KR101203356B1 - Work stage and exposure apparatus using the same - Google Patents

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다케시 나카타니
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우시오덴키 가부시키가이샤
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Abstract

완형으로 휘어져 있는 워크 또는 주변부가 파상으로 변형되어 있는 워크라도, 워크의 휨을 교정하여 워크 전체면을 흡착 유지할 수 있는 워크 스테이지 및 그 워크 스테이지를 이용한 노광 장치를 제공한다.Even if the workpiece | work which is bent in a wedge shape or the workpiece | work which periphery deforms in a wave form is provided, the workpiece | work stage which can correct | amend and hold | maintain the whole surface of a workpiece | work, and the exposure apparatus using this work stage are provided.

진공 흡착에 의해 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지에 있어서, 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지(6)의 표면에, 제1 배관에 접속된 복수의 진공 흡착 구멍(X)으로 이루어지는 진공 흡착 구멍열을 방사상으로 복수열 배치한 제1 진공 흡착 구멍군(61)과, 제1 진공 흡착 구멍군(61) 사이에 끼워지는 영역에 형성되어, 제2 배관에 접속된 제2 진공 흡착 구멍군(Y)과, 워크를 흡착 유지할 때에, 제1 배관으로부터 제1 진공 흡착 구멍군(61)에 진공을 공급하고, 다음에, 제2 배관으로부터 제2 진공 흡착 구멍군(62)에 진공을 공급하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 워크 스테이지이다.In the work stage which adsorbs and holds a workpiece by vacuum adsorption, the vacuum adsorption hole heat which consists of several vacuum adsorption holes X connected to the 1st piping was radially formed on the surface of the work stage 6 which adsorbs and holds a workpiece | work. Second vacuum suction hole group Y formed in a region sandwiched between the first vacuum suction hole group 61 arranged in a plurality of rows, the first vacuum suction hole group 61, and connected to the second pipe; And a control unit for supplying a vacuum to the first vacuum suction hole group 61 from the first pipe and then supplying the vacuum to the second vacuum suction hole group 62 from the second pipe when the workpiece is adsorbed and held. It is a work stage characterized by one.

Description

워크 스테이지 및 이 워크 스테이지를 사용한 노광 장치{WORK STAGE AND EXPOSURE APPARATUS USING THE SAME}Work stage and exposure apparatus using this work stage {WORK STAGE AND EXPOSURE APPARATUS USING THE SAME}

본 발명은, 노광 등의 가공 처리되는 기판을 유지하는 워크 스테이지에 관한 것으로, 특히, 휨이 발생한 웨이퍼 등의 기판(워크)을 흡착 유지할 수 있는 워크 스테이지, 및 그 워크 스테이지를 사용한 노광 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a work stage for holding a substrate to be processed, such as exposure, and more particularly to a work stage capable of adsorbing and holding a substrate (work) such as a wafer having warpage, and an exposure apparatus using the work stage. will be.

종래, 반도체, 프린트 기판, 액정 기판 등 (이하 워크라고도 부른다)을 제조하는 공정에 있어서, 노광 등의 가공 처리를 행할 때, 워크가 위치 어긋남을 일으키지 않도록, 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지가 사용된다.Conventionally, in the process of manufacturing a semiconductor, a printed board, a liquid crystal substrate, or the like (hereinafter also referred to as a work), a work stage for adsorbing and holding the work is used so that the work does not cause misalignment when processing such as exposure. .

도 8은, 종래 기술에 관련된 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지를 구비한 노광 장치의 일례를 나타내는 도이다. 8 is a diagram illustrating an example of an exposure apparatus including a work stage that adsorbs and holds a work according to the prior art.

이 도에 나타내는 바와 같이, 이 노광 장치(100)는, 자외선을 출사하는 광조사부(101), 패턴이 형성된 마스크(102), 마스크(102)를 유지하는 마스크 스테이지(103), 레지스트가 도포되어 있는 웨이퍼나 프린트 기판 등의 워크(104)를 유지하는 워크 스테이지(105), 워크 스테이지(105) 상에 유지된 워크(104) 상에 마스크(102)의 패턴 이미지를 투영하는 투영 렌즈(106) 등으로 구성된다. 또한, 노광 장치(100) 중에, 투영 렌즈(106)를 구비하지 않는 것도 있다. 또한, 광조사부(101)는, 자외선을 포함하는 광을 방사하는 램프(1011)와, 램프(1011)로부터의 광을 반사하는 미러(1012)를 구비하고 있다. 또, 워크 스테이지(105)의 표면에는, 진공 흡착홈(또는 복수의 진공 흡착 구멍)(1051)이 형성되어 있다. 워크 스테이지(105)에는 배관(1052)이 접속되고, 배관(1052)을 통하여, 진공 흡착 구멍(진공 흡착홈)(1051)에, 워크(104)를 유지할 때에는 진공이, 또 워크(104)를 워크 스테이지(105)로부터 떼어낼 때에는 에어가 공급된다.As shown in this figure, the exposure apparatus 100 is coated with a light irradiation unit 101 for emitting ultraviolet light, a mask 102 with a pattern formed thereon, a mask stage 103 holding the mask 102, and a resist. The projection stage 106 which projects the pattern image of the mask 102 on the workpiece | work stage 105 which hold | maintains the workpiece | work 104, such as an existing wafer or a printed board, and the workpiece | work 104 hold | maintained on the workpiece stage 105. And the like. In addition, some of the exposure apparatus 100 may not be provided with the projection lens 106. The light irradiator 101 includes a lamp 1011 that emits light containing ultraviolet rays and a mirror 1012 that reflects light from the lamp 1011. A vacuum suction groove (or a plurality of vacuum suction holes) 1051 is formed on the surface of the work stage 105. A pipe 1052 is connected to the work stage 105, and when the workpiece 104 is held in the vacuum suction hole (vacuum suction groove) 1051 through the pipe 1052, the vacuum further causes the workpiece 104 to be held. When it removes from the work stage 105, air is supplied.

이 노광 장치의 동작을 이하에 간단하게 설명한다. 도시하지 않은 반송 수단에 의해, 노광 장치(100)의 워크 스테이지(105) 상에 프린트 기판 등의 워크(104)가 놓여진다. 워크(104)의 표면(패턴을 형성하는 측)에는, 레지스트가 도포되어 있다. 워크 스테이지(105)의 진공 흡착 구멍(진공 흡착홈)(1051)에 진공이 공급되고, 워크(104)는 워크 스테이지(105) 상에 흡착 유지된다. 워크 스테이지(105)로의 진공의 공급은, 노광 처리중, 워크(104)가 이동하지 않도록 계속된다. 노광 처리가 끝나면, 제어부(108)에 의해 전자 밸브(107)를 전환하여, 진공 흡착 구멍(진공 흡착홈)(1051)으로의 진공의 공급을 멈추어 워크(104)의 흡착 유지를 해제하고, 진공 흡착 구멍(진공 흡착홈)(1051)에 에어를 공급하여, 진공 흡착 구멍(진공 흡착홈)(1051)으로부터는 에어를 뿜어내게 한다. 이것에 의해, 워크(104)는 워크 스테이지(105)로부터 벗어나, 도시하지 않은 반송 수단에 의해, 노광 장치(100) 외로 반송된다.The operation of this exposure apparatus will be briefly described below. By the conveyance means which is not shown in figure, the workpiece | work 104, such as a printed board, is put on the workpiece | work stage 105 of the exposure apparatus 100. As shown in FIG. The resist is apply | coated to the surface (the side which forms a pattern) of the workpiece | work 104. The vacuum is supplied to the vacuum suction hole (vacuum suction groove) 1051 of the work stage 105, and the workpiece 104 is sucked and held on the work stage 105. The supply of vacuum to the work stage 105 is continued so that the work 104 does not move during the exposure process. After the exposure process is completed, the solenoid valve 107 is switched by the control unit 108 to stop the vacuum supply to the vacuum suction hole (vacuum suction groove) 1051 to release the suction holding of the workpiece 104, and the vacuum. Air is supplied to the suction hole (vacuum suction groove) 1051, and the air is blown out from the vacuum suction hole (vacuum suction groove) 1051. Thereby, the workpiece | work 104 is conveyed out of the exposure stage 100 by the conveyance means which is not shown in figure from the work stage 105. FIG.

<선행 기술 문헌>Prior art literature

<특허 문헌><Patent Documents>

특허 문헌 1: 일본국 공개특허 2002－134597호 공보Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-134597

특허 문헌 2: 일본국 공개특허 2007－238290호 공보Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-238290

일반적으로, 노광 등의 처리를 행하는 워크에는, 웨이퍼나 유리 기판, 약간 두꺼운 프린트 기판, 얇고 부드러운 필름형상 기판 등 다양한 종류가 있다. 또, 예를 들면, CVD 공정이나 에칭 공정을 반복하는 동안에 휨이나 변형을 일으키는 것도 있다. 최근에는 용도에 따라서는, 유리 기판 상에 실리콘 웨이퍼를 붙이거나, 사파이어 기판 상에 질화 갈륨을 붙이거나 한 특수한 기판도 사용되게 되었다. 이와 같이, 재질이 상이한 2장의 기판을 붙인 워크는, 각 재질의 열팽창 계수의 차이로부터 휨이 발생하기 쉽다. 워크 스테이지는, 상기와 같은 다양한 재질이나 변형되어 있는 워크를 흡착 유지하기 위해, 진공 흡착홈(구멍)의 형상이나 진공 흡착 방법이, 다양하게 제안되고 있다. 이하 그 일례에 대해서 설명한다.Generally, there exist various kinds of workpiece | work which processes processing, such as exposure, such as a wafer, a glass substrate, a slightly thick printed substrate, and a thin and soft film-shaped board | substrate. Further, for example, warpage or deformation may be caused while the CVD process or the etching process is repeated. In recent years, depending on the application, a special substrate obtained by pasting a silicon wafer on a glass substrate or gallium nitride on a sapphire substrate has also been used. Thus, the workpiece | work which attached two board | substrates different from a material tends to generate curvature from the difference of the thermal expansion coefficient of each material. In order to adsorb | suck and hold the above various materials and a deformation | transformation of a workpiece | work, the shape of a vacuum suction groove (hole) and the vacuum suction method are proposed variously. An example thereof will be described below.

특허 문헌 1에 기재된 스테이지 장치는, 진공을 공급하는 구멍과, 그 구멍으로부터 방사상으로 연장되는 복수의 진공 흡착홈을 구비하고 있으며, 이와 같이 구성함으로써, 얇고 부드러운 플렉시블한 기판을, 공기덩어리를 발생시키지 않고 흡착 유지할 수 있는 것이다. The stage apparatus described in Patent Document 1 includes a hole for supplying a vacuum and a plurality of vacuum adsorption grooves extending radially from the hole. By configuring in this way, a thin and soft flexible substrate does not generate air masses. It can be maintained without adsorption.

또, 특허 문헌 2에 기재된 워크 테이블은, 워크를 흡착 유지하는 다공질 플레이트를, 주연부 공기실에 연통하는 주연부 영역과, 중앙부 공기실에 연통하는 중 앙부 영역으로 구분하고 있으며, 예를 들면, 주연부 영역에서 중앙부 영역으로 차례로 진공을 공급함으로써, 휨이 발생한 얇은 워크를 흡착 유지할 수 있는 것이다.Moreover, the work table described in patent document 2 divides the porous plate which adsorbs-holds a workpiece | work into the peripheral part area | region which communicates with a peripheral part air chamber, and the central part area | region which communicates with a central part air chamber, For example, the peripheral part area | region By supplying vacuum to the central region in turn, the thin workpiece having warpage can be adsorbed and held.

본건 발명자들은, 휨이 발생한 웨이퍼를, 휨을 교정하여 전체면에서 흡착 유지할 수 있는 워크 스테이지에 대해서 예의 검토했다. 휨을 일으킨 웨이퍼는, 예를 들면, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 완형으로 휘어져 있으며, φ120mm의 웨이퍼(201)에 있어서, 주변부(2011)는 중앙부(2012)에 대해서 1mm 또는 그 이상 휘어져 있다. 또, 웨이퍼에 따라서는, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 주변부(2021)가 파상으로 변형되어 있는 것도 있다. 이러한 휨이 발생한 웨이퍼(202)를 흡착 유지하기 위해서, 예를 들면, 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2에 기재되어 있는 바와 같은 워크 스테이지를 이용하여 실험했지만, 전체면을 흡착 유지할 수는 없었다. 또한, 이들 도에서는, 알기 쉽게, 워크 휨량은 과장해서 나타내고 있다. 이하에, 전체면 흡착이 곤란한 이유에 대해 설명한다.The present inventors earnestly examined the work stage which can hold | maintain the wafer which warpage generate | occur | produced and adsorb | sucks and hold | maintains on the whole surface. For example, as shown in FIG. 9 (a), the warped wafer is curved in a toy shape, and in the wafer 201 having a diameter of 120 mm, the peripheral portion 2011 is bent 1 mm or more with respect to the center portion 2012. . In addition, depending on the wafer, as shown in FIG. 9B, the peripheral portion 2021 may be deformed in a wave shape. In order to adsorb | suck and hold the wafer 202 which generate | occur | produced such curvature, although experiment was carried out using the work stage as described, for example in patent document 1 and patent document 2, it was not able to adsorb and hold the whole surface. In addition, in these figures, the workpiece warpage amount is exaggerated and shown. Below, the reason why whole surface adsorption is difficult is demonstrated.

종래 기술에 관련된 도 10(a)의 워크 스테이지(301)의 단면도에 나타내는 바와 같이, 방사상으로 연장되는 복수의 진공 흡착홈(3011)을 구비한 워크 스테이지(301)를 이용한 경우는, 진공 흡착홈(3011)에 진공을 공급해도, 공기가 웨이퍼(302)가 휘어져 있는 주변부(3021)로부터 진공 흡착홈(3011)을 향해 흘러들어, 진공 흡착홈(3011)의 진공 흡착압이 저하하여, 웨이퍼(302)를 흡착할 수 없었다.As shown in the cross-sectional view of the work stage 301 of FIG. 10 (a) related to the prior art, in the case of using the work stage 301 having a plurality of radially extending vacuum suction grooves 3011, the vacuum suction grooves are used. Even when vacuum is supplied to 3011, air flows from the peripheral portion 3021 where the wafer 302 is bent toward the vacuum suction groove 3011, whereby the vacuum suction pressure of the vacuum suction groove 3011 is lowered and the wafer ( 302) could not be adsorbed.

또, 종래 기술에 관련된 도 10(b)의 워크 스테이지(303)의 단면도에 나타내는 바와 같이, 표면에 다수의 진공 흡착 구멍(3031)을 구비한 워크 스테이지(303)를 이용한 경우는, 웨이퍼(304)의 중앙부(3041)는, 접하고 있는 워크 스테이 지(303)의 중앙부의 진공 흡착 구멍(3031)에는 흡착되지만, 역시, 공기가 웨이퍼(304)가 휘어져 있는 주변부(3042)로부터 진공 흡착 구멍(3031)에 흘러드므로, 그 이상은 진공 흡착압이 저하하여, 웨이퍼(304) 전체면을 흡착 유지할 수 없었다.In addition, as shown in the cross-sectional view of the work stage 303 of FIG. 10 (b) related to the prior art, in the case of using the work stage 303 having a plurality of vacuum suction holes 3031 on its surface, the wafer 304 The center portion 3041 of the) is adsorbed to the vacuum adsorption hole 3031 of the central portion of the work stage 303 which is in contact, but air is also sucked from the peripheral portion 3042 where the wafer 304 is bent. ), The vacuum adsorption pressure lowered, and the entire surface of the wafer 304 could not be adsorbed and held.

또, 종래 기술에 관련된 도 11(a), (b)의 워크 스테이지의 단면도 및 평면도에 나타내는 바와 같이, 링형상의 진공 흡착홈을, 워크 스테이지(401)의 중앙부로부터 제1 진공 흡착홈(4011), 제2 진공 흡착홈(4012), 제3의 진공 흡착홈(4013)…을 복수 형성하여, 내측의 진공 흡착홈으로부터 차례로, 제1 진공 흡착홈(4011), 제2 진공 흡착홈(4012), 제3의 진공 흡착홈(4013)…에 진공을 공급하도록 했다. 그러나, 이 도에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(402)의 워크 스테이지(401)에 가까운 부분(4021)이 흡착되고, 그곳으로부터 외측을 향해 흡착되어 가는 경향이 있지만, 흡착되어 있는 부분의 반대측이 반대로 워크 스테이지(401)로부터 떨어져 버려, 그곳으로부터 리크되어 진공 흡착압이 저하하고, 역시 웨이퍼(402) 전체면을 흡착 유지를 할 수 없었다.Moreover, as shown in sectional drawing and plan view of the work stage of FIG. 11 (a), (b) which concerns on a prior art, a ring-shaped vacuum suction groove | channel is made into the 1st vacuum suction groove | channel 4011 from the center part of the work stage 401. FIG. ), Second vacuum suction groove 4012, third vacuum suction groove 4013... And a plurality of the first and second vacuum suction grooves 4011, the second vacuum suction grooves 4012, and the third vacuum suction grooves 4013. To supply vacuum. However, as shown in this figure, although the portion 4021 near the work stage 401 of the wafer 402 is adsorbed and tends to be adsorbed outward from there, the opposite side of the adsorbed portion is reversed. It fell away from the stage 401, leaked from there, and the vacuum adsorption pressure fell, and the wafer 402 whole surface could not be adsorbed-held.

본 발명의 목적은, 상기의 종래 기술의 문제점을 감안하여, 진공 흡착에 의해 기판(워크)을 흡착 유지하는 워크 스테이지에 있어서, 완형의 휨이 발생한 기판(워크)이라도, 그 휨을 교정하여 기판(워크) 전체면을 흡착 유지할 수 있는 워크 스테이지 및 그 워크 스테이지를 이용한 노광 장치를 제공하는 것에 있다.In view of the problems of the prior art described above, an object of the present invention is to provide a substrate (work) in which a warpage of a wedge shape is generated in a work stage that adsorbs and holds a substrate (work) by vacuum adsorption, thereby correcting the warpage to provide a substrate ( It is an object of the present invention to provide a work stage capable of adsorbing and holding the entire surface and an exposure apparatus using the work stage.

본 발명은, 상기의 과제를 해결하기 위해서, 다음과 같은 수단을 채용했다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This invention employ | adopts the following means in order to solve said subject.

제1 수단은, 진공 흡착에 의해 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지에 있어 서, 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지의 표면에, 제1 배관에 접속된 복수의 진공 흡착 구멍으로 이루어지는 진공 흡착 구멍열을 방사상으로 복수열 배치한 제1 진공 흡착 구멍군과, 상기 제1 진공 흡착 구멍군 사이에 끼워지는 영역에 형성되어, 제2 배관에 접속된 제2 진공 흡착 구멍군과, 상기 워크를 흡착 유지할 때에, 상기 제1 배관으로부터 상기 제1 진공 흡착 구멍군에 진공을 공급하고, 다음에, 상기 제2 배관으로부터 상기 제2 진공 흡착 구멍군에 진공을 공급하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 워크 스테이지이다.The first means is a work stage for adsorbing and holding the workpiece by vacuum adsorption, and radially adsorbs the vacuum adsorption hole rows composed of a plurality of vacuum adsorption holes connected to the first pipe on the surface of the work stage for adsorbing and holding the workpiece. In the case where the second vacuum suction hole group and the second vacuum suction hole group connected to the second pipe are formed in an area sandwiched between the first vacuum suction hole group and the first vacuum suction hole group arranged in a plurality of rows, And a control unit for supplying a vacuum to the first vacuum suction hole group from the first pipe, and then supplying a vacuum to the second vacuum suction hole group from the second pipe.

제2 수단은, 광을 출사하는 광출사부와, 패턴이 형성된 마스크를 유지하는 마스크 스테이지와, 상기 마스크에 형성된 패턴이 전사되는 워크를 유지하는 워크 스테이지를 구비하는 노광 장치에 있어서, 상기 워크 스테이지는, 상기 제1 수단에 기재된 워크 스테이지인 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.In the exposure apparatus, a 2nd means is provided with the light output part which emits light, the mask stage which hold | maintains the mask in which the pattern was formed, and the work stage which hold | maintains the workpiece | work which the pattern formed in the said mask is transferred to, The said work stage Is the work stage as described in said 1st means, It is an exposure apparatus characterized by the above-mentioned.

본 발명의 워크 스테이지에 의하면, 완형의 휨이 발생한 워크나 파상의 워크라도, 휨을 교정하면서, 워크를 워크 스테이지 전체면에 확실히 흡착 유지킬 수 있다.According to the workpiece | work stage of this invention, even if the workpiece | work which generate | occur | produces a wedge-shaped warpage, or a wave-shaped workpiece | work can be reliably attracted and hold | maintained to a workpiece | work stage whole surface, correct | amending a warpage.

또, 본 발명의 노광 장치에 의하면, 완형의 휨이 발생한 워크나 파상의 워크를 워크 스테이지 전체면에 확실히 흡착 유지할 수 있는 노광 장치를 제공할 수 있다.Moreover, according to the exposure apparatus of this invention, the exposure apparatus which can reliably adsorb | hold and hold | maintain the workpiece | work which generate | occur | produced the arm shape warpage, or a wave-shaped workpiece to the whole surface of a work stage can be provided.

본 발명의 일실시 형태를 도 1 내지 도 6을 이용하여 설명한다.An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

도 1은, 본 실시 형태의 발명에 관련된 워크 스테이지를 구비한 노광 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 또한, 이하에 있어서는, 노광 장치에 이용하는 워크 스테이지를 예로서 설명하고 있지만, 노광 장치 이외라도, 워크(기판)를 흡착 유지하여 처리하는 장치이면, 본 발명에 관련된 워크 스테이지를 적용할 수 있다.1: is sectional drawing which shows schematic structure of the exposure apparatus provided with the workpiece | work stage which concerns on this invention. In addition, below, although the workpiece | work stage used for an exposure apparatus is demonstrated as an example, the workpiece | work stage which concerns on this invention can be applied if it is an apparatus which adsorbs and hold | maintains a workpiece | work (substrate) other than an exposure apparatus.

이 도에 나타내는 바와 같이, 이 노광 장치(1)는, 자외선을 출사하는 광조사부(2), 패턴이 형성된 마스크(3), 마스크(3)를 유지하는 마스크 스테이지(4), 레지스트가 도포되어 있는 웨이퍼나 프린트 기판 등의 워크(5)를 유지하는 워크 스테이지(6), 워크 스테이지(6) 상에 유지된 워크(5) 상에 마스크(3)의 패턴 이미지를 투영하는 투영 렌즈(7) 등으로 구성된다. 또한, 노광 장치(1) 중에, 투영 렌즈(7)를 구비하지 않는 것도 있다. 광조사부(2)는, 자외선을 포함하는 광을 방사하는 램프(21)와, 램프(21)로부터의 광을 반사하는 미러(22)를 구비한다. 또, 워크 스테이지(6)의 표면에는, 진공 흡착 구멍군(61, 62)이 형성되어 있다.As shown in this figure, this exposure apparatus 1 is coated with the light irradiation part 2 which emits ultraviolet-ray, the mask 3 in which the pattern was formed, the mask stage 4 holding the mask 3, and the resist. The projection stage 7 which projects the pattern image of the mask 3 on the workpiece | work stage 6 which hold | maintains the workpiece | work 5, such as a wafer or a printed board which existed, and the workpiece | work 5 hold | maintained on the workpiece | work stage 6 And the like. In addition, some of the exposure apparatus 1 may not be provided with the projection lens 7. The light irradiation part 2 is provided with the lamp 21 which emits the light containing an ultraviolet-ray, and the mirror 22 which reflects the light from the lamp 21. As shown in FIG. In addition, vacuum suction hole groups 61 and 62 are formed on the surface of the work stage 6.

워크 스테이지(6)에는 제1 진공 배관(71) 및 제2 진공 배관(72)이 접속되고, 제어부(9)로부터 제1 전자 밸브(81) 및 제2 전자 밸브(82)를 제어함으로써 제1 진공 배관(71) 및 제2 진공 배관(72)을 통하여, 진공 흡착 구멍에, 워크(5)를 유지할 때에는 진공이, 또 워크(5)를 워크 스테이지(6)로부터 떼어낼 때에는 에어가 공급된다. 워크 스테이지(6)로의 진공의 공급 기구에 대해 상세히 서술하면, 제1 진공 배관(71)에는 제1 전자 밸브(81)가, 제2 진공 배관(72)에는 제2 전자 밸브(82)가 장착되어 있다. 제1 전자 밸브(81)와 제2 전자 밸브(82)는, 각각 제어부(9)에 접속되어 있으며, 제어부(9)로부터의 동작 신호에 의해 동작한다. 제1 진공 배관(71)과 제2 진공 배관(72)에는 독립적으로 진공이 공급되도록 구성되어 있으며, 제1 전자 밸브(81)가 동작하면 제1 진공 배관(71)에 진공이 공급되고, 제2 전자 밸브(82)가 동작하면 제2 진공 배관(72)에 진공이 공급된다.The 1st vacuum piping 71 and the 2nd vacuum piping 72 are connected to the work stage 6, The 1st solenoid valve 81 and the 2nd solenoid valve 82 are controlled from the control part 9, and 1st Through the vacuum piping 71 and the 2nd vacuum piping 72, a vacuum is supplied when holding the workpiece | work 5 to a vacuum suction hole, and air is supplied when removing the workpiece | work 5 from the work stage 6. . When the vacuum supply mechanism to the work stage 6 is described in detail, the 1st solenoid valve 81 is attached to the 1st vacuum piping 71, and the 2nd solenoid valve 82 is attached to the 2nd vacuum piping 72. As shown in FIG. It is. The 1st solenoid valve 81 and the 2nd solenoid valve 82 are connected to the control part 9, respectively, and operate by the operation signal from the control part 9. The vacuum is supplied to the first vacuum pipe 71 and the second vacuum pipe 72 independently. When the first solenoid valve 81 operates, a vacuum is supplied to the first vacuum pipe 71. When the two solenoid valve 82 operates, a vacuum is supplied to the 2nd vacuum piping 72.

도 2는, 도 1에 나타낸 워크 스테이지(6)의 확대 평면도, 도 3(a)은, 도 2의 A－A부분에 있어서의 단면도, 도 3(a)은, 도 2의 B－B부분에 있어서의 단면도이다.2 is an enlarged plan view of the work stage 6 shown in FIG. 1, FIG. 3 (a) is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 2, and FIG. 3 (a) is the B-B portion of FIG. 2. It is sectional drawing in.

도 2에 나타내는 바와 같이, 워크 스테이지(6)에는, 제1 진공 흡착 구멍군(61)과 제2 진공 흡착 구멍군(62)을 구비한다. 제1 진공 흡착 구멍군(61)은, 복수의 진공 흡착 구멍(X)을 워크 스테이지(6)의 중앙부로부터 주변부(외측)을 향해 늘어놓은 진공 흡착 구멍열을, 방사상으로 복수열 배치하여 형성한다(도면 중 X로 나타낸다). 또한, 이 도에 있어서는, 제1 진공 흡착 구멍군(61)은, 직선 형상으로 늘어놓아져 있지만, 어느 범위이면, 사행(커브)하거나 지그재그 형상(지그재그)으로 배치해도 된다. 또, 제2 진공 흡착 구멍군(62)은, 제1 진공 흡착 구멍군(61) 사이에 끼워지는 영역에 형성한다(도면 중 Y로 나타낸다). 본 실시 형태에 있어서는, 각 진공 흡착 구멍의 직경은 φ1mm이며, 그 개수는, 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍(X)은 10개, 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)은 19개이다. 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍(X)은 모두 제1 진공 배관(71)에 접속되고, 또, 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)은 모두 제2 진공 배관(72)에 접속된다. 제1 진공 배관(71)과 제2 진공 배관(72)에는 독립적으로 워크 흡착용의 진공이 공급된다.As shown in FIG. 2, the work stage 6 includes a first vacuum suction hole group 61 and a second vacuum suction hole group 62. The first vacuum suction hole group 61 is formed by radially arranging a plurality of vacuum suction hole rows in which the plurality of vacuum suction holes X are arranged from the central portion of the work stage 6 toward the peripheral portion (outer side). (Indicated by X in the figure). In addition, in this figure, although the 1st vacuum suction hole group 61 is lined up in linear form, you may arrange | position in a meandering (curve) or zigzag shape (zigzag) as long as it is a range. The second vacuum suction hole group 62 is formed in a region sandwiched between the first vacuum suction hole group 61 (indicated by Y in the figure). In this embodiment, the diameter of each vacuum suction hole is phi 1 mm, and the number of the vacuum suction holes X of the 1st vacuum suction hole group 61 is ten, and the 2nd vacuum suction hole group 62 The vacuum suction hole Y is nineteen. The vacuum suction holes X of the first vacuum suction hole group 61 are all connected to the first vacuum pipe 71, and the vacuum suction holes Y of the second vacuum suction hole groups 62 are all made. 2 is connected to the vacuum pipe 72. The vacuum for workpiece | work adsorption is supplied to the 1st vacuum piping 71 and the 2nd vacuum piping 72 independently.

도 4, 도 5, 및 도 6을 사용하여, 본 발명의 워크 스테이지의 동작에 대해 설명한다. 도 4(a)~도 4(c)는 도 3(a)의 경우에 상당하며, 도 5(a)~도 5(c)는 도 3(b)의 경우에 상당한다. 또한, 이들 도에서는, 알기 쉽게, 워크 휨량은 과장해서 나타내고 있다. 또, 도 6은 워크 스테이지(6)를 위에서 본 도이며, 워크(5)가 흡착되어 가는 모습을 모식적으로 나타낸 것이다.4, 5, and 6, the operation of the work stage of the present invention will be described. 4 (a) to 4 (c) correspond to the case of FIG. 3 (a), and FIGS. 5 (a) to 5 (c) correspond to the case of FIG. 3 (b). In addition, in these figures, the workpiece warpage amount is exaggerated and shown. 6 is the figure which looked at the work stage 6 from the top, and shows the state which the workpiece | work 5 adsorb | sucks.

우선, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 워크 스테이지(6)에, 휨이 발생한 워크(웨이퍼 등)(5)가, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 반송되어 올려 놓아진다. 도 1에 나타낸 제어부(9)가 제1 전자 밸브(81)를 동작시켜, 제1 진공 배관(71)에 워크 흡착용의 진공을 공급한다. 제1 진공 흡착 구멍군(71)의 진공 흡착 구멍(X)에 진공이 공급된다. 워크(5)는 완형으로 휘어져 있으며, 그 중앙부나 그 주변에서 워크 스테이지(6)와 접하고 있다. 그 때문에, 워크(5)는 워크 스테이지(6)의 중앙에 설치한 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍(X)에 의해 흡착된다.First, as shown to Fig.4 (a), the workpiece | work (wafer etc.) 5 with which curvature generate | occur | produced on the work stage 6 is conveyed and mounted by the conveyance mechanism not shown. The control part 9 shown in FIG. 1 operates the 1st solenoid valve 81, and supplies the vacuum for workpiece | work adsorption to the 1st vacuum piping 71. FIG. The vacuum is supplied to the vacuum suction hole X of the first vacuum suction hole group 71. The workpiece | work 5 is bent in a wand shape, and is in contact with the work stage 6 in the center part or its periphery. Therefore, the workpiece | work 5 is adsorb | sucked by the vacuum suction hole X of the 1st vacuum suction hole group 61 provided in the center of the work stage 6.

다음에, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 제1 진공 흡착 구멍군(61)은, 방사상으로 3열 형성되어 있으므로, 휘어져 있는 워크(5)는, 그 3열 중에서 워크(5)와 워크 스테이지(6)의 간격이 가장 좁은 열의 워크 스테이지(6)의 중앙부(내측)의 진공 흡착 구멍(X)에 흡인되어 흡착된다. 그러면, 이번에는, 그 열의 외측에 있는 진공 흡착 구멍(X)과 워크(5)의 간격이 좁아져, 그 진공 흡착 구멍(X)에 흡인되어 흡착된다(도 6의 화살표(1)에 대응). 다른 열의 진공 흡착 구멍(X)은, 이 단계에서는, 워크(5)를 흡착하지 못하고, 리크를 일으키고 있다. 그러나, 워크 스테이지(6)에 형성되어 있는 진공 흡착 구멍(X)(Y)은 직경이 φ1mm로 작고, 또 진공 흡착 구멍(X)(Y)의 개수도 적기 때문에, 제1 진공 배관(71)에 공급하는 진공의 압력이 올 라가 버릴(대기압에 가까워져 버릴) 정도의 대량의 공기는 흘러 들지 않는다.Next, as shown in FIG.4 (b), since the 1st vacuum suction hole group 61 is formed in three rows radially, the curved workpiece | work 5 is the workpiece | work 5 and the workpiece | work in the three rows. The space | interval of the stage 6 is attracted and adsorb | sucked by the vacuum suction hole X of the center part (inner side) of the work stage 6 of the narrowest row | line | column. Then, this time, the space | interval of the vacuum suction hole X and the workpiece | work 5 which are in the outer side of the row becomes narrow, and it attracts and adsorb | sucks into the vacuum suction hole X (it corresponds to the arrow 1 of FIG. 6). . The vacuum suction hole X of another row does not adsorb | suck the workpiece | work 5 at this stage, and is leaking. However, since the vacuum suction holes X and Y formed in the work stage 6 have a diameter of φ1 mm, and the number of vacuum suction holes X and Y is small, the first vacuum pipe 71 is small. A large amount of air does not flow in such a way that the pressure of the vacuum supplied to the gas rises (approximates to atmospheric pressure).

도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 휘어진 워크(5)는, 제1 진공 흡착 구멍군(71)의 1열에 의해 흡착된다(도 6의 화살표(1)에 대응). 이 상태를, 도 2의 B－B단면도에서 보면, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이 된다.As shown in FIG.4 (c), the curved workpiece | work 5 is adsorb | sucked by 1 row of the 1st vacuum suction hole group 71 (it corresponds to the arrow 1 of FIG. 6). This state is as shown to Fig.5 (a) when it sees from the BB cross-sectional view of FIG.

다음에, 도 5(a)에 나타낸 상태에서, 제어부(9)는 제2 전자 밸브(82)를 동작시켜, 제2 진공 배관(72)에 워크 흡착용의 진공을 공급하면, 제2 진공 흡착 구멍군(62)에 진공이 공급된다. 제2 진공 배관(72)에 진공을 공급하는 타이밍은, 제1 진공 배관(71)에 진공을 공급하고 나서 제2 진공 배관(72)에 진공을 공급할 때까지의 시간(몇초에서 수십초)이며, 타이머로 설정해도 되고, 워크(5)가 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 1열에 흡착되면, 제1 진공 배관(71)에 공급하는 진공의 압력이 변동하(압력이 다소 내려가)므로, 그 변동을 진공 센서에 의해 검출하여, 제2 진공 배관(72)에 공급하도록 해도 된다.Next, in the state shown in FIG. 5A, when the control unit 9 operates the second solenoid valve 82 and supplies the vacuum for the work suction to the second vacuum pipe 72, the second vacuum suction is performed. The vacuum is supplied to the hole group 62. The timing of supplying the vacuum to the second vacuum piping 72 is the time (several seconds to several tens of seconds) after supplying the vacuum to the first vacuum piping 71 and then supplying the vacuum to the second vacuum piping 72. May be set to a timer, and when the workpiece 5 is adsorbed to the first column of the first vacuum suction hole group 61, the pressure of the vacuum supplied to the first vacuum pipe 71 fluctuates (the pressure decreases somewhat). The change may be detected by a vacuum sensor and supplied to the second vacuum pipe 72.

다음에, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 워크(5)는, 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 1열에 의해 흡착되어 있으므로, 워크(5)를 흡착하고 있는 진공 흡착 구멍(X)의 열의 옆에 있는, 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)과 워크(5)의 간격은 좁아져 있다. 그 때문에, 워크(5)는 이 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)에 흡인되어 흡착된다(도 6의 화살표(2)에 대응). 워크(5)가, 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 옆에 있는 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)에 흡착되면, 제2 진공 흡착 구멍군(62)에 있어서, 또한 그 둘레방향으로 옆인 진공 흡착 구멍(Y)이나 직경 방향(외측)의 옆인 진공 흡착 구멍(Y)에 워크(5)는 흡착되어 간다(도 6의 화살표(3)에 대응).Next, as shown in FIG. 5 (b), since the work 5 is adsorbed by one row of the first vacuum suction hole group 61, the vacuum suction hole X adsorbing the work 5 is absorbed. The space | interval of the vacuum suction hole Y of the 2nd vacuum suction hole group 62 and the workpiece | work 5 next to the column of N is narrowed. Therefore, the workpiece | work 5 is attracted and adsorb | sucked by the vacuum suction hole Y of this 2nd vacuum suction hole group 62 (it respond | corresponds to the arrow 2 of FIG. 6). When the workpiece | work 5 is adsorb | sucked in the vacuum suction hole Y of the 2nd vacuum suction hole group 62 which is adjacent to the 1st vacuum suction hole group 61, in the 2nd vacuum suction hole group 62, Moreover, the workpiece | work 5 is adsorb | sucked to the vacuum suction hole Y which is the side of the circumferential direction, and the vacuum suction hole Y which is the side of the radial direction (outer side) (it respond | corresponds to the arrow 3 of FIG. 6).

도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 워크(5)는, 휨이 교정되면서 차례로 둘레방향으로 흡착되어, 처음에는 워크(5)가 흡착되어 있지 않았던 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍열에까지 이른다. 그러면, 현 단계에서는, 워크(5)는 제2 진공 흡착 구멍군(62)에 의해 흡착되어 있으므로, 워크(5)와 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍열의 간격은 좁아져 있어, 워크(5)는 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍열에 의해 흡착된다(도 6의 화살표(4)에 대응). 워크(5)가 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍열(X)에 흡착되면, 워크(5)는 또한 그 옆에 있는 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)에 의해 워크 스테이지(6)의 둘레방향과 직경 방향으로 차례로 흡착되어 간다(도 6의 화살표(5)에 대응). 그리고, 마지막으로, 워크(5)는 휨이 교정되어 워크 스테이지(6) 전체면에서 흡착 유지된다(도 6의 화살표(7)에 대응).As shown in FIG. 5 (c), the workpiece 5 is sequentially adsorbed in the circumferential direction while the warpage is corrected, and the vacuum suction of the first vacuum suction hole group 61 in which the workpiece 5 was not adsorbed at first. Up to a row of holes. Then, at this stage, since the workpiece | work 5 is adsorb | sucked by the 2nd vacuum suction hole group 62, the space | interval of the vacuum suction hole row of the workpiece | work 5 and the 1st vacuum suction hole group 61 becomes narrow. The work 5 is sucked by the vacuum suction hole train of the first vacuum suction hole group 61 (corresponding to the arrow 4 in FIG. 6). When the workpiece 5 is adsorbed to the vacuum suction hole array X of the first vacuum suction hole group 61, the workpiece 5 is also the vacuum suction hole (of the second vacuum suction hole group 62 next to it). By Y), it adsorb | sucks in order to the circumferential direction and radial direction of the work stage 6 (corresponding to the arrow 5 of FIG. 6). And finally, the warp is correct | amended and hold | maintains on the whole surface of the work stage 6 (it corresponds to the arrow 7 of FIG. 6).

본건 발명자들은, 본 실시 형태의 발명에 관련된 워크 스테이지를 이용하여, 실제로, 워크로서, 주변부가 중앙부에 대해서 1mm정도 휘어짐과 함께 주변부가 파상으로 변형되어 있는 10장의 φ120mm의 웨이퍼를 사용한 바, 10장 모든 웨이퍼가, 워크 스테이지에 의해 전체면에서 흡착 유지할 수 있는 것을 확인했다.The inventors of the present invention used 10 pieces of φ 120 mm wafers in which the periphery was bent about 1 mm with respect to the center portion and the periphery was deformed in a wave form using the work stage according to the invention of the present embodiment. It was confirmed that all the wafers could be adsorbed and held on the whole surface by the work stage.

도 7은, 제2 실시 형태의 발명에 관련된 워크 스테이지의 구성을 나타내는 평면도이다.7 is a plan view illustrating a configuration of a work stage according to the invention of the second embodiment.

이 도에 나타내는 바와 같이, 이 워크 스테이지(6)는, 제1 실시 형태의 워크 스테이지(6)에 있어서는 제1 진공 흡착 구멍군(61)이 방사상으로 3열 형성되어 있 던 것에 반해, 방사상으로 4열 형성한 점에서 상이하다. 본 실시 형태의 워크 스테이지(6)에 있어서도, 제1 실시 형태의 워크 스테이지(6)와 마찬가지로 기능시킬 수 있다. As shown in this figure, in the work stage 6 of the first embodiment, the first vacuum suction hole group 61 is radially formed in three rows, whereas the work stage 6 is radially formed. It differs in the point which formed four rows. Also in the work stage 6 of this embodiment, it can function similarly to the work stage 6 of 1st Embodiment.

상기의 각 실시 형태의 발명에 관련된 워크 스테이지의 요점을 정리하면 이하와 같다. 제1로, 워크 스테이지(6)의 표면에 형성하는 진공 흡착 수단(61, 62)은, 홈이 아닌 구멍으로 한다. 이것에 의해, 리크에 의한 진공 흡착 압력의 저하를 방지할 수 있다. 제2로, 방사상으로 형성하는 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍(X)의 둘레방향의 옆에 형성하는 진공 흡착 구멍은, 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)으로 한다. 또한, 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)의 둘레방향 옆에는, 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍(Y)이 있어도 된다. 이것에 의해, 완형으로 휘어진 워크(5)를, 우선 1개소(또는 1열) 직경 방향으로 흡착하고, 다음에 둘레방향으로 흡착해 나간다. 따라서, 워크(5)는 서서히 휨이 교정되어, 워크 스테이지(6) 전체면에 흡착된다.The summary of the work stage which concerns on invention of said each embodiment is summarized as follows. First, the vacuum suction means 61, 62 formed on the surface of the work stage 6 is a hole rather than a groove. Thereby, the fall of the vacuum adsorption pressure by a leak can be prevented. Second, the vacuum suction hole formed next to the circumferential direction of the vacuum suction hole X of the 1st vacuum suction hole group 61 formed radially is the vacuum suction hole of the 2nd vacuum suction hole group 62. Let (Y) be. Moreover, the vacuum suction hole Y of the 2nd vacuum suction hole group 62 may be beside the circumferential direction of the vacuum suction hole Y of the 2nd vacuum suction hole group 62. Thereby, the workpiece | work 5 bent in a wagon shape is first adsorb | sucked to one place (or 1 row) radial direction, and then it adsorb | sucks to a circumferential direction. Accordingly, the warp is gradually corrected in the workpiece 5 and is attracted to the entire surface of the work stage 6.

도 1은 제1 실시 형태의 발명에 관련된 워크 스테이지를 구비한 노광 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows the structure of the exposure apparatus provided with the work stage which concerns on invention of 1st Embodiment.

도 2는 도 1에 나타낸 워크 스테이지(6)의 확대 평면도이다.FIG. 2 is an enlarged plan view of the work stage 6 shown in FIG. 1.

도 3은 도 2의 A－A단면 및 B－B단면에서 본 워크 스테이지(6)의 확대 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of the work stage 6 seen from the AA cross-section and the B-B cross-section of FIG.

도 4는 도 2의 A－A단면에서 본, 워크가 워크 스테이지 전체면에 흡착 유지되어 가는 과정을 나타낸 도이다.FIG. 4 is a view showing a process in which the workpiece is attracted to and held by the entire work stage as viewed from the AA cross-section of FIG. 2.

도 5는 도 2의 B－B단면에서 본, 워크가 워크 스테이지 전체면에 흡착 유지되어 가는 과정을 나타낸 도이다.FIG. 5 is a view showing a process in which the workpiece is attracted to and held on the entire work stage, viewed from the section B-B of FIG. 2.

도 6은 워크 스테이지의 표면에서 본, 워크가 워크 스테이지 전체면에 흡착 유지되어 가는 과정을 나타낸 도이다.FIG. 6 is a view showing a process in which the workpiece is attracted and held on the entire surface of the work stage, as seen from the surface of the work stage.

도 7은 제2 실시 형태의 발명에 관련된 워크 스테이지의 확대 평면도이다.7 is an enlarged plan view of a work stage according to the invention of the second embodiment.

도 8은 종래 기술에 관련된 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지를 구비한 노광 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing the configuration of an exposure apparatus provided with a work stage for suction-holding a work according to the prior art.

도 9는 완형으로 휘어져 있는 웨이퍼 및 주변부가 파상으로 변형되어 있는 웨이퍼를 나타낸 정면도이다.Fig. 9 is a front view showing a wafer that is curved in a wedge shape and a wafer whose peripheral portion is deformed in a wave shape.

도 10은 종래 기술에 관련된 워크 스테이지가, 완형으로 휘어져 있는 웨이퍼를 흡착할 수 없는 모습을 나타낸 단면도이다. 10 is a cross-sectional view showing a state in which a work stage according to the prior art cannot adsorb a wafer that is curved in a toy shape.

도 11은 다른 종래 기술에 관련된 워크 스테이지가, 완형으로 휘어져 있는 웨이퍼를 흡착할 수 없는 모습을 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing a state in which a work stage according to another prior art cannot absorb a wafer that is curved in a wedge shape.

<부호의 설명><Code description>

1 : 노광 장치 2 : 광조사부1: exposure apparatus 2: light irradiation part

21 : 램프 22 : 반사 미러21 lamp 22 reflection mirror

3 : 마스크 4 : 마스크 스테이지3: mask 4: mask stage

5 : 워크 6 : 워크 스테이지5: work 6: work stage

61 : 제1 진공 흡착 구멍군 62 : 제2 진공 흡착 구멍군61: first vacuum suction hole group 62: second vacuum suction hole group

63 : 제1 진공 배관 64 : 제2 진공 배관63: first vacuum pipe 64: second vacuum pipe

65 : 제1 전자 밸브 66 : 제2 전자 밸브65: first solenoid valve 66: second solenoid valve

67 : 제어부 7 : 투영 렌즈67 control unit 7: projection lens

X : 제1 진공 흡착 구멍군(61)의 진공 흡착 구멍X: vacuum suction hole of the first vacuum suction hole group 61

Y : 제2 진공 흡착 구멍군(62)의 진공 흡착 구멍Y: vacuum suction hole of the second vacuum suction hole group 62

Claims (2)

진공 흡착에 의해 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지에 있어서,In the work stage which sucks and holds a workpiece by vacuum adsorption, 워크를 흡착 유지하는 워크 스테이지의 표면에, 제1 배관에 접속된 복수의 진공 흡착 구멍으로 이루어지는 진공 흡착 구멍열을 방사상으로 복수열 배치한 제1 진공 흡착 구멍군과, 상기 제1 진공 흡착 구멍군 사이에 끼워지는 영역에 형성되어, 제2 배관에 접속된 제2 진공 흡착 구멍군과, 상기 워크를 흡착 유지할 때에, 상기 제1 배관으로부터 상기 제1 진공 흡착 구멍군에 진공을 공급하고, 다음에, 상기 제2 배관으로부터 상기 제2 진공 흡착 구멍군에 진공을 공급하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 워크 스테이지.The first vacuum suction hole group which radially arranged a plurality of vacuum suction hole rows consisting of a plurality of vacuum suction holes connected to the first pipe, and the first vacuum suction hole group on the surface of the work stage holding the workpiece by suction. A vacuum is supplied from the first pipe to the first vacuum suction hole group when the second vacuum suction hole group and the second vacuum suction hole group connected to the second pipe and the workpiece are adsorbed and held, And a control unit for supplying a vacuum to the second vacuum suction hole group from the second pipe. 광을 출사하는 광출사부와, 패턴이 형성된 마스크를 유지하는 마스크 스테이지와, 상기 마스크에 형성된 패턴이 전사되는 워크를 유지하는 워크 스테이지를 구비하는 노광 장치에 있어서,An exposure apparatus comprising: a light output portion for emitting light, a mask stage for holding a mask on which a pattern is formed, and a work stage for holding a workpiece on which the pattern formed on the mask is transferred; 상기 워크 스테이지는, 청구항 1에 기재된 워크 스테이지인 것을 특징으로 하는 노광장치.The said work stage is a work stage of Claim 1, The exposure apparatus characterized by the above-mentioned.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5810517B2 (en) 2010-12-02 2015-11-11 富士電機株式会社 Adsorption device and adsorption method
JP2012251763A (en) * 2011-05-12 2012-12-20 Sharp Corp Apparatus and method for drying electrode
TWI505400B (en) * 2011-08-26 2015-10-21 Lg Siltron Inc Susceptor
CN103219259B (en) * 2012-01-19 2017-09-12 昆山思拓机器有限公司 A kind of wafer processing jig
KR101334085B1 (en) * 2012-05-11 2013-12-02 쿠어스텍아시아 유한회사 Wafer supporting unit
JP2015220286A (en) * 2014-05-15 2015-12-07 住友電気工業株式会社 On-resistance measuring method for semiconductor element and on-resistance measuring device for semiconductor element
JP6727069B2 (en) * 2016-08-09 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 Joining device and joining system
CN106154769A (en) * 2016-08-25 2016-11-23 中国电子科技集团公司第十研究所 Thin film circuit ceramics with holes photoetching vacuum fixture
JP6949521B2 (en) * 2017-03-26 2021-10-13 株式会社アドテックエンジニアリング Exposure equipment, operation method of exposure equipment, and substrate sticking prevention film
JP6952515B2 (en) * 2017-06-30 2021-10-20 Ｔｏｗａ株式会社 Work transfer device, electronic component manufacturing device, workpiece transfer method, and electronic component manufacturing method
CN108735586B (en) 2017-06-30 2021-05-28 上海微电子装备（集团）股份有限公司 Vacuumizing device and vacuumizing method
SG11202004896TA (en) * 2017-09-28 2020-06-29 Shinkawa Kk Suction stage
JP6986317B2 (en) * 2017-12-05 2021-12-22 株式会社アドテックエンジニアリング Mask unit and exposure equipment
CN108364904A (en) * 2018-02-11 2018-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Vacuum discrete absorption platform
CN110320758B (en) * 2018-03-30 2021-06-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 Substrate edge protection device, photoetching equipment and protection method
KR102204884B1 (en) * 2018-09-27 2021-01-19 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot
CN109856827A (en) * 2019-03-26 2019-06-07 深圳市华星光电技术有限公司 Absorption type microscope carrier
JP2021019082A (en) * 2019-07-19 2021-02-15 株式会社ジャパンディスプレイ Substrate for transcribing
CN110703473B (en) * 2019-10-29 2022-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Equipment for binding vacuum adsorption base and display panel
JP6861872B2 (en) * 2020-05-01 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 Joining equipment and joining system
CN112847015B (en) * 2021-01-11 2022-07-19 中国科学院西安光学精密机械研究所 Device and method for processing optical element by cooperation of multiple robots

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10128633A (en) 1996-10-28 1998-05-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Vacuum sucker
JP2002134597A (en) 2000-10-27 2002-05-10 Ushio Inc Stage apparatus
JP2004221323A (en) 2003-01-15 2004-08-05 Nikon Corp Substrate holding device, aligner and method for manufacturing device
JP2005191338A (en) 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus and method for holding substrate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63139632A (en) * 1986-11-28 1988-06-11 Hitachi Ltd Vacuum suction device
JP3252074B2 (en) * 1994-03-09 2002-01-28 日本電信電話株式会社 Vacuum suction device, sealing tool for vacuum suction device, and vacuum suction method
KR100292612B1 (en) * 1997-12-08 2001-08-07 윤종용 Semiconductor wafer alignment system and method for aligning wafer using the same
JPH11240795A (en) * 1998-02-27 1999-09-07 Super Silicon Kenkyusho:Kk Epitaxial growth apparatus
EP1470268A2 (en) * 2000-10-03 2004-10-27 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
TWI236944B (en) * 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
JP2004119573A (en) * 2002-09-25 2004-04-15 Renesas Technology Corp Manufacture of semiconductor device and film sticking apparatus
JP3769618B2 (en) * 2003-04-21 2006-04-26 防衛庁技術研究本部長 Vacuum adsorption device
JP4459023B2 (en) * 2004-11-08 2010-04-28 パナソニック株式会社 Substrate holding device
JP2006310697A (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Vacuum chuck
JP2007158190A (en) * 2005-12-07 2007-06-21 Nikon Corp Suction device, polishing device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufactured by the method
KR101059914B1 (en) * 2006-01-10 2011-08-29 한미반도체 주식회사 Semiconductor Manufacturing Process Table
CN100544889C (en) * 2006-09-06 2009-09-30 财团法人工业技术研究院 Negative pressure vacuum adsorption device and use the edging device of this device
JP2008066607A (en) * 2006-09-11 2008-03-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Vacuum suction apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10128633A (en) 1996-10-28 1998-05-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Vacuum sucker
JP2002134597A (en) 2000-10-27 2002-05-10 Ushio Inc Stage apparatus
JP2004221323A (en) 2003-01-15 2004-08-05 Nikon Corp Substrate holding device, aligner and method for manufacturing device
JP2005191338A (en) 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus and method for holding substrate

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Publication number Publication date
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