KR101217371B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 207
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 58
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
- Nozzles (AREA)
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Abstract
(과제) 기판 표면 상에 토출된 처리액의 체류를 방지해 기판 전면에 있어서의 처리의 균일화를 유효하게 달성할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 스프레이 파이프부(22)와, 스프레이 파이프부(22)의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되며 처리액을 그 토출구(26)로부터 기판(W)의 표면(102)으로 토출하는 복수의 노즐부(24)로 구성되는 복수의 스프레이 노즐(14)를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판(W)의 표면(102)에 대한 복수의 노즐부(24)의 토출구(26)의 대향 각도를, 수평 자세로 반송되는 기판(W)의 표면(102)의 기판 반송 방향(X)에 관해 교차하는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록, 복수의 노즐부(24)를 복수의 스프레이 파이프부(22)에 설치함으로써, 기판(W)의 표면(102) 상에서 토출후의 처리액의 적극적인 액 흐름을 발생시킨다.(Problem) Provided is a substrate processing apparatus capable of preventing retention of the processing liquid discharged on a substrate surface and effectively achieving uniform processing on the entire surface of the substrate.
(Solution means) The spray pipe portion 22 and the spray pipe portion 22 are provided in close proximity to each other in a line in the longitudinal direction, and discharge the processing liquid from the discharge port 26 to the surface 102 of the substrate W. In the substrate processing apparatus provided with the some spray nozzle 14 comprised by the some nozzle part 24, the discharge port 26 of the some nozzle part 24 with respect to the surface 102 of the board | substrate W is carried out. A plurality of nozzles so that the opposing angle gradually increases with respect to the vertical line from the vicinity of the center portion to the both end portions in the direction intersecting with respect to the substrate conveyance direction X of the surface 102 of the substrate 102 conveyed in the horizontal attitude. By providing the portion 24 in the plurality of spray pipe portions 22, the active liquid flow of the processing liquid after the discharge on the surface 102 of the substrate W is generated.
Description
이 발명은, 액정 표시장치(LCD)용, 플라즈마 디스플레이(PDP)용, 유기 발광다이오드(OLED)용, 전계 방출 디스플레이(FED)용, 진공 형광 디스플레이(VFD)용, 태양전지 패널용 등의 유리 기판, 자기/광디스크용의 유리/세라믹 기판, 반도체 웨이퍼, 전자 디바이스 기판 등의 각종의 기판에 대해, 순수(純水) 등의 세정액, 에칭액, 현상액, 레지스트 박리액 등의 약액 등등의 각종 처리액을 토출하여 기판을 웨트 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.This invention is a glass for liquid crystal display (LCD), plasma display (PDP), organic light emitting diode (OLED), field emission display (FED), vacuum fluorescent display (VFD), solar cell panel, etc. Various processing liquids such as cleaning liquids such as pure water, chemical liquids such as etching liquids, developer liquids, resist stripping liquids, and the like, for various substrates such as substrates, glass / ceramic substrates for magnetic / optical disks, semiconductor wafers, and electronic device substrates. The present invention relates to a substrate processing apparatus for wet-treating a substrate by discharging the same.
종래 이러한 종류의 기판 처리 장치로서는, 기판의 반송 방향으로 병설된 반송 롤러 등에 의해 웨트 처리실 내에 기판을 수평 자세 또는 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사지게 한 자세로 반송하면서, 스프레이 노즐로부터 기판의 표면에 대해 처리액을 샤워형상으로 토출함으로써 소정의 기판 처리를 행하는 것이 알려져 있다. 이러한 기판 처리 장치에 있어서는, 처리의 종류에 따라, 순수 등의 세정액, 에칭액, 현상액, 레지스트 박리액 등의 약액 등등의 각종 처리액이 스프레이 노즐로부터 기판의 표면에 토출된다.Conventionally, as this type of substrate processing apparatus, the substrate is sprayed from the spray nozzle while conveying the substrate in a wet processing chamber in a wet position in a direction perpendicular to the substrate conveying direction with respect to the horizontal posture or the horizontal plane by a conveying roller or the like arranged in the conveying direction of the substrate. It is known to perform a predetermined substrate treatment by discharging the processing liquid onto the surface of the substrate in a shower shape. In such a substrate processing apparatus, various processing liquids, such as washing | cleaning liquids, such as pure water, an etching liquid, a developing solution, and a resist peeling liquid, etc. are discharged from the spray nozzle to the surface of a board | substrate according to the kind of process.
그리고, 이러한 기판 처리 장치에서는, 기판 표면의 전면에 균일하게 처리액을 공급하기 위해서, 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부와, 스프레이 파이프부의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되는 복수의 노즐부로 구성된 스프레이 노즐을, 복수개 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 등(等)피치로 서로 평행하게 배치하고, 복수의 노즐부로부터 처리액을 기판의 표면으로 토출하도록 하고 있다. 도 5는, 종래의 기판 처리 장치에 있어서의 노즐부(100)로부터 기판(W)의 표면(102)으로 처리액을 토출하는 양태를 나타내는 모식도이다.And in such a substrate processing apparatus, in order to supply a process liquid uniformly to the whole surface of a board | substrate, the spray pipe part extended in the direction along a board | substrate conveyance direction, and the plurality provided in close proximity to each other in a line in the longitudinal direction of a spray pipe part The spray nozzles constituted by the nozzle portions are arranged in parallel with each other at equal pitches in a direction intersecting with the plurality of substrate conveyance directions, and the processing liquid is discharged from the plurality of nozzle portions to the surface of the substrate. FIG. 5: is a schematic diagram which shows the mode which discharges a process liquid from the
도 5에 나타낸 바와 같이, 이러한 종래의 기판 처리 장치에 의한 처리액의 토출에서는, 도면의 평면에 대해 직각 방향으로 반송되는 기판(W)의 표면(102) 상의 중앙부 부근에서는, 기판(W)의 양측 단부 부근에 비해 처리액의 액 흐름이 늦어져 중앙부 부근에서 처리액의 체류가 발생해, 이에 의해 토출되는 신구의 처리액의 치환 작용이 열화하여, 결과적으로 처리의 불균일화를 초래하게 된다.As shown in FIG. 5, in the discharge of the processing liquid by such a conventional substrate processing apparatus, in the vicinity of the center portion on the
이 문제를 해결하기 위해, 스프레이 노즐의 스프레이 파이프부를 그 길이 방향의 중심축을 중심으로 해서 왕복 회동시켜 처리액의 토출 방향을 변화시킴으로써 기판 표면 상의 신구 처리액의 치환 촉진을 도모하는 장치가 사용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).In order to solve this problem, an apparatus for promoting replacement of the old and new treatment liquids on the substrate surface is used by reciprocating the spray pipe portion of the spray nozzle about its central axis in the longitudinal direction to change the discharge direction of the treatment liquid ( See, for example, Patent Document 1).
도 6은, 종래의 스프레이 파이프부 왕복 회동형의 기판 처리 장치에 있어서의 노즐부(100)로부터 기판(W)의 표면(102)으로 처리액을 토출하는 양태를 나타내는 모식도이다.FIG. 6: is a schematic diagram which shows the mode which discharges a process liquid from the
이 기판 처리 장치에서는, 기판 반송 방향(도면의 평면에 대해 직각 방향)을 따르는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부(도시하지 않음)와, 스프레이 파이프부의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되는 복수의 노즐부(100)로 구성된 스프레이 노즐을, 복수개 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 등피치로 서로 평행하게 배치하고, 회동 기구(도시하지 않음)에 의해 각 스프레이 파이프부의 중심축을 중심으로 해서 도 6(a) 중의 화살표(A) 방향 및 도 6(b) 중의 화살표(B) 방향으로 왕복 회동시키면서 노즐부(100)로부터의 처리액의 기판의 표면(102)으로의 토출 방향을 변화시키려고 하고 있다. 그러나, 이러한 왕복 회동을 반복하는 한, 기판(W)의 표면(102) 상으로 토출 후 일단 기판(W)의 일측방단 방향으로 유동하고 있는 처리액이 역방향(타방측단 방향)으로 유동해 버려, 기판 중앙부 부근과 양측 단부 부근에서는 처리액의 체류량이 상이하기 때문에, 처리의 진행 상태에 불균일이 발생한다.In this substrate processing apparatus, the spray pipe part (not shown) extended in the direction along a board | substrate conveyance direction (orthogonal direction with respect to the plane of drawing), and the some nozzle provided in proximity with each other in a line in the longitudinal direction of a spray pipe part. The spray nozzles comprised of the
이 발명은, 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 기판 표면 상에 토출된 처리액의 체류를 방지하고 기판 전면에 있어서의 처리의 균일화를 유효하게 달성할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the above circumstances, and an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus which can prevent the retention of the process liquid discharged on the substrate surface, and can achieve the uniformity of the process on the whole surface of a board | substrate effectively. It is done.
청구항 1에 따른 발명은, 기판에 대해 웨트 처리를 행하는 웨트 처리실과, 상기 웨트 처리실 내에 설치되며 기판을 수평 자세 또는 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사지게 한 자세로 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단과, 상기 웨트 처리실 내에 설치되는 기판 반송 수단에 의해 반송되는 기판의 주면으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비한 기판 처리 장치를 이하와 같이 구성한 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 처리액 공급 수단은, 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향 또는 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 등피치로 서로 평행하게 배치되며 처리액을 기판의 주면으로 토출하는 복수의 스프레이 노즐을 구비하고, 각 상기 복수의 스프레이 노즐은, 상기 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 또는 상기 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 연장된 스프레이 파이프부와, 당해 스프레이 파이프부의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되며 처리액을 그 토출구로부터 기판의 주면으로 토출하는 복수의 노즐부로 구성되고, 기판의 주면에 대한 상기 복수의 노즐부의 토출구의 대향 각도를, 수평 자세로 반송되는 기판의 주면의 상기 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 혹은 기판의 주면의 상기 기판 반송 방향을 따르는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록, 또는 경사지게 한 자세로 반송되는 기판의 주면의 경사 상단부 부근부터 경사 하단부 부근에 걸쳐, 기판의 주면의 법선에 대해 점차 커지도록, 상기 복수의 노즐부를 상기 복수의 스프레이 파이프부에 설치함으로써, 기판의 주면 상에서 토출 후의 처리액의 적극적인 액 흐름을 발생시키는 것을 특징으로 한다.The invention according to
청구항 2에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 등피치로 배치되는 상기 복수의 스프레이 노즐의 상기 복수의 노즐부는, 당해 교차 방향에 관해 지그재그형상으로 배치되는 것을 특징으로 한다.In the invention according to claim 2, in the substrate processing apparatus of
청구항 3에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 등피치로 배치되는 상기 복수의 스프레이 노즐의 상기 복수의 노즐부는, 당해 기판 반송 방향을 따르는 방향에 관해 지그재그형상으로 배치되는 것을 특징으로 한다.In the invention according to claim 3, in the substrate processing apparatus according to
청구항 4에 따른 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 복수의 노즐부의 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출량은, 동일한 것을 특징으로 한다.In the invention according to claim 4, in the substrate processing apparatus according to
청구항 5에 따른 발명은, 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 복수의 노즐부의 토출구로부터 토출되는 처리액은, 에칭액인 것을 특징으로 한다.In the invention according to claim 5, the substrate processing apparatus according to any one of
청구항 1에 따른 발명의 기판 처리 장치에 있어서는, 기판의 주면에 대한 복수의 노즐부의 토출구의 대향 각도를, 수평 자세로 반송되는 기판의 주면의 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 혹은 기판의 주면의 기판 반송 방향을 따르는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록, 또는 경사지게 한 자세로 반송되는 기판의 주면의 경사 상단부 부근부터 경사 하단부 부근에 걸쳐, 기판의 주면의 법선에 대해 점차 커지도록, 복수의 노즐부를 복수의 스프레이 파이프부에 설치한다. 이 때문에, 기판의 주면 상에서 토출 후의 처리액의 적극적인 액 흐름이 발생하여 처리액의 체류의 발생이 방지되어, 기판의 주면 전면에 걸쳐 균일한 웨트 처리를 달성할 수 있다. In the substrate processing apparatus of the invention according to
청구항 2 및 3에 따른 발명의 기판 처리 장치에 있어서는, 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 등피치로 배치되는 복수의 스프레이 노즐의 복수의 노즐부는, 당해 교차 방향에 관해 지그재그형상으로 배치되며, 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 등피치로 배치되는 복수의 스프레이 노즐의 복수의 노즐부는, 당해 기판 반송 방향을 따르는 방향에 관해 지그재그형상으로 배치된다. 이 때문에, 각 노즐부로부터의 처리액 토출류의 상호 간섭이 저감되어, 이에 의해 기판 표면 상의 토출 처리액의 체류 발생이 더 효과적으로 방지되어 처리액의 적극적인 액 흐름의 발생이 촉진된다. In the substrate processing apparatus of Claims 2 and 3, the some nozzle part of the some spray nozzle arrange | positioned at equal pitch in the direction which cross | intersects with respect to a board | substrate conveyance direction is arrange | positioned in a zigzag shape with respect to the said crossing direction, and conveys a board | substrate The some nozzle part of the some spray nozzle arrange | positioned at equal pitch in the direction along a direction is arrange | positioned in zigzag form with respect to the direction along the said board | substrate conveyance direction. For this reason, the mutual interference of the processing liquid discharge flows from each nozzle part is reduced, by which the retention | occurrence | production of the discharge processing liquid on a substrate surface is prevented more effectively, and the generation | occurrence | production of the active liquid flow of a processing liquid is accelerated | stimulated.
청구항 4에 따른 발명의 기판 처리 장치에 있어서는, 각 노즐부로부터의 토출량을, 토출 후에 처리액의 체류가 발생하지 않도록 조정하기 위한 번거로운 기구 등을 필요로 하지 않아, 이에 의해 설계 코스트의 저렴화를 도모할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to claim 4, a cumbersome mechanism or the like for adjusting the amount of discharge from each nozzle unit is not required so that the retention of the processing liquid does not occur after the discharge, thereby reducing the design cost. can do.
청구항 5에 따른 발명의 기판 처리 장치에 있어서는, 토출된 에칭액의 체류에 기인하여 체류 발생 개소와 비발생 개소의 에칭 진행도의 차이가 일어나 에칭 처리의 불균일화를 초래해, 이에 의해 패턴 쇼트(배선 남음)나 패턴 형상의 불균일이 발생하는 문제를 유효하게 저지할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to claim 5, the difference in the etching progression of the retention occurrence point and the non-occurrence point occurs due to the retention of the discharged etchant, resulting in uneven etching process, thereby resulting in pattern shorting (wiring). Remaining) and pattern irregularities can be effectively prevented.
도 1은 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 모식적으로 나타내는 개략 구성도이다.
도 2(a), (b)는 본 발명의 제1의 실시형태에 있어서, 기판의 표면에 대한, 스프레이 노즐의 스프레이 파이프부에 설치된 노즐부의 토출구의 대향 각도를 설명하기 위한 모식도이다.
도 3(a), (b)는 본 발명의 제2의 실시형태에 있어서, 기판의 표면에 대한, 스프레이 노즐의 스프레이 파이프부에 설치된 노즐부의 토출구의 대향 각도를 설명하기 위한 모식도이다.
도 4(a), (b)는 본 발명의 제3의 실시형태에 있어서, 기판의 표면에 대한, 스프레이 노즐의 스프레이 파이프부에 설치된 노즐부의 토출구의 대향 각도를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 종래의 기판 처리 장치에 있어서의 노즐부로부터 기판의 표면으로 처리액을 토출하는 양태를 나타내는 모식도이다.
도 6(a), (b)는 종래의 스프레이 파이프부 왕복 회동형의 기판 처리 장치에 있어서의 노즐부로부터 기판의 표면으로 처리액을 토출하는 양태를 나타내는 모식도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram which shows typically the substrate processing apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
FIG.2 (a), (b) is a schematic diagram for demonstrating the opposing angle of the discharge port of the nozzle part provided in the spray pipe part of a spray nozzle with respect to the surface of a board | substrate in 1st Embodiment of this invention.
FIG.3 (a), (b) is a schematic diagram for demonstrating the opposing angle of the discharge port of the nozzle part provided in the spray pipe part of a spray nozzle with respect to the surface of a board | substrate in 2nd Embodiment of this invention.
4 (a) and 4 (b) are schematic diagrams for explaining an opposing angle of the discharge port of the nozzle portion provided in the spray pipe portion of the spray nozzle with respect to the surface of the substrate in the third embodiment of the present invention.
It is a schematic diagram which shows the aspect which discharges a process liquid from the nozzle part to the surface of a board | substrate in the conventional substrate processing apparatus.
6 (a) and 6 (b) are schematic diagrams showing an embodiment of discharging a processing liquid from a nozzle portion to a surface of a substrate in a conventional substrate processing apparatus for a spray pipe portion reciprocating rotation type.
이하, 이 발명의 실시형태에 있어서 도면을 참조하면서 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, it demonstrates, referring drawings for embodiment of this invention.
도 1은, 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)를 모식적으로 나타낸 것이다. 1 schematically shows the
이 기판 처리 장치(1)는, 에칭액, 현상액, 레지스트 박리액 등의 약액을 토출하는 기판(W)에 약액 처리를 행하는 약액 처리실(10)과, 약액 처리실(10) 내에서 기판(W)을 수평 자세로 지지하면서 수평 방향(X)으로 왕복 이동하는 복수의 반송 롤러(도시하지 않음)와, 약액을 저류하는 약액 탱크(12)와, 기판(W)의 표면(102)에 약액을 토출하기 위한 복수의 스프레이 노즐(14)과, 송액 펌프(16)와, 약액 탱크(12)에 저류된 약액을 스프레이 노즐(14)에 송액하는 약액 공급로(18)를 구비한다.The
스프레이 노즐(14)은, 약액 처리실(10) 내에서 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 등피치로 복수개 서로 평행하여 설치되고, 각 스프레이 노즐(14)은, 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부(22)(도 2 참조)와, 이 스프레이 파이프부(22)의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되며 약액을 그 토출구(26)(도 2(b) 참조)로부터 기판(W)의 표면(102)에 토출하는 복수의 노즐부(24)로 구성된다. 또, 약액 처리실(10)의 저부에는, 약액 처리실(10)의 내저부에 유하한 사용이 끝난 약액을 배출하기 위한 순환 배수로(20)가 설치되어 있으며, 순환 배수로(20)는, 약액 탱크(12)에 연통 접속되어 있다.The
상술한 구성을 구비한 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 우선, 약액 처리실(10)의 기판 반입구(도시하지 않음)로부터 약액 처리실(10) 내로 반입되어 온 기판(W)을 반송 롤러에 의해 수평 자세로 지지하면서 수평 방향으로 왕복 이동시키면서, 송액 펌프(16)의 구동에 의해 약액 탱크(12)에 저류된 약액을 약액 공급로(18)를 통해 스프레이 노즐(14)에 송액하고, 스프레이 노즐(14)의 각 노즐부(24)의 각각으로부터 같은 양의 약액을 기판(W)의 표면(102)으로 토출함으로써, 약액 처리가 행해진다.In the
약액 처리를 끝낸 기판(W)은, 반송 롤러에 의해 약액 처리실(10)의 기판 반출구(도시하지 않음)로부터 반출된다. 기판(W)의 표면으로부터 흘러내리고 또한 약액 처리실(10)의 내저부에 흘러내린 약액은, 순환 배출구(20)를 통해 약액 탱크(12)로 회수된다.The board | substrate W which finished chemical | medical solution process is carried out from the board | substrate carrying out port (not shown) of the chemical | medical
기판(W)의 표면(102)에 대한, 스프레이 노즐(14)을 구성하는 스프레이 파이프부(22)에 설치된 노즐부(24)의 토출구(26)의 대향 각도를 설명하기 위한 모식도이며, 도 2(a)는 그 단면도이다.It is a schematic diagram for demonstrating the opposing angle of the discharge port 26 of the nozzle part 24 provided in the
도 2(a) 및 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 복수개, 본 실시형태에서는 6개의, 스프레이 노즐(14a) 내지 (14f)가 기판 반송 방향(X)에 관해 교차하는 방향으로 등피치로 서로 평행하게 설치된다. 스프레이 노즐(14a) 내지 (14f)는 각각, 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부(22a) 내지 (22f)와, 각 스프레이 파이프부(22a) 내지 (22f)의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되는 복수의 노즐부(24)로 구성된다.2 (a) and 2 (b), a plurality of
그리고, 기판(W)의 표면(102)에 대한 복수의 노즐부(24)의 토출구(26)의 대향 각도를, 수평 자세로 반송되는 기판(W)의 표면(102)의 기판 반송 방향(X)에 관해 교차하는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록, 노즐부(24)를 각 스프레이 파이프부(22a) 내지 (22f)에 설치하고, 또한 이들의 노즐부(24)는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이 기판 반송 방향(X)에 교차하는 방향에서 지그재그형상으로 배치된다.And the board | substrate conveyance direction X of the
도 2(b)는, 노즐부(24) 중 스프레이 파이프부(22a) 내지 (22f)의 기판 반송 방향(X)에서의 대략 중앙부에 설치된 노즐부(24a) 내지 (24f)에 의해 형성되는 노즐부군의 한 세트를 나타내고 있으며, 기판 반송 방향(X)에 교차하는 방향에서의 중앙부 부근에서 대향하는 노즐부(24c) 및 (24d)의 토출구(26c) 및 (26d)에서는, 연직선에 대한 각도를 0°도로, 양단부 부근에서 대향하는 노즐부(24a, 24f)의 토출구(26a, 26f)에서는, 30°~60°로 설정된다. 그 외의 노즐부군에 의해 형성되는 세트의 토출구의 기판(W)의 표면(102)에 대한 대향 각도도 동일하게 기판 반송 방향(X)에 관해 교차하는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록 설정되어 있다. FIG.2 (b) is a nozzle formed by the
상술한 바와 같이 구성된 스프레이 노즐(14a) 내지 (14f)에서는, 정지 상태의(왕복 회동하지 않음) 스프레이 파이프부(22a) 내지 (22f)에 설치된 노즐부(24)의 각각의 대향 각도로 고정된 토출구(26)로부터, 기판(W)의 표면(102)으로 같은 토출량의 약액이 토출됨으로써, 기판(W)의 표면(102) 상에서 기판 반송 방향(X)에 교차하는 방향에서의 기판의 중앙부부터 양단부를 향해 화살표(Y)로 나타낸 바와 같은 토출후의 약액의 적극적인 액 흐름이 발생하고, 약액의 체류의 발생이 방지되며, 각 노즐부(24)로부터의 토출량을 조정하지 않고 기판(W)의 표면(102) 전면에 걸쳐 균일한 약액 처리를 달성할 수 있다. 이와 같이, 같은 양의 약액이 각 노즐부(24)로부터 토출되도록 한 채로 토출후에 약액 처리액의 체류가 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 이러한 체류 발생 방지 목적으로 각 노즐부(24)로부터의 약액 토출량을 조정하기 위한 번거로운 기구 등을 필요로 하지 않고, 이에 의해 설계 코스트의 저렴화를 도모할 수 있다. 또, 예를 들면 약액으로서 에칭액을 이용하는 알루미늄 에칭 처리의 경우, 토출된 애칭액의 체류에 기인하여 체류 발생 개소와 비발생 개소의 에칭 진행도의 상이함이 발생하여 에칭 처리의 불균일화를 초래해, 이에 의해 패턴 쇼트(배선 남음)나 패턴 형상의 불균일이 발생하는 문제를 유효하게 저지할 수 있다. In the
또, 노즐부(24)가, 기판 반송 방향(X)에 교차하는 방향에서 지그재그형상으로 배치되므로, 각 노즐부(24)로부터의 약액 토출류의 상호 간섭이 저감되어, 이에 의해 기판 표면(102) 상의 토출 약액의 체류 발생이 더 효과적으로 방지되어 약액의 적극적인 액 흐름의 발생이 촉진된다.Moreover, since the nozzle part 24 is arrange | positioned in a zigzag shape in the direction which cross | intersects the board | substrate conveyance direction X, mutual interference of the chemical liquid discharge flows from each nozzle part 24 is reduced, and thereby the
이어서, 본 발명의 제2의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.Next, the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated.
도 3은, 본 발명의 제2의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서 기판(W)의 표면(102)에 대한, 스프레이 노즐(14')의 스프레이 파이프부(22')에 설치된 노즐부(24')의 토출구(26')의 대향 각도를 설명하기 위한 모식도이며, 도 3(a)는 그 상면도, 도 3(b)는 그 단면도이다.3 is a nozzle portion (22 ') provided in the spray pipe portion 22' of the spray nozzle 14 'to the
제2의 실시형태에서는, 스프레이 노즐(14')은, 약액 처리실(10) 내에 있어서 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 등피치로 복수개 서로 평행하여 설치되고, 각 스프레이 노즐(14')은, 기판 반송방향에 관해 교차하는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부(22')와, 이 스프레이 파이프부(22')의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되며 약액을 토출구(26')로부터 기판(W)의 표면(102)으로 토출하는 복수의 노즐부(24')로 구성된다.In the second embodiment, the plurality of spray nozzles 14 'are provided in parallel in the chemical
도 3(a) 및 도 3(b)에 나타낸 바와 같이, 제1의 실시형태와 같이 6개의 스프레이 노즐(14a') 내지 (14f')가 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향으로 등피치로 서로 평행하게 설치된다. 스프레이 노즐(14a') 내지 (14f')는 각각, 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부(22a') 내지 (22f')와, 각 스프레이 파이프부(22a') 내지 (22f')의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되는 복수의 노즐부(24')로 구성된다.As shown in Figs. 3A and 3B, six
그리고, 기판(W)의 표면(102)에 대한 복수의 노즐부(24')의 토출구(26')의 대향 각도를, 수평 자세로 반송되는 기판(W)의 표면(102)의 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록, 노즐부(24')를 각 스프레이 노즐(14a') 내지 (14f')에 설치하고, 또한 이들 노즐부(24')는, 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향에서 지그재그형상으로 배치된다.And the board | substrate conveyance direction of the
도 3(b)는, 노즐부(24') 중 스프레이 파이프부(22a') 내지 (22f')의 기판 반송 방향(X)에 교차하는 방향에서의 대략 중앙부에 설치된 노즐부(24a') 내지 (24f')에 의해 형성되는 노즐부군의 한 세트를 예시하고 있으며, 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향에서의 중앙부 부근에서 대향하는 노즐부(24c') 및 (24d')의 토출구(26c') 및 (26d')에서는, 연직선에 대한 각도를 0°로, 양단부 부근에서 대향하는 노즐부(24a', 24f')의 토출구(26a', 26f')에서는, 30°~60°로 설정된다. 그 외의 노즐부군에 의해 형성되는 세트의 토출구의 대향 각도도 동일하게 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록 설정되어 있다.FIG.3 (b) shows the
상술한 바와 같이 구성된 스프레이 노즐(14a') 내지 (14f')에서는, 정지 상태의(왕복 회동하지 않음) 스프레이 파이프부(22a') 내지 (22f')에 설치된 노즐부(24')의 각각의 대향 각도로 고정된 토출구(26')로부터 기판(W)의 표면(102)으로 동일한 토출량의 약액이 토출됨으로써, 기판(W)의 표면(102) 상에서 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향에서의 기판의 중앙부로부터 양단부를 향해 화살표(X')로 나타낸 바와 같은 토출 후의 약액의 적극적인 액 흐름이 발생하고, 약액의 체류의 발생이 유효하게 방지되고, 각 노즐부(24')로부터의 토출량을 조정하지 않고 기판(W)의 표면(102) 전면에 걸쳐 균일한 약액 처리를 달성할 수 있다.In the
또, 노즐부(24')가, 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향에서 지그재그형상으로 배치되므로, 각 노즐부(24')로부터의 약액 토출류의 상호 간섭이 저감되어, 이에 의해 기판 표면(102) 상의 토출 약액의 체류 발생이 또한 효과적으로 방지되어 약액의 적극적인 액 흐름의 발생이 촉진된다.Moreover, since the nozzle part 24 'is arrange | positioned in a zigzag shape in the direction along the board | substrate conveyance direction X, mutual interference of the chemical liquid discharge flows from each nozzle part 24' is reduced, and a board | substrate surface ( The occurrence of retention of the ejected chemical liquid on the 102 is also effectively prevented to promote the generation of an active liquid flow of the chemical liquid.
이어서, 본 발명의 제3의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.Next, the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention is demonstrated.
도 4는, 본 발명의 제3의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서 기판(W)의 표면(102)에 대한, 스프레이 노즐(14”)의 스프레이 파이프부(22”)에 설치된 노즐부(24”)의 토출구(26”)의 대향 각도를 설명하기 위한 모식도이며, 도 4(a)는 그 상면도, 도 4(b)는 그 단면도이다.Fig. 4 is a nozzle portion (provided in the
제3의 실시형태에서는, 복수의 반송 롤러에 의해 약액 처리실(10) 내에 있어서 기판(W)을 수평면(200)에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 소정 각도 경사지게 한 자세로 지지하면서 수평 방향(X)으로 왕복 운동된다. In the third embodiment, the plurality of conveying rollers support the substrate W in a chemical
스프레이 노즐(14”)은, 약액 처리실(10) 내에 있어서 기판 반송 방향으로 교차하는 방향으로 등피치로 복수개 서로 평행하여 설치되며, 각 스프레이 노즐(14”)은, 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부(22”)와, 이 스프레이 파이프부(22”)의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되며 약액을 그 토출구(26”)로부터 기판(W)의 표면(102)으로 토출하는 복수의 노즐부(24”)로 구성된다. The spray nozzles 14 "are provided in parallel in the chemical
도 4(a) 및 도 4(b)에 나타낸 바와 같이, 제1 및 제2의 실시형태와 동일하게 6개의 스프레이 노즐(14a”) 내지 (14f”)가 기판 반송 방향(X)에 교차하는 방향으로 등피치로 서로 평행하게 설치된다. 스프레이 노즐(14a”) 내지 (14f”)는 각각, 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부(22a”) 내지 (22f”)와, 각 스프레이 파이프부(22a”) 내지 (22f”)의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되는 복수의 노즐부(24”)로 구성된다.As shown in Figs. 4A and 4B, the six
그리고, 기판(W)의 표면(102)에 대한 복수의 노즐부(24”)의 토출구(26”)의 대향 각도를, 경사지게 한 자세로 반송되는 기판(W)의 표면(102)의 경사 상단부 부근부터 경사 하단부 부근에 걸쳐, 기판(W)의 표면(102)의 법선(300)에 대해 점차 커지도록, 노즐부(24”)를 각 스프레이 파이프부(22a”) 내지 (22f”)에 설치하며, 또한 이들 노즐부(24”)는, 도 4(a)에 나타낸 바와 같이 기판 반송 방향으로 교차하는 방향에서 지그재그형상으로 배치된다.And the inclined upper end part of the
도 4(b)는, 노즐부(24”) 중 스프레이 파이프부(22a”) 내지 (22f”)의 기판 반송 방향(X)을 따르는 방향에서의 대략 중앙부에 설치된 노즐부(24a”) 내지 (24f”)에 의해 형성되는 노즐부군의 한 세트를 예시하고 있으며, 기판(W)의 표면(102)의 경사 상단부 부근에서 대향하는 노즐부(24a”)의 토출구(26a”)에서는, 기판(W)의 표면(102)의 법선(300)에 대해 0° 내지 20°의 각도로, 경사 하단부 부근에 대향하는 노즐부(24f”)의 토출구(26f”)에서는 30° 내지 60°의 각도로 설정된다. 그 외의 노즐부군에 의해 형성되는 세트의 토출구의 대향 각도도 동일하게 경사 상단부 부근부터 하단부 부근에 걸쳐, 기판(W)의 표면(102)의 법선에 대해 점차 커지도록 설정되어 있다.FIG.4 (b) shows the
상술한 바와 같이 구성된 스프레이 노즐(14a”) 내지 (14f”)에서는, 정지 상태의(왕복 회동하지 않음) 스프레이 파이프부(22a”) 내지 (22f”)에 설치된 노즐부(24”)의 각각의 대향 각도로 고정된 토출구(26”)로부터 기판(W)의 표면(102)으로 동일한 토출량의 약액이 토출됨으로써, 기판(W)의 표면(102) 상에서 토출 후의 약액의 액 흐름이 늦은 경사 상단부 부근부터 약액이 유동하는 경사 하단부 부근을 향해 화살표(Y')로 나타낸 바와 같은 토출 후의 약액의 적극적인 액 흐름이발생하고, 약액의 체류의 발생이 유효하게 방지되고, 각 노즐부(24”)로부터의 토출량을 조정하지 않고 기판(W)의 표면(102) 전면에 걸쳐 균일한 약액 처리를 달성할 수 있다.In the
또, 노즐부(24”)가, 기판 반송 방향(X)에 교차하는 방향에서 지그재그형상으로 배치되므로, 각 노즐부(24”)로부터의 약액 토출류의 상호 간섭이 저감되어, 이에 의해 기판 표면(102) 상의 토출 약액의 체류 발생이 또한 효과적으로 방지되어 약액의 적극적인 액 흐름의 발생이 촉진된다.Moreover, since the nozzle part 24 "is arrange | positioned in a zigzag shape in the direction which cross | intersects the board | substrate conveyance direction X, mutual interference of the chemical liquid discharge flows from each nozzle part 24" is reduced, and thereby a board | substrate surface The occurrence of retention of the ejected chemical liquid on the 102 is also effectively prevented to promote the generation of an active liquid flow of the chemical liquid.
또한, 상술한 각 실시형태에서는 처리액으로서 에칭액, 현상액, 레지스트 박리액 등의 약액을 이용한 약액 처리에 본 발명을 적용한 경우에 대해서 설명했는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 처리액으로서 순수 등의 세정액을 이용하는 세정 처리에 적용해도 된다.In addition, although each embodiment mentioned above demonstrated the case where this invention was applied to chemical liquid processing using chemical liquids, such as an etching liquid, a developing liquid, and a resist stripping liquid, as a processing liquid, this invention is not limited to this, Pure water etc. are mentioned as a processing liquid. You may apply to the washing | cleaning process using a washing | cleaning liquid.
또, 상술한 각 실시형태에서는, 스프레이 노즐의 개수로서 6개 이용한 구성에 대해서 설명했는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판(W)의 사이즈나 처리의 종류 등에 따라 적절한 수의 스프레이 노즐을 선택하면 된다.In addition, although each structure mentioned above demonstrated the structure which used six as the number of spray nozzles, this invention is not limited to this, The appropriate number of spray nozzles are selected according to the size of the board | substrate W, the kind of process, etc. Just do it.
1:기판 처리 장치 10:약액 처리실
12:약액 탱크 14, 14', 14”:스프레이 노즐
16:송액 펌프 18:약액 공급로
20:순환 배수로 22, 22', 22”:스프레이 파이프부
24, 24', 24”, 100:노즐부 26, 26', 26”:토출구
102:기판의 표면 W:기판1: substrate processing apparatus 10: chemical processing chamber
12:
16: Liquid pump 18: Chemical supply
20:
24, 24 ', 24”, 100: Nozzle part 26, 26 ', 26”: Discharge outlet
102: surface of the substrate W: substrate
Claims (5)
상기 웨트 처리실 내에 설치되며 기판을 수평 자세 또는 수평면에 대해 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 경사지게 한 자세로 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단과,
상기 웨트 처리실 내에 설치되는 기판 반송 수단에 의해 반송되는 기판의 주면으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리액 공급 수단은,
기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향 또는 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 등피치로 서로 평행하게 배치되며 처리액을 기판의 주면으로 토출하는 복수의 스프레이 노즐을 구비하고,
각 상기 복수의 스프레이 노즐은,
상기 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 또는 상기 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부와, 당해 스프레이 파이프부의 길이방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되며 처리액을 그 토출구로부터 기판의 주면으로 토출하는 복수의 노즐부로 구성되고,
기판의 주면에 대한 상기 복수의 노즐부의 토출구의 대향 각도를, 수평 자세로 반송되는 기판의 주면의 상기 기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 혹은 기판의 주면의 상기 기판 반송 방향을 따르는 방향에서의 중앙부 부근부터 양단부 부근에 걸쳐, 연직선에 대해 점차 커지도록, 또는 경사지게 한 자세로 반송되는 기판의 주면의 경사 상단부 부근부터 경사 하단부 부근에 걸쳐, 기판의 주면의 법선에 대해 점차 커지도록, 상기 복수의 노즐부를 상기 복수의 스프레이 파이프부에 설치함으로써, 기판의 주면 상에서 토출 후의 처리액의 액 흐름을 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A wet processing chamber for performing wet processing on the substrate,
A substrate conveying means which is provided in the wet processing chamber and conveys the substrate in a horizontal direction in an attitude inclined in a direction perpendicular to the substrate conveying direction with respect to a horizontal attitude or a horizontal plane;
In the substrate processing apparatus provided with the process liquid supply means which supplies a process liquid to the main surface of the board | substrate conveyed by the board | substrate conveyance means provided in the said wet processing chamber,
The treatment liquid supply means,
A plurality of spray nozzles disposed parallel to each other at equal pitches in a direction intersecting with respect to the substrate conveyance direction or in a direction along the substrate conveyance direction and discharging the processing liquid to the main surface of the substrate,
Each said plurality of spray nozzles,
A spray pipe portion extending in a direction along the substrate conveyance direction or in a direction intersecting with the substrate conveyance direction and provided in close proximity to each other in a line in the longitudinal direction of the spray pipe portion, and processing liquid from the discharge port to the main surface of the substrate; Consists of a plurality of nozzles to discharge,
The opposing angles of the ejection openings of the plurality of nozzle portions with respect to the main surface of the substrate extend from the vicinity of the center portion to the both end portions in a direction intersecting with respect to the substrate conveyance direction of the main surface of the substrate to be conveyed in a horizontal attitude, or the above of the main surface of the substrate. From the inclination upper end part of the main surface of the board | substrate conveyed so that it may become large with respect to a perpendicular line, or in the inclined posture from the center part vicinity to the both end parts in the direction along a board | substrate conveyance direction, in the normal line of the main surface of a board | substrate And a plurality of nozzle portions provided in the plurality of spray pipe portions so as to become larger with respect to each other, thereby generating a liquid flow of the processing liquid after discharge on the main surface of the substrate.
기판 반송 방향에 관해 교차하는 방향으로 등(等)피치로 배치되는 상기 복수의 스프레이 노즐의 상기 복수의 노즐부는, 당해 교차 방향에 관해 지그재그형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The said some nozzle part of the said several spray nozzle arrange | positioned at equal pitch in the direction which cross | intersects with respect to a board | substrate conveyance direction is arrange | positioned in the zigzag shape with respect to the said crossing direction.
기판 반송 방향을 따르는 방향으로 등피치로 배치되는 상기 복수의 스프레이 노즐의 상기 복수의 노즐부는, 당해 기판 반송 방향을 따르는 방향에 관해 지그재그형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The said some nozzle part of the said several spray nozzle arrange | positioned at equal pitch in the direction along a board | substrate conveyance direction is arrange | positioned in a zigzag shape with respect to the direction along the said board | substrate conveyance direction.
상기 복수의 노즐부의 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출량은, 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The processing amount of the process liquid discharged from the discharge port of the said some nozzle part is the same, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 복수의 노즐부의 토출구로부터 토출되는 처리액은, 에칭액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The processing liquid discharged from the discharge port of the said some nozzle part is an etching liquid, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211716A JP5710921B2 (en) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | Substrate processing equipment |
JPJP-P-2010-211716 | 2010-09-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120031117A KR20120031117A (en) | 2012-03-30 |
KR101217371B1 true KR101217371B1 (en) | 2012-12-31 |
Family
ID=45914152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110071479A KR101217371B1 (en) | 2010-09-22 | 2011-07-19 | Substrate processing apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5710921B2 (en) |
KR (1) | KR101217371B1 (en) |
CN (1) | CN102412134B (en) |
TW (1) | TWI441275B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20160086568A (en) * | 2015-01-12 | 2016-07-20 | 주식회사 기가레인 | Nozzle block for coating apparatus |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6271304B2 (en) | 2013-03-29 | 2018-01-31 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6258892B2 (en) * | 2014-05-13 | 2018-01-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN105185726B (en) * | 2014-05-13 | 2018-09-21 | 芝浦机械电子株式会社 | Substrate board treatment, substrate processing method using same, apparatus for manufacturing substrate and manufacture of substrates |
WO2016013501A1 (en) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | シャープ株式会社 | Cleaning device |
JP6509104B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing system |
WO2017164126A1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 東レ株式会社 | Developing device and circuit board manufacturing method |
JP7046773B2 (en) * | 2018-10-01 | 2022-04-04 | 本田技研工業株式会社 | Painting equipment |
JP7197376B2 (en) * | 2019-01-17 | 2022-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN109887865B (en) * | 2019-03-07 | 2021-08-20 | 上海华力微电子有限公司 | Wafer cleaning and drying device and method and chemical mechanical polishing machine |
JP7312738B2 (en) * | 2020-12-11 | 2023-07-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing equipment |
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2010
- 2010-09-22 JP JP2010211716A patent/JP5710921B2/en not_active Expired - Fee Related
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2011
- 2011-06-28 TW TW100122571A patent/TWI441275B/en not_active IP Right Cessation
- 2011-07-19 KR KR1020110071479A patent/KR101217371B1/en not_active IP Right Cessation
- 2011-07-27 CN CN201110219581.4A patent/CN102412134B/en not_active Expired - Fee Related
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KR101697176B1 (en) | 2015-01-12 | 2017-01-17 | 주식회사 기가레인 | Nozzle block for coating apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102412134B (en) | 2014-10-29 |
TW201230225A (en) | 2012-07-16 |
KR20120031117A (en) | 2012-03-30 |
CN102412134A (en) | 2012-04-11 |
JP2012066176A (en) | 2012-04-05 |
TWI441275B (en) | 2014-06-11 |
JP5710921B2 (en) | 2015-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |