【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術、特に、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体ウエハを半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体チップに分割する技術に関し、例えば、携帯電話やモバイル機器向けのＲＦモジュールに搭載される半導体チップやパワーＭＯＳＦＥＴを製造するのに利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造方法においてシリコンウエハに半導体素子を含む集積回路が作り込まれる前工程においては、半導体ウエハの厚さはプロセスに必要な強度や剛性から６２５μｍまたは７２５μｍ程度に設定されている。他方、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体チップの機能は表面の数μｍを活用するのみであり、熱抵抗の低減等の点から半導体チップの厚さは薄く設定することが望ましい。このため、前工程経過後の半導体ウエハの厚さは裏面処理工程において薄仕上げ加工されるのが一般的である。但し、薄仕上げ加工後の半導体ウエハの反りの発生、および、ハンドリングやダイシングに際しての破損等を防止するために、従来は、薄仕上げ加工後の半導体ウエハの厚さは２３０μｍ以上に設定されている。
【０００３】
半導体ウエハの厚さを薄くする方法としては、グライディング法、化学的エッチング法およびラッピング法の三つがあるが、グライディング法が主流になっている。グライディング法は半導体ウエハの半導体素子形成面を保護テープによって保護し、ステージに真空吸着した状態でダイヤモンド砥石によって研削して行く方法であるため、半導体ウエハの被研削面に破砕層や研削加工歪等が生成される。そこで、グライディング法の施工後にウエットエッチング処理を実施することにより、グライディング法によって半導体ウエハの裏面に形成された破砕層や研削加工歪を除去することが実施されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
最近、携帯電話やモバイル向けのＲＦモジュールの全高はその性質上、益々薄く設定することが要求されており、それに伴って、このＲＦモジュールに搭載される半導体チップの厚さは、２３０μｍから１８０μｍさらには１３０μｍに設定することが要求されて来ている。したがって、携帯電話やモバイル向けのＲＦモジュールに搭載される半導体チップを製造する半導体装置の製造方法においては、この半導体チップの元になる半導体ウエハの厚さを２３０μｍ以下に薄く仕上げる技術の開発が要求されている。
【０００５】
例えば、高周波パワーＭＯＳＦＥＴ（以下、パワートランジスタという。）をシリコンウエハによって製造する場合には、裏面処理されたシリコンウエハの裏面に電極（以下、裏面電極という。）を形成することが要求されている。つまり、裏面電極付きパワートランジスタの製造方法においては、厚さが１００μｍ以下の半導体ウエハの製造が要求されている。
【０００６】
しかしながら、半導体ウエハの厚さを１００μｍ以下に薄くすると、ダイシング工程において、フィルムが半導体ウエハにフィルム貼付装置によって貼り付けられる際に、被貼付面と反対側の主面がテーブルによって真空吸着保持された半導体ウエハの周縁部が上側に反る場合があり、半導体ウエハが割れるという問題点がある。
【０００７】
本発明の目的は、半導体ウエハの真空吸着時の反りの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【００１０】
すなわち、半導体ウエハの主面にフィルムを貼り付けるフィルム貼付装置は、前記半導体ウエハの被貼付面と反対側の主面を真空吸着保持するテーブルを備えており、このテーブルの保持面の周縁部には前記半導体ウエハの外径よりも小径の環状吸着口が開設されていることを特徴とする。
【００１１】
前記した手段によれば、半導体ウエハの主面にフィルムが貼り付けられる際に、半導体ウエハの被貼付面と反対側の主面の周縁部が真空吸着されるため、半導体ウエハの反りの発生を防止することができる。したがって、フィルムが半導体ウエハの反対側からローラによって押される時に、半導体ウエハが割れるのを防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施の形態であるフィルム貼付装置のテーブルを示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図である。図２は本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法に使用される半導体ウエハを示しており、図３はそのフィルム貼付工程を示している。
【００１３】
図１に示されているように、本実施の形態に係るフィルム貼付装置１０は、半導体ウエハの主面にフィルムが貼り付けられる際に半導体ウエハの被貼付面と反対側の主面を真空吸着保持するテーブル１１を備えており、このテーブル１１は半導体ウエハの外径よりも若干小径の円盤形状に形成された本体１２を備えている。このテーブル１１の保持面１３である本体１２の上面における周縁部には、半導体ウエハの外径よりも小径の環状吸着口としての環状溝１４が同心円に没設されており、環状溝１４の内側には小径の円形形状の吸着口１５が多数個、本体１２の中心を起点とした放射状に配置されて開設されている。本体１２の内部には負圧供給路１６が敷設されており、負圧供給路１６は環状溝１４の底部および各吸着口１５に接続されている。負圧供給路１６は本体１２の下面における中心に介設された負圧供給口１７に接続されており、負圧供給口１７には真空ポンプ等の負圧供給源（図示せず）が接続されている。
【００１４】
以下、前記構成に係るフィルム貼付装置１０の作用を説明することにより、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法における特徴工程であるフィルム貼付工程を説明する。
【００１５】
図２に示されているように、半導体の一例であるシリコンからなるサブストレート（シリコンウエハ）２０の半導体素子形成面（以下、第一主面という。）２１には、半導体素子を含む集積回路が多数個のチップ部２３に区画されて作り込まれている。すなわち、前工程において、半導体素子を含む集積回路がそれぞれ作り込まれた多数個のチップ部２３が、碁盤の目のように縦横に規則的に配列された半導体ウエハ２５が製造される。半導体ウエハ２５の第一主面２１には隣合うチップ部２３、２３同士を仕切るスクライブライン２４が格子形状に形成されており、チップ部２３には複数個の半田バンプ２３ａが突設されている。半導体ウエハ２５の第一主面２１と反対側の主面（以下、第二主面という。）２２は研削加工やエッチング加工等によって極薄仕上げされており、半導体ウエハ２５の厚さは１００μｍ以下に設定されている。
【００１６】
極薄仕上げされた半導体ウエハ２５はフィルム貼付装置１０に供給されて、図３（ａ）に示されているように、第一主面２１がテーブル１１の保持面１３に当接され、環状溝１４および多数個の吸着口１５によって真空吸着保持される。すなわち、半導体ウエハ２５の第一主面２１が本体１２の保持面１３の上に同心円に載置されると、負圧が負圧供給口１７へ供給されて負圧供給路１６を経由して環状溝１４および多数個の吸着口１５に伝えられることにより、半導体ウエハ２５の第一主面２１が保持面１３に真空吸着保持される。この際、半導体ウエハ２５の周縁部が保持面１３の環状溝１４によって同心円に真空吸着されるため、極薄仕上げされた半導体ウエハ２５であっても、その周縁部が上側に反り返ることはない。
【００１７】
半導体ウエハ２５がテーブル１１の保持面１３に真空吸着保持されると、図３（ｂ）に示されているように、半導体ウエハ２５の第二主面２２にはフィルム３０が当接され、ローラ３１によって貼り付けられる。この際、半導体ウエハ２５の周縁部は上側に反り返っていないため、ローラ３１によって半導体ウエハ２５が擦られても、半導体ウエハ２５は割れることはない。
【００１８】
フィルム３０が半導体ウエハ２５に貼り付けられると、図３（ｃ）に示されているように、フィルム３０が半導体ウエハ２５の外側においてカッター３２によって切断される。フィルム３０が切断されると、負圧供給口１７への負圧の供給が停止され、環状溝１４および多数個の吸着口１５による半導体ウエハ２５の真空吸着保持が解除される。
【００１９】
ところで、図４に示されているように、テーブル１１の保持面１３に環状溝１４が敷設されていない従来例の場合においては、極薄仕上げされた半導体ウエハ２５は周縁部が上向きになるように反り返る。半導体ウエハ２５が上向きに反っていると、半導体ウエハ２５がフィルム３０を挟んでローラ３１によって擦られる時に割れる場合がある。
【００２０】
しかし、本実施の形態においては、テーブル１１の保持面１３に環状溝１４が敷設されていることにより、テーブル１１の保持面１３に真空吸着保持される半導体ウエハ２５の周縁部が環状溝１４によって全体的に環状に吸着されるため、図３に示されているように、極薄仕上げされた半導体ウエハ２５であっても周縁部が上向きになるように反り返ることはない。その結果、半導体ウエハ２５がフィルム３０を挟んでローラ３１によって擦られる時に割れることはない。
【００２１】
フィルム３０が貼付された半導体ウエハ２５は、その後、フィルム貼付装置１０からダイシング工程に供給され、スクライブライン２４がダイシング装置（図示せず）のダイシングカッターによって切断されることにより、各チップ部２３からなる半導体チップにダイシングされる。ダイシングされた半導体ウエハ２５はフィルム３０が貼付された状態のままで、ダイボンディング工程に供給される。ダイボンディング工程において、半導体ウエハ２５のチップが一個ずつダイボンダ（図示せず）によってピックアップされ、半導体装置のキャリアにダイボンディングされる。
【００２２】
本実施の形態においては、ピックアップされた半導体チップは携帯電話やモバイル機器向けのＲＦモジュールの配線基板にプットダウンされてダイボンディングされる。すなわち、図５に示されているように、半導体チップ２６は配線基板４１の上に半田バンプ２３ａ側を下向き（フェイスダウン）にしてプットダウンされ、各半田バンプ２３ａが配線基板４１の本体４２の上面に形成されたランド４３に整合される。半導体チップ２６が搭載された配線基板４１が加熱炉を通されてリフロー半田付け処理されることにより、半田バンプ２３ａとランド４３との間が半田付けされる。この半田バンプ２３ａとランド４３との半田付けによって、半導体チップ２６は配線基板４１に機械的かつ電気的に接続（フリップ・チップ・ボンディング）された状態になる。
【００２３】
この半導体チップ２６は極薄仕上げ半導体ウエハ２５のチップ部２３の厚さｔを備えているため、配線基板４１にフリップ・チップ・ボンディングされた半導体チップ２６の全高Ｈは小さくなる。したがって、携帯電話やモバイル機器向けのＲＦモジュールの全体の厚さを小さく設定することができる。なお、図５中、４４はソルダレジストであり、４５は端子部である。ちなみに、半導体チップ２６が機械的かつ電気的に接続された配線基板４１には他の機能を具備した半導体チップや受動素子等が適宜に搭載され、これらの電気部品を搭載した配線基板４１はＲＦモジュールのマザーボード（図示せず）に搭載されることになる。
【００２４】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００２５】
１） 半導体ウエハの主面にフィルムを貼り付けるフィルム貼付装置のテーブルの保持面における周縁部に半導体ウエハの外径よりも小径の環状吸着口を開設することにより、半導体ウエハの主面にフィルムが貼り付けられる際に、半導体ウエハの被貼付面と反対側の主面の周縁部を同心円に真空吸着することができるため、半導体ウエハの反りの発生を防止することができる。
【００２６】
２） 半導体ウエハの真空吸着保持時に半導体ウエハの反りを防止することにより、フィルムが半導体ウエハの反対側からローラによって押される時に、半導体ウエハが割れるのを防止することができるため、半導体装置の製造方法の製造歩留りの低下を防止することができる。
【００２７】
３） 極薄仕上げの半導体ウエハであっても割れの発生を防止することにより、極薄い半導体チップを製造することができるため、携帯電話やモバイル機器向けのＲＦモジュールの全体の厚さを小さく設定することができる。
【００２８】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２９】
例えば、フィルムは半導体ウエハの第二主面に貼り付けるに限らず、半導体ウエハの第一主面に貼り付けてもよい。
【００３０】
第二主面には裏面金属膜を被着してもよい。
【００３１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００３２】
半導体ウエハの主面にフィルムが貼り付けられる際に、半導体ウエハの被貼付面と反対側の主面の周縁部を同心円に真空吸着することにより、半導体ウエハの反りの発生を防止して割れの発生を回避することができるため、極薄い半導体チップを製造することができ、半導体装置の全体の厚さを小さく設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるフィルム貼付装置のテーブルを示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法に使用される半導体ウエハを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は拡大部分断面図である。
【図３】そのフィルム貼付工程を示す各正面断面図であり、（ａ）は半導体ウエハ保持ステップを示し、（ｂ）はフィルム貼付ステップを示し、（ｃ）はフィルム切断ステップを示している。
【図４】半導体ウエハの割れの作用を説明するための各正面断面図である。
【図５】半導体チップのダイボンディング工程後の配線基板を示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は一部省略正面断面図である。
【符号の説明】
１０…フィルム貼付装置、１１…テーブル、１２…本体、１３…保持面、１４…環状溝（環状の吸着口）、１５…吸着口、１６…負圧供給路、１７…負圧供給口、２０…サブストレート（シリコンウエハ）、２１…半導体素子形成面（第一主面）、２２…裏面（第二主面）、２３…チップ部、２３ａ…半田バンプ、２４…スクライブライン、２５…半導体ウエハ、２６…半導体チップ、３０…フィルム、３１…ローラ、３２…カッター、４１…配線基板、４２…本体、４３…ランド、４４…ソルダレジスト、４５…端子部。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly, to a technique for dividing a semiconductor wafer in which an integrated circuit including a semiconductor element is formed into semiconductor chips in which an integrated circuit including a semiconductor element is formed. The present invention relates to a device that is effective for use in manufacturing a semiconductor chip and a power MOSFET mounted on an RF module for mobile devices.
[0002]
[Prior art]
Generally, in a pre-process in which an integrated circuit including a semiconductor element is formed on a silicon wafer in a method of manufacturing a semiconductor device, the thickness of the semiconductor wafer is set to about 625 μm or 725 μm in view of strength and rigidity required for the process. On the other hand, the function of a semiconductor chip in which an integrated circuit including a semiconductor element is built is to utilize only a few μm of the surface, and it is desirable to set the thickness of the semiconductor chip to be small from the viewpoint of reducing thermal resistance and the like. For this reason, the thickness of the semiconductor wafer after the previous step is generally thinned in the back surface processing step. However, in order to prevent the occurrence of warpage of the semiconductor wafer after the thin finish processing and breakage during handling and dicing, the thickness of the semiconductor wafer after the thin finish processing is conventionally set to 230 μm or more. .
[0003]
There are three methods for reducing the thickness of a semiconductor wafer: a gliding method, a chemical etching method, and a lapping method. The gliding method is mainly used. The gliding method is a method in which the semiconductor element forming surface of a semiconductor wafer is protected with a protective tape and ground with a diamond whetstone while being vacuum-sucked on a stage. Is generated. Therefore, by performing a wet etching process after the application of the gliding method, a crushed layer and a grinding strain formed on the back surface of the semiconductor wafer by the gliding method are removed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Recently, the total height of RF modules for mobile phones and mobile phones has been required to be set to be increasingly thin due to the nature thereof, and accordingly, the thickness of a semiconductor chip mounted on this RF module has been increased from 230 μm to 180 μm. Has been required to be set to 130 μm. Therefore, in a method of manufacturing a semiconductor device for manufacturing a semiconductor chip mounted on an RF module for a mobile phone or a mobile device, it is necessary to develop a technology for finishing a semiconductor wafer, which is a base of the semiconductor chip, to a thickness of 230 μm or less. Have been.
[0005]
For example, when a high-frequency power MOSFET (hereinafter, referred to as a power transistor) is manufactured using a silicon wafer, it is required to form an electrode (hereinafter, referred to as a back electrode) on the back surface of the silicon wafer that has been subjected to the back surface treatment. . That is, in the method of manufacturing the power transistor with the back electrode, it is required to manufacture a semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less.
[0006]
However, when the thickness of the semiconductor wafer is reduced to 100 μm or less, in the dicing step, when the film is bonded to the semiconductor wafer by the film bonding apparatus, the main surface opposite to the surface to be bonded is vacuum-adsorbed and held by the table. The peripheral edge of the semiconductor wafer may be warped upward, and there is a problem that the semiconductor wafer is broken.
[0007]
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent the occurrence of warpage during vacuum suction of a semiconductor wafer.
[0008]
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The outline of a typical invention disclosed in the present application will be described as follows.
[0010]
That is, a film sticking apparatus for sticking a film to a main surface of a semiconductor wafer includes a table for vacuum-sucking and holding a main surface of the semiconductor wafer opposite to a surface to be stuck, and a peripheral portion of the holding surface of the table. Is characterized in that an annular suction port having a smaller diameter than the outer diameter of the semiconductor wafer is opened.
[0011]
According to the above-described means, when the film is bonded to the main surface of the semiconductor wafer, the peripheral portion of the main surface opposite to the surface to be bonded of the semiconductor wafer is vacuum-adsorbed, so that the occurrence of warpage of the semiconductor wafer is reduced. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the semiconductor wafer from breaking when the film is pressed by the roller from the opposite side of the semiconductor wafer.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
1A and 1B show a table of a film sticking apparatus according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a front sectional view and FIG. 1B is a plan view. FIG. 2 shows a semiconductor wafer used in a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows a film sticking step.
[0013]
As shown in FIG. 1, a film sticking apparatus 10 according to the present embodiment, when a film is stuck to a main surface of a semiconductor wafer, vacuum-adsorbs a main surface of the semiconductor wafer opposite to the surface to be stuck. A table 11 for holding is provided. The table 11 includes a main body 12 formed in a disk shape slightly smaller in diameter than the outer diameter of the semiconductor wafer. An annular groove 14 as an annular suction port having a diameter smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer is concentrically provided on the peripheral edge of the upper surface of the main body 12 which is the holding surface 13 of the table 11, and is concentrically disposed inside the annular groove 14. Are provided with a plurality of small-diameter circular suction ports 15 arranged radially starting from the center of the main body 12. A negative pressure supply path 16 is laid inside the main body 12, and the negative pressure supply path 16 is connected to the bottom of the annular groove 14 and each suction port 15. The negative pressure supply path 16 is connected to a negative pressure supply port 17 provided at the center of the lower surface of the main body 12, and a negative pressure supply source (not shown) such as a vacuum pump is connected to the negative pressure supply port 17. Have been.
[0014]
Hereinafter, the operation of the film sticking apparatus 10 according to the above configuration will be described to explain a film sticking step which is a characteristic step in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
[0015]
As shown in FIG. 2, an integrated circuit including a semiconductor element is provided on a semiconductor element formation surface (hereinafter, referred to as a first main surface) 21 of a substrate (silicon wafer) 20 made of silicon, which is an example of a semiconductor. Are formed in a large number of chip portions 23. That is, in the pre-process, a semiconductor wafer 25 is manufactured in which a large number of chip portions 23 each having an integrated circuit including a semiconductor element formed therein are regularly arranged vertically and horizontally like a grid. On the first main surface 21 of the semiconductor wafer 25, scribe lines 24 separating adjacent chip portions 23, 23 are formed in a lattice shape, and a plurality of solder bumps 23a protrude from the chip portion 23. . A main surface (hereinafter, referred to as a second main surface) 22 of the semiconductor wafer 25 opposite to the first main surface 21 is extremely thin-finished by grinding or etching, and the thickness of the semiconductor wafer 25 is 100 μm or less. Is set to
[0016]
The ultra-thin finished semiconductor wafer 25 is supplied to the film sticking apparatus 10 and the first main surface 21 is brought into contact with the holding surface 13 of the table 11 as shown in FIG. Vacuum suction is held by 14 and a plurality of suction ports 15. That is, when the first main surface 21 of the semiconductor wafer 25 is concentrically placed on the holding surface 13 of the main body 12, the negative pressure is supplied to the negative pressure supply port 17 and passes through the negative pressure supply path 16. The first main surface 21 of the semiconductor wafer 25 is suction-held on the holding surface 13 by being transmitted to the annular groove 14 and the plurality of suction ports 15. At this time, since the peripheral portion of the semiconductor wafer 25 is concentrically vacuum-sucked by the annular groove 14 of the holding surface 13, even if the semiconductor wafer 25 is extremely thin finished, the peripheral portion does not warp upward.
[0017]
When the semiconductor wafer 25 is held on the holding surface 13 of the table 11 by vacuum suction, as shown in FIG. 3B, the film 30 is brought into contact with the second main surface 22 of the semiconductor wafer 25, 31. At this time, since the peripheral portion of the semiconductor wafer 25 does not warp upward, the semiconductor wafer 25 does not break even if the semiconductor wafer 25 is rubbed by the roller 31.
[0018]
When the film 30 is attached to the semiconductor wafer 25, as shown in FIG. 3C, the film 30 is cut by the cutter 32 outside the semiconductor wafer 25. When the film 30 is cut, the supply of the negative pressure to the negative pressure supply port 17 is stopped, and the vacuum suction holding of the semiconductor wafer 25 by the annular groove 14 and the plurality of suction ports 15 is released.
[0019]
By the way, as shown in FIG. 4, in the case of the conventional example in which the annular groove 14 is not laid on the holding surface 13 of the table 11, the semiconductor wafer 25 which has been ultrathinly finished has its peripheral edge upward. Bend back. If the semiconductor wafer 25 is warped upward, the semiconductor wafer 25 may be broken when being rubbed by the roller 31 with the film 30 interposed therebetween.
[0020]
However, in the present embodiment, since the annular groove 14 is laid on the holding surface 13 of the table 11, the peripheral portion of the semiconductor wafer 25 that is vacuum-held on the holding surface 13 of the table 11 is formed by the annular groove 14. As shown in FIG. 3, even the semiconductor wafer 25 which has been extremely thin finished does not warp so that the peripheral edge thereof faces upward, as shown in FIG. As a result, the semiconductor wafer 25 is not broken when the film 30 is rubbed by the roller 31 with the film 30 interposed therebetween.
[0021]
The semiconductor wafer 25 to which the film 30 is attached is thereafter supplied to the dicing process from the film attaching device 10, and the scribe line 24 is cut by a dicing cutter of a dicing device (not shown), so that each chip portion 23 is cut off. Is diced into semiconductor chips. The diced semiconductor wafer 25 is supplied to the die bonding step with the film 30 still attached. In the die bonding step, chips of the semiconductor wafer 25 are picked up one by one by a die bonder (not shown) and die-bonded to a carrier of a semiconductor device.
[0022]
In the present embodiment, the picked-up semiconductor chip is put down on a wiring board of an RF module for a mobile phone or a mobile device and is die-bonded. That is, as shown in FIG. 5, the semiconductor chip 26 is put down on the wiring board 41 with the solder bump 23 a side facing down (face down), and each solder bump 23 a is attached to the main body 42 of the wiring board 41. It is aligned with the land 43 formed on the upper surface. The wiring board 41 on which the semiconductor chip 26 is mounted is passed through a heating furnace and subjected to reflow soldering, so that the solder bump 23a and the land 43 are soldered. The semiconductor chip 26 is mechanically and electrically connected to the wiring board 41 (flip chip bonding) by soldering the solder bumps 23 a and the lands 43.
[0023]
Since the semiconductor chip 26 has the thickness t of the chip portion 23 of the ultra-thin finished semiconductor wafer 25, the overall height H of the semiconductor chip 26 flip-chip bonded to the wiring board 41 is reduced. Therefore, the entire thickness of the RF module for a mobile phone or a mobile device can be set small. In FIG. 5, reference numeral 44 denotes a solder resist, and reference numeral 45 denotes a terminal. By the way, the wiring board 41 to which the semiconductor chip 26 is mechanically and electrically connected is appropriately mounted with semiconductor chips and passive elements having other functions, and the wiring board 41 on which these electric components are mounted is RF. The module will be mounted on the motherboard (not shown).
[0024]
According to the embodiment, the following effects can be obtained.
[0025]
1) By forming an annular suction port having a diameter smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer at the periphery of the holding surface of the table of the film sticking apparatus for sticking the film to the main surface of the semiconductor wafer, the film can be applied to the main surface of the semiconductor wafer. When the semiconductor wafer is attached, the peripheral portion of the main surface of the semiconductor wafer opposite to the surface to which the semiconductor wafer is attached can be vacuum-adsorbed concentrically, so that warpage of the semiconductor wafer can be prevented.
[0026]
2) By preventing warpage of the semiconductor wafer during vacuum suction holding of the semiconductor wafer, it is possible to prevent the semiconductor wafer from breaking when the film is pushed by a roller from the opposite side of the semiconductor wafer. It is possible to prevent a decrease in the production yield of the method.
[0027]
3) Even if the semiconductor wafer has an extremely thin finish, it is possible to manufacture an extremely thin semiconductor chip by preventing the occurrence of cracks. Therefore, the overall thickness of the RF module for mobile phones and mobile devices is set to be small. can do.
[0028]
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
[0029]
For example, the film is not limited to being attached to the second main surface of the semiconductor wafer, but may be attached to the first main surface of the semiconductor wafer.
[0030]
A back surface metal film may be applied to the second main surface.
[0031]
【The invention's effect】
The effect obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
[0032]
When the film is attached to the main surface of the semiconductor wafer, the peripheral portion of the main surface opposite to the surface to which the semiconductor wafer is attached is vacuum-adsorbed concentrically to prevent the semiconductor wafer from warping and cracking. Since generation can be avoided, an extremely thin semiconductor chip can be manufactured, and the overall thickness of the semiconductor device can be set small.
[Brief description of the drawings]
1A and 1B show a table of a film sticking apparatus according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a front sectional view and FIG. 1B is a plan view.
2A and 2B show a semiconductor wafer used in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is an enlarged partial cross-sectional view.
FIGS. 3A and 3B are front cross-sectional views showing a film sticking step, wherein FIG. 3A shows a semiconductor wafer holding step, FIG. 3B shows a film sticking step, and FIG. 3C shows a film cutting step.
FIG. 4 is a front cross-sectional view for explaining the action of cracking of the semiconductor wafer.
FIGS. 5A and 5B show a wiring board after a die bonding step of a semiconductor chip, wherein FIG. 5A is a partially omitted plan view and FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Film sticking apparatus, 11 ... Table, 12 ... Main body, 13 ... Holding surface, 14 ... Circular groove (annular suction port), 15 ... Suction port, 16 ... Negative pressure supply path, 17 ... Negative pressure supply port, 20 ... Substrate (silicon wafer), 21 ... Semiconductor element formation surface (first main surface), 22 ... Back surface (second main surface), 23 ... Chip portion, 23a ... Solder bump, 24 ... Scribe line, 25 ... Semiconductor wafer Reference numerals 26, semiconductor chip, 30 film, 31 roller, 32 cutter, 41 wiring board, 42 body, 43 land, 44 solder resist, 45 terminal part.
