KR101215433B1

KR101215433B1 - 실리콘 단결정 인상용 종결정 및 해당 종결정을 사용한 실리콘 단결정의 제조 방법

Info

Publication number: KR101215433B1
Application number: KR1020107005105A
Authority: KR
Inventors: 노부미츠 타카세
Original assignee: 가부시키가이샤 섬코
Priority date: 2007-09-07
Filing date: 2008-07-17
Publication date: 2012-12-26
Also published as: JP2009062233A; CN101796225A; KR20100039447A; CN101796225B; EP2186929A4; EP2186929A1; TWI395840B; WO2009031365A1; JP5239265B2; TW200914651A; US20100242832A1

Abstract

실리콘 융액의 접촉시에 발생하는 열충격에 의한 슬립전위의 발생을 저감시키고, 또한, 이 슬립전위의 전달을 억제하여 목부의 직경이 종래보다 굵은 경우에도 무전위화가 가능한 실리콘 단결정 인상용 종결정을 제공한다.　본 발명의 실리콘 단결정 인상용 종결정은, 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 종결정의 개량이며, 그 특징 있는 구성은 종결정이 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것으로서, 도핑된 탄소의 농도가 5× 10¹⁵ ~ 5× 10¹⁷atoms/㎤의 비율인 것에 있다.

Description

실리콘 단결정 인상용 종결정 및 해당 종결정을 사용한 실리콘 단결정의 제조 방법{SEED CRYSTAL FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL BY USING THE SEED CRYSTAL}

본 발명은 초크랄스키법(CZ법)에 의한 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 실리콘 단결정 인상용 종결정 및 해당 종결정을 사용한 실리콘 단결정의 제조 방법에 관한 것이다.

CZ법에 의한 실리콘 단결정의 제조 방법에서는, 단결정 실리콘을 종결정으로 이용하여 이를 실리콘 융액에 접촉시킨 후, 실리콘 융액이 저장되어 있는 석영 도가니와 종결정을 각각 회전시키면서 종결정을 천천히 인상한다. 이 때, 이 종결정에 의해 유도된 실리콘 융액을 고체화하여 결정 지름을 원하는 지름까지 서서히 증대시켜서 실리콘 단결정을 성장시킨다.

이 때, 종결정을 실리콘 융액에 접촉시켰을 때에는, 열충격에 의해 종결정에 고밀도로 슬립전위가 발생한다. 이 슬립전위가 발생한 상태 그대로 결정 지름을 증대시켜서 실리콘 종결정을 성장시키면, 성장시킨 실리콘 단결정의 몸체부까지 전위가 전달되어 버린다. 이 때문에, 이러한 전위를 완전하게 제거하여 이 전위들이 인상 실리콘 단결정에 이르지 않게 할 필요가 있다.

이에 대한 방책으로는 슬립전위로부터 전달하는 전위를 소멸시키기 위해서, 인상 개시 직후의 종결정으로부터 성장시키는 결정의 직경을 3mm 정도까지 가늘게 하여 조임부(목부)를 형성하는 것으로써 무전위화한 후, 소정의 직경까지 결정 지름을 증대시켜서 어깨부를 형성하고 일정 직경의 단결정을 성장시키는, 이른바 대쉬넥(dash neck) 방법이 사용되고 있다.

그렇지만, 일반적인 대쉬넥 방법에서는 형성되는 목부의 직경이 5mm를 넘게 되면, 전위가 결정 밖으로 벗어나기 어려워져서 고밀도로 발생한 전위 모두가 결정 밖으로 벗어나지 않기 때문에 무전위화가 곤란해진다.

또한, 최근 실리콘 단결정 지름의 대구경화에 수반하여, 종래의 대쉬넥 방법에 의해 형성된 목부에서 대중량화된 실리콘 단결정을 지지하려면, 강도가 불충분하여 단결정 인상 중에 가는 목부가 파괴되어 단결정이 낙하하는 등의 중대한 사고를 일으킬 우려가 있었다.

이러한 문제점을 해결하는 방법으로서는, 자기장을 인가하거나 열차폐부재의 형상이나 배치 위치 등을 조절하는 것으로, 무전위화가 가능한 목부의 직경을 확대하는 것이 제안되고 있다.

또한, 종결정에 B(붕소)를 1× 10¹⁹cm^-3 이상의 고농도로 도핑하는 것으로 종결정의 강도를 높여서, 종결정 접촉시에 발생하는 슬립전위를 최대한 감소시키는 기술이 개시되고 있다(특허 문헌 1 참조).

또한, CZ법에 의한 실리콘 단결정 인상으로 이용하는 종결정으로서, 실리콘 융액과 접촉하는 선단부에 카본막을 피복한 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 인상용 종결정이 개시되고 있다(특허 문헌 2 참조).

특허문헌1:일본특허공개공보평4-139092호(특허청구범위청구항1,제3페이지우하단12~14행,제4페이지좌상단16~18행) 특허문헌2:일본특허공개공보2005-272240호(특허청구범위청구항5,도2)

그러나, 상기 특허 문헌 1과 같은 붕소를 고농도로 도핑한 종결정을 사용하는 방법은, 종결정에 붕소라는 결정의 저항율을 변화시키는 물질을 사용하기 때문에, 인상 실리콘 단결정의 저항율이 원하는 수치에서 어긋나버리는 문제점이 있다. 그것은, 종결정 중의 붕소가 실리콘 융액에 들어가서 저항율을 변화시키는 도펀트로 작용하기 때문이다. 그로 인하여, 저 저항율의 결정성장 이외에는 이용할 수 없다는 단점이 있다. 또한, 예상치 않은 상황이 발생하여 인상중의 단결정에 전위가 발생한 경우에는, 단결정으로부터 종결정을 분리시켜서 단결정을 실리콘 융액에 다시 넣어 녹인 후에, 분리시킨 종결정을 다시 실리콘 융액에 접촉시켜서 재인상을 실시하거나, 또는 다른 종결정을 사용하여 재인상을 실시하는데, 재인상을 실시할 때에도 종결정을 융해한 후에 인상하기 때문에, 융해량이 증가하여 필요이상으로 붕소가 실리콘 융액에 들어가 버림으로 인하여 재인상을 실시하는 실리콘 단결정의 저항율이 처음의 예정 비율에 비해 달라지는 불편함이 있다.

또한, 상기 특허 문헌 2와 같은 실리콘 융액과 접촉하는 선단부에 카본막을 피복한 종결정은, 실리콘 융액이나 그 외 인상 장치 내의 부품으로부터의 방사열을 카본막이 흡수하여 선단부의 온도를 높게 하는 것으로, 실리콘 융액과 종결정과의 온도차를 작게 하여 열충격 전위를 작게 하는 것이 목적일 것이다. 그러나, 이러한 종결정을 사용하면, 용해가 되지 않은 부분이 생겨서 전위가 발생하기 쉬워질 것이다.

본 발명의 목적은, 실리콘 융액의 접촉시에 발생하는 열충격에 의한 슬립전위의 발생을 저감시키고, 한편 이 슬립전위의 전달을 억제하여 목부의 직경이 종래보다 굵은 경우에도 무전위화가 가능한 실리콘 단결정 인상용 종결정 및 해당 종결정을 사용한 실리콘 단결정의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 제1의 관점은, 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 종결정의 개량이다. 그 특징 있는 구성은, 종결정이 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이며, 도핑된 탄소의 농도가 5× 10¹⁵ ~ 5× 10¹⁷atoms/㎤의 비율인 것에 있다.

본 발명의 제1의 관점에서는, 종결정중에 도핑된 탄소가 실리콘 융액의 접촉시에 발생하는 열충격에 의한 슬립전위의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 이 슬립전위의 전달을 억제할 수가 있기 때문에, 목부의 직경이 종래보다 굵은 경우에도 무전위화가 가능해진다. 따라서, 대중량 실리콘 단결정의 인상이 가능해진다.

본 발명의 제2의 관점은, 종결정중의 산소의 농도가 1× 10¹⁸ ~ 2× 10¹⁸atoms/㎤의 비율인 종결정이다.

본 발명의 제2의 관점에서는, 종결정중의 산소의 농도가 상기 범위내이면, 미세한 석출핵을 형성시키는 효과가 높아진다.

본 발명의 제3의 관점은, 종결정이 탄소 외에 질소도 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이며, 질소의 농도가 5× 10¹³~ 5× 10¹⁵atoms/㎤의 비율인 종결정이다.

본 발명의 제3의 관점에서는, 종결정중에 상기 농도 범위내에서 질소가 더 포함되는 것에 의해, 미세한 석출핵을 형성시키는 효과가 높아진다.

본 발명의 제4의 관점은, 초크랄스키법에 의해 종결정에 유도된 실리콘 융액을 인상하여 실리콘 단결정을 성장시키는 실리콘 단결정의 제조 방법의 개량이다. 그 특징 있는 구성은, 종결정이 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이며, 도핑된 탄소의 농도가 5× 10¹⁵~ 5× 10¹⁷atoms/㎤의 비율인 것에 있다.

본 발명의 제4의 관점에서는, 종결정중에 도핑된 탄소가 실리콘 융액의 접촉시에 발생하는 열충격에 의한 슬립전위의 전달을 억제할 수가 있기 때문에, 목부의 직경이 종래보다 굵은 경우에도 무전위화가 가능해진다. 따라서, 대중량 실리콘 단결정의 인상이 가능해진다.

본 발명의 제5의 관점은, 종결정중의 산소의 농도가 1× 10¹⁸ ~ 2× 10¹⁸atoms/㎤의 비율인 실리콘 단결정의 제조 방법이다.

본 발명의 제5의 관점에서는, 종결정중의 산소의 농도가 상기 범위내이면, 미세한 석출핵을 형성시키는 효과가 높아진다.

본 발명의 제6의 관점은, 종결정이 탄소 외에 질소도 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이며, 질소의 농도가 5× 10¹³ ~ 5× 10¹⁵atoms/㎤의 비율인 실리콘 단결정의 제조 방법이다.

본 발명의 제6의 관점에서는, 종결정중에 상기 농도 범위내에서 질소가 더 포함되는 것에 의해, 미세한 석출핵을 형성시키는 효과가 높아진다.

본 발명의 실리콘 단결정 인상용 종결정 및 해당 종결정을 사용한 실리콘 단결정의 제조 방법에서는, 종결정중에 도핑된 탄소가 실리콘 융액에 접촉될 때에 발생하는 열충격에 의한 슬립전위의 발생을 저감시키고, 또한 이 슬립전위의 전달을 억제할 수가 있기 때문에, 목부의 직경이 종래보다 굵은 경우에도 무전위화가 가능해진다. 따라서, 대중량 실리콘 단결정의 인상이 가능해진다.

도 1은 각 원소가 도핑된 종결정을 이용하여 실리콘 단결정을 인상할 때의 종결정중의 각 원소의 농도와 전위이동거리 L의 관계를 나타내는 그래프이다.

다음으로 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 도면을 참조하여 설명한다.

본 발명의 실리콘 단결정 인상용 종결정은, 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 종결정의 개량이다. 본 발명의 종결정은, 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이며, 도핑된 탄소의 농도가 5× 10¹⁵~ 5× 10¹⁷atoms/㎤의 비율인 것을 특징으로 한다. 탄소가 상기 농도 범위내에서 도핑된 종결정은, 실리콘 융액의 접촉시에 발생하는 열충격에 의한 슬립전위의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 이 슬립전위의 전달을 억제할 수가 있다.

도 1에는 산소, 탄소, 질소, 붕소의 각 원소를 첨가한 종결정을 이용하여 실리콘 단결정을 인상한 경우에 목부에서의 전위 이동거리 L이 나타나 있다. 또한, 도 1 중의 [Oi]는 각각의 종결정에 포함되는 산소 농도를 나타낸다.

도 1의 전위 이동거리 L은 다음과 같은 방법으로 구했다. 먼저, 원하는 원소를 첨가한 웨이퍼를 준비하고, 10cm×5cm 정도의 크기로 잘라서 이를 측정용 샘플로 하였다. 비커스(Vickers) 경도계에 의해 이 측정용 샘플의 표면에 하중 100g으로 10초간 유지하여 압흔을 형성하였다. 계속하여, 측정용 샘플을 900℃으로 30분간 열처리하였다. 열처리 후 측정 샘플의 압흔을 형성한 측정면을 라이트(Wright) 에칭액으로 3μm의 선택 에칭을 실시하여, 웨이퍼 단면의 전위 이동거리 L을 측정하였다.

또한, 실제 효과를 확인하려면 이하의 방법을 사용해도 좋다. 먼저, 종결정을 실리콘 융액에 접촉시켜 착액부(着液部, 융액접촉부)를 융해시킨 후, 실리콘 융액이 저장되어 있는 석영 도가니와 종결정을 각각 회전시키면서, 종결정을 천천히 인상하여 목부를 형성하고 인상을 정지한다. 그 다음, 인상 장치로부터 실리콘 단결정을 꺼낸 후, 종결정의 착액 계면을 포함한 결정육성부를 두께 1.0 ~ 2.0mm로 잘라 이것을 측정용 샘플로 사용한다. 이 측정용 샘플의 [110]종단면을 측정면으로 하여 혼합산(불화수소산:초산 = 1:4)의 혼합액으로 에칭한다. 다음에, X선 토포그래프(topograph) 관찰 장치에서 [220]면 투과에 의한 내부전위의 존재 상태를 평가한다.

도 1에서 명확하게 나타난 바와 같이, 각 원소를 첨가한 종결정을 사용하여 인상시의 목부에 발생한 전위의 이동거리 L을 보면, 산소와 탄소에서는 농도가 높아질수록 이동거리 L이 낮아지는 경향을 볼 수 있다. 또한, 질소나 붕소는 농도를 높여서 첨가하여도 전위 이동거리 L은 그다지 변함이 없었다. 이 중에서, 질소만을 도펀트로 했을 경우에는 전위 이동거리 L이 50mm전후로 충분히 이동거리를 억제하지 못했다. 또한, 산소를 고농도로 포함한 경우에서도 전위 이동거리 L이 70mm전후로, 이것도 충분히 이동거리를 억제하지 못했다. 붕소만을 도펀트로 했을 경우에는, 전위 이동거리 L이 30 ~ 40mm로 이동거리를 억제하지만, 전술한 바와 같이 붕소는 저항율을 변화시키는 물질로서 작용하기 때문에, 저 저항율의 결정성장 이외에는 이용할 수 없는 문제점이 있다. 한편, 탄소를 도펀트로 했을 경우에는, 고농도가 될수록 그 전위 이동거리 L이 짧아짐으로, 종래에 알려져 있는 붕소와 동일한 정도로 이동거리를 억제할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.

또한, 종결정에 탄소를 도핑했을 경우의 전위의 피닝(pinning)효과에 대해 고찰하면, 탄소 원자 그 자체에서도 피닝효과가 있고, 또한 탄소 원자는 미세한 석출핵을 형성시키는 효과도 가지고 있다. 이 때문에 형성된 미세한 석출핵에 의해, 다른 원소와 비교하면, 전위의 이동을 보다 더 억제하는 효과를 가진다. 따라서, 탄소는 피닝효과의 관점에서도 붕소 등의 다른 원소보다 우수하다.

또한, 탄소를 도핑한 종결정은 종결정의 융해에 의해 탄소가 실리콘 융액에 첨가되어도, 붕소와 같이 인상 실리콘 단결정의 저항율을 변화시키지 않는 뛰어난 효과를 가진다.

본 발명의 종결정은 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이다. 예를 들면, 탄소가 도핑되어 있지 않은 단순한 실리콘 결정의 표면층에 탄소층 등을 마련하여 종결정으로 한 경우에도, 표면층에 마련한 탄소층에 의해 열충격에 의한 슬립전위의 발생은 어느 정도의 비율로 억제할 수 있다고 생각되지만, 종결정의 표면층 외에는 탄소가 존재하지 않기 때문에, 종결정을 실리콘 융액과 접촉시켜서 융해한 다음에는, 발생한 슬립전위의 전달을 억제할 수 없다고 생각된다. 또한, 전술한 바와 같이 실리콘 결정의 표면층에 탄소층이 마련된 구조를 가지기 때문에 균일하게 융해되지 않는 경우도 있고, 미융해부가 생겨서 전위가 발생하기 쉬워지는 문제점도 예상된다. 또한, 실리콘과 탄소층과의 열팽창의 차이에 의해 종결정의 표면층으로부터 탄소층이 벗겨져서 실리콘 융액에 낙하하고, 이것이 불순물로 존재하여 육성중의 단결정에 전위가 발생하기 쉬워지는 등의 문제점도 생각할 수 있다.

한편, 본 발명과 같이 탄소 도핑된 실리콘 융액으로부터 인상되어 탄소가 실리콘 결정 구조의 내부에 들어가 있는 상태의 실리콘 단결정에서 잘라진 종결정이라면, 종결정과 실리콘 융액과의 접촉시에 미융해부가 생기는 경우도 없고, 열충격에 의한 슬립전위를 억제할 수가 있다.

탄소는 다른 도펀트와 동일하게 편석(偏析)이라고 하는 현상 때문에, 일반적으로 액체상태과 고체상태의 불순물 농도가 서로 다르고 액체상태 쪽이 농도가 높다. 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정은, 육성 축방향에서 농도가 일정해지지 않는다. 편석현상에 의해 고체화율이 상승하는 것에 따라 실리콘 융액의 탄소 농도가 높아지므로, 그에 따라 인상 실리콘 단결정 중에 포함되는 탄소 농도도 상승하기 때문이다. 따라서, 인상 실리콘 단결정의 탑부와 보텀부는 도핑한 탄소의 농도가 달라지게 되어, 탑부의 농도는 낮고 보텀부의 농도는 높아진다.

또한, 잘라지는 종결정은 결정 방위로 인하여, 탄소 도핑 실리콘 단결정의 육성 방향이 길이 방향이 되도록 잘라진다. 따라서, 본 발명의 종결정은, 탑부와 보텀부의 탄소 농도가 달라지게 되어, 탑부의 농도는 낮고 보텀부의 농도는 높아진다.

본 발명의 종결정에 있어서 도핑된 탄소의 농도를 상기 범위내로 한 것은, 탄소 농도가 하한치 미만에서는 열충격에 의한 슬립전위의 전달이 충분히 억제되지 않기 때문에 종래의 목부 직경보다 굵은 지름으로 무전위화 결정을 육성하지 못하고, 상한치를 넘는 농도의 탄소 도핑 종결정을 제작하는 것은 기술적으로 곤란하기 때문이다. 이 중에서, 5× 10¹⁶ ~ 5× 10¹⁷atoms/㎤의 비율이 특히 바람직하다.

또한, 탄소 도핑에 의해 형성되는 미세한 석출핵은 종결정중의 산소 농도를 소정의 농도로 하는 것에 의해, 탄소와 산소가 결합되어 한층 더 미세한 석출핵을 형성하기 때문에 석출핵의 수를 증대시킬 수 있다.

종결정중의 산소의 농도는 1 ~ 2× 10¹⁸atoms/㎤의 범위내가 매우 적합하다. 하한치 미만에서는 탄소 도핑과의 상승효과가 없고, 상한치를 넘으면 제작이 곤란하고 석출이 과다해지는 문제점이 있다. 이 중에서, 1.1 ~ 1.6× 10¹⁸atoms/㎤의 범위 내가 특히 바람직하다.

또한, 탄소 도핑에 의해 형성시키는 미세한 석출핵은, 종결정에 탄소 외에 질소를 도핑을 하는 것에 의해 더욱 증대시킬 수 있다. 종결정에 질소를 단독으로 도핑했을 경우에도 석출핵을 형성할 수 있지만, 이 경우에 형성되는 석출핵은 큰 핵이 되어 버리기 때문에 전위의 전달 억제 효과가 부족하다. 한편, 탄소와 함께 질소가 도핑되면, 단결정에 질소를 단독으로 도핑한 경우에 비해서 형성되는 석출핵은 미세한 핵이 되고, 또한 단결정에 탄소를 단독으로 도핑한 경우에 비해서도 보다 많은 미세한 석출핵을 형성할 수 있다. 질소를 도핑한 종결정은 질소가 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정을 잘라내어 얻을 수 있다. 이 경우, 탄소와 질소 양쪽이 도핑되어 있으므로, 각각의 편석계수를 고려하여 인상 실리콘 단결정 중에 포함되는 각 농도가 원하는 농도가 되도록, 사전에 실리콘 융액중의 각 농도를 조정해 두는 것이 필요하다.

종결정에 질소를 더 포함하게 할 때의 농도는 5× 10¹³ ~ 5× 10¹⁵atoms/㎤의 범위 내가 매우 적합하다. 하한치 미만에서는 탄소 도핑과의 상승효과를 얻지 못하고, 상한치를 넘으면 질소의 혼성결정 한계에 근접하여 제작이 곤란하다. 이 중에서, 5× 10¹³ ~ 5× 10¹⁴atoms/㎤의 범위내가 특히 바람직하다.

이상로부터, 본 발명의 종결정을 사용하여 실리콘 단결정을 인상하는 경우, 실리콘 융액의 접촉시에 발생하는 열충격에 의한 슬립전위의 발생을 저감시키고, 또한 이 슬립전위의 전달을 억제할 수가 있기 때문에, 목부의 직경이 종래보다 굵은 경우에도 무전위화가 가능하다. 따라서, 대중량 실리콘 단결정의 인상이 가능하다.

또한, 본 발명의 상한치에 가까운 10¹⁷atoms/㎤ 오더(order) 농도의 탄소가 도핑된 종결정을 사용해도 실리콘 융액으로 그 농도를 엷게 할 수 있고, 또한 탄소에는 편석현상이 있기 때문에, 실제로 인상 실리콘 단결정에 포함되는 탄소의 농도는 탄소 도핑이 되어있지 않은 종래의 종결정을 사용하여 인상한 경우에 비해서 거의 변화하지 않기 때문에, 소자에 끼치는 탄소의 영향은 없다고 해도 무방하다.

또한, 본 실시의 형태에서는 특별히 제시하고 있지 않지만, 본 발명의 종결정은 종래에 알려져 있는 종결정과 같은 형상을 사용하는 것이 가능하다.

본 발명의 실리콘 단결정 인상용 종결정은 종래보다 굵은 목부 지름에서도 무전위화가 가능하기 때문에, 대중량 실리콘 단결정의 인상에 적용할 수 있다.

Claims

초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 종결정에 있어서,
상기 종결정이 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것으로서,
상기 도핑된 탄소의 농도가 5× 10¹⁵ ~ 5× 10¹⁷atoms/㎤의 비율인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 인상용 종결정.
청구항 1에 있어서,
종결정중의 산소의 농도가 1× 10¹⁸ ~ 2× 10¹⁸atoms/㎤의 비율인 것을 특징으로 하는 종결정.
청구항 1에 있어서,
종결정이 탄소 외에 질소도 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것으로서,
상기 질소의 농도가 5× 10¹³ ~ 5× 10¹⁵atoms/㎤의 비율인 것을 특징으로 하는 종결정.
초크랄스키법에 의해 종결정에 유도된 실리콘 융액을 인상하여 실리콘 단결정을 성장시키는 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서,
상기 종결정이 탄소 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이며, 상기 도핑된 탄소의 농도가 5× 10¹⁵ ~ 5× 10¹⁷atoms/㎤의 비율인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
청구항 4에 있어서,
종결정중의 산소의 농도가 1× 10¹⁸ ~ 2× 10¹⁸atoms/㎤의 비율인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
청구항 4에 있어서,
종결정이 탄소 외에 질소도 도핑된 실리콘 융액에서 인상된 실리콘 단결정으로부터 잘라진 것이며, 상기 질소의 농도가 5× 10¹³ ~ 5× 10¹⁵atoms/㎤의 비율인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.