KR20170013518A - Substrate transferring apparatus - Google Patents

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김철우
이유진
이재학
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주식회사 티지오테크
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Abstract

The present invention relates to a substrate transferring apparatus. According to one embodiment of the present invention, the substrate transferring apparatus (100) comprises: a transfer unit (110) supporting an upper surface of a substrate by a non-contact method by facing the upper surface of the substrate (10); and a body unit (150) having a flow passage providing gas (g) and vacuum (v) to the transfer unit (110). Gas injection support units (130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146) discharging the gas (g) and vacuum support units (120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128) providing the vacuum (v) to the transfer unit (110).

Description

기판 이송 장치 {SUBSTRATE TRANSFERRING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TRANSFERRING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 이송 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 진공 방식과 가스 분사 방식을 결합하여 기판의 상부면을 비접촉식으로 지지하여 이송할 수 있는 기판 이송 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate transfer apparatus. More particularly, the present invention relates to a substrate transfer apparatus capable of supporting and transferring an upper surface of a substrate in a non-contact manner by coupling a vacuum system and a gas injection system.

발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED), 평판표시장치, 태양전지, 반도체 등의 기판에는 증착 공정, 어닐링 공정 등이 수행된다. 기판이 동일 공정 내에서 또는 다음 공정을 위하여 장비 간에 이송될 때, 오염 물질에 의한 오염, 공정 장비, 기판 이송 장치 등과 물리적 접촉으로 인하여 스크래치 등이 발생할 수 있다. 이러한 오염, 스크래치 등은 기판의 결함으로 작용하여 최종 제품의 성능을 하락시키는 주요 원인이 될 뿐만 아니라, 불량까지 이르는 원인이 될 수 있기 때문에 기판처리 공정에서 중요하게 고려되어야 한다.A substrate such as a light emitting diode (LED), a flat panel display, a solar cell, or a semiconductor is subjected to a deposition process, an annealing process, and the like. When the substrate is transported between equipment for the next process or in the same process, scratches and the like may occur due to contamination by the pollutants, physical contact with the process equipment, and the substrate transfer device. Such contamination and scratches are important defects in the substrate processing process because they act as defects of the substrate and cause not only deterioration of the performance of the final product but also cause defects.

기판은 상부면 또는 하부면을 지지하여 이송할 수 있는데, 기판의 상부면을 지지하여 이송하는 방식으로는 진공 흡착 방식과 베르누이 원리를 이용한 방식이 있다.The substrate may be supported by supporting the upper surface or the lower surface. The vacuum adsorption method and the Bernoulli principle are used as a method of supporting and transferring the upper surface of the substrate.

진공 흡착 방식은 진공의 흡입력에 의해 기판을 들어 올릴 수 있으므로 기판의 안정적인 이송이 가능한 장점이 있다. 하지만, 기판의 상부면이 기판 이송 장치에 접촉하기 때문에 기판의 상부면이 오염되는 단점이 있다.The vacuum adsorption method has an advantage that the substrate can be stably transported because the substrate can be lifted by the vacuum suction force. However, there is a disadvantage that the upper surface of the substrate is contaminated because the upper surface of the substrate contacts the substrate transfer device.

베르누이 원리를 이용한 방식은 기판 이송 장치와 기판 사이의 압력 제어에 의해 기판의 상부면을 비접촉식으로 들어 올려 이송할 수 있으므로, 기판의 상부면이 기판 이송 장치와 접촉함에 따라 오염되는 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다. 하지만, 기판을 들어 올리기 위해 다량의 가스가 필요하므로, 다량의 가스에 혼입된 미세 입자에 의해 기판이 오염되는 단점이 있다.The method using the Bernoulli principle can lift the upper surface of the substrate in a noncontact manner by pressure control between the substrate transfer device and the substrate and thus can solve the problem that the upper surface of the substrate is contaminated as it comes into contact with the substrate transfer device There are advantages. However, since a large amount of gas is required to lift the substrate, there is a disadvantage that the substrate is contaminated by fine particles mixed in a large amount of gas.

아래에서는 기판의 하부면을 지지하여 이송하는 방식에 대해 설명한다.A method of supporting and transporting the lower surface of the substrate will be described below.

기판(10)은 서셉터(susceptor; 20) 상부에 배치되어 증착 등의 공정이 수행될 수 있다. 도 1의 (a)와 같이 기판(10)은 평판 형태의 서셉터(20) 상부에 배치될 수 있고, 도 1의 (b)와 같이 기판(10)이 수용될 수 있는 홈(21)을 구비한 서셉터(20)에 배치될 수도 있다. 도 1의 (c)에는 서셉터(20)에 에어 분사홀(30)이 형성되어 에어(air; a)를 분사함에 따라 기판(10)을 소정 높이만큼 띄운 후에 웨이퍼 트랜스퍼 로봇과 같은 기판 이송 장치(50)가 기판(10)의 하부로 접근하여 기판(10)을 지지한 후 이송하는 방법이 도시되어 있다. 도 1의 (d)에는 기판 지지부(40)가 구비되어, 기판 지지핀(41)이 서셉터(20)를 관통하고, 승단 수단(45)의 상하 운동에 의해 기판(10)의 하부면을 기판 지지핀(41)이 지지하여 승강시키는 방법이 도시되어 있다.The substrate 10 may be disposed on a susceptor 20 and a process such as deposition may be performed. As shown in FIG. 1 (a), the substrate 10 may be disposed on the susceptor 20 in the form of a plate, and a groove 21 in which the substrate 10 can be accommodated, as shown in FIG. 1 (b) Or may be disposed on the susceptor 20 provided. 1 (c), an air injection hole 30 is formed in the susceptor 20 so that the substrate 10 is spread by a predetermined height as the air (a) is sprayed, and then the substrate transfer device (50) approaches the lower portion of the substrate (10) to support and transfer the substrate (10). 1 (d), a substrate support 40 is provided so that the substrate support pin 41 passes through the susceptor 20 and the lower surface of the substrate 10 is moved up and down by the up- And the substrate supporting pins 41 are supported and lifted and lowered.

도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 서셉터(20)로부터 기판(10)을 이송하기 위해서는 기판(10)의 하부에서 접근하여 기판(10)을 이송해야 하는 번거로움이 있었다. 기판 이송 장치(50)가 기판(10)의 하부에서 접근하여 기판(10)을 이송하려면 도 1의 (c) 및 (d)와 같은 구성이 필수적이다. 하지만, 도 1의 (c)와 같은 분사홀(30)에 의해서는 기판(10)이 안정적으로 플로팅 되어 지지되기 어렵고, 기판 이송 장치(50)가 접근하는 과정에서 기판(10)과 간섭하여 기판(10)의 손상을 발생시킬 수 있는 문제점이 있었다. 그리고, 도 1의 (d)와 같은 기판 지지부(40)는 장치 내부에서 타 요소와의 설계상 제약이 크고, 여전히 기판 하부에 스크래치를 발생시킬 수 있는 문제점이 있었다.In order to transfer the substrate 10 from the susceptor 20 shown in Figs. 1 (a) and 1 (b), it is troublesome to transfer the substrate 10 from the lower part of the substrate 10. 1 (c) and (d) are essential for the substrate transfer apparatus 50 to approach the bottom of the substrate 10 and transfer the substrate 10. 1 (c), it is difficult for the substrate 10 to stably float and be supported by the ejection hole 30. As the substrate transfer device 50 approaches the substrate 10, There is a problem that damage to the battery 10 may occur. 1 (d), there is a restriction in design with respect to other elements inside the apparatus, and there is still a problem that scratches can be generated in the lower portion of the substrate.

이러한 문제점을 해소하기 위하여, 본 발명자는 기판의 상부에서 기판을 지지함과 동시에, 비접촉 방식으로 기판을 지지하여 이송할 수 있는 기판 이송장치를 발명하기에 이르렀다.In order to solve such a problem, the present inventors have invented a substrate transfer apparatus capable of supporting a substrate on an upper portion of a substrate and transferring the substrate in a non-contact manner.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 진공 방식과 가스 분사 방식을 결합하여 기판의 상부면을 비접촉식으로 지지하여 안정적으로 이송할 수 있는 기판 이송 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate transfer apparatus capable of stably transferring an upper surface of a substrate in a non-contact manner by combining a vacuum system and a gas injection system It is for that purpose.

또한, 본 발명은 기판 이송 과정에서 기판의 결함 발생을 감소시킬 수 있는 기판 이송 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a substrate transfer apparatus capable of reducing the occurrence of defects in a substrate during a substrate transfer process.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 이송 장치는, 기판의 상부면과 대향하여 상기 기판의 상부면을 비접촉식으로 지지하는 이송부; 및 상기 이송부에 가스(gas) 및 진공(vacuum)을 제공하는 유로를 포함하는 바디부를 포함하고, 상기 이송부에는 상기 가스를 배출하는 가스 분사 지지부 및 상기 진공을 제공하는 진공 지지부가 형성된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus including: a transfer unit for non-contactly supporting an upper surface of a substrate so as to face an upper surface of the substrate; And a body part including a flow path for supplying a gas and a vacuum to the transfer part, wherein the transfer part is formed with a gas injection support part for discharging the gas and a vacuum support part for providing the vacuum .

상기 가스 분사 지지부는, 상기 가스가 이동하는 가스 유로, 및 상기 가스 유로의 단부에서 상기 기판의 상부면과 대향하는 상기 이송부의 면에 형성되는 가스 배출구를 포함할 수 있다.The gas injection support portion may include a gas flow passage through which the gas moves, and a gas discharge port formed at a surface of the transfer portion opposite to an upper surface of the substrate at an end portion of the gas flow passage.

상기 진공 지지부는, 상기 진공을 제공하는 진공 유로, 및 상기 진공 유로의 단부에서 상기 기판의 상부면과 대향하는 상기 이송부의 면에 형성되는 진공 발생구를 포함할 수 있다.The vacuum support part may include a vacuum flow path for providing the vacuum and a vacuum generating port formed on the surface of the transfer part opposite to the upper surface of the substrate at the end of the vacuum flow path.

상기 이송부에서, 상기 가스 분사 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분은 상기 진공 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분보다 외측일 수 있다.In the transfer portion, a portion of the substrate supported by the gas injection support portion may be located outside the portion of the substrate supported by the vacuum support portion.

상기 이송부에서, 상기 진공 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분은 상기 가스 분사 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분보다 외측일 수 있다.In the transfer portion, a portion of the substrate supported by the vacuum support portion may be located outside the portion of the substrate supported by the gas injection support portion.

상기 가스는 상기 기판의 상부면에 소정 각도 기울어지게 배출될 수 있다.The gas may be discharged at an angle to the upper surface of the substrate.

상기 기판의 외주 바깥에 대향하는 상기 이송부의 부분에는 돌출 안내부가 형성될 수 있다.A protruding guide portion may be formed on a portion of the transfer portion opposite to the outer periphery of the substrate.

상기 돌출 안내부의 내주면은 경사지게 형성될 수 있다.The inner circumferential surface of the protruding guide portion may be formed to be inclined.

상기 가스는 N2, Ar, Ne, He 중 어느 하나일 수 있다.The gas may be any one of N 2 , Ar, Ne, and He.

상기 진공 지지부는 상기 진공의 흡입력에 의해 상기 기판을 상기 이송부로 들어 올리고, 상기 가스 분사 지지부는 상기 가스의 배출에 의해 상기 기판을 상기 이송부의 반대편으로 밀어낼 수 있다.The vacuum support part lifts the substrate to the transfer part by the suction force of the vacuum, and the gas injection support part pushes the substrate to the opposite side of the transfer part by discharging the gas.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 진공 방식과 가스 분사 방식을 결합하여 기판의 상부면을 비접촉식으로 지지하여 안정적으로 이송할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that the upper surface of the substrate can be supported in a noncontact manner by combining the vacuum system and the gas injection system and can be stably transported.

또한, 본 발명은 기판 이송 과정에서 기판의 결함 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Further, the present invention has the effect of reducing the occurrence of defects in the substrate during the substrate transfer process.

또한, 본 발명은 기판을 이송하기 위한 가스의 분사량을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Further, the present invention has the effect of reducing the amount of gas injected for transporting the substrate.

도 1은 기판 배치 형태 및 기판을 하부에서 이송 방식을 나타내는 측단면도이다.
도 2는 상부 지지 방식의 기판 이송 장치를 나타내는 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 이송 장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 이송 장치의 작동 과정을 나타내는 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 이송 장치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 이송 장치를 나타내는 측단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a side sectional view showing a substrate arrangement mode and a substrate transferring method from the bottom. Fig.
2 is a side sectional view showing a substrate transfer apparatus of the upper support type.
3 is a plan view showing a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a side cross-sectional view illustrating an operation process of the substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing a substrate transfer apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a side sectional view showing a substrate transfer apparatus according to another embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시 예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시 예는 발명자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시 예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시 예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시 예로 구현 될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시 예 내의 개별 구성 요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음을 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조 부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일 또는 유사한 기능을 지칭한다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable the inventors to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the location or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the present invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 상부 지지 방식의 기판 이송 장치를 나타내는 측단면도이다.2 is a side sectional view showing a substrate transfer apparatus of the upper support type.

도 2의 (a)에는 상부 지지 방식의 기판 이송 장치(60)의 한 예로서, 진공(vacuum; v)을 이용 기판 이송 장치(60)가 도시되어 있다.2 (a) shows a substrate transfer apparatus 60 using a vacuum (v) as an example of the substrate transfer apparatus 60 of the upper support type.

기판 이송 장치(60)의 기판(10) 상부면과 대향하는 부분에는 진공 흡착력을 제공하는 진공 흡착구(61)가 형성될 수 있다. 진공 흡착구(61)는 외부의 펌핑 수단(미도시)과 연결되어 공기를 흡입함에 따라서 진공(v)을 제공할 수 있다. 기판 이송 장치(60)가 기판(10) 상부로 접근함에 따라 기판(10)은 진공(v)의 흡입력에 의해 들어 올려질 수 있다. 그리하여, 기판(10)의 상부가 기판 이송 장치(60)에 접촉 지지된 상태로 이송될 수 있다.A vacuum suction port 61 for providing a vacuum suction force may be formed at a portion of the substrate transfer device 60 opposed to the upper surface of the substrate 10. The vacuum suction port 61 is connected to an external pumping means (not shown) to provide a vacuum v as it sucks air. As the substrate transfer apparatus 60 approaches the top of the substrate 10, the substrate 10 can be lifted by the suction force of the vacuum v. Thus, the upper portion of the substrate 10 can be transferred while being held in contact with the substrate transfer device 60.

이 방식은 기판(10)의 상부를 지지하여 기판(10)을 이송할 수 있으므로, 기판(10)의 하부를 지지하는 도 1의 (c) 및 (d)의 기판 이송 장치(50)에서 발생할 수 있는 기판(10) 지지의 안정성 문제, 기판(10) 하부면의 손상 문제를 피할 수 있게 된다. 하지만, 기판(10) 상부면이 기판 이송 장치(60)에 접촉하기 때문에 기판(10)이 상부면이 오염되거나 손상되는 문제점이 존재한다.This method can transfer the substrate 10 by supporting the upper portion of the substrate 10 so that the substrate 10 can be transferred to the substrate transfer apparatus 50 of Figs. 1 (c) and 1 (d) It is possible to avoid the problem of stability of the support of the substrate 10, which may possibly occur, and damage problems of the lower surface of the substrate 10. [ However, since the upper surface of the substrate 10 contacts the substrate transfer device 60, there is a problem that the upper surface of the substrate 10 is contaminated or damaged.

도 2의 (b)에는 상부 지지 방식의 기판 이송 장치(60)의 다른 예로서, 베르누이 원리를 이용한 비접촉식 기판 이송 장치(60)가 도시되어 있다.2 (b) shows a non-contact type substrate transfer apparatus 60 using the Bernoulli principle as another example of the substrate transfer apparatus 60 of the upper support type.

베르누이의 원리란, 점성과 압축성이 없는 이상적인 유체가 규칙적으로 흐를 때, 속도과 압력의 관계에 대한 법칙이다. 즉, 기준면에 대한 높이가 일정할 때, 유체의 속력이 증가하면 유체 내부의 압력이 낮아지고, 유체의 속력이 감소하면 유체 내부의 압력이 높아지는 관계에 대한 법칙이다.Bernoulli's principle is the law of the relationship between speed and pressure when an ideal fluid with no viscosity and compressibility flows regularly. That is, when the height of the reference surface is constant, the pressure inside the fluid decreases as the fluid velocity increases, and the pressure inside the fluid increases as the fluid velocity decreases.

기판 이송 장치(60)의 기판(10) 상부면과 대향하는 부분에는 에어(air; a)를 배출하는 에어 배출구(65)가 형성될 수 있다. 에어 배출구(65)는 외부의 에어 공급 수단(미도시)와 연결되어 에어를 제공받아 기판(10) 상부로 배출할 수 있다. 기판(10)은 베르누이의 원리에 따라 기판 이송 장치(60)와 기판(10) 사이의 압력이 낮아짐에 따라 들어 올려질 수 있다. 그리하여, 기판(10)은 기판 이송 장치(60)와 소정 거리를 유지한 상태로 비접촉 지지된 상태로 이송될 수 있다.An air outlet 65 for discharging air may be formed in a portion of the substrate transfer device 60 that faces the upper surface of the substrate 10. [ The air outlet 65 is connected to an external air supply means (not shown) to receive air and discharge the air to the upper portion of the substrate 10. The substrate 10 can be raised as the pressure between the substrate transfer device 60 and the substrate 10 is lowered according to the Bernoulli principle. Thus, the substrate 10 can be transferred in a state of being held in a noncontact state while maintaining a predetermined distance from the substrate transfer device 60.

이 방식은 기판(10)의 상부를 지지하여 기판(10)을 이송할 수 있으므로, 기판(10)의 하부를 지지하는 도 1의 (c) 및 (d)의 기판 이송 장치(50)에서 발생할 수 있는 기판(10) 지지의 안정성 문제, 기판(10) 하부면의 손상 문제를 피할 수 있게 된다. 또한, 비접촉식으로 기판(10)을 지지하여 이송하므로, 기판(10)의 상부면이 오염되는 문제도 피할 수 있게 된다. 하지만, 베르누이 방식은 다량의 가스가 필요한 문제점이 있고, 다량의 가스가 유입되면서 미세 입자가 유입됨에 따른 기판(10) 오염 문제가 발생하는 문제점이 있다.This method can transfer the substrate 10 by supporting the upper portion of the substrate 10 so that the substrate 10 can be transferred to the substrate transfer apparatus 50 of Figs. 1 (c) and 1 (d) It is possible to avoid the problem of stability of the support of the substrate 10, which may possibly occur, and damage problems of the lower surface of the substrate 10. [ Further, since the substrate 10 is supported and transported in a non-contact manner, the problem of contamination of the upper surface of the substrate 10 can be avoided. However, the Bernoulli method has a problem that a large amount of gas is required, and a problem of contamination of the substrate 10 due to inflow of a large amount of gas into the fine particles occurs.

따라서, 본 발명은 진공 방식과 가스 분사 방식을 결합하여 기판의 상부면을 비접촉식으로 지지하여 이송할 수 있는 기판 이송 장치(100)를 제공하는 것을 특징으로 한다. 진공 방식과 가스 분사 방식을 결합함에 따라서 베르누이 방식보다 가스 사용량을 절감하면서도 비접촉식으로 기판을 지지하여 이송할 수 있다.Accordingly, the present invention provides a substrate transfer apparatus (100) capable of supporting and transferring an upper surface of a substrate in a non-contact manner by coupling a vacuum system and a gas injection system. By combining the vacuum system and the gas injection system, the substrate can be supported and transported in a noncontact manner while reducing gas consumption compared to the Bernoulli system.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 이송 장치(100)를 나타내는 평면도, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 이송 장치(100)의 작동 과정을 나타내는 측단면도이다.FIG. 3 is a plan view showing a substrate transfer apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a side sectional view showing an operation process of the substrate transfer apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 기판 이송 장치(100)는 이송부(110), 바디부(150)를 포함한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the substrate transfer apparatus 100 of the present invention includes a transfer unit 110 and a body unit 150.

이송부(110)는 실질적으로 기판(10)의 상부면과 대향하여 기판(10)의 상부면을 비접촉식으로 지지하는 역할을 할 수 있다. 도 3에는 이송부(110)를 사각형 형태로 도시하였으나, 기판(10)의 형태, 크기 등에 따라서 이송부(110)의 형태는 적절히 변경될 수 있다.The transfer unit 110 may function to support the upper surface of the substrate 10 in a noncontact manner, substantially facing the upper surface of the substrate 10. 3, the shape of the transfer unit 110 may be appropriately changed in accordance with the shape and size of the substrate 10.

이송부(110)는 진공(v)을 제공하는 진공 지지부(120-128)와 가스(g)를 배출하는 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)를 포함할 수 있다.The transfer part 110 may include a vacuum support part 120-128 for providing a vacuum v and gas injection support parts 130-136 and 140-146 for discharging the gas g.

진공 지지부(120-128)는 공기를 흡입함에 따라서 진공(v)의 흡입력에 의해 기판(10)을 들어 올리는 역할을 할 수 있다. 그리고, 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)는 가스(g)를 기판(10) 상부면으로 배출하여 기판(10)이 이송부(110)에 접촉하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The vacuum support portions 120-128 may serve to lift the substrate 10 by the suction force of the vacuum v as the air is sucked. The gas injection support portions 130-136 and 140-146 may serve to prevent the substrate 10 from contacting the transfer portion 110 by discharging the gas g onto the upper surface of the substrate 10. [

가스(g)는 N2, Ar, Ne, He과 같은 비활성 가스(inert gas)인 것이 바람직하나, 기판(10)과 반응하지 않으면서, 기판(10)을 오염시키지 않는 미세 입자를 포함하지 않는 가스라면 제한 없이 채용 가능하다.The gas g is preferably an inert gas such as N 2 , Ar, Ne, or He, but may be any gas that does not react with the substrate 10 but does not contain fine particles that do not contaminate the substrate 10 Any gas can be used without restrictions.

진공 지지부(120-128)는 진공(v)을 제공하는 진공 유로(120-122)와 진공 유로(120-123)의 단부에서 기판(10)의 상부면과 대향하는 이송부(110)의 면에 형성되는 진공 발생구(125-128)를 포함할 수 있다.The vacuum support portions 120-128 are provided on the surfaces of the transfer portion 110 facing the upper surface of the substrate 10 at the ends of the vacuum paths 120-123 and the vacuum path 120-122 for providing the vacuum v And a vacuum generator 125-128 formed therein.

진공 유로(120-123)는 외부의 펌핑 수단(175)으로부터 진공(v)을 제공받는 진공 파이프(170)에 일단이 연결되어 바디부(150)로 전달하는 메인 진공 유로(120), 메인 진공 유로(120)의 타단에서 분기되는 제1 서브 진공 유로(121) 및 제1 서브 진공 유로(121)의 양단에서 분기되어 진공 발생구(125-128)로 진공(v)을 전달하는 제2 서브 진공 유로(122, 123)를 포함할 수 있다.The vacuum passages 120-123 are connected to the main vacuum passage 120 through which one end is connected to the vacuum pipe 170 receiving the vacuum v from the external pumping means 175, A first sub vacuum path 121 branched at the other end of the flow path 120 and a second sub branch branched at both ends of the first sub vacuum path 121 to transfer the vacuum v to the vacuum generation ports 125-128 And may include vacuum passages 122 and 123.

진공 발생구(125-128)는 기판(10)의 상부면에 실질적으로 진공(v)을 제공하는 통로로서 역할을 한다.The vacuum generators 125-128 serve as passages for providing a substantially vacuum (v) to the upper surface of the substrate 10. [

가스 분사 지지부(130-136, 140-146)는 가스(g)가 이동하는 가스 유로(130-132, 140-142)와 가스 유로(130-132, 140-142)의 단부에서 기판(10)의 상부면과 대향하는 이송부(110)의 면에 형성되는 가스 배출구(133, 134, 145, 146)을 포함할 수 있다.The gas injection support portions 130-136 and 140-146 are connected to the substrate 10 at the ends of the gas flow paths 130-132 and 140-142 and the gas flow paths 130-132 and 140-142, 134, 145, 146 formed on the surface of the transfer part 110 facing the upper surface of the transfer part 110. [

가스 유로(130-132, 140-142)는 진공 지지부(120-128)를 사이에 두고 대향 하도록 한 쌍으로 마련될 수 있다. 가스 유로(130-132, 140-142)는 외부의 가스 공급 수단(165)으로부터 가스(g)를 제공받는 가스 파이프(160)에 일단이 연결되어 바디부(150)로 전달하는 메인 가스 유로(130, 140), 메인 가스 유로(130, 140)의 타단에서 분기되어 가스 배출구(133, 134, 145, 146)로 가스(s)를 전달하는 서브 가스 유로(131, 132, 141, 142)를 포함할 수 있다.The gas passages 130-132 and 140-142 may be provided in pairs such that the gas passages 130-132 and 140-142 are opposed to each other with the vacuum support portions 120-128 interposed therebetween. The gas passages 130-132 and 140-142 are connected to a gas pipe 160 that is supplied with gas g from an external gas supply unit 165 and is connected to the main gas channel 132, 141 and 142 branched from the other ends of the main gas passages 130 and 140 and transferring the gas s to the gas outlets 133, 134, 145 and 146, .

가스 배출구(133, 134, 145, 146)는 기판(10)의 상부면에 실질적으로 가스(g)을 제공하는 통로로서 역할을 한다. 가스(g)가 기판(10)을 들어 올리는 힘보다 하부로 밀어내는 힘이 세지는 것을 방지하기 위해, 가스(g)는 기판(10)의 상부면에 수직으로 배출되지 않고, 소정 각도 기울어지게 배출되는 것이 바람직하다. 가스(g)를 기울어지게 배출하도록 가스 배출구(133, 134, 145, 146)가 이송부(110)의 면에서 소정 각도 기울어지게 형성될 수도 있다.The gas outlets 133, 134, 145, 146 serve as passages for providing substantially gas (g) to the upper surface of the substrate 10. The gas g is not discharged vertically to the upper surface of the substrate 10 but is tilted at a predetermined angle in order to prevent the gas g from tending to push downwardly pushing the substrate 10 Is preferably discharged. The gas outlets 133, 134, 145, and 146 may be formed to be inclined at a predetermined angle from the surface of the transfer unit 110 so as to discharge the gas g in an inclined manner.

바디부(150)는 일측은 이송부(110)의 측면에 연결될 수 있고, 타측은 이송부(110)로 가스(g) 및 진공(v)을 제공할 수 있도록 가스/진공 공급 수단(165, 175)에 연결될 수 있다. 바디부(150)의 내부에는 가스(g) 및 진공(v)을 제공하는 유로(120, 130)가 형성되고, 이 유로(120, 130)는 이송부(110)의 내부까지 연통되어 형성될 수 있다.The body part 150 can be connected to the side of the conveying part 110 and the other part can be connected to the gas / vacuum supplying part 165 and 175 so as to provide the gas g and the vacuum v to the conveying part 110, Lt; / RTI > The body part 150 is provided with flow paths 120 and 130 for providing a gas g and a vacuum v and the flow paths 120 and 130 may be formed to communicate with the inside of the transfer part 110 have.

바디부(150)의 타측은 기판 이송 장치(100)를 x, y, z 축 방향으로 이동시킬 수 있는 이동 수단(미도시)에 결합될 수 있다.The other side of the body part 150 may be coupled to moving means (not shown) capable of moving the substrate transfer apparatus 100 in the x, y, and z axis directions.

진공 지지부(120-128)의 진공(v)에 의해서 기판(10)이 이송부(110)에 접촉되는 종래 기술의 문제점은 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)에서 배출되는 가스(g)에 의해 해결될 수 있다. 구체적으로, 진공 지지부(120-128)가 진공(v)의 흡입력에 의해서 기판(10)을 강하게 들어 올리는 힘과 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)가 가스(g)를 배출하는 힘이 균형을 이루게 되어, 기판(10)이 이송부(110)에 접촉되지 않는 상태에서 들어 올려질 수 있다. 다시 말해, 진공 발생구(125-128)에 대응하는 기판(10)의 부분에는 진공(v)의 흡입력에 의해 기판(10)이 들어 올려지는 힘이 작용함과 동시에, 가스 배출구(133, 134, 145, 146)에 대응하는 기판(10)의 부분에는 가스(g) 배출에 의한 이송부(110)의 반대편으로 미는 힘이 작용하기 때문에, 기판(10)이 이송부(110)에 접촉되지 않으면서도 들어 올려질 수 있게 된다.A problem with the prior art that the substrate 10 is contacted to the transfer part 110 by the vacuum v of the vacuum support parts 120-128 is that the gas g discharged from the gas injection support parts 130-136, Lt; / RTI > Specifically, the force of the vacuum support portions 120-128 strongly lifting the substrate 10 by the suction force of the vacuum v and the force of the gas injection support portions 130-136 and 140-146 releasing the gas g So that the substrate 10 can be lifted in a state in which it is not in contact with the transfer portion 110. In other words, a force to lift the substrate 10 by the suction force of the vacuum v (v) acts on the portion of the substrate 10 corresponding to the vacuum generating ports 125-128, The substrate 10 is not brought into contact with the transfer portion 110 because a pressing force is applied to the portion of the substrate 10 corresponding to the transfer portions 110, So that it can be lifted.

그리고, 베르누이 방식에 의해 다량의 가스가 사용되는 종래 기술의 문제점은, 강한 힘으로 기판(10)을 들어 올리는 진공 지지부(120-128)에 의해 해결될 수 있다. 진공 지지부(120-128)가 진공(v)의 흡입력을 강하게 작용하고, 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)는 기판(10)이 이송부(110)에 접촉되지 않을 정도로만 가스(g)를 분사하기 때문에, 베르누이 방식과 같이 기판(10)을 들어 올릴 정도로 다량의 가스(g)를 사용할 필요 없이, 소량의 가스(g)를 사용하는 것으로도 기판(10)이 들어 올려지는 것이 가능하다.And the problem of the prior art that a large amount of gas is used by the Bernoulli process can be solved by the vacuum support 120-128 which lifts the substrate 10 with a strong force. The gas support members 130-136 and 140-146 are operated only to the extent that the substrate 10 is not in contact with the transfer unit 110, It is possible to lift the substrate 10 by using a small amount of the gas g without using a large amount of the gas g enough to lift the substrate 10 like the Bernoulli method .

다시 말해, 진공 지지부(120-128)는 기판(10)을 들어 올리는 것에 주요한 힘을 작용하고, 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)는 진공 지지부(120-128)에 의해 기판(10)과 이송부(110)가 접촉하는 것을 방지하는 힘을 작용[가스(g) 배출로 기판(10)을 밀어냄]할 수 있다.In other words, the vacuum supports 120-128 exert a major force on lifting the substrate 10, and the gas injection supports 130-136, 140-146 are supported by the vacuum support 120-128 on the substrate 10 (The substrate 10 can be pushed out by the gas (g) discharge) to prevent the transfer portion 110 and the transfer portion 110 from contacting each other.

이를 고려하여, 기판(10)의 무게 중심이 있는 기판(10)의 중심 부분을 보다 강한 힘으로 당기는 진공 지지부(120-128)를 이용하여 들어 올려 지지하고, 기판(10)의 테두리 부분을 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)로 들어 올려 지지하는 것이 바람직하다. 다시 말해, 가스 분사 지지부(130-136, 140-146)가 지지하는 기판(10)의 부분은 진공 지지부(120-128)가 지지하는 기판(10)의 부분보다 외측일 수 있다. 하지만, 반드시 이에 제한되지는 않고, 기판(10)이 비접촉식으로 지지되는 목적의 범위 내에서, 진공 지지부가 지지하는 기판의 부분이 가스 분사 지지부가 지지하는 기판의 부분보다 외측일 수도 있다. 이 경우, 도 3에 도시된 120-128이 가스 분사 지지부로서 작용하고, 130-136, 140-146이 진공 지지부로서 작용하는 것으로 이해되어야 한다.In consideration of this, the substrate 10 is lifted by using the vacuum support portions 120-128 which pull the central portion of the substrate 10 having the center of gravity of the substrate 10 with a stronger force, And supported by the jetting supports 130-136, 140-146. In other words, the portion of the substrate 10 supported by the gas injection supports 130-136, 140-146 may be external to the portion of the substrate 10 supported by the vacuum supports 120-128. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the portion of the substrate supported by the vacuum support portion may be located outside the portion of the substrate supported by the gas injection support portion, within the range of the object in which the substrate 10 is supported in a noncontact manner. In this case, it should be understood that 120-128 shown in FIG. 3 acts as a gas injection support, and 130-136, 140-146 serve as a vacuum support.

도 4의 (a)와 같이, 기판 이송 장치(100)는 진공 발생구(125-128)를 통해 기판(10)에 진공(v)의 흡입력을 가하여 기판(10)을 들어 올릴 수 있다. 동시에, 가스 배출구(133, 134, 145, 146)를 통해 기판(10)에 가스(g)를 배출함에 따라, 도 4의 (b)와 같이, 비접촉식으로 기판(10)을 지지한 상태로 이송할 수 있게 된다.4 (a), the substrate transfer apparatus 100 can lift the substrate 10 by applying a suction force of vacuum v to the substrate 10 through the vacuum generating ports 125-128. At the same time, as the gas g is discharged to the substrate 10 through the gas outlets 133, 134, 145, and 146, the substrate 10 is transported in a non- .

도 3에 도시된 진공 유로(120-123), 진공 발생구(125-128), 가스 유로(130-132, 140-142), 가스 배출구(133, 134, 145, 146)는 기판(10)의 형태, 크기 등을 고려하여, 그 형태, 개수, 크기, 위치 등을 적절히 제어할 수 있다. 특히, 진공 유로(120-123)와 가스 유로(130-132, 140-142)는 진공 발생구(125-128)와 가스 배출구(133, 134, 145, 146)의 각각에 균일한 진공(v), 가스(g)를 제공할 수 있도록 구성함이 바람직하다. 그리고, 진공 발생구(125-128)와 가스 배출구(133, 134, 145, 146)도 각각의 크기, 형태가 동일하게 형성되고, 상호 대칭을 이루게 배치되어 기판(10)의 각 부분에 균일한 진공(v), 가스(g)를 제공하도록 함이 바람직하다. 그리하여, 기판(10)을 안정적으로 지지하여 이송할 수 있다.The vacuum channels 120-123, the vacuum generators 125-128, the gas channels 130-132 and 140-142, and the gas outlets 133, 134, 145, and 146 shown in FIG. The number, the size, the position, and the like can be appropriately controlled in consideration of the shape, size, and the like. Particularly, the vacuum passages 120-123 and the gas passages 130-132 and 140-142 are connected to the vacuum generating ports 125-128 and the gas exhaust ports 133, 134, 145, ), And gas (g). The vacuum generating ports 125-128 and the gas discharging ports 133, 134, 145 and 146 are formed to have the same size and shape and to be symmetrical with each other, It is preferable to provide the vacuum (v) and the gas (g). Thus, the substrate 10 can be stably supported and transported.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 이송 장치(110')를 나타내는 평면도이다.5 is a plan view showing a substrate transfer device 110 'according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 메인 진공 유로(120')와 연결되는 서브 진공 유로(121')가 원형 형태를 이루고, 메인 가스 유로(130', 140')와 연결되는 서브 가스 유로(131', 141')가 원형 형태를 이루도록 구성할 수 있다. 원형 형태로 서브 진공 유로(121')와 서브 가스 유로(131', 141')를 구성함에 따라서, 진공(v)/가스(g)가 분기되기 않고 공급되기 때문에, 진공 발생구(125'-128')와 가스 배출구(135', 136', 145', 146')에 보다 균일한 진공(v)/가스(g)가 제공될 수 있다.5, a sub-vacuum flow path 121 'connected to the main vacuum flow path 120' has a circular shape and sub gas flow paths 131 'and 141' connected to the main gas flow paths 130 'and 140' 'May have a circular shape. Since the vacuum v / gas g is supplied without branching as the sub vacuum passage 121 'and the sub gas passages 131' and 141 'are formed in a circular shape, the vacuum generating holes 125'- More uniform vacuum (v) / gas (g) may be provided to the gas outlets 135 ', 136', 145 ', and 146'.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 이송 장치를 나타내는 측단면도이다.6 is a side sectional view showing a substrate transfer apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 이송부(110)에는 돌출 안내부(111)가 형성될 수 있다. 돌출 안내부(111)는 기판(10)의 외주 바깥에 대향하는 이송부(110)의 부분에 돌출되게 형성될 수 있다. 돌출 안내부(111)는 기판(10)이 들어 올려질 때, 기판(10)의 정렬이 어긋나게 들어 올려지는 것을 방지하는 역할을 한다.Referring to FIG. 6, protrusions 111 may be formed in the transfer unit 110. The protrusion guide portion 111 may protrude from a portion of the transfer portion 110 opposite to the outer periphery of the substrate 10. The protrusion guide portion 111 serves to prevent the substrate 10 from being lifted up when the substrate 10 is lifted.

특히, 돌출 안내부(111)의 내주면은 경사지게 형성되는 것이 바람직하다. 그리하여, 기판(10)이 들어 올려질 때, 기판(10)의 테두리가 돌출 안내부(111)의 경사진 내주면을 따라 이동함에 따라 기판(10)이 안정적으로 돌출 안내부(111)의 내쪽으로 안내되어 정렬될 수 있는 이점이 있다. In particular, it is preferable that the inner circumferential surface of the projecting guide portion 111 is formed to be inclined. Thus, as the edge of the substrate 10 moves along the inclined inner circumferential surface of the protruding guide portion 111, when the substrate 10 is lifted, the substrate 10 stably moves toward the inside of the protruding guide portion 111 There is an advantage that it can be guided and aligned.

본 발명에 의하면, 진공 방식과 가스 분사 방식을 결합하여 기판(10)의 상부면을 비접촉식으로 지지하여 안정적으로 이송할 수 있는 효과가 있다. 또한, 기판(10)을 비접촉식으로 지지하여 이송하므로, 기판(10)의 파손, 스크래치 문제를 감소시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 기판(10)을 이송하기 위한 가스(g)의 분사량을 감소시킬 수 있으므로 공정 비용을 절감할 수 있음과 동시에, 기판(10)에 미세 입자가 유입되는 위험을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, there is an effect that the upper surface of the substrate 10 can be supported in a noncontact manner by combining the vacuum system and the gas injection system and can be stably transported. In addition, since the substrate 10 is supported and transported in a noncontact manner, it is possible to reduce damage and scratch problems of the substrate 10. In addition, since the injection amount of the gas (g) for transferring the substrate 10 can be reduced, the process cost can be reduced and the risk of the fine particles being introduced into the substrate 10 can be reduced .

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형 예 및 변경 예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

10: 기판
20: 서셉터(susceptor)
120-128: 진공 지지부
130-136, 140-146: 가스 분사 지지부
150: 바디부
160: 가스 파이프
170: 진공 파이프
g: 가스
v: 진공10: substrate
20: susceptor
120-128: vacuum support
130-136, 140-146: Gas injection support
150:
160: Gas pipe
170: vacuum pipe
g: gas
v: Vacuum

Claims (10)

기판의 상부면과 대향하여 상기 기판의 상부면을 비접촉식으로 지지하는 이송부; 및
상기 이송부에 가스(gas) 및 진공(vacuum)을 제공하는 유로를 포함하는 바디부
를 포함하고,
상기 이송부에는 상기 가스를 배출하는 가스 분사 지지부 및 상기 진공을 제공하는 진공 지지부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.A transfer unit for supporting the upper surface of the substrate in a noncontact manner so as to face the upper surface of the substrate; And
A body part including a flow path for supplying gas and vacuum to the transfer part,
Lt; / RTI >
Wherein the transfer unit is formed with a gas injection support part for exhausting the gas and a vacuum support part for providing the vacuum. 제1항에 있어서,
상기 가스 분사 지지부는,
상기 가스가 이동하는 가스 유로, 및
상기 가스 유로의 단부에서 상기 기판의 상부면과 대향하는 상기 이송부의 면에 형성되는 가스 배출구
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
The gas injection support portion
A gas flow path through which the gas moves, and
And a gas outlet formed at a surface of the transfer portion opposite to an upper surface of the substrate at an end portion of the gas flow path,
The substrate transfer apparatus comprising: 제1항에 있어서,
상기 진공 지지부는,
상기 진공을 제공하는 진공 유로, 및
상기 진공 유로의 단부에서 상기 기판의 상부면과 대향하는 상기 이송부의 면에 형성되는 진공 발생구
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
The vacuum support portion
A vacuum flow path for supplying the vacuum, and
And a vacuum generating port formed at a surface of the conveying portion facing the upper surface of the substrate at the end of the vacuum passage,
The substrate transfer apparatus comprising: 제1항에 있어서,
상기 이송부에서, 상기 가스 분사 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분은 상기 진공 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분보다 외측인 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
Wherein the portion of the substrate supported by the gas injection support portion in the transfer portion is located outside the portion of the substrate supported by the vacuum support portion. 제1항에 있어서,
상기 이송부에서, 상기 진공 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분은 상기 가스 분사 지지부가 지지하는 상기 기판의 부분보다 외측인 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
Wherein the portion of the substrate supported by the vacuum support portion in the transfer portion is located outside the portion of the substrate supported by the gas injection support portion. 제2항에 있어서,
상기 가스는 상기 기판의 상부면에 소정 각도 기울어지게 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the gas is discharged at a predetermined angle to the upper surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판의 외주 바깥에 대향하는 상기 이송부의 부분에는 돌출 안내부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
And a protruding guide portion is formed on a portion of the transfer portion opposite to the outer periphery of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 돌출 안내부의 내주면은 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.8. The method of claim 7,
And the inner peripheral surface of the projecting guide portion is formed to be inclined. 제1항에 있어서,
상기 가스는 N2, Ar, Ne, He 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gas is any one of N 2 , Ar, Ne, and He. 제1항에 있어서,
상기 진공 지지부는 상기 진공의 흡입력에 의해 상기 기판을 상기 이송부로 들어 올리고, 상기 가스 분사 지지부는 상기 가스의 배출에 의해 상기 기판을 상기 이송부의 반대편으로 밀어내는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
Wherein the vacuum support portion lifts the substrate to the transfer portion by the suction force of the vacuum, and the gas injection support portion pushes the substrate to the opposite side of the transfer portion by discharging the gas.
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