JP2014069126A - Substrate treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、LCD(液晶表示装置)やPDP(プラズマディスプレイ)等のFPD(フラットパネルディスプレイ)用ガラス基板、有機EL用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ、太陽電池および電子ペーパ用フィルム基板等の基板を処理液により処理する基板処理装置に関し、特に、基板の表面と裏面とに異なる処理液を供給して基板を処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a glass substrate for FPD (flat panel display) such as LCD (liquid crystal display) and PDP (plasma display), a glass substrate for organic EL, a glass substrate for photomask, a substrate for optical disk, a semiconductor wafer, a solar cell, and The present invention relates to a substrate processing apparatus that processes a substrate such as a film substrate for electronic paper with a processing liquid, and more particularly to a substrate processing apparatus that supplies a different processing liquid to the front and back surfaces of the substrate to process the substrate.
例えば、アモルファスシリコン層がその表面に形成されたガラス基板100に対してレーザーアニールを行う前に、シリコン層表面に形成された酸化膜のエッチングを行う場合においては、基板の表面にはエッチング液としてのフッ酸(フッ化水素酸/HF)が供給される。一方、基板の裏面には、洗浄液としての純水が供給される。
For example, in the case where an oxide film formed on the surface of the silicon layer is etched before laser annealing is performed on the
このように、基板の表面と裏面とに異なる処理液を供給する場合において、搬送ローラにより搬送される基板の裏面に対して、スプレーノズルにより処理液を噴出した場合においては、裏面用の処理液が基板の表面に回り込み、基板の表面の処理が不均一になり、処理不良が発生する。また、基板の表面に処理液のパドルを形成して処理する場合においては、この表面用の処理液のパドルが裏面用の処理液により崩壊され、この場合にも処理不良が発生する。 As described above, when different processing liquids are supplied to the front surface and the back surface of the substrate, when the processing liquid is ejected by the spray nozzle to the back surface of the substrate transported by the transport roller, the processing liquid for the back surface is used. Around the surface of the substrate, the processing of the surface of the substrate becomes non-uniform, and processing defects occur. Further, when processing is performed by forming a paddle of the processing liquid on the surface of the substrate, the processing liquid paddle for the front surface is collapsed by the processing liquid for the back surface, and in this case, a processing failure occurs.
また、スプレーノズルから処理液を噴出する場合には、その噴出量を安定させる等の目的により、基板に処理液を供給する以前に、予め、スプレーノズルから処理液を噴出しておく必要がある。このような場合には、基板が存在しない状態でスプレーノズルから処理液を噴出することになり、この処理液がチャンバーの天井等に付着し、この処理液が処理中の基板の表面に滴下することにより、処理不良を生ずる原因となる。 Further, when the processing liquid is ejected from the spray nozzle, it is necessary to eject the processing liquid from the spray nozzle in advance before supplying the processing liquid to the substrate for the purpose of stabilizing the ejection amount. . In such a case, the processing liquid is ejected from the spray nozzle in the absence of the substrate, and this processing liquid adheres to the ceiling of the chamber and the processing liquid drops on the surface of the substrate being processed. This causes a processing failure.
特許文献1には、基板処理チャンバー内において基板をその主面が水平となる状態で水平方向に搬送する搬送機構と、下方を向く処理液吐出口が基板の搬送方向と交差する方向に延設されるとともに、処理液吐出口と基板の表面との距離が、それらの間が処理液吐出口より吐出された処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズルと、処理液吐出口と対向する位置に処理液の液溜まりを保持する処理液保持面を備え、処理液吐出口と処理液保持面との距離が、それらの間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材とを備えた基板処理装置が開示されている。この特許文献1に記載の基板処理装置においては、処理液吐出ノズルおよび液溜まり保持部材に対して基板の搬送方向の下流側に、基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄部が配設されている。この裏面洗浄部は、その上面に洗浄液の液溜まりを保持する洗浄液保持面を備え、この洗浄液の液溜まりを利用して基板の裏面を洗浄する構成を有する。
In
上述した特許文献1に記載の基板処理装置によれば、裏面用の処理液が表面側に回り込むことはなく、基板の両面を適正に処理できるものではあるが、基板の裏面の処理効率が悪いという問題がある。すなわち、例えば基板の裏面を洗浄処理する場合においては、その洗浄効率が高くないことから、所定の洗浄効果を得るためには裏面洗浄部を複数個設置する必要が生じ、装置のコストおよび使用する洗浄液のコストが高くなるという問題を生ずる。
According to the substrate processing apparatus described in
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、簡易な構成でありながら、基板の表面への裏面用の洗浄液の回り込みを防止しつつ、基板の裏面を適正に処理することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to appropriately process the back surface of the substrate while preventing the back surface cleaning liquid from entering the surface of the substrate while having a simple configuration. An object of the present invention is to provide a simple substrate processing apparatus.
請求項1に記載の発明は、基板処理チャンバーと、前記基板処理チャンバー内において、基板をその主面が水平となる状態で水平方向に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される基板の表面に第1の処理液を供給して基板の表面を処理する表面処理液供給部と、前記搬送機構により搬送される基板の下方に配置され、前記基板の裏面に前記第1の処理液とは異なる第2の処理液を供給することにより、前記基板の裏面を処理する裏面処理液供給部と、を備えた基板処理装置において、前記裏面処理液供給部は、前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に配設され、前記第2の処理液を吐出する吐出部が前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に形成されたノズル本体と、前記ノズル本体の上部に付設され、前記搬送機構により搬送される基板の裏面に前記吐出部より吐出された第2の処理液を接液させた後に流下させる処理液接液部と、を備え、前記処理液接液部は、当該処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側で大きくなるように構成される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing chamber, a transport mechanism that transports the substrate in a horizontal direction with the main surface thereof being horizontal, and a substrate transported by the transport mechanism. A surface treatment liquid supply unit configured to supply a first treatment liquid to the front surface to treat the surface of the substrate; and disposed below the substrate transported by the transport mechanism; A backside processing liquid supply unit for processing the backside of the substrate by supplying a different second processing liquid, wherein the backside processing liquid supply unit transports the substrate by the transport mechanism. A nozzle body disposed in a direction intersecting the direction, and having a discharge section for discharging the second processing liquid formed in a direction intersecting the substrate transport direction by the transport mechanism, and attached to an upper portion of the nozzle body. ,Previous A treatment liquid contact portion that causes the second treatment liquid discharged from the discharge portion to come into contact with the back surface of the substrate conveyed by the conveyance mechanism and then flow down. The flow amount of the second processing liquid from the liquid contact part is configured to be larger on the upstream side in the substrate transport direction by the transport mechanism than on the downstream side in the substrate transport direction by the transport mechanism.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記処理液接液部と前記搬送機構により搬送される基板の裏面との距離は、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側の方が大きい。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the distance between the processing liquid contact portion and the back surface of the substrate transported by the transport mechanism is downstream in the substrate transport direction by the transport mechanism. The upstream side of the substrate transport direction by the transport mechanism is larger than the side.
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記処理液接液部は、前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の支持部と、前記一対の支持部に各々接続され、当該一対の支持部から前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部とを備える。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the treatment liquid contact portion is spaced apart from the discharge portion by a predetermined interval with respect to the substrate transport direction by the transport mechanism. A pair of support portions disposed on both sides of the substrate and a pair of flange portions respectively connected to the pair of support portions and projecting from the pair of support portions to the upstream side and the downstream side in the substrate transport direction by the transport mechanism With.
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記処理液接液部を構成する一対の支持部は同一の高さを有するとともに、一対の鍔部は前記一対の支持部と各々直交する方向に配置され、前記一対の鍔部が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する。 According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the pair of support portions constituting the treatment liquid contact portion have the same height, and the pair of flange portions are the pair of support portions. And the pair of flanges are inclined in the downward direction toward the upstream side in the transport direction with respect to the back surface of the substrate transported by the transport mechanism. Inclined.
請求項5に記載の発明は、請求項3または請求項4に記載の発明において、前記一対の鍔部の表面と、前記搬送機構により搬送される基板の裏面との交差角度は、0.5度乃至2度である。
The invention according to claim 5 is the invention according to
請求項6に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記処理液接液部は、前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の底面部材と、前記一対の底面部材に各々接続され、当該一対の底面部材から前記搬送機構により搬送される基板の裏面側に向けて立設された一対の壁部材とを備える。 According to a sixth aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the processing liquid contact portion is spaced apart from the discharge portion by a predetermined interval with respect to the substrate transport direction by the transport mechanism. A pair of bottom surface members disposed on both sides of the substrate and a pair of wall members connected to the pair of bottom surface members and erected from the pair of bottom surface members toward the back surface side of the substrate transported by the transport mechanism With.
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記処理液接液部を構成する一対の壁部材は同一の高さを有するとともに、これら一対の壁部材は前記一対の底面部材と直交する方向に配置され、前記一対の底面部材が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する。 According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect of the invention, the pair of wall members constituting the processing liquid contact portion have the same height, and the pair of wall members are the pair of bottom surfaces. The entire back surface treatment liquid supply unit is disposed in a direction orthogonal to the members, and the pair of bottom surface members are inclined downward toward the upstream side in the transport direction with respect to the back surface of the substrate transported by the transport mechanism. Inclined.
請求項8に記載の発明は、請求項1から請求項7のいずれかに記載の発明において、前記第1の処理液は基板を薬液処理するための薬液であり、前記第2の処理液は基板を洗浄処理するための洗浄液である。
The invention according to claim 8 is the invention according to any one of
請求項1から請求項8に記載の発明によれば、第2の処理液により第1の処理液による基板の表面の処理に悪影響を与えることなく、処理液接液部の作用により形成された第2の処理液により基板の裏面を適正に処理することが可能となる。このとき、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より上流側で大きくなるように構成されていることから、処理液による処理効果を高めることができ、基板の裏面を十分に処理することが可能となる。 According to the first to eighth aspects of the present invention, the second treatment liquid is formed by the action of the treatment liquid contact portion without adversely affecting the surface treatment of the substrate by the first treatment liquid. The back surface of the substrate can be appropriately processed with the second processing liquid. At this time, since the flow amount of the second processing liquid from the processing liquid wetted part is configured to be larger on the upstream side than the downstream side in the substrate transport direction, the processing effect by the processing liquid is enhanced. And the back surface of the substrate can be sufficiently processed.
請求項2に記載の発明によれば、処理液接液部と基板の裏面との距離の差により、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より基板の搬送方向の上流側で大きくすることが可能となる。 According to the second aspect of the present invention, due to the difference in distance between the treatment liquid contact portion and the back surface of the substrate, the flow amount of the second treatment liquid from the treatment liquid contact portion is reduced downstream in the substrate transport direction. It is possible to increase the size on the upstream side in the substrate transport direction from the side.
請求項3に記載の発明によれば、一対の鍔部の作用により、基板の裏面に吐出部より吐出された第2の処理液を接液させて流下させることが可能となる。 According to the third aspect of the present invention, the second treatment liquid discharged from the discharge portion can be brought into contact with the back surface of the substrate and caused to flow down by the action of the pair of flange portions.
請求項4に記載の発明によれば、シンプルな構成を有する裏面処理液供給部全体を傾斜して配置することにより、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より基板の搬送方向の上流側で大きくすることが可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, the entire amount of the second processing liquid flowing from the processing liquid wetted part can be reduced by arranging the entire back surface processing liquid supply part having a simple configuration in an inclined manner. It is possible to make the size larger on the upstream side in the transport direction of the substrate than on the downstream side in the transport direction.
請求項5に記載の発明によれば、基板の搬送方向の下流側からの第2の処理液の流下量と基板の搬送方向の上流側からの第2の処理液の流下量とを適切なものとすることが可能となる。 According to the fifth aspect of the present invention, the flow amount of the second processing liquid from the downstream side in the substrate transport direction and the flow amount of the second processing liquid from the upstream side in the substrate transport direction are appropriately set. It becomes possible.
請求項6に記載の発明によれば、一対の底面部材と一対の壁部材の作用により、基板の裏面に吐出部より吐出された第2の処理液を接液させて流下させることが可能となる。 According to the sixth aspect of the present invention, the second treatment liquid discharged from the discharge portion can be brought into contact with the back surface of the substrate and caused to flow down by the action of the pair of bottom surface members and the pair of wall members. Become.
請求項7に記載の発明によれば、シンプルな構成を有する裏面処理液供給部全体を傾斜して配置することにより、処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、基板の搬送方向の下流側より基板の搬送方向の上流側で大きくすることが可能となる。 According to the seventh aspect of the present invention, the entire amount of the second processing liquid flowing from the processing liquid wetted part can be reduced by arranging the entire back surface processing liquid supply part having a simple configuration in an inclined manner. It is possible to make the size larger on the upstream side in the transport direction of the substrate than on the downstream side in the transport direction.
請求項8に記載の発明によれば、基板の表面を薬液で薬液処理するとともに、基板の裏面を洗浄液により洗浄処理することが可能となる。 According to the eighth aspect of the present invention, it is possible to perform the chemical liquid treatment on the surface of the substrate with the chemical liquid and to perform the cleaning treatment on the back surface of the substrate with the cleaning liquid.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。また、図2は、処理・洗浄ユニット1を拡大して示す側面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is an enlarged side view showing the processing /
この基板処理装置は、アモルファスシリコン層がその表面に形成されたガラス基板100に対してレーザーアニールを行う前に、シリコン層表面に形成された酸化膜のエッチングを行うためのものである。この基板処理装置は、処理チャンバー10内において、ガラス基板100をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板100を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ9と、4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1d(これらを総称するときには、単に「処理・洗浄ユニット1」という)を備える。
This substrate processing apparatus is for etching an oxide film formed on the surface of a silicon layer before performing laser annealing on the
各処理・洗浄ユニット1は、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に処理液を供給するための処理液吐出ノズル2と、この処理液吐出ノズル2との間に処理液の液溜まりを形成するための液溜まり保持部材3と、ガラス基板100の裏面を洗浄するためのこの発明の特徴部分である裏面洗浄部4とを備える。搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100に対し、4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dの作用により、順次、その表面への処理液の供給と、その裏面への洗浄液の供給とが実行される。
Each processing /
上述した4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dにおける処理液吐出ノズル2からは、処理液として、薬液であるエッチング液が供給される。このようなエッチング液としては、例えば、フッ酸(フッ化水素酸/HF)が使用される。なお、意図的にガラス基板100の表面に均一な酸化膜を形成するため、処理・洗浄ユニット1aにおける処理液吐出ノズル2から、または、処理・洗浄ユニット1dにおける処理液吐出ノズル2から、あるいは、処理・洗浄ユニット1aと1dにおける処理液吐出ノズル2から、処理液としてオゾン水を供給してもよい。この処理液吐出ノズルから供給される処理液は、この発明に係る第1処理液として機能する。
From the processing
また、上述した4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dにおける裏面洗浄部4からは、ガラス基板100の裏面を洗浄処理するための洗浄液が供給される。このような洗浄液としては、例えば、純水が使用される。この洗浄液は、この発明に係る第2の処理液として機能する。
A cleaning liquid for cleaning the back surface of the
処理液吐出ノズル2は、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100と対向する下面に、多数の処理液吐出口21が形成された構成を有する。これらの処理液吐出口21は、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向に列設されている。この処理液吐出口21は、例えば、0.5mm程度の直径を有し、処理液吐出ノズル2の長手方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)に、5mm乃至10mm程度のピッチで形成されている。この処理液吐出口21は、ガラス基板100の幅方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)全域にわたって設けられている。この処理液吐出ノズル2の材質としては、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。
The treatment
ガラス基板100の処理時には、この処理液吐出口21から処理液が吐出され、ガラス基板100の表面に供給される。このとき、処理液吐出口21と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面との距離は、それらの間が処理液吐出口21より吐出された処理液の液膜により液密状態となるように、小さい距離に設定されている。
When processing the
液溜まり保持部材3は、処理液吐出ノズル2との間に処理液の液溜まりを形成するためのものである。この液溜まり保持部材3は、処理液吐出ノズル2の処理液吐出口21と対向する位置に、処理液の液溜まりを保持する処理液保持面31を備える。そして、その処理液保持面31には、処理液の液溜まり保持用の凹部32が凹設されている。
The liquid
この凹部32は、処理液保持面31に好適に処理液の液溜まりを保持するために使用される。すなわち、液溜まり保持部材3の材質としては、処理の清浄性を確保できる、処理液吐出ノズル2と同様の、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。ここで、フッ素樹脂は処理液をはじく強い撥液性を有する。このため、処理液が液溜まり保持部材3における処理液保持面31から流下しやすくなる。このような流下を防止するために、処理液保持面31には凹部32が形成されている。なお、液溜まり保持部材3の材質として塩化ビニール等の樹脂を使用する場合には、この凹部32を省略してもよい。
The
この凹部32は、液溜まり保持部材3の長手方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)に延びる形状を有する。この凹部32は、ガラス基板100の幅方向(搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の搬送方向と直交する方向)全域にわたって形成されている。
The
裏面洗浄部4は、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給してガラス基板100の裏面を洗浄するための、この発明に係る裏面処理液供給部として機能するものである。なお、この裏面洗浄部4の構成については、後程、詳細に説明する。
The back
この基板処理装置により基板を処理する場合には、複数の搬送ローラ9により水平方向に搬送されるガラス基板100の先端が処理・洗浄ユニット1に到達する前に、処理液吐出ノズル2の処理液吐出口21から少量の処理液を吐出し、予め、処理液吐出ノズル2における処理液吐出口21と液溜まり保持部材3における処理液保持面31との間に、処理液の液溜まりを形成しておく。この状態において、さらに搬送ローラ9によりガラス基板100の搬送を継続すると、ガラス基板100の先端が、処理液吐出ノズル2と液溜まり保持部材3との間に形成された処理液の液溜まり中に進入する。ガラス基板100の先端が処理液の液溜まりまで到達すれば、処理液吐出ノズル2から処理液を吐出する。
When a substrate is processed by this substrate processing apparatus, the processing liquid discharged from the processing
この状態でさらにガラス基板100が水平方向に搬送された場合には、処理液吐出ノズル2とガラス基板100の表面との間に処理液の液膜が形成され、処理液吐出ノズル2とガラス基板100の表面との間は、処理液の液膜により液密状態となる。そして、処理液吐出ノズル2とガラス基板100との間を処理液の液膜により液密としたままの状態でガラス基板100が水平方向に搬送されることにより、処理液吐出ノズル2とガラス基板100の表面との間が処理液の液膜により液密状態となったまま、ガラス基板100の表面全域に処理液が供給される。
When the
なお、ガラス基板100の先端が処理液吐出ノズル2と液溜まり保持部材3との間に形成された処理液の液溜まり中に進入したときには、ガラス基板100の裏面側にも処理液が到達する。この処理液は、後述するように、裏面洗浄部4によりガラス基板100の裏面に供給された洗浄液により洗浄される。
When the front end of the
複数の搬送ローラ9により水平方向に搬送されるガラス基板100は、4個の処理・洗浄ユニット1a、1b、1c、1dにおいて上述した動作を繰り返すことにより、順次、その表面に処理液を供給されて表面をエッチング処理され、また、その裏面に洗浄液を供給されて裏面を洗浄処理される。
The
次に、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給してガラス基板100の裏面を洗浄するためのこの発明の裏面処理液供給部としての裏面洗浄部4の構成について説明する。図3は裏面洗浄部4の概要図である。なお、図3(a)は裏面洗浄部4の断面図であり、図3(b)は部分平面図である。また、図4は、裏面洗浄部4と複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100との配置関係を示す側面概要図である。
Next, the configuration of the back
この裏面洗浄部4は、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向と直交する方向に配設され、洗浄液を吐出するための多数の吐出口45がガラス基板100の搬送方向と直交する方向に列設されたノズル本体43と、このノズル本体43に洗浄液を供給するための洗浄液供給管44と、このノズル本体43の上部において搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向に対して所定の間隔を置いて吐出口45の両側に配置された一対の支持部41と、これらの支持部41に各々接続され、一対の支持部41から搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部42とを備える。
The back
なお、一対の支持部41と一対の鍔部42とは、ノズル本体43の上部に付設され、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に吐出口45より吐出された洗浄液を接液させた後に流下させるための、この発明に係る処理液接液部として機能する。
The pair of
図3(b)に示すように、一対の支持部41の側方には、蓋部材51が配設されている。この裏面洗浄部4は、左右一対の支持部材52により支持されている。
As illustrated in FIG. 3B, a
一対の支持部41は同一の高さを有するとともに、一対の鍔部42は一対の支持部41と各々直交する方向に配置されている。そして、図4に示すように、一対の鍔部42が搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜して配置されるように、裏面洗浄部4全体が傾斜した状態で支持部材52により支持されている。このため、この発明に係る処理液接液部を構成する一対の鍔部42と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離は、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側(図4に示す右側)より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側(図4における左側)の方が大きくなっている。
The pair of
このように、一対の鍔部42と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離を、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側の方を大きく設定することにより、後述するように、一対の鍔部42からの洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなる。
In this way, the distance between the pair of
次に、このように構成された裏面洗浄部4によるガラス基板100の裏面の洗浄処理動作について説明する。図5は、この発明に係る裏面洗浄部4によるガラス基板100の裏面の洗浄処理動作を示す説明図である。
Next, the cleaning process operation of the back surface of the
ガラス基板100の裏面を洗浄するときには、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100が裏面洗浄部4に到達する前に、ノズル本体43に形成された吐出口45より洗浄液を吐出し、一対の鍔部42の上面に洗浄液の液溜まり101を形成しておく。この場合においては、吐出口45からの洗浄液の吐出を継続してもよく、また、液溜まり101ができた時点で吐出口45からの洗浄液の吐出を停止してもよい。
When the back surface of the
ガラス基板100が裏面洗浄部4に到達した状態においては、一対の鍔部42の作用により、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に吐出口45より吐出された洗浄液が接触する接液状態となる。そして、この洗浄液は、一対の鍔部42より流下する。このときには、吐出口45より洗浄液を連続して吐出させる。
In a state where the
この状態においては、一対の鍔部42が搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように配置されていることから、図5に示すように、一対の鍔部42とガラス基板100の裏面との距離が搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より,搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなり、これにより洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなる。このため、吐出口45から吐出されガラス基板100の裏面の洗浄に使用されて汚染された洗浄液は、ガラス基板100の裏面における搬送方向の下流側から上流側に移動した後に、主としてガラス基板100の搬送方向の上流側の鍔部42から流下することになる。従って、洗浄液による洗浄処理効果を高めることができ、ガラス基板100の裏面を十分に洗浄処理することが可能となる。
In this state, the pair of
図6は、図5と比較のため、裏面洗浄部4を水平方向に配置した場合のガラス基板100の裏面の洗浄処理動作を示す説明図である。
For comparison with FIG. 5, FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating the cleaning processing operation of the back surface of the
この図に示すように、一対の鍔部42を搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面と平行に配置した場合においては、ガラス基板100の移動に伴って洗浄液はガラス基板100の搬送方向の下流側に移動し、一対の鍔部42からの洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側で大きくなる。このため、吐出口45から吐出された洗浄液は、ガラス基板100の裏面における搬送方向の上流側から下流側に移動した後に、一対の鍔部42から流下することになる。従って、洗浄処理に使用された洗浄液がガラス基板100の下面に接触した後に、主としてガラス基板100の搬送方向の下流側の鍔部42から流下することになり、ガラス基板100の裏面が洗浄に使用された洗浄液により汚染されることになる。
As shown in this figure, in the case where the pair of
図7は、一対の鍔部42をガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように配置した場合と、ガラス基板100の裏面に対して平行に配置した場合の洗浄処理結果の差異を示す表である。
FIG. 7 shows a case where the pair of
なお、図7(a)は裏面洗浄部4からの洗浄液の流量を毎分10リットルとした場合を示し、図7(b)は裏面洗浄部4からの洗浄液の流量を毎分20リットルとした場合を示している。また、この表において、洗浄処理後にガラス基板100に付着する洗浄液の導電率の単位としてはmS/cm(ミリジーメンス毎センチメートル)を採用している。この導電率が高いほど、ガラス基板100に付着する洗浄液において処理液の成分がイオンとして残存していることになり、ガラス基板100の洗浄効果が低いことを示している。また、この導電率が低い場合には、ガラス基板100に付着する洗浄液が純水に近いことになり、ガラス基板100の洗浄効果が高いことを示している。
7A shows the case where the flow rate of the cleaning liquid from the back
この表に示すように、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離をガラス基板100の搬送方向の上流側と下流側とで同一とした場合には、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離を変化させても洗浄効果に大きな差異はない。これに対して、一対の鍔部42をガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように配置した場合には、洗浄効果が飛躍的に向上する。図7(a)に示すように洗浄液の流量を毎分10リットルとした場合には、洗浄効果は約2.7倍となり、図7(b)に示すように洗浄液の流量を毎分20リットルとした場合には、洗浄効果は約4.4倍となっている。
As shown in this table, when the distance between the
一対の鍔部42と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離をガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側で大きくするために、一対の鍔部42をガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜させる場合に、一対の鍔部42の表面と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との交差角度は、0.5度乃至2度とすることが好ましい。このように一対の鍔部42を配置することにより、裏面洗浄部4による洗浄効果を高いものとすることが可能となる。
In order to increase the distance between the pair of
なお、一対の鍔部42からの洗浄液の流下量を、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくするとは、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側では洗浄液の流下がなく、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側のみで洗浄液が流下することを含む概念である。
Note that the amount of flow of the cleaning liquid from the pair of
以下、裏面洗浄部4の他の実施形態について説明する。図8は、第2実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。なお、以下の説明においては、上述した第1実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
Hereinafter, other embodiments of the back
上述した第1実施形態においては、同一の高さを有する支持部41に対して鍔部42を直交する方向に付設し、一対の鍔部42がガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように裏面洗浄部4全体を傾斜して配置している。これに対して、この第2実施形態においては、一対の支持部41の高さを、ガラス基板100の搬送方向の上流側で低く、下流側で高く設定することにより、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
In the first embodiment described above, the
図9は、第3実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
FIG. 9 is a schematic diagram of the back
この第3実施形態においては、一対の支持部41に対して、一対の鍔部42をガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜状態で付設することにより、鍔部42とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
In the third embodiment, the pair of
図10は、第4実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
FIG. 10 is a schematic diagram of the back
上述した第1乃至第3実施形態に係る裏面洗浄部4においては、いずれも、一対の支持部41と、これらの支持部41に各々接続され、一対の支持部41から搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部42とを備え、これらの支持部41および鍔部42により、この発明に係る処理液接液部を構成している。これに対して、この第4実施形態に係る裏面洗浄部4においては、一対の底面部材46と一対の壁部材47とにより、この発明に係る処理液接液部を構成している。
In the back
すなわち、この第4実施形態に係る裏面洗浄部4は、ノズル本体43の上部において搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向に対して所定の間隔を置いて吐出口45の両側に配置された一対の底面部材46と、これらの底面部材46に各々接続され、これら一対の底面部材46から搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面側に向けて立設された一対の壁部材47とを備えている。
That is, the back
この裏面洗浄部4においては、一対の壁部材47は同一の高さを有するとともに、これら一対の壁部材47は一対の底面部材46と直交する方向に配置され、一対の底面部材46がガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜して配置されるように、裏面洗浄部4全体が傾斜した状態で、図3(b)に示す支持部材52により支持されている。このため、一対の壁部材47と搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面との距離は、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側(図10に示す右側)より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側(図10における左側)の方が大きくなっている。
In the back
この第4実施形態に係る裏面洗浄部4においても、第1実施形態に係る裏面洗浄部4と同様、一対の壁部材47からの洗浄液の流下量が、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の下流側より、搬送ローラ9によるガラス基板100の搬送方向の上流側で大きくなる。このため、吐出口45から吐出されガラス基板100の裏面の洗浄に使用されて汚染された洗浄液は、ガラス基板100の裏面における搬送方向の下流側から上流側に移動した後に、主としてガラス基板100の搬送方向の上流側の壁部材47から流下することになる。従って、洗浄液による洗浄処理効果を高めることができ、ガラス基板100の裏面を十分に洗浄処理することが可能となる。
Also in the back
図11は、第5実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
FIG. 11 is a schematic diagram of the back
上述した第4実施形態においては、一対の壁部材47の高さを同一とし、一対の底面部材46がガラス基板100の裏面に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように裏面洗浄部4全体を傾斜して配置している。これに対して、この第5実施形態においては、一対の壁部材47の高さを、ガラス基板100の搬送方向の上流側で低く、下流側で高く設定することにより、壁部材47とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
In the fourth embodiment described above, the height of the pair of
図12は、第6実施形態に係る裏面洗浄部4の概要図である。
FIG. 12 is a schematic diagram of the back
この第6実施形態においては、一対の底面部材46をノズル本体43に対してガラス基板100の搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜する状態で付設することにより、壁部材47とガラス基板100の裏面との距離を、ガラス基板100の搬送方向の下流側より上流側の方が大きくなるようにしている。
In the sixth embodiment, the
次に、基板処理装置の他の実施形態について説明する。図13は、他の実施形態に係る基板処理装置の概要図である。なお、以下の実施形態においては、ガラス基板100の表面に対する処理形態が異なっている。
Next, another embodiment of the substrate processing apparatus will be described. FIG. 13 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment. In the following embodiments, the processing forms for the surface of the
すなわち、図1および図2に示す実施形態においては、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に処理液を供給するための処理液吐出ノズル2と、この処理液吐出ノズル2との間に処理液の液溜まりを形成するための液溜まり保持部材3とを利用してガラス基板100の表面を処理している。これに対して、図13に示す実施形態においては、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に対して、複数のスプレーノズル61により処理液を供給することで、ガラス基板100の表面を処理する構成を有する。スプレーノズル61より供給された処理液は、裏面洗浄部4の上流側に配置されたエアナイフ62により除去される。そして、ガラス基板100の裏面が裏面洗浄部4により洗浄処理される。
That is, in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the treatment
図14は、さらに他の実施形態に係る基板処理装置の概要図である。 FIG. 14 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment.
この図14に示す実施形態においては、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に対して、ノズル64より処理液を供給し、さらに、ブラシ63でガラス基板100の表面を擦ることで、ガラス基板100の表面を処理する構成を有する。ノズル64よりブラシ63を介して供給された処理液は、裏面洗浄部4の上流側に配置されたエアナイフ62により除去される。そして、ガラス基板100の裏面が裏面洗浄部4により洗浄処理される。
In the embodiment shown in FIG. 14, the processing liquid is supplied from the
なお、上述した実施形態においては、ガラス基板100の表面にエッチング液としてのフッ酸等を供給しているが、この発明はこれに限定されるものではない。例えば、ガラス基板100に対して現像液を供給することにより現像処理を行う基板処理装置にこの発明を適用してもよい。また、上述した実施形態においては、ガラス基板100の裏面に、洗浄液としての純水を供給しているが、純水以外の洗浄液を使用してもよい。さらに、ガラス基板100以外の基板に対して、その表面およびその裏面に、互いに異なるその他の処理液を各々供給する基板処理装置にこの発明を適用することも可能である。
In the above-described embodiment, hydrofluoric acid or the like as an etchant is supplied to the surface of the
1 処理・洗浄ユニット
2 処理液吐出ノズル
3 液溜まり保持部材
4 裏面洗浄部
9 搬送ローラ
10 処理チャンバー
21 処理液吐出口
31 処理液保持面
32 凹部
41 支持部
42 鍔部
43 ノズル本体
44 洗浄液供給管
45 吐出口
46 底面部材
47 壁部材
61 スプレーノズル
62 エアナイフ
63 ブラシ
64 ノズル
100 ガラス基板
101 洗浄液の液溜まり
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記基板処理チャンバー内において、基板をその主面が水平となる状態で水平方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される基板の表面に第1の処理液を供給して基板の表面を処理する表面処理液供給部と、
前記搬送機構により搬送される基板の下方に配置され、前記基板の裏面に前記第1の処理液とは異なる第2の処理液を供給することにより、前記基板の裏面を処理する裏面処理液供給部と、
を備えた基板処理装置において、
前記裏面処理液供給部は、
前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に配設され、前記第2の処理液を吐出する吐出部が前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に形成されたノズル本体と、
前記ノズル本体の上部に付設され、前記搬送機構により搬送される基板の裏面に前記吐出部より吐出された第2の処理液を接液させた後に流下させる処理液接液部と、
を備え、
前記処理液接液部は、当該処理液接液部からの第2の処理液の流下量を、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側で大きくなるように構成される基板処理装置。 A substrate processing chamber;
In the substrate processing chamber, a transport mechanism for transporting the substrate in a horizontal direction with its main surface being horizontal,
A surface treatment liquid supply unit for treating the surface of the substrate by supplying a first treatment liquid to the surface of the substrate conveyed by the conveyance mechanism;
A back surface processing liquid supply that is disposed below the substrate transported by the transport mechanism and processes the back surface of the substrate by supplying a second processing liquid different from the first processing liquid to the back surface of the substrate. And
In a substrate processing apparatus comprising:
The back surface treatment liquid supply unit is
A nozzle body disposed in a direction intersecting with the substrate transport direction by the transport mechanism, and a discharge section for discharging the second processing liquid formed in a direction intersecting with the substrate transport direction by the transport mechanism;
A treatment liquid contact part attached to the upper part of the nozzle body and flowing down after the second treatment liquid discharged from the discharge part is brought into contact with the back surface of the substrate transported by the transport mechanism;
With
The processing liquid wetted part is configured to reduce the amount of the second processing liquid flowing from the processing liquid wetted part upstream of the substrate transport direction by the transport mechanism from the downstream side of the substrate transport direction by the transport mechanism. A substrate processing apparatus configured to be large.
前記処理液接液部と前記搬送機構により搬送される基板の裏面との距離は、前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側より、前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側の方が大きい基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The distance between the processing liquid contact portion and the back surface of the substrate transported by the transport mechanism is larger on the upstream side in the substrate transport direction by the transport mechanism than on the downstream side in the substrate transport direction by the transport mechanism. Substrate processing equipment.
前記処理液接液部は、
前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の支持部と、
前記一対の支持部に各々接続され、当該一対の支持部から前記搬送機構による基板の搬送方向の上流側および下流側に各々突出する一対の鍔部と、
を備える基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
The treatment liquid wetted part is
A pair of support portions disposed on both sides of the discharge portion at a predetermined interval with respect to the transport direction of the substrate by the transport mechanism;
A pair of flanges respectively connected to the pair of support portions and projecting from the pair of support portions to the upstream side and the downstream side in the substrate transport direction by the transport mechanism;
A substrate processing apparatus comprising:
前記処理液接液部を構成する一対の支持部は同一の高さを有するとともに、一対の鍔部は前記一対の支持部と各々直交する方向に配置され、
前記一対の鍔部が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
The pair of support parts constituting the treatment liquid contact part have the same height, and the pair of collar parts are arranged in directions orthogonal to the pair of support parts,
Substrate processing apparatus in which the entire back surface processing liquid supply unit is inclined and disposed so that the pair of flanges are inclined downward toward the upstream side in the transport direction with respect to the back surface of the substrate transported by the transport mechanism. .
前記一対の鍔部の表面と、前記搬送機構により搬送される基板の裏面との交差角度は、0.5度乃至2度である基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 3 or Claim 4,
The substrate processing apparatus, wherein an intersection angle between the front surface of the pair of flanges and the back surface of the substrate transported by the transport mechanism is 0.5 to 2 degrees.
前記処理液接液部は、
前記搬送機構による基板の搬送方向に対して所定の間隔を置いて前記吐出部の両側に配置された一対の底面部材と、
前記一対の底面部材に各々接続され、当該一対の底面部材から前記搬送機構により搬送される基板の裏面側に向けて立設された一対の壁部材と、
を備える基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
The treatment liquid wetted part is
A pair of bottom surface members disposed on both sides of the discharge unit at a predetermined interval with respect to the substrate transport direction by the transport mechanism;
A pair of wall members respectively connected to the pair of bottom surface members and erected from the pair of bottom surface members toward the back surface side of the substrate conveyed by the conveyance mechanism;
A substrate processing apparatus comprising:
前記処理液接液部を構成する一対の壁部材は同一の高さを有するとともに、これら一対の壁部材は前記一対の底面部材と直交する方向に配置され、
前記一対の底面部材が前記搬送機構により搬送される基板の裏面に対して搬送方向の上流側に向けて下方へ傾斜するように、前記裏面処理液供給部全体を傾斜して配置する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6,
The pair of wall members constituting the treatment liquid contact portion have the same height, and the pair of wall members are arranged in a direction orthogonal to the pair of bottom surface members,
A substrate processing apparatus in which the entire back surface processing liquid supply unit is inclined so that the pair of bottom surface members are inclined downward toward the upstream side in the transport direction with respect to the back surface of the substrate transported by the transport mechanism. .
前記第1の処理液は基板を薬液処理するための薬液であり、前記第2の処理液は基板を洗浄処理するための洗浄液である基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-7,
The substrate processing apparatus, wherein the first processing liquid is a chemical liquid for chemical processing a substrate, and the second processing liquid is a cleaning liquid for cleaning the substrate.
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Cited By (2)
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JP2018006616A (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 住友精密工業株式会社 | Substrate processing device |
KR20190011682A (en) | 2017-07-25 | 2019-02-07 | 호야 가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, photomask cleaning method, and photo mask manufacturing method |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012216728A patent/JP2014069126A/en active Pending
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KR20190011682A (en) | 2017-07-25 | 2019-02-07 | 호야 가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, photomask cleaning method, and photo mask manufacturing method |
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