KR101193346B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

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백승조
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Abstract

본 발명은 도전성 기판; 도전성 기판 상면에 형성되는 접촉층; 접촉층 상면의 일부에 형성되는 제1도전성 전극층; 접촉층 상면의 일부에 형성되며, 제1도전성 전극층의 일부를 둘러싸는 절연층; 절연층 상면의 일부에 형성되고 배면과 측면이 절연층으로 둘러싸여 제1도전성 전극층과 절연되는 제2도전성 전극층; 제1도전성 전극층 상면에 형성되며, 일부는 절연층으로 둘러싸여 제2도전성 전극층과 절연되는 제1도전형 반도체층; 제1도전형 반도체층 상면에 형성되며 일부는 절연층으로 둘러싸여 제2도전성 전극층과 절연되는 활성층; 활성층 상면과 제2전도성 전극층의 일부를 포함하도록 형성되어 제2전도성 전극층으로부터 전류가 전달되며, 다른 일부는 절연층과 접촉되어 제1도전성 전극층과 절연되는 제2도전형 반도체층; 및 제2전도성 전극층 상면의 일부에 하나 이상 형성되는 패드부;를 구현한 바,
기본적으로 반도체 소자를 구성하는 서로 다른 두 전도성 전극층은 소자의 광방출 면의 배면에 위치하되 두 전도성 전극층을 같은 면 상에서 중첩되지 않도록 간격을 최대한 이격시켜 각 전극층에 인가되는 전원에서 발생되는 전파간섭을 최소화 할 수 있으며 안정적인 전기적 특성을 확보할 수 있고, 소자를 구성하는 전극층을 Ag, Al 등과 같은 반사도가 뛰어난 금속을 포함하는 합금이나 TiO₂, SiO₂등과 같이 굴절 계수 차이가 큰 산화물, 질화물 또는 탄소화합물 등 다층 적층 구조로 형성된 반사층으로 구성하여 반도체 소자에서 발생되는 빛의 파장 영역에서의 반사 효율을 높일 수 있으며, 전기적 안정성과 광학적 효율 향상으로 인하여 소자의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 발광소자{Semiconductor light emitting devices}
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 발광소자를 구성하는 제1도전형 전극층과 제2도전형 전극층의 간격을 최대한 이격시켜 각 전극층에서 인가되는 전원에서 발생되는 전파간섭을 최대한 줄이고,
제1도전형 전극층을 Ag 등을 포함하는 합금으로 구성하여 금속과 반도체의 접합(metal semiconductor junction)에서 두 재질의 일함수(work function)의 차이에 따라 전류-전압 특성이 달라지는 저항성 접촉(Ohmic Contact)을 최소화 시키며,
제1도전형 전극층의 일부를 Ag 등을 포함한 합금이나 TiO₂, SiO₂ 등을 포함한 비금속 산화물 등으로 형성된 반사층으로 구성하여 반도체 발광소자의 활성층에서 생성된 포톤(Photon)의 외부방출 효율을 증가시키는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
발광다이오드(LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 소자로서, 디스플레이 소자의 광원으로 주로 이용되고 있다. 이와 같은, LED는 기존의 광원에 비해 극소형이며, 소비전력이 적고, 수명이 길며, 반응속도가 빠른 특성을 나타낸다. 또한, LED는 수은 및 기타 방전용 가스를 사용하지 않으므로 환경 친화적이다.
이와 같은, LED를 구성하는 반도체 층은 열전도도가 크고 융점이 높아 고온에서 안정하며, 큰 포화 전자 이동속도를 가지는 전기적 특성과 내부식성, 내방사성, 내열성 등의 우수한 기계, 물리, 화학적 특성을 가지는 장점이 있다.
최근에는 LED 조명에 대한 관심도가 높아지면서 소자의 효율을 높이기 위한 기술들이 개발되어지고 있으며, 특히 응용분야에 따라 열적 안정성이 뛰어난 수직형 소자구조에 대한 기술개발이 활발하게 진행되고 있다.
그러나, 이러한 수직형 소자구조를 구현함에 있어 기존 수평형 소자구조의 구현을 위한 에피구조는 사용하기 어려우며, 기존의 에피구조를 적용하거나 수직형 소자를 위한 에피구조를 개발, 적용할 경우에도 소자의 안정적인 전기적, 광학적 특성을 확보하기 어려운 문제점이 있었다. 따라서, 소자의 효율적인 면에서의 특성확보나 신뢰성을 확보하는데 있어서 많은 문제점이 있었다.
이와 관련하여 도 1은 기존의 반도체 발광소자를 도시한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1도전성 전극층(20)과 패드부(60)가 반도체 소자의 서로 다른 이면에 수직적으로 형성되며 이러한 소자의 구조적 특징으로 인하여 기존의 수평형 소자구조용 에피구조로는 안정적인 전기적 특성의 확보를 기대하기 어려우며 또한 활성층(40)에서 생성되는 포톤(Photon)의 외부 방출 효율의 증가도 기대하기 어렵다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 종래의 수직형 발광다이오드 구조에 비해 소자 제작에 있어 구조적으로 안정적인 전기적 특성을 확보할 수 있는 방법으로 전극을 형성하며 또한 전극층의 간격을 최대한 이격시켜 각 전극층에 인가되는 전원에서발생되는 전파간섭을 최소화 하고 Ag 등을 포함하는 합금 등을 반사전극으로 적용하거나 일부 TiO₂, SiO₂등을 포함한 비금속 산화물 등으로 형성된 반사층 구조를 적용하여 전기적 안정성과 반도체 소자에서 발생되는 포톤(Photon)의 외부 방출 효율이 증가될 수 있도록 반사율을 높일 수 있는 소자 구조를 제공함으로써 소자의 효율이 향상된 반도체 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 도전성 기판; 도전성 기판 상면에 형성되는 접촉층; 접촉층 상면의 일부에 형성되는 제1도전성 전극층; 접촉층 상면의 일부에 형성되며, 제1도전성 전극층의 일부를 둘러싸는 절연층; 절연층 상면의 일부에 형성되고 배면과 측면이 절연층으로 둘러싸여 제1도전성 전극층과 절연되는 제2도전성 전극층; 제1도전성 전극층 상면에 형성되며, 일부는 절연층으로 둘러싸여 제2도전성 전극층과 절연되는 제1도전형 반도체층; 제1도전형 반도체층 상면에 형성되며 일부는 절연층으로 둘러싸여 제2도전성 전극층과 절연되는 활성층; 활성층 상면과 제2전도성 전극층의 일부를 포함하도록 형성되어 제2전도성 전극층으로부터 전류가 전달되며, 다른 일부는 절연층과 접촉되어 제1도전성 전극층과 절연되는 제2도전형 반도체층; 및 제2전도성 전극층 상면의 일부에 하나 이상 형성되는 패드부;를 포함한다.
또한, 패드부는 제2도전형 반도체층 상면으로 하나 이상의 연장부를 포함한다.
또한, 제1도전성 전극층은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, C, 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함한다.
또한, 제2도전성 전극층은 Ti, Cr, Hf, Ag, Al, Pt, Ni, Cu, Pt, Pd, Au, Ir, C, 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함한다.
또한, 도전성 기판은 Au, Ni, Al, Cu, W, Mo, Si, Se, Ge 및 GaAs 중 하나 이상을 포함한다.
또한, 제1도전성 전극층의 일부에는 하나 이상의 반사층이 제1도전성 전극층과 서로 가로방향으로 중첩되며, 반사층은 접촉층 및 제1도전형 반도체층 사이에 위치한다.
또한, 반사층은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, 산화물, 질화물 및 탄소화합물 중 하나 이상을 포함한다.
또한, 제1도전성 전극층의 내부에는 하나 이상의 반사층이 다양한 간격으로 이격되어 위치하며, 반사층의 배면은 제1도전형 반도체층과 접촉하여 위치하고, 반사층의 배면을 제외한 나머지는 제1도전성 전극층으로 둘러싸여 형성된다.
또한, 제1도전성 전극층은 다양한 간격으로 이격되어 위치하고, 제1도전성 전극층의 측면과 상면의 일부를 둘러싸도록 반사층이 형성된다.
본 발명에 따르면, 기본적으로 반도체 소자를 구성하는 서로 다른 두 전도성 전극층은 소자의 광방출 면의 배면에 위치하되 두 전도성 전극층을 같은 면 상에서 중첩되지 않도록 간격을 최대한 이격시켜 각 전극층에 인가되는 전원에서 발생되는 전파간섭을 최소화 할 수 있으며 안정적인 전기적 특성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
또한, 소자를 구성하는 전극층을 Ag, Al 등과 같은 반사도가 뛰어난 금속을 포함하는 합금이나 TiO₂, SiO₂등과 같이 굴절 계수 차이가 큰 산화물, 질화물 또는 탄소화합물 등 다층 적층 구조로 형성된 반사층으로 구성하여 반도체 소자에서 발생되는 빛의 파장 영역에서의 반사 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
따라서, 전기적 안정성과 광학적 효율 향상으로 인하여 소자의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 기존의 반도체 발광소자에 대한 단면도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광소자의 측단면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광소자의 정단면도.
도 4는 본 발명의 반도체 발광소자의 패드부가 제2도전형 반도체층 상면으로 연장되어 형성된 측단면도.
도 5는 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층의 일부가 반사층으로 형성된 측단면도.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층의 일부가 반사층으로 형성된 정단면도.
도 7은 본 발명의 반도체 발광소자의 반사층이 제1도전형 전극층에 둘러싸여 형성된 측단면도.
도 8은 본 발명의 반도체 발광소자의 반사층이 제1도전형 전극층에 둘러싸여 형성된 정단면도.
도 9는 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층이 이격되어 형성되고, 이격된 제1도전형 전극층 사이에 반사층이 형성된 측단면도.
도 10은 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층이 이격되어 형성되고, 이격된 제1도전형 전극층 사이에 반사층이 형성된 정단면도.
이하, 예시도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 일실시예에 대한 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.
<반도체 발광소자>
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광소자의 측단면도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광소자의 정단면도이며, 도 4는 본 발명의 반도체 발광소자의 패드부가 제2도전형 반도체층 상면으로 연장되어 형성된 측단면도이며, 도 5는 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층의 일부가 반사층으로 형성된 측단면도이며, 도 6은 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층의 일부가 반사층으로 형성된 정단면도이며, 도 7은 본 발명의 반도체 발광소자의 반사층이 제1도전형 전극층에 둘러싸여 형성된 측단면도이며, 도 8은 본 발명의 반도체 발광소자의 반사층이 제1도전형 전극층에 둘러싸여 형성된 정단면도이며, 도 9는 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층이 이격되어 형성되고, 이격된 제1도전형 전극층 사이에 반사층이 형성된 측단면도이며, 도 10은 본 발명의 반도체 발광소자의 제1도전형 전극층이 이격되어 형성되고, 이격된 제1도전형 전극층 사이에 반사층이 형성된 정단면도이다..
반도체 발광소자(100)는 도전성 기판(110), 접촉층(120), 제1도전성 전극층(130), 절연층(140), 제2도전성 전극층(150), 제1도전형 반도체층(160), 활성층(170), 제2도전형 반도체층(180) 및 패드부(190)를 포함한다.
도전성 기판(110)은 후술할 접촉층(120)과 접촉되어 형성된다. 이와 같은 도전성 기판(110)은 금속성 기판 또는 반도체 기판이며, 이와 같은, 도전성 기판(110)은 Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, Ge, Mo 및 GaAs 중 하나 이상을 포함한다.
접촉층(120)은 도전성 기판(110) 상면에 형성되는 것으로, 도전성 기판(110)에 인가되는 전류가 후술할 제1도전성 전극층(130)에 전달되도록 도전성 기판(110)과 제1도전성 전극층(130) 사이에 형성된다. 이와 같은, 접촉층(120)은 도전성 기판(110)에서 전달되는 전류를 손실없이 제1도전성 전극층에 전달한다.
제1도전성 전극층(130)은 접촉층(120) 상면의 일부에 형성되는 것으로, 이와 같은, 제1도전성 전극층(130)은 접촉층(120)과 후술할 제1도전형 반도체층(160) 사이에 형성된다. 여기서, 제1도전성 전극층(130)이 접촉층(120)과 접촉된 부분과 제1도전형 반도체층(160)과 접촉된 부분 이외의 부분은 후술할 절연층(140)과 접촉되어 형성된다. 또한, 제1도전성 전극층(130)은 후술할 활성층(170)으로부터 발생되는 빛을 반사시킨다.
이와 같은, 제1도전성 전극층(130)은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, C, 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함하여 형성된다.
또한, 제1도전성 전극층(130)은 다양한 형태로 변형될 수 있다. 이하, 제1도전성 전극층(130)의 변형 형태에 대하여 설명한다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1도전성 전극층(130) 일부에는 제1도전성 전극층(130)과 하나 이상의 반사층(131)이 제1도전성 전극층과 서로 중첩되어 위치할 수 있다. 이와 같은, 반사층(131)은 제1도전성 전극층(130)과 같이 접촉층(120) 및 제1도전형 반도체층(160) 사이에 위치한다. 따라서, 제1도전성 전극층(130)과 반사층(131)이 서로 번갈아가며 길이방향으로 나열되는 형상이 된다.
여기서, 반사층(131)은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, 산화물, 질화물 및 탄소화합물 중 하나 이상을 포함한다. 따라서, 반사층(131)은 Ag 등을 포함하는 합금이나 TiO₂, SiO₂ 등을 포함하는 비금속 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이와 같은, 반사층(131)은 반도체 발광 소자의 발광 파장 영역에서의 반사율을 높인다.
이와 같이, 제1도전성 전극층(130)의 일부를 반사층(131)으로 형성하는 이유는 반도체 발광 소자의 효율은 전기적 특성과 광학적 특성에 의해 평가됨으로 저항성 접촉을 최소화 시키는 특성으로의 반도체 발광 소자 구성과 반사율의 증가를 통한 광학적 효율을 극대화 시키는 특성으로의 반도체 발광 소자 구성에 있어 그 비율의 최적화가 필요할 수 있기 때문이다.
따라서, 앞서 설명한 바와 같이, 제1도전성 전극층(130)의 일부를 반사층(131)으로 형성하면, 제1도전성 전극층(130)은 저항성 접촉을 최소화할 수 있는 Ni, Pt, Pd, Ag 등 또는 이들을 포함하는 합금으로 구성할 수 있고, 반사층(131)은 Al, Ag 등 또는 이들을 포함하는 합금이나 TiO₂, SiO₂ 등을 포함한 비금속 산화물, 질화물, 탄소화합물 및 이들을 다층 적층 구조로 구성하여 저항성 접촉을 최소화 하는 것과 함께 활성층(170)으로부터 발생한 빛의 파장 영역에서 반사율을 높임으로써 소자의 효율을 극대화 할 수 있다.
또한, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 반사층(131)은 제1도전성 전극층(130)의 내부에 다양한 간격으로 이격되어 하나 이상 위치될 수 있다. 이 경우, 반사층(131)의 배면은 제1도전형 반도체층(160)과 접촉하여 위치하고, 제1도전형 반도체층(160)과 접촉한 반사층(131)의 배면을 제외한 나머지가 제1도전성 전극층(130)으로 둘러싸여 형성된다. 여기서, 제1도전성 전극층(130)은 반사층(131)에 둘러싸여 형성됨과 동시에 제1도전형 반도체층(160)에 접촉되도록 형성된다.
또한, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제1도전성 전극층(130)은 다양한 간격으로 이격되어 위치하고, 이와 같은, 제1도전성 전극층(130)의 측면과 상면의 일부를 둘러싸도록 반사층(131)이 형성될 수 있다. 이 경우, 제1도전성 전극층(130)의 배면은 제1도전형 반도체층(160)과 접촉하여 위치하고, 반사층(131)은 제1도전성 전극층(130)의 측면과 상면의 일부를 둘러싸도록 형성됨과 동시에 제1도전형 반도체층(160)에 접촉되도록 형성된다.
절연층(140)은 접촉층(120) 상면의 일부에 형성되며, 제1도전성 전극층(130)의 일부를 둘러싸는 것으로, 앞서 제1도전성 전극층(130)의 설명과 같이, 접촉층(120)과 제1도전형 반도체층(160)이 제1도전성 전극층(130)에 접촉된 이외의 부분에 절연층(140)이 접촉되도록 둘러싸여 형성된다.
또한, 절연층(140)은 제1도전성 전극층(130) 이외에 후술할 제2도전성 전극층(150)의 일부에 둘러싸여 형성된다. 따라서, 절연층(140)은 제1도전성 전극층(130)과 제2도전성 전극층(150)사이에 위치하여 제1도전성 전극층(130)과 제2도전성 전극층(150)이 직접적으로 접촉되지 않도록 한다.
또한, 절연층(140)은 전원이 전달되지 않는 절연물질로 형성되어 제1도전성 전극층(130)과 제2도전성 전극층(150) 사이를 절연시킨다.
제2도전성 전극층(150)은 절연층(140) 상면의 일부에 형성되고, 배면과 측면이 절연층(140)으로 둘러싸여 형성된다. 이와 같은, 제2도전성 전극층(150)은 절연층(140)으로 인해 제1도전성 전극층(130)과 절연된다. 이것은, 제2도전성 전극층(150) 상의 일부에는 후술할 제2도전형 반도체층(180)과 패드부(190)가 접촉되고, 제2도전성 전극층(150)의 상면을 제외한 나머지 부분이 절연층(140)으로 둘러싸여 형성되는 것을 의미한다.
여기서, 제2도전성 전극층(150)에 접촉되는 제2도전형 반도체층(180)의 면적은 측단면도상에서 제2도전성 전극층(150)과 패드부(190)가 접촉되는 면적보다 넓다. 이와 같은, 제2도전성 전극층(150)의 일부는 패드부(190)가 형성되며 이외 적어도 일부가 소자의 내부방향으로 연장되어 제2도전형 반도체층(180)과 접촉할 수 있도록 형성되어 제2도전성 전극층(150)과의 접촉면적을 넓힘으로써 제2도전성 전극층(150)에 인가되는 전류가 제2도전형 반도체층(180)에 균일하게 전달되도록 형성된다.
또한, 제2도전성 전극층(150)을 통해 제2도전형 반도체층(180)에 인가되는 전류확산의 균일성을 더 증가시키기 위하여 하나 이상의 제2도전성 전극층(150) 또는 제2도전성 전극층(150)의 연장부 일부에 하나 이상의 패드부(190)를 형성할 수 있다. 이것은, 제2도전성 전극층(150) 형성의 다른 변형 예로써 다양한 형태로의 제2도전성 전극층(150)의 형성과 함께 제2도전성 전극층(150) 상에 하나 이상의 패드부(190) 형성을 통하여 제2도전형 반도체층(180)과 제2도전성 전극층(150)의 접촉면적을 넓힘으로써 소자의 동작전압 감소와 소자 내 전류 전달 균일성을 향상시킴으로써 소자의 발광 특성을 향상시킬 수 있다. 이를 통하여 소자의 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같은, 제2도전성 전극층(150)은 Ti, Cr, Hf, Ag, Al, Pt, Ni, Cu, Pt, Pd, Au, Ir, C, 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함하여 형성된다.
제1도전형 반도체층(160)은 제1도전성 전극층(130) 상면에 형성되며, 일부는 절연층(140)으로 둘러싸여 제2도전성 전극층(150)과 절연된다. 이와 같은, 제1도전형 반도체층(160) 상면에는 후술할 활성층(170)이 형성되고, 제1도전형 반도체층(160)과 제1도전성 전극층(130), 제1도전형 반도체층(160) 및 활성층(170)이 접촉되는 부분을 제외한 제1도전형 반도체층(160) 부분에는 절연층(140)이 접촉되어 형성된다.
활성층(170)은 발광을 활성화시키는 층으로, 제1도전형 반도체층(160) 상면에 형성되며 일부는 절연층(140)으로 둘러싸여 제2도전성 전극층(150)과 절연된다. 이와 같은, 활성층(170) 상면에는 후술할 제2도전형 반도체층(180)이 형성되고, 활성층(170)과 제1도전형 반도체층(160), 제2도전형 반도체층(180)이 접촉되는 부분을 제외한 활성층(170) 부분에는 절연층(140)이 접촉되어 형성된다.
제2도전형 반도체층(180)은 활성층(170) 상면과 제2도전성 전극층(150) 상면의 일부에 형성되며, 다른 일부는 절연층(140)과 접촉되어 제1도전성 전극층과 절연된다.
패드부(190)는 제2도전성 전극층(150) 상면의 일부에 하나 이상 형성되는 것으로, 이와 같은, 패드부(190)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제2도전형 반도체층(180) 상면으로 연장된 연장부(191)가 형성될 수 있다.
앞서 설명한 반도체 발광소자(100)는 절연층(140)으로 인하여 제1도전성 전극층(130)과 제2도전성 전극층(150) 사이에 간격이 충분히 이격되어 서로간의 간섭을 최소화할 수 있다.
본 명세서에는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 특허청구범위 및 첨부도면의 범위 내에서 다양하게 변형되어 실시될 수 있으며, 이것 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.
10 : 도전성 기판 20 : 제1도전성 전극층
30 : 제1도전성 반도체층 40 : 활성층
50 : 제2도전성 반도체층 60 : 패드부
100 : 반도체 발광소자 110 : 도전성 기판
120 : 접촉층 130 : 제1도전성 전극층
131 : 반사층 140 : 절연층
150 : 제2도전성 전극층 160 : 제1도전형 반도체층
170 : 활성층 180 : 제2도전형 반도체층
190 : 패드부 191 : 연장부

Claims (11)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상면에 형성되는 접촉층;
    상기 접촉층 상면의 일부에 형성되는 제1도전성 전극층;
    상기 접촉층 상면의 일부에 형성되며, 상기 제1도전성 전극층의 일부를 둘러싸는 절연층;
    상기 절연층 상면의 일부에 형성되고 배면과 측면이 상기 절연층으로 둘러싸여 상기 제1도전성 전극층과 절연되는 제2도전성 전극층;
    상기 제1도전성 전극층 상면에 형성되며, 일부는 상기 절연층으로 둘러싸여 상기 제2도전성 전극층과 절연되는 제1도전형 반도체층;
    상기 제1도전형 반도체층 상면에 형성되며 일부는 상기 절연층으로 둘러싸여 상기 제2도전성 전극층과 절연되는 활성층;
    상기 활성층 상면과 상기 제2전도성 전극층의 일부를 포함하도록 형성되어 상기 제2전도성 전극층으로부터 전류가 전달되며, 다른 일부는 상기 절연층과 접촉되어 상기 제1도전성 전극층과 절연되는 제2도전형 반도체층; 및
    상기 제2전도성 전극층 상면의 일부에 하나 이상 형성되는 패드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서
    상기 패드부는 상기 제2도전형 반도체층 상면으로 하나 이상의 연장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서
    상기 제1도전성 전극층은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, C, 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2도전성 전극층은 Ti, Cr, Hf, Ag, Al, Pt, Ni, Cu, Pt, Pd, Au, Ir, C, 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 Au, Ni, Al, Cu, W, Mo, Si, Se, Ge 및 GaAs 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1도전성 전극층의 일부에는 하나 이상의 반사층이 상기 제1도전성 전극층과 서로 가로방향으로 중첩되며,
    상기 반사층은 상기 접촉층 및 상기 제1도전형 반도체층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반사층은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, 산화물, 질화물 및 탄소화합물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1도전성 전극층의 내부에는 하나 이상의 반사층이 다양한 간격으로 이격되어 위치하며,
    상기 반사층의 배면은 상기 제1도전형 반도체층과 접촉하여 위치하고, 상기 반사층의 배면을 제외한 나머지는 상기 제1도전성 전극층으로 둘러싸여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반사층은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, 산화물, 질화물 및 탄소화합물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제1도전성 전극층은 다양한 간격으로 이격되어 위치하고,
    상기 제1도전성 전극층의 측면과 상면의 일부를 둘러싸도록 반사층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반사층은 Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir, Ti, Cr, Hf, W, Cu, 산화물, 질화물 및 탄소화합물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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