CN101276155B - 测量系统、光刻设备和测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种编码器类型的测量系统、一种光刻设备和一种测量方法。所述测量系统被配置用于测量可移动对象的位置依赖信号，包括：可安装在所述可移动对象上的至少一个传感器；传感器目标对象，其可安装在基本静止的框架上；以及安装装置，其被配置用于将所述传感器目标对象安装到所述基本静止的框架上。所述测量系统还包括补偿装置，所述补偿装置配置用于至少部分地补偿所述传感器目标对象相对于所述基本静止的框架的运动和/或变形。所述补偿装置可以包括无源或有源阻尼装置和/或反馈位置控制系统。在可选的实施例中，所述补偿装置包括在所述可移动对象的高精度运动过程中固定所述传感器目标对象的位置的夹紧装置。

Description

测量系统、光刻设备和测量方法
技术领域
本发明涉及一种用于测量可移动对象的位置依赖信号的测量系统、光刻设备和测量方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯的部分)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过沿给定方向(“扫描”方向)的辐射束扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
在公知的光刻设备中，测量系统被用于以高精度(例如纳米精度)确定衬底台的位置。由于对更高的生产量和精度的持续需求，需要提高用于光刻设备中的测量系统的精度，尤其是对于通常用于以六个自由度测量衬底台和掩模版台的位置的测量系统。
在测量系统的公知的实施例中，采用编码器类型的测量系统。这种编码器类型的测量系统可以包括：至少一个传感器，所述至少一个传感器被安装在可移动对象上；以及至少一个传感器目标对象，所述至少一个传感器目标对象(例如包含光栅或栅格的传感器目标板)被安装在基本静止的框架上，尤其是所谓度量框架上。所述传感器目标对象可以包括一维、多维光栅。所述传感器目标对象通常将为在其上设置有两维正交栅格的板的形式。这种传感器目标对象经常被称作栅格板。
在可选的实施例中，所述至少一个传感器可以被安装在基本静止的框架上，而一个或多个所述栅格板可以被安装在可移动对象上。所述栅格板包括一定数量的栅格线或其他栅格标记，所述栅格线或其他栅格标记被用于确定所述栅格板相对于所述至少一个传感器的位置的变化。
公知的测量系统包括用于以一定数量的安装点将栅格板安装在基本静止的框架上的安装装置。所述度量框架中的温度改变和/或温度差异可能造成所述度量框架的形状的改变。其他的影响也可以造成所述度量框架的形状改变。因此，在所述栅格板的安装装置的安装点之间的距离可以改变，并因此度量框架的形状的改变也可以导致所述栅格板的形状的改变。这种变形可能对于测量系统的测量精度具有负面的影响。
为了补偿所述度量框架的这种形状改变，安装装置包括多个挠性元件，所述挠性元件将所述栅格板连接到所述度量框架。这些挠性元件至少在一个自由度上是挠性的，以便补偿安装点的相对位置的可能的改变。
在用于衬底台的编码器类型的测量系统的典型实施例中，栅格板安装有三个挠性元件，所述三个挠性元件被设置在围绕光刻设备的透镜柱的中心轴线所画的虚圆的圆周上。所述挠性元件允许所述度量框架沿着径向相对于所述透镜柱的中心轴线运动，而不将这些运动转移给所述栅格板。因为所述度量框架通常被设计成围绕所述透镜柱的中心轴线以圆对称的方式变形，所以所述栅格板将由于所述挠性元件而基本保持在其位置上。
公知的测量系统的缺点是：由于栅格板的安装装置(尤其是挠性元件)在栅格板的安装过程中引入了一定的挠性，所以所述栅格板可能在外部影响下被移动或产生变形。例如，衬底台的运动可以造成压力波，所述压力波可以造成栅格板的运动或变形。这些运动和/或变形对于测量系统的性能具有负面影响。在其他的测量系统中，可能出现类似的效应，且类似的效应可能对所述测量系统的精度具有负面影响。
发明内容
旨在提供一种高精度的测量系统，优选为编码器类型的高精度测量系统，所述测量系统被配置用于测量可移动对象的位置依赖信号，在所述测量系统中，测量的精度基本上很少受干扰影响，尤其是由所述可移动对象的运动造成的干扰。
根据本发明的实施例，提供一种编码器类型的测量系统，所述测量系统配置用于测量可移动对象的位置依赖信号，所述测量系统包括：可安装在所述可移动对象上的至少一个传感器；传感器目标对象，所述传感器目标对象包含可安装在基本静止的框架上的光栅或栅格；以及安装装置，所述安装装置配置用于将所述传感器目标对象安装到所述基本静止的框架上，其中，所述测量系统还包括补偿装置，所述补偿装置配置用于至少部分地补偿所述传感器目标对象相对于所述基本静止的框架的运动和/或变形。
所述位置依赖信号可以例如是所述可移动对象的位置、速度或加速度信号。
根据本发明的实施例，提供一种测量系统，所述测量系统配置用于测量可移动对象相对于基本静止的框架的位置依赖信号，所述测量系统包括至少一个系统部件以及安装装置，所述安装装置配置用于将所述系统部件安装到所述基本静止的框架上，其中，所述测量系统还包括补偿装置，所述补偿装置配置用于至少部分地补偿所述系统部件相对于所述基本静止的框架的运动和/或变形。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括：照射系统，配置用于调节辐射束；图案形成装置支撑件，配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，配置用于保持衬底；以及投影系统，配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述光刻设备包括测量系统，所述测量系统用于测量图案形成装置支撑件或衬底台相对于基本静止的框架的位置依赖信号，所述测量系统包括至少一个系统部件以及安装装置，所述安装装置配置用于将所述系统部件安装到所述基本静止的框架上，其中所述测量系统还包括补偿装置，所述补偿装置配置用于至少部分地补偿所述系统部件相对于所述基本静止的框架的运动和/或变形。
根据本发明的实施例，提供一种方法，所述方法用于采用编码器类型的测量系统测量可移动对象相对于基本静止的框架的位置依赖信号，所述编码器类型的测量系统具有：被安装在所述可移动对象上的传感器；以及传感器目标对象，所述传感器目标对象包括被安装在基本静止的框架上的光栅或栅格，所述方法包括至少部分地补偿栅格板相对于基本静止的框架的运动和/或变形。
附图说明
在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中：
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示意性地示出根据本发明的实施例的用于测量光刻设备中的衬底台的位置的测量系统的侧视图；
图3示意性地示出图2的实施例的俯视图；
图4示意性地示出根据本发明的实施例的测量系统的侧视图；
图5示意性地示出根据本发明的实施例的测量系统的侧视图；
图6示意性地示出根据本发明的实施例的测量系统的侧视图。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外辐射或任何其他合适的辐射)；支撑结构或图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位器PM相连。所述设备还包括：衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑件”，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位器PW相连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构或图案形成装置支撑件支撑图案形成装置，即承担所述图案形成装置的重量。所述支撑结构或图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广泛地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底目标部分上所需的图案完全相对应(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台或“衬底支撑件”(和/或两个或更多的掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台和/或支撑件，或可以在将一个或更多个其他台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以便填充投影系统和衬底之间的空隙。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述图案形成装置(例如掩模)和投影系统之间)。浸没技术可以被用于增加投影系统的数值孔径。这里所使用的该术语“浸没”并不意味着结构(例如衬底)必须浸在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中，液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置(例如，掩模)MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同目标部分C定位于所述辐射束B的辐射路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将图案形成装置(例如，掩模)MA相对于所述辐射束B的辐射路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构(例如，掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT或“衬底支撑件”的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构(例如，掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对齐标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对齐标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种模式中：
1.在步进模式中，在将赋予到所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”和所述衬底台WT或“衬底支撑件”保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT或“衬底支撑件”沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑件”相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑件”保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT或“衬底支撑件”进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT或“衬底支撑件”的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2和3是根据本发明的实施例的测量系统(由附图标记1整体表示)的侧视图和仰视图。测量系统1配置用于测量用于支撑衬底2a的衬底台2相对于所谓度量框架3的位置。度量框架3是基本静止的框架，透镜柱4被安装到所述度量框架3上。在所述方面，基本静止的框架可以是以无源方式或有源方式被保持在基本静止的位置上的任何框架。公知的光刻设备的度量框架3安装有无源的或有源的气垫，所述无源的或有源的气垫位于基础框架上，用于滤除任何外部的干扰(例如工厂地板上的振动)。以这种方式，所述透镜柱被保持在基本静止的位置上。在所述衬底台的扫描运动过程中，需要知道衬底台相对于所述透镜柱的位置。因此，提供位置测量系统1，由所述位置测量系统1可以确定衬底台相对于度量框架3的位置。
测量系统1包括至少一个传感器5，所述至少一个传感器5被用于确定衬底台相对于包括光栅或栅格的传感器目标对象(例如传感器目标板)的位置的改变。在如图2和3所示的实施例中，所述传感器目标对象是包括两位栅格的栅格板6。所述栅格板6包括大量的栅格线或斑点，所述栅格线或斑点被用于确定所述至少一个传感器5相对于所述栅格板6的位置。在本申请中所使用的术语“栅格板”可以表示作为测量系统一部分的任意类型的传感器目标对象，所述传感器目标对象设置有栅格或光栅。这种测量系统通常被称为编码器类型的测量系统，并在本领域内是公知的。
栅格板6包括针对透镜柱4的中心孔，并借助包含三个挠性元件8的安装装置7被安装在度量框架3上。挠性元件8以虚圆9的圆周上的相等角度被设置在一个大致的水平面中。虚圆9的中心与光刻设备的透镜柱4的中心轴线A-A大致相对应。度量框架3可能由于温度或其他外部影响产生形状改变。在已知的光刻设备中，所述度量框架的所述形状改变关于透镜柱4的中心轴线大致对称。挠性元件8被设置成允许度量框架3相对于透镜柱4的中心轴线沿着径向改变，而不会导致栅格板6的实质上的形状改变。栅格板6的形状或位置的相对小的改变仍将出现。挠性元件8的度量框架侧的运动方向由图3中的双向箭头所示。由于度量框架3的形状改变关于透镜柱的中心轴线A-A大致对称，所以栅格板6将不被移动到栅格板6所处的位置之外。
然而，在衬底台2的运动过程中，空气在衬底台2的工作空间中被排放。结果，压力波可以通过所述工作空间传播。这些压力波可能造成栅格板6的运动和/或变形，这尤其是因为所述栅格板的安装装置导致了所述栅格板的支撑的柔性。但是即使将栅格板6安装得刚性更好，所述压力波也可能造成栅格板6移动或变形。
在图2和3的实施例中，阻尼装置10被设置在三个位置上，以补偿这些运动或变形。在所述方面，注意，术语“补偿”表示所述栅格板的运动和/或变形通过设置阻尼装置而在一定程度上被抑制，或者通过本发明的补偿装置被更一般性地抑制。阻尼装置10是无源阻尼装置，所述无源阻尼装置包括无源磁铁11，所述无源磁铁11造成沿着相对于例如被设置在栅格板6上的铝等元件12的位移的相反方向的力。
在可选的实施例中，所述无源阻尼装置可能是为栅格板6的运动或变形提供阻尼效应的任何装置。
在另一个实施例中，所述阻尼装置可以是包含至少一个传感器和至少一个致动装置的有源阻尼装置，所述至少一个传感器用于测量栅格板6的位置，所述至少一个致动装置用于衰减栅格板6相对于度量框架3的任何位移。
已经发现，尽管无源或有源阻尼装置对栅格板6在除去谐振频率外的其他频率范围内的位移(即运动或变形)可以提供足够的阻尼，但是所述阻尼装置对栅格板6在其谐振频率下的位移(即运动或变形)提供特别有效的补偿。
在图2和3的实施例中，阻尼装置10被配置用于衰减栅格板6在垂直方向(即与所述栅格板的主平面基本垂直的方向)上的位移。可以针对栅格板6在其他方向上的位移提供类似的设置，例如在至少一个水平方向(即平行于栅格板6的主平面的方向)或任何其他所需的方向上。
另外，在第一个实施例中，三个阻尼元件10被设置在一个圆上。根据本发明的阻尼装置或更一般性的补偿装置的数量及其位置可以是用于补偿栅格板6的运动和/或变形的任何合适的布置。
图4示出根据本发明的实施例的测量系统。在所述实施例中，反馈位置控制系统15被设置用于控制栅格板6相对于度量框架3的位置。所述反馈位置控制系统15包括至少一个传感器16、控制器17和至少一个致动器18。所述反馈控制系统被设置用于将栅格板6保持在相对于度量框架3的大致相同的位置上。位置控制系统15还可以根据本领域中公知的任何控制系统而被设计。
在图4的实施例中，反馈位置控制系统15被应用于抑制栅格板6在垂直方向上的位移，所述垂直方向在附图中是与栅格板6的主平面大致垂直的方向。位置控制系统15也可以被用于抑制在至少一个其他方向上的位移。
已经发现，提供位置控制系统对于抑制在低频范围(即低于谐振频率范围的频率范围)内的运动或变形尤其有效。然而，提供反馈位置控制系统也可能对于抑制栅格板6在其它频率范围内的位移有益。在实施例中，所述位置控制系统可以被设计用于提供在谐振频率范围内的阻尼以及在低频范围内的位置控制。
图5示出根据本发明的实施例的测量系统。在所述实施例中，无源阻尼装置20和图4的实施例的反馈位置控制系统15被结合。阻尼装置10和位置控制系统15都被设置用于提供对栅格板6在垂直于栅格板6的主平面的方向上的位移的抑制。无源阻尼装置20尤其为抑制在谐振频率范围内的位移而提供，而反馈位置控制系统15尤其为抑制在较低频率范围内的位移而设计。
无源阻尼装置20包括被设置在所述栅格板上的第一阻尼元件21以及被安装在度量框架3上的第二阻尼元件22。在两个阻尼元件21、22之间形成用作无摩擦阻尼装置的小气隙。所述气隙例如可以是大约50-150μm，并优选为在相对大的面积(例如大约200cm2)上延伸。
也可以提供另一种类型的阻尼装置，例如第一个实施例的阻尼装置10或另一种阻尼装置。所述阻尼也可以由关于第二个实施例所述的位置控制系统15所实现。
可以为在至少一个其他方向上的阻尼/位置控制提供阻尼装置和/或位置控制系统的类似组合。
图6示出根据本发明的实施例的测量系统。在所述实施例中，所述测量系统包括夹紧装置25，所述夹紧装置25被安装在度量框架上并可以在两个位置(保持位置和自由位置)之间移动。在保持位置上，如图6的左侧所示，栅格板6被固定在大致垂直于栅格板6的所述主平面的至少一个方向上。在所述自由位置上，如图6右侧所示，所述夹紧装置不保持栅格板6，并优选在夹紧装置25和栅格板6之间不存在物理接触。
如上所述，挠性元件8被设置用于补偿度量框架相对于栅格板6的运动。出于该原因，由于度量框架3的相对运动将被传递给栅格板6，所以通常不希望提供以六个自由度固定栅格板6的安装装置。然而，所述度量框架的运动，尤其是当所述运动是由温度改变或差异造成时，是相对慢的。
进而，所述测量系统的高精度在所述衬底台的扫描运动过程中(即在衬底的扫描或曝光过程中)是尤其需要的。根据图6的实施例的夹紧装置25(或固定装置)可以被用于在所述衬底台的扫描运动过程中将栅格板6固定，以基本抑制在这些扫描运动过程中由于外部干扰造成的栅格板的运动或变形。在扫描运动之前和之后，夹紧装置25可以被设置在自由位置上，以使得度量框架3的任何形状改变可以在两个扫描运动之间被补偿。以这种方式，在度量框架3中的干扰和栅格板3上的外部干扰(例如由压力波造成)可以被补偿，并因此增加所述测量系统的精度。
在本申请中所使用的术语“夹紧装置”表示能够在一定的时间周期内在至少一个方向上大致固定栅格板6、并在另一个时间周期内释放栅格板6的任何装置。
在图4的实施例中，夹紧装置25被用作固定装置，以将栅格板6的位置固定在至少与栅格板的主平面大致垂直的方向上。在其他的实施例中，夹紧装置25也可以被设计用于将所述栅格板固定在更多的方向或其他的方向上。在实施例中，提供至少一个夹紧装置，所述至少一个夹紧装置被配置用于将所述栅格板以六个自由度固定在保持位置上。
在本发明的可选实施例中，所述测量系统可以包括至少两个栅格板，所述至少两个栅格板被设置在基本相同的平面上，并实现一个大栅格板的功能。每个这种栅格板可以设置有如在本申请中所述的补偿装置。
在另外的实施例中，所述至少一个传感器可以被设置在基本静止的框架上，同时至少一个栅格板被设置在所述可移动对象上。在这种实施例中，可以为每个栅格板提供补偿装置、以补偿所述栅格板相对于所述可移动对象的运动和/或变形。这种运动/变形可能由干扰(例如由于所述可移动对象的运动所造成的压力波)所造成。这种其它的实施例被认为落入本发明的保护范围中。
在以上的描述中，已经描述了所述栅格板相对于光刻设备的度量框架的运动和/或变形的补偿。所述补偿装置也可以被用于补偿测量系统的其他系统部分相对于所述框架的运动或位移，各个系统部分被安装在所述框架上。这种实施例落入本发明的保护范围内。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的制造等。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种替代的应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、度量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储有这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (23)

1.一种编码器类型的测量系统，所述测量系统被配置用于测量可移动对象的位置依赖信号，所述测量系统包括：
至少一个传感器，安装在所述可移动对象上；
传感器目标对象，所述传感器目标对象包括安装在基本静止的框架上的光栅或栅格；
安装装置，所述安装装置被配置用于将所述传感器目标对象安装到所述基本静止的框架上；以及
补偿装置，所述补偿装置被配置用于至少部分地补偿所述传感器目标对象相对于所述基本静止的框架的运动、或变形、或运动和变形。
2.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述补偿装置包括阻尼装置，所述阻尼装置被配置用于衰减所述传感器目标对象的运动、或者变形、或者运动和变形。
3.根据权利要求2所述的测量系统，其中所述阻尼装置是无源阻尼装置。
4.根据权利要求2所述的测量系统，其中所述阻尼装置是有源阻尼装置。
5.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述补偿装置包括反馈位置控制系统。
6.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述补偿装置包括阻尼装置和位置控制系统，所述阻尼装置被配置用于在所述传感器目标对象的谐振频率范围内进行补偿，所述位置控制系统被配置用于在低于所述谐振频率范围的频率范围内进行补偿。
7.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述补偿装置包括固定装置，所述固定装置被配置用于在所述可移动对象的高精度运动过程中固定所述传感器目标对象，以便以至少一个自由度相对于所述基本静止的框架固定所述传感器目标对象。
8.根据权利要求7所述的测量系统，其中所述固定装置能够以六个自由度固定所述传感器目标对象。
9.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述安装装置包括多个挠性元件，每个所述挠性元件用于将所述传感器目标对象连接到所述基本静止的框架，至少一个所述挠性元件在至少一个自由度上是挠性的。
10.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述传感器目标对象是包括光栅或栅格的传感器目标板。
11.根据权利要求10所述的测量系统，其中所述传感器目标板是光栅板或栅格板。
12.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述补偿装置被配置用于补偿所述传感器目标对象的垂直位移。
13.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述补偿装置被配置用于补偿所述传感器目标对象的水平位移。
14.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述可移动对象是光刻设备的衬底台或掩模版台。
15.根据权利要求1所述的测量系统，其中所述位置依赖信号是所述可移动对象的位置、速度或加速度信号。
16.一种测量系统，所述测量系统被配置用于测量可移动对象相对于基本静止的框架的位置依赖信号，所述测量系统包括：
至少一个系统部件；
安装装置，所述安装装置被配置用于将所述系统部件安装到所述基本静止的框架上；以及
补偿装置，所述补偿装置被配置用于至少部分地补偿所述系统部件相对于所述基本静止的框架的运动、或变形、或运动和变形。
17.根据权利要求16所述的测量系统，其中所述测量系统是编码器类型的测量系统，且所述至少一个系统部件包括栅格或光栅。
18.一种光刻设备，所述光刻设备包括：
照射系统，被配置用于调节辐射束；
图案形成装置支撑件，被配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；
衬底支撑件，被配置用于保持衬底；以及
投影系统，被配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及
测量系统，所述测量系统用于测量所述支撑件中的一个支撑件相对于基本静止的框架的位置依赖信号，所述测量系统包括：
至少一个系统部件；
安装装置，所述安装装置被配置用于将所述系统部件安装到所述基本静止的框架上；以及
补偿装置，所述补偿装置被配置用于至少部分地补偿所述系统部件相对于所述基本静止的框架的运动、或者变形、或所述运动和变形。
19.根据权利要求18所述的光刻设备，其中所述测量系统是编码器类型的测量系统，所述编码器类型的测量系统包括安装在所述支撑件中的一个上的至少一个传感器，且其中所述至少一个系统部件包括光栅或栅格。
20.一种测量方法，用于采用编码器类型的测量系统测量可移动对象相对于基本静止的框架的位置依赖信号，所述编码器类型的测量系统具有：被安装在所述可移动对象上的传感器；以及传感器目标对象，所述传感器目标对象包括被安装在基本静止的框架上的光栅或栅格，所述方法包括步骤：至少部分地补偿传感器目标对象相对于基本静止的框架的运动、或者变形、或运动和变形。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述补偿步骤包括对所述传感器目标对象的运动、或者变形、或运动和变形提供阻尼。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述补偿步骤包括采用所述传感器目标对象的反馈位置控制。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述补偿步骤包括对所述传感器目标对象大致在其谐振频率范围内的运动、或者变形、或运动和变形提供阻尼；以及大致在低于所述谐振频率范围的频率范围内采用反馈位置控制。
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TW (1) TWI362008B (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2963498B8 (en) 2006-01-19 2017-07-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP3279739A1 (en) * 2006-02-21 2018-02-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20130057496A (ko) 2006-02-21 2013-05-31 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP3293577A1 (en) 2006-02-21 2018-03-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
KR101669785B1 (ko) 2006-08-31 2016-10-27 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법
EP3064999B1 (en) 2006-08-31 2017-07-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP3279738A1 (en) 2006-08-31 2018-02-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
KR101604564B1 (ko) 2006-09-01 2016-03-17 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101511929B1 (ko) 2006-09-01 2015-04-13 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법
US7903866B2 (en) * 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
EP3056945B1 (en) 2007-07-18 2017-08-23 Nikon Corporation Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus
KR101497862B1 (ko) 2007-12-28 2015-03-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
NL1036618A1 (nl) * 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system.
US8817236B2 (en) * 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TW201003053A (en) * 2008-07-10 2010-01-16 Nikon Corp Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for deformation measuring apparatus, position measuring method and device manufacturing method
EP2202426A3 (en) * 2008-12-23 2017-05-03 ASML Netherlands B.V. A method for damping an object, an active damping system, and a lithographic apparatus
EP2399270B1 (en) * 2009-02-22 2013-06-12 Mapper Lithography IP B.V. Charged particle lithography apparatus
US8355116B2 (en) * 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8446569B2 (en) * 2009-06-19 2013-05-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8472008B2 (en) * 2009-06-19 2013-06-25 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
EP2264409B1 (en) * 2009-06-19 2015-10-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8294878B2 (en) * 2009-06-19 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
NL2004834A (en) * 2009-07-08 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005013A (en) * 2009-07-31 2011-02-02 Asml Netherlands Bv Positioning system, lithographic apparatus and method.
US8493547B2 (en) * 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2007155A (en) 2010-08-25 2012-02-28 Asml Netherlands Bv Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table.
JP5406861B2 (ja) * 2011-01-01 2014-02-05 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
NL2008272A (en) 2011-03-09 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
TWI571707B (zh) 2011-04-22 2017-02-21 瑪波微影Ｉｐ公司 用於處理諸如晶圓的標靶的微影系統，用於操作用於處理諸如晶圓的標靶的微影系統的方法，以及使用在此種微影系統的基板
NL2008679C2 (en) 2011-04-22 2013-06-26 Mapper Lithography Ip Bv Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark.
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
US9435642B2 (en) * 2012-04-20 2016-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Position measuring apparatus, pattern transfer apparatus, and method for manufacturing a device
TWI468880B (zh) * 2012-06-15 2015-01-11 Asml Netherlands Bv 定位系統、微影裝置及器件製造方法
WO2014010233A1 (ja) * 2012-07-09 2014-01-16 株式会社ニコン 駆動システム及び駆動方法、並びに露光装置及び露光方法
JP6381184B2 (ja) * 2013-07-09 2018-08-29 キヤノン株式会社 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法
CN105093836B (zh) * 2014-05-06 2017-08-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 Euv光刻装置及其曝光方法
CN112068406A (zh) * 2015-02-23 2020-12-11 株式会社尼康 测量装置、光刻系统、以及组件制造方法
CN111610696A (zh) * 2015-02-23 2020-09-01 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法
JP6691693B2 (ja) 2015-02-23 2020-05-13 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びに重ね合わせ計測方法及びデバイス製造方法
WO2016150631A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method
CN108139678B (zh) 2015-09-30 2022-03-15 株式会社尼康 曝光装置、平面显示器的制造方法及元件制造方法
CN105806217B (zh) * 2016-03-12 2018-12-07 上海大学 用于物体空间位置测量的单拉线式测量系统和方法
US10921431B2 (en) * 2017-10-19 2021-02-16 Cepton Technologies Inc. Apparatuses for scanning a lidar system in two dimensions
CN110874021B (zh) * 2018-08-31 2021-03-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光刻设备、抗气流扰动的方法及装置
CN111380464B (zh) * 2018-12-28 2021-05-07 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种光栅尺的安装装置、安装方法、光栅测量系统及光刻机
KR20210138852A (ko) 2020-05-13 2021-11-22 이예리 플랫폼 바닥과 전동차 사이 틈새 실족시 충격완화기구
EP3964893A1 (de) 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung
EP3961305A3 (de) 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung
DE102021205808A1 (de) 2020-06-29 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Kompensation von kriecheffekten in einer abbildunsgseinrichtung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0398334A1 (en) * 1989-05-17 1990-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting apparatus
CN1445612A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 Asml荷兰有限公司 光刻设备和装置的制作方法
CN1499209A (zh) * 2002-11-01 2004-05-26 ���������ƴ���ʽ���� 固定探针板的机构
EP1513021A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of compensating for thermal deformation in a lithographic apparatus

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JP3278901B2 (ja) 1992-06-03 2002-04-30 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いた回路パターン体製造方法、または露光装置及びその露光装置により製造された回路パターン体
JPH07270122A (ja) 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JP3531895B2 (ja) 1996-09-13 2004-05-31 キヤノン株式会社 投影露光装置
JP3445102B2 (ja) 1997-06-13 2003-09-08 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP3337951B2 (ja) 1997-07-25 2002-10-28 キヤノン株式会社 投影露光装置および方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW490596B (en) 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
JP2000269118A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001135561A (ja) 1999-11-05 2001-05-18 Canon Inc ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
US6741408B2 (en) * 2000-06-15 2004-05-25 Confluent Photonics Corporation Thermally stable mounting for a diffraction grating device
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
TW527526B (en) 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7346093B2 (en) * 2000-11-17 2008-03-18 Cymer, Inc. DUV light source optical element improvements
US6643025B2 (en) * 2001-03-29 2003-11-04 Georgia Tech Research Corporation Microinterferometer for distance measurements
EP1393014A4 (en) 2001-03-29 2007-06-20 Georgia Tech Res Inst MICRO-INTERFEROMETERS WITH CAPACITY OPTIMIZATION
US6509971B2 (en) 2001-05-09 2003-01-21 Nikon Corporation Interferometer system
US7518737B2 (en) * 2002-03-29 2009-04-14 Georgia Tech Research Corp. Displacement-measuring optical device with orifice
US7102729B2 (en) * 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
US7817243B2 (en) 2004-04-12 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system
US20060023229A1 (en) * 2004-07-12 2006-02-02 Cory Watkins Camera module for an optical inspection system and related method of use
US7256866B2 (en) 2004-10-12 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405811B2 (en) 2005-04-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7349069B2 (en) 2005-04-20 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
JP4410216B2 (ja) * 2005-05-24 2010-02-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ２ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2006128713A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag Optical imaging arrangement
JP2006344685A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Canon Inc 露光装置
US7348574B2 (en) 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
US7903866B2 (en) * 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
US20100030384A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Technical Manufacturing Corporation Vibration Isolation System With Design For Offloading Payload Forces Acting on Actuator

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0398334A1 (en) * 1989-05-17 1990-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting apparatus
CN1445612A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 Asml荷兰有限公司 光刻设备和装置的制作方法
CN1499209A (zh) * 2002-11-01 2004-05-26 ���������ƴ���ʽ���� 固定探针板的机构
EP1513021A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of compensating for thermal deformation in a lithographic apparatus

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