 및 운반자 이동도의 변화를 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다.
한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. “제1 ” 또는 “제2 ” 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
또, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, “포함하다” 또는 “가지다”등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따르는 박막의 물성을 변화시키는 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다. 도 1을 참조하면, 먼제 110 블록에서 기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막을 준비한다. 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 일 예로서, 아연, 타이타늄, 하프늄, 인듐, 갈륨, 주석 또는 이들의 둘이상의 조합을 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 일 예로서, 원자층 증착법, 플스 레이저 증착법, 스퍼터링법, 프린팅법, 졸-겔법 등의 공지의 방법으로 형성될 수 있다.
120 블록에서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 조사될 수소 이온의 농도 및 상기 수소 이온을 조사할 이온 가속기의 에너지를 결정한다. 일 실시 예에 의하면, 상기 수소 이온의 농도 및 상기 이온 가속기의 에너지는 상기 수소 이온의 조사 후에 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대한 결정성을 변화시키지 않고, 상기 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과할 수 있는 범위 안에서 결정할 수 있다. 상기 수소 이온의 농도 및 상기 이온 가속기의 에너지는 상기 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막의 두께 전체를 투과할 수 있는 에너지 범위 내에서 결정될 수 있다.
130 블록에서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 수소 이온을 조사한다. 상기 120 블록에서 결정된 농도를 가지도록 수소 이온을 형성하고, 상기 수소 이온을 상기 결정된 에너지로 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 조사한다. 발명자는 상기 조사된 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막의 결정성 등과 같은 상기 박막 구조에 영향을 주지 않고, 상기 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과할 것으로 판단한다. 상기 수소 이온의 조사는 실온에서 진행될 수 있다.
140 블록에서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막의 운반자의 이동도를 확인한다. 일 실시 예에 있어서, 상기 운반자의 농도 및 이동도는 공지의 홀 효과(Hall Effect) 소자에 의하여 측정할 수 있다. 본 출원의 일 실시 예에 의하면, 상기 수소 이온을 조사하게 되면, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 운반자 농도의 변화보다 상대적으로 큰 상기 운반자의 이동도 변화를 발생시킬 수 있다. 일 예로서, 상기 수소 이온의 조사를 통하여, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 상기 운반자 농도의 변화없이 상기 운반자의 이동도 변화를 발생시킬 수 있다. 명확하게 밝혀진 것은 아니지만, 발명자는 상기 수소 이온의 조사를 통하여, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 금속 원자와 산소 원자간의 전자 결합에 영향을 미침으로써, 상기 운반자의 이동도를 변화시킨다고 판단한다. 따라서, 상기 수소 이온의 조사를 통해, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 운반자의 실질적인 변화없이, 운반자의 이동도를 변화시킬 수 있는 것으로 판단한다. 본 단계에서, 확인되는 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막의 운반자의 이동도가 미리 설계하였던 수치보다 벗어나는 경우에 120 단계로 되돌아가서 상기 수소 이온 농도 및 상기 이온 가속기의 에너지를 수정할 수 있다.
본 출원의 일 실시 예에 의하면, 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막에 대하여 수소 이온을 조사함으로써, 고온의 열에너지 없이 실온에서 수소 이온의 조사량에 따라 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막의 운반자의 이동도를 변화시킬 수 있다.
이하에서는 본 출원의 기술적 사상을 보다 구체적으로 실시예를 통해 설명하기로 한다.
실시예
100 nm의 실리콘 산화막이 형성된 기판 상에 타이타늄산화막(TiO), 아연산화막(ZnO)을 RF 파워 100W, 75W를 이용하는 스퍼터링 방법으로 각각 50 nm 두께로 증착하였다. 상기 TiO 박막 및 상기 ZnO 박막에 대하여 각각 1.0 X 1014, 1.0 X 1015atoms/cm2 의 수소 이온을 조사하였다.
실험예
상기 스퍼터링 방법에 의해 증착하고, 수소 이온을 조사하지 않은 TiO 박막, 1.0 X 1014 의 농도로 수소이온을 조사한 TiO 박막 및 1.0 X 1015의 농도로 수소이온을 조사한 TiO 박막에 대하여 X선 회절 분석을 실시하여 수소 이온 조사에 따른 TiO 박막의 결정성을 평가하였다. 그리고, 상기 TiO 박막들에 대하여 홀 효과 소자를 이용하여 운반자의 이동도 측정을 수행하였다.
마찬가지로, 상기 스퍼터링 방법에 의해 증착하고, 수소 이온을 조사하지 않은 ZnO 박막, 1.0 X 1014 의 농도로 수소이온을 조사한 ZnO 박막 및 1.0 X 1015의 농도로 수소이온을 조사한 ZnO 박막에 대하여 X선 회절 분석을 실시하여 수소 이온 조사에 따른 ZnO 박막의 결정성을 평가하였다. 그리고, 상기 ZnO 박막들에 대하여 홀 효과 소자를 이용하여 운반자의 이동도 측정을 수행하였다.
고찰
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 있어서, 수소 이온 조사에 따르는 타이타늄 산화물 박막의 X선 회절 패턴을 나타내는 그래프이다. 도 2를 참조하면, 증착 후 수소 이온을 조사하지 않은 TiO 박막(도면에서, ′as-dep´으로 표기)은 Ti 및 O 원자와 관련된 회절 피크가 관찰되지 않으므로 비정질 상태이며, 1.0 X 1014 의 농도 및 1.0 X 1015의 농도로 수소이온을 조사한 후에도 TiO 박막은 비정질 상태를 유지하고 있는 것으로 관찰된다. 상기 그래프로부터, TiO 박막에는 수소 이온 조사에 따른 결정성의 변화가 발생하지 않았으며, 새로운 화합물이 생성되지도 않은 것으로 판단된다.
도 3은 본 출원의 일 실시 예에 있어서, 수소 이온 조사에 따르는 아연산화물 박막의 X선 회절 패턴을 나타내는 그래프이다. 도 3을 참조하면, 증착 후 수소 이온을 조사하지 않은 ZnO 박막(도면에서, ′as-dep´으로 표기)은 ZnO(002)의 결정상을 나타내는 회절 피크가 관찰되므로 결정질 상태이며, 1.0 X 1014 의 농도 및 1.0 X 1015의 농도로 수소이온을 조사한 후에도 ZnO 박막은 결정질 상태를 유지하고 있으며, 새로운 회절 피크가 발생하지 않은 것으로부터 새로운 화합물이 생성되지 않은 것으로 관찰된다. 상기 그래프로부터, ZnO 박막에는 수소 이온 조사에 따른 결정성의 변화가 발생하지 않았으며, 새로운 화합물이 생성되지도 않은 것으로 판단된다.
도 4는 본 출원의 일 실시 예에 있어서, 수소 이온 조사에 따르는 타이타늄 산화물 박막의 운반자 농도 및 운반자 이동도의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 4를 참조하면, 수소 이온을 조사하지 않은 TiO 박막 (도면에서, ′as-dep´으로 표기)과 1.0 X 1014 의 농도 및 1.0 X 1015의 농도로 수소 이온을 조사한 TiO 박막을 서로 비교하면, 수소 이온의 조사에 따라 TiO 박막 내부의 운반자인 전자의 농도는 실질적으로 변화가 없는 것으로 보일 정도로 미미한 전자 농도의 변화만이 관찰되었다. 이에 비하여, 홀 효과 소자를 통해 측정된 전자 이동도는 조사된 수소 이온의 농도가 증가할 수록 감소하는 경향을 나타내었다.
도 5는 본 출원의 일 실시 예에 있어서, 수소 이온 조사에 따르는 아연산화물 박막의 운반자 농도 및 운반자 이동도의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 5를 참조하면, 수소 이온을 조사하지 않은 ZnO 박막 (도면에서, ′as-dep´으로 표기)과 1.0 X 1014 의 농도 및 1.0 X 1015의 농도로 수소 이온을 조사한 ZnO 박막을 서로 비교하면, 수소 이온의 조사에 따라 ZnO 박막 내부의 운반자인 전자의 농도는 실질적으로 변화가 없는 것으로 보일 정도로 미미한 전자 농도의 변화만이 관찰되었다. 이에 비하여, 홀 효과 소자를 통해 측정된 전자 이동도는 조사된 수소 이온의 농도가 증가할 수록 증가하는 경향을 나타내었다.
이상에서는 도면 및 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 출원의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원에 개시된 실시예들을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
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Claims (9)

  1. 기판 상에 형성되는 산화물 반도체 박막 또는 산화물 전도체 박막을 준비하는 과정;
    상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대하여 수소 이온을 조사하는 과정을 포함하고,
    상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 조사된 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과하는 이온 가속기의 에너지 영역에서 이루어지며,
    상기 수소 이온의 조사 과정을 통하여, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 운반자 농도 변화보다 상대적으로 큰 상기 운반자의 이동도의 변화를 발생시키는
    박막의 물성을 변화시키는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대한 결정성의 변화를 수반하지 않고, 상기 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막을 투과하도록 수행하는
    박막의 물성을 변화시키는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 수소 이온이 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막의 두께 전체를 투과할 수 있는 상기 이온 가속기의 에너지 범위 내에서 수행하는
    박막의 물성을 변화시키는 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막 내의 상기 운반자 농도의 변화없이, 상기 운반자의 이동도 변화를 발생시키는
    박막의 물성을 변화시키는 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 아연, 타이타늄, 하프늄, 인듐, 갈륨 및 주석으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 박막의 물성을 변화시키는 방법
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 원자층 증착법, 플스 레이저 증착법, 스퍼터링법, 프린팅법 및 졸-겔법으로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 증착되는 박막의 물성을 변화시키는 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 산화타이타늄을 포함하며, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화타이타늄의 운반자의 이동도를 감소시키는
    박막의 물성을 변화시키는 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막은 산화아연을 포함하며, 상기 수소 이온의 조사 과정은 상기 산화아연의 운반자의 이동도를 증가시키는
    박막의 물성을 변화시키는 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 수소 이온의 조사 과정은 상온에서 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 산화물 전도체 박막에 대하여 수행되는
    박막의 물성을 변화시키는 방법.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030095252A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 샤프 가부시키가이샤 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20040018166A (ko) * 2002-08-21 2004-03-02 샤프 가부시키가이샤 ＳｉＧｅ 막을 가지는 반도체 기판을 개선하는 방법 및 이방법을 이용하여 제조된 반도체 장치
KR20100016892A (ko) * 2008-08-05 2010-02-16 경북대학교 산학협력단 유기태양전지 제조방법
KR20100026990A (ko) * 2008-08-28 2010-03-10 캐논 가부시끼가이샤 아모르포스 산화물 반도체 및 그 아모르포스 산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030095252A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 샤프 가부시키가이샤 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20040018166A (ko) * 2002-08-21 2004-03-02 샤프 가부시키가이샤 ＳｉＧｅ 막을 가지는 반도체 기판을 개선하는 방법 및 이방법을 이용하여 제조된 반도체 장치
KR20100016892A (ko) * 2008-08-05 2010-02-16 경북대학교 산학협력단 유기태양전지 제조방법
KR20100026990A (ko) * 2008-08-28 2010-03-10 캐논 가부시끼가이샤 아모르포스 산화물 반도체 및 그 아모르포스 산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터

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