KR101247415B1 - 기판 상에 제작된 반도체 광 디바이스 및 그 제작 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 Ⅳ족 원소 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅳ족 화합물 반도체, Ⅳ족 화합물 반도체, 유기 반도체, 금속 결정 또는 그들 유도체 또는 유리에서 선택된 재료로 이루어지는 기판 상에 성장된 몰리브덴 산화물을 사용하여 형성된 짧은 파장의 광을 발광 또는 흡수하는 광 디바이스에 관한 것이다.
청색광에서 원자외선에 이르는 파장의 광을 발광하는 신규의 저가의 광 디바이스가 실현된다.
광 디바이스, 광소자, 몰리브덴 산화물

Description

기판 상에 제작된 반도체 광 디바이스 및 그 제작 방법{PHOTONIC DEVICES FORMED ON SUBSTRATES AND THEIR FABRICATION METHODS}
도 1은 본 발명의 제 1의 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략도.
도 2는 본 발명의 제 2의 실시예에 따른 레이저 다이오드의 개략도.
기술분야
본 발명은 공지의 반도체 광 디바이스(semiconductor photonic devices)에 사용되는 재료로 이루어지는 기판 상에 형성된 몰리브덴 산화물을 포함하는 반도체 광 디바이스에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광 디바이스는 짧은 파장의 광을 발광 또는 흡수한다.
구체적으로는, 본 발명은 공지의 반도체 광 디바이스에 사용되는 재료로 이루어지는 기판 상에 형성된 청색광 또는 자외광을 발광하는 신규의 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 디바이스는 갈륨 질화물(GaN) 또는 실리콘카바이드(SiC)와 같은 공지의 반도체로 이루어진 디바이스에 수반되는 문제점을 극복할 가능성을 갖는다. 또한, 본 발명은 GaN 발광 다이오드가 발광할 수 있는 361㎚보다 더 짧은 파장의 광을 발광하는 공지의 반도체 광 디바이스에서 사용되는 재료로 이루어지는 기판 상에 형성된 광 디바이스에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 361㎚보다 더 짧은 파장의 광을 흡수하여 전력으로 변환하는 공지의 반도체 광 흡수 디바이스에 사용되는 재료로 이루어지는 기판 상에 형성되는 광 흡수 디바이스에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 통상의 전자장치와 광 디바이스에 사용되어 온 재료로 이루어진 기판 상에 상기 광 디바이스를 제조하는 신규의 새로운 방법에 관한 것이다.
배경기술
최근, 빛의 삼원색을 실현하고 디지털 비디오 디스크(DVD)용의 짧은 파장의 광을 얻기 위해 청색광을 발광하는 발광 다이오드가 개발되고 있다. 개발된 청색광 발광 디바이스는 발광에 아주 중요한 액티브 영역으로서 갈륨 질화물(GaN)을 사용한다. GaN의 밴드갭은 약 3.43eV이며 이것은 361㎚에 대응한다. GaN 디바이스로부터 청색광을 얻을 수 있지만, 약간의 어려운 문제점이 있다. 먼저, 질소의 평형 증기 압력이 갈륨의 것보다 상대적으로 아주 높기 때문에, 큰 결정의 GaN을 얻을 수 없다. 따라서, 사파이어 또는 실리콘카바이드(SiC)로 이루어진 기판이 사용된다. 사파이어와 GaN 사이에 16%의 격자 불일치가 있기 때문에 사파이어 기판 상에 GaN이 직접적으로 형성될 수는 없다. 따라서, GaN의 성장 이전에 사파이어 기판 상에 알루미늄 질화물(AlN)의 버퍼층이 형성된다. AlN 속으로 불순물을 도핑하는 것이 어렵기 때문에 AlN은 저항적이다. 따라서, 구조와 그 제조 프로세스가 엄격하게 제한된다. 한편, 큰 결정의 SiC는 2200 내지 2400℃의 아주 고온에서 성장될 수 있기 때문에, SiC 기판은 아주 고가이다.
아연 산화물(ZnO)은 청색광 발광 디바이스를 형성하는데 사용될 가능성이 있다. 그러나, 그 밴드갭은 GaN 디바이스가 발광하는 것보다 더 큰 387㎚의 파장에 대응하는 3.2eV이다. 또한, ZnO를 이용하여 실제 디바이스를 실현하기 위해서는 해결해야 할 많은 문제점이 있다.
현 시점에서 반도체 광 디바이스가 발광할 수 있는 광의 가장 짧은 파장은 GaN 디바이스가 발광할 수 있는 파장이다. DVD 메모리의 최대 밀도는 파장에 의해 결정된다. 따라서, DVD 메모리의 최대 밀도를 증가시키거나 또는 He-Cd 레이저와 같은 가스 레이저를 대체하기 위해서는 더 짧은 파장의 광을 발광할 수 있는 신규의 광 디바이스가 요구된다. 또한, GaN 디바이스가 발광할 수 있는 361㎚보다 더 짧은 파장 또는 250 내지 350㎚와 같은 짧은 파장의 원자외선(deep ultraviolet rays)의 광을 발광할 수 있는 신규의 디바이스가 요구된다.
신규의 장치를 실현하기 위해 해결해야 할 문제점은 사파이어 또는 SiC와 같은 고가의 기판을 대체하는 신규의 기판을 얻는 것이다.
두 번째 문제점은 GaN 또는 SiC층이 형성되는 낮은 온도에서 성장될 수 있는 신규의 반도체를 실현하는 것이다. 높은 온도에서 반도체층을 형성하는데에는 큰 에너지가 필요하다. 또한, 원자가 층 사이를 원자가 이동하여 조성이 변경되거나 또는 도펀트가 층간 계면 근처로 이동할 가능성이 있다. 1000℃보다 더 높은 온도에서 GaN 또는 SiC의 층을 형성할 필요가 있다.
상기 상술된 문제점은 이러한 광 디바이스에 대해 몰리브덴 산화물을 사용하 는 것에 의해 부분적으로 해결될 수 있다. 본 발명의 발명가는 고품질의 몰리브덴 산화물 결정이 3.2eV보다 더 큰 밴드갭을 가지며 광 디바이스 및 전자장치에 사용하기에 아주 유익하다는 사실을 발견하였다(미국 특허출원 제10/848,145호 및 제10/863,288호).
상기 상술된 특허 출원에 있어서, 본 발명의 발명가에 의해 발견된 사실과 방법을 설명한다. 그 내용은 다음과 같이 요약된다.
(ⅰ) 고품질의 몰리브덴 산화물 결정은 3.45 내지 3.85eV의 밴드갭을 갖는다. 이 결과는 순도 99.99995%의 산소에서 순도 99.99%의 몰리브덴 판의 산화에 의해 성장된 10㎛보다 더 두꺼운 두께를 갖는 몰리브덴 산화물층에 대한 실험에 의해 얻어졌다. 예를 들면, 550℃에서 120분 동안의 산화에 의해 형성된 몰리브덴 산화물은 3.66eV의 밴드갭을 갖는다. 본 발명의 발명가에 의해 발명된 방법에 의해 형성된 몰리브덴 산화물이 이전에 보고된 것보다 더 큰 밴드갭을 갖는 이유는 이전에 보고된 것보다 더 큰 두께를 갖는 고품질의 몰리브덴 산화물 때문이다. 밴드갭은 층의 구조, 즉 결정 또는 비결정, 층의 스트레인 및 순도에 의해 영향을 받는다.
(ⅱ) 본 발명가의 방법에 의해 형성된 몰리브덴 산화물도 전자 특성의 측정에 기초하여 반도체인 것이 확인되었다.
그러나, 상기 상술된 특허 출원에 있어서, 몰리브덴 산화물 결정은 금속 몰리브덴 판의 일부의 산화에 의해 형성되었다. 몰리브덴 판이 결정이 아니기 때문에, 벽개(cleavage)와 같은 일부 제조 기술은 사용될 수 없었다. 또한, 몰리브덴 산화물층이 몰리브덴 판의 산화에 의해 형성될 때 몰리브덴 산화물층의 두께를 정 확하게 제어하는 것이 어려웠다.
따라서, 바람직하게는, 공지의 디바이스에서 사용되는 재료로 이루어지며 결정인 신규의 기판 상에 3.2eV보다 더 큰 밴드갭을 갖는 반도체 결정의 층을 형성하는 것이 요구된다.
몰리브덴 산화물이 850℃보다 낮은 온도에서 만들어질 수 있기 때문에, 디바이스의 주요 부분에 고품질의 몰리브덴 산화물을 사용하는 것에 의해 상기 상술된 두 번째 문제점은 해결될 수 있다.
본 발명은 기판 상에 성장된 금속 산화물을 포함하는 반도체 광 디바이스와 그 제조 방법에 관한 것이다.
금속 산화물은 3.2eV보다 더 큰 밴드갭을 가지며 광 디바이스 제조에 아주 유용한 몰리브덴 산화물을 포함한다. 몰리브덴 산화물은 387㎚보다 더 짧은 파장을 갖는 광을 발광하는 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드를 제조하는데 특히 유용하다.
본 발명의 중요한 한 양태는, 통상의 광 디바이스와 전자장치에서 전통적으로 사용되어 온 임의의 재료로 이루어지는 기판 상에 몰리브덴 산화막이 형성된다는 것이다. 이러한 기판 재료로 사용될 수 있는 가장 대중적인 재료는 실리콘이다.
본 발명의 다른 중요한 양태는 기판 상에 광 디바이스를 제조하는 신규의 방법이다. 이 신규의 방법에 따르면, 적어도 금속 산화물로 이루어진 제 1의 층이 기 판 상에 형성되는데, 몰리브덴 산화물이 기판 상에 직접 형성되는 것이 바람직하다. 본 발명의 신규의 방법은 다음과 같은 일련의 단계를 포함한다. 제 1의 단계에서 기판과 소스 재료가 성장 챔버 내에 배치된다. 대표적인 소스 재료는 몰리브덴 판이고 대표적인 기판은 실리콘을 포함한다. 제 2의 단계에서, 소스 재료의 온도가 기판의 온도보다 더 높게 되도록 성장 챔버 내에서 온도 프로파일이 형성된다. 온도 프로파일이 형성된 후, 제 3의 단계에서, 소정의 디바이스를 형성하는데 필요한 몰리브덴 산화물의 두께에 의존하여 소정 기간 동안 산소 가스가 유입된다.
광 디바이스의 몰리브덴 산화물층(또는 몰리브덴 산화물층들)은 상기 상술된 단계와 유사한 단계를 포함하는 임의의 방법을 사용함으로써 형성될 수 있다. 그 경우, 기판은 디바이스의 일부를 포함할 수도 있다.
임의의 적절한 기판은, 실리콘 및 게르마늄과 같은 Ⅳ족 원소 반도체, 갈륨아세나이드(GaAs) 및 갈륨포스파이드(GaP)와 같은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, 아연 산화물과 같은 Ⅱ-Ⅳ족 화합물 반도체, Ⅳ족 화합물 반도체, 유기 반도체, 금속 결정 또는 그들 유도체 또는 유리에서 선택된 재료로 이루어진다.
양호한 실시예의 상세한 설명
본 발명의 양호한 실시예를 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시예에 따른 발광 다이오드(1)의 구조를 개략적으로 도시한다. 본 실시예에 있어서, 기판(2)은 실리콘으로 구성된다. 그러나, 다른 재료가 기판으로 사용될 수도 있다. 기판은 전기적으로 전도성이 있는 것이 바람직하다. 실리콘 기판(2) 상에는 몰리브덴 산화물로 이루어진 층(3)이 형성된다. 이 층(3)은 다음의 단계에 의해 형성되었다. 몰리브덴(Mo) 판이 소스로 사용되었고 실리콘(Si) 기판이 본 실시예에서 사용되었다. 먼저, 소스와 실리콘 기판(2)이 세척되고 건조된다. 그 다음 이들을 성장 챔버내에 설치한다. 다음 단계에서, 질소 분위기 하에서 소스 영역의 온도를 650℃로 하고 기판 영역의 온도를 550℃로 하도록 성장 챔버가 가열된다. 소스와 기판(2)이 상기 온도로 각각 가열된 후, 고순도의 산소가 성장 챔버로 유입되어 6시간동안 유지된다. 상기 층(3)의 두께는 6㎛이다. 상기 층(3)을 의도적으로 도핑하진 않았지만, 상기 층(3)은 n형이다. 이것은 산소 공극(oxygen vacancies)이 도우너로서 작용하기 때문인 것으로 생각된다. 상기 층(3)이 상기 기판(2)과는 다른 조성을 갖기 때문에 발생하는 상기 층(3)에서의 흐트러짐(disorder)을 제한하기 위해서 상기 층(3) 상에 버퍼 층(4)이 형성된다. 예를 들면, 상기 층(4)은, 소스 온도가 700℃이고 기판의 온도가 630℃인 성장 조건에서 상기 층(3)을 형성하는데 사용된 방법과 유사한 방법에 의해 형성되는 몰리브덴 산화물로 구성된다. 상기 층(4)은 3×1017㎝-3의 캐리어 농도를 갖는 n형이다.
상기 층(4)의 두께는 4.0㎛이다. 상기 층(4) 상에는 몰리브덴 산화물로 이루어진 층(5)이 형성된다. 상기 층(5)은 상기 층(3)을 형성하는데 사용된 방법과 유사한 방법에 의해 형성되는데, 이 방법에서는, 예를 들면, 소스의 온도가 670℃이고 기판의 온도가 600℃이다. 상기 층(5)은 6×1016㎝-3의 전자 농도를 갖는 n형이다. 상기 층(5)이 결정학적 품질은 상기 층(4)보다 더 좋다. 상기 층(5)의 두께는 3.0㎛이다. 발광 다이오드(1)의 효율을 가능한 한 높게 할 필요가 없는 경우에는 상기 층(5)을 형성할 필요가 없다. 상기 층(5) 위에 p형 몰리브덴 산화물의 층(6)이 형성된다. 상기 층(6)은, 예를 들면 1.0×1017㎝-3의 홀 농도로 아연에 의해 도핑된다. 상기 층(6)은 상기 층(3)을 형성하는데 사용된 방법과 유사한 방법에 의해 형성되는데, 이 방법에서는 소스 온도가 670℃이고 기판의 온도가 600℃이며 도펀트 소스(ZnO)가 소스와 기판 사이의 영역에 설정된다. 도펀트 소스의 온도는 630℃이다. 상기 층(6)의 두께는 2.0㎛이다. 상기 층(6) 상에 전극(7)이 형성된다. 전극(7)은 발광을 방해하지 않기 위해서 도넛의 형상(링 형상)을 갖는다. 본 실시예에서는 전극이 금으로 이루어졌지만, 금속에 대해 다른 재료가 사용될 수도 있다. 전극(7)은 발광 다이오드의 상부 전극이며, 하부 전극(8)은 금의 진공 증착에 의해 실리콘 기판의 바닥면에 형성된다. 시뮬레이션에 의해 얻어진 발광 다이오드(1)의 특성은 다음과 같다. 전류가 20㎃일 때 순바이어스에서의 전압은 10V이고, 전류가 20㎃일 때 광 전력(light power)은 60㎼이며, 피크 파장은 330㎚이다.
도 2는 본 발명의 제 2의 실시예에 따른 레이저 다이오드(100)를 도시한다. 본 실시예에서는 기판(101)이 실리콘이지만, 다른 재료가 사용될 수도 있다.
기판(101)은 전기적으로 전도성이 있는 것이 바람직하다. 몰리브덴 산화물로 이루어지는 층(102)은 상기 기판(101) 상에 다음과 같은 단계에 의해 형성된다. 몰리브덴 판이 소스로서 준비된다. 먼저, 몰리브덴 판과 실리콘 기판을 세척, 건조하고 성장 챔버 내에 설치한다. 그 다음, 질소 분위기 하에서 소스의 온도가 650℃로 되고 기판의 온도가 550℃로 되도록 성장 챔버를 가열한다. 소스와 기판을 상기의 온도로 각각 가열한 후, 고순도의 산소를 성장 챔버 내에 유입시켜 산소의 흐름을 4시간 동안 유지한다. 상기 층(102)의 두께는 4.0㎛이다. 상기 층(102)에 대해서 의도적으로 도핑하지는 않았지만, 상기 층(102)은 n형이다. 제 1의 실시예에서 설명한 바와 같이, 산소 공극이 도우너로서 작용하기 때문인 것으로 생각된다.
상기 층(102)에서의 흐트러짐을 제한하기 위해서 상기 층(102)에 버퍼층(103)이 형성된다. 흐트러짐은 상기 층(102)이 상기 기판(101)과 상이한 조성을 갖기 때문에 발생한다. 상기 층(103)은 제 1의 실시예의 상기 층(3)을 형성하는데 사용된 방법과 유사한 방법에 의해 형성되는 몰리브덴 산화막으로 이루어지는데, 이 방법에서는 소스의 온도가 700℃이고 기판의 온도가 630℃이다. 상기 층(103)은 3×1017㎝-3의 캐리어 농도를 갖는 n형이다. 상기 층(103)의 두께는 3.0㎛이다. 상기 층(103) 상에 크롬 몰리브덴 산화물(Cr0 .1Mo0 .9O3)의 층(104)이 형성된다. 크롬 몰리브덴 산화물의 상기 층(104)은 몰리브덴 산화물보다 더 큰 밴드갭을 가지며 레이저 다이오드의 액티브 층 내에서 캐리어와 광을 제한하는 클래딩 층으로서 작용한다. 상기 층(104)은 의도적으로 도핑되지는 않았지만, 6×1016㎝-3의 캐리어 농도를 갖는 n형이다. 이것은 상기 층(3)을 형성하는데 사용된 방법과 유사한 방법에 의해 형성되는데, 이 방법에서는 기판(101)의 온도가 600℃이고, 소스, 즉 몰리브덴 판의 온도가 670℃이다. 크롬 산화물은 다른 소스로서 사용되고 그 온도는 또한 670℃이다. 성장 시간은 3시간이고 상기 층(104)의 두께는 3.0㎛이다. p형 몰리브덴 산화물의 층(105)은 레이저 다이오드(100)의 액티브 층으로서 상기 층(104) 상에 형성 된다. 상기 층(105)은 아연으로 도핑되고 정공 농도는 1×1017㎝-3이다.
이것은 제 1의 실시예의 상기 층(3)을 형성하는데 사용된 방법과 유사한 방법에 의해 형성되는데, 이 방법에서는 상기 층(102, 103, 및 104)이 형성된 기판(101)의 온도는 550℃이고, 몰리브덴 소스의 온도는 650℃이다. 도펀트 소스로서는 아연 산화물이 사용되며 기판과 소스 사이에서 온도가 630℃인 곳에 놓여진다. 상기 층(105)의 두께는 0.5㎛이다. 상기 층(105) 위에 크롬 몰리브덴 산화물(Cr0 .1Mo0 .9O3)로 이루어진 층(106)이 형성된다. 상기 층(106)은 몰리브덴 산화물의 액티브 층(105)보다 더 큰 밴드갭을 가지며 레이저 다이오드(100)의 클래딩 층(105)으로서 동작한다. 상기 층(106)은 상기 제 1의 실시예의 상기 층(3)을 형성하는데 사용된 방법과 유사한 방법에 의해 형성되는데, 이 방법에서는 몰리브덴과 크롬 소스의 온도가 670℃이고 상기 층(102, 103, 104, 및 105)이 형성된 기판의 온도가 570℃이다. 도펀트 소스로서는 아연 산화물이 사용되고 소스와 기판 사이에서 온도가 650℃인 곳에 놓여진다. 상기 층(104)은 4.0×1017의 정공 농도를 갖는 p혀이고 3.0㎛의 두께를 갖는다. 상기 층(106)에서 중앙의 스트립 영역(108)을 제외한 영역 상에 실리콘 이산화물로 이루어진 층(107)이 형성된다. 실리콘 이산화물은 저항성을 갖기 때문에, 스트립 영역(108)에서만 전류가 흐르도록 제한된다. 실리콘 이산화물층(107)은, 예를 들면, 스퍼터링에 의해 형성되고 100㎚의 두께를 갖는다. 상기 층(107) 상에 그리고 상기 스트립 영역(108) 내에 전극 층(109)이 형성된다. 전극 층(109)이 일 실시예에서 금의 진공 퇴적(vacuum deposition)에 의해 형성되 지만, 다른 재료 및 다른 퇴적 방법이 사용될 수도 있다. 상기 층(109)은 레이저 다이오드(100)의 상부 전극이며 기판(101)이 전도성을 갖기 때문에 기판(101)이 하부 전극으로 동작한다. 본 실시예에서 스트립 영역(108)의 폭과 길이는 각각 20㎛와 50㎛이다. 도 2는 레이저 다이오드(100)의 한 에지 표면을 도시하며, 다른 에지 표면은 상기 스트립(108)의 길이만큼 떨어져서 상기 한 에지 표면과 평행하다. 한 쌍의 평행한 표면은 레이저 다이오드(100)의 페브리 페로(Fabry-Perot) 공진기를 형성한다. 레이저 다이오드에서 페브리 페로 공진기의 기능은 해당 기술분야에서 잘 알려져 있다. 페브리 페로 공진기를 형성하기 위해, 두 에지 표면은 하프 미러이다. 본 실시예에서, 기판(101)이 결정성의 실리콘이기 때문에, 에지 표면은 벽개(cleavage)에 의해 형성되다. 벽개는 해당 기술분야에서 잘 알려져 있다. 에지 표면을 형성하기 위해 반응성 이온 에칭과 같은 다른 방법이 사용될 수도 있다.
레이저 다이오드(100)의 특징은 다음과 같은 시뮬레이션에 의해 나타내어진다. 5㎲/1㎑의 펄스 발진에서 임계 전류 밀도와 임계 전압은 각각 5.05㎄/㎠와 16.2V이다. 피크 파장은 330㎚이다.
도 2는 레이저 다이오드의 핵심 요소만을 도시하는데, 레이저 다이오드의 특성을 향상시키기 위해 다른 요소가 부가될 수도 있다. 예를 들면, 전극의 특성을 향상시키기 위해 저저항성의 p형층이 하나의 클래딩층(106) 상에 형성된다.
도 2에 도시된 실시예에서 클래딩층(104 및 106)이 크롬 몰리브덴 산화물(Cr0.1Mo0.9O3), 몰리브덴 산화물보다 더 큰 밴드갭을 갖기만 하면 다른 화합물을 갖 는 크롬 몰리브덴 산화물(CrXMo1 - XO3, X>0.1) 또는 다른 재료가 사용될 수도 있다.
본 발명의 상세를 발광 다이오드 및 레이저 다이오드의 실시예를 참조로 설명하였다. 고순도의 몰리브덴 산화물이 큰 밴드갭을 갖는다는 사실로부터 얻어지는 이점은 본 발명의 원리에 기초한 다른 광 디바이스에서도 유용하다. 또한, 공지의 반도체 광 디바이스에서 사용되는 재료로 이루어진 기판 상에 몰리브덴 산화물이 형성될 수 있다는 사실은 다른 광 디바이스에서 본 발명의 이점을 더욱 유용하게 한다. 본 발명의 이러한 응용은 종래기술에서 쉽게 유도되며 이들은 본 발명의 범위 내에 포괄된다.
예를 들면, 몰리브덴 산화물은 광도전성 디바이스, 광다이오드, 광트랜지스터, CCD 및 태양전지와 같은 디바이스에서 사용된다. 몰리브덴 산화물은 이러한 디바이스의 광흡수 영역에서 사용된다. 특히, 공지의 반도체 디바이스에서 사용되는 재료로 이루어지는 기판 상에 형성된 몰리브덴 산화물이 광 디바이스에서 사용되기 때문에, 광 디바이스의 여러 가지 제조 기술이 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 광 디바이스에 대한 몰리브덴 산화물의 적용 가능성이 크게 확대된다.

Claims (9)

  1. 반도체 광 디바이스에 있어서,
    Ⅳ족 원소 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅳ족 화합물 반도체, 유기 반도체, 또는 그들 유도체 또는 유리에서 선택된 재료로 이루어지는 기판 상에 형성된 몰리브덴 산화물의 층을 구비하며,
    상기 몰리브덴 산화물의 층은 전기 에너지를 광으로 또는 광을 전기 에너지로 변환하기 위해 사용되며,
    상기 광 디바이스는 광도전성 디바이스, 광다이오드, 광트랜지스터, 발광 다이오드, 반도체 레이저, 태양전지 또는 CCD인 것을 특징으로 하는 반도체 광 디바이스.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 광 디바이스는 상기 기판 상의 몰리브덴 산화물의 층과, n형 몰리브덴 산화물의 층 및 p형 몰리브덴 산화물의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광 디바이스.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 n형 몰리브덴 산화물의 층과 상기 기판 상의 상기 몰리브덴 산화물의 층 사이에 몰리브덴 산화물의 버퍼층이 끼이는 것을 특징으로 하는 반도체 광 디바이스.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 광 디바이스는, 상기 몰리브덴 산화물층 상에 상기 몰리브덴 산화물의 밴드갭보다 더 큰 밴드갭을 갖는 n형 반도체의 제1의 클래딩층과, 상기 제 1의 클래딩층 상에 p형 몰리브덴 산화물의 액티브층, 및 상기 액티브층 상에 상기 몰리브덴 산화물의 밴드갭보다 더 큰 밴드갭을 갖는 p형 반도체의 제 2의 클래딩층을 포함하는 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 광 디바이스.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1의 클래딩층과 상기 기판 상의 상기 몰리브덴 산화물의 층 사이에 몰리브덴 산화물의 버퍼층이 끼이는 것을 특징으로 하는 반도체 광 디바이스.
  7. 제 3항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 광 디바이스.
  8. 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2의 클래딩층 각각은 크롬 몰리브덴 산화물의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광 디바이스.
  9. 삭제
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