KR101334085B1 - Wafer supporting unit - Google Patents

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정동준
채승수
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이승용
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쿠어스텍아시아 유한회사
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    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

본 발명은 반도체 제조 과정에서 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 지지 유닛에 관한 것이다. 본 발명은 적어도 둘의 진공 영역이 구획되고, 상기 진공 영역에는 각각 다수의 진공홀이 소정의 깊이로 형성되는 상면; 상기 진공 영역들 중 어느 하나에 형성되는 상기 진공홀들과 연통되며 서로 연통하지 않는 독립된 유로를 형성하는 적어도 둘의 진공 유로; 및 상기 진공 유로에 각각 연통되어 진공 제공부에 의해 제공되는 진공압을 상기 진공 유로에 공급하기 위한 석션홀이 형성되는 하면을 포함하는 바디를 포함한다.The present invention relates to a wafer support unit for fixing a wafer in a semiconductor manufacturing process. According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus comprising: an upper surface having at least two vacuum regions defined therein, each of which having a plurality of vacuum holes formed to a predetermined depth; At least two vacuum passages communicating with the vacuum holes formed in any one of the vacuum regions and forming independent passages not communicating with each other; And a body including a lower surface communicating with each of the vacuum flow paths and having a suction hole for supplying the vacuum pressure provided by the vacuum providing unit to the vacuum flow paths.

Description

웨이퍼 지지 유닛{Wafer supporting unit}Wafer supporting unit

본 발명은 반도체 제조 과정에서 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 지지 유닛에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공압을 이용하여 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 지지 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer support unit for fixing a wafer in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to a wafer support unit for fixing a wafer using vacuum pressure.

반도체는 웨이퍼라고 불리는 실리콘 기판을 가공하여 제조된다. 웨이퍼는 반도체 생산설비에 설정된 여러 단계의 공정들을 순차적으로 거치면서 반도체로 가공된다. 웨이퍼 지지 유닛은 웨이퍼를 지지하며 각 공정을 따라 이동시키는 역할을 한다. Semiconductors are manufactured by processing silicon substrates called wafers. Wafers are processed into semiconductors by sequentially going through several stages of the process set up in a semiconductor production facility. The wafer support unit supports the wafer and moves the wafer along each process.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 일 실시예의 평면도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 지지 유닛의 수직 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 웨이퍼 지지 유닛은 프레임(10) 및 흡입판(20)을 포함한다. 1 is a plan view of one embodiment of a wafer support unit according to the prior art, and FIG. 2 is a vertical sectional view of the wafer support unit of FIG. 1. 1 and 2, a wafer support unit according to the prior art includes a frame 10 and a suction plate 20.

프레임(10)은 원형 플레이트 형상이며, 프레임(10)의 하면에는 진공압이 공급되기 위한 석션홀(7)이 형성되며, 프레임(10)의 상면에는 석션홀(7)과 연통하는 복수의 진공 유로(8) 및 소정의 높이의 파이프 형상의 측벽(14)이 구비된다.The frame 10 has a circular plate shape, and a suction hole 7 for supplying a vacuum pressure is formed on a lower surface of the frame 10, and a plurality of vacuums communicating with the suction hole 7 on the upper surface of the frame 10. A flow path 8 and a pipe-shaped side wall 14 of a predetermined height are provided.

진공 유로(8)는 석션홀(7)과 연통 가능하게 석션홀(7)을 중심으로 방사형으로 배치된다. 진공 유로(8)는 석션홀(7)을 통하여 인가된 진공압을 흡입판(20)의 전체 면적에 걸쳐 고르게 분산시킨다. The vacuum passage 8 is disposed radially about the suction hole 7 so as to communicate with the suction hole 7. The vacuum passage 8 evenly distributes the vacuum pressure applied through the suction hole 7 over the entire area of the suction plate 20.

흡입판(20)은 원형 플레이트 형상으로서 프레임(10)의 측벽(14) 내측 공간에 삽입되어 고정된다. 흡입판(20)은 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 나이트라이드(Si3N4)와 같은 고밀도 세라믹(ceramic)을 고온에서 소결한 것으로서, 표면 및 내부에는 다수의 기공이 형성된다.The suction plate 20 has a circular plate shape and is inserted into and fixed to a space inside the side wall 14 of the frame 10. The suction plate 20 is a sintered high-density ceramic (ceramic), such as silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ) at a high temperature, a number of pores are formed on the surface and inside.

상기와 같은 구성의 웨이퍼 지지 유닛은 석션홀(7)의 하측에 진공압 제공 부재가 접속되고, 진공압 제공 부재에서 발생한 진공압은 진공 유로(8)에 의하여 흡입판(20)의 하부에서 넓게 분산되며, 진공 유로(8)에 의하여 분산된 진공압은 흡입판(20)의 기공으로 전달됨으로써 흡입판(20)의 표면 전체에 걸쳐 진공압이 작용한다. 흡입판(20)의 표면에서 작용하는 진공압에 의해 반도체 웨이퍼(16)가 흡입판(20)의 표면측으로 흡입되어 고정된다.In the wafer support unit having the above configuration, a vacuum pressure supply member is connected to the lower side of the suction hole 7, and the vacuum pressure generated in the vacuum pressure supply member is widened at the lower portion of the suction plate 20 by the vacuum flow path 8. The vacuum pressure dispersed by the vacuum flow path 8 is transmitted to the pores of the suction plate 20 so that the vacuum pressure is applied to the entire surface of the suction plate 20. The semiconductor wafer 16 is sucked and fixed to the surface side of the suction plate 20 by the vacuum pressure acting on the surface of the suction plate 20.

그러나, 종래의 웨이퍼 지지 유닛은 흡입판(20)이 세라믹으로 제조됨으로써 몇 가지 문제점이 유발된다.However, in the conventional wafer support unit, some problems are caused because the suction plate 20 is made of ceramic.

먼저, 흡입판(20)의 무게가 무겁기 때문에 웨이퍼 지지 유닛의 위치 정밀도가 떨어진다. 웨이퍼 지지 유닛은 웨이퍼를 정지된 상태에서 지지해야할 뿐만 아니라 어느 한 공정이 끝나면 다음 공정을 위해 웨이퍼를 이동시켜야 한다. 웨이퍼 지지 유닛은 웨이퍼를 이동시키는 과정에서 가속과 감속을 거치는데 웨이퍼 지지 유닛이 무거울 경우 관성력이 크기 때문에 웨이퍼 지지 유닛을 가속 및 감속하기 위해 큰 동력이 필요하고 웨이퍼 지지 유닛의 위치를 정확하게 제어하기가 어렵다. 따라서, 웨이퍼 지지 유닛의 위치 정밀도를 높이기 위해서는 웨이퍼 지지 유닛의 무게가 가벼울수록 유리하다. 따라서, 웨이퍼 지지 유닛이 웨이퍼를 견고하게 고정하는 것 못지 않게 웨이퍼 지지 유닛의 무게를 줄이는 것 역시 웨이퍼 지지 유닛의 중요한 설계과제이다.First, the positional accuracy of the wafer support unit is inferior because the weight of the suction plate 20 is heavy. In addition to supporting the wafer in a stationary state, the wafer support unit must move the wafer for the next process at the end of either process. The wafer support unit undergoes acceleration and deceleration in the process of moving the wafer. When the wafer support unit is heavy, the inertial force is large. Therefore, a large amount of power is required to accelerate and decelerate the wafer support unit. it's difficult. Therefore, in order to increase the positional accuracy of the wafer support unit, the lighter the weight of the wafer support unit is, the better. Therefore, reducing the weight of the wafer support unit as much as the wafer support unit firmly holds the wafer is also an important design challenge of the wafer support unit.

또한, 흡입판(20)이 세라믹으로 이루어지기 때문에 웨이퍼가 웨이퍼 지지 유닛에 반복적으로 안착 및 이탈될 경우 흡입판(20) 표면에서 분리된 분진이 발생하게 되는데, 흡입판(20)에서 발생되는 분진에 의해 웨이퍼의 불량이 유발된다. 흡입판(20)이 세라믹으로 이루어지는 경우 분진의 발생은 피할 수 없는 결과이다.In addition, since the suction plate 20 is made of ceramic, when the wafer is repeatedly seated and detached from the wafer support unit, dust separated from the surface of the suction plate 20 is generated, and dust generated from the suction plate 20 is generated. This causes defects in the wafer. When the suction plate 20 is made of ceramic, the generation of dust is an inevitable result.

또한, 흡입판(20)에 형성되는 기공의 크기 및 배열이 불규칙하기 때문에 흡입판(20)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 흡입력을 제공하기 못한다.In addition, since the size and arrangement of the pores formed in the suction plate 20 is irregular, it cannot provide a uniform suction force over the entire area of the suction plate 20.

또한, 흡입판(20)과 프레임(10) 사이로 진공압이 누설되기 때문에 웨이퍼를 고정시키기 위한 진공압의 크기를 조절하기가 어렵다.In addition, since the vacuum pressure leaks between the suction plate 20 and the frame 10, it is difficult to adjust the magnitude of the vacuum pressure for fixing the wafer.

또한, 흡입판(20)의 재료가 되는 세라믹이 고가이기 때문에 웨이퍼 지지 유닛의 제조 비용이 높다.Moreover, since the ceramic used as the material of the suction plate 20 is expensive, the manufacturing cost of a wafer support unit is high.

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼 지지 유닛의 총중량을 종래에 비하여 감소시킬 수 있는 웨이퍼 지지 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a wafer support unit capable of reducing the total weight of the wafer support unit as compared with the prior art.

또한, 본 발명은 웨이퍼 지지 유닛을 장시간 사용하더라도 분진이 발생하지 않는 웨이퍼 지지 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a wafer support unit which does not generate dust even when the wafer support unit is used for a long time.

또한, 본 발명은 웨이퍼 지지 유닛의 표면 전체에 걸쳐 균일한 진공압을 형성할 수 있는 웨이퍼 지지 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide a wafer support unit capable of forming a uniform vacuum pressure over the entire surface of the wafer support unit.

또한, 본 발명은 웨이퍼 지지 유닛의 표면에 형성되는 진공압의 크기를 쉽게 조절할 수 있는 웨이퍼 지지 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide a wafer support unit that can easily adjust the magnitude of the vacuum pressure formed on the surface of the wafer support unit.

또한, 본 발명은 종래에 비하여 웨이퍼 지지 유닛의 제조 비용을 낮출 수 있는 웨이퍼 지지 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide a wafer support unit capable of lowering the manufacturing cost of the wafer support unit as compared with the prior art.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 적어도 둘의 진공 영역이 구획되고, 상기 진공 영역에는 각각 다수의 진공홀이 소정의 깊이로 형성되는 상면; 상기 진공 영역들 중 어느 하나에 형성되는 상기 진공홀들과 연통되며 서로 연통하지 않는 독립된 유로를 형성하는 적어도 둘의 진공 유로; 및 상기 진공 유로에 각각 연통되어 진공 제공부에 의해 제공되는 진공압을 상기 진공 유로에 공급하기 위한 석션홀이 형성되는 하면을 포함하는 바디를 포함하며, 상기 바디는 알루미늄으로 제조되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유닛을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention, the at least two vacuum area is partitioned, the vacuum area in the plurality of vacuum holes are respectively formed to a predetermined depth; At least two vacuum passages communicating with the vacuum holes formed in any one of the vacuum regions and forming independent passages not communicating with each other; And a body including a lower surface communicating with each of the vacuum flow paths and having a suction hole for supplying a vacuum pressure provided by a vacuum providing unit to the vacuum flow paths, wherein the body is made of aluminum. Provide a wafer support unit.

상기 웨이퍼 지지 유닛은, 일단이 상기 진공 제공부와 연통되고, 타단이 상기 석션홀들 중 어느 하나와 연통되는 복수의 흡입관을 더 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the wafer support unit further includes a plurality of suction pipes, one end of which is in communication with the vacuum providing part and the other end of which is in communication with any one of the suction holes.

또한, 상기 웨이퍼 지지 유닛은, 상기 진공 제공부에 의해 발생되는 진공압을 분배하여 상기 흡입관에 공급하는 분배기를 더 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the wafer support unit preferably further comprises a distributor for distributing the vacuum pressure generated by the vacuum providing unit to supply to the suction pipe.

상기 바디는 상부 바디 및 하부 바디를 포함하고, 상기 진공홀들은 상기 상부 바디에 형성되고, 상기 석션홀들은 상기 하부 바디에 형성되며, 상기 상부 바디의 하면에는 유로 홈이 형성되며, 상기 상부 바디의 하면에 상기 하부 바디가 결합하여 상기 진공 유로가 형성되도록 구성될 수 있다.The body includes an upper body and a lower body, the vacuum holes are formed in the upper body, the suction holes are formed in the lower body, a flow path groove is formed on the lower surface of the upper body, The lower body may be coupled to a lower surface to form the vacuum flow path.

또한, 상기 진공홀들은 소정의 패턴을 이루어 형성되며, 상기 패턴은, 상기 바디의 중심으로부터 방사형으로 직선으로 연장되는 반경부; 및 상기 바디의 중심을 중심으로 하고 지름을 달리하는 동심 원호 형상의 복수의 원주부를 포함할 수 있다.In addition, the vacuum holes are formed in a predetermined pattern, the pattern, the radial portion extending radially straight from the center of the body; And it may include a plurality of circumferential portion of the concentric arc shape centering on the center of the body and having a different diameter.

또한, 상기 바디의 상기 상면은 아노다이징 표면 처리가 되는 것이 바람직하다.In addition, the upper surface of the body is preferably anodized surface treatment.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 웨이퍼 지지 유닛의 총중량이 종래에 비하여 감소되는 효과가 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, there is an effect that the total weight of the wafer support unit is reduced compared to the prior art.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 웨이퍼 지지 유닛이 다공성 세라믹 대신 알루미늄으로 제조됨으로써 반복적인 사용에도 분진이 발생하지 않는 효과가 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, since the wafer support unit is made of aluminum instead of porous ceramic, there is an effect that dust does not occur even in repeated use.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 진공압이 웨이퍼 지지 유닛의 표면 전체에 걸쳐 균일하게 형성되는 효과가 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, there is an effect that the vacuum pressure is uniformly formed over the entire surface of the wafer support unit.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 진공압이 웨이퍼 지지 유닛의 표면이 아닌 다른 부분을 통해 누설되지 않으므로 웨이퍼 지지 유닛의 상면에 형성되는 진공압의 크기를 쉽게 조절할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, since the vacuum pressure does not leak through other portions than the surface of the wafer support unit, there is an effect of easily adjusting the magnitude of the vacuum pressure formed on the upper surface of the wafer support unit.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상대적으로 고가인 세라믹 대신 알루미늄으로 제조됨으로써 웨이퍼 지지 유닛의 제조 비용이 절감되는 효과가 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, the manufacturing cost of the wafer support unit is reduced by being made of aluminum instead of a relatively expensive ceramic.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 일 실시예의 평면도이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 지지 유닛의 수직 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 바디를 저면에서 바라본 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 상부 바디의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 상부 바디의 저면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 하부 바디의 저면도이다.1 is a plan view of one embodiment of a wafer support unit according to the prior art.
FIG. 2 is a vertical sectional view of the wafer support unit of FIG. 1.
3 is an exploded perspective view of a body of a wafer support unit according to an embodiment of the present invention viewed from the bottom.
4 is a plan view of the upper body of the wafer support unit according to one embodiment of the invention.
5 is a bottom view of the upper body of the wafer support unit according to one embodiment of the invention.
6 is a bottom view of the lower body of the wafer support unit according to one embodiment of the invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 바디를 저면에서 바라본 분해 사시도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 상부 바디의 상면을 도시하는 평면도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 상부 바디의 저면을 도시하는 저면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 하부 바디의 저면도이다. 이하의 설명에서는 웨이퍼가 위치하는 쪽을 '상측'이라 하고 그 반대쪽을 '하측'으로 하여 설명한다.3 is an exploded perspective view of a body of a wafer support unit according to an embodiment of the present invention viewed from the bottom. 4 is a plan view illustrating a top surface of an upper body of a wafer support unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a bottom view illustrating a bottom surface of an upper body of a wafer support unit according to an embodiment of the present invention. . 6 is a bottom view of the lower body of the wafer support unit according to one embodiment of the invention. In the following description, the side where the wafer is located will be referred to as 'upper' and the opposite side will be described as 'lower'.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛은 바디(100), 흡입관(420), 분배기(410)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛은 진공 제공부(400)에 의해 발생되는 진공압을 분배기(410), 흡입관(420)을 거쳐 바디(100)에 공급하고, 최종적으로 상기 진공압이 바디(100)의 상면에 형성되는 진공홀(230)에 형성되도록 구성된다. 한편, 본 발명에서 설명하는 '진공'이라 함은 완전한 진공상태뿐만 아니라 대기압보다 낮은 압력으로서 진공홀(230)에 작용하여 웨이퍼를 웨이퍼 지지 유닛의 상면에 고정시킬 수 있을 정도의 압력상태도 포함하는 개념이다.The wafer support unit according to the exemplary embodiment of the present invention includes a body 100, a suction pipe 420, and a distributor 410. The wafer support unit according to the embodiment of the present invention supplies the vacuum pressure generated by the vacuum providing unit 400 to the body 100 through the distributor 410 and the suction pipe 420, and finally the vacuum pressure is It is configured to be formed in the vacuum hole 230 formed on the upper surface of the body (100). Meanwhile, the term 'vacuum' described in the present invention includes not only a complete vacuum state but also a pressure state enough to act on the vacuum hole 230 at a pressure lower than atmospheric pressure to fix the wafer to the upper surface of the wafer support unit. Concept.

바디(100)는 적어도 둘의 진공 영역(220)이 구획되고, 상기 진공 영역(220)에는 각각 다수의 진공홀(230)이 소정의 깊이로 형성되며, 웨이퍼가 놓일 수 있도록 평평하게 형성되는 상면, 상기 진공 영역(220)들 중 어느 하나에 형성되는 상기 진공홀(230)들과 연통되며 서로 연통하지 않는 독립된 유로를 형성하는 적어도 둘의 진공 유로(240) 및 상기 진공 유로(240)에 각각 연통되어 진공 제공부(400)에 의해 제공되는 진공압을 상기 진공 유로(240)에 공급하기 위한 석션홀(250)이 형성되는 하면을 포함한다.The body 100 has at least two vacuum regions 220 defined therein, and a plurality of vacuum holes 230 are formed in the vacuum regions 220 to a predetermined depth, respectively, and the upper surface is formed flat so that the wafer can be placed. And at least two vacuum flow paths 240 and the vacuum flow paths 240 that communicate with the vacuum holes 230 formed in any one of the vacuum regions 220 and form independent flow paths that do not communicate with each other. The lower surface of the suction hole 250 is formed to communicate with the vacuum passage 240 to supply the vacuum pressure provided by the vacuum providing unit 400.

일 실시예로서, 바디(100)는 상부 바디(110) 및 하부 바디(120)를 포함한다. 하부 바디(120)는 상부 바디(110)의 하면에 볼트(300)와 같은 결합 부재에 의해 결합될 수 있다. 이때, 하부 바디(120)에는 볼트 결합용 홀(260)이 형성될 수 있다. 바디(100)의 상면에는 웨이퍼가 지지되고, 하부 바디(120)의 하면에는 웨이퍼 지지 유닛을 반도체 생산설비 내부에서 이동시키는 지지 유닛 홀더가 위치한다. In one embodiment, the body 100 includes an upper body 110 and a lower body 120. The lower body 120 may be coupled to a lower surface of the upper body 110 by a coupling member such as a bolt 300. In this case, a bolt coupling hole 260 may be formed in the lower body 120. A wafer is supported on the upper surface of the body 100, and a support unit holder for moving the wafer support unit inside the semiconductor production facility is located on the lower surface of the lower body 120.

복수의 진공 영역(220)들은 바디(100)의 상면에 소정의 형상으로 구획되어 형성된다. 복수의 진공 영역(220)들은 서로 겹치지 않으며, 각각의 진공 영역(220)들의 내측에는 다수의 진공홀(230)들이 형성된다. 진공홀(230)들은 바디(100)의 상면에 안착되는 웨이퍼의 하면과 바디(100) 상면 사이의 공간에 진공을 제공하기 위한 것이다. 진공홀(230)들은 상부 바디(110)의 상면으로부터 소정의 깊이로 형성된다. 상부 바디(110)에 형성되는 진공홀(230)들의 직경은 모두 동일하게 형성되거나, 필요시 서로 다른 직경의 진공홀(230)들이 혼재되어 형성될 수도 있다. 서로 다른 진공 영역(220)에 형성된 진공홀(230)들은 서로 독립적으로 진공압을 형성한다. 즉, 어느 하나의 진공 영역에 포함된 진공홀(230)들은 다른 진공 영역에 포함된 진공홀(230)들에 의해 영향을 받지 않고 진공압을 형성하며, 필요에 따라서는 각 진공 영역별로 진공압의 제공 여부, 제공되는 진공압의 크기 등이 서로 다를 수 있다. 물론, 일반적으로 모든 진공 영역에는 동일한 크기의 진공압이 제공되는 것이 바람직하다. 진공 영역(220)에 형성된 진공홀(230)에 진공압을 형성하는 원리는 후술한다.The plurality of vacuum regions 220 are partitioned and formed in a predetermined shape on the upper surface of the body 100. The plurality of vacuum regions 220 do not overlap each other, and a plurality of vacuum holes 230 are formed inside the respective vacuum regions 220. The vacuum holes 230 are provided to provide a vacuum in the space between the lower surface of the wafer and the upper surface of the body 100 seated on the upper surface of the body 100. The vacuum holes 230 are formed to a predetermined depth from the upper surface of the upper body 110. The diameters of the vacuum holes 230 formed in the upper body 110 are all the same, or, if necessary, the vacuum holes 230 having different diameters may be mixed. The vacuum holes 230 formed in the different vacuum regions 220 form a vacuum pressure independently of each other. That is, the vacuum holes 230 included in one vacuum region form a vacuum pressure without being affected by the vacuum holes 230 included in the other vacuum region, and, if necessary, the vacuum pressure for each vacuum region. Whether or not provided, and the magnitude of the vacuum pressure may be provided. Of course, it is generally preferred that all vacuum regions be provided with the same vacuum pressure. The principle of forming a vacuum pressure in the vacuum hole 230 formed in the vacuum region 220 will be described later.

진공홀(230)들은 진공 영역(220)의 면적 전체에 걸쳐 균일하게 형성되거나, 소정의 패턴을 이루도록 형성될 수도 있다. 진공홀(230)들이 소정의 패턴을 이루도록 형성되는 경우에는 도 4에 도시된 바와 같이, 진공홀(230)은 바디(100)의 중심으로부터 방사형으로 직선으로 연장되는 반경부(234) 및 바디(100)의 중심을 중심으로 하고 지름을 달리하는 복수의 동심원호 형태의 복수의 원주부(232)의 조합으로 이루어질 수 있다. 진공홀(230)은 도시된 실시예 이외에도 다양한 형상의 패턴으로 이루어질 수 있다. The vacuum holes 230 may be uniformly formed over the entire area of the vacuum region 220 or may be formed to form a predetermined pattern. When the vacuum holes 230 are formed to form a predetermined pattern, as shown in FIG. 4, the vacuum holes 230 may have a radius portion 234 and a body extending radially straight from the center of the body 100. It may be made of a combination of a plurality of circumferential portion 232 of the plurality of concentric circular arc shape having a center and the diameter of the center 100. The vacuum hole 230 may be formed in a pattern of various shapes in addition to the illustrated embodiment.

진공 유로(240)는 바디(100)의 상면과 하면 사이에 형성되되 바디(100)의 하면에 구비된 석션홀(250)과 바디(100)의 상면에 구비된 복수의 진공홀(230)을 연통시키도록 구성된다. 진공 유로(240)는 석션홀(250)에 인가된 진공압을 확산시키는 기능을 한다. 진공 유로(240)를 형성하기 위한 일 실시예로서, 본 실시예에 도시된 바와 같이, 바디(100)가 상부 바디(110)와 하부 바디(120)가 결합되어 구성되며, 상부 바디(110)의 하면에 진공 유로(240)를 형성하기 위한 유로 홈(242)을 형성할 수 있다. 상부 바디(110)의 하면에 유로 홈(242)이 형성된 상태에서, 상부 바디(110)의 하면에 석션홀(250)이 형성된 하부 바디(120)가 결합되면 유로 홈(242)은 하부 바디(120)에 의해 밀폐되고 다수의 진공홀(230)과 석션홀(250)을 연통시키는 진공 유로(240)가 형성된다.The vacuum flow path 240 is formed between the upper surface and the lower surface of the body 100, the suction hole 250 provided on the lower surface of the body 100 and the plurality of vacuum holes 230 provided on the upper surface of the body 100. Configured to communicate. The vacuum passage 240 serves to diffuse the vacuum pressure applied to the suction hole 250. As an embodiment for forming the vacuum flow path 240, as shown in the present embodiment, the body 100 is composed of the upper body 110 and the lower body 120 is coupled, the upper body 110 May form a channel groove 242 for forming the vacuum channel 240. When the flow path groove 242 is formed on the bottom surface of the upper body 110, when the lower body 120 having the suction hole 250 is coupled to the bottom surface of the upper body 110, the flow path groove 242 is connected to the bottom body ( A vacuum flow path 240 that is sealed by the 120 and communicates the plurality of vacuum holes 230 and the suction holes 250 is formed.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛은 독립된 유로를 가지는 복수의 진공 유로(240)가 구비됨으로써 바디(100)의 상면의 면적 전체에 걸쳐 균등한 진공압을 형성할 수 있다.The wafer support unit according to the embodiment of the present invention may be provided with a plurality of vacuum flow paths 240 having independent flow paths to form an even vacuum pressure over the entire area of the upper surface of the body 100.

진공 유로(240)는 적어도 진공홀(230)이 형성되는 면적을 포함하도록 형성된다. 바람직하게는 진공 유로(240)는 진공홀(230)의 패턴 형상에 부합되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 어느 하나의 진공 영역(220)에 형성된 진공홀(230)이 반경부와 원주부의 조합으로 이루어지는 경우에 진공 유로(240) 또한 이와 동일한 패턴의 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다. The vacuum flow path 240 is formed to include at least the area in which the vacuum hole 230 is formed. Preferably, the vacuum passage 240 is preferably formed in a shape corresponding to the pattern shape of the vacuum hole 230. That is, as shown in FIG. 4, when the vacuum hole 230 formed in any one of the vacuum regions 220 is formed of a combination of a radius portion and a circumference portion, the vacuum flow path 240 also has the same pattern shape. It is preferable.

진공 유로(240)는 바디(100)의 전체 면적 중 일부분에만 형성되며, 바디(100)에 있어서 진공 유로(240)가 형성되지 않은 부분(245)은 기둥을 형성한다. 진공 유로(240)가 형성되지 않은 기둥 부분(245)은 바디(100)가 휘는 것을 방지하는 보강 리브로서 기능한다. 웨이퍼의 평탄도는 반도체 회로의 정밀도에 많은 영향을 미치기 때문에 웨이퍼가 안착되는 바디(100)의 상면 또한 높은 정도의 평탄도를 요한다. 따라서, 진공 유로(240) 형성을 위한 유로 홈(242)이 상부 바디(110)에 형성되는 경우에는 필연적으로 상부 바디(110)에 보강 리브가 함께 형성되므로, 진공 유로(240)은 하부 바디(120)보다는 상부 바디(110)에 형성되는 것이 바디(100) 상면의 평탄도 향상에 더 유리하다. The vacuum flow path 240 is formed only in a part of the entire area of the body 100, and the portion 245 in which the vacuum flow path 240 is not formed in the body 100 forms a pillar. The pillar portion 245 in which the vacuum flow path 240 is not formed functions as a reinforcing rib to prevent the body 100 from bending. Since the flatness of the wafer greatly affects the precision of the semiconductor circuit, the top surface of the body 100 on which the wafer is seated also requires a high degree of flatness. Therefore, when the flow path groove 242 for forming the vacuum flow path 240 is formed in the upper body 110, since the reinforcing rib is inevitably formed in the upper body 110, the vacuum flow path 240 is formed in the lower body 120. It is more advantageous to improve the flatness of the upper surface of the body 100 is formed on the upper body 110 rather than).

필요에 따라서는, 본 실시예에서와 같이 상부 바디(110)에 진공홀(230) 및 진공 유로(240) 형성을 위한 유로 홈(242)이 형성되고 하부 바디(120)에 석션홀(250)이 형성되는 것이 아니라, 상부 바디(110)에는 진공홀(230)만 형성되고 하부 바디(120)에 진공 유로(240) 형성을 위한 유로 홈(242) 및 석션홀(250)이 형성되도록 구성될 수도 있다. 물론, 이 경우에 상부 바디(110)에는 보강 리브 기능을 하는 구조가 구비되지는 않지만 상부 바디(110)의 두께를 증가시키면 상부 바디(110)의 휨 강도를 증가시킬 수는 있으나, 그에 따라 바디(100)의 중량이 증가하는 단점이 있다.If necessary, as in the present embodiment, a flow path groove 242 for forming the vacuum hole 230 and the vacuum flow path 240 is formed in the upper body 110 and the suction hole 250 in the lower body 120. In this case, only the vacuum hole 230 is formed in the upper body 110 and the flow path groove 242 and the suction hole 250 for forming the vacuum flow path 240 are formed in the lower body 120. It may be. Of course, in this case, the upper body 110 is not provided with a structure that functions as a reinforcing rib, but increasing the thickness of the upper body 110 may increase the bending strength of the upper body 110, but accordingly There is a disadvantage that the weight of 100 is increased.

석션홀(250)에 인가되는 진공은 진공펌프와 같은 진공 제공부(400)에 의하여 제공된다. 진공 제공부(400)가 작동하여 석션홀(250)에 진공압이 인가되면 진공홀(230) 내부의 공기는 진공 유로(240)를 통해 바디(100)의 외부로 배출된다.The vacuum applied to the suction hole 250 is provided by a vacuum providing unit 400 such as a vacuum pump. When the vacuum providing unit 400 operates to apply the vacuum pressure to the suction hole 250, the air inside the vacuum hole 230 is discharged to the outside of the body 100 through the vacuum flow path 240.

분배기(410)는 진공 제공부(400)에 의해 제공되는 분배하는 기능을 한다. 분배기(410)에는 입력 포트와 복수의 출력 포트가 구비된다. 분배기(410)의 입력 포트는 진공 제공부(400)와 연통되고, 분배기(410)의 출력 포트 각각에는 흡입관(420)이 접속된다. 일단이 분배기(410)의 출력 포트에 연통된 흡입관(420)의 타단은 석션홀(250)과 연통된다. 진공 제공부(400)에 의해 진공압이 발생되면 진공압은 분배기(410)에 의해 분배된 후 각각의 흡입관(420)을 통해 각 석션홀(250)로 인가된다. 각 석션홀(250)로 인가된 진공압은 진공 유로(240)를 따라 이동한 후 해당 진공 유로(240)에 연통된 다수의 진공홀(230)에 제공된다. 이에 따라, 해당 진공 영역(220) 내에 위치하는 진공홀(230)들에 진공압이 인가된다. 이와 같이, 각 석션홀(250)에 공급되는 진공압의 크기를 조절함으로써 각각의 진공 영역(220)마다 진공압을 동일하게 형성하거나 서로 다른 크기로 형성할 수 있다.The dispenser 410 serves to dispense provided by the vacuum provider 400. The distributor 410 is provided with an input port and a plurality of output ports. An input port of the distributor 410 communicates with the vacuum providing unit 400, and a suction pipe 420 is connected to each output port of the distributor 410. The other end of the suction pipe 420, one end of which is connected to the output port of the distributor 410, communicates with the suction hole 250. When the vacuum pressure is generated by the vacuum providing unit 400, the vacuum pressure is distributed by the distributor 410 and then applied to each suction hole 250 through each suction pipe 420. The vacuum pressure applied to each suction hole 250 moves along the vacuum flow path 240 and is provided to the plurality of vacuum holes 230 communicating with the vacuum flow path 240. Accordingly, the vacuum pressure is applied to the vacuum holes 230 located in the vacuum region 220. As such, by adjusting the magnitude of the vacuum pressure supplied to each suction hole 250, the vacuum pressure may be formed to be the same for each vacuum region 220 or may have a different size.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 바디(100)는 알루미늄으로 제조된다. 상부 바디(110) 및 하부 바디(120)가 모두 알루미늄으로 제조되거나, 적어도 상부 바디(110)는 알루미늄으로 제조되는 것이 바람직하다. 바디(100)가 가벼운 알루미늄으로 제조됨으로써 웨이퍼 지지 유닛의 총중량을 감소시킬 수 있다. 따라서, 종래에 다공성 세라믹을 이용한 웨이퍼 지지 유닛이 무거운 중량으로 인하여 위치 정밀도가 불량하였던 것에 비해, 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 유닛은 웨이퍼 지지 유닛의 이동 시 웨이퍼 지지 유닛을 빠르게 가속 및 감속시킬 수 있어 웨이퍼 지지 유닛의 이동 속도가 빨라지고 웨이퍼 지지 유닛의 위치 정밀도가 향상된다. 또한, 웨이퍼 지지 유닛이 고가의 세라믹 대신 저가의 알루미늄으로 제조되므로 웨이퍼 지지 유닛의 제조 비용을 낮출 수 있다.The body 100 of the wafer support unit according to one embodiment of the invention is made of aluminum. It is preferable that both the upper body 110 and the lower body 120 are made of aluminum, or at least the upper body 110 is made of aluminum. The body 100 can be made of lightweight aluminum to reduce the total weight of the wafer support unit. Accordingly, the wafer support unit according to the present invention can accelerate and decelerate the wafer support unit during the movement of the wafer support unit, compared to the conventional wafer support unit using the porous ceramic due to the heavy weight. The moving speed of the support unit is increased and the positional accuracy of the wafer support unit is improved. In addition, since the wafer support unit is made of inexpensive aluminum instead of expensive ceramic, the manufacturing cost of the wafer support unit can be lowered.

그뿐만 아니라, 바디(100)가 알루미늄으로 제조되는 경우 웨이퍼 지지 유닛의 반복적인 사용에도 분진과 같은 미세 입자가 발생하지 않아 반도체의 불량이 방지된다. 이와 같은 점은 다공성 세라믹을 이용하여 진공압을 제공하던 종래의 기술과 비교하여 대비되는 큰 장점이다.In addition, when the body 100 is made of aluminum, even when repeated use of the wafer support unit does not generate fine particles such as dust, defects in the semiconductor are prevented. This is a great advantage compared to the prior art that provides a vacuum pressure using a porous ceramic.

또한, 진공홀(230)을 설계자가 원하는 패턴으로 형성시킬 수 있고 바디(100)의 상면에 규칙적으로 형성시킬 수 있기 때문에 종래에 비하여 바디(100)의 상면에 균일한 진공압을 제공할 수 있다. 나아가, 진공 제공부(400)에 의해 제공되는 진공압이 진공홀(230)이 아닌 다른 부분을 통해 누설되지 않으므로 바디(100)의 상면에 제공되는 진공압 크기를 쉽게 조절할 수 있다.In addition, since the vacuum hole 230 can be formed in a desired pattern by the designer and can be regularly formed on the upper surface of the body 100, a uniform vacuum pressure can be provided on the upper surface of the body 100 as compared with the conventional art. . In addition, since the vacuum pressure provided by the vacuum providing unit 400 does not leak through portions other than the vacuum hole 230, it is possible to easily adjust the magnitude of the vacuum pressure provided on the upper surface of the body 100.

한편, 표면 강도를 향상시켜 내구성을 강화하고 반도체 제조 과정에서 불순물로 작용할 수 있는 미세 입자의 발생을 방지하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지 유닛의 바디(100), 특히 바디(100)의 상면은 아노다이징(Anodizing) 표면 처리가 되는 것이 바람직하다. Meanwhile, the body 100, in particular the body 100 of the wafer support unit according to an embodiment of the present invention, in order to enhance surface strength, enhance durability, and prevent generation of fine particles that may act as impurities in a semiconductor manufacturing process. The upper surface of is preferably anodizing (Anodizing) surface treatment.

지지 유닛 홀더는 웨이퍼 지지 유닛을 반도체 생산설비 내부에서 이동시킨다. 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 유닛이 지지 유닛 홀더에 의해 반도체 생산설비 내부를 따라 이동함에 따라 웨이퍼는 반도체 생산설비에 구비된 각 공정 사이에서 이동된다. 웨이퍼 지지 유닛을 지지 유닛 홀더에 결합시키기 위해 바디(100)의 하면에는 홀더 결합용 홀(270)이 형성될 수 있다. 지지 유닛 홀더는 다양한 방식으로 웨이퍼 지지 유닛을 이동시킬 수 있다. 예컨대, 지지 유닛 홀더는 다관절 로봇 암 형태로 구현될 수 있다.The support unit holder moves the wafer support unit inside the semiconductor production facility. As the wafer support unit according to the present invention is moved along the inside of the semiconductor production facility by the support unit holder, the wafer is moved between the processes provided in the semiconductor production facility. In order to couple the wafer support unit to the support unit holder, a holder coupling hole 270 may be formed on the bottom surface of the body 100. The support unit holder can move the wafer support unit in various ways. For example, the support unit holder may be implemented in the form of a articulated robot arm.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the technical idea of the present invention. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 바디 110: 상부 바디
120: 하부 바디 220: 진공 영역
230: 진공홀 240: 진공 유로
250: 석션홀 400: 진공 제공부
410: 분배기 420: 흡입관100: body 110: upper body
120: lower body 220: vacuum area
230: vacuum hole 240: vacuum flow path
250: suction hole 400: vacuum providing unit
410: dispenser 420: suction line

Claims (6)

적어도 둘의 진공 영역이 구획되고, 상기 진공 영역에는 각각 다수의 진공홀이 소정의 깊이로 형성되는 상면;
상기 진공 영역들 중 어느 하나에 형성되는 상기 진공홀들과 연통되며 서로 연통하지 않는 독립된 유로를 형성하는 적어도 둘의 진공 유로; 및
상기 진공 유로에 각각 연통되어 진공 제공부에 의해 제공되는 진공압을 상기 진공 유로에 공급하기 위한 석션홀이 형성되는 하면
을 포함하는 바디를 포함하며,
상기 진공홀들은 소정의 패턴을 이루어 형성되며,
상기 패턴은,
상기 바디의 중심으로부터 방사형으로 직선으로 연장되는 반경부; 및
상기 바디의 중심을 중심으로 하고 지름을 달리하는 동심 원호 형상의 복수의 원주부를 포함하는 것을 특징으로 하는
웨이퍼 지지 유닛.At least two vacuum regions are defined, each vacuum region having a plurality of vacuum holes formed to a predetermined depth;
At least two vacuum passages communicating with the vacuum holes formed in any one of the vacuum regions and forming independent passages not communicating with each other; And
A lower surface communicating with each of the vacuum flow paths and having a suction hole for supplying the vacuum pressure provided by the vacuum providing unit to the vacuum flow path
It includes a body including,
The vacuum holes are formed in a predetermined pattern,
The pattern may be,
A radial portion extending radially straight from the center of the body; And
It characterized by including a plurality of circumferential portion of the concentric arc-shaped centered on the center of the body and having a different diameter
Wafer support unit. 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지 유닛은,
일단이 상기 진공 제공부와 연통되고, 타단이 상기 석션홀들 중 어느 하나와 연통되는 복수의 흡입관을 더 포함하는
웨이퍼 지지 유닛.The method of claim 1,
The wafer support unit,
One end is in communication with the vacuum providing portion, the other end further comprises a plurality of suction pipes in communication with any one of the suction holes
Wafer support unit. 제2항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지 유닛은,
상기 진공 제공부에 의해 발생되는 진공압을 분배하여 상기 흡입관에 공급하는 분배기를 더 포함하는
웨이퍼 지지 유닛.3. The method of claim 2,
The wafer support unit,
And a distributor configured to distribute the vacuum pressure generated by the vacuum providing unit and supply the vacuum pressure to the suction pipe.
Wafer support unit. 제1항에 있어서,
상기 바디는 상부 바디 및 하부 바디를 포함하고,
상기 진공홀들은 상기 상부 바디에 형성되고,
상기 석션홀들은 상기 하부 바디에 형성되며,
상기 상부 바디의 하면에는 유로 홈이 형성되며, 상기 상부 바디의 하면에 상기 하부 바디가 결합하여 상기 진공 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는
웨이퍼 지지 유닛.The method of claim 1,
The body includes an upper body and a lower body,
The vacuum holes are formed in the upper body,
The suction holes are formed in the lower body,
A flow path groove is formed on a lower surface of the upper body, and the vacuum body is formed by coupling the lower body to a lower surface of the upper body.
Wafer support unit. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 바디의 상기 상면은 아노다이징 표면 처리가 되는 것을 특징으로 하는
웨이퍼 지지 유닛.The method of claim 1,
The upper surface of the body is characterized in that the anodizing surface treatment
Wafer support unit.
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