KR101161197B1 - 나노 구조체의 제조 방법 및 나노 구조체 - Google Patents
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Abstract
용이하게 미세화 구조를 제작할 수 있는 나노 구조체의 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해 얻어지는 나노 구조체를 제공한다.
기판 상에 설치된 주형의 표면에, 액상 흡착에 의해 박막을 형성하는 공정과, 상기 박막의 일부를 제거하는 공정과, 상기 주형을 제거하는 공정을 포함하는 나노 구조체의 제조 방법을 채용하였다.
나노 구조체, 나노 구조체 제조 방법
Description
본 발명은, 반도체 산업 등에서 채용되는 미세한 패턴을 제작하기 위한 나노 구조체의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 얻어진 나노 구조체에 관한 것이다.
미세한 패턴을 제작하는 기술은, 반도체 산업의 IC 작성 등에 널리 채용되어 큰 주목을 받고 있다. 특히, 2 차원적인 미세 패턴은, 집적 회로의 제작과 고집적화에 직결되기 때문에, 매우 활발하게 연구 개발이 이루어지고 있다. 2 차원 패턴의 미세화는, 일반적으로, 여러 가지 빔, 빛, 전자, 이온 등을 이용한 직접 묘획, 또는, 특정 마스크 패턴의 투영ㆍ전사 (광 리소그래피나 나노 임프린트 등) 의 기술에 의해 이루어지고 있다.
여기서, 예를 들어, 리소그래피법은, 가장 산업적으로 활발하게 개발이 이루어지고 있지만, 미세화를 진행시키는데 있어서의 기본적 컨셉이, 「조사하는 빛이나 전자선 등의 파장을 짧게 하고, 그에 따라 미세 가공을 행한다」 는 것이다. 따라서, 그 조사하는 빛 등의 파장을 짧게 해가는 것, 그리고 그에 대응한 재료ㆍ기기 개발을 행하는 것이 기본적인 전략이 된다. 그러나, 이 수법에서는 단파장의 빛을 사용하기 때문에, 노광 장치가 매우 고가가 되고, 프로세스 자체의 설비 에 방대한 투자가 필요해진다. 또, 그 파장 효과를 최대한 발휘하도록 재료ㆍ프로세스를 설계할 필요가 있다. 또, 리소그래피법에 필요한 레지스트 재료는, 단파장에서도 조사하는 빛을 흡수하지 않고, 노광 정밀도를 올리는 특별한 관능기를 도입해야 하며, 후처리의 에칭 내성도 높아야 하는 등, 재료 설계에서도 많은 조건을 필요로 한다.
또, 광 리소그래피법 이외의 전자 빔이나 이온 빔 가공에서도, 빔에 의한 개별적 직접 묘획이며, 스루풋의 향상에 한계가 있다. 이와 비슷한 수법으로, 원자간력 현미경을 이용한 딥펜 리소그래피법(dip--pen lithography)이라는 것도 있지만, 패턴을 1 개씩 제작해 나가게 되기 때문에, 산업적으로 응용하기에는 거리가 멀다.
그 밖에, 간편한 방법으로 패턴 전사를 행할 수 있는 수법으로서, 나노 임프린트를 들 수 있지만, 임프린트를 적용할 수 있는 재료에는 꽤 많은 제한이 있고, 추가로 주형의 미세 가공 정밀도는 종래의 리소그래피법에 의존하게 되기 때문에, 본질적인 미세 가공 정밀도의 향상에는 이르지 못하였다.
이상과 같이, 종래부터 알려져 있는 미세 패턴의 제작 방법은, 미세화를 행하는데 있어서 큰 제약이나 문제점이 있어, 이 문제를 극복하는 새로운 미세 가공 수법의 개발이 요구되고 있다.
한편, 본 발명자들은, 어모퍼스 상태 금속 산화물의 박막을 형성하기 위한 재료 (일본 공개특허공보 2002-338211호), 유기/금속 산화물 복합 박막의 제조 방법 (일본 공개특허공보 평10-249985호), 복합 금속 산화물의 나노 재료 (WO03/095193호 공보) 등의 나노 레벨의 박막 및 그 제조 방법 등을 개시하고 있다.
발명의 개시
이러한 상황 하에, 발명자가 예의 검토한 결과, 놀랍게도, 미세한 패턴의 제작 기술에 있어서, 액상 상태의 재료를 주형 표면에 흡착시켜서 박막으로 하고, 주형을 제거함으로써, 나노 구조체를 제조할 수 있는 것을 알아내었다. 즉, 반도체 등의 미세한 나노 패턴의 제작 기술에 채용되고 있는, 금속계 재료를 증착하는 방법이나 스핀코트법에 따라 도포하는 방법은, 실제로는 제약이 많아, 나노 구조체를 제조하기 위해서는 여러 가지의 곤란을 수반한다. 즉, 원재료, 얻어지는 구조, 제조 조건, 비용 등에 대하여 제약이 많아, 실용화하는 것은 어렵다.
본 발명은, 액상 상태의 재료를 주형 표면에 흡착시킴으로써, 상기 문제를 해결하고, 종래부터 매우 제약이 적은 나노 구조체의 제조 방법을 알아낸 것이다.
구체적으로는, 하기 수단에 의해 달성되었다.
(1) 기판 상에 설치된 주형의 표면에, 액상 흡착에 의해 박막을 형성하는 공정과, 상기 박막의 일부를 제거하는 공정과, 상기 주형을 제거하는 공정을 포함하는 나노 구조체의 제조 방법.
(2) 상기 박막의 일부를 제거하여 상기 주형의 일부를 노출시키는, (1) 에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(3) 기판 상에 설치된 제 1 주형의 표면에 제 1 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 박막의 표면에 제 2 주형을 설치하는 공정과, 그 제 2 주형의 표면에 제 2 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 박막 및/또는 제 2 박막의 일부를 동시에 또는 따로따로 제거하는 공정과, 상기 제 1 주형 및/또는 제 2 주형을 동시에 또는 따로따로 제거하는 공정을 포함하고, 상기 제 1 박막을 형성하는 공정, 상기 제 2 주형을 설치하는 공정 및 상기 제 2 박막을 형성하는 공정의 적어도 한 공정을 액상 흡착에 의해 행하는 나노 구조체의 제조 방법.
(4) 상기 제 1 박막과, 상기 제 2 박막에 상이한 재료를 사용하는, (3) 에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(5) 상기 제 1 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 2 주형을 설치하는 공정과, 상기 제 2 박막을 형성하는 공정을 연속적으로 행하는, (3) 또는 (4) 에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(6) 졸겔 방법에 의해 박막을 형성하는, (1) ～ (5) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(7) 금속 알콕사이드를 사용한 졸겔 방법에 의해 박막을 형성하는, (1) ～ (5) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(8) 복수회의 졸겔 방법에 의해 적층하여 박막을 형성하는, (1) ～ (5) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(9) 상기 박막의 형성은, 0 ～ 150℃ 에서 행하는, (1) ～ (8) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(10) 상기 박막의 형성은, 1.0 × 106Pa 이하에서 행하는 (1) ～ (9) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(11) (1) ～ (10) 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 제조된 나노 구조체를 주형으로서 사용하는, (1) ～ (10) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(12) (1) ～ (11) 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 제조된 나노 구조체의
표면에 주형을 설치하는 공정을 포함하는 (1) ～ (11) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(13) 상기 박막은, 금속 산화물, 유기/금속 산화물 복합체, 유기 화합물, 및, 유기/무기 복합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 (1) ～ (12) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(14) 상기 주형은, 유기 화합물로 이루어지는 (1) ～ (13) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(15) 상기 박막의 두께가 100㎚ 이하인, (1) ～ (14) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(16) 상기 박막의 두께가 10 ～ 50㎚ 인, (1) ～ (14) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(17) 표면이 평판 형상이 아닌 주형을 사용하는, (1) ～ (16) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(18) 1㎤ 이상의 크기의 주형을 사용하는, (1) ～ (17) 중 어느 하나에 기재된 나노 구조체의 제조 방법.
(19) (1) ～ (18) 중 어느 하나에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진 나노 구조체.
(20) 자기 지지성을 갖는, (19) 에 기재된 나노 구조체.
발명의 상세한 설명
이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본원 명세서에 있어서 「 ～ 」 란, 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.
(1) 박막의 종류
본 발명의 박막은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 특별히 정해지는 것은 아니지만, 예를 들어, 금속 산화물, 유기/금속 산화물 복합체, 유기 화합물, 및, 유기/무기 복합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 들 수 있다. 특히, 본 발명에서는, 액상 상태의 박막 재료를 주형에 접촉하여 흡착시키기 때문에, 유기 화합물을 함유하는 재료를 박막의 형성에 사용할 수 있다는 특징을 갖는다. 종래, 반도체 산업 등에 있어서 사용되고 있는 미세 가공은, 기상 상태의 금속계 재료를 증착하거나 액상 상태의 것을 스핀코트하여 이루어지고 있었다. 그러나, 기상 상태의 것을 증착하는 경우, 재료에 제약이 많고, 예를 들어, 고분자량의 유기 재료를 증착할 수 없는 것과 같았다. 또, 스핀코트법은, 액상 상태의 재료를 물리적으로 도포하는 방법이기 때문에, 표면에 요철이 있는 것이나, 형태가 복잡하지만 표면에 균일하게 도포할 수 없는 것과 같았다. 본 발명에서는, 액상 상태의 것을, 기판 표면에 흡착시킨다는 기술을 채용함으로써, 이들의 문제를 해결하여, 유기 화합물을 함유하는 재료에 대해서도 적용 가능하게 한 것이다.
또한, 본 발명 방법은, 2 종류 이상의 재료로부터 박막을 구성하는 경우, 액상 상태로 주형에 접촉시키기 때문에, 조성비의 제어가 용이하다. 또한, 2 종류 이상의 재료를 순차 적층하는 경우에도 용이한 조작에 의해 행할 수 있다.
본 발명의 박막의 재료는, 구체적으로는, 금속 산화물로서는, 규소, 티탄, 지르코늄, 하프늄을 함유하는 것이 바람직하다. 또, 일본 공개특허공보 2002-338211호에 기재된, 유기 성분이 분자적으로 분산된 유기/금속 산화물 복합 박막의 유기 성분에 대응하는 부분이 제거된 구조를 갖는 어모퍼스 상태 금속 산화물의 박막 재료나 국제 공개 공보 WO03/095193호에 기재된 표면에 수산기 또는 카르복실기를 제시하는 고분자의 박막층과, 그 수산기 또는 카르복실기를 이용하여 고분자의 박막층과 배위 결합 또는 공유 결합하고 있는 금속 산화물 박막층 또는 유기/금속 산화물 복합 박막층으로 구성되는 박막 재료 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 일본 공개특허공보 평10-249985호에 기재된 금속 산화물 박막, 유기 화합물 박막 및 이들의 복합체도 바람직하게 채용할 수 있다.
유기 화합물로서는, 전하를 갖는 폴리머인 폴리 음이온 및/또는 폴리 양이온이 바람직하고, 폴리 음이온은 폴리글루타민산, 술폰산, 황산, 카르복실산 등 부하전을 띨 수 있는 관능기를 갖는 것으로, 폴리스티렌술폰산 (PSS), 폴리비닐 황산 (PVS), 덱스트란황산, 콘드로이틴황산, 폴리아크릴산 (PAA), 폴리메타크릴산 (PMA), 폴리말레산, 폴리푸말산 등을 바람직한 예로 들 수 있고, 이 중에서도, 폴리스티렌술폰산 (PSS) 및 폴리말레산이 특히 바람직하다. 한편, 폴리 양이온은 4 급 암모늄기, 아미노기 등의 정하전을 띨 수 있는 관능기를 갖는 것으로, 폴리에틸렌이민(PEI), 폴리알릴아민염산염 (PAH), 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드 (PDDA), 폴리비닐피리딘 (PVP), 폴리리신 등을 바람직한 예로 들 수 있고, 이 중에서도, 폴리알릴아민염산염 (PAH) 및 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드 (PDDA) 가 특히 바람직하다.
또한, 상기 폴리 양이온ㆍ폴리 음이온에 한정되지 않고, 폴리아크릴산, 폴리비닐알코올, 폴리피롤 등의 수산기나 카르복실기를 갖는 고분자 화합물, 전분, 글리코겐, 알긴산, 카라기난, 아가로오스 등의 다당류, 폴리이미드, 페놀 수지, 폴리메타크릴산메틸, 아크릴아미드 등의 폴리아미드, 염화 비닐 등의 폴리비닐 화합물, 폴리스티렌 등의 스티렌계 폴리머, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리아세틸렌이나 그들 폴리머의 유도체나 공중합체도 널리 사용할 수 있다.
또한, 도전성 고분자, 폴리(아닐린-N-프로판술폰산) (PAN) 등의 기능성 고분자 이온, 여러 가지의 디옥시리보 핵산 (DNA) 이나 리보 핵산 (RNA), 단백질, 올리고펩타이드, 펙틴 등의 하전을 갖는 다당류나 하전을 갖는 생체 고분자를 사용할 수도 있다.
또, 저분자량의 유기 화합물도 바람직하고, 예를 들어, 수산기, 카르복실기, 아미노기 등, 금속 알콕사이드 등의 금속 산화물과, 상호 작용할 수 있는 관능기를 갖는 저분자량 유기 화합물도 널리 일반적으로 이용할 수 있고, 글루코스, 말토오스 등의 당 화합물이나 그 유도체, 테레프탈산이나 플루오레세인 등의 색소 화합물, 글루타민산 등의 아미노산 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
여기서, 유기 화합물만으로 박막을 형성시키는 경우에는, 그 박막 형성 수단에 의해 적절하게 유기 화합물을 선택할 필요가 있다. 예를 들어, 교호 흡착법에 따라 박막 형성을 행하는 경우, 폴리 음이온과 폴리 양이온의 교호 적층을 들 수 있다. 또한, 폴리 음이온이나 폴리 양이온과 같은 유기 고분자 이온은, 모두 수용성 또는 물 및/또는 유기 용매와의 혼합액에 가용인 것이다. 또한 유기 박막의 기계적 강도를 높이기 위하여, 가교재에 의한 가교 처리, 열, 전기, 화학 처리 등에 의한 박막 강도 향상 조작도 적절하게 이용 가능하다.
본 발명의 박막의 두께는, 얻고자 하는 나노 구조체의 두께 등에 따라, 적절하게 정할 수 있다. 특히, 본 발명의 제조 방법에서는, 바람직하게는 100㎚ 이하, 보다 바람직하게는 1 ～ 50㎚ 로 함으로써, 반도체 등의 미세 패턴으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 주형의 크기 및 박막의 재료를 조정함으로써, 자기 지지성을 갖고, 높이가 5 ～ 500㎚ 이며, 폭이 2 ～ 100㎚ 인 것, 또, 높이가 10 ～ 300㎚ 이며, 폭이 1 ～ 50㎚ 인 것을 제조할 수 있는 점에서 매우 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 박막은 1 종류뿐일 필요는 없고, 2 종류 이상의 것을 채용하는 것도 가능하다. 이 경우, 1 개의 주형의 표면에 복수 종류의 박막을 층 형상으로 형성하여 1 개의 박막으로 해도 되고 (예를 들어, 금속 산화물층과 유기 화합물층을 적층한 박막), 복수의 주형 각각에 상이한 박막을 형성해도 된다.
(2) 박막의 형성 방법
본 발명의 박막은, 주형 표면에 액상 상태의 것을 흡착시키는 방법이 채용되지만, 주형 표면에 화학 흡착시키는 방법이 바람직하다. 여기서, 액상 흡착이란, 액체 상태로 주형의 표면에 접촉시켜서, 그 주형의 표면에 액체를 흡착시킴으로써 흡착 물질을 박막 형상으로 하는 것을 말하고, 예를 들어, 액체 상태로 주형의 표면에 접촉시키고, 표면 졸겔 방법에 따라 박막 형상으로 하는 것이 바람직하다. 표면 졸겔 방법을 채용함으로써 흡착량을 제어할 수 있고, 결과적으로, 막 두께의 제어가 가능해지며, 또, 흡착 재료를 복합화시키는 것이 매우 용이해진다.
여기서, 기상 흡착은 가스 배기가 있기 때문에 설비가 고가이고, 또, 감압 조건을 유지하는 챔버의 사이즈가 피복의 한계가 되기 때문에, 제조할 수 있는 나노 구조체에도 한계가 발생한다. 또한, 흡착 가스를 퇴적시키기 때문에, 퇴적 방향 배면이 되는 부분에 균일 박막을 형성할 수 없다. 즉, 표면이 균일하고 오목부가 없는 기판만 사용할 수 있다. 본 발명 방법은, 액상 상태의 것을 흡착시켜 박막을 형성하기 때문에, 기판의 형상에 제한 없이 박막을 형성할 수 있다.
또, 본 발명과 같이, 액상 흡착을 행함으로써, 용액의 온도 제어에 의해 용이하게 반응 제어가 이루어지기 때문에, 박막 재료의 흡착량을 용이하게 제어할 수 있고, 보다 미세한 구조를 간단하고 쉽게 제조할 수 있다.
보다 구체적으로는, 표면 졸겔 방법의 경우, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2002-338211호에 기재된 방법에 따라, 금속 알콕사이드와 반응하는 관능기가 표출된 주형의 표면에, 금속 알콕사이드 용액에 반복 침지함으로써 형성할 수 있다. 금속 산화물 박막은, 금속 알콕사이드의 단계적인 흡착에 의해 용액으로부터 금속 산화물의 박막이 형성된다. 이 방법에 의해 제작된 금속 산화물 박막은, 나노 미터 레벨의 정밀도에 의해 두께가 제어되고 있다. 그리고, 금속 산화물 초박막은, 금속 알콕사이드의 중축합에 기초하는 박막 형성이며, 그 주형 피복 정밀도는 분자 레벨까지 대응 가능하다. 따라서, 나노 미터 레벨의 형상을 갖는 주형 구조는, 정확하게 형상 복사된다.
박막 형성시의 온도는 0 ～ 150℃ 가 바람직하고, 10 ～ 100℃ 가 보다 바람직하며, 10 ～ 50℃ 가 더욱 바람직하다. 이러한 온도 범위로 함으로써, 열에 약한 재료 등도 제약없이 사용할 수 있다.
또, 본 발명에서는, 상압 부근에서 박막 형성을 행할 수 있다. 여기서, 상압 부근이란, 특별히 압력을 부여하지 않은 상태에서 박막을 형성할 수 있는 것을 말하고, 예를 들어, 1.0 × 106Pa 이하여도 박막을 형성할 수 있다. 본 발명에서는 이와 같이 상압 부근에서 박막 형성을 행할 수 있음으로써, 감압 상태를 유지하기 위한 고가의 챔버를 필요로 하지 않기 때문에, 매우 효과적이다.
금속 알콕사이드로서는, 대표적인 화합물을 예시하면, 티탄부톡사이드 (Ti(OnBU)4), 지르코늄프로폭사이드 (Zr(OnPr)4), 알루미늄부톡사이드 (Al(OnBu)4), 니오브부톡사이드 (Nb(OnBu)5), 테트라메톡시실란 (Si(OMe)4) 등의 금속 알콕사이드 화합물; 메틸트리메톡시실란 (MeSi(OMe)3), 디에틸디에톡시실란 (Et2Si(OEt)2) 등의 2 개 이상의 알콕사이드기를 갖는 금속 알콕사이드; BaTi(OR)x 등의 더블 알콕사이드 화합물 등의 금속 알콕사이드류를 들 수 있다.
또, 테트라이소시아네이트실란 (Si(NCO)4), 티탄테트라이소시아네이트 (Ti(N
CO)4), 지르코늄테트라이소시아네이트 (Zr(NCO)4), 알루미늄트리이소시아네이트 (Al(NCO)3) 등의 2 개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 이소시아네이트 금속 화합물 (M(NCO)x), 또한 테트라클로로티탄 (TiCl4), 테트라클로로실란 (SiCl4) 등의 2 개 이상의 할로겐을 갖는 할로겐화 금속 화합물 (MXn, 단, M 은 금속, X 는 F, Cl, Br 및 I 로부터 선택되는 1 종이며, n 은 2 ～ 4 의 정수이다) 등의 금속 산화물 전구체를 사용할 수도 있다.
(3) 주형
본 발명의 주형은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 특별히 정해지는 것은 아니다. 종래부터 알려져 있는 주형, 예를 들어, 리소그래피법에 따라 디자인된 주형이나, 결정 구조인 주형, 컨택트 프린팅ㆍ임프린팅에 의해 제작된 주형, 기계적 미세 가공에 의해 작성된 주형, LIGA 에 의한 주형, 빔 묘획에 의한 주형, 그리고, 본 발명의 제조 방법에 따라 제작된 나노 구조체 (일부에 주형을 포함한 나노 - 주형 복합체를 포함한다) 인 주형, 및, 이들의 주형의 표면에 물리적 처리 및/또는 화학적 처리를 행하여 이루어지는 주형 등을 채용할 수 있다. 여기서, 물리적 처리 및/또는 화학적 처리로서는, 연마, 표면에 박막을 형성하는 등의 부착 조작, 플라즈마 처리, 용매 처리, 표면의 화학적 분해, 열 처리, 연신 처리 등을 들 수 있다.
이들의 주형 중에서도, 리소그래피법에 따라 디자인된 주형이 보다 바람직하다.
주형의 형상은, 목적으로 하는 나노 구조체의 형상에 따라 적절하게 정할 수 있고, 직사각형, 원주, 라인 및 그들의 네트워크 구조나 분기 구조, 다각형 및 그들의 복합/반복 구조, 집적 회로 등에 보여지는 회로 형상 구조, 격자 형상을 채용할 수 있다. 특히, 본 발명에서는, 주형의 형상에 제한이 없다는 점에서 매우 바람직하다. 즉, 종래 반도체 기술에 있어서 널리 채용되고 있는 증착 기술에 의해 박막을 형성하는 경우, 상기 서술한 바와 같이, 증착 방향으로만 퇴적시킬 수 있었기 때문에, 표면이 평판 형상이 아닌 주형 (예를 들어, 표면에 요철이나 오목부를 갖고 있는 주형) 에서는, 퇴적 방향에 대하여 배면이 되는 부위를 갖는 것에 박막을 형성할 수 없었다. 본 발명에서는, 액상 흡착시키기 때문에, 주형의 형상에도 제한이 없다는 이점을 갖는다.
또, 주형의 재질은, 그 주형과 그 표면에 형성하는 박막과의 관계를 고려하여 결정하는 것이 바람직하다. 즉, 목적으로 하는 박막을 형성하기 쉬운 주형을 채용하거나, 박막 또는 주형을 제거할 때에, 서로의 저해 요인이 되지 않는 주형을 채용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 유기 화합물, 무기 화합물, 금속 산화물, 유기/무기 복합물 등을 들 수 있다. 유기 화합물로서는, 노볼락 폴리머로 대표되는 레지스트 폴리머, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
또, 주형과 박막의 조합에서는, 박막이 금속 산화물 또는 유기/금속 산화물 복합체로 이루어지는 경우, 유기 화합물로 이루어지는 주형 (예를 들어, 금속 알콕사이드와 반응하는 관능기가 표출된 주형) 이 바람직하고, 박막이 금속 산화물로 이루어지는 경우, 노볼락 폴리머로 대표되는 레지스트 폴리머, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산 등, 수산기나 카르복실기 등 표면에 노출 가능한 폴리머 주형이 바람직하다.
(4) 박막의 일부를 제거하는 공정
박막을 제거하는 방법은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 특별히 정해지는 것은 아니지만, 박막의 종류, 필요에 따라 주형의 종류를 고려하여 적절하게 정할 수 있다. 예를 들어, 에칭, 화학 처리, 물리적 박리, 연마 등의 공지된 방법을 채용할 수 있다.
박막 중 제거하는 부분은, 그 박막의 일부이면, 특별히 어느 부위를 어떻게 제거해도 된다. 바람직하게는, 박막의 일부를 포함하는 1 개의 평면을 제거하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 1 개의 평면은 기판에 평행이어도 되고, 수직이어도 되며, 적당한 각도의 경사를 갖고 있어도 된다. 물론, 이 밖의 제거여도 되는 것은 말할 필요도 없다.
특히, 직사각형의 주형을 채용한 경우, 그 표면에 형성된 박막 중, 상면 (천면) 만을 제거하는 것이 바람직하다. 이로써, 박막의 측면만이 남아, 결과적으로, 자기 지지성을 갖는 나노 구조체가 얻어진다.
박막은, 전체의 1 ～ 99％ 를 제거하는 것이 바람직하고, 5 ～ 95％ 를 제거하는 것이 보다 바람직하다.
(5) 주형을 제거하는 공정
주형을 제거하는 방법은, 종래부터 알려져 있는 주형의 제거 방법을 널리 채용할 수 있다. 예를 들어, 유기 화합물을 주형으로 한 경우에는, 소성ㆍ용출ㆍ산소 플라즈마 처리 등에 따라 제거할 수 있다. 이러한 수단의 결과로서, 막 두께 제어에 의해 사이즈 제어된 미세한 패턴을 갖는 금속 산화물 구조 등이 발생한다.
주형을 제거하는 공정은, 복수의 주형을 설치한 경우에는 동시에 행해도 되고, 따로따로 행해도 된다. 따로따로 행하는 경우, 보다 내측 또는 하측에 존재하는 것부터, 순차 제거하는 것이 바람직하다. 또한, 복수의 주형을 설치한 경우, 모든 주형에 대하여 제거할 필요는 없고, 또, 1 개의 주형에 대해서도, 그 전부를 완전 제거해도 되고, 일부만을 제거해도 된다. 일부를 제거하는 경우, 전체의 1 ～ 99％ 를 제거하는 것이 바람직하고, 5 ～ 95％ 를 제거하는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 일부의 주형을 제거하는 경우, 일부에 주형을 포함한 나노 - 주형 복합체로서 얻어지지만, 이러한 상태의 나노 구조체를 이대로 사용해도 된다. 물론, 추가로 가공하거나, 다른 기판으로 옮겨 추가로 가공하는 것도 가능하다.
(6) 기판
본 발명의 기판은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 특별히 정해지는 것은 아니다. 예를 들어, 평활한 기판을 채용해도 되고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 어떠한 돌기가 형성된 것을 기판으로 해도 된다. 또한 주형과 기판은 일체화되어 있어도 된다. 이 경우, 그 주형과 기판을 함께 제거할 수도 있다.
본 발명에서는, 기판도, 그 재질이나 표면 형상은 특별히 제한되지 않는다는 특징을 갖는다. 즉, 주형이 형성되는 것이면, 어떠한 형상의 것도 채용할 수 있다.
구체적으로는, 규소나 알루미늄 등의 금속, 유리, 산화 티탄, 실리카 등의 무기물로 이루어지는 고체, 아크릴판, 폴리스티렌, 셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트, 페놀 수지 등의 유기물로 이루어지는 고체 및 그들의 표면에 어떠한 나노 구조체 (또는 일부에 주형을 포함하는 나노 - 주형 복합체) 가 형성된 것 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
또한, 본 발명에서 사용하는 기판은, 본 발명의 나노 구조체를 제조할 때에 토대로서 사용되는 것으로서, 기판으로부터 떼어내어 사용하거나, 또한 다른 기판에 이동시켜서 나노 구조체로서 사용할 수도 있다.
또, 본 발명에서 말하는 기판 상에 설치된 주형이란, 기판에 접하도록 설치된 주형뿐만 아니라, 기판 상에 설치된 주형 및/또는 박막 상에 주형이 형성되어 있는 구성도 포함하는 취지이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 도면을 따라 설명한다. 따라서, 이 이외의 실시 형태를 제거하는 것이 아닌 것은 말할 필요도 없다.
(1) 실시 형태 (1)
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시 형태를 나타낸 것으로서, 옆으로 긴 형상을 한 부분 (1) 은 기판을, 사선 부분 (2) 은 주형을, 주형의 회전의 부분 (3) 은 박막을 나타내고 있다 (이하, 특별히 언급하지 않는 한, 도 2 이하에 대해서도 동일하다). 여기서 우선, 기판 상에 대략 직사각형의 주형 (2) 을 형성한다 (1-1). 그리고 주형의 표면을 피복하도록 박막 (3) 을 형성한다 (1-2). 박막 (3) 은, 바람직하게는 표면 졸겔 방법에 의해 행하고, 표면 졸겔 방법의 반복 횟수에 의해 박막의 막 두께를 조정하면 된다. 이러한 방법을 채용함으로써, 균일하고, 또한, 얼룩이 없는 박막을 형성할 수 있다. 또한, 상면을 기판에 대하여 평행한 면에서 (특히 바람직하게는, 주형의 상면에 형성된 박막인 천면만을) 제거함으로써, 박막의 일부를 제거하고 있다 (1-3). 이 때, 박막의 천면과 함께, 주형의 일부도 제거해도 된다. 그리고, 주형을 제거한다. 그렇게 하면, 측면의 박막 (3) 만이 남아, 나노 레벨 구조체 (4) 가 형성된다 (1-4).
즉, 본 발명의 나노 구조체는, 주형의 표면에 박막을 형성하는 공정에 의해 박막의 막 두께를 제어함으로써, 얻어지는 나노 구조체의 정밀도를 제어할 수 있다. 그리고, 주형의 형상을 적절하게 정함으로써, 매우 미세한 구조도 제조 가능해진다. 따라서, 예를 들어, 배선 회로로 하였을 때의 선폭을 미세한 레벨이어도 용이하게 제어할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 나노 레벨의 구조체에서는, 예를 들어 이와 같이 얇은 것이 직립한, 자기 지지성의 것도 제작할 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 박막의 경우, 애스펙트비가 (폭/높이) 1/300 이하, 유기/금속 산화물 복합 박막의 경우, 애스펙트비가 (폭/높이) 1/100 이하가 되도록 하면, 보다 용이하게 자기 지지성이 유지되어 바람직하다. 더욱 용이하게 자기 지지성을 얻기 위해서는, 금속 산화물 박막 또는 유기/금속 산화물 복합 박막의 경우, 애스펙트비가 (폭/높이) 1/10 이하로 하면 된다.
또한, 박막을 피복하는 주형 구조는, 반드시 미세 가공되어 있을 필요는 없고, 센티미터 오더의 구조물 (예를 들어, 1㎤ 이상의 크기의 주형) 로부터도, 박막의 형성 조건과 주형의 제거 조건을 적절하게 설정함으로써, 본 발명의 나노 구조체를 제작할 수 있다. 즉, 나노 미터 오더의 선폭을 갖는 2 차원 패턴을 제작할 수 있다. 이러한 방법은, 저렴하게 주형 구조를 제작할 수 있다는 관점에서 유리하다.
(2) 실시 형태 (2)
도 2 는, 본 발명의 제 2 실시 형태를 나타낸 것으로서, 복수회의 박막 형성 공정을 연속적으로 행하고 있는 것이다. 여기서, 연속적이란, 박막 형성 과정에 있어서, 박막 형성 장치 내로의 시료 도입, 박막 형성 프로세스, 장치 내로부터 시료의 취출 등의 각 공정이, 동시 또는 순차적으로 간단(間斷)없이 행해지는 것을 말하고, 예를 들어, 배치 처리 등과 같이, 각 공정이 전후의 공정에 의존하여, 하나의 공정 종료 후에 다음 공정으로 이행하는 처리와는 상이한 상태인 것을 말한다. 우선, 기판 (1) 상에 주형 (2) 을 형성한 후 (2-1), 주형의 표면에 박막 (3) 을 형성하고 (2-2), 또한 그 박막의 표면에 주형 (2) 을 형성한다 (2-3). 이 경우의 주형의 사이즈는, 목적으로 하는 나노 구조체의 형상에 따라 적절하게 정할 수 있다. 그리고, 상기 주형의 표면에 박막 (3) 을 형성한다 (2-4). 이 박막은, 먼저 형성한 박막과 동일한 재료여도 되고, 상이해도 된다. 또한, 대략 동일한 두께로 되어 있지만, 상이한 두께여도 된다. 또, 본 발명 방법에서는, 액상 흡착에 의해 박막을 형성하기 때문에, 주형에 박막 재료가 접촉하면 되고, 연속적으로 행할 수 있다. 다음으로, 이후에 형성한 박막의 표면을 제거하여 주형의 일부를 노출시키고 (2-5), 이후에 형성한 주형을 제거하며 (2-6), 또한 먼저 형성한 박막 및 주형에 대해서도 동일하게 행하여 (2-7), 나노 구조체 (4) 를 얻는다 (2-8). 본 실시 형태에서는, (2-5) ～ (2-7) 에서 단계적으로 주형 및 박막을 제거하고 있지만, 2 개의 박막 표면을 (2-4) 상태로부터 한 번의 공정에 의해 (2-7) 의 상태까지 제거하고, 한 번에 2 개의 주형을 제거해도 된다. 이와 같이, 본 발명에서는, 주형과 박막을 교대로 형성할 수 있고, 그 결과, 보다 복잡한 나노 구조체를 얻을 수 있다.
(3) 실시 형태 (3)
도 3 은, 본 발명의 제 3 실시 형태를 나타낸 것으로서, 본 발명 방법에서 얻어진 나노 구조체를 주형으로 하고, 또한 미세한 나노 구조체를 제작하고 있는 것이다. 즉, 나노 레벨 구조체 (5 ; 3-1) 의 표면에, 주형 (2) 을 형성하고 (3-2), 또한 그 표면에 박막 (3) 을 형성한다 (3-3). 그리고, (3-3) 에서 형성한 박막의 상면을 제거하고, 추가로 주형을 제거한다. 그러면, (3-4) 에 나타내는 바와 같은, 더욱 복잡한 나노 구조체 (4) 가 얻어진다. 본 실시 형태의 특징은, 나노 레벨 구조체의 표면에 주형을 설치하고, 추가로 그 위에 박막을 형성하고 있는 점이다. 본 발명에서는, 액상 흡착함으로써, 복잡한 구조의 나노 구조체의 표면에도 주형을 설치하는 것이 가능해진 것이다. 이러한 구성을 채용함으로써, 보다 미세한 구조를 제작하는 것이 가능해진다. 종래에는, 이러한 미세한 구조를 제작하는 것은 매우 곤란하였지만, 상기 (3-1) 과 같은 나노 구조체를 형성할 수 있게 된 결과, 용이하게, 이러한 나노 구조체를 제조하는 것이 가능해진 것이다.
(4) 실시 형태 (4)
도 4 는, 더욱 복잡한 형상의 나노 구조체의 일례를 나타낸 것으로서, 기판 (1) 상에 주형 (2) 을 형성하고 (4-1), 주형의 표면에 박막 (3) 을 형성하며 (4-2), 또한 그 (4-2) 를 기판에 대략 수직이 되도록 일부를 제거한다 (4-3). 또한 주형을 제거함으로써, (4-4) 에 나타내는 형상의 것을 얻을 수 있다. 그리고, 이 나노 구조체를 주형으로서 박막 (31) 을 형성한다 (4-5). 그리고, (4-5) 의 주형의 우측 부분을 제거하고 (4-6), 주형을 제거함으로써 (4-7) 에 나타내는 나노 구조체 (41) 를 얻을 수 있다. 한편, (4-5) 의 상측 부분을 제거하고, 주형을 제거함으로써 (4-8) 에 나타내는 나노 구조체 (42) 가 얻어진다.
본 실시 형태의 특징은, 주형을 사용하여 제작한 나노 구조체를 다시 주형으로 하여, 나노 구조체로 하고 있는 점이다. 이러한 구성을 채용함으로써, 더욱 복잡한 구조의 나노 구조체의 제작이 가능하다. 특히, 본 발명에서는, 액상 흡착함으로써, 복잡한 구조의 나노 구조체의 표면에도 주형을 설치하는 것이 가능해진 것이다.
또한, 본 실시 형태에서는, 주형에 대하여 대략 수직인 면에서 박막 및 주형을 제거하고 있다. 이와 같이, 천면 (주형의 상면) 이외의 면에서도 박막 및/또는 주형을 제거할 수 있고, 또한 복잡한 구조의 주형을 제작할 수 있어서 바람직하다.
(5) 실시 형태 (5)
도 5 는, 본 발명의 제 5 실시 형태를 나타낸 것으로서, 기판 (1) 상에 형성된 원주 형상의 주형 (2) (5-1) 의 표면에 박막 (3) 을 형성하고 (5-2), 또한 그 박막의 일부를 제거하고 (5-3), 주형을 제거하여 나노 구조체 (4) 로 한 것이다 (5-4). 이와 같이, 본 발명의 나노 구조체의 제조 방법은, 박막을 형성할 수 있는 것이면, 그 주형의 형상은 상관없다. 따라서, 여러 가지 형상의 나노 구조체를 제작할 수 있다.
(6) 실시 형태 (6)
도 6 은, 본 발명의 제 6 실시 형태를 나타낸 것으로서, 기판 (1) 상에 형성된 사각기둥 형상의 주형 (2) (6-1) 의 표면에 박막 (3) 을 형성하고 (6-2), 그 박막의 표면에 추가로 주형 (2) 을 형성하고 (6-3), 그 표면에, (6-2) 에서 형성한 박막과는 그 조성이 상이한 박막 (32) 을 형성하고 있다 (6-4). 그리고, 상기 실시예와 동일하게 박막의 제거 및 주형의 제거의 작업을 행함으로써 (6-5 및 6-6), 부분에 따라, 조성이 상이한 나노 구조체 (43) 가 얻어진다 (6-7). 이와 같이, 본 발명에서는, 부분에 따라 조성이 상이한 나노 구조체를 용이하게 제작할 수 있어 매우 유용하다. 또한, 본 실시예에서는, 주형에 대해서는 동일한 종류의 것을 채용하고 있지만, 주형에 대해서도 그 표면에 형성하는 박막의 종류 등 에 따라, 적절하게 변경하는 것도 가능하다. 이와 같이, 본 발명에서는, 복수회의 박막 형성 공정을 행하고, 그에 따른 박막 형성에 각각 다른 박막 재료를 사용할 수 있으며, 이 결과, 보다 복잡한 나노 구조체를 간단하게 제조할 수 있다. 또한, 그 조성비의 제어도 용이하게 행할 수 있다.
(7) 실시 형태 (7)
도 7 은, 본 발명에서 얻어지는 나노 구조체의 응용예의 일례를 나타낸 것으로서, 상기 실시 형태 (1) 에서 얻어진 나노 구조체 (4) 를 지표로서 (7-1), 추가로 기판 부분 및 박막을 순차 제거하고 있는 것이다 (7-2, 7-3). 그리고, 최종적으로는, 기판 소재만으로 이루어지는 나노 레벨의 구조체가 얻어진다 (7-4).
물론 박막 부분을 일부 남겨, 기판과 박막으로 이루어지는 나노 구조체도 작성 가능하다.
(8) 실시 형태 (8)
도 8 은, 본 발명에서 얻어지는 나노 구조체의 또 다른 응용예를 나타낸 것으로서, 기판 (1) 상에 일방의 변이 타방의 변과 비교하여 긴 사각기둥의 주형 (2) 을 형성하고 (8-1), 주형의 표면에 박막 (3) 을 형성하고 (8-2), 그 박막의 일부를 제거한 후 주형을 제거하여 나노 구조체 (4) 를 얻는다 (8-3). 그리고, 그 나노 구조체의 표면을 포함하고 있는 기판 상에, 앞서와는, 수직인 방향에 긴 주형 (21) 을 형성한다 (8-4). 여기서, 이 단계에 있어서의 기판은 평활한 면이 아니라, 표면에 요철이 있는 상태가 된다. 즉, (8-4) 에서 설치된 주형은 기판에 대하여 오목형이다. 그리고, 상기 주형의 표면에 추가로 상기 박막과는 상이한 조성의 박막 (33) 을 형성하고 (8-5), 박막의 일부를 제거하며 (8-6), 주형 (2) 을 제거하여 나노 구조체 (44) 를 얻는다 (8-7).
본 실시 형태의 특징은, 기판의 표면에 어떠한 나노 구조체가 형성되어 있지만, 표면에 추가로 나노 구조체를 형성하고 있는 점이다. 종래의 방법에서는, 이러한 복잡한 구성의 것을 형성하는 것은, 실질적으로 불가능하다고 할 수 있다. 이러한 관점에서도 본 발명은 매우 우위이다.
또한, 필요에 따라, 상기 실시 형태 (7) 와 동일한 수법을 행함으로써, 박막 및 기판 부분을 제거하여 (8-8) 과 같은 구조로 하는 것도 가능하다.
(9) 실시 형태 (9)
다음으로, 다공질 나노 구조체를 제조하는 실시 형태에 대하여 설명한다. 즉, 주형 표면에, 박막 재료 (예를 들어, 금속 산화물 전구체) 와 다공질을 형성하기 위한 주형 (이하, 「다공질용 주형」이라고 한다) 을 혼합하고, 상기와 동일한 방법에 의해 주형 표면에 박막 (다공질용 주형 함유 금속 산화물 박막) 을 형성한다. 그리고, 그 박막 형성 후에 다공질용 주형을 제거함으로써, 그 다공질용 주형의 형상을 반영한 구조 (다공질 구조) 를 갖는 박막이 얻어진다. 그리고, 얻어진 다공질 박막의 일부를 제거하고, 상기의 방법과 동일하게 주형을 제거함으로써, 다공질 나노 구조체를 제조할 수 있다. 이러한 방법은, 액상 흡착을 행함으로써 비로소 제조할 수 있는 것이다.
여기서, 다공질용 주형을 제거하는 방법으로서는, 플라즈마 처리, 산 처리, 알칼리 처리 등을 들 수 있다.
또, 다공질용 주형의 재료로서는, 다공질의 크기나 박막, 주형의 재료 등에 따라 적절하게 정할 수 있지만, 유기 화합물이나 금속 이온이나, 금속 착물, 단백질이나 핵산 등의 생체 고분자, 금속 미립자, 유기 미립자 등 널리 적용할 수 있다. 다공질용 주형은, 박막 재료와 다공질용 주형이 양호하게 상호 작용하도록, 그 다공질용 주형과 박막 재료가 상호 반응할 수 있는 관능기를 갖는 것이 바람직하고, 박막 재료로서 금속 알콕사이드를 사용하는 경우, 카르복실기, 아미노기, 수산기 등을 갖고 있는 것이 바람직하며, 카르복실기나 수산기인 것이 보다 바람직하다. 또, 상호 작용으로서 정전적인 상호 작용을 갖는 것도 바람직하다. 일반적으로 금속 산화물은 부전하를 갖고 있는 것이 많고, 그 경우의 분자로서 정전하를 갖는 것이 바람직하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 다공질용 주형의 입자경은, 1 ～ 50㎚ 가 바람직하다.
다공질용 주형에 의해 형성되는 본 발명의 다공질 나노 구조체의 공공률(空孔率))은, 그 혼합하는 다공질용 주형의 함량에 의해 용이하게 조정할 수 있고, 공공률은, 예를 들어, 1 ～ 99％ 로 할 수 있으며, 보다 바람직하게는 10 ～ 90％ 로 할 수 있다.
이러한, 다공질 나노 구조체는, 예를 들어, 촉매 필터, 여과 필터로서 바람직하게 사용할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 2 는, 본 발명의 제 2 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 3 은, 본 발명의 제 3 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 4 는, 본 발명의 제 4 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 5 는, 본 발명의 제 5 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 6 은, 본 발명의 제 6 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 7 은, 본 발명의 제 7 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 8 은, 본 발명의 제 8 실시 형태의 개략도를 나타낸다.
도 9 는, 실시예 1 에서 얻어진 나노 구조체를 나타내는 사진이다.
도 10 은, 실시예 2 에서 얻어진 나노 구조체를 나타내는 사진이다.
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적절하게 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
리소그래피법에 의해 폭 340㎚, 높이 400㎚ 의 직사각형 라인 구조가 형성된 유기 레지스트 (도쿄오카 공업, 상품명: TDUR-P015 PM) 를 갖는 규소 웨이퍼 기판을 산소 플라즈마 처리하였다 (10W, 압력 180mTorr). 다음으로, 10㎖ 의 규소 테트라이소시아네이트 (Si(NCO)4) 용액 (헵탄 100mM) 에, 실온, 상압에서 2 분간 침지한 후, 10㎖ 의 헥산에 1 분간 침지하고, 또한 10㎖ 의 탈 이온수에 1 분간 침지하고, 마지막에 질소 가스 기류에 의해 건조시켰다. 이 일련의 조작 (표면 졸겔 조작) 을 15 회 행하고, 기판 표면에 실리카 초박막을 형성시켰다 (막 두께: 50㎚). 또한 이것을 재차 산소 플라즈마 처리 (30W, 2 시간) 하였다. 노출 후, 이 기판을 400V, 빔 전류 80mA 에서 2 분간, 기상면의 아르곤 에칭을 행하였다. 이어서 이 기판을 재차 산소 플라즈마 처리 (30W, 2 시간) 하였다.
도 9 는, 이 결과를 나타낸 것으로서, 폭 약 50㎚, 높이 약 400㎚ 의 실리카 라인 (나노 구조체) 이 형성되어 있는 것이 인정되었다. 또한, 라인의 상면도 매우 평활하다는 것이 인정되었다. 또, 이 실리카 라인은, 선폭에 대하여 높은 애스펙트비 (이 경우에는 대략 높이/폭비가 8 정도) 를 갖고 있으며, 자기 지지적으로 실리카 라인이 유지되어 있는 것을 알 수 있다.
실시예 2
리소그래피법에 의해 폭 340㎚, 높이 400㎚ 의 직사각형 라인 구조가 형성된 유기 레지스트 (도쿄오카 공업, 상품명: TDUR-P015 PM) 를 갖는 규소 웨이퍼 기판을 산소 플라즈마 처리하였다 (10W, 압력 180mTorr). 다음으로, 10㎖ 의 규소테트라이소시아네이트 (Si(NCO)4) 용액 (헵탄 100mM) 에, 실온, 상압에서 2 분간 침지한 후, 10㎖ 의 헥산에 1 분간 침지하고, 추가로 10㎖ 의 탈 이온수에 1 분간 침지하고, 마지막에 질소 가스 기류에 의해 건조시켰다. 이 일련의 조작 (표면 졸겔 조작) 을 15 회 행하여, 기판 표면에 실리카 초박막을 형성시켰다. 이 기판을 재차 산소 플라즈마 처리 (30W 에서 5 시간 노출 후, 이어서 50W 에서 4 시간) 하였다. 이어서 이것을 소성 처리 (450℃, 5 시간) 하고, 노출 후, 이 기판을 400V, 빔 전류 80mA 에서 2 분간, 기상면의 아르곤 에칭을 행하였다. 이어서 이것을 재차 산소 플라즈마 처리 (30W, 2 시간) 하였다.
도 10 은, 그 결과를 나타낸 것으로서, 폭 약 50㎚, 높이 약 400㎚ 의 실리카 라인이 형성되어 있는 것이 인정되었다. 이 경우에도 앞서와 마찬가지로, 자기 지지적으로 실리카 라인이 유지되어 있는 것을 알 수 있다.
비교예 1
실시예 1 에 있어서, 규소테트라이소시아네이트를 대신하여 폴리비닐알코올을 사용하고, 침지 온도를 실온으로부터 450℃ 로 바꾼 결과, 용매의 증발 및 폴리비닐알코올의 분해로 인해, 폴리비닐알코올에 침지하지 못해 박막이 얻어지지 않았다.
비교예 2
실시예 1 에 있어서, 규소테트라이소시아네이트를 대신하여 폴리아크릴산을 사용하고, 침지 온도를 실온으로부터 450℃ 로 바꾼 결과, 용매의 증발 그리고 폴리아크릴산의 분해로 인해, 폴리아크릴산에 침지하지 못해 박막이 얻어지지 않았다.
비교예 3
비교예 1 에 있어서, 폴리비닐알코올을 100Pa 에서 증착하여 박막의 형성을 시도하였지만, 폴리비닐알코올이 기화되지 않아 증착을 행할 수 없었다. 또한, 100Pa 는, 일반적인 증착 조작에 있어서의 압력이다.
비교예 4
비교예 2 에 있어서, 폴리아크릴산을 100Pa 에서 증착하여 박막의 형성을 시도하였지만, 폴리아크릴산이 기화되지 않아 증착을 행할 수 없었다. 또한, 100Pa 는, 일반적인 증착 조작에 있어서의 압력이다.
실시예 3
실시예 1 에 있어서, 일본 공개특허공보 2002-338211호의 단락 번호 0045 에 기재된 방법에 의해, 규소테트라이소시아네이트와 폴리아크릴산을 교대로 적층하여 초박막을 형성하고, 그 밖에는 동일하게 행하였다. 실시예 1 과 마찬가지로, 양호한 나노 구조체가 형성되었다.
비교예 5
실시예 3 에 있어서, 규소테트라이소시아네이트와 폴리아크릴산을 기상 흡착에 의해 적층을 시도하였지만, 기상 상태에서는 조성비 제어가 곤란하여 균일 피막을 형성할 수 없었다.
실시예 4
리소그래피법에 의해 폭 340㎚, 높이 400㎚ 의 직사각형 라인 구조가 형성된 유기 레지스트 (도쿄오카 공업, 상품명: TDUR-P015 PM) 를 갖는 규소 웨이퍼 기판을 산소 플라즈마 처리하였다 (10W, 압력 180mTorr).
다음으로, 10㎖ 의 규소테트라이소시아네이트 (Si(NCO)4) 용액 (헵탄 100mM) 에 실온, 상압에서 2 분간 침지한 후, 10㎖ 의 헥산에 1 분간 침지하고, 또한 10㎖의 탈 이온수에 1 분간 침지하고, 마지막에 질소 가스 기류에 의해 건조시켰다. 이어서 폴리아크릴산 (PAA) 의 에탄올 용액 (1㎎/㎖) 에 10 분간 침지하고, 또한 25℃ 의 에탄올에 1 분간 침지하여 세정한 후, 질소 가스를 분사하여 건조시켰다. 이 일련의 조작 (표면 졸겔 조작) 을 15 회 행하여, 주형 표면 상에 실리카 및 PAA 로 이루어지는 초박막 적층체 (복합체) 를 형성하였다. 또한, 이것을 재차 산소 플라즈마 처리 (30W, 2 시간) 하였다. 노출 후, 400V, 빔 전류 80mA 에서 2 분간의 조건으로 아르곤 에칭을 행하여, 박막의 천면을 제거하였다. 이어서, 이 기판을 재차 산소 플라즈마 처리 (30W, 2 시간) 하여 주형을 제거하였다.
이 결과, 폭 약 50㎚, 높이 약 400㎚ 의 실리카/PAA 복합체가 얻어졌다. 또, 이 복합체는, 자기 지지성을 갖고 있었다.
본 발명에 의해, 종래부터, 빛ㆍ전자선 등의 방사선을 이용하여 그 파장에 따른 미세화의 향상을 도모하였지만, 본 발명에서는, 완전히 상이한 관점인 박막의 막 두께의 제어라는 수법을 채용함으로써, 미세 패턴의 사이즈 제어를 행하는 것이 가능해졌다. 특히, 본 발명의 나노 구조체의 제조 방법에서는, 최종적으로 얻어지는 나노 구조체의 폭을, 수 nm 의 폭까지 제어할 수 있게 되었다. 또한, 본 발명 방법은, 이러한 나노 구조체를 기판의 크기에 제한 없이 제작할 수 있기 때문에, 작은 기판은 물론, 큰 기판 상 (예를 들어, 1㎠ 이상, 또, 10㎠ 이상) 에 제조하는 것도 가능하게 되었다.
또한, 본 발명 방법은, 대규모의 장치를 필요로 하지 않기 때문에, 저비용으로 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 제조 방법은, 온화한 조건 하에서, 연속적으로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성은, 박막이나 주형의 재료에 한정되지도 않고, 또, 주형 구조로서는 여러 가지 형태를 채용할 수 있기 때문에, 여러 가지 형상의 나노 구조체를 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 나노 구조체 및 그 제조 방법은, 반도체 분야 등에 있어 널리 채용할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 나노 구조체의 제조 방법은, 나노 임프린트하기 위한 방법으로서 채용할 수 있다. 또, 본 발명의 나노 구조체는, 예를 들어, 금속 산화물 등으로 이루어지는 경우, 이것을 환원함으로써, 금속 세선으로서 사용할 수 있다.
본 발명의 나노 구조체는, 또한, 박막의 두께의 제어에 의해 형상ㆍ사이즈의 정밀도가 제어된 나노 구조체를 갖는 재료를 제공할 수 있기 때문에, 빛ㆍ전자 빔이라는 전자파 등을 사용하는 미세 가공 기술에서는 제조가 곤란하다고 여겨진 나노 구조체, 초박막 시트, 극세 금속 섬유 등 각종의 분야에서의 응용이 가능하다. 또, 본 발명의 나노 구조체가 복합 재료에 의해 이루어지는 경우, 효소 등의 단백질을 삽입한 생체 기능 재료, 의료용 재료로서 폭넓은 응용이 기대된다.
또한, 본 발명의 나노 구조체는, 나노 미터의 정밀도에 의해 다양한 형태를 갖는 유기/금속 산화물 복합 박막을 적층화하고, 자기 지지성 재료로서 얻을 수 있기 때문에, 그 자체
로, 새로운, 전기, 전자적 특성, 자기적 특성, 광기능 특성을 설계할 수 있다. 구체적으로는, 반도체 초격자 재료의 제조, 고효율의 광화학 반응이나 전기 화학 반응의 설계에 사용할 수 있다. 또, 본 발명의 나노 재료의 제조 비용은, 다른 수법과 비교하여 현저하게 낮기 때문에, 태양 전지 등의 빛 에너지 변환 시스템 등의 실용적인 기반 기술이 될 수 있다.
또한 본 발명의 나노 재료는, 2 종류 이상의 금속 화합물의 적층 비율을 단계적으로 변화시킴으로써, 여러 가지 경사 기능 재료를 제조하는 것이 가능해진다. 또, 종래부터 다수 제안되고 있는 유기 화합물의 축차 흡착법과 조합함으로써, 여러 가지 타입의 유기ㆍ무기 복합 초박막의 설계도 가능해져, 새로운 빛, 전자, 화학적 기능을 갖는 나노 구조체를 제조할 수 있다.
또한, 어모퍼스 상태의 유기/금속 산화물 복합 박막으로 형성된 나노 구조체는, 통상의 금속 산화물을 함유하는 나노 구조체보다 낮은 밀도를 갖고, 초저유전율 재료로서의 이용이나 각종 센서의 제조 등에 응용되는 것을 기대할 수 있고, 특히 10 ～ 20nm 사이즈로 패턴화된 회로나 요철이 있는 전자 회로의 절연 재료로서, 또는 고체 표면에서 초미세 가공을 실시할 때의 마스킹 또는 코팅 필름으로서도 유망하다.
또한, 어모퍼스 상태의 유기/금속 산화물 복합으로 이루어지는 나노 구조체 는, 매우 많은 분자적 사이즈의 공공을 갖기 때문에, 촉매의 담지나 이온의 도입을 이용한 새로운 물질 합성에도 이용할 수 있다. 또, 각종 재료에 삽입함으로써, 재료 표면에 상이한 화학적ㆍ역학적ㆍ광학적 특성을 부여할 수 있고, 광촉매나 초친수성 표면으로서 응용도 기대할 수 있다.
Claims (20)
- 기판 상에 설치된 제 1 주형의 표면에 제 1 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 박막의 표면에 제 2 주형을 설치하는 공정과, 그 제 2 주형의 표면에 제 2 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 박막 및/또는 제 2 박막의 일부를 동시에 또는 따로따로 제거하는 공정과, 상기 제 1 주형 및/또는 제 2 주형을 동시에 또는 따로따로 제거하는 공정을 포함하고, 상기 제 1 박막을 형성하는 공정, 상기 제 2 주형을 설치하는 공정 및 상기 제 2 박막을 형성하는 공정 중 적어도 1 공정을 액상 흡착에 의해 행하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 기판 상에 설치된 제 1 주형의 표면에, 액상 흡착에 의해 제 1 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 박막의 일부를 제거하는 공정과, 상기 제 1 주형을 제거하는 공정을 포함하는 제조 방법에 의해 제조된 나노 구조체의 표면에 제 2 주형을 설치하는 공정과,상기 나노 구조체의 표면에 설치된 제 2 주형의 표면에, 액상 흡착에 의해 제 2 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 2 박막의 일부를 제거하는 공정과, 상기 제 2 주형을 제거하는 공정을 포함하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막과, 상기 제 2 박막에 상이한 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막을 형성하는 공정과, 상기 제 2 주형을 설치하는 공정과, 상기 제 2 박막을 형성하는 공정을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 박막과, 상기 제 2 박막에 상이한 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,졸겔 방법에 의해 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,금속 알콕사이드를 사용한 졸겔 방법에 의해 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,복수회의 졸겔 방법에 의해 적층하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 박막의 형성은, 0 ～ 150℃ 에서 행하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 박막의 형성은, 1.0 × 106Pa 이하에서 행하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 박막은, 금속 산화물, 유기/금속 산화물 복합체, 유기 화합물, 및, 유기/무기 복합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 주형은, 유기 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 박막의 두께가 100㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 박막의 두께가 10 ～ 50㎚ 인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,표면이 평판 형상이 아닌 주형을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,1㎤ 이상의 크기의 주형을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법.
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Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US20100021985A1 (en) * | 2007-03-20 | 2010-01-28 | The Regents Of The University Of California | Mechanical process for creating particles in fluid |
| EP2134665A4 (en) * | 2007-03-20 | 2011-09-14 | Univ California | MECHANICAL METHOD FOR CREATING PARTICLES IN A LIQUID |
| JP2009056576A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Institute Of Physical & Chemical Research | 構造体の製造方法、構造体 |
| JPWO2009054413A1 (ja) * | 2007-10-25 | 2011-03-03 | 日産化学工業株式会社 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5361406B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| FR2942738B1 (fr) * | 2009-03-03 | 2016-04-15 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de fabrication d'un moule pour la lithographie par nano-impression |
| JP5572974B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-08-20 | セイコーエプソン株式会社 | 固体二次電池の製造方法 |
| US8563351B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing photovoltaic device |
| US8889245B2 (en) * | 2010-06-29 | 2014-11-18 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Three-dimensional nanostructures and method for fabricating the same |
| US12103844B2 (en) | 2010-06-29 | 2024-10-01 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method of fabricating nanostructures using macro pre-patterns |
| US8293645B2 (en) | 2010-06-30 | 2012-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming photovoltaic cell |
| WO2012008686A2 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printing plate and method of manufacturing the same |
| US8394224B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-03-12 | International Business Machines Corporation | Method of forming nanostructures |
| TWI432523B (zh) * | 2011-06-21 | 2014-04-01 | Asahi Kasei E Materials Corp | And an inorganic composition for transfer of fine asperity structure |
| KR101356800B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2014-01-28 | 한국과학기술원 | 연속적으로 패턴화된 구조를 가지는 ３차원 다성분 나노구조체 및 그 제조방법 |
| KR101597025B1 (ko) | 2014-04-23 | 2016-03-07 | 한양대학교 산학협력단 | 3차원 미세구조를 가지는 생체유기물 구조체의 제조방법 및 생체유기물 구조체, 이를 응용한 센서와 액츄에이터 시스템 |
| KR102288729B1 (ko) * | 2015-11-11 | 2021-08-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 스마트 윈도우 및 이의 제조 방법 |
| CN111029248B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-05-23 | 苏州大学 | 一种ebl直写高精度第三代半导体的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077922A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tdk Corp | 薄膜パターンの作製方法、及び、それを用いたマイクロデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238690B1 (en) * | 1986-03-27 | 1991-11-06 | International Business Machines Corporation | Process for forming sidewalls |
| US4968552A (en) | 1989-10-13 | 1990-11-06 | International Business Machines Corp. | Versatile reactive ion etch barriers from polyamic acid salts |
| US5627013A (en) * | 1991-11-14 | 1997-05-06 | Rohm Co., Ltd. | Method of forming a fine pattern of ferroelectric film |
| JPH05325185A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-10 | C Uyemura & Co Ltd | ハードディスクの製造方法 |
| JPH06224161A (ja) * | 1992-11-04 | 1994-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP3966479B2 (ja) * | 1993-04-16 | 2007-08-29 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法 |
| JP3317582B2 (ja) * | 1994-06-01 | 2002-08-26 | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
| JPH10150027A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体装置の微細レジストパターンの形成方法 |
| US6063688A (en) | 1997-09-29 | 2000-05-16 | Intel Corporation | Fabrication of deep submicron structures and quantum wire transistors using hard-mask transistor width definition |
| JP3127245B1 (ja) * | 1999-09-03 | 2001-01-22 | 工業技術院長 | 多層型電子材料、その製造方法、それを用いたセンサー及び記憶デバイス |
| JP2001110801A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Takeshi Yao | パターン形成方法、並びに電子素子、光学素子及び回路基板 |
| US6967140B2 (en) | 2000-03-01 | 2005-11-22 | Intel Corporation | Quantum wire gate device and method of making same |
| JP4093532B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2008-06-04 | 独立行政法人理化学研究所 | アモルファス状金属酸化物の薄膜材料の製造方法 |
| DE10153497B4 (de) * | 2001-10-31 | 2006-04-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Silylierung von Fotoresists im UV-Bereich |
| EP1514679A4 (en) | 2002-05-09 | 2008-02-20 | Riken | MATTE THIN FILM RIAU AND ASSOCIATE PR PARATION PROC D |
| FR2870989B1 (fr) * | 2004-05-27 | 2006-08-04 | Commissariat Energie Atomique | Substrat pour application electronique, comprenant un support flexible et son procede de fabrication |
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| JP2003077922A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tdk Corp | 薄膜パターンの作製方法、及び、それを用いたマイクロデバイスの製造方法 |
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