KR100942713B1 - 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 기판상에 형성된 P형 전극, P형 질화물 반도체층, 활성층, N형 질화물 반도체층, N형 전극 및 패드 전극을 포함하는 질화물계 발광소자에 있어서,상기 N형 질화물 반도체층은 AlxGayInzN(여기서 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1 이고 x+y+z=1이다)으로 되고, 상기 N형 전극은 상기 N형 질화물 반도체층의 Ga극성 표면, Al극성 표면 또는 In극성 표면과 오믹컨택되고, 상기 패드 전극은 상기 N형 전극을 대향하며 상기 N형 질화물 반도체층의 N극성 표면상에 위치하고,상기 N형 질화물 반도체층의 Ga극성 표면, Al극성 표면 또는 In극성 표면과 N극성 표면 간의 영역을 관통하는 홀을 더 포함하여 이를 통하여 상기 N형 전극과 상기 패드 전극이 상호 금속연결되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 N형 전극은 Cr, Ti, Al, Ni, Au, W 및 TiW로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 패드 전극은 Cr, Ti, Al, Ni, Au, W 및 TiW로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
- 제1기판상에 N형 질화물 반도체층, 활성층, P형 질화물 반도체층 및 P형 전극을 차례로 형성하는 단계와;제1식각공정으로 상기 N형 질화물 반도체층의 소정 영역이 노출되도록 이 영역에 해당하는 상기 P형 전극, P형 질화물 반도체층, 활성층을 전부 식각하고 N형 질화물 반도체층 일부를 식각하는 단계와;상기 노출된 영역의 N형 질화물 반도체층 상부에 N형 전극을 형성하는 단계와;상기 P형 전극 상부에 전도성 제2기판을 부착하고 상기 제1기판을 제거하는 단계와;제2식각공정으로 상기 N형 전극의 일부가 노출될 때까지 상기 N형 질화물 반도체층 일부를 식각함으로써 상기 N형 전극의 노출되지 않은 부분이 상기 N형 질화물 반도체층에 오믹컨택하도록 함과 동시에 상기 N형 질화물 반도체층을 관통하는 홀을 형성하는 단계와;상기 홀 내부와 상기 N형 질화물 반도체층 표면에 패드 전극을 형성하고 이로써 상기 N형 전극과 상기 패드 전극을 금속연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 N형 질화물 반도체층은 AlxGayInzN(여기서 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1 이고 x+y+z=1이다)으로 형성되고, 상기 N형 전극은 상기 N형 질화물 반도체층의 Ga극성 표면, Al극성 표면 또는 In극성 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 N형 질화물 반도체층은 AlxGayInzN(여기서 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1 이고 x+y+z=1이다)으로 형성되고, 상기 패드 전극은 상기 N형 질화물 반도체층의 N극성 표면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 제1식각공정에서 상기 P형 전극의 폭이 상기 P형 질화물 반도체층의 폭보다 더 넓게 식각되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 N형 전극은 상기 활성층보다 더 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 N형 전극을 형성한 후, 상기 제1식각공정으로 노출된 상기 N형 질화물 반도체층, 활성층 및 P형 질화물 반도체층과 상기 N형 전극 표면에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 보호막은 SiO2, SiN, BCB 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 패드 전극을 형성한 후, 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 열처리 공정은 200℃ 내지 600℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
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