KR101177543B1 - 접촉 압력 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

접촉 압력 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

2개의 표면 사이의 접촉 압력을 검출하기 위한 접촉 압력 센서(10) 및 접촉 압력 센서를 제조하는 방법이 개시된다. 개시된 접촉 압력 센서는 상기 센서를 지지하는 기판(40) 및 상기 접촉 압력 센서에 가해진 압력에 민감한 접촉 압력 감지층(26)을 포함한다. 개시된 상기 방법은 또한 제 1 공정 지지 기판(20) 위에 형성된 공정 포스트 구조(8)를 상기 제 1 공정 지지 기판을 제 2 접촉 압력 센서 지지 기판(40)으로 전이시키는 단계를 포함한다.

Description

접촉 압력 센서 및 그 제조 방법{Contact pressure sensor and method for manufacturing the same}
본 발명은 일반적으로 압력 센서들에 관한 것으로, 특히 2개의 표면들 사이의 접촉 압력들을 모니터하기 위해 이용되는 피에조-저항 기반 접촉 압력 센서들에 관한 것이다.
접촉 압력 센서들은 2개의 표면들 사이의 접촉 압력들을 모니터하기 위해 사용된다. 2개의 표면들 사이에 존재하는 압력에 대한 이해(knowledge)는 많은 응용들에 있어서 이득이 될 수 있다. 하나의 응용은 파이프라인에서의 플랜지들과 개스킷(gasket) 표면들 사이에 존재한다. 볼트들의 불균일한 조임(uneven tightening)은 조인트들을 뒤틀리게 하여 누설이 생기게 할 수 있다. 더욱이, 조인트에 작용하는 여러 힘들, 조인트들의 풀림 등으로 인해, 조인트들의 맞물림면들에서의 압력 분포의 실시간 정보를 가지는 것이 중요하다.
AlGaAs과 같은 에피택셜 필름 재료들에 있어서, 이용된 기판 웨이퍼의 재료는 갈륨 비소(GaAs)이다. 접촉 압력 센서들은 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 반도체 원소들의 압력 민감도(pressure sensitivity)의 고체 물리에 기초하고 있다. 상이한 족의 원소들이 결합되고, 단일 기판 위에서 에피택셜 성장(격자 정 합)된다. 접촉 압력이 재료에 가해지면, 저항차가 측정될 수 있다. 게다가, 선형성 응답(linearity response)이 유체정력학 수단(hydrostatic means) 대신에 직접 접촉에 의해 압력 변화들에 대해 검출될 수 있다.
현재까지의 접촉 압력 센서들은 통상적으로 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs) 재료, 에피택셜 필름의 피에조저항 특성(piezo-resistive property)을 이용하여 만들어져 왔다. 물론, 에피택셜 필름이 성장되는 웨이퍼 기판은 에피택셜 필름과 동일한 격자 구조를 가진다.
피에조저항 특성들을 갖는 재료들을 이용하는 접촉 압력 센서의 예가 포토리소그라피, 에칭 및 금속화와 같은 종래의 제조 공정들에 의해 형성되는 미앤더 저항기(meander resistor)이다.
한 유형의 AlGaAs의 고체 압력 센서가 US4965697에 개시되어 있지만, 상기 센서는 유체정력학 압력 원리들에 기초하고 유체정력학 응용들을 채용하는 구성들로 제한된다.
다양한 시도들이 접촉 모드에서 달성 가능한 제한된 압력값들의 문제를 극복하기 위해 수행되어 왔다. 이들은 (a) GaAs 기판의 시닝(thinning), (b) 디바이스들을 차폐하기 위해 실리콘 겔-재료로 칩들을 둘러싸는 것, 및 (c) 칩 크기를 감소시키는 것을 포함한다. 그러나, 고압 하에서의 칩 파손 문제가 여전히 발생한다. 따라서, 접촉 압력 센서는 직접 접촉 압력들을 견딜 수 있는 2개의 표면들 사이의 압력 분포를 모니터할 필요가 있다.
(요약)
본 발명의 일 양상은 접촉 압력 센서로서, 접촉 압력 및 대항력을 각각 받는 제 1 및 제 2 접촉 표면들로서, 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면들은 실질적으로 서로 바로 마주하여 배치되어 있는, 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면들; 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면들 사이에 배치된 기판; 피에조-저항 특성들(piezo-resistive properties)을 갖는 재료를 포함하는 접촉 압력 감지층으로서, 상기 기판과는 다른 격자 구조를 가지며 상기 기판과 상기 제 1 접촉 표면 사이에 배치되는, 상기 접촉 압력 감지층; 상기 접촉 압력 감지층과 상기 기판 사이에 배치된 지지층으로서, 상기 접촉 압력 감지층의 격자 정합 구조와는 다른 격자 정합 구조를 가진, 상기 지지층; 상기 접촉 압력 감지층과 상기 제 1 접촉 표면 사이에 배치된 도전층을 포함하고, 상기 접촉 압력 센서는 상기 접촉 압력 및 상기 대항력에 기인하는 압력이 상기 접촉 압력 감지층을 가로질러 가해지도록 구성된 접촉 압력 센서이다.
상기 제 2 접촉 표면은 상기 접촉 압력 감지층으로부터 멀리 떨어져 마주하는 상기 기판 표면의 일부를 적어도 포함할 수 있다. 상기 지지층은 반절연성 또는 절연성일 수 있다. 상기 접촉 압력 감지층의 재료는 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 반도체 원소일 수 있다.
상기 접촉 압력 감지층의 재료는 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 3성분 반도체 원소(ternary semi-conductor element)일 수 있다. 상기 접촉 압력 감지층의 재료는 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 상이한 원소들의 하나보다 많은 층을 포함할 수 있다.
상기 접촉 압력 감지층의 재료는 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs)이다. 상기 절연층의 재료는 갈륨 비소(GaAs)일 수 있고 상기 도전층은 갈륨 비소(GaAs)로 도핑될 수 있다.
상기 기판의 재료는 상기 접촉 압력 감지층과 격자 정합되는 재료보다 더 강인할 수 있다.
본 발명의 다른 양상은, 각각 상이한 격자 구조들을 가진 제 1 지지 기판 및 제 2 지지 기판을 제공하는 단계; 공정 포스트 구조(process post structure)를 형성하는 단계로서, 상기 제 1 지지 기판 위에 절연층을 침착하는 단계; 상기 절연층 위에 배치된 상기 접촉 압력 센서에 가해진 압력에 민감한 피에조-저항 특성들을 갖는 재료를 가진 압력 감지층을 침착하는 단계로서, 상기 압력 감지층은 상기 제 2 기판과는 상이한 격자 구조를 가진, 상기 압력 감지층을 침착하는 단계; 및 상기 센서의 도전 접점을 위해 상기 접촉 압력 감지층 위에 도전층을 침착하는 단계를 포함하는, 상기 공정 포스트 구조 형성 단계; 및 상기 공정 포스트 구조를 상기 제 1 기판으로부터 상기 제 2 기판으로 전이시키는 단계를 포함하는 접촉 압력 센서 제조 방법이다.
일 실시예에서, 공정 포스트 구조를 형성하는 단계는 상기 제 1 지지 기판의 표면 위에 희생층을 침착하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 희생층은 상기 제 1 기판과 상기 절연층 사이에 배치된다. 상기 공정 포스트 구조를 전이시키는 단계는 상기 공정 포스트 구조로부터 상기 희생층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 공정 포스트 구조를 형성하는 단계는 상기 제 1 기판 위에도 배치된 온도에 민감한 피에조-저항 특성들을 갖는 재료를 가진 온도 감지층을 침착하는 단계; 및 상기 온도 감지층과 상기 압력 감지층들 사이에 배치된 추가 절연층을 침착하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 추가 절연층은 상기 온도 감지층 및 상기 압력 감지층 중 어느 하나보다 높은 저항을 가진다.
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본 발명의 상기 및 다른 특징들, 목적들 및 이점들은 도면들과 관련하여, 다음의 상세한 설명을 읽음으로써 이 기술에서 숙련된 사람은 더욱 잘 이해하고 쉽게 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 공정 단계 동안의 단면도.
도 2은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제조 공정 단계 동안의 단면도.
도 3A-C는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 공정 단계 동안의 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 공정 후의 본 발명의 일실시예의 사시도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 플로챠트.
(상세한 설명)
도 3C 및 도 4에는 센서(10) 및 접촉하고 있는 2개의 표면들사이의 접촉 압력 분포를 모니터하기 위한 도 5에 도시된 센서를 제조하는 방법(50)이 도시되어 있다. 예를 들면, 하나의 적용이 파이프라인(pipeline)에서의 플랜지와 캐스킷 표면들 사이에 존재한다. 게다가, 2개의 표면들 간의 다수의 접촉점들은 다수의 센서들에 의해 모니터될 수 있다. 파이프라인에서의 플랜지와 개스킷 표면들 사이에서의 상기 적용에 있어서, 센서 또는 복수의 센서들은 양 표면의 임계 영역들, 예컨대 파이프라인을 따라 조인트(joint)의 각 볼트 가까이에 위치될 수 있다. 물론, 접촉하고 있는 2개의 표면들 사이의 직접 접촉 압력에 대한 이해가 이득이 되는 장소가 존재하는 많은 보다 나은 응용들이 있다.
접촉 압력 센서는 특히 멘델레프 표(Mendeleev table)의 ⅢA 및 VA족으로부터, 고체 물리의 지식, 특히 반도체 원소들로 만들어진 구조들의 압력 감도에 기초한다. 상이한 족의 원소들이 결합되고, 단일 기판 상에 에피택셜 성장(격자 정합)된다. 일단 접촉 압력이 재료에 가해지면, 저항차가 측정될 수 있다. 게다가, 선형 응답(linearity response)은 유체 정력학 수단(hydrostatic means) 대신에 압력 변화들에 대해 검출될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 접촉 압력 센서는 도 4에 도시되어 있다. 도시된 센서는 특히 전형적이지만 배타적이지 않은 다층 재료들의 사용과 관계가 있고, 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같은, 압력감지 재료(pressure sensing material)로서의 n형(잉여 전자들을 생성) AlxGa1-xAs이 도핑되지 않거나 반절연성 기판들 위에 에피택셜 성장되고, 도 3A-C에 도시된 것과 같이 더 강인한 재료에 에피택셜로 리프트 오프되고(lifted-off) 침착된다. 공정 포스트 구조(6, 8)를 제조하기 위한 층들 각각은 공정 지지 기판(20) 위에 예를 들면 분자 빔 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE) 기술에 의해 성장된 에피택셜 필름(epitaxial film)이다.
도 1를 참조하면, 공정 구조(6)의 실시예의 단면도가 도시되고 제조된다(52). 공정 지지 기판(20)은 공정 중 공정 구조(8)의 층들의 형성을 지지한다. 갈륨 비소(GaAs) 웨이퍼(20)와 같은 공정 지지 기판(20)이 베이스(base)로서 취해진다. 공정 지지 기판(20)의 일면에 성장 또는 침착되는 제 1 층(22)은 이하에 기술 되는 센서 지지 웨이퍼(40)로의 공정 포스트 구조(8)의 전이 공정(transfer process) 중 희생되는 희생층이다. 희생층(22)은 전이 공정 중 용이하게 제거될 수 있는 재료이다. 이와 같은 희생층의 재료는 800Å의 두께이지만 오로지 이 두께만은 아닌 알루미늄 비소(AlAs)이다.
공정 포스트 구조(8)에서 모든 다른 후속 층들에 대해 지지층으로서 작용하는 제 2 층(24)이 상기 희생층(22) 위에 침착된다. 상기 지지층(24)은 30,000Å의 두께이지만 오로지 이 두께만은 아닌 GaAs와 같은 재료이다.
접촉 압력 센서(10)에서 압력 감지층(pressure sensitive layer)으로서 작용하는 제 3 층(26)이 지지층(24) 위에 침착된다. 압력 감지층(26)은 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 원소들과 같은 반도체 원소, 예를 들면 10,000Å의 두께이지만 오로지 이 두께만은 아닌 n형 알루미늄 갈륨 비소(AlxGa1-xAs, 또는 n-형 AlxGa1-xAs)이고, 약 30% Al으로 구성되지만 오로지 이것만으로 구성되는 것은 아니다.
제 4 층(32)은 접촉 압력 센서(10)를 위한 도전 또는 옴 접촉층(ohmic contact layer)으로서 작용하고 압력 감지층(26) 위에 침착된다. 상기 도전층(32)은 500Å의 두께이지만 오로지 이 두께만은 아닌 예를 들면 도핑된 GaAs과 같은 도전 특성들을 가진 재료이다.
도 2를 참조하면, 센서내에서 온도 보상과 같은 다른 센싱 모니터링(sensing monitoring)을 요구하는 센서에 대해, 추가 층들(28, 30)이 공정 동안 공정 구조 (6)에 배치될 수 있다. 센싱 감지 재료(sensing sensitive material; 26, 30)는 센싱 감지 재료들이 절연층들(24, 28)에 의해 절연되는 한 임의의 순서로 배치되어도 된다.그러나, 센싱 감지층들 사이의 절연체층들의 절연 저항은 센싱 감지층들의 결합 저항보다 커야 한다. 예를 들면, 다른 절연층(28)은 압력 감지층(26) 바로 위에 성장 또는 침착되고, 이 압력 감지층(26)은 30,OOOÅ의 두께이지만 오로지 이 두께만은 아닌 도핑되지 않은 GaAs이다. 온도 감지층(30)은 절연층(28) 위에 성장 또는 침착되고, 10,00OÅ의 두께이지만 오로지 이 두께만은 아닌 n형 AlxGa1-xAs이다. 편리하게는, n형 AlxGa1-xAs에서 'x'의 정확한 값을 선택함으로써 AlGaAs 재료의 감도가 압력 감응형(pressure sensitive) 또는 온도 감응형(temperature sensitive) 중 어느 하나로 될 수 있다. 상기 도전층(32)은 이후 위에 기술된 것과 같은 방식으로 온도 감지층(30) 위에 성장 또는 침착된다.
상기 실시예들에서 이용되는 재료들의 값들 및 재료들의 선택은 예들로서 제공된 것임을 이해할 수 있을 것이다. 물론, 특정 적용에 의존하여, 재료들의 선택, 재료들의 특정 함량, 및 층들의 두께와 같은 치수들은 그에 따라 다를 수 있다.
일단 기본 공정 포스트 구조가 도 1 또는 도 2에 도시된 것과 같이 완성되면, 상기한 바와 같이, 제조 공정의 제 2 단계(54)가 도 3A-C에 도시된다. 상기 공정의 제 2 단계는 원 기판 베이스(20)로부터 하나의 단위로서 공정 구조(6)(층들 24, 26, 32 또는 24, 26, 28, 32)을 분리시킬 것을 요구한다. 이러한 공정은 도 3A의 공정 포스트 구조(8) 및 도 3C의 센서를 형성하기 위해 도 1에서 형성된 것과 같은 공정 구조(6)를 도시하는 도 3A-C에 도시되어 있다. 그러나, 동일한 전이 공정(54)이 도 2의 실시예를 포함해서, 공정 구조(6)의 다른 실시예들 및 변형예들에 적용될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 이러한 공정은 에피택셜 리프트 오프(epitaxial lift off; ELO)(54)로 알려지고, 또한 박리 필름 기술(peeled film technology)로도 알려진 것일 수 있다.
이들 공정들 모두 동안 예를 들면 AlAs의 희생층(22)이 희생된다.이러한 희생층은 하나의 단위로서 층들(24, 26, 32)의 나머지, 도 3A에 도시된 공정 포스트 구조(8)를 남기고 플루오르화 수소산 용액에서 화학적 에칭과 같은 공정에 의해 분해된다.
하나의 단위로서 리프트 오프된(54) 이들 층들의 구조는 이후 기본 최종층 구조를 형성하기 위해 다른 더 강인한 기판(40)으로 전이 또는 접목된다(grafted)(56). 새로운 기판(40)은 예를 들면 금속, 절연체, 반도체 등과 같은, 제 1 기판(20)보다 더 강인한 재료 중 어느 하나일 수 있다. 이러한 새로운 기판층(8)의 표면 구조(표면 텍스쳐) 및/또는 평탄도가 어떤 요구 한계 내에 있으면, "반 데르 바알스(van der Waals)(vdw)" 결합 과정으로서 알려진 방법이 도입될 수 있다. 이와 같은 한계들 및 전이 공정은 논문, 디미스터(Demeester) 등의 "에피택셜 리프트-오프 및 그 응용들(Epitaxial Lift-Off and its Applications)", Semicond. Sci. Technol. 8 (1993) 제 1124-1135 면에 논의되어 있고, 참조로 본원에 포함되어 있다. 센서 지지 기판(40)의 표면 텍스쳐가 적합한 표면 텍스쳐를 가지지 않거나, 그것이 도전 특성들을 가지면, 배타적이지는 않지만 폴리이미드와 같은 중간 절연층(42)이 도 3B에 도시된 것과 같은 공정 포스트 구조(8)의 리프트 오프 재료층들을 침착하기 전에 새로운 기판(40) 위에 절연층을 형성하기 위해 침착될 필요가 있을 것이다. 일반적으로, 절연 재료의 장점은 도전 금속들보다 깨지기 쉽다는 것이다. 금속이 새로운 기판으로서 선택되면, 폴리이미드와 같은 절연 재료의 코팅이 금속과 센서 사이에 절연 장벽(insulation barrier)을 형성하는 상기 금속의 면에 침착되어야 할 것이다. 주 기판(host 기판)으로부터 균일한 묘사(uniform delineation)를 돕는 포토레지스트층이 리프트 오프 공정 동안 지지층으로서도 사용된다. 새로운 기판(40)이 더욱 높은 접촉 압력을 견딜 수 있는 더 강인한 품질들을 가지도록 선택되기 때문에, 격자 구조, 즉 원자들의 주기 또는 규칙적인 배열 또는 새로운 기판(40)의 이온들 또는 분자들은 더 깨지기 쉬운 제거 또는 대체된 제 1 공정 기판(20)의 격자 구조와는 다르다.
상기 층들이 성장되고 전이가 완료된 후의 다음 공정 단계(58)는 포토리소그라피에 의해 도전층(32)의 표면 위에 규정될 수 있는 예로서 포토레지스티브 폴리이미드(34)에 의해 형성되는 패턴에 마스킹 재료를 포함할 수 있다(58). 이러한 공정이 행해져서 메사(mesa)를 생성한다. 미앤더 패턴(meander pattern; 34)은 센서의 감도를 증가시키기 위한 것이다. 상기 메사는 배타적이지는 않지만 1,000Å 정도로 압력 감지층(26) AixGa-xAs의 레벨 아래의 깊이까지 절연층(24)으로 에칭되어야 한다(58). 에칭 공정의 완료시 마스킹 재료(34)는 제거된다. 물론 메사의 깊이는 도전성, 압력 감지, 절연층(32, 36)의 두께에 의해 결정될 것이다. 도 4에 도시된 미앤더 패턴(34)은 설명을 위해 예로서 제공되며, 미앤더 디자인의 상이한 포토 마스크들이 특정 응용들에 의존하여 층(32)의 면에 필요로 되고 정렬되는 상이한 저항값들 및 상이한 감도를 위해 선택될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 미앤더 라인들은 추가 와이어 본딩을 위한 본드 패드들(bond pads)로서 작용할 수도 있는 옴 접촉 패드들(36)에서 끝날 수 있다. 접속이 접촉 압력의 변경으로 인한 압력 감지층(26)에서의 저항의 변화를 측정하고 온도 감지층(30)이 존재하면 온도의 변화를 모니터링하기 위해 상기 미앤더 패턴의 각 단부에 만들어진다.
센서의 변화된 응용들은 미앤더 패턴의 각 단부에 만들어진(60) 접점들(36)의 종류 및 크기를 설명할 것이다. 물론, 도 4에 도시된 접점들(36)은 설명을 위해 예로서 제공되고, 전기 접속(60)은 다른 형태로 만들어 질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들면 공정 구조(8)가 그 위에 회로를 가진 다른 기판으로 전이되거나 전이 후 그 위에 형성되면, 어떤 종류의 와이어 본딩 공정의 필요성이 제거된다.
접촉 압력 센서에 접속하고 구동하기 위해 이용되는 전기 회로가 도시되었지만 이와 같은 회로는 잘 알려진 것일 수 있다. 예를 들면 상기 회로는 센서의 일 접점에 접속된 양의 단자와 다른 접점에 접속된 음의 단자 또는 음의 단자와 그라운드에 대해 다른 접점을 가진 정전압원과 같은 전원으로 구성될 수 있다. 게다가, 전기 회로내의 다른 구성요소들은 예컨대 전류 검출기들 등에 적용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
폴리이미드 층 또는 패시베이션 층(passivation layer) 등과 같은 추가의 보호층이 예를 들면 습기로부터 보호하기 위해 완성된 센서에 적용될 수 있다. 개개 의 센서들은 이들의 응용에 의존하여 필요 크기로 절단된다. 완성된 센서 디바이스들의 제조 후, 샘플들은 작은 조각들로 절단되고(62) 왁스에 의해 디바이스 측면으로부터 보호된다. 이 후 본딩 및 측정 공정이 센서 칩에 대해 행해진다.
본 발명의 특정 실시예들이 설명을 위해 본원에 기술되었지만, 다양한 실시예들이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 만들어 질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항들에 의해서만 제한되는 것은 아니다.

Claims (22)

  1. 접촉 압력 센서에 있어서,
    접촉 압력 및 대항력을 각각 받는 제 1 및 제 2 접촉 표면들로서, 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면들은 서로 바로 마주하여 배치되어 있는, 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면들;
    상기 제 1 및 제 2 접촉 표면들 사이에 배치된 기판;
    피에조-저항 특성들(piezo-resistive properties)을 갖는 재료를 포함하는 접촉 압력 감지층으로서, 상기 기판과는 다른 격자 구조를 가지며 상기 기판과 상기 제 1 접촉 표면 사이에 배치되는, 상기 접촉 압력 감지층;
    상기 접촉 압력 감지층과 상기 기판 사이에 배치된 지지층으로서, 상기 접촉 압력 감지층의 격자 정합 구조와는 다른 격자 정합 구조를 가진, 상기 지지층;
    상기 접촉 압력 감지층과 상기 제 1 접촉 표면 사이에 배치된 도전층;
    상기 접촉 압력 센서의 감도를 증가시키기 위해 상기 도전층 위에 에칭되는 미앤더 패턴(meander pattern); 및
    상기 미앤더 패턴의 각 단부에 만들어지는 추가 와이어 본딩을 위한 옴 접촉 패드들;을 포함하고,
    상기 접촉 압력 센서는 상기 접촉 압력 및 상기 대항력에 기인하는 압력이 상기 접촉 압력 감지층을 가로질러 가해지도록 구성된, 접촉 압력 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 접촉 표면은 상기 접촉 압력 감지층으로부터 멀리 떨어져 마주하는 상기 기판 표면의 일부를 적어도 포함하는, 접촉 압력 센서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지층은 반절연성 또는 절연성인, 접촉 압력 센서.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 압력 감지층의 재료는 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 반도체 원소인, 접촉 압력 센서.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 접촉 압력 감지층의 재료는 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 3성분 반도체 원소(ternary semi-conductor element)인, 접촉 압력 센서.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 압력 감지층의 재료는 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 상이한 원소들의 하나보다 많은 층을 포함하는, 접촉 압력 센서.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 압력 감지층의 재료는 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs)인, 접촉 압력 센서.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 압력 감지층의 재료는 갈륨 비소(GaAs)이고 상기 도전층은 갈륨 비소(GaAs)로 도핑되는, 접촉 압력 센서.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 재료는 상기 접촉 압력 감지층과 격자 정합되는 재료보다 더 강인한, 접촉 압력 센서.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    피에조-저항 특성들을 갖는 재료를 가지며 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면들 사이에 배치되는 온도 감지층으로서, 상기 기판과는 다른 격자 구조를 가진, 상기 온도 감지층; 및
    상기 온도 감지층과 상기 압력 감지층들 사이에 배치된 추가의 절연층을 더 포함하고, 상기 추가의 절연층은 상기 온도 감지층 및 상기 압력 감지층 중 어느 하나보다 높은 저항을 가진, 접촉 압력 센서.
  11. 삭제
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서는 40 MPa보다 높은 접촉 압력을 견디도록 구성된, 접촉 압력 센서.
  13. 접촉 압력 센서를 제조하는 방법에 있어서,
    각각 상이한 격자 구조들을 가진 제 1 지지 기판 및 제 2 지지 기판을 제공하는 단계;
    공정 포스트 구조(process post structure)를 형성하는 단계로서,
    상기 제 1 지지 기판 위에 절연층을 침착하는 단계;
    상기 절연층 위에 배치된 상기 접촉 압력 센서에 가해진 피에조-저항 특성들을 갖는 재료를 가진 압력 감지층을 침착하는 단계로서, 상기 압력 감지층은 상기 제 2 기판과는 상이한 격자 구조를 가진, 상기 압력 감지층을 침착하는 단계; 및
    상기 센서의 도전 접점을 위해 상기 접촉 압력 감지층 위에 도전층을 침착하는 단계를 포함하는, 상기 공정 포스트 구조 형성 단계;
    상기 공정 포스트 구조를 상기 제 1 기판으로부터 상기 제 2 기판으로 전이시키는 단계;
    상기 접촉 압력 센서의 감도를 증가시키기 위해 상기 도전층 위에 미앤더 패턴을 에칭하는 단계; 및
    상기 미앤더 패턴의 각 단부에 추가 와이어 본딩을 위해 옴 접촉 패드를 만드는(built) 단계;를 포함하는, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    공정 포스트 구조를 형성하는 단계는 상기 제 1 지지 기판의 표면 위에 희생층을 침착하는 단계를 더 포함하고, 상기 희생층은 상기 제 1 기판과 상기 절연층 사이에 배치되는, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 공정 포스트 구조를 전이시키는 단계는 상기 공정 포스트 구조로부터 상기 희생층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    공정 포스트 구조를 형성하는 단계는,
    상기 제 1 기판 위에 배치된 피에조-저항 특성들을 갖는 재료를 가진 온도 감지층을 침착하는 단계; 및
    상기 온도 감지층과 상기 압력 감지층들 사이에 배치된 추가 절연층을 침착하는 단계를 더 포함하고, 상기 추가 절연층은 상기 온도 감지층 및 상기 압력 감지층 중 어느 하나보다 높은 저항을 가진, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉 압력 감지층의 재료는 멘델레프 표의 ⅢA 및 VA족으로부터의 반도체 원소인, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  19. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉 압력 감지층의 재료는 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs)인, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  20. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 기판의 재료는 상기 제 1 기판과는 다른, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  21. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판, 상기 절연층 및 상기 도전층의 재료들은 갈륨 비소(GaAs)인, 접촉 압력 센서 제조 방법.
  22. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서는 40 MPa보다 큰 접촉 압력을 견디도록 구성된, 접촉 압력 센서 제조 방법.
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