KR20030028985A - Wafer chuck of semiconductor device manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 제조용 장비에 관한 것으로, 특히, 장입되는 웨이퍼를 지지하는 역할을 하는 웨이퍼 척(wafer chuck)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to equipment for manufacturing semiconductor devices, and more particularly, to a wafer chuck that serves to support a wafer to be loaded.
반도체 소자 제조용 장비에는 장입되는 웨이퍼를 지지하는 역할을 하는 웨이퍼 척이 구비된다. 이와 같이 웨이퍼 척을 구비하는 반도체 소자 제조용 장비로는 노광 공정을 수행하는 노광 장비, 예컨대, 스캐너(scanner) 또는 스텝퍼(stepper)를 예로 들 수 있다. 노광 공정이 수행될 웨이퍼가 척에 안착되면, 척은 진공으로 웨이퍼를 잡아주게 된다. 이러한 진공으로 웨이퍼를 척이 잡은 상태에서 노광 공정, 즉, 레티클(reticle)에 존재하는 패턴이 웨이퍼 상으로 전사된다.Equipment for manufacturing a semiconductor device is equipped with a wafer chuck that serves to support the wafer to be charged. As such, a device for manufacturing a semiconductor device having a wafer chuck may be an exposure apparatus that performs an exposure process, for example, a scanner or a stepper. When the wafer to be subjected to the exposure process is seated on the chuck, the chuck holds the wafer under vacuum. With the vacuum holding the wafer, the exposure process, i.e., the pattern present in the reticle, is transferred onto the wafer.
도 1 및 도 2 각각은 종래의 웨이퍼 척을 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼(10)가 척(20)의 몸체에 안착되면, 척(20)의 표면에 형성되어 있는 진공 홀(vacuum hole:30)들에 인가되는 진공에 의해서 웨이퍼(10)는 척(20)에 흡착되어 척(20)에 잡히게 된다. 이러한 안착되는 웨이퍼(10)를 초기에 지지하기 위해서 척(20)의 표면 중앙에는 핀(pin) 형태의 지지대(25)가 구비된다. 이러한 지지대(20)는 척(20)에 웨이퍼(10)가 안착되거나 이탈될 때, 상하 운동으로 이러한 웨이퍼(10)의 안착 또는 이탈 작용을 도와주는 역할을 한다.1 and 2 are plan and cross-sectional views schematically showing a conventional wafer chuck. Referring to FIGS. 1 and 2, when the wafer 10 is seated on the body of the chuck 20, the wafer is applied by vacuum applied to vacuum holes 30 formed on the surface of the chuck 20. 10 is absorbed by the chuck 20 and is caught by the chuck 20. In order to initially support the seated wafer 10, a pin-shaped support 25 is provided at the center of the surface of the chuck 20. The support 20 serves to help the mounting or detachment of the wafer 10 by vertical movement when the wafer 10 is seated or detached from the chuck 20.
진공 홀(30)들은 척(20)의 상측 표면에 다수 개가 형성될 수 있으며, 이러한 진공 홀(30)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 척(20)의 몸체 내에 형성된 내부 진공 라인(41)을 통해서 인가되는 진공을 웨이퍼(10)의 뒷면에 제공하는 통로의 역할을 한다. 이러한 내부 진공 라인(41)은 척(20)의 표면에 형성된 다수의 진공 홀(30)에 모두 연결되고, 또한, 척(20)의 몸체에 연결된 외부 진공 라인(45)에 취합 연결된다. 외부 진공 라인(45)은 외부 진공 라인(45)에 연결된 내부 진공 라인(41)을 통해서 진공이 진공 홀(30)들에 전달되도록 외부의 진공 펌프(vacuum pump)에 연결된다. 이러한 진공 펌프로부터 제공되는 진공 정도를 제어하기 위해서 외부 진공 라인(45)의 중간에 진공 센서(vacuum sensor:50)가 설치되고, 이러한 진공 센서(50)는 진공 압력의 정도를 감지하여 진공 홀(30)에 인가되는 압력 정도를 관리하는 것이 가능하게 한다.A plurality of vacuum holes 30 may be formed on an upper surface of the chuck 20, and the vacuum holes 30 may be formed in the body of the chuck 20, as shown in FIG. 2. It serves as a passage for providing a vacuum applied through the) to the back of the wafer (10). These internal vacuum lines 41 are all connected to a plurality of vacuum holes 30 formed on the surface of the chuck 20, and are also connected to the external vacuum lines 45 connected to the body of the chuck 20. The external vacuum line 45 is connected to an external vacuum pump such that the vacuum is transferred to the vacuum holes 30 through an internal vacuum line 41 connected to the external vacuum line 45. In order to control the degree of vacuum provided from such a vacuum pump, a vacuum sensor 50 is installed in the middle of the external vacuum line 45, and the vacuum sensor 50 senses the degree of vacuum pressure to detect a vacuum hole ( It is possible to manage the degree of pressure applied to 30).
그런데, 이러한 웨이퍼 척(20)에서 웨이퍼(10)를 진공으로 잡을 때, 웨이퍼(10)의 중앙 부분에 웨이퍼(20)를 잡는 힘이 집중되어 상대적으로 웨이퍼(10)의 외곽 부분이 취약해질 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(10)의 중앙 부분에서의 진공 압력과 웨이퍼(10)의 외곽 부분에서의 진공 압력의 차이가 발생하여 웨이퍼(10)가 미세하게 휘어질 수 있다. 진공 홀(30)들이 웨이퍼(10)가 안착될 척(20)의 몸체 표면의 중심부에 밀집되어 있어 이러한 진공 압력의 불균일이 발생할 수 있다. 또한, 진공을 인가하는 경로가 단지 하나의 외부 진공 라인(45)과 하나의 진공 센서(50)에 의해 관리하고 있으므로, 이러한 진공 압력의 불균일에 따라 웨이퍼(10)가 휘어지는 것을 방지하기 어렵다.However, when the wafer 10 is vacuumed in the wafer chuck 20, the force holding the wafer 20 in the center portion of the wafer 10 is concentrated, so that the outer portion of the wafer 10 may be relatively weak. have. Accordingly, a difference between the vacuum pressure at the central portion of the wafer 10 and the vacuum pressure at the outer portion of the wafer 10 may occur, and the wafer 10 may be bent finely. Since the vacuum holes 30 are concentrated at the center of the body surface of the chuck 20 on which the wafer 10 is to be seated, such vacuum pressure nonuniformity may occur. In addition, since the path for applying the vacuum is managed by only one external vacuum line 45 and one vacuum sensor 50, it is difficult to prevent the wafer 10 from being bent due to the unevenness of the vacuum pressure.
이와 같은 웨이퍼(10)의 휨은 노광 공정 중에 포커스(focus) 단차 등과 같은 여러 공정 상의 문제를 유발할 수 있다. 이러한 문제점들의 발생은 웨이퍼의 크기가 점차 증가되고 있는 현실에 비추어 더욱 심화될 수 있다.Such warpage of the wafer 10 may cause various process problems such as a focus step during the exposure process. The occurrence of these problems may be further exacerbated by the reality that the size of the wafer is gradually increasing.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 장착되는 웨이퍼가 웨이퍼를 잡아주기 위해서 웨이퍼 뒷면에 인가되는 진공 압력의 불균일에 의해서 휘어지는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조용 장비에서의 웨이퍼 척을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a wafer chuck in a device for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the wafer to be bent from being bent due to the unevenness of the vacuum pressure applied to the back surface of the wafer to hold the wafer.
도 1 및 도 2 각각은 종래의 웨이퍼 척을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도이다.1 and 2 are respectively a plan view and a cross-sectional view schematically illustrating a conventional wafer chuck.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 척을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도이다.3 and 4 are a plan view and a cross-sectional view schematically illustrating the wafer chuck according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부호에 대한 간략한 설명><Brief description of the major symbols in the drawings>
100: 웨이퍼,200: 척 몸체,100: wafer, 200: chuck body,
300: 진공 홀(vacuum hole),300: vacuum hole,
411, 413, 415: 내부 진공 라인들(vacuum lines),411, 413, 415: internal vacuum lines,
451, 453, 455: 외부 진공 라인들,501, 503, 505: 진공 센서들.451, 453, 455: external vacuum lines, 501, 503, 505: vacuum sensors.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 웨이퍼를 지지하는 척 몸체와, 상기 웨이퍼의 뒷면이 상기 척 몸체의 표면에 흡착되도록 진공을 인가하는 통로로 이용되도록 상기 척의 표면에 형성되며 상기 척의 표면에 설정된 구분되는 영역들에 의해서 상기 영역별로 상호간에 구분되는 다수의 진공 홀들, 상기 영역별로 구분되는 진공 홀들에 각각 연결되어 상기 진공을 영역별로 독립적으로 인가하는 통로로 이용되고 상기 영역별로 상호간에 독립적인 다수의 진공 라인들과, 상기 영역별로 독립적인 진공 라인들 각각에 연결되어 상기 인가되는 진공 정도를 상기 영역별로 독립적으로 감지하여 상기 진공 홀들에 진공이 인가되는 정도를 상기 영역별로 각각 관리되도록 유도하는 다수의 진공 센서들, 및 상기 진공 라인들에 연결되어 상기 진공을 제공하는 진공 펌프를 포함하는 웨이퍼 척을 제공한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem, is formed on the surface of the chuck to be used as a chuck body for supporting a wafer, and the back side of the wafer is used as a passage for applying a vacuum so as to be adsorbed on the surface of the chuck body It is connected to a plurality of vacuum holes which are separated from each other by each area by the divided areas set on the surface of the chuck, vacuum holes which are divided by the areas, respectively, and used as a passage for independently applying the vacuum for each area. A plurality of vacuum lines that are independent of each other, and the degree of vacuum applied to each of the regions by being connected to each of the independent vacuum lines for each of the regions are independently sensed for each of the regions, respectively. A plurality of vacuum sensors leading to management and a phase connected to the vacuum lines A wafer chuck is provided that includes a vacuum pump that provides a vacuum.
상기 어느 한 영역내의 상기 진공 홀들은 상기 어느 하나의 진공 라인에 취합되어 공통으로 연결되어 다른 어느 하나의 상기 진공 라인에 대해 독립적일 수 있다. 상기 진공 홀들은 상기 척의 몸체 상측 표면의 상기 웨이퍼가 안착될 영역 전체에 걸쳐 분포되도록 형성될 수 있다.The vacuum holes in the one region may be joined to one of the vacuum lines and connected in common to each other to be independent of the other vacuum line. The vacuum holes may be formed to be distributed over the entire area where the wafer on the upper surface of the body of the chuck is to be seated.
본 발명에 따르면, 진공을 인가하여 안착된 웨이퍼를 잡아줄 때, 웨이퍼 전체 면에 걸쳐 인가되는 진공 압력을 균일하게 제어할 수 있어 웨이퍼가 휘어지는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 척을 제공할 수 있다.According to the present invention, when holding a wafer seated by applying a vacuum, it is possible to uniformly control the vacuum pressure applied over the entire surface of the wafer, thereby providing a wafer chuck that can prevent the wafer from bending.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나,본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면 상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements.
본 발명의 실시예에서는, 웨이퍼 척에 안착된 웨이퍼를 진공으로 잡아줄 때, 안착된 웨이퍼의 뒷면에 영역별로 독립적으로 진공을 인가하거나 제어 관리할 수 있도록, 영역별로 독립된 진공 라인들을 구비하는 웨이퍼 척을 제공한다.In an embodiment of the present invention, when the wafer seated on the wafer chuck is vacuumed, a wafer chuck having independent vacuum lines for each region may be applied to the back surface of the seated wafer so as to independently apply or control a vacuum for each region. To provide.
도 3 및 도 4 각각은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 척을 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.3 and 4 are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a wafer chuck according to an embodiment of the present invention.
구체적으로, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 척은 척 몸체(200)에 지지대(205)를 구비하고 있고, 웨이퍼(100)가 안착될 척 몸체(200)의 표면에는 다수의 진공 홀(300)들을 구비하고 있다. 웨이퍼(100)가 안착되면, 이러한 진공 홀(300)들을 통해 진공을 웨이퍼(100) 뒷면에 인가하여 안착된 웨이퍼(100)를 잡는 작용을 웨이퍼 척이 한다. 이때, 진공 홀(300)들은 웨이퍼(100)가 안착될 척의 몸체(200)의 상측 표면 영역의 전체에 걸쳐 형성된다. 이는 진공 홀(300)들이 안착되는 웨이퍼(100)의 뒷면의 전체에 걸쳐 진공을 균일하게 인가하도록 유도하기 위해서이다. 이러한 진공 홀(300)들의 배치는 웨이퍼(100)의 중심 부위와 외곽 부위에 각각 인가되는 진공 정도를 일정하게 유도하는 데 유리하다.Specifically, the wafer chuck according to the embodiment of the present invention includes a support 205 on the chuck body 200, and a plurality of vacuum holes 300 are provided on the surface of the chuck body 200 on which the wafer 100 is to be seated. Equipped with. When the wafer 100 is seated, the wafer chuck acts to catch the seated wafer 100 by applying a vacuum to the back surface of the wafer 100 through the vacuum holes 300. At this time, the vacuum holes 300 are formed over the entire upper surface area of the body 200 of the chuck on which the wafer 100 is to be seated. This is to induce a uniform application of vacuum over the entire back surface of the wafer 100 on which the vacuum holes 300 are seated. The arrangement of the vacuum holes 300 is advantageous for inducing a constant degree of vacuum applied to the center portion and the outer portion of the wafer 100, respectively.
척의 몸체(200)의 표면에 형성된 진공 홀(300)들에, 진공 홀(300)들이 형성된 영역들(210, 230, 250)별로 독립적으로 진공이 인가되도록 진공 라인들이 구비된다. 진공 라인들은 척의 몸체(200) 내부에 구비된 내부 진공 라인들(411, 413, 415)들과, 이러한 내부 진공 라인들(411, 413, 415)을 진공 펌프 또는 진공 펌프들에 연결시켜 주는 외부 진공 라인들(451, 453, 455)로 구분할 수 있다.Vacuum lines 300 are formed in the vacuum holes 300 formed on the surface of the body 200 of the chuck so that vacuum is independently applied to the regions 210, 230, and 250 in which the vacuum holes 300 are formed. The vacuum lines are internal vacuum lines 411, 413, 415 provided inside the body 200 of the chuck and an external connecting these internal vacuum lines 411, 413, 415 to a vacuum pump or vacuum pumps. Vacuum lines 451, 453, and 455.
또한, 진공 라인들은 진공 홀(300)들이 형성된 영역별로 상호 독립적으로 진공 홀(300)들에 연결된다. 예를 들어, 척의 몸체(200) 표면들은 중심부로부터 일정 지름 내의 다수의 영역들로 구분할 수 있다. 예컨대, 중심부로부터 일정 지름 내의 영역들을 제1영역(210), 제2영역(230) 및 제3영역(250)들로 구분할 수 있다. 이에 따라, 이러한 영역들 내에 포함되는 진공 홀들(300)은 영역별로 제1진공 홀들(310), 제2진공 홀들(330) 및 제3진공 홀들(350)들로 구분될 수 있다. 그리고, 이러한 진공 홀들(300)에 연결되는 내부 진공 라인들은 영역별로 각각 제1내부 진공 라인들(411), 제2진공 라인들(413) 및 제3진공 라인들(415)로 구분될 수 있다. 또한, 이러한 구분되는 내부 진공 라인들에 연결되는 외부 진공 라인들은 영역별로 제1외부 진공 라인(451), 제2외부 진공 라인(453) 및 제3외부 진공 라인(455)으로 구분될 수 있다.In addition, the vacuum lines are connected to the vacuum holes 300 independently of each other where the vacuum holes 300 are formed. For example, the surface of the body 200 of the chuck can be divided into a number of regions within a certain diameter from the center. For example, regions within a predetermined diameter from the center may be divided into the first region 210, the second region 230, and the third region 250. Accordingly, the vacuum holes 300 included in these areas may be divided into first vacuum holes 310, second vacuum holes 330, and third vacuum holes 350 by area. In addition, internal vacuum lines connected to the vacuum holes 300 may be divided into first internal vacuum lines 411, second vacuum lines 413, and third vacuum lines 415 for each region. . In addition, the external vacuum lines connected to the divided internal vacuum lines may be divided into a first external vacuum line 451, a second external vacuum line 453, and a third external vacuum line 455 for each region.
도 4에 묘사되듯이, 제1내부 진공 라인들(411)은 제1영역(210)의 제1진공 홀들(310)에 각각 연결되고, 또한, 제1외부 진공 라인(451)에 취합되어 연결될 수 있다. 제2내부 진공 라인들(413)은 제2영역(230)의 제2진공 홀들(330)에 각각 연결되고, 또한, 제2외부 진공 라인(453)에 취합되어 연결될 수 있다. 이와 유사하게,제3내부 진공 라인들(415)은 제3영역(250)의 제3진공 홀들(350)에 각각 연결되고, 제3외부 진공 라인(455)에 취합되어 연결될 수 있다. 따라서, 제1내부 진공 라인들(411), 제2내부 진공 라인들(413), 제3내부 진공 라인들(415)들 각각은 상호간에 독립적일 수 있다. 또한, 이러한 내부 진공 라인들(411, 413, 415)들에 각각 연결되는 제1외부 진공 라인(451), 제2외부 진공 라인(453), 제3외부 진공 라인(455) 각각은 상호간에 독립적일 수 있다.As illustrated in FIG. 4, the first inner vacuum lines 411 are respectively connected to the first vacuum holes 310 of the first region 210, and are also collected and connected to the first outer vacuum line 451. Can be. The second internal vacuum lines 413 may be connected to the second vacuum holes 330 of the second region 230, and may be connected to the second external vacuum line 453. Similarly, the third internal vacuum lines 415 may be connected to the third vacuum holes 350 of the third region 250, respectively, and may be collected and connected to the third external vacuum line 455. Thus, each of the first internal vacuum lines 411, the second internal vacuum lines 413, and the third internal vacuum lines 415 may be independent of each other. In addition, each of the first external vacuum line 451, the second external vacuum line 453, and the third external vacuum line 455, which are connected to the internal vacuum lines 411, 413, and 415, respectively, is independent of each other. Can be.
이와 같이 영역별로 상호간에 독립적인 외부 진공 라인들(451, 453, 455) 각각에는 상호간에 독립적인 진공 센서들(501, 503, 505)이 각각 설치된다. 이러한 진공 센서들(501, 503, 505)들은 상호간에 독립적으로 외부 진공 라인들(451, 453, 455)들에 인가되는 진공 정도를 각각 별도로 감지한다. 상호 독립적으로 작동하는 진공 센서들(501, 503, 505)들은 척의 몸체(200)의 영역별로 인가되는 진공 정도를 독립적으로 각각 감지한다.As such, each of the external vacuum lines 451, 453, and 455 that is independent of each other is provided with independent vacuum sensors 501, 503, and 505, respectively. The vacuum sensors 501, 503, and 505 separately detect the degree of vacuum applied to the external vacuum lines 451, 453, and 455 independently of each other. The vacuum sensors 501, 503, and 505 operating independently of each other independently detect the degree of vacuum applied for each region of the body 200 of the chuck.
예를 들어, 제1진공 센서(501)는 제1외부 진공 라인(451)에 인가되는 진공 정도를 감지하여, 결과적으로, 제1영역(210) 내로 구분된 제1진공 홀들(310)에 인가되는 진공 정도를 감지하게 된다. 이와 유사하게, 제2진공 센서(503)는 제2진공 홀들(330)에 인가되는 진공 정도를 감지하고, 제3진공 센서(505)는 제3진공 홀들(350)에 인가되는 진공 정도를 감지하게 된다.For example, the first vacuum sensor 501 senses the degree of vacuum applied to the first external vacuum line 451, and as a result, is applied to the first vacuum holes 310 divided into the first region 210. It will detect the degree of vacuum. Similarly, the second vacuum sensor 503 detects the degree of vacuum applied to the second vacuum holes 330, and the third vacuum sensor 505 detects the degree of vacuum applied to the third vacuum holes 350. Done.
이와 같이 독립적으로 각각 진공 센서들(501, 503, 505)들에 의해 감지된 진공 정도들을 이용하여, 각각의 영역들(210, 230, 250)들에 인가되는 진공 정도를 조절 제어 또는 관리할 수 있게 된다. 구체적으로 설명하면, 진공 센서들(501,503, 505)들에 감지되는 진공 정도들을 바탕으로 진공 펌프로부터 인가되는 진공 압력 정도를 영역별(210, 230, 250)로 피드 백(feed back)시킴으로써, 영역별(210, 230, 250)로 인가되는 진공 압력을 독립적으로 관리할 수 있다.As such, the degree of vacuum applied to each of the regions 210, 230, and 250 may be controlled or managed using the degree of vacuum sensed by the vacuum sensors 501, 503, and 505, respectively. Will be. Specifically, the area by feeding back the vacuum pressure applied from the vacuum pump to the areas 210, 230, and 250 based on the degree of vacuum detected by the vacuum sensors 501, 503, and 505. The vacuum pressure applied to the stars 210, 230, and 250 may be independently managed.
이와 같이 영역별(210, 230, 250)로 진공 압력들을 각각 조절 관리하는 것이 가능하므로, 웨이퍼(100)가 웨이퍼 척의 몸체(200)에 안착될 때 웨이퍼(100)의 뒷면 전체에 걸쳐 균일한 진공 압력으로 진공을 인가하여 웨이퍼(100)를 잡아주는 것이 가능해진다. 이에 따라, 웨이퍼(100)의 중심부와 외곽부 간에 인가되는 진공 압력 정도가 달라지거나 또는 웨이퍼(100)의 중심부에 진공 압력이 취중되어, 웨이퍼(100)가 휘어지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 사진 공정 등과 같은 후속의 반도체 소자 제조 공정에서 웨이퍼(100)가 휘어짐에 기인하는 공정 불량들이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.As such, it is possible to control and manage the vacuum pressures by region 210, 230, and 250, respectively, so that the vacuum is uniform throughout the back side of the wafer 100 when the wafer 100 is seated on the body 200 of the wafer chuck. It is possible to hold the wafer 100 by applying a vacuum under pressure. As a result, the degree of vacuum pressure applied between the center portion and the outer portion of the wafer 100 may vary, or the vacuum pressure may be taken into the center portion of the wafer 100, thereby preventing the wafer 100 from bending. Therefore, it is possible to effectively prevent the occurrence of process defects due to the warpage of the wafer 100 in a subsequent semiconductor device manufacturing process such as a photo process.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.
상술한 본 발명에 따르면, 진공 홀들을 안착될 웨이퍼의 뒷면 전체에 대응하는 척의 몸체 표면 영역 전체에 걸쳐 형성하고, 척의 몸체 표면을 다수의 구분되는 영역들로 구분하여 이러한 진공 홀들을 영역별로 구분하여 영역별로 상호 독립적으로 인가되는 진공 압력을 관리할 수 있다. 이에 따라, 척에 안착되는 웨이퍼가 인가되는 진공 압력의 불균일에 의해서 휘어지는 현상이 발생하는 것을 효과적으로방지할 수 있다.According to the present invention described above, vacuum holes are formed over the entire body surface area of the chuck corresponding to the entire back side of the wafer to be seated, and the vacuum surface is divided by area by dividing the body surface of the chuck into a plurality of distinct areas. It is possible to manage the vacuum pressure applied to each area independently from each other. As a result, it is possible to effectively prevent the occurrence of warpage due to the unevenness of the vacuum pressure to which the wafer seated on the chuck is applied.
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