KR20070084527A

KR20070084527A - Cooling treatment device

Info

Publication number: KR20070084527A
Application number: KR1020077011755A
Authority: KR
Inventors: 히토시 하시마
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 2005-01-25
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2007-08-24
Also published as: KR100870692B1; JP4485374B2; JP2006210400A; WO2006080290A1

Abstract

A cooling treatment device, comprising a warpage measuring part measuring the warpage of a wafer. A plurality of suction and discharge ports capable of selectively sucking and discharging a gas are formed in the front surface of a cooling plate. The first suction and discharge port is formed in the surface of the cooling plate at a position corresponding to the center part of the wafer, and the second suction and discharge port is formed at a position corresponding to the outer peripheral part of the wafer. Based on the results of measurements of the warpage of the wafer by the warpage measuring part, a device control part selects the suctions or discharges of the first suction and discharge port and the second suction and discharge port, and maintains flat the water cooled by the cooling plate by a pressing force by blowing or a sucking force.

Description

Cooling Treatment Unit {COOLING TREATMENT DEVICE}

본 발명은 기판의 냉각 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for cooling a substrate.

반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 예컨대 SOD(Spin on Dielectric)막 등의 층간 절연막의 형성 공정에서는, 예컨대 웨이퍼 상에 도포된 도포액 중 용제를 증발시키는 가열 처리 후나 웨이퍼 상에 형성된 도포막을 경화시키는 가열 처리 후에, 웨이퍼를 소정 온도까지 냉각하는 냉각 처리가 행해지고 있다.In the manufacturing process of a semiconductor device, for example, in a step of forming an interlayer insulating film such as a spin on dielectric (SOD) film, for example, heating after curing or evaporating a solvent in a coating liquid applied on a wafer or curing the coated film formed on a wafer. After the treatment, a cooling treatment for cooling the wafer to a predetermined temperature is performed.

상기 냉각 처리는 통상, 냉각 처리 장치로 행해지고, 소정의 냉각 온도로 유지된 냉각판 상에 웨이퍼를 적재함으로써 행해지고 있다. 그러나, 전술한 냉각 처리는, 예컨대 300℃ 정도의 고온으로 가열된 웨이퍼를 급격히 식히기 때문에, 냉각시에 웨이퍼에 휨이 발생한다.The said cooling process is normally performed by the cooling processing apparatus, and is performed by loading a wafer on the cooling plate maintained at predetermined | prescribed cooling temperature. However, the above-described cooling treatment rapidly cools the wafer heated to a high temperature of about 300 ° C., for example, so that warpage occurs in the wafer during cooling.

웨이퍼에 휨이 발생하면, 예컨대 웨이퍼면 내의 온도에 불균일이 발생하고, 웨이퍼면 내에 균질한 절연막이 형성되지 않는다. 또한, 웨이퍼나 도포막에 응력이 걸려 도포막에 균열이 발생하거나 도포막의 막질 저하를 초래할 우려가 있다. 또한, 웨이퍼가 휨으로써, 웨이퍼와 반송 아암의 가동 영역과의 간격이 좁아져, 간섭하는 등의 반송 트러블이 발생할 우려가 있다.If warpage occurs in the wafer, nonuniformity occurs in the temperature in the wafer surface, for example, and a homogeneous insulating film is not formed in the wafer surface. In addition, a stress may be applied to the wafer or the coating film to cause cracks in the coating film or to lower the film quality of the coating film. In addition, when the wafer is warped, the gap between the wafer and the movable area of the transfer arm is narrowed, and there is a fear that a transfer trouble such as interference occurs.

그래서, 종래는 냉각시 웨이퍼의 휨을 억제하기 위해, 기판의 상면측에 냉각기체를 공급하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 1 참조). 그러나, 실제로는 기판의 상면측에 냉각 기체를 공급한 것만으로는 웨이퍼의 휨을 충분히 해소할 수 없었다. 웨이퍼가 대구경화하고, 회로 패턴의 미세화가 진행되고 있는 최근에 있어서는 웨이퍼의 근소한 휨이 최종적인 디바이스의 품질에 큰 영향을 주게 된다.Therefore, in order to suppress warpage of the wafer during cooling, a method of supplying a cooling gas to the upper surface side of the substrate is conventionally proposed (see Patent Document 1). In reality, however, the warpage of the wafer could not be sufficiently solved only by supplying the cooling gas to the upper surface side of the substrate. In recent years in which the wafer has been large-sized and the circuit pattern has been miniaturized, slight warping of the wafer has a great influence on the quality of the final device.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제11-329922호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 11-329922

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼 등의 기판의 냉각시에 있어서 웨이퍼의 휨을 해소하여, 웨이퍼를 평탄하게 유지하는 것을 목적으로 하고 있다.This invention is made | formed in view of this point, Comprising: It aims at eliminating the curvature of a wafer at the time of cooling of board | substrates, such as a wafer, and keeping a wafer flat.

상기 목적을 달성하는 본 발명은 기판을 냉각하는 냉각 처리 장치로서, 기판을 적재하여 냉각하는 냉각판과, 상기 냉각판 상에 적재된 기판의 휨을 측정하는 휨 측정부와, 상기 냉각판 표면의 복수 지점에 형성되고, 냉각판 상의 기판에 대한 분출과 흡인을 선택적으로 행할 수 있는 분출·흡인구와, 상기 휨 측정부의 측정 결과에 기초하여, 냉각판 상에서 냉각되는 기판이 평탄해지도록 상기 각 분출·흡인구에 의한 기체의 분출 또는 흡인을 행하는 제어부를 갖고 있다.The present invention which achieves the above object is a cooling processing apparatus for cooling a substrate, comprising: a cooling plate for loading and cooling a substrate, a warpage measuring unit for measuring a warpage of the substrate loaded on the cooling plate, and a plurality of surfaces of the cooling plate. The ejection and suction ports formed at the point and capable of selectively ejecting and sucking the substrate on the cooling plate, and the substrates cooled on the cooling plate based on the measurement results of the warpage measurement unit so that the respective ejections and suctions are flattened. It has the control part which blows out or attracts gas by population.

본 발명에 의하면, 냉각판 상에 적재되는 기판의 휨을 미리 측정해 두고, 상기 측정 결과에 기초하여 냉각판의 각 분출·흡인구로부터 기판에 대하여 분출 또는 흡인을 행하고, 냉각시 기판의 휨을 강제적으로 억제하도록 하여도 좋다. 예컨대, 기판의 볼록형으로 휘는 부분에 대해서는 흡인하고, 그 흡인력에 의해 기판을 평탄하게 유지할 수 있다. 또한, 기판의 오목형으로 휘는 부분에 대해서는 기체를 분출하고, 그 분출에 의한 가압력에 의해 기판을 평탄하게 유지할 수 있다.According to the present invention, the warpage of the substrate loaded on the cooling plate is measured in advance, and the substrate is ejected or sucked from each of the ejection and suction ports of the cooling plate on the basis of the measurement result, and the warpage of the substrate during the cooling is forced. It may be suppressed. For example, the convexly curved portion of the substrate is sucked, and the substrate can be kept flat by the suction force. In addition, gas is blown out about the concave-shaped part of a board | substrate, and a board | substrate can be kept flat by the pressing force by the jet.

상기 제어부는 상기 휨 측정부에 의해 측정된 기판의 휨 정도에 따라 상기 각 분출·흡인구의 기체의 분출 유량 또는 흡인 유량을 조정하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 큰 휨이 생기는 경우에는 분출 유량이나 흡인 유량을 증대하고, 휨이 작은 경우에는 분출 유량이나 흡인 유량을 저감할 수 있기 때문에, 기판에 부여되는 힘을 조정하여 기판을 보다 엄밀히 평탄하게 유지할 수 있다.The said control part may adjust the blowing flow volume or the suction flow volume of the gas of each said blowing and suction port according to the curvature degree of the board | substrate measured by the said warpage measuring part. In such a case, for example, when a large warpage occurs, the jet flow rate or the suction flow rate can be increased, and when the warpage is small, the jet flow rate and the suction flow rate can be reduced. Therefore, the force applied to the substrate can be adjusted to make the substrate more precisely flat. I can keep it.

상기 분출·흡인구는 상기 냉각판 상의 기판 중앙부에 대응하는 위치와, 상기 기판의 외주부에 대응하는 위치에 형성되어 있어도 좋다. 또한, 상기 분출·흡인구는 상기 냉각판 상의 기판에 대응하는 면 내에 균등하게 배치되어 있어도 좋다.The said blowing and suction port may be formed in the position corresponding to the center part of the board | substrate on the said cooling plate, and the position corresponding to the outer peripheral part of the said board | substrate. Moreover, the said blowing and suction port may be arrange | positioned evenly in the surface corresponding to the board | substrate on the said cooling plate.

상기 복수의 분출·흡인구 중 어느 하나에는 분출과 흡인에 의해 상기 냉각판의 표면 상으로 돌출 가능하고, 냉각판 상의 기판 이면을 가압할 수 있는 가압부재가 설치되어 있어도 좋다.One of the plurality of jets and suction ports may be provided with a pressing member that can protrude onto the surface of the cooling plate by jetting and suction, and can pressurize the back surface of the substrate on the cooling plate.

다른 관점에 따른 본 발명은 기판의 냉각 처리 장치로서, 기판을 적재하여 냉각하는 냉각판을 갖고, 상기 냉각판은 기판보다도 큰 표면을 가지며, 상기 냉각판의 표면에는 기판을 지지하고, 기판과 냉각판 사이에 간극을 형성하는 지지체가 설치되며, 상기 냉각판 표면에는 평면에서 보아 냉각판 상에 적재되는 기판의 외측 위치로부터 이 기판의 중심부 부근까지 통하는 홈이 형성되어 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a cooling processing apparatus for a substrate, comprising: a cooling plate for loading and cooling a substrate, the cooling plate having a larger surface than the substrate, and supporting the substrate on the surface of the cooling plate; A support for forming a gap is provided between the plates, and the surface of the cooling plate is formed with a groove passing from the outer position of the substrate loaded on the cooling plate to the vicinity of the center of the substrate in plan view.

본 발명에 의하면, 냉각시 기판의 휨이 해소된다. 이것은 냉각판 표면의 홈에 의해, 기판과 냉각판 사이의 간극에 기체 가이드가 형성되기 때문에, 기판의 열에 의해 팽창된 이 간극 내의 기체가 효율적으로 외측으로 밀어내어져 기판에 팽창 기체에 의한 응력이 걸리지 않기 때문이라고 추측된다. 또한, 간극 내의 기체가 유동하기 쉽기 때문에, 기판 표면과 이면과의 온도차가 저감되어 기판의 상하면의 열에 의한 수축량이 동일해지기 때문이라고 추측된다.According to the present invention, the warpage of the substrate during cooling is eliminated. Since the gas guide is formed in the gap between the substrate and the cooling plate by the grooves on the surface of the cooling plate, the gas in this gap expanded by the heat of the substrate is efficiently pushed outwards, so that the stress caused by the expansion gas is applied to the substrate. It is assumed that it is not caught. In addition, since the gas in the gap easily flows, it is assumed that the temperature difference between the surface of the substrate and the rear surface is reduced, so that the amount of shrinkage due to heat on the upper and lower surfaces of the substrate becomes the same.

상기 홈은 상기 냉각판 표면의 일단부로부터 중심부 부근을 지나 타단부까지 도달하도록 형성되어 있어도 좋다. 또한, 상기 홈에는 급기구 또는 배기구가 형성되어 있어도 좋다.The groove may be formed so as to reach from the one end of the surface of the cooling plate to the other end through the vicinity of the center portion. In addition, an air supply port or an exhaust port may be formed in the groove.

다른 관점에 따른 본 발명에 의하면, 기판을 냉각하는 냉각 처리 장치로서, 기판을 적재하여 냉각하는 냉각판과, 상기 냉각판 표면의 복수 지점에 형성되어 냉각판 상의 기판을 흡인할 수 있는 흡인구와, 상기 냉각판의 표면 상으로 돌출되어, 냉각판 상의 기판의 이면을 가압할 수 있는 가압 부재와, 상기 냉각판 상에 적재된 기판의 휨에 따라 냉각판 상에서 냉각되는 기판이 평탄해지도록 상기 가압 부재에 의한 가압과 상기 흡인구에 의한 흡인을 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 한다.According to the present invention according to another aspect, there is provided a cooling processing apparatus for cooling a substrate, comprising: a cooling plate for loading and cooling the substrate, a suction port formed at a plurality of points on the surface of the cooling plate, and capable of sucking the substrate on the cooling plate; The pressing member which protrudes onto the surface of the cooling plate and can press the back surface of the substrate on the cooling plate, and the pressing member so that the substrate cooled on the cooling plate becomes flat according to the bending of the substrate loaded on the cooling plate. It characterized by having a control unit for controlling the pressure by the suction and the suction by the suction port.

본 발명에 의하면, 예컨대 냉각판 상에 적재되는 기판에 대하여, 상측으로 휘는 부분에 대해서는 흡인구에 의해 흡인하고, 하측으로 휘는 부분에 대해서는 가압 부재에 의해 밀어올림으로써, 기판의 휨을 강제적으로 억제할 수 있다.According to the present invention, the bending of the substrate can be forcibly suppressed by, for example, sucking the upper portion by the suction port and pushing the lower portion by the pressing member to the substrate loaded on the cooling plate. Can be.

[발명의 효과][Effects of the Invention]

본 발명에 의하면, 냉각시 기판의 휨이 해소되기 때문에, 최종적으로 기판에 형성되는 디바이스의 품질이 향상된다.According to the present invention, since the warpage of the substrate during cooling is eliminated, the quality of the device finally formed on the substrate is improved.

도 1은 본 실시형태의 냉각 처리 장치가 통합된 SOD막 형성 시스템 구성의 개략을 도시한 평면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The top view which shows the outline of the structure of the SOD film formation system integrated with the cooling processing apparatus of this embodiment.

도 2는 도 1의 SOD막 형성 시스템의 정면도.FIG. 2 is a front view of the SOD film forming system of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1의 SOD막 형성 시스템의 배면도.3 is a rear view of the SOD film forming system of FIG. 1.

도 4는 냉각 처리 장치 구성의 개략을 도시한 종단면의 설명도.4 is an explanatory view of a longitudinal section showing an outline of a cooling processing device configuration;

도 5는 냉각 처리 장치의 냉각판의 평면도.5 is a plan view of a cooling plate of a cooling processing apparatus.

도 6은 웨이퍼가 위로 볼록하게 휘는 경우의 분출, 흡인 방향을 도시한 냉각판의 종단면도.Fig. 6 is a longitudinal sectional view of the cooling plate showing the ejection and suction directions when the wafer is convexly curved upward;

도 7은 웨이퍼가 아래로 볼록하게 휘는 경우의 분출, 흡인 방향을 도시한 냉각판의 종단면도.Fig. 7 is a longitudinal sectional view of the cooling plate showing the ejection and suction directions when the wafer is bent downwardly;

도 8은 다수의 분출·흡인구를 균등하게 배치한 경우의 냉각판의 평면도.8 is a plan view of a cooling plate in the case where a plurality of jets and suction ports are evenly arranged;

도 9는 가압 부재를 갖는 냉각판의 종단면도.9 is a longitudinal cross-sectional view of a cooling plate having a pressing member.

도 10은 웨이퍼가 아래로 볼록하게 휘는 경우의 가압 부재의 동작을 도시하기 위한 냉각판의 종단면도.10 is a longitudinal sectional view of the cooling plate for illustrating the operation of the pressing member when the wafer is bent downwardly;

도 11은 웨이퍼가 위로 볼록하게 휘는 경우의 가압 부재의 동작을 도시하기 위한 냉각판의 종단면도.Fig. 11 is a longitudinal sectional view of the cooling plate for showing the operation of the pressing member when the wafer is bent convex upward;

도 12는 홈을 형성한 냉각판의 평면도.12 is a plan view of a cooling plate having grooves formed therein;

도 13은 홈을 형성한 냉각판의 측면도.13 is a side view of a cooling plate having a groove formed thereon;

도 14는 다른 구성의 홈을 갖는 냉각판의 평면도.14 is a plan view of a cooling plate having grooves of another configuration;

도 15는 방사형으로 형성된 홈을 갖는 냉각판의 평면도.15 is a plan view of a cold plate having a groove formed radially;

도 16은 홈이 외주부에만 방사형으로 형성되어 있는 냉각판의 평면도.16 is a plan view of a cooling plate in which grooves are formed radially only on the outer circumferential portion thereof.

도 17은 가는 홈이 전면에 걸쳐 형성되어 있는 냉각판의 평면도.17 is a plan view of a cooling plate with thin grooves formed over its entire surface.

도 18은 홈 내에 급기구를 설치한 냉각판의 종단면의 설명도.18 is an explanatory view of a longitudinal section of a cooling plate provided with an air supply port in a groove;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

1 : SOD막 처리 시스템1: SOD film treatment system

40 : 냉각 처리 장치40: cooling processing unit

60 : 냉각판60: cold plate

80 : 레이저 변위계80: laser displacement meter

70 : 제1 분출·흡인구70: first blow-out and suction port

71 : 제2 분출·흡인구71: second blowout, suction port

90 : 장치 제어부90: device control unit

W : 웨이퍼W: Wafer

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 관한 냉각 처리 장치가 탑재된 SOD막 형성 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이고, 도 2는 SOD막 형성 시스템(1)의 정면도이며, 도 3은 SOD막 형성 시스템(1)의 배면도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferable embodiment of this invention is described. FIG. 1 is a plan view showing the outline of the configuration of the SOD film forming system 1 on which the cooling processing apparatus according to the present embodiment is mounted, FIG. 2 is a front view of the SOD film forming system 1, and FIG. 3 is a SOD film. It is a rear view of the formation system 1.

SOD막 형성 시스템(1)은 도 1에 도시하는 바와 같이, 예컨대 25장의 웨이 퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 SOD막 형성 시스템(1)에 대하여 반입출하거나 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출하거나 카세트 스테이션(2)과, SOD막 형성 공정 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 다단 배치하여 이루어지는 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.As shown in FIG. 1, the SOD film forming system 1 carries out, for example, 25 wafers W in cassette units from the outside into the SOD film forming system 1 or from the wafer C to the cassette C. W) has a configuration in which the cassette station 2 and the processing station 3 formed by multistage arrangement of various processing apparatuses which perform predetermined processing in a single sheet during the SOD film forming process are integrally connected.

카세트 스테이션(2)에서는 카세트 적재대(10) 상의 소정의 위치에 복수의 카세트(C)가 X 방향(도 1 중 상하 방향)으로 일렬로 적재 가능하게 되어 있다. 카세트 스테이션(2)에는 반송로(11) 상을 X 방향을 향해서 이동 가능한 웨이퍼 반송체(12)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(12)는 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z 방향; 수직 방향)으로도 이동 가능하며, X 방향으로 배열된 각 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 선택적으로 액세스할 수 있다.In the cassette station 2, a plurality of cassettes C can be stacked in a line in the X direction (up and down direction in FIG. 1) at a predetermined position on the cassette mounting table 10. The cassette station 2 is provided with a wafer carrier 12 capable of moving on the conveying path 11 in the X direction. The wafer carrier 12 is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafer W accommodated in the cassette C, and attached to the wafer W in each cassette C arranged in the X direction. Can be selectively accessed.

웨이퍼 반송체(12)는 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 얼라이먼트 기능을 구비하고 있다. 웨이퍼 반송체(12)는 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(3)측의 제3 처리 장치군(G3)에 속하는 익스텐션 장치(31)에 대해서도 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer carrier 12 has an alignment function for aligning the wafer W. As shown in FIG. As will be described later, the wafer carrier 12 can also access the extension apparatus 31 belonging to the third processing apparatus group G3 on the processing station 3 side to convey the wafer W. As shown in FIG.

처리 스테이션(3)에서는 그 중심부에 주반송 장치(13)가 설치되어 있으며, 이 주반송 장치(13)의 주변에는 각종 처리 장치가 다단으로 배치된 복수의 처리 장치군이 설치되어 있다. 이 SOD막 형성 시스템(1)에 있어서는 4개의 처리 장치군(G1, G2, G3, G4)이 배치되어 있으며, 제1 및 제2 처리 장치군(G1, G2)은 SOD막 형성 시스템(1)의 정면측에 배치되고, 제3 처리 장치군(G3)은 카세트 스테이션(2)에 인접하여 배치되며, 제4 처리 장치군(G4)은 주반송 장치(13)를 사이에 두고 제3 처리 장치군(G3)의 반대측에 배치되어 있다. 주반송 장치(13)는 이들 처리 장치군(G1∼G4) 내에 배치되어 있는 후술하는 각종 처리 장치에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.In the processing station 3, a main transport device 13 is provided at the center thereof, and a plurality of processing device groups in which various processing devices are arranged in multiple stages is provided around the main transport device 13. In the SOD film forming system 1, four processing device groups G1, G2, G3, and G4 are arranged, and the first and second processing device groups G1 and G2 are the SOD film forming system 1. The third processing apparatus group G3 is disposed adjacent to the cassette station 2, and the fourth processing apparatus group G4 is the third processing apparatus with the main transport apparatus 13 interposed therebetween. It is arrange | positioned on the opposite side to group G3. The main conveying apparatus 13 can convey the wafer W with respect to the various processing apparatuses mentioned later arrange | positioned in these processing apparatus groups G1-G4.

제1 처리 장치군(G1)에서는, 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이 절연막 재료를 주성분으로 하는 도포액을 웨이퍼(W)에 도포하는 도포 처리 장치(17, 18)가 아래로부터 순서대로 2단으로 배치되어 있다. 제2 처리 장치군(G2)에는, 예컨대 도포 처리 장치(17) 등으로 이용되는 도포액 등이 저류되고, 이 도포액 등의 공급원이 되는 처리액 캐비닛(19)과, 도포 처리 장치(20)가 아래로부터 순서대로 2단으로 배치되어 있다.In the first processing apparatus group G1, for example, as shown in FIG. 2, the coating apparatuses 17 and 18 that apply the coating liquid containing the insulating film material as a main component to the wafer W are sequentially arranged in two stages from below. It is arranged. In the 2nd processing apparatus group G2, the coating liquid etc. which are used for the coating processing apparatus 17 etc. are stored, for example, and the processing liquid cabinet 19 used as a supply source of this coating liquid, etc., and the coating processing apparatus 20 are carried out. Are arranged in two stages in order from below.

제3 처리 장치군(G3)에서는, 예컨대 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 냉각 처리하는 냉각 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 주고받음을 행하기 위한 익스텐션 장치(31), 웨이퍼(W)를 저온으로 가열 처리하는 저온 가열 처리 장치(32), 웨이퍼(W)를 저산소 분위기에서 가열하는 저산소 가열 처리 장치(33, 34)가 아래로부터 순서대로 예컨대 5단으로 겹쳐 쌓여져 있다.In 3rd processing apparatus group G3, for example, as shown in FIG. 3, the cooling processing apparatus 30 which cools the wafer W and the extension apparatus 31 for exchanging the wafer W are performed. The low temperature heat treatment apparatus 32 which heat-processes the wafer W at low temperature, and the low oxygen heat treatment apparatuses 33 and 34 which heat the wafer W in a low oxygen atmosphere are stacked, for example in five steps from the bottom. .

제4 처리 장치군(G4)에서는, 예컨대 냉각 처리 장치(40, 41), 웨이퍼(W)를 저산소 분위기에서 가열하여 냉각하는 저산소 가열·냉각 처리 장치(42, 43)가 아래로부터 순서대로 예컨대 4단으로 겹쳐 쌓여져 있다.In the fourth processing device group G4, for example, the cooling processing devices 40 and 41 and the low oxygen heating / cooling processing devices 42 and 43 that heat and cool the wafer W in a low oxygen atmosphere are, for example, 4 in order from the bottom. Stacked in stages.

다음에, 전술한 냉각 처리 장치(40)의 구성에 대해서 상세하게 설명한다. 도 4는 냉각 처리 장치(40) 구성의 개략을 도시하는 종단면의 설명도이다.Next, the structure of the above-mentioned cooling processing apparatus 40 is demonstrated in detail. 4 is an explanatory view of a longitudinal section showing an outline of a configuration of a cooling processing device 40.

냉각 처리 장치(40)는, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이 케이싱(40a)의 중 앙부에 웨이퍼(W)를 적재하여 냉각하는 냉각판(60)을 구비하고 있다. 냉각판(60)은, 예컨대 대략 원반 형상을 지니고 있다. 냉각판(60)의 내부에는, 예컨대 소정 온도로 조정된 유체가 흐르는 유로(60a)가 형성되어 있으며, 이 유로(60a)의 유체에 의해 냉각판(60)을 소정의 냉각 온도로 온도 조절할 수 있다. 또한, 냉각판(60)은 펠티에 소자를 이용하여 온도 조절되는 것이어도 좋다.The cooling processing apparatus 40 is equipped with the cooling plate 60 which loads and cools the wafer W in the center part of the casing 40a, for example, as shown in FIG. The cooling plate 60 has a substantially disk shape, for example. Inside the cooling plate 60, a flow path 60a through which a fluid adjusted to a predetermined temperature flows is formed, for example, and the temperature of the cooling plate 60 can be adjusted to a predetermined cooling temperature by the fluid in the flow path 60a. have. In addition, the cooling plate 60 may be temperature-controlled using a Peltier element.

냉각판(60)의 표면에는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지체, 예컨대 지지핀(61)이 복수 지점에 설치되어 있다. 지지핀(61)은, 예컨대 단열성을 갖는 수지에 의해 형성되어 있다. 지지핀(61)은, 예컨대 0.1 mm 이상, 바람직하게는 0.2 mm 이상의 높이를 갖고, 지지핀(61)에 의해 냉각판(60)과 웨이퍼(W) 사이에 근소한 간극이 형성된다.On the surface of the cooling plate 60, a support for supporting the wafer W, for example, a support pin 61, is provided at a plurality of points. The support pin 61 is formed of resin which has heat insulation, for example. The support pin 61 has, for example, a height of 0.1 mm or more, preferably 0.2 mm or more, and a slight gap is formed between the cooling plate 60 and the wafer W by the support pin 61.

냉각판(60)에는, 예컨대 상하 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍(62)이 형성되어 있다. 관통 구멍(62)에는 승강핀(63)이 삽입되어 있다. 승강핀(63)은, 예컨대 실린더 등을 구비한 승강 구동부(64)에 의해 상하 이동하고, 냉각판(60) 상으로 돌출될 수 있다. 승강핀(63)은 냉각판(60) 상에서 웨이퍼(W)를 지지하여 승강할 수 있다.In the cooling plate 60, for example, a plurality of through holes 62 penetrating in the vertical direction are formed. A lifting pin 63 is inserted into the through hole 62. The lifting pin 63 can move up and down by the lifting drive unit 64 provided with a cylinder, for example, and can protrude onto the cooling plate 60. The lifting pin 63 may lift by supporting the wafer W on the cooling plate 60.

도 5에 도시하는 바와 같이 냉각판(60)의 표면 중앙부, 즉 냉각판(60)에 적재된 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하는 위치에는 제1 분출·흡인구(70)가 형성되어 있다. 또한, 냉각판(60)의 표면 외주부, 즉 냉각판(60) 상에 적재된 웨이퍼(W)의 외주부에 대향하는 위치에는 복수의 제2 분출·흡인구(71)가 형성되어 있다. 제2 분출·흡인구(71)는, 예컨대 냉각판(60)의 외주부를 따라 동일 원주 상에 등간격으 로 형성되어 있다.As shown in FIG. 5, the 1st blow-out and suction port 70 is formed in the position which opposes the surface center part of the cooling plate 60, ie, the center part of the wafer W mounted on the cooling plate 60. As shown in FIG. Further, a plurality of second blowing and suction ports 71 are formed at positions facing the outer surface of the surface of the cooling plate 60, that is, the outer surface of the wafer W mounted on the cooling plate 60. The second blowing and suction ports 71 are formed at equal intervals on the same circumference, for example, along the outer circumferential portion of the cooling plate 60.

제1 분출·흡인구(70)는, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이 제1 배관(72)에 의해 급기 장치(73)와 펌프 등의 흡인 장치(74)에 접속되어 있다. 제1 배관(72)은, 예컨대 냉각판(60)의 내부를 수직 방향으로 지나 냉각판(60)의 하면으로부터 돌출되고, 그 후 분기되어 케이싱(40a)의 외부에 있는 급기 장치(73)와 흡인 장치(74)에 접속되어 있다. 제1 배관(72)에 있어서의 분기점에는, 예컨대 3방향 밸브(75)가 설치되어 있으며, 제1 분출·흡인구(70)는 급기 장치(73) 또는 흡인 장치(74)에 선택적으로 연통할 수 있다. 이것에 의해, 제1 분출·흡인구(70)는, 예컨대 불활성 가스, 질소 가스 등의 기체의 분출과 흡인을 선택적으로 행할 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 4, the first jetting / suction port 70 is connected to a suction device 74 such as an air supply device 73 and a pump by a first pipe 72. For example, the first pipe 72 passes through the inside of the cooling plate 60 in the vertical direction, protrudes from the lower surface of the cooling plate 60, and branches thereafter to supply the air supply device 73 outside the casing 40a. It is connected to the suction device 74. A three-way valve 75 is provided, for example, at the branch point in the first pipe 72, and the first jet / suction port 70 can selectively communicate with the air supply device 73 or the suction device 74. Can be. Thereby, the 1st blowing and suction port 70 can selectively perform the blowing and suction of gas, such as an inert gas and nitrogen gas, for example.

제2 분출·흡인구(71)는 제1 분출·흡인구(70)와 동일하게, 제2 배관(76)에 의해 급기 장치(73)와 흡인 장치(74)에 접속되어 있다. 제2 배관(76)의 급기 장치(73)와 흡인 장치(74)의 분기점에는 3방향 밸브(77)가 설치되고, 제2 분출·흡인구(71)는 급기 장치(73)와 흡인 장치(74)에 선택적으로 연통할 수 있다. 따라서, 제2 분출·흡인구(71)는 분출과 흡인을 선택적으로 행할 수 있다. 또한, 3방향 밸브(75, 77)의 동작은 후술하는 장치 제어부(90)에 의해 제어된다.The 2nd blowing and suction port 71 is connected to the air supply apparatus 73 and the suction device 74 by the 2nd piping 76 similarly to the 1st blowing and suction port 70. A three-way valve 77 is provided at the branch point of the air supply device 73 and the suction device 74 of the second pipe 76, and the second jet / suction port 71 is provided with the air supply device 73 and the suction device ( 74 may be selectively communicated with. Therefore, the 2nd blowing and suction port 71 can selectively perform blowing and aspiration. In addition, the operation | movement of the three-way valves 75 and 77 is controlled by the apparatus control part 90 mentioned later.

냉각판(60)의 상측에는 냉각판(60)에 적재된 웨이퍼(W)의 휨량을 측정하는 휨 측정부로서의 레이저 변위계(80)가 설치되어 있다. 레이저 변위계(80)는, 예컨대 케이싱(40a)의 상면에 부착된 X-Y 스테이지(81)에 부착되어 있으며, 냉각판(60)에 적재된 웨이퍼(W)의 상측을 수평면 내에 2차원 방향으로 이동할 수 있다.On the upper side of the cooling plate 60, a laser displacement meter 80 as a warpage measuring unit for measuring the amount of warpage of the wafer W loaded on the cooling plate 60 is provided. The laser displacement meter 80 is attached to the XY stage 81 attached to the upper surface of the casing 40a, for example, and can move the upper side of the wafer W loaded on the cooling plate 60 in a two-dimensional direction in a horizontal plane. have.

레이저 변위계(80)에 의한 측정 결과는, 예컨대 장치 제어부(90)로 출력할 수 있다. 장치 제어부(90)는 레이저 변위계(90)에 의한 측정 결과에 기초하여 3방향 밸브(75, 77)의 동작을 제어하고, 제1 분출·흡인구(70)에 있어서의 기체의 분출과 흡인의 전환, 제2 분출·흡인구(71)에 있어서의 기체의 분출과 흡인의 전환을 행할 수 있다. 예컨대, 장치 제어부(90)는 제1 분출·흡인구(70), 제2 분출·흡인구(71)에 있어서의 분출에 의한 가압력, 흡인에 의한 흡인력에 의해 냉각판(60) 상에서 냉각되는 웨이퍼(W)의 휨을 억제하도록 제1 분출·흡인구(70)의 분출인지 흡인인지의 선택과, 제2 분출·흡인구(71)의 분출인지 흡인인지의 선택을 행한다.The measurement result by the laser displacement meter 80 can be output to the apparatus control part 90, for example. The apparatus control unit 90 controls the operation of the three-way valves 75 and 77 based on the measurement result by the laser displacement meter 90 and controls the ejection and suction of the gas at the first blowing and suction port 70. The switching and the blowing of the gas and the suction in the second blowing / suction port 71 can be performed. For example, the apparatus control unit 90 is a wafer cooled on the cooling plate 60 by the pressure applied by the ejection at the first ejection and suction port 70 and the second ejection and suction port 71, and the suction force by the suction. In order to suppress the warping of (W), selection is made as to whether the first jet and suction port 70 is jet or aspirated, and whether the second jet and suction port 71 is jet or aspiration.

또한, 냉각 처리 장치(41)는 냉각 처리 장치(40)와 동일한 구성을 갖는 것이므로, 설명을 생략한다.In addition, since the cooling processing apparatus 41 has the same structure as the cooling processing apparatus 40, description is abbreviate | omitted.

다음에, 이상과 같이 구성된 SOD막 형성 시스템(1)에 있어서의 SOD막 형성 프로세스에 대해서 설명한다.Next, the SOD film formation process in the SOD film formation system 1 comprised as mentioned above is demonstrated.

우선, 웨이퍼 반송체(11)에 의해 카세트(C)로부터 미처리 웨이퍼(W)가 1장 취출되고, 제3 처리 장치군(G3)에 속하는 익스텐션 장치(31)로 반송된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 냉각 처리 장치(30)로 반송되고, 소정의 온도로 냉각된다. 소정 온도로 냉각된 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해, 도포 처리 장치(17)에 반송된다. 이 도포 처리 장치(17)에서는 절연막 재료를 주성분으로 하는 도포액이 웨이퍼(W) 상에 도포되고, 웨이퍼(W) 상에 도포막이 형성된다.First, one unprocessed wafer W is taken out from the cassette C by the wafer carrier 11 and conveyed to the extension apparatus 31 which belongs to the 3rd processing apparatus group G3. Subsequently, the wafer W is conveyed to the cooling processing device 30 by the main transport device 13, and cooled to a predetermined temperature. The wafer W cooled to a predetermined temperature is conveyed to the coating processing apparatus 17 by the main transport apparatus 13. In this coating processing apparatus 17, a coating liquid containing an insulating film material as a main component is applied onto the wafer W, and a coating film is formed on the wafer W. As shown in FIG.

도포 처리 장치(17)에 있어서 도포막이 형성된 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 저온 가열 처리 장치(32)에 반송되고, 도포막 내의 용제를 증발시키는 가열 처리가 실시된다. 이 가열 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 주반송 장치(13)에 의해 서 저산소 가열 처리 장치(33)에 반송된다.The wafer W in which the coating film was formed in the coating processing apparatus 17 is conveyed to the low temperature heat processing apparatus 32 by the main conveying apparatus 13, and the heat processing which evaporates the solvent in a coating film is performed. The wafer W after the heat treatment is completed is conveyed to the low oxygen heat treatment apparatus 33 by the main transport apparatus 13.

저산소 가열 처리 장치(33)에서는, 예컨대 웨이퍼(W)가 열판 상에 적재되고, 저산소 분위기에서 예컨대 320℃ 정도의 온도로 가열된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W) 상에 절연막의 기초가 형성된다.In the low oxygen heat treatment apparatus 33, for example, the wafer W is loaded on a hot plate and heated to a temperature of, for example, about 320 ° C in a low oxygen atmosphere. As a result, the base of the insulating film is formed on the wafer W. As shown in FIG.

그 후, 웨이퍼(W)는 냉각 처리 장치(40 또는 41)에 반송되고, 예컨대 상온 23℃로 온도가 하강한다. 그 후, 웨이퍼(W)는 익스텐션 장치(31)에 반송되고, 웨이퍼 반송체(12)에 의해 카세트(C)로 복귀된다. 이 일련의 공정에 의해 한층의 절연막의 기초가 형성된다. 웨이퍼(W) 상에 다층의 절연막을 형성하는 경우에는 상기 일련의 공정이 반복된다. 웨이퍼(W) 상에 다층 절연막의 기초가 형성되면, 예컨대 웨이퍼(W)는 저산소 가열·냉각 처리 장치(42)에 반송되고, 예컨대 400℃에서 가열된다. 이 가열에 의해, 웨이퍼(W) 상의 절연막이 베이킹된다(경화 처리). 가열 후 웨이퍼(W)는 동일한 장치 내에서 냉각된다. 그 후 웨이퍼(W)는 냉각 처리 장치(40)에서 상온까지 냉각된다. 이렇게 해서 웨이퍼(W) 상에 다층의 절연막이 형성되고, 일련의 SOD막 형성 공정이 종료된다. 또한, 경화 처리는 웨이퍼(W) 상에 전자선을 조사함으로써 행하여도 좋다.Then, the wafer W is conveyed to the cooling processing apparatus 40 or 41, and temperature falls to normal temperature 23 degreeC, for example. Thereafter, the wafer W is conveyed to the extension device 31 and returned to the cassette C by the wafer carrier 12. By this series of steps, the base of one more insulating film is formed. When a multilayer insulating film is formed on the wafer W, the above series of steps are repeated. When the base of the multilayer insulating film is formed on the wafer W, for example, the wafer W is conveyed to the low oxygen heating / cooling processing device 42 and heated at, for example, 400 ° C. By this heating, the insulating film on the wafer W is baked (curing treatment). After heating, the wafer W is cooled in the same apparatus. Thereafter, the wafer W is cooled to room temperature in the cooling processing apparatus 40. In this way, a multilayer insulating film is formed on the wafer W, and a series of SOD film forming processes are completed. In addition, you may perform hardening process by irradiating an electron beam on the wafer W. As shown in FIG.

다음에, 전술한 냉각 처리 장치(40)에 있어서의 냉각 프로세스에 대해서 상세히 설명한다. 우선, 냉각 처리 장치(40)에 있어서의 냉각시에 생기는 웨이퍼(W)의 휨이 측정된다. 예컨대, 측정용 웨이퍼(W)가 통상의 제품용 웨이퍼(W)와 동일한 레시피로 전술한 SOD막 형성 공정에 따라 처리되고, 저산소 가열 처리 장치(33)의 가열 처리가 종료된 후, 냉각 처리 장치(40)로 반입된다. 냉각 처리 장치(40)에 반 입된 웨이퍼(W)는 냉각판(60) 상에 적재되고, 통상의 제품용 웨이퍼(W)와 동일한 소정 시간 냉각되며, 상온 23℃까지 온도가 하강한다. 예컨대 그 냉각 중에 레이저 변위계(80)가 웨이퍼(W)의 표면 상을 주사하고, 웨이퍼면 내의 웨이퍼(W)의 휨량을 측정한다. 장치 제어부(90)는 이 휨량에 기초하여, 실제의 냉각 처리시에 있어서의 제1 분출·흡인구(70)에 의한 기체의 「분출」 또는 「흡인」의 설정과, 제2 분출·흡인구(71)에 의한 기체의 「분출」 또는 「흡인」의 설정을 행한다. 예컨대, 도 6에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)가 위로 볼록하게 휘어져 있는 경우에는, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하는 제1 분출·흡인구(70)가 「흡인」으로 설정되고, 제2 분출·흡인구(71)가 「분출」로 설정된다. 예컨대, 도 7에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)가 아래로 볼록하게 휘어져 있는 경우에는, 제1 분출·흡인구(70)가 「분출」로 설정되고, 제2 분출·흡인구(71)가 「흡인」으로 설정된다.Next, the cooling process in the above-mentioned cooling processing apparatus 40 is demonstrated in detail. First, the curvature of the wafer W which arises at the time of cooling in the cooling processing apparatus 40 is measured. For example, after the measurement wafer W is processed according to the above-described SOD film forming process with the same recipe as the normal product wafer W, and the heat treatment of the low oxygen heat treatment apparatus 33 is completed, the cooling treatment apparatus Imported into (40). The wafer W carried in the cooling processing apparatus 40 is mounted on the cooling plate 60, cooled for the same predetermined time as the wafer W for a normal product, and the temperature drops to a room temperature of 23 ° C. For example, during the cooling, the laser displacement meter 80 scans the surface of the wafer W and measures the amount of warpage of the wafer W in the wafer surface. The apparatus control part 90 sets the "ejection" or "suction" of the gas by the 1st blowing and suction opening 70 at the time of an actual cooling process, and the 2nd blowing and suction opening based on this curvature amount. "71" of the gas by "71" or "suction" is set. For example, as shown in FIG. 6, when the wafer W is bent convexly upward, the 1st blow-out and suction port 70 which opposes the center part of the wafer W is set to "suction", and the 2nd The blowing and suction port 71 is set to "squirting." For example, as shown in FIG. 7, when the wafer W is bent convexly downward, the first jet and suction port 70 is set to "eject", and the second jet and suction port 71 is It is set to "suction."

그리고, 실제의 제품용 웨이퍼(W)가 냉각 처리될 때에는, 웨이퍼(W)가 냉각판(60) 상에 적재되고, 냉각이 시작되는 동시에 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)로부터 미리 설정되어 있는 「분출」 또는 「흡인」이 시작된다. 예컨대, 웨이퍼(W)가 위로 볼록하게 휘는 경우에는, 제1 분출·흡인구(70)로부터의 흡인과, 제2 분출·흡인구(71)로부터의 기체의 분출이 시작된다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 중앙부가 아래쪽으로 흡인되고, 웨이퍼(W)의 외주부가 분출에 의해 상측으로 가압되며, 냉각시 웨이퍼(W)의 휨이 강제적으로 억제된다. 한편, 예컨대, 웨이퍼(W)가 아래로 볼록하게 휘는 경우에는, 제1 분출·흡인구(70)로부터의 분출과, 제2 분출·흡인구(71)로부터의 흡인이 시작되고, 웨이퍼(W)의 중앙부가 분출에 의해 상측으로 가압되며, 웨이퍼(W)의 외주부가 흡인되어 냉각시 웨이퍼(W)의 휨이 억제된다.When the actual product wafer W is cooled, the wafer W is loaded on the cooling plate 60, and cooling starts, and at the same time, the first jet and suction port 70 and the second jet are provided. "Spray" or "suction" set in advance from the suction port 71 starts. For example, when the wafer W is convex upward, suction from the first jet and suction port 70 and gas jet from the second jet and suction port 71 are started. By doing so, the central portion of the wafer W is sucked downward, the outer circumferential portion of the wafer W is pressurized upward by ejection, and the warping of the wafer W is forcibly suppressed during cooling. On the other hand, for example, when the wafer W is convex downward, ejection from the first ejection / suction port 70 and suction from the second ejection / suction port 71 start, and the wafer W is started. The central portion of the wafer) is pressurized upward by the jetting, and the outer circumferential portion of the wafer W is sucked to suppress the warping of the wafer W during cooling.

소정 시간의 냉각이 종료되면, 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)로부터의 분출과 흡인이 정지된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 냉각판(60) 상에서 승강핀(63)을 통해 주반송 장치(13)로 전달되어, 냉각 처리 장치(40)로부터 반출된다.When the cooling of the predetermined time is completed, the ejection and suction from the first jetting / suction port 70 and the second jetting / suction port 71 are stopped. Thereafter, the wafer W is transferred to the main transport device 13 through the lift pins 63 on the cooling plate 60, and is carried out from the cooling processing device 40.

이상의 실시형태에 의하면, 냉각판(60)의 표면에 형성된 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)의 분출과 흡인을 전환하여, 냉각시 웨이퍼(W)의 휨을 강제적으로 억제할 수 있다. 이 결과, 냉각시의 웨이퍼(W)의 휨이 방지되고, 웨이퍼(W)의 면 내 온도가 균일하게 유지되며, 도포막이 균질하게 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)나 도포막에 응력이 걸리지 않고, 웨이퍼(W)나 도포막의 파손, 열화가 방지된다. 또한, 웨이퍼(W)의 외형이 변형되지 않기 때문에, 웨이퍼(W)의 반송이 적절하게 행해진다. 또한, 이상의 실시형태에서는 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71) 중 한쪽을 분출로 설정하고, 다른 한쪽을 흡인으로 설정하고 있었지만, 웨이퍼(W)의 휨 형상에 따라서는 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71) 양쪽을 분출로 설정하거나 양쪽을 흡인으로 설정하여도 좋다.According to the above embodiment, the ejection and suction of the 1st blowing and suction port 70 and the 2nd blowing and suction port 71 which were formed in the surface of the cooling plate 60 are switched, and the curvature of the wafer W at the time of cooling is changed. It can be forcibly suppressed. As a result, warpage of the wafer W during cooling is prevented, the in-plane temperature of the wafer W is kept uniform, and the coating film is formed uniformly. In addition, stress is not applied to the wafer W and the coating film, and damage and deterioration of the wafer W and the coating film are prevented. In addition, since the outer shape of the wafer W is not deformed, the wafer W is conveyed appropriately. In addition, in the above embodiment, one of the first jet and suction port 70 and the second jet and suction port 71 is set to jet and the other is set to suction. Therefore, you may set both the 1st blowing and suction port 70 and the 2nd blowing and suction port 71 to jet, or both may be set to suction.

이상의 실시형태에서는 웨이퍼(W)의 휨에 따라 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)의 분출과 흡인을 전환하고 있지만, 또한, 웨이퍼(W)의 휨량에 따라 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)로부터의 분출 유량과 흡인 유량을 조정하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 장치 제어부(90)에 있어서, 레이저 변위 계(80)에 의한 측정용 웨이퍼(W)의 휨량에 기초하여 기체의 분출 유량과 흡인 유량이 설정된다. 예컨대, 측정용 웨이퍼(W)의 휨량이 큰 경우에는 분출 유량과 흡인유량이 증대된다. 또한, 웨이퍼(W)의 휨량이 작은 경우에는 분출 유량과 흡인 유량이 감소된다. 그리고, 제품용 웨이퍼(W)가 냉각 처리될 때에는, 예컨대 장치 제어부(90)에 의해 3방향 밸브(75, 77)의 개폐도가 변경되고, 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)로부터 소정의 설정 유량의 분출 또는 흡인이 행해진다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 휨 정도에 따른 적정한 유량으로 분출 또는 흡인이 행해져 웨이퍼(W)의 휨을 보다 엄격히 방지할 수 있다.In the above embodiment, the ejection and the suction of the first ejection / suction port 70 and the second ejection / suction port 71 are switched according to the warpage of the wafer W. In addition, the amount of warpage of the wafer W is also changed. The blowing flow rate and the suction flow rate from the 1st blowing and suction port 70 and the 2nd blowing and suction port 71 may be adjusted. In such a case, for example, in the apparatus control unit 90, the blowing flow rate and the suction flow rate of the gas are set based on the amount of warpage of the wafer W for measurement by the laser displacement meter 80. For example, when the amount of warpage of the measurement wafer W is large, the ejection flow rate and the suction flow rate increase. In addition, when the amount of warpage of the wafer W is small, the ejection flow rate and the suction flow rate are reduced. Then, when the product wafer W is cooled, the opening and closing degree of the three-way valves 75 and 77 is changed by, for example, the apparatus control unit 90, and the first jet and suction port 70 and the second jet are blown. A predetermined set flow rate is blown out or sucked from the suction port 71. In this way, ejection or suction is performed at an appropriate flow rate in accordance with the degree of warpage of the wafer W, so that warpage of the wafer W can be more strictly prevented.

이상의 실시형태에서는 웨이퍼(W)의 외주부에 대응하는 복수의 제2 분출·흡인구(71)의 분출과 흡인을 일괄하여 행하고 있지만, 각 제2 분출·흡인구(71)마다 독립적으로 분출 또는 흡인을 행하도록 하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 각 제2 분출·흡인구(71)마다 급기 장치(73)와 흡인 장치(74)로 통하는 전술한 제2 배관(76)과 3방향 밸브(77)가 설치된다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 외주부가 불균일하게 휘는 경우에도 각 제2 분출·흡인구(71)에 의한 기체의 분출 또는 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 평탄하게 유지할 수 있다. 또한, 제2 분출·흡인구(71)의 수는 4개 이상이 바람직하다.Although the ejection and suction of the plurality of second ejection and suction ports 71 corresponding to the outer circumferential portion of the wafer W are collectively performed in the above embodiment, the ejection or suction is independently performed for each second ejection and suction port 71. May be performed. In this case, for example, the above-described second pipe 76 and the three-way valve 77 which communicate with the air supply device 73 and the suction device 74 are provided for each second blow-out and suction port 71. By doing in this way, even if the outer peripheral part of the wafer W is unevenly bent, the wafer W can be kept flat by the ejection or suction of the gas by each 2nd blowing and suction port 71. In addition, as for the number of the 2nd blowing and suction ports 71, four or more are preferable.

이상의 실시형태에서는 냉각판(60)에 있어서의 웨이퍼(W) 중앙부에 대향하는 위치와, 웨이퍼(W)의 외주부에 대응하는 위치에 분출·흡인구(70, 71)를 형성하고 있지만, 분출·흡인구(70, 71)의 배치는 이 예에 한정되지 않는다. 예컨대 도 8에 도시하는 바와 같이, 다수의 분출·흡인구(110)를 정렬시켜 웨이퍼면 내에서 균등 하게 배치하여도 좋다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 보다 복잡한 휨에도 적절히 대응하여, 냉각시 웨이퍼(W)를 평탄하게 유지할 수 있다.In the above-mentioned embodiment, although the blowing and suction ports 70 and 71 are formed in the position which opposes the center part of the wafer W in the cooling plate 60, and the position corresponding to the outer peripheral part of the wafer W, The arrangement of the suction ports 70 and 71 is not limited to this example. For example, as illustrated in FIG. 8, the plurality of blowout / suction ports 110 may be aligned and arranged evenly in the wafer surface. In such a case, the wafer W can be kept flat during cooling in response to more complicated warping of the wafer W as appropriate.

이상의 실시형태에서는 미리 측정용 웨이퍼(W)에서 냉각시의 휨을 측정하고, 그 측정 결과에 기초하여, 제품용 웨이퍼(W)의 처리시 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)의 분출과 흡인을 제어하였지만, 실제의 제품용 웨이퍼(W)의 휨을 측정하면서, 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)의 분출과 흡인에 반영시켜도 좋다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 휨 변동에 적절히 대응할 수 있다.In the above embodiment, the curvature at the time of cooling in the measurement wafer W is measured beforehand, and based on the measurement result, the 1st blowing and suction port 70 and the 2nd blowing and suction at the time of the process of the product wafer W are measured. Although the ejection and suction of the population 71 were controlled, the first ejection and suction port 70 and the second ejection and suction port 71 were reflected on the ejection and suction while measuring the warpage of the actual product wafer W. You may have to. In this case, it can respond suitably to the curvature variation of the wafer W. As shown in FIG.

이상의 실시형태에서는 분출·흡인구로부터의 분출에 의해 웨이퍼(W)의 이면을 가압하였지만, 냉각판(60)에 가압 부재를 설치하여, 웨이퍼(W)의 이면을 가압하여도 좋다. 도 9는 이러한 일례를 도시하는 것이며, 냉각판(60)의 제1 분출·흡인구(70)에 분출과 흡인에 의해 승강하는 가압 부재(115)가 설치되어 있다. 가압 부재(115)는, 예컨대 제1 분출·흡인구(70) 안을 이동하는 원반 형상의 피스톤(115a)과 피스톤(115a) 상에 세워 설치한 핀(115b)에 의해 형성되어 있다. 또한, 다른 부분의 구성은 상기 실시형태와 동일하기 때문에 그 설명을 생략한다.In the above-mentioned embodiment, although the back surface of the wafer W was pressurized by the ejection from the blowing and suction port, you may provide a press member in the cooling plate 60, and may pressurize the back surface of the wafer W. As shown in FIG. FIG. 9 shows such an example, and the pressing member 115 which is lifted by the ejection and suction is provided in the first ejection and suction port 70 of the cooling plate 60. The pressurizing member 115 is formed by the disk-shaped piston 115a which moves in the 1st blowing and suction port 70, and the pin 115b standing up on the piston 115a, for example. In addition, since the structure of another part is the same as the said embodiment, the description is abbreviate | omitted.

그리고, 도 10에 도시하는 바와 같이 냉각시에, 웨이퍼(W)가 아래로 볼록하게 휘는 경우에는 장치 제어부(90)가 3방향 밸브(75, 77)를 제어함으로써, 제1 분출·흡인구(70)에 대하여 기체가 공급되고, 가압 부재(115)가 냉각판(60) 상으로 돌출되며, 웨이퍼(W)의 이면이 상측으로 가압된다. 한편, 제2 분출·흡인구(71)로부터의 흡인이 행해지고, 웨이퍼(W)의 외주부가 흡인된다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 휨이 강제적으로 해소된다.As shown in FIG. 10, when cooling the wafer W at the time of cooling, the device control unit 90 controls the three-way valves 75 and 77 so that the first ejection / suction port ( The gas is supplied to 70, the pressing member 115 protrudes onto the cooling plate 60, and the back surface of the wafer W is pressed upward. On the other hand, suction from the 2nd blowing and suction port 71 is performed, and the outer peripheral part of the wafer W is sucked. By doing so, the warpage of the wafer W is forcibly eliminated.

상기예에 있어서, 제2 분출·흡인구(71) 안에 가압 부재(115)를 설치하여도 좋다. 이러한 경우, 도 11에 도시하는 바와 같이 냉각시에 웨이퍼(W)가 위로 볼록하게 휘는 경우에, 제1 분출·흡인구(70)로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)의 중심부가 흡인된다. 한편, 제2 분출·흡인구(71)에 기체가 공급되고, 제2 분출·흡인구(71)의 가압 부재(115)에 의해 웨이퍼(W)의 중심부가 상측으로 가압된다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 휨이 강제적으로 해소된다.In the above example, the pressing member 115 may be provided in the second blowing / suction port 71. In this case, as shown in FIG. 11, when the wafer W is convexly curved upward during cooling, the central portion of the wafer W is sucked by suction from the first jet / suction port 70. On the other hand, gas is supplied to the 2nd blowing and suction port 71, and the center part of the wafer W is pressurized upward by the press member 115 of the 2nd blowing and suction port 71. FIG. By doing so, the warpage of the wafer W is forcibly eliminated.

또한, 상기예에 있어서, 냉각판(60)의 중앙부와 외주부에 각각 복수의 분출·흡인구를 형성하고, 냉각판(60) 중앙부의 전부가 아닌 어느 하나의 분출·흡인구와, 냉각판(60) 외주부의 전부가 아닌 어느 하나의 분출·흡인구에 가압 부재(115)를 설치하여도 좋다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)가 위로 볼록하게 휜 경우와 웨이퍼(W)가 아래로 볼록하게 휜 경우에 대응할 수 있다.In the above example, a plurality of jets and suction ports are respectively formed in the central portion and the outer circumferential portion of the cooling plate 60, and any of the jets and suction ports that are not all of the central portion of the cooling plate 60 and the cooling plate 60 are provided. The press member 115 may be provided in any one of the blowing and suction ports, not all of the outer peripheral part. In this case, it may correspond to the case where the wafer W is convex upward and the case where the wafer W is convex downward.

또한, 가압 부재(115)가 설치되는 상기예에 있어서, 웨이퍼(W)의 휨량을 측정하는 레이저 변위계(80)는 반드시 필요한 것은 아니다. 예컨대 레이저 변위계(80)가 없는 경우에는 미리 취득해 둔 웨이퍼(W)의 휨에 관한 정보에 기초하여, 가압 부재(115)에 의한 가압과 분출·흡인구에 의한 흡인을 행하도록 하여도 좋다. 또한, 가압 부재(115)가 설치되지 않은 분출·흡인구는 흡인만의 기능을 갖는 것이어도 좋다.In the above example in which the pressing member 115 is provided, the laser displacement meter 80 for measuring the amount of warpage of the wafer W is not necessarily required. For example, when there is no laser displacement meter 80, you may make it pressurize by the press member 115, and suction by the ejection / suction port based on the information regarding the warpage of the wafer W acquired previously. In addition, the blowing and suction port in which the pressing member 115 is not provided may have a function of suction only.

이상의 실시형태에서는 냉각중인 웨이퍼(W)에 대한 분출에 의한 가압과, 흡인에 의해 웨이퍼(W)의 휨을 억제하고 있지만, 냉각판(60)의 표면에, 평면에서 보아 냉각판(60)의 중앙부로부터 웨이퍼(W)의 외측 위치까지 도달하는 홈을 형성함으 로써, 냉각중인 웨이퍼(W)의 휨을 방지하여도 좋다. 예컨대, 도 12, 13에 도시하는 바와 같이 냉각판(60)의 표면에는 냉각판(60)의 일단부로부터 중앙부 부근을 통과하여 타단부까지 도달하는 2개의 평행한 홈(120)이 형성되어도 좋다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 열에 의해 팽창된 기체가 냉각판(60)과 웨이퍼(W)의 간극으로부터 홈(120)을 따라 배출되기 쉽기 때문에, 냉각판(60)과 웨이퍼(W)의 간극에서의 팽창된 기체에 의해 웨이퍼(W)가 왜곡되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 냉각판(60)과 웨이퍼(W)의 간극의 열기가 배출되면, 웨이퍼(W)의 상면측과 하면측의 온도차가 감소하고, 웨이퍼(W)의 상면측과 하면측의 수축량이 동일한 정도로 되기 때문에, 웨이퍼(W)의 휨이 방지된다. 또한, 발명자에 의한 실험에 의하면, 냉각판(60)에 홈(120)을 형성한 경우가 홈을 형성하지 않는 경우에 비해서, 웨이퍼(W)의 휨이 생기기 시작하는 냉각 전의 임계 온도가 10℃ 이상 상승한 것이 확인되었다. 이것에 의해, 냉각판(60)에 홈(120)을 형성한 경우, 형성하지 않은 경우에 비해서 웨이퍼(W)의 휨이 발생하지 않는 것을 알 수 있다.In the above embodiment, although the curvature of the wafer W is suppressed by pressurization and the suction by the jet to the cooling wafer W being cooled, the center part of the cooling plate 60 is seen on the surface of the cooling plate 60 in plan view. By forming a groove reaching the outer position of the wafer W from the side, the warping of the wafer W being cooled may be prevented. For example, as shown in FIGS. 12 and 13, two parallel grooves 120 may be formed on the surface of the cooling plate 60 to pass from one end of the cooling plate 60 to the other end and to reach the other end. . In this case, since the gas expanded by the heat of the wafer W is easily discharged along the grooves 120 from the gap between the cooling plate 60 and the wafer W, the gap between the cooling plate 60 and the wafer W. It is possible to prevent the wafer W from being distorted by the expanded gas at. In addition, when the heat of the gap between the cooling plate 60 and the wafer W is discharged, the temperature difference between the upper surface side and the lower surface side of the wafer W decreases, and the amount of shrinkage on the upper surface side and the lower surface side of the wafer W is the same. As a result, the warping of the wafer W is prevented. Moreover, according to the experiment by the inventor, when the groove 120 is formed in the cooling plate 60, compared with the case where no groove | channel is formed, the threshold temperature before cooling which the warpage of the wafer W starts to produce is 10 degreeC. It was confirmed that the above rises. Thereby, when the groove | channel 120 is formed in the cooling plate 60, it turns out that the warpage of the wafer W does not generate | occur | produce compared with the case where it is not formed.

또한, 홈(120)의 수는 2개로 한정되지 않으며 1개라도 좋고, 3개 이상이어도 좋다. 예컨대 도 14에 도시하는 바와 같이 2개의 평행한 홈(120)이 2조 형성되고, 상호 직교하도록 형성되어 있어도 좋다. 또한, 홈(120)의 형상도 다른 형상이어도 좋고, 예컨대 도 15에 도시하는 바와 같이 복수 라인의 홈(120)이 냉각판(60)의 중심으로부터 방사형으로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 도 16에 도시하는 바와 같이 홈(120)이 냉각판(60)의 외주부에만 등간격으로 방사 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 도 17에 도시하는 바와 같이 5 mm 이하의 매우 가는 홈(120)이 냉각 판(60)의 전면에 걸쳐 평행하게 복수 라인 형성되어도 좋다.The number of the grooves 120 is not limited to two, but may be one, or three or more. For example, as shown in FIG. 14, two sets of two parallel grooves 120 may be formed so as to be orthogonal to each other. In addition, the shape of the groove 120 may be another shape, for example, as shown in FIG. 15, the plurality of grooves 120 may be radially formed from the center of the cooling plate 60. In addition, as shown in FIG. 16, the groove 120 may be formed radially only at the outer peripheral part of the cooling plate 60 at equal intervals. In addition, as shown in FIG. 17, the ultra-thin groove | channel 120 of 5 mm or less may be formed in multiple lines in parallel over the whole surface of the cooling plate 60. As shown in FIG.

또한, 도 18에 도시하는 바와 같이 냉각판(60)의 홈(120)에, 예컨대 통기구로서의 급기구(121)를 형성하여도 좋다. 급기구(121)는, 예컨대 냉각판(60)의 중앙부 부근의 홈(120)의 바닥부에 형성되어 있다. 급기구(121)는, 예컨대 배관(122)에 의해 예컨대 급기 장치(123)에 접속되어 있다. 그리고, 냉각시에는 급기구(121)로부터 홈(120)에, 예컨대 냉각판(60)과 동일한 냉각 온도로 조정된 기체가 공급되고, 냉각판(60)과 웨이퍼(W)와의 간극에 홈(120)을 따라 냉각판(60)의 중앙부에서 외측으로 흐르는 기류가 형성된다. 이렇게 함으로써, 냉각판(60)과 웨이퍼(W)의 간극에서의 팽창된 기체가 확실하게 배출되기 때문에, 팽창 기체에 의한 웨이퍼(W)의 휨이 방지된다. 또한, 급기구(121) 대신에 배기구를 형성하여도 좋다.In addition, as shown in FIG. 18, an air supply 121 may be formed in the groove 120 of the cooling plate 60, for example, as a vent. The air supply 121 is formed at the bottom of the groove 120 near the center of the cooling plate 60, for example. The air supply 121 is connected to the air supply device 123 by, for example, a pipe 122. At the time of cooling, the gas adjusted to the same cooling temperature as that of the cooling plate 60 is supplied from the air supply port 121 to the groove 120, and the groove (in the gap between the cooling plate 60 and the wafer W) is provided. Airflow flowing outward from the central portion of the cooling plate 60 along the 120 is formed. By doing so, since the expanded gas in the gap between the cooling plate 60 and the wafer W is discharged reliably, the warping of the wafer W by the expanded gas is prevented. In addition, an exhaust port may be provided instead of the air supply port 121.

이 예의 홈(120)을 갖는 냉각판(60)에는, 전술한 실시형태와 동일하게 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)를 형성하고, 웨이퍼(W)에 대한 분출과 흡인을 행하여도 좋다.In the cooling plate 60 having the groove 120 of this example, the first jet and suction port 70 and the second jet and suction port 71 are formed in the same manner as in the above-described embodiment, and the wafer W Blowing and suction may be performed.

발명자에 의해, 냉각 처리 전의 가열 온도와 냉각 온도의 온도차(T)와, 냉각 처리시의 냉각판(60)과 웨이퍼(W)의 간극(D)과, 웨이퍼(W)의 휨량 사이에, 상관 관계가 있는 것이 확인되었다. 그래서, 미리, 웨이퍼(W)의 휨이 생기지 않는 온도차(T)와 간극(D)의 관계를 구해 두고, 냉각 처리시의 온도차(T)에 기초하여 간극(D)을 설정하도록 하여도 좋다. 예컨대, 간극(D)을 규정하는 지지핀(61)을 교환할 수 있거나 혹은 승강 가능하게 한다. 그리고, 냉각시의 냉각 온도로부터 온도차(T)를 구하여, 지지핀(61)의 높이를 조정하고, 웨이퍼(W)의 휨이 생기지 않는 소 정의 간극(D)으로 변경한다. 이렇게 함으로써도 웨이퍼(W)의 휨을 방지하는 것이 가능하다. 또한, 냉각판(60)과 웨이퍼(W) 사이에 소정의 간극(D)을 형성할 때에, 냉각판(60) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 제1 분출·흡인구(70)와 제2 분출·흡인구(71)로부터 기체를 분출하고, 웨이퍼(W)를 냉각판(60)의 표면으로부터 뜨게 하여 간극(D)를 확보하여도 좋다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 휨을 방지할 수 있다. 또한, 지지핀(61)과 웨이퍼(W)의 이면이 지지핀(61)에 접촉되지 않기 때문에, 웨이퍼 이면이 손상되는 것을 방지할 수 있다.According to the inventor, there is a correlation between the temperature difference T between the heating temperature before the cooling treatment and the cooling temperature, the gap D between the cooling plate 60 and the wafer W during the cooling treatment, and the amount of warpage of the wafer W. A relationship was confirmed. Therefore, the relationship between the temperature difference T and the gap D in which warping of the wafer W does not occur may be determined in advance, and the gap D may be set based on the temperature difference T at the time of cooling treatment. For example, the support pin 61 defining the gap D can be exchanged or lifted. And the temperature difference T is calculated | required from the cooling temperature at the time of cooling, the height of the support pin 61 is adjusted, and it changes to the predetermined | prescribed clearance gap D in which the wafer W does not bend. By doing this, the warping of the wafer W can be prevented. In addition, when the predetermined gap D is formed between the cooling plate 60 and the wafer W, the first jet and suction port 70 and the second jet of the wafer W on the cooling plate 60 are formed. The gas may be ejected from the suction port 71, and the wafer W may be floated from the surface of the cooling plate 60 to secure the gap D. By doing in this way, the curvature of the wafer W can be prevented. In addition, since the back surface of the support pin 61 and the wafer W is not in contact with the support pin 61, it is possible to prevent the back surface of the wafer from being damaged.

이상, 본 발명의 실시형태의 일례에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이 예에 한정되지 않고, 여러 가지의 형태를 채용할 수 있는 것이다. 예컨대 본 실시형태는 냉각 처리 장치(40)에 있어서의 웨이퍼(W)의 휨을 방지하는 예이지만, 본 발명은 SOD막 형성 시스템(1)에 있어서의 다른 냉각 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 가열 처리와 냉각 처리 양쪽을 행하는 가열·냉각 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 이상의 실시형태는 SOD막 형성 공정에 있어서 냉각 처리를 행하는 냉각 처리 장치(40)에 적용하였지만, 예컨대 포토리소그래피 공정에 있어서의 프리 베이킹, 포스트 베이킹 및 포스트 익스포저 베이킹 후의 냉각 처리를 행하는 냉각 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 이외의 예컨대 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크레티클 등의 다른 기판의 냉각 처리 장치에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although an example of embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this example, Various forms can be employ | adopted. For example, although this embodiment is an example which prevents the warping of the wafer W in the cooling processing apparatus 40, this invention is applicable also to the other cooling processing apparatus in the SOD film formation system 1. As shown in FIG. Moreover, this invention is applicable also to the heating and cooling processing apparatus which performs both a heat processing and a cooling process. In addition, although the above embodiment was applied to the cooling processing apparatus 40 which performs a cooling process in a SOD film formation process, For example, the cooling processing apparatus which performs the cooling process after prebaking, postbaking, and post exposure baking in a photolithography process. Applicable to Moreover, this invention is applicable also to the cooling processing apparatus of other board | substrates, such as FPD (flat panel display), a photomask mask reticle, etc. other than a wafer.

본 발명은 냉각 처리시 기판의 휨을 방지할 때에 유용하다.The present invention is useful for preventing warpage of a substrate during cooling treatment.

Claims

A cooling processing apparatus for cooling a substrate,

Cooling plate for loading and cooling the substrate,

A warpage measurement unit for measuring warpage of the substrate mounted on the cooling plate;

A blowing / suction port formed at a plurality of points on the surface of the cooling plate and capable of selectively blowing and sucking gas to the substrate on the cooling plate;

And a control unit configured to perform ejection or suction by the respective ejection and suction ports so that the substrate cooled on the cooling plate becomes flat based on the measurement result of the warpage measurement unit.

The cooling processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit adjusts the blowing flow rate or the suction flow rate of the gas at each of the blowing and suction ports in accordance with the degree of warpage of the substrate measured by the warpage measuring unit.

The cooling processing apparatus according to claim 1, wherein the blowout / suction port is formed at a position corresponding to a central portion of the substrate on the cooling plate, and at a position corresponding to an outer peripheral portion of the substrate.

The cooling processing apparatus according to claim 1, wherein the blow-out and suction ports are evenly arranged in a surface corresponding to the substrate on the cooling plate.

The pressurizing member according to claim 1, wherein any one of the plurality of jets and suction ports is provided with a pressing member capable of projecting onto the surface of the cooling plate by jetting and suction, and capable of pressing the back surface of the substrate on the cooling plate. Cooling processing unit.

As a cooling processing apparatus of a board | substrate,

It has a cooling plate for loading and cooling the substrate,

The cooling plate has a larger surface than the substrate,

The cooling plate is provided with a support for supporting a substrate and forming a gap between the substrate and the cooling plate,

The surface of the said cooling plate is a cooling processing apparatus in which the groove | channel which passes in the planar view from the outer position of the board | substrate mounted on the cooling board to the vicinity of the center part of this board | substrate is formed.

The cooling processing apparatus according to claim 6, wherein the groove is formed so as to reach from the one end of the surface of the cooling plate to the other end through the vicinity of the center portion.

8. The cooling processing apparatus according to claim 7, wherein an air supply port or an exhaust port is formed in the groove.

A cooling processing apparatus for cooling a substrate,

Cooling plate for loading and cooling the substrate,

A suction port formed at a plurality of points on the surface of the cooling plate and capable of sucking the substrate on the cooling plate;

A pressing member protruding onto the surface of the cooling plate to pressurize the back surface of the substrate on the cooling plate;

And a control unit for controlling pressurization by the pressing member and suction by the suction port so that the substrate to be cooled on the cooling plate becomes flat according to the bending of the substrate loaded on the cooling plate.