KR101324713B1 - Wafer chuck having centralized vacuum hall - Google Patents

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KR101324713B1
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vacuum suction
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손일복
정동준
채승수
이상민
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쿠어스텍아시아 유한회사
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Abstract

The present invention relates to a wafer chuck for stably fixing a wafer which is uneven or easily bent. The wafer chuck according to the present invention comprises: a body which has top and bottom surfaces; multiple support walls which are protruding from the top surface of the body in a specific height and form multiple independent vacuum spaces; vacuum supply holes to which vacuum suction force for adsorbing the wafer is applied; multiple vacuum suction holes which are formed on the bottoms of the vacuum spaces and receive the vacuum suction force from the vacuum supply holes; and vacuum diffusion paths which transfer the vacuum suction force applied to the vacuum supply holes to the vacuum suction holes. One or more vacuum suction holes are formed in each vacuum space and are centralized in the vacuum space arranged on the radial inner side of the body.

Description

중앙 밀집식 흡입홀을 구비하는 웨이퍼 척 장치{WAFER CHUCK HAVING CENTRALIZED VACUUM HALL}Wafer chuck device with central dense suction hole {WAFER CHUCK HAVING CENTRALIZED VACUUM HALL}

본 발명은 웨이퍼 척 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공 흡입력에 의해 웨이퍼를 흡착하여 고정하기 위한 진공 흡입홀이 반경 방향 내측에 밀집되어 구비되는 웨이퍼 척 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer chuck device, and more particularly, to a wafer chuck device in which vacuum suction holes for adsorbing and fixing a wafer by vacuum suction force are densely provided in a radially inner direction.

전자 소자 제조용 재료로서 널리 이용되고 있는 웨이퍼(wafer)로서, 실리콘(silicon) 웨이퍼, 게르마늄(Ge) 웨이퍼, 갈륨비소(GaAs) 웨이퍼, 사파이어(sapphire) 웨이퍼 등이 있다. Wafers widely used as materials for electronic device manufacturing include silicon wafers, germanium (Ge) wafers, gallium arsenide (GaAs) wafers, and sapphire wafers.

웨이퍼는 다양한 공정을 거쳐 최종적으로 전자 소자로 완성된다. 웨이퍼가 각 공정 단계를 거치는 동안에 웨이퍼의 위치가 틀어지지 않도록 웨이퍼 척 장치에 의해 고정된다.The wafer is processed through various processes and finally completed as an electronic device. The wafer is held by the wafer chuck device so that the wafer is not displaced during each process step.

웨이퍼 척 장치는 기계식, 정전기식 및 진공식이 있다. 기계식은 클램프(clamp)를 이용하여 웨이퍼의 표면을 눌러 움직이지 않도록 고정하는 방식이고, 정전기식은 웨이퍼와 웨이퍼 척 장치간의 전압 차에 의해 웨이퍼를 고정 및 분리시키는 방식이며, 진공식은 진공 흡입력을 이용하여 웨이퍼를 흡착하여 고정하는 방식이다.Wafer chuck devices are mechanical, electrostatic and vacuum. The mechanical type is a method of clamping the wafer surface by clamping it so as not to move. The static type is a method of fixing and separating the wafer by the voltage difference between the wafer and the wafer chuck device. The vacuum type uses a vacuum suction force. It is a method of adsorbing and fixing a wafer.

도 1은 종래 기술에 따른 진공식 웨이퍼 척 장치에 웨이퍼가 지지된 상태를 도시하는 수직 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 웨이퍼 척 장치는 베이스(2) 및 흡착판(3)을 포함한다.1 is a vertical sectional view showing a state in which a wafer is supported by a vacuum wafer chuck device according to the prior art. Referring to FIG. 1, a wafer chuck device according to the prior art includes a base 2 and a suction plate 3.

베이스(2)는 전체적으로 원반 형상이며, 베이스(2)의 가장자리에는 베이스(2)의 둘레를 따라 소정의 높이의 측벽(4)이 형성된다. 베이스(2)의 중심에는 진공 흡입력을 공급하기 위한 진공 공급홀(5)이 베이스(2)의 상면으로부터 하면까지 관통하여 형성되고, 베이스(2)의 상면에는 진공 공급홀(7)과 연통하는 진공 확산홈(6)이 형성된다. The base 2 is entirely disk-shaped, and a side wall 4 having a predetermined height is formed along the periphery of the base 2 at the edge of the base 2. A vacuum supply hole 5 for supplying a vacuum suction force is formed in the center of the base 2 from the upper surface to the lower surface of the base 2 and the upper surface of the base 2 communicates with the vacuum supply hole 7 A vacuum diffusion groove 6 is formed.

흡착판(3)은 원형의 플레이트 형상으로서 베이스(2)의 측벽(4)의 내측 공간에 안착된다. 흡착판(3)의 상면은 웨이퍼가 안착되어 지지될 수 있도록 평탄한 표면을 가진다. 흡착판(3)은 표면 및 내부에는 다수의 기공들이 형성되며, 이 기공들은 이웃하는 기공들과 연통된다. The suction plate 3 is seated in the inner space of the side wall 4 of the base 2 in a circular plate shape. The upper surface of the suction plate 3 has a flat surface so that the wafer can be seated and supported. The adsorption plate 3 is formed with a plurality of pores on the surface and inside, these pores are in communication with the neighboring pores.

흡착판(3)이 베이스(2)의 측벽(4)의 내측 공간에 안착되면 베이스(2)의 진공 확산홈(6)은 흡착판(3)의 하면에 의해 덮이며, 진공 확산홈(6)은 진공 확산 통로를 형성하게 된다. 이 상태에서 진공 공급홀(5)에 진공 흡입력이 인가되면 진공 흡입력은 베이스(2)의 진공 확산홈(6)을 따라 확산된다. 진공 흡입력이 진공 확산 통로를 따라 베이스(2)의 반경 방향으로 확산되는 과정에서 진공 흡입력이 흡착판(3)의 하면에 인가되면 진공 흡입력은 흡착판(3)의 내부에 형성된 기공들을 통해 흡착판(3)의 체적 전체에 걸쳐 확산되며, 최종적으로 흡착판(3)의 상부 표면까지 진공 흡입력이 인가된다. 흡착판(3)의 상부 표면에 진공 흡입력이 인가되면 웨이퍼(9)는 진공 흡입력에 의해 흡착판(3)의 표면에 흡착되어 고정된다. When the suction plate 3 is seated in the inner space of the side wall 4 of the base 2, the vacuum diffusing groove 6 of the base 2 is covered by the lower surface of the attracting plate 3, Thereby forming a vacuum diffusion passage. In this state, when a vacuum suction force is applied to the vacuum supply hole 5, the vacuum suction force is diffused along the vacuum diffusion groove 6 of the base 2. When the vacuum suction force is applied to the lower surface of the suction plate 3 in the course of the vacuum suction force diffusing in the radial direction of the base 2 along the vacuum diffusion passage, the vacuum suction force is transmitted to the suction plate 3 through the pores formed in the suction plate 3, And ultimately the vacuum suction force is applied to the upper surface of the adsorption plate 3. When a vacuum suction force is applied to the upper surface of the suction plate 3, the wafer 9 is sucked and fixed to the surface of the suction plate 3 by the vacuum suction force.

이때, 웨이퍼(9)가 흡착판(3)에 안정적으로 고정되기 위해서는 웨이퍼(9)와 흡착판(3) 사이에 작용하는 진공 흡입력이 새지 않아야 한다. 이를 위해서는, 흡착판(3)과 웨이퍼(9)가 마주하는 면, 즉 웨이퍼(9)의 하면 및 흡착판(3)의 상면이 평탄해야 한다. At this time, in order for the wafer 9 to be stably fixed to the suction plate 3, the vacuum suction force acting between the wafer 9 and the suction plate 3 should not leak. For this purpose, the surface where the suction plate 3 and the wafer 9 face, i.e., the lower surface of the wafer 9 and the upper surface of the suction plate 3 should be flat.

그런데, 웨이퍼들 중에서 특정한 종류의 웨이퍼는 표면이 평탄하지 않고 굴곡이 있기 때문에 웨이퍼와 흡착판 사이의 진공 흡입력이 새는 문제가 발생한다. 진공 흡입력이 새게 되면 웨이퍼의 하면과 웨이퍼 척 장치의 상면 사이의 공간이 진공 상태를 유지할 수 없기 때문에 웨이퍼 척 장치는 웨이퍼의 위치를 고정하는 기능을 상실하게 됨으로써, 웨이퍼가 지지된 위치가 틀어지거나 웨이퍼가 흡착판으로부터 분리될 수 있다.However, a particular type of wafer among the wafers has a problem that the vacuum suction force leaks between the wafer and the suction plate because the surface is not flat and curved. When the vacuum suction force is leaked, the space between the lower surface of the wafer and the upper surface of the wafer chuck device cannot maintain the vacuum state, so the wafer chuck device loses the function of fixing the position of the wafer, so that the position where the wafer is supported is misaligned or the wafer Can be separated from the adsorption plate.

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 표면이 평탄하지 않거나 잘 휘어지는 웨이퍼를 안정적으로 고정시킬 수 있는 웨이퍼 척 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a wafer chuck device capable of stably fixing a wafer whose surface is not flat or well curved.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 상면과 하면을 구비하는 바디; 상기 바디의 상면으로부터 소정의 높이로 돌출되어 형성되고, 서로 독립된 복수의 진공 공간을 형성하는 복수의 지지벽; 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 흡입력이 인가되는 진공 공급홀; 상기 복수의 진공 공간의 바닥에 형성되고, 상기 진공 공급홀에 인가되는 진공 흡입력이 전달되는 복수의 진공 흡입홀; 및 상기 진공 공급홀에 인가된 진공 흡입력을 상기 진공 흡입홀로 전달하는 진공 확산 통로를 포함하며, 상기 복수의 진공 흡입홀은 상기 복수의 진공 공간에 적어도 하나씩 형성되되, 상기 바디의 반경 방향 내측에 배치되는 진공 공간에 진공 흡입홀이 밀집되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention, the body having a top and bottom; A plurality of support walls protruding from a top surface of the body to a predetermined height and forming a plurality of independent vacuum spaces; A vacuum supply hole to which a vacuum suction force for adsorbing a wafer is applied; A plurality of vacuum suction holes formed at a bottom of the plurality of vacuum spaces and to which a vacuum suction force applied to the vacuum supply holes is transmitted; And a vacuum diffusion passage configured to transfer a vacuum suction force applied to the vacuum supply hole to the vacuum suction hole, wherein the plurality of vacuum suction holes are formed at least one in the plurality of vacuum spaces, and are disposed in a radially inner side of the body. It provides a wafer chuck device characterized in that the vacuum suction holes are densely formed in the vacuum space.

상기 진공 확산 통로는, 상기 진공 공급홀과 연통되고, 상기 바디의 반경 방향으로 연장되는 제1 진공 확산 통로; 및 상기 제1 진공 확산 통로와 연통되고, 상기 제1 진공 확산 통로를 통해 전달되는 진공 흡입력이 상기 복수의 진공 흡입홀들로 분배되는 제2 진공 확산 통로를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 제2 진공 확산 통로는, 상기 바디의 하면에 형성되는 진공 확산 홈과, 상기 바디의 하면에 결합되는 확산 홈 덮개에 의해 둘러싸인 공간으로 정의될 수 있다.The vacuum diffusion passage may include: a first vacuum diffusion passage communicating with the vacuum supply hole and extending in a radial direction of the body; And a second vacuum diffusion passage in communication with the first vacuum diffusion passage and in which a vacuum suction force transmitted through the first vacuum diffusion passage is distributed to the plurality of vacuum suction holes. Furthermore, the second vacuum diffusion passage may be defined as a space surrounded by a vacuum diffusion groove formed on the bottom surface of the body and a diffusion groove cover coupled to the bottom surface of the body.

상기 복수의 진공 흡입홀은 상기 바디 상에 소정의 패턴으로 배치되되, 상기 패턴은, 상기 바디의 중심부로부터 상기 바디의 반경 방향 최외측에 위치한 진공 공간까지 상기 진공 흡입홀이 형성되는 제1 반경 패턴; 및 상기 바디의 중심부로부터 상기 반경 방향 최외측에 위치한 진공공간보다 내측에 위치하는 진공 공간까지 상기 진공 흡입홀이 형성되는 제2 반경 패턴을 포함할 수 있다.The plurality of vacuum suction holes are arranged in a predetermined pattern on the body, and the pattern is a first radial pattern in which the vacuum suction holes are formed from a central portion of the body to a vacuum space located at the outermost radial direction of the body. ; And a second radial pattern in which the vacuum suction hole is formed from a central portion of the body to a vacuum space located inside the vacuum space located at the outermost side in the radial direction.

상기 웨이퍼 척 장치는, 리프트 핀이 통과하기 위하여 상기 바디의 상면으로부터 하면까지 관통하여 형성되는 리프트 핀 홀을 더 포함할 수 있다. 나아가, 상기 웨이퍼 척 장치는, 상기 바디의 하면에 결합되며, 하면에 상기 리프트 핀 홀의 둘레를 따라 오링 홈이 형성되는 확산 홈 덮개; 상기 오링 홈에 삽입되며, 상기 리프트 핀과 밀착되는 내경을 가지는 오링; 및 상기 확산 홈 덮개에 결합되어 상기 오링을 지지하는 오링 덮개를 더 포함할 수 있다.The wafer chuck device may further include a lift pin hole formed to penetrate from the upper surface to the lower surface of the body for the lift pin to pass therethrough. Further, the wafer chuck device may include: a diffusion groove cover coupled to a lower surface of the body and having an o-ring groove formed on a lower surface of the lift pin hole; An O-ring inserted into the O-ring groove and having an inner diameter in close contact with the lift pin; And an O-ring cover coupled to the diffusion groove cover to support the O-ring.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 진공 흡입력에 의해 웨이퍼를 흡착시키는 진공 흡입홀이, 웨이퍼가 웨이퍼 척 장치로부터 잘 분리되는 웨이퍼 척 장치의 가장자리보다는 웨이퍼 척 장치의 중심부에 밀집하여 형성됨으로써, 진공 흡입홀이 웨이퍼 척 장치의 전체 면적에 걸쳐 균등하게 형성될 때보다 웨이퍼가 웨이퍼 척 장치에 견고하게 고정될 수 있는 효과가 있다. According to an embodiment of the present invention, the vacuum suction hole for adsorbing the wafer by the vacuum suction force is formed by densifying the center of the wafer chuck device rather than the edge of the wafer chuck device where the wafer is well separated from the wafer chuck device. There is an effect that the wafer can be firmly fixed to the wafer chuck device than when holes are formed evenly over the entire area of the wafer chuck device.

도 1은 종래 기술에 따른 진공식 웨이퍼 척 장치에 웨이퍼가 지지된 상태를 도시하는 수직 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치의 사시도이다.
도 3은 도 2의 웨이퍼 척 장치를 아래쪽에서 바라본 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 웨이퍼 척 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 A부분의 확대도이다.
도 6은 도 2의 웨이퍼 척 장치의 저면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치에 있어서 오링 및 오링 덮개가 바디에 결합된 상태에서 리프트 핀이 승강하는 상태를 도시하는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 웨이퍼가 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치에 안착되어 진공 흡입력에 의해 고정되는 과정을 순차적으로 도시하되, 도 4의 B-B'선에 따라 도시한 단면도이다.1 is a vertical sectional view showing a state in which a wafer is supported by a vacuum wafer chuck device according to the prior art.
2 is a perspective view of a wafer chuck device according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of the wafer chuck device of FIG. 2 viewed from below;
4 is a plan view of the wafer chuck device of FIG. 2.
5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 4.
6 is a bottom view of the wafer chuck device of FIG. 2.
FIG. 7 is a view illustrating a state in which a lift pin is raised and lowered in a state in which an O-ring and an O-ring lid are coupled to a body in the wafer chuck device according to the exemplary embodiment of the present invention.
8 to 10 are cross-sectional views sequentially illustrating a process in which a wafer is seated on a wafer chuck device according to an embodiment of the present invention and fixed by vacuum suction force.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치의 사시도이고, 도 3은 도 2의 웨이퍼 척 장치를 아래쪽에서 바라본 분해 사시도이다. 도 4는 도 2의 웨이퍼 척 장치의 평면도이고, 도 5는 도 4의 A부분의 확대도이며, 도 6은 도 2의 웨이퍼 척 장치의 저면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치에 있어서 오링 및 오링 덮개가 바디에 결합된 상태에서 리프트 핀이 승강하는 상태를 도시하는 도면이다.2 is a perspective view of a wafer chuck device according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an exploded perspective view of the wafer chuck device of FIG. 4 is a plan view of the wafer chuck device of FIG. 2, FIG. 5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 4, and FIG. 6 is a bottom view of the wafer chuck device of FIG. 2. FIG. 7 is a view illustrating a state in which a lift pin is raised and lowered in a state in which an O-ring and an O-ring lid are coupled to a body in the wafer chuck device according to the exemplary embodiment of the present invention.

이하의 설명에서는 웨이퍼 척 장치의 구조를 설명함에 있어서 웨이퍼가 안착되는 쪽을 '상측'으로 하고 그 반대쪽을 '하측'으로 하여 설명한다.In the following description, in describing the structure of the wafer chuck device, the side on which the wafer is seated is described as 'upper' and the opposite side is described as 'lower'.

도 2 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치(100)는 상면과 하면을 구비하는 바디(110), 바디(110)의 상면으로부터 소정의 높이로 돌출되어 형성되고 서로 독립된 복수의 진공 공간을 형성하는 복수의 지지벽(120), 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 흡입력이 인가되는 진공 공급홀(160), 복수의 진공 공간의 바닥에 형성되고 진공 공급홀(160)에 인가되는 진공 흡입력이 전달되는 복수의 진공 흡입홀(140), 진공 공급홀(160)에 인가된 진공 흡입력을 진공 흡입홀(140)로 전달하는 제1 진공 확산 통로(150) 및 제2 진공 확산 통로, 리프트 핀 홀(170), 확산 홈 덮개 홈(114), 확산 홈 덮개(230), 오링(200), 및 오링 덮개(210)를 포함한다. 2 to 7, the wafer chuck apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention is formed by protruding a predetermined height from a body 110 having an upper surface and a lower surface and an upper surface of the body 110. A plurality of support walls 120 forming a plurality of independent vacuum spaces, a vacuum supply hole 160 to which a vacuum suction force is applied to adsorb the wafer, and a vacuum supply hole 160 formed at a bottom of the plurality of vacuum spaces. A plurality of vacuum suction holes 140 to which the applied vacuum suction force is transmitted, a first vacuum diffusion passage 150 and a second vacuum diffusion to transfer the vacuum suction force applied to the vacuum supply hole 160 to the vacuum suction hole 140 A passageway, lift pin hole 170, diffusion groove cover groove 114, diffusion groove cover 230, O-ring 200, and O-ring cover 210.

바디(110)는 소정의 두께를 가지며 원형의 판 형태로 이루어진다. 바디(110)의 형상은 필요에 따라 다양하게 변형 가능한데, 본 실시예에서는 원판형 웨이퍼를 지지하기 위하여 바디(110)가 원형으로 이루어지는 것으로 도시하였다. 바디(110)의 상면에는 웨이퍼가 안착되고, 바디(110)의 하면에는 지지체 홀더(미도시)가 위치할 수 있다. 지지체 홀더는 웨이퍼 척 장치(100)를 지지 및 이동시키며, 웨이퍼를 고정시키기 위한 진공 흡입력을 웨이퍼 척 장치(100)에 제공할 수 있다.The body 110 has a predetermined thickness and has a circular plate shape. The shape of the body 110 may be variously modified as necessary. In the present embodiment, the body 110 is illustrated as having a circular shape in order to support the disk-shaped wafer. A wafer may be seated on an upper surface of the body 110, and a support holder (not shown) may be positioned on a lower surface of the body 110. The support holder supports and moves the wafer chuck device 100, and may provide a vacuum suction force to the wafer chuck device 100 to fix the wafer.

복수의 지지벽(120) 및 복수의 진공 흡입홀(140)은 바디(110)의 상면에 형성되고, 확산 홈 덮개 홈(114), 진공 공급홀(118) 및 진공 확산 홈(154)은 바디(110)의 하면에 형성되며, 제1 진공 확산 통로(150)는 바디(110)의 내부에 형성되고, 리프트 핀 홀(170)은 바디(110)의 상하를 관통하여 형성된다.The plurality of support walls 120 and the plurality of vacuum suction holes 140 are formed on the upper surface of the body 110, and the diffusion groove cover groove 114, the vacuum supply hole 118, and the vacuum diffusion groove 154 are the body. It is formed on the lower surface of the 110, the first vacuum diffusion passage 150 is formed in the interior of the body 110, the lift pin hole 170 is formed through the upper and lower body 110.

복수의 지지벽(120)은 바디(110)의 상면에 수직으로 돌출되며, 어느 하나의 지지벽(120)은 인접하는 다른 지지벽(120)과 바디(110)의 반경 방향으로 소정 거리 이격하여 배치된다. 지지벽(120)은 웨이퍼의 하면을 지지하며, 웨이퍼는 지지벽(120)에 안착되어 바디(110)의 상면으로부터 지지벽(120)의 높이만큼 이격되어 지지된다. 따라서, 지지벽(120)의 상단은 평탄하게 구성되는 것이 바람직하며, 지지벽(120)들은 모두 동일한 높이로 형성되는 것이 바람직하다. The plurality of support walls 120 protrude perpendicularly to the upper surface of the body 110, and one support wall 120 is spaced apart from the other support wall 120 adjacent to the adjacent support wall 120 by a predetermined distance in a radial direction. Is placed. The support wall 120 supports the lower surface of the wafer, and the wafer is seated on the support wall 120 to be spaced apart from the upper surface of the body 110 by the height of the support wall 120. Therefore, the upper end of the support wall 120 is preferably configured to be flat, it is preferable that the support walls 120 are all formed at the same height.

어느 하나의 지지벽과 반경 방향으로 인접하는 다른 지지벽 사이에는 평면을 기준으로 밀폐된 공간이 형성되는데, 이하에서는 이를 진공 공간이라고 한다. 진공 공간은, 인접한 두 지지벽에 의해 형성되기도 하지만, 하나의 지지벽이 폐곡선을 이룸으로써 형성되기도 한다. 각 진공 공간들은 밀폐된 공간을 형성하며, 각 진공 공간은 다른 진공 공간과 완전히 분리된 공간을 형성한다.An airtight space is formed between the one support wall and the other support wall adjacent in the radial direction, which is hereinafter referred to as a vacuum space. The vacuum space may be formed by two adjacent support walls, but may also be formed by one support wall forming a closed curve. Each vacuum space forms an enclosed space, and each vacuum space forms a space completely separated from other vacuum spaces.

진공 공간은 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서는 지지벽(120)의 평면 형상이 원형으로 형성됨에 따라 진공 공간의 일부가 원형 또는 원호 형상을 이루나, 지지벽(120)의 평면 형상은 밀폐된 진공 공간을 형성할 수 있는 구조인 한 사각형, 육각형과 같이 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 따라 진공 공간의 형상 또한 그에 대응하여 결정된다. 지지벽(120)에 의해 지지되는 웨이퍼에 처짐이 발생하지 않도록 지지벽(120)은 적당한 형상 및 개수로 구비될 수 있다.The vacuum space can have various planar shapes. In this embodiment, as the planar shape of the support wall 120 is circular, a part of the vacuum space forms a circular or arc shape, but the planar shape of the support wall 120 is a structure capable of forming a closed vacuum space. It may have a variety of shapes, such as a square, a hexagon, so that the shape of the vacuum space is also correspondingly determined. The support wall 120 may be provided in an appropriate shape and number so that sag does not occur in the wafer supported by the support wall 120.

진공 확산 홈(154)은 바디(110)의 하면에 소정의 깊이로 형성된다. 진공 확산 홈(154)은 소정의 평면 형상을 가질 수 있는데, 진공 확산 홈(154)의 평면 형상은 바디(110) 상에 형성되는 진공 흡입홀(140)의 배치 패턴에 의해 결정된다. 본 실시예에서, 진공 확산 홈(154)은 지름을 달리하는 동심원 형상의 진공 확산 홈(156) 및 동심원 형상의 진공 확산 홈(156)을 가로지르도록 반경 방향으로 연장되는 방사선 형상의 진공 확산 홈(155)을 포함한다. 진공 확산 홈(154)은 제1 진공 확산 통로(150)와 연통된다. 바디(110)의 하면에는 확산 홈 덮개(230)가 삽입되어 결합되는 확산 홈 덮개 홈(114)이 형성되는데, 바디(110)의 확산 홈 덮개 홈(114)에 확산 홈 덮개(230)가 결합되면 확산 홈 덮개(230)의 상면과 진공 확산 홈(154)에 의해 둘러싸인 공간이 제2 진공 확산 통로로 정의된다. 제2 진공 확산 통로는 진공 공급홀(160)에 인가되어 제1 진공 확산 통로(150)를 통해 전달되는 진공 흡입력을 복수의 진공 흡입홀(140)로 분배하는 통로 역할을 한다.The vacuum diffusion groove 154 is formed at a predetermined depth on the lower surface of the body 110. The vacuum diffusion groove 154 may have a predetermined planar shape. The planar shape of the vacuum diffusion groove 154 is determined by an arrangement pattern of the vacuum suction hole 140 formed on the body 110. In this embodiment, the vacuum diffusion groove 154 is a radial diffusion vacuum diffusion groove extending radially across the diameter of the concentric circular vacuum diffusion groove 156 and the concentric circular vacuum diffusion groove 156. 155. The vacuum diffusion groove 154 is in communication with the first vacuum diffusion passage 150. Diffusion groove cover groove 114 is formed in the lower surface of the body 110 is inserted into the diffusion groove cover 230, the diffusion groove cover 230 is coupled to the diffusion groove cover groove 114 of the body 110. The space surrounded by the upper surface of the diffusion groove cover 230 and the vacuum diffusion groove 154 is defined as the second vacuum diffusion passage. The second vacuum diffusion passage is applied to the vacuum supply hole 160 to serve as a passage for distributing the vacuum suction force transmitted through the first vacuum diffusion passage 150 to the plurality of vacuum suction holes 140.

한편, 본 실시예에서, 진공 확산 홈(154)은 동심원 형상의 진공 확산 홈(156) 및 방사선 형상의 진공 확산 홈(155)으로 이루어지도록 구성되나, 진공 확산 홈(154)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 진공 흡입홀(140)의 배치 및 제1 진공 확산 통로(150)의 형성 위치에 따라 다양하게 변경 가능하다.On the other hand, in the present embodiment, the vacuum diffusion groove 154 is configured to consist of the concentric vacuum diffusion groove 156 and the radiation-shaped vacuum diffusion groove 155, the shape of the vacuum diffusion groove 154 is limited thereto. However, it may be variously changed according to the arrangement of the vacuum suction hole 140 and the formation position of the first vacuum diffusion passage 150.

제1 진공 확산 통로(150)는 바디(110)의 상면과 하면 사이에 형성되고, 바디(110)의 반경 방향으로 연장된다. 제1 진공 확산 통로(150)는 진공 공급홀(160)에 연통됨과 동시에 제2 진공 확산 통로에 연통된다. 제1 진공 확산 통로(150)는 진공 공급홀(160)에 인가되는 진공 흡입력을 제2 진공 확산 통로로 전달하는 통로 역할을 한다. 따라서, 진공 공급홀(160)에 공급된 진공 흡입력은 제1 진공 확산 통로(150)를 거쳐 제2 진공 확산 통로로 전달된 후, 제2 진공 확산 통로에서 분배되어 각 진공 흡입홀(140)에 공급된다. 본 실시예에서, 제1 진공 확산 통로(150)는 하나만 구비되나, 진공 확산 홈(154)의 형성 위치 및 형상 등을 고려하여 진공 확산 통로(150)의 개수 및 형성 위치 등이 변경될 수 있다. 제1 진공 확산 통로(150)를 바디(110)에 형성하기 위한 방법으로서, 바디(110)의 측면으로부터 소정의 깊이로 드릴링 가공하는 방식이 이용될 수 있다. 이때 바디(110)의 측면에 형성된 제1 진공 확산 통로(150)의 단부에 막음 부재(152)를 삽입하여 제1 진공 확산 통로(150)의 단부를 폐쇄시킬 수 있다.The first vacuum diffusion passage 150 is formed between the upper and lower surfaces of the body 110 and extends in the radial direction of the body 110. The first vacuum diffusion passage 150 communicates with the vacuum supply hole 160 and simultaneously with the second vacuum diffusion passage. The first vacuum diffusion passage 150 serves as a passage for transferring a vacuum suction force applied to the vacuum supply hole 160 to the second vacuum diffusion passage. Accordingly, the vacuum suction force supplied to the vacuum supply hole 160 is transferred to the second vacuum diffusion passage through the first vacuum diffusion passage 150 and then distributed in the second vacuum diffusion passage to each vacuum suction hole 140. Supplied. In the present embodiment, only one first vacuum diffusion passage 150 is provided, but the number and formation positions of the vacuum diffusion passage 150 may be changed in consideration of the formation position and shape of the vacuum diffusion groove 154. . As a method for forming the first vacuum diffusion passage 150 in the body 110, a method of drilling a predetermined depth from the side surface of the body 110 may be used. In this case, the blocking member 152 may be inserted into an end portion of the first vacuum diffusion passage 150 formed on the side of the body 110 to close the end portion of the first vacuum diffusion passage 150.

진공 공급홀(160)은 바디(110)의 하면 일측에 형성되며, 바디(110)의 하면으로부터 제1 진공 확산 통로(150)가 위치하는 깊이까지 연장된다. 진공 공급홀(160)에는 진공 흡입력을 공급하기 위한 진공 공급 라인(미도시)이 연결되며, 진공 펌프와 같은 진공 흡입력 발생수단(미도시)에 의해 발생된 진공 흡입력이 진공 공급 라인을 통해 공급된다. 본 실시예에서 제1 진공 확산 통로(150)가 하나만 구비됨으로써 진공 공급홀(160)은 하나가 형성되나, 제1 진공 확산 통로(150)의 개수에 따라 진공 공급홀(160)은 둘 이상 형성될 수 있으며 형성 위치 또한 다양하게 변경 가능하다. The vacuum supply hole 160 is formed at one side of the lower surface of the body 110, and extends from the lower surface of the body 110 to a depth at which the first vacuum diffusion passage 150 is located. A vacuum supply line (not shown) for supplying a vacuum suction force is connected to the vacuum supply hole 160, and a vacuum suction force generated by a vacuum suction force generating means (not shown) such as a vacuum pump is supplied through the vacuum supply line. . In this embodiment, since only one first vacuum diffusion passage 150 is provided, one vacuum supply hole 160 is formed, but two or more vacuum supply holes 160 are formed according to the number of first vacuum diffusion passages 150. The position of formation may also be variously changed.

진공 흡입홀(140)은 진공 공간의 바닥에 형성된다. 진공 흡입홀(140)은 진공 공간의 바닥으로부터 바디(110)의 내측으로 연장되어 진공 확산 홈(154)과 연통된다. 진공 흡입홀(140)은 제1 진공 확산 통로(150) 및 제2 진공 확산 통로에 의해 진공 공급홀(160)과 연통됨으로써, 진공 공급홀(160)을 통해 인가되는 진공 흡입력은 제1 진공 확산 통로(150) 및 제2 진공 확산 통로를 거쳐 진공 흡입홀(140)에 작용함으로써 각 진공 공간에 진공 흡입력이 작용하게 된다. 진공 공간에 진공 흡입력이 작용하면 진공 공간이 진공화됨으로써 웨이퍼가 진공 흡입력에 의해 흡착된다.The vacuum suction hole 140 is formed at the bottom of the vacuum space. The vacuum suction hole 140 extends from the bottom of the vacuum space into the body 110 to communicate with the vacuum diffusion groove 154. The vacuum suction hole 140 communicates with the vacuum supply hole 160 by the first vacuum diffusion passage 150 and the second vacuum diffusion passage, so that the vacuum suction force applied through the vacuum supply hole 160 is the first vacuum diffusion. The vacuum suction force acts on each vacuum space by acting on the vacuum suction hole 140 through the passage 150 and the second vacuum diffusion passage. When the vacuum suction force acts on the vacuum space, the vacuum space is evacuated and the wafer is sucked by the vacuum suction force.

웨이퍼 척 장치(100)에 의해 지지되는 웨이퍼를 안정적으로 고정시키기 위해서 진공 흡입홀(140)은 바디(110) 상에서 소정의 패턴으로 배치된다. 본 발명의 특징 중 하나는, 바디(110) 상에 형성되는 복수의 진공 공간에 진공 흡입홀(140)이 적어도 하나씩 형성되되, 반경 방향 내측에 배치되는 진공 공간에 진공 흡입홀(140)이 밀집되어 형성되는 점에 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는, 바디(110)의 중심부로부터 반경 방향 제일 외측에 위치한 진공 공간까지 진공 흡입홀(140)이 형성되는 제1 반경 패턴이 세 개 구비되고, 바디(110)의 중심부로부터 반경 방향 중간 정도에 위치한 진공 공간까지 진공 흡입홀(140)이 형성되는 제2 반경 패턴이 세 개 구비된다. 진공 흡입홀(140)의 배치 패턴이 이와 같은 구조를 이룸으로써, 진공 흡입홀(140)은 바디(110)의 전체 면적에 걸쳐 균일하게 형성되기 보다는 바디(110)의 중심부에 밀집하여 형성된다. 이는, 웨이퍼가 웨이퍼 척 장치(100)에 고정될 때 웨이퍼 척 장치(100)의 가장자리 부분에서 분리가 잘 일어나기 때문에 진공 흡입력을 발생하는 진공 흡입홀(140)을 웨이퍼 척 장치(100)의 중심부에 밀집시켜 웨이퍼를 바디(110)의 중심부에서 더욱 견고하게 고정시키기 위함이다. 그러나, 진공 흡입홀(140)의 배치 패턴은 본 실시예에 도시된 것에 한정되지 않는다.In order to stably fix the wafer supported by the wafer chuck device 100, the vacuum suction hole 140 is disposed in a predetermined pattern on the body 110. One of the features of the present invention, at least one vacuum suction hole 140 is formed in a plurality of vacuum space formed on the body 110, the vacuum suction hole 140 is concentrated in the vacuum space disposed in the radially inner side The point is that it is formed. As shown in FIG. 4, in the present embodiment, three first radial patterns having the vacuum suction holes 140 are formed from the center of the body 110 to the vacuum space located at the outermost side in the radial direction, and the body ( Three second radial patterns in which the vacuum suction hole 140 is formed from the central portion of the 110 to the vacuum space located about halfway in the radial direction are provided. As the arrangement pattern of the vacuum suction hole 140 achieves such a structure, the vacuum suction hole 140 is densely formed in the center of the body 110, rather than being uniformly formed over the entire area of the body 110. This is because when the wafer is fixed to the wafer chuck device 100, separation occurs well at the edge portion of the wafer chuck device 100, so that the vacuum suction hole 140, which generates a vacuum suction force, is located at the center of the wafer chuck device 100. The density is to fix the wafer more firmly at the center of the body 110. However, the arrangement pattern of the vacuum suction hole 140 is not limited to that shown in this embodiment.

리프트 핀 홀(170)은 바디(110)의 상면으로부터 하면까지 관통하여 형성된다. 리프트 핀 홀(170)은 지지체 홀더 등에 구비되는 리프트 핀(도 7의 300)이 바디(110)의 하부로부터 통과하는 통로이다. 리프트 핀(300)은 리프트 핀 홀(170)을 통해 상측으로 이동하여 바디(110)의 상면에 안착된 웨이퍼의 하면을 들어 올리며, 이에 의해 웨이퍼는 웨이퍼 척 장치(100)로부터 분리된다. 리프트 핀 홀(170)의 개수는 필요에 따라 변경될 수 있으며, 리프트 핀 홀(170)이 복수로 구비되는 경우 각 리프트 핀 홀(170)들은 바디(110)의 중심을 중심으로 등각을 이루어 방사형으로 배치되는 것이 바람직하다.The lift pin hole 170 penetrates from an upper surface to a lower surface of the body 110. The lift pin hole 170 is a passage through which a lift pin (300 of FIG. 7) provided in a support holder or the like passes from the lower portion of the body 110. The lift pin 300 moves upward through the lift pin hole 170 to lift the lower surface of the wafer seated on the upper surface of the body 110, whereby the wafer is separated from the wafer chuck device 100. The number of lift pin holes 170 may be changed as needed. When a plurality of lift pin holes 170 are provided, the lift pin holes 170 are radially formed at an angle about the center of the body 110. It is preferred to be arranged.

본 실시예에서, 리프트 핀 홀(170)은 진공 공간 내에 위치하므로, 리프트 핀 홀(170)이 위치한 진공 공간의 진공 흡입력이 리프트 핀 홀(170)을 통해 새는 것을 방지하기 위하여 바디(110) 상면의 리프트 핀 홀(170)의 둘레에는 다른 지지벽(120)과 동일한 높이의 지지벽(120)이 형성되는 것이 바람직하다.In this embodiment, since the lift pin hole 170 is located in the vacuum space, the upper surface of the body 110 to prevent the vacuum suction force of the vacuum space in which the lift pin hole 170 is located leaks through the lift pin hole 170. It is preferable that a support wall 120 having the same height as the other support walls 120 is formed around the lift pin hole 170.

상술한 바와 같이, 확산 홈 덮개(230)는 바디(110)의 하면에 형성되는 확산 홈 덮개 홈(114)에 삽입되어 진공 확산 홈(154)과의 사이에서 제2 진공 확산 통로를 정의한다. 확산 홈 덮개(230)의 하면에는 오링(200)이 삽입되는 오링 홈(234) 및 오링 덮개(210)가 삽입되는 오링 덮개 홈(232)이 형성된다. As described above, the diffusion groove cover 230 is inserted into the diffusion groove cover groove 114 formed in the lower surface of the body 110 to define a second vacuum diffusion passage between the vacuum diffusion groove 154. An o-ring groove 234 into which the O-ring 200 is inserted and an O-ring cover groove 232 into which the O-ring cover 210 is inserted are formed on the bottom surface of the diffusion groove cover 230.

오링 덮개 홈(232)은 확산 홈 덮개(230)의 하면에 형성되되 평면상에서 리프트 핀 홀(170)이 오링 덮개 홈(232)의 내측에 위치하도록 구비된다. 오링 덮개 홈(232)에는 오링 덮개(210)가 삽입되어 결합된다. The O-ring cover groove 232 is formed on the lower surface of the diffusion groove cover 230, but is provided so that the lift pin hole 170 is located inside the O-ring cover groove 232 on the plane. The O-ring cover 210 is inserted into and coupled to the O-ring cover groove 232.

오링 덮개(210)는 확산 홈 덮개(230)의 하면에 구비되는 오링(200)을 하측에서 지지하여 오링(200)이 확산 홈 덮개(230)에 결합된 상태가 유지될 수 있도록 한다. 오링 덮개(210)는 볼트(220)와 같은 결합수단에 의해 확산 홈 덮개(230)에 고정될 수 있는데, 이를 위해, 오링 덮개(210)에는 볼트(220)가 관통하는 관통홀(214)이 형성될 수 있다.The O-ring cover 210 supports the O-ring 200 provided on the lower surface of the diffusion groove cover 230 from the lower side to maintain the state in which the O-ring 200 is coupled to the diffusion groove cover 230. The O-ring cover 210 may be fixed to the diffusion groove cover 230 by a coupling means such as a bolt 220, for this purpose, the O-ring cover 210 has a through hole 214 through which the bolt 220 penetrates. Can be formed.

오링 홈(234)은 오링 덮개 홈(232)의 내측에 형성되되 리프트 핀 홀(170)의 둘레를 따라 소정의 깊이로 형성되며, 오링 홈(234)에는 오링(200)이 삽입된다. 오링 홈(234)에 오링(200)이 삽입된 상태에서 오링 덮개 홈(232)에 오링 덮개(210)가 결합되면 오링(200)은 오링 홈(234)에 고정된다. 오링(200)은 유연한 재질로 이루어지며, 오링(200)의 내경은 리프트 핀(300)의 직경보다 조금 더 작은 것이 바람직하다. 이에 의해, 도 7에 도시된 바와 같이, 리프트 핀(300)은 오링(200)의 내주면에 밀착되고, 리프트 핀(300)이 상하로 움직이더라도 오링(200) 내주면과 리프트 핀(300)이 밀착된 상태가 유지될 수 있기 때문에, 리프트 핀 홀(170)을 통해 진공 흡입력이 새는 것이 방지된다.The O-ring groove 234 is formed inside the O-ring cover groove 232 to a predetermined depth along the circumference of the lift pin hole 170, the O-ring 200 is inserted into the O-ring groove 234. When the O-ring cover 210 is coupled to the O-ring cover groove 232 while the O-ring 200 is inserted into the O-ring groove 234, the O-ring 200 is fixed to the O-ring groove 234. O-ring 200 is made of a flexible material, the inner diameter of the O-ring 200 is preferably a little smaller than the diameter of the lift pin (300). As a result, as shown in FIG. 7, the lift pin 300 is in close contact with the inner circumferential surface of the O-ring 200, and even though the lift pin 300 moves up and down, the inner circumferential surface of the O-ring 200 is closely in contact with the lift pin 300. Since the closed state can be maintained, the vacuum suction force is prevented from leaking through the lift pin hole 170.

이하, 전술한 구성요소를 참조하여 본 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치의 작동과정을 설명한다. Hereinafter, an operation process of the wafer chuck apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the above-described components.

도 8 내지 도 10은 웨이퍼가 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 척 장치에 안착되어 진공 흡입력에 의해 고정되는 과정을 순차적으로 도시하되, 도 4의 B-B'선에 따라 도시한 단면도로서, 도 8은 웨이퍼가 바디의 상면에 안착된 상태를 도시하는 도면이고, 도 9는 진공 공급홀에 진공 흡입력이 공급되어 웨이퍼의 하면에 진공 흡입력이 작용하기 시작하는 상태를 도시하는 도면이고, 도 10은 진공 공간이 완전히 진공화되어 웨이퍼가 웨이퍼 척 장치에 고정된 상태를 도시하는 도면이다.8 to 10 are cross-sectional views sequentially illustrating a process in which a wafer is seated in a wafer chuck device according to an embodiment of the present invention and fixed by a vacuum suction force, and taken along line BB ′ of FIG. 4. FIG. 8 is a view illustrating a state in which a wafer is seated on an upper surface of the body, FIG. 9 is a view illustrating a state in which a vacuum suction force is supplied to a vacuum supply hole and a vacuum suction force starts to act on the lower surface of the wafer. Is a view showing a state where the vacuum space is completely evacuated so that the wafer is fixed to the wafer chuck device.

도 8을 참조하면, 웨이퍼(400)가 바디(110)에 안착되면 웨이퍼(400)의 하면에 의해 진공 공간(130)이 밀폐된다. 이 상태에서, 진공 공급홀(160)에 진공 흡입력이 공급되면, 도 9에 도시된 바와 같이, 진공 공간(130)의 공기는 진공 흡입홀(140)을 통해 배출되며, 이에 따라, 도 10에 도시된 바와 같이, 진공 공간(130)이 진공화되어 웨이퍼(400)에는 진공 흡입력이 작용함으로써 웨이퍼(400)는 웨이퍼 척 장치(100)에 흡착되어 고정된다. 이러한 진공 흡입력은 진공 흡입홀(140)이 밀집되어 형성된 바디(110)의 중심부에서 가장 강력하게 작용하기 때문에, 웨이퍼(400)의 가장자리가 웨이퍼 척 장치로부터 분리되더라도 웨이퍼(400)가 웨이퍼 척 장치로부터 완전히 분리되는 것이 방지된다.Referring to FIG. 8, when the wafer 400 is seated on the body 110, the vacuum space 130 is sealed by the bottom surface of the wafer 400. In this state, when the vacuum suction force is supplied to the vacuum supply hole 160, as shown in FIG. 9, air in the vacuum space 130 is discharged through the vacuum suction hole 140, and accordingly, in FIG. 10. As shown, the vacuum space 130 is evacuated so that the vacuum suction force acts on the wafer 400 so that the wafer 400 is absorbed and fixed to the wafer chuck device 100. Since the vacuum suction force acts most strongly at the center of the body 110 formed by dense vacuum suction holes 140, the wafer 400 is removed from the wafer chuck device even if the edge of the wafer 400 is separated from the wafer chuck device. Full separation is prevented.

이후, 웨이퍼(400)를 바디(110)로부터 분리시키고자 할 경우에는, 도 7에 도시된 바와 같이 리프트 핀(300)이 리프트 핀 홀(170)을 통과하여 웨이퍼(400)의 밑면을 들어올려 웨이퍼(400)를 바디(110)로부터 이격시킨다.Thereafter, when the wafer 400 is to be separated from the body 110, the lift pin 300 passes through the lift pin hole 170 and lifts the bottom surface of the wafer 400 as shown in FIG. 7. The wafer 400 is spaced apart from the body 110.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the technical idea of the present invention. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 웨이퍼 척 장치 110: 바디
120: 지지벽 140: 진공 흡입홀
150: 제1 진공 확산 통로 155: 진공 확산 홈
160: 진공 공급홀 170: 리프트 핀 홀
200: 오링 210: 오링 덮개
220: 볼트 230: 확산 홈 덮개
300: 리프트 핀 400: 웨이퍼100: wafer chuck device 110: body
120: support wall 140: vacuum suction hole
150: first vacuum diffusion passage 155: vacuum diffusion groove
160: vacuum supply hole 170: lift pin hole
200: O-ring 210: O-ring cover
220: bolt 230: diffusion groove cover
300: lift pin 400: wafer

Claims (6)

상면과 하면을 구비하는 바디;
상기 바디의 상면으로부터 소정의 높이로 돌출되어 형성되고, 서로 독립된 복수의 진공 공간을 형성하는 복수의 지지벽;
웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 흡입력이 인가되는 진공 공급홀;
상기 복수의 진공 공간의 바닥에 형성되고, 상기 진공 공급홀에 인가되는 진공 흡입력이 전달되는 복수의 진공 흡입홀; 및
상기 진공 공급홀에 인가된 진공 흡입력을 상기 진공 흡입홀로 전달하는 진공 확산 통로;
리프트 핀이 통과하기 위하여 상기 바디의 상면으로부터 하면까지 관통하여 형성되는 리프트 핀 홀;
상기 바디의 하면에 결합되며, 하면에 상기 리프트 핀 홀의 둘레를 따라 오링 홈이 형성되는 확산 홈 덮개;
상기 오링 홈에 삽입되며, 상기 리프트 핀과 밀착되는 내경을 가지는 오링; 및
상기 확산 홈 덮개에 결합되어 상기 오링을 지지하는 오링 덮개
를 포함하며,
상기 복수의 진공 흡입홀은 상기 복수의 진공 공간에 적어도 하나씩 형성되되, 상기 바디의 반경 방향 내측에 배치되는 진공 공간에 진공 흡입홀이 밀집되어 형성되는 것을 특징으로 하는
중앙 밀집식 흡입홀을 구비하는 웨이퍼 척 장치.A body having an upper surface and a lower surface;
A plurality of support walls protruding from a top surface of the body to a predetermined height and forming a plurality of independent vacuum spaces;
A vacuum supply hole to which a vacuum suction force for adsorbing a wafer is applied;
A plurality of vacuum suction holes formed at a bottom of the plurality of vacuum spaces and to which a vacuum suction force applied to the vacuum supply holes is transmitted; And
A vacuum diffusion passage configured to transfer a vacuum suction force applied to the vacuum supply hole to the vacuum suction hole;
A lift pin hole formed to penetrate from an upper surface to a lower surface of the body for the lift pin to pass therethrough;
A diffusion groove cover coupled to a lower surface of the body and having an o-ring groove formed on a lower surface of the lift pin hole;
An O-ring inserted into the O-ring groove and having an inner diameter in close contact with the lift pin; And
O-ring cover coupled to the diffusion groove cover for supporting the O-ring
Including;
The plurality of vacuum suction holes are formed at least one in the plurality of vacuum spaces, characterized in that the vacuum suction holes are densely formed in the vacuum space disposed in the radially inner side of the body
Wafer chuck device having a central dense suction hole. 제1항에 있어서,
상기 진공 확산 통로는,
상기 진공 공급홀과 연통되고, 상기 바디의 반경 방향으로 연장되는 제1 진공 확산 통로; 및
상기 제1 진공 확산 통로와 연통되고, 상기 제1 진공 확산 통로를 통해 전달되는 진공 흡입력이 상기 복수의 진공 흡입홀들로 분배되는 제2 진공 확산 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는
중앙 밀집식 흡입홀을 구비하는 웨이퍼 척 장치.The method of claim 1,
The vacuum diffusion passage,
A first vacuum diffusion passage communicating with the vacuum supply hole and extending in a radial direction of the body; And
And a second vacuum diffusion passage communicating with the first vacuum diffusion passage, wherein a vacuum suction force transmitted through the first vacuum diffusion passage is distributed to the plurality of vacuum suction holes.
Wafer chuck device having a central dense suction hole. 제2항에 있어서,
상기 제2 진공 확산 통로는,
상기 바디의 하면에 형성되는 진공 확산 홈과, 상기 바디의 하면에 결합되는 확산 홈 덮개에 의해 둘러싸인 공간으로 정의되는 것을 특징으로 하는
중앙 밀집식 흡입홀을 구비하는 웨이퍼 척 장치.3. The method of claim 2,
The second vacuum diffusion passage,
And a space surrounded by a vacuum diffusion groove formed in the lower surface of the body and a diffusion groove cover coupled to the lower surface of the body.
Wafer chuck device having a central dense suction hole. 제1항에 있어서,
상기 복수의 진공 흡입홀은 상기 바디 상에 소정의 패턴으로 배치되되,
상기 패턴은,
상기 바디의 중심부로부터 상기 바디의 반경 방향 최외측에 위치한 진공 공간까지 상기 진공 흡입홀이 형성되는 제1 반경 패턴; 및
상기 바디의 중심부로부터 상기 반경 방향 최외측에 위치한 진공공간보다 내측에 위치하는 진공 공간까지 상기 진공 흡입홀이 형성되는 제2 반경 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는
중앙 밀집식 흡입홀을 구비하는 웨이퍼 척 장치.The method of claim 1,
The plurality of vacuum suction holes are arranged in a predetermined pattern on the body,
The pattern may be,
A first radial pattern in which the vacuum suction hole is formed from a central portion of the body to a vacuum space located at the outermost radial direction of the body; And
And a second radial pattern in which the vacuum suction hole is formed from a central portion of the body to a vacuum space located inside the vacuum space located at the outermost side in the radial direction.
Wafer chuck device having a central dense suction hole. 삭제delete 삭제delete
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