KR101166859B1 - 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법 - Google Patents

측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101166859B1
KR101166859B1 KR1020100134022A KR20100134022A KR101166859B1 KR 101166859 B1 KR101166859 B1 KR 101166859B1 KR 1020100134022 A KR1020100134022 A KR 1020100134022A KR 20100134022 A KR20100134022 A KR 20100134022A KR 101166859 B1 KR101166859 B1 KR 101166859B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensor
movement
target object
movable object
deformation
Prior art date
Application number
KR1020100134022A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110010684A (ko
Inventor
마르크 빌헬무스 마리아 반 데르 비스트
엥겔베르투스 안토니우스 프란시스쿠스 반 데르 파쉬
코엔 야코부스 요한네스 마리아 잘
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20110010684A publication Critical patent/KR20110010684A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101166859B1 publication Critical patent/KR101166859B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Abstract

인코더-타입 측정 시스템은 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성되고, 상기 측정 시스템은 상기 이동가능한 물체 상에 장착가능한 1 이상의 센서, 실질적으로 정지 프레임 상에 장착가능한 센서 타겟 물체, 및 상기 실질적으로 정지 프레임 상에 상기 센서 타겟 물체를 장착하도록 구성된 장착 디바이스를 포함한다. 또한, 상기 측정 시스템은 상기 실질적으로 정지 프레임에 대한 상기 센서 타겟 물체의 이동 및/또는 변형을 전체적으로 또는 부분적으로 보상하도록 구성된 보상 디바이스를 더 포함한다. 상기 보상 디바이스는 수동 또는 능동 댐핑 디바이스 및/또는 피드백 위치 제어 시스템을 포함할 수 있다. 대안적인 실시예에서, 상기 보상 디바이스는 상기 이동가능한 물체의 고 정확성 이동 시에 상기 센서 타겟 물체의 위치를 고정시키는 그립핑 디바이스를 포함한다.

Description

측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법{MEASUREMENT SYSTEM, LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING A POSITION DEPENDENT SIGNAL OF A MOVABLE OBJECT}
본 발명은 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로 기판의 일부분 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
공지된 리소그래피 장치에서, 높은 정확성(예를 들어, 나노미터 정확성)으로 기판 스테이지의 위치를 결정하기 위해 측정 시스템이 사용된다. 더 높은 스루풋 및 증가된 정확성에 대한 계속적인 요구로 인해, 리소그래피 장치에 사용되는 측정 시스템들, 특히 레티클 스테이지 및 기판 스테이지의 위치가 측정되고, 통상적으로 6 자유도(degree of freedom)를 갖는 측정 시스템들의 정확성을 개선시킬 필요가 있다.
측정 시스템의 공지된 실시예에서는 인코더 타입 측정 시스템이 사용된다. 이러한 인코더 타입 측정 시스템은, 이동가능한 물체 상에 장착된 1 이상의 센서들; 및 격자 또는 그리드를 포함하고, 실질적으로 정지 프레임, 특히 소위 메트롤로지 프레임(메트로-프레임) 상에 장착된 1 이상의 센서 타겟 물체 - 예를 들어, 센서 타겟 플레이트 - 를 포함할 수 있다. 센서 타겟 물체는 1-차원 다차원 격자를 포함할 수 있다. 센서 타겟 물체는, 통상적으로 2-차원 직교 그리드가 배치된 플레이트의 형태로 되어 있을 것이다.
대안적인 실시예에서, 1 이상의 센서들이 실질적으로 정지 프레임 상에 장착될 수 있으며, 그리드 플레이트 또는 그리드 플레이트들은 이동가능한 물체 상에 장착될 수 있다. 그리드 플레이트는 1 이상의 센서들에 대해 그리드 플레이트의 위치 변화를 결정하는데 사용되는 다수의 그리드 라인들 또는 다른 그리드 마킹들을 포함한다.
공지된 측정 시스템은 다수의 장착 지점들에서 실질적으로 정지 프레임 상에 그리드 플레이트를 장착하는 장착 디바이스를 포함한다. 메트로 프레임에서의 온도 변화 및/또는 온도 차이는 메트로-프레임의 형상 변화를 초래할 수 있다. 또한, 다른 영향들도 메트로-프레임의 향상 변화를 초래할 수 있다. 그 결과, 그리드 플레이트의 장착 디바이스의 장착 지점들 간의 거리가 변할 수 있으며, 결과적으로 메트로-프레임의 형상 변화는 그리드 플레이트의 형상 변화를 초래할 수 있다. 이러한 변형은 측정 시스템의 측정 정확성에 부정적인 영향을 줄 수 있다.
메트로-프레임의 이러한 형상 변화를 보상하기 위하여, 장착 디바이스는 메트로-프레임에 그리드 플레이트를 연결하는 다수의 플렉서 요소(flexure element)들을 포함한다. 이들 플렉서 요소들은 장착 지점들의 가능한 상대 위치 변화를 보상하기 위해 1 이상의 자유도로 유연성이 있다.
기판 스테이지용 인코더-타입 측정 시스템의 통상적인 실시예에서, 리소그래피 장치의 렌즈 열(lens column) 중심 축을 중심으로 그려진 가상 원의 원주 상에 배치된 3 개의 플렉서 요소들로 그리드 플레이트가 장착된다. 플렉서 요소들은 상기 렌즈 열 중심 축에 대해 반경 방향으로 메트로-프레임의 이동을 허용하며, 이러한 이동을 그리드 플레이트에 전달하지 않는다.
공지된 측정 시스템의 단점은, 그리드 플레이트의 장착 디바이스, 특히 플렉서 요소들이 그리드 플레이트의 장착 시에 약간의 유연성(flexibility)을 도입하기 때문에, 그리드 플레이트가 외부 영향들에 의해 이동되거나 변형될 수 있다는 것이다. 예를 들어, 기판 스테이지의 이동은 그리드 플레이트의 이동이나 변형을 초래할 수 있는 압력 파(pressure wave)를 유발할 수 있다. 이러한 이동 및/또는 변형은 측정 시스템의 성능에 부정적인 영향을 준다. 다른 측정 시스템들에서도 이와 유사한 영향들이 발생할 수 있으며, 측정 시스템의 정확성에 부정적인 영향을 줄 수 있다.
측정 정확성이 요란(disturbance), 특히 이동가능한 물체의 이동으로 인한 요란에 실질적으로 영향을 덜 받는, 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된, 바람직하게는 인코더-타입의 고 정확성 측정 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된 인코더-타입 측정 시스템이 제공되고, 상기 측정 시스템은 상기 이동가능한 물체 상에 장착가능한 1 이상의 센서; 실질적으로 정지 프레임 상에 장착가능한 격자 또는 그리드를 포함하는 센서 타겟 물체; 및 상기 실질적으로 정지 프레임 상에 상기 센서 타겟 물체를 장착하도록 구성된 장착 디바이스를 포함하고, 상기 측정 시스템은 상기 실질적으로 정지 프레임에 대한 상기 센서 타겟 물체의 이동 및/또는 변형을 전체적으로 또는 부분적으로 보상하도록 구성된 보상 디바이스를 더 포함한다.
상기 위치 의존적 신호는, 예를 들어 이동가능한 물체의 위치, 속력 또는 가속 신호일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 실질적으로 정지 프레임에 대한 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된 측정 시스템이 제공되고, 상기 측정 시스템은 1 이상의 시스템 부분, 및 상기 시스템 부분을 실질적으로 정지 프레임 상에 장착하도록 구성된 장착 디바이스를 포함하고, 상기 측정 시스템은 상기 실질적으로 정지 프레임에 대한 상기 시스템 부분의 이동 및/또는 변형을 전체적으로 또는 부분적으로 보상하도록 구성된 보상 디바이스를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 패터닝 디바이스 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 리소그래피 장치는 실질적으로 정지 프레임에 대한 상기 패터닝 디바이스 지지체 또는 상기 기판 테이블의 위치 의존적 신호를 측정하는 측정 시스템을 포함하며, 상기 시스템은 1 이상의 시스템 부분, 및 상기 실질적으로 정지 프레임 상에 상기 시스템 부분을 장착하도록 구성된 장착 디바이스를 포함하며, 상기 측정 시스템은 상기 실질적으로 정지 프레임에 대한 상기 시스템 부분의 이동 및/또는 변형을 전체적으로 또는 부분적으로 보상하도록 보상 디바이스를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이동가능한 물체 상에 장착된 센서, 및 실질적으로 정지 프레임 상에 장착된 격자 또는 그리드를 포함하는 센서 타겟 물체를 갖는 인코더-타입 측정 시스템을 이용하여, 상기 실질적으로 정지 프레임에 대한 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 상기 실질적으로 정지 프레임에 대한 상기 그리드 플레이트의 이동 및/또는 변형을 전체적으로 또는 부분적으로 보상하는 단계를 포함한다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 리소그래피 장치에서 기판 스테이지의 위치를 측정하는, 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템의 개략적 측면도;
도 3은 도 2의 실시예의 개략적 평면도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템의 개략적 측면도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템의 개략적 측면도; 및
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템의 개략적 측면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여하한의 다른 적절한 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL), 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 지지 구조체 또는 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또는 상기 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지체"를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(W)의 타겟부(C)(1 이상의 다이를 포함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선의 지향, 성형 또는 제어를 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 여하한의 타입의 광학 구성요소들, 또는 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소를 포함할 수 있다.
지지 구조체 또는 패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스의 무게를 지지, 즉 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 상기 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 상기 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블일 수도 있다. 상기 지지 구조체는 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부 내에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들 또는 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 또는 "기판 지지체"(및/또는 2 이상의 마스크 테이블 또는 "마스크 지지체")를 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예를 들어, 물)에 의해 기판의 전체 또는 부분이 덮일 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 해당 기술 분야에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 담그어져야 한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 그보다는 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 위치된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 상기 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖기 위해 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에 또는 스캔하는 동안에 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수도 있으며, 이는 제 2 위치설정 디바이스(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)은 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2)들 및 기판 정렬 마크(P1, P2)들을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟부(dedicated target portion)들을 차지하고 있지만, 상기 마크들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
서술된 장치는 다음과 같은 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체", 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"에 대한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 이미지 반전 특성 및 확대(축소)에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수 있다.
도 2 및 도 3은 개략적으로 도면번호(1)로 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템의 측면도 및 저면도이다. 측정 시스템(1)은 소위 메트롤로지 프레임 또는 메트로-프레임(3)에 대해 기판(2a)을 지지하는 기판 스테이지의 위치를 측정하도록 구성된다. 메트로-프레임(3)은 렌즈 열(4)이 장착되는 실질적으로 정지 프레임이다. 이에 대해, 실질적으로 정지 프레임은 실질적으로 정지 위치에서 수동적으로 또는 능동적으로 유지되는 여하한의 프레임일 수 있다는 것을 유의한다. 공지된 리소그래피 장치의 메트로-프레임(3)은 공장 바닥의 진동과 같은 여하한의 외부 요란을 여과하기 위해 베이스 프레임 상에 수동 또는 능동 에어-마운트(air-mount)들로 장착된다. 이러한 방식으로, 렌즈 열은 실질적으로 정지 위치에 유지된다. 기판 스테이지의 스캐닝 이동으로 인해, 렌즈 열에 대한 기판 스테이지의 위치를 아는 것이 바람직하다. 그러므로, 메트로-프레임(3)에 대한 기판 스테이지의 위치가 결정될 수 있는 위치 측정 시스템(1)이 제공된다.
측정 시스템(1)은 센서 타겟 플레이트와 같은 격자 또는 그리드를 포함하는 센서 타겟 물체에 대한 기판 스테이지의 위치 변화를 결정하는데 사용되는 1 이상의 센서(5)들을 포함한다. 도 2 및 도 3에 도시된 실시예에서, 센서 타겟 물체는 2-차원 그리드를 포함하는 그리드 플레이트(6)이다. 그리드 플레이트(6)는 상기 그리드 플레이트(6)에 대한 1 이상의 센서들(5)의 위치를 결정하는데 사용되는 다수의 그리드 라인들 또는 스폿들을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 그리드 플레이트라는 용어는 측정 시스템의 일부분으로서 그리드 또는 격자가 제공된 여하한의 타입의 센서 타겟을 지칭할 수 있다. 이러한 측정 시스템은 통상적으로 인코더-타입 측정 시스템이라고 칭해지며, 해당 기술 분야에 알려져 있다.
그리드 플레이트(6)는 렌즈 열(4)의 중심 구멍을 포함하고, 메트로-프레임(3) 상에 장착되며, 장착 디바이스(7)는 3 개의 플렉서 요소들(8)을 포함한다. 플렉서 요소들(8)은 실질적으로 수평 평면에서 동일한 각도로 가상 원(9)의 원주 상에 배치된다. 가상 원(9)의 중심은 실질적으로 리소그래피 장치의 렌즈 열(4)의 중심선(A-A)과 일치한다. 메트로-프레임(3)은 온도나 다른 외부 영향들로 인해 형상이 변화할 수 있다. 공지된 리소그래피 장치에서, 메트로-프레임의 이러한 형상 변화는 렌즈 열(4)의 중심선과 실질적으로 대칭이다. 플렉서 요소들(8)은 그리드 플레이트(6)의 실질적인 형상 변화를 도입하지 않고, 렌즈 열(4)의 중심축에 대해 반경 방향들로 메트로-프레임(3)의 변화를 허용하도록 배치된다. 그리드 플레이트(6)의 비교적 작은 형상 또는 위치 변화는 여전히 생길 수 있다. 플렉서 요소들(8)의 메트로-프레임 쪽으로의 이동 방향은 도 3에 양방향 화살표로 표시되어 있다. 메트로-프레임(3)의 형상 변화가 렌즈 열의 중심축(A-A)에 대해 실질적으로 대칭이기 때문에, 그레이드 플레이트(6)는 그 위치 밖으로 이동되지 않을 것이다.
하지만, 기판 스테이지(2)의 이동 동안에 기판 스테이지(2)의 작업 공간 안으로 공기가 변위(displace)된다. 그 결과, 압력 파들이 작업 공간을 통해 전파될 수 있다. 특히, 그리드 플레이트의 장착 디바이스는 그리드 플레이트의 지지체에 약간의 유연성을 도입하기 때문에, 이 압력 파들은 그리드 플레이트(6)의 이동 및/또는 변형을 유발할 수 있다. 하지만, 그리드 플레이트(6)가 더 견실하게 장착된다 하더라도, 압력 파들은 그리드 플레이트(6)의 이동 또는 변형을 유발할 수 있다.
도 2 및 도 3의 실시예에서는, 이러한 이동 또는 변형을 보상하기 위해 3 개의 위치들에 댐핑 디바이스(damping device: 10)가 제공된다. 이에 대해, 보상이라는 용어는, 그리드 플레이트의 이동 및/또는 변형이 댐핑 디바이스의 제공에 의해, 더 일반적으로는 본 발명의 보상 디바이스에 의해 상당히 억제된다는 것을 의미한다는 것을 유의한다. 댐핑 디바이스(10)는, 예를 들어 그리드 플레이트(6) 상에 제공된 알루미늄 요소(12)의 변위에 대해 반대 방향으로 지향된 힘을 유도하는 수동 자석(11)을 포함하는 수동 댐핑 디바이스이다.
대안적인 실시예들에서, 수동 댐핑 디바이스는 그리드 플레이트(6)의 이동 또는 변형에 댐핑 효과를 제공하는 여하한의 디바이스일 수 있다.
또 다른 실시예에서, 댐핑 디바이스는 그리드 플레이트(6)의 위치를 측정하는 1 이상의 센서들, 및 메트로-프레임(3)에 대한 그리드 플레이트(6)의 여하한의 변위를 댐핑하는 1 이상의 작동 수단들을 포함하는 능동 댐핑 디바이스일 수 있다.
수동 또는 능동 댐핑 디바이스는, 상기 댐핑 디바이스가 다른 주파수 범위들에서도 적절한 댐핑을 제공할 수 있지만, 특히 그리드 플레이트(6)의 공진 주파수들에서의 그리드 플레이트(6)의 변위, 즉 이동 또는 변형의 효율적인 보상을 제공하는 것으로 밝혀졌다.
도 2 및 도 3의 실시예에서, 댐핑 디바이스(10)는 수직 방향으로, 즉 그리드 플레이트의 주 평면에 대해 실질적으로 수직인 방향으로 그리드 플레이트(6)의 변위를 댐핑하도록 구성된다. 다른 방향들로, 예를 들어 1 이상의 수평 방향들, 즉 그리드 플레이트(6)의 주 평면에 수평한 방향들 또는 여하한의 다른 원하는 방향으로 그리드 플레이트(6)의 변위에 대해 유사한 제공들이 제공될 수 있다.
또한, 제 1 실시예에서는 원에 배치된 3 개의 댐핑 디바이스들(10)이 제공된다. 본 발명에 따른 댐핑 디바이스들의 개수 또는 더 일반적인 보상 디바이스들의 개수 및 그 위치는 그리드 플레이트(6)의 이동 및/또는 변형을 보상하는 여하한의 적절한 구성일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템을 도시한다. 이 실시예에서, 피드백 위치 제어 시스템(15)은 메트로-프레임(3)에 대한 그리드 플레이트(6)의 위치를 제어하는데 제공된다. 피드백 위치 제어 시스템(15)은 1 이상의 센서들(16), 제어기(17) 및 1 이상의 액추에이터들(18)을 포함한다. 피드백 제어 시스템은 메트로-프레임(3)에 대해 실질적으로 동일한 위치에서 그리드 플레이트(6)를 유지하기 위해 제공된다.또한, 위치 제어 시스템(15)은 해당 기술 분야에 알려진 여하한의 제어 시스템에 따라 설계될 수 있다.
상기 도면에서 그리드 플레이트(6)의 주 평면에 대해 실질적으로 수직인 방향에 있는 피드백 위치 제어 시스템(15)은 도 4의 실시예에서 수직 방향으로 그리드 플레이트(6)의 변위를 억제하도록 적용된다. 또한, 상기 위치 제어 시스템(15)은 1 이상의 다른 방향들로 변위를 억제하도록 적용될 수 있다.
위치 제어 시스템의 제공은 낮은 주파수 범위, 즉 공진 주파수 범위보다 낮은 주파수 범위에서 상기 이동 또는 변형의 억제에 특히 유용하다. 하지만, 피드백 위치 제어 시스템의 제공은 다른 주파수 범위들에서 그리드 플레이트(6)의 변위를 억제하는데 유익할 수 있다. 일 실시예에서, 위치 제어 시스템은 공진 주파수 범위의 댐핑과, 낮은 주파수 범위에서의 위치 제어를 모두 제공하도록 설계될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템을 도시한다. 이 실시예에서는 도 4의 실시예의 피드백 위치 제어 시스템(15) 및 수동 댐핑 디바이스(20)가 결합된다. 댐핑 디바이스(10)와 위치 제어 시스템(15)은 그리드 플레이트(6)의 주 평면에 대해 수직인 방향으로 그리드 플레이트(6)의 변위 억제를 제공하도록 제공된다. 피드백 위치 제어 시스템(15)은 특히, 낮은 주파수 범위들에서의 변위 억제를 위해 설계되는 한편, 수동 댐핑 디바이스(20)는 특히, 공진 주파수 범위에서의 변위 억제를 위해 제공된다.
수동 댐핑 디바이스(20)는 그리드 플레이트 상에 제공된 제 1 댐핑 요소(21) 및 메트로-프레임(3) 상에 장착된 제 2 댐핑 요소(22)를 포함한다. 2 개의 댐핑 요소들(21, 22) 사이에는, 마찰 없는(frictionless) 댐핑 디바이스로서 기능하는 작은 공기 갭이 형성된다. 공기 갭은, 예를 들어 50 내지 150 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 비교적 큰 면적, 예를 들어 200 ㎠ 이상으로 확대된다.
또한, 제 1 실시예의 댐핑 디바이스(10) 또는 또 다른 댐핑 디바이스와 같은 또 다른 타입의 댐핑 디바이스가 제공될 수도 있다. 또한, 댐핑은 제 2 실시예와 관련하여 설명된 바와 같이 위치 제어 시스템(15)에 의해 수행될 수도 있다.
1 이상의 다른 방향들로의 댐핑/위치 제어를 위해 댐핑 디바이스들 및/또는 위치 제어 시스템들의 유사한 조합들이 제공될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 시스템을 도시한다. 이 실시예에서, 측정 시스템은 메트로-프레임 상에 장착되며, 2 개의 위치들 - 고정 위치(holding position) 및 자유 위치(free position) - 사이에서 이동가능한 그립핑 디바이스(gripping device: 25)를 포함한다. 도 6의 왼쪽에 도시된 고정 위치에서, 그리드 플레이트(6)는 적어도 그리드 플레이트(6)의 주 평면에 대해 실질적으로 수직인 방향으로 고정된다. 도 6의 오른쪽에 도시된 자유 위치에서, 그립핑 디바이스는 그리드 플레이트(6)를 잡고 있지 않으며, 그립핑 디바이스(25)와 그리드 플레이트(6) 사이에는 바람직하게 물리적인 접촉이 존재하지 않는다.
앞서 설명된 바와 같이, 플렉서 요소들(8)은 그리드 플레이트(6)에 대한 메트로-프레임의 이동을 보상하기 위해 제공된다. 이러한 이유로, 일반적으로는 6 자유도로 그리드 플레이트(6)를 고정시키는 장착 디바이스를 제공하는 것은 바람직하지 않은데, 이는 메트로-프레임(3)의 상대 이동이 그리드 플레이트(6)에 전달될 수도 있기 때문이다. 하지만, 메트로-프레임의 이동은, 특히 온도 변화 또는 차이로 인한 때에, 비교적 느리다.
또한, 측정 시스템의 높은 정확성은, 특히 기판 스테이지의 스캐닝 이동 동안에, 즉 기판의 스캐닝 또는 노광 중에 요구된다. 도 6의 실시예에 따른 그립핑 디바이스(25)(또는 고정 디바이스)는, 이러한 스캐닝 이동 동안에 외부 요란으로 인한 그리드 플레이트의 이동 또는 변형을 실질적으로 억제하기 위해, 기판 스테이지의 스캐닝 이동 동안에 그리드 플레이트(6)에 사용될 수 있다. 스캐닝 이동 이전 및 이후에, 메트로-프레임(3)의 여하한의 형상 변화들이 2 개의 스캐닝 이동 사이에 보상될 수 있도록, 그립핑 디바이스들(25)은 자유 위치로 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 메트로-프레임(3) 내의 요란과, 예를 들어 압력 파들로 인한 그리드 플레이트(6) 상의 외부 요란이 모두 보상될 수 있으며, 이에 따라 측정 시스템의 정확성이 증가된다.
본 명세서에서 사용되는 그립핑 디바이스라는 용어는, 소정 시간 주기 동안에 1 이상의 방향으로 그리드 플레이트(6)를 실질적으로 고정할 수 있고, 또 다른 시간 주기 동안에 그리드 플레이트(6)를 해제할 수 있는 여하한의 디바이스를 지칭한다.
도 4의 실시예에서, 그립핑 디바이스(25)는 고정 디바이스로서, 적어도 그리드 플레이트의 주 평면에 대해 실질적으로 수직인 방향으로 그리드 플레이트(6)의 위치를 고정시키는데 사용된다. 다른 실시예들에서, 그립핑 디바이스(25)는 더 많은 방향들 또는 다른 방향(들)으로 그리드 플레이트들 고정시키도록 설계될 수도 있다. 일 실시예에서는, 고정 위치에서 6 자유도로 그리드 플레이트를 고정시키도록 구성된 1 이상의 그립핑 디바이스들이 제공된다.
본 발명의 대안적인 실시예들에서, 측정 시스템은 하나의 큰 그리드 플레이트의 기능을 전수한, 실질적으로 동일한 평면에 배치된 2 이상의 그리드 플레이트를 포함할 수 있다. 이러한 각각의 그리드 플레이트에는 본 명세서에서 설명된 바와 같은 보상 디바이스가 제공될 수 있다.
다른 실시예들에서, 그리드 플레이트 또는 그리드 플레이트들이 이동가능한 물체 상에 배치될 수 있는 한편, 1 이상의 센서들은 실질적으로 정지 프레임 상에 배치될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 이동가능한 물체에 대한 그리드 플레이트의 이동 및/또는 변형을 보상하는 보상 디바이스가 각각의 그리드 플레이트에 제공될 수 있다. 이러한 이동/변형은 이동가능한 물체의 이동으로 인한 압력 파들과 같은 요란에 의해 발생될 수 있다. 이러한 다른 실시예들은 본 발명의 범위 내에 있다고 할 것이다.
상기의 설명에서는, 리소그래피 장치의 메트로-프레임에 대한 그리드 플레이트의 이동 및/또는 변형의 보상이 설명되었다. 또한, 보상 디바이스는 각각의 시스템 부분이 장착된 프레임에 대한 측정 시스템들의 다른 시스템 부분들의 이동 또는 변위의 보상에도 사용될 수 있다. 이러한 실시예들은 본 발명의 범위 내에 있다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 여타의 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피에 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 응용예들, 예컨대 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에도 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면, 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층 안으로 가압될 수 있으며, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화(cure)된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 ㎚의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm의 범위인 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔도 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.
이상, 특정 실시예들이 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 하기에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (25)

  1. 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된 인코더-타입 측정 시스템에 있어서,
    정지 프레임에 장착가능한 1 이상의 센서;
    상기 이동가능한 물체에 장착가능한 센서 타겟 물체;
    상기 이동가능한 물체에 상기 센서 타겟 물체를 장착하도록 구성된 유연성의(flexible) 장착 디바이스; 및
    상기 이동가능한 물체에 대한 상기 센서 타겟 물체의 '이동' 또는 '변형' 또는 '이동과 변형'을 적어도 부분적(at least partially)으로 보상하도록 구성된 보상 디바이스를 포함하는 인코더-타입 측정 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는 상기 센서 타겟 물체의 '이동' 또는 '변형' 또는 '이동과 변형'을 댐핑(damp)하도록 구성된 댐핑 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 2 항에 있어서,
    상기 댐핑 디바이스는 수동 댐핑 디바이스 또는 능동 댐핑 디바이스인 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는 피드백 위치 제어 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는, 상기 센서 타겟 물체의 공진 주파수 범위에서 보상하도록 구성된 댐핑 디바이스, 및 상기 공진 주파수 범위보다 낮은 주파수 범위에서 보상하도록 구성된 위치 제어 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는, 상기 센서 타겟 물체를 상기 이동가능 물체에 대해 1 이상의 자유도로 고정시키기 위하여 상기 이동가능한 물체의 이동 동안에 상기 센서 타겟 물체를 고정시키도록 구성된 고정 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 6 항에 있어서,
    상기 고정 디바이스는 상기 센서 타겟 물체를 6 자유도로 고정시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 장착 디바이스는 상기 이동가능 물체에 상기 센서 타겟 물체를 커플링시키도록 구성된 복수의 플렉서 요소(flexure element)들을 포함하고, 적어도 하나의 플렉서 요소는 1 이상의 자유도로 유연한 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 센서 타겟 물체는 격자 또는 그리드를 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 이동가능한 물체는 리소그래피 장치의 기판 스테이지 또는 레티클 스테이지인 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 위치 의존적 신호는 상기 이동가능한 물체의 위치, 속력 또는 가속 신호인 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  12. 리소그래피 장치에 있어서,
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 패터닝 디바이스 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 지지체;
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    정지 프레임에 대한 상기 지지체들 중 하나의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된 측정 시스템을 포함하며, 상기 측정 시스템은:
    상기 정지 프레임에 장착 가능한 적어도 하나의 센서;
    상기 지지체들 중 하나에 장착 가능한 센서 타겟 물체;
    상기 센서 타겟 물체를 상기 지지체들 중 하나에 장착하도록 구성된 유연성의 장착 디바이스; 및
    상기 지지체들 중 하나에 대한 상기 센서 타겟 물체의 '이동' 또는 '변형' 또는 '이동과 변형'을 적어도 부분적으로 보상하도록 구성된 보상 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치.
  13. 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된 인코더-타입 측정 시스템에 있어서,
    정지 프레임에 장착가능한 적어도 하나의 센서;
    상기 이동가능한 물체에 장착가능한 센서 타겟 물체;
    상기 정지 프레임에 상기 적어도 하나의 센서를 장착하도록 구성된 유연성의(flexible) 장착 디바이스; 및
    상기 정지 프레임에 대한 상기 적어도 하나의 센서의 '이동' 또는 '변형' 또는 '이동과 변형'을 적어도 부분적(at least partially)으로 보상하도록 구성된 보상 디바이스를 포함하는 인코더-타입 측정 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는 상기 적어도 하나의 센서의 '이동' 또는 '변형' 또는 '이동과 변형'을 댐핑(damp)하도록 구성된 댐핑 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 14 항에 있어서,
    상기 댐핑 디바이스는 수동 댐핑 디바이스 또는 능동 댐핑 디바이스인 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 13 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는 피드백 위치 제어 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 13 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는, 상기 적어도 하나의 센서의 공진 주파수 범위에서 보상하도록 구성된 댐핑 디바이스, 및 상기 공진 주파수 범위보다 낮은 주파수 범위에서 보상하도록 구성된 위치 제어 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 보상 디바이스는, 상기 적어도 하나의 센서를 상기 정지 프레임에 대해 1 이상의 자유도로 고정시키기 위하여 상기 이동가능한 물체의 이동 동안에 상기 적어도 하나의 센서를 고정시키도록 구성된 고정 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 18 항에 있어서,
    상기 고정 디바이스는 상기 적어도 하나의 센서를 6 자유도로 고정시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 장착 디바이스는 상기 정지 프레임에 상기 적어도 하나의 센서를 커플링시키도록 구성된 복수의 플렉서 요소(flexure element)들을 포함하고, 적어도 하나의 플렉서 요소는 1 이상의 자유도로 유연한 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  21. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 13 항에 있어서,
    상기 센서 타겟 물체는 격자 또는 그리드를 포함하는 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  22. 제 13 항에 있어서,
    상기 이동가능한 물체는 리소그래피 장치의 기판 스테이지 또는 레티클 스테이지인 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 위치 의존적 신호는 상기 이동가능한 물체의 위치, 속력 또는 가속 신호인 것을 특징으로 하는 인코더-타입 측정 시스템.
  24. 리소그래피 장치에 있어서,
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 패터닝 디바이스 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 지지체;
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    정지 프레임에 대한 상기 지지체들 중 하나의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된 측정 시스템을 포함하며, 상기 측정 시스템은:
    상기 정지 프레임에 장착 가능한 적어도 하나의 센서;
    상기 지지체들 중 하나에 장착 가능한 센서 타겟 물체;
    상기 적어도 하나의 센서를 상기 정지 프레임에 장착하도록 구성된 유연성의 장착 디바이스; 및
    상기 정지 프레임에 대한 상기 적어도 하나의 센서의 '이동' 또는 '변형' 또는 '이동과 변형'을 적어도 부분적으로 보상하도록 구성된 보상 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치.
  25. 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하도록 구성된 인코더-타입 측정 시스템에 있어서,
    정지 프레임에 장착가능한 적어도 하나의 센서;
    상기 이동가능한 물체에 장착가능한 센서 타겟 물체;
    상기 정지 프레임에 상기 적어도 하나의 센서를 장착하도록 구성된 제 1 유연성의(flexible) 장착 디바이스; 및
    상기 이동가능 물체에 상기 센서 타겟 물체를 장착하도록 구성된 제 2 유연성의 장착 디바이스를 포함하는 인코더-타입 측정 시스템.
KR1020100134022A 2007-03-29 2010-12-23 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법 KR101166859B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/730,190 2007-03-29
US11/730,190 US7903866B2 (en) 2007-03-29 2007-03-29 Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080028949A Division KR101096144B1 (ko) 2007-03-29 2008-03-28 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치의존적 신호를 측정하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110010684A KR20110010684A (ko) 2011-02-07
KR101166859B1 true KR101166859B1 (ko) 2012-07-19

Family

ID=39794434

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080028949A KR101096144B1 (ko) 2007-03-29 2008-03-28 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치의존적 신호를 측정하는 방법
KR1020100134022A KR101166859B1 (ko) 2007-03-29 2010-12-23 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080028949A KR101096144B1 (ko) 2007-03-29 2008-03-28 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치의존적 신호를 측정하는 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7903866B2 (ko)
JP (2) JP4686563B2 (ko)
KR (2) KR101096144B1 (ko)
CN (2) CN101276155B (ko)
TW (1) TWI362008B (ko)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2963498B8 (en) 2006-01-19 2017-07-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP3279739A1 (en) * 2006-02-21 2018-02-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20130057496A (ko) 2006-02-21 2013-05-31 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP3293577A1 (en) 2006-02-21 2018-03-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
KR101669785B1 (ko) 2006-08-31 2016-10-27 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법
EP3064999B1 (en) 2006-08-31 2017-07-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP3279738A1 (en) 2006-08-31 2018-02-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
KR101604564B1 (ko) 2006-09-01 2016-03-17 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101511929B1 (ko) 2006-09-01 2015-04-13 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법
US7903866B2 (en) * 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
EP3056945B1 (en) 2007-07-18 2017-08-23 Nikon Corporation Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus
KR101497862B1 (ko) 2007-12-28 2015-03-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
NL1036618A1 (nl) * 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system.
US8817236B2 (en) * 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TW201003053A (en) * 2008-07-10 2010-01-16 Nikon Corp Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for deformation measuring apparatus, position measuring method and device manufacturing method
EP2202426A3 (en) * 2008-12-23 2017-05-03 ASML Netherlands B.V. A method for damping an object, an active damping system, and a lithographic apparatus
EP2399270B1 (en) * 2009-02-22 2013-06-12 Mapper Lithography IP B.V. Charged particle lithography apparatus
US8355116B2 (en) * 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8446569B2 (en) * 2009-06-19 2013-05-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8472008B2 (en) * 2009-06-19 2013-06-25 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
EP2264409B1 (en) * 2009-06-19 2015-10-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8294878B2 (en) * 2009-06-19 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
NL2004834A (en) * 2009-07-08 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005013A (en) * 2009-07-31 2011-02-02 Asml Netherlands Bv Positioning system, lithographic apparatus and method.
US8493547B2 (en) * 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2007155A (en) 2010-08-25 2012-02-28 Asml Netherlands Bv Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table.
JP5406861B2 (ja) * 2011-01-01 2014-02-05 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
NL2008272A (en) 2011-03-09 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
TWI571707B (zh) 2011-04-22 2017-02-21 瑪波微影Ip公司 用於處理諸如晶圓的標靶的微影系統,用於操作用於處理諸如晶圓的標靶的微影系統的方法,以及使用在此種微影系統的基板
NL2008679C2 (en) 2011-04-22 2013-06-26 Mapper Lithography Ip Bv Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark.
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
US9435642B2 (en) * 2012-04-20 2016-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Position measuring apparatus, pattern transfer apparatus, and method for manufacturing a device
TWI468880B (zh) * 2012-06-15 2015-01-11 Asml Netherlands Bv 定位系統、微影裝置及器件製造方法
WO2014010233A1 (ja) * 2012-07-09 2014-01-16 株式会社ニコン 駆動システム及び駆動方法、並びに露光装置及び露光方法
JP6381184B2 (ja) * 2013-07-09 2018-08-29 キヤノン株式会社 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法
CN105093836B (zh) * 2014-05-06 2017-08-29 上海微电子装备(集团)股份有限公司 Euv光刻装置及其曝光方法
CN112068406A (zh) * 2015-02-23 2020-12-11 株式会社尼康 测量装置、光刻系统、以及组件制造方法
CN111610696A (zh) * 2015-02-23 2020-09-01 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法
JP6691693B2 (ja) 2015-02-23 2020-05-13 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びに重ね合わせ計測方法及びデバイス製造方法
WO2016150631A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method
CN108139678B (zh) 2015-09-30 2022-03-15 株式会社尼康 曝光装置、平面显示器的制造方法及元件制造方法
CN105806217B (zh) * 2016-03-12 2018-12-07 上海大学 用于物体空间位置测量的单拉线式测量系统和方法
US10921431B2 (en) * 2017-10-19 2021-02-16 Cepton Technologies Inc. Apparatuses for scanning a lidar system in two dimensions
CN110874021B (zh) * 2018-08-31 2021-03-12 上海微电子装备(集团)股份有限公司 光刻设备、抗气流扰动的方法及装置
CN111380464B (zh) * 2018-12-28 2021-05-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种光栅尺的安装装置、安装方法、光栅测量系统及光刻机
KR20210138852A (ko) 2020-05-13 2021-11-22 이예리 플랫폼 바닥과 전동차 사이 틈새 실족시 충격완화기구
EP3964893A1 (de) 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung
EP3961305A3 (de) 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung
DE102021205808A1 (de) 2020-06-29 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Kompensation von kriecheffekten in einer abbildunsgseinrichtung

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0398334B1 (en) * 1989-05-17 1994-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting apparatus
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JP3278901B2 (ja) 1992-06-03 2002-04-30 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いた回路パターン体製造方法、または露光装置及びその露光装置により製造された回路パターン体
JPH07270122A (ja) 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JP3531895B2 (ja) 1996-09-13 2004-05-31 キヤノン株式会社 投影露光装置
JP3445102B2 (ja) 1997-06-13 2003-09-08 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP3337951B2 (ja) 1997-07-25 2002-10-28 キヤノン株式会社 投影露光装置および方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW490596B (en) 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
JP2000269118A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001135561A (ja) 1999-11-05 2001-05-18 Canon Inc ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
US6741408B2 (en) * 2000-06-15 2004-05-25 Confluent Photonics Corporation Thermally stable mounting for a diffraction grating device
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
TW527526B (en) 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7346093B2 (en) * 2000-11-17 2008-03-18 Cymer, Inc. DUV light source optical element improvements
US6643025B2 (en) * 2001-03-29 2003-11-04 Georgia Tech Research Corporation Microinterferometer for distance measurements
EP1393014A4 (en) 2001-03-29 2007-06-20 Georgia Tech Res Inst MICRO-INTERFEROMETERS WITH CAPACITY OPTIMIZATION
US6509971B2 (en) 2001-05-09 2003-01-21 Nikon Corporation Interferometer system
EP1345082A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-17 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7518737B2 (en) * 2002-03-29 2009-04-14 Georgia Tech Research Corp. Displacement-measuring optical device with orifice
JP2004205487A (ja) * 2002-11-01 2004-07-22 Tokyo Electron Ltd プローブカードの固定機構
EP1513021B1 (en) * 2003-09-04 2007-10-03 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of compensating for thermal deformation in a lithographic apparatus
US7102729B2 (en) * 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
US7817243B2 (en) 2004-04-12 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system
US20060023229A1 (en) * 2004-07-12 2006-02-02 Cory Watkins Camera module for an optical inspection system and related method of use
US7256866B2 (en) 2004-10-12 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405811B2 (en) 2005-04-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7349069B2 (en) 2005-04-20 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
JP4410216B2 (ja) * 2005-05-24 2010-02-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 2ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2006128713A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag Optical imaging arrangement
JP2006344685A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Canon Inc 露光装置
US7348574B2 (en) 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
US7903866B2 (en) * 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
US20100030384A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Technical Manufacturing Corporation Vibration Isolation System With Design For Offloading Payload Forces Acting on Actuator

Also Published As

Publication number Publication date
US20110141447A1 (en) 2011-06-16
US8457385B2 (en) 2013-06-04
CN102096332A (zh) 2011-06-15
KR101096144B1 (ko) 2011-12-19
JP5231517B2 (ja) 2013-07-10
KR20080088501A (ko) 2008-10-02
CN101276155A (zh) 2008-10-01
TWI362008B (en) 2012-04-11
TW200901048A (en) 2009-01-01
US7903866B2 (en) 2011-03-08
JP2009004737A (ja) 2009-01-08
CN101276155B (zh) 2010-12-22
US20080240501A1 (en) 2008-10-02
JP4686563B2 (ja) 2011-05-25
JP2011097073A (ja) 2011-05-12
KR20110010684A (ko) 2011-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101166859B1 (ko) 측정 시스템, 리소그래피 장치 및 이동가능한 물체의 위치 의존적 신호를 측정하는 방법
KR101325607B1 (ko) 대상물 테이블을 위치시키는 스테이지 장치, 리소그래피 장치 및 방법
KR100855075B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5009991B2 (ja) リソグラフィ装置
KR101169350B1 (ko) 위치설정 시스템, 리소그래피 장치 및 방법
JP4909204B2 (ja) ケーブル接続、ケーブル接続用の制御システム、およびケーブル接続を経て振動が第1の対象から第2の対象へと伝達されることを軽減する方法
TWI649637B (zh) 微影裝置、微影投影裝置及器件製造方法
JP4881215B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP6957692B2 (ja) リソグラフィ装置
JP2020517980A (ja) 支持構造、方法、及びリソグラフィ装置
JP4417310B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5919395B2 (ja) 可動ステージシステム及びリソグラフィ装置
JP6209234B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR102349147B1 (ko) 리소그래피 장치, 리소그래피 투영 장치 및 디바이스 제조 방법
JP6856758B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5145379B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150703

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160705

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180628

Year of fee payment: 7