KR101156836B1 - 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판 - Google Patents

기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR101156836B1
KR101156836B1 KR20100016762A KR20100016762A KR101156836B1 KR 101156836 B1 KR101156836 B1 KR 101156836B1 KR 20100016762 A KR20100016762 A KR 20100016762A KR 20100016762 A KR20100016762 A KR 20100016762A KR 101156836 B1 KR101156836 B1 KR 101156836B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
formula
composition
group
forming
Prior art date
Application number
KR20100016762A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110097107A (ko
Inventor
김진철
유성현
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR20100016762A priority Critical patent/KR101156836B1/ko
Publication of KR20110097107A publication Critical patent/KR20110097107A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101156836B1 publication Critical patent/KR101156836B1/ko

Links

Images

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판에 관한 것으로서, 상기 기판 형성용 조성물은 (i) 주쇄에 하나 이상의 가용성 구조단위를 가지며 주쇄의 말단 중 하나 이상에 열경화성 그룹을 갖는 열경화성 액정 올리고머(Liquid Crystal Thermosetting Oligomer), (ii) 불소수지 분말, 및 (iii) 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판 {Composition for forming substrate, and prepreg and substrate using the same}
본 발명은 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판에 관한 것이다.
전자기기의 슬림화에 따라 부품 실장용 보드 기판의 두께도 날로 감소하고 있다. 이와는 정 반대로 기판의 층수는 더 늘어나고 있다. 이에 따라 기판의 구성요소인 절연재의 두께도 감소하고 있다.
전자기기는 각각의 모듈이 저항을 가지는데 이를 매칭(matching)하기 위해서 각 모듈이나 패키지가 가지는 저항값을 상호 비슷하게 맞춘다. 하지만, 기판의 절연재의 두께 감소는 이러한 저항값이 낮아지게 한다. 이렇게 낮아진 저항값을 높이기 위해서는 전도체의 폭을 줄여야 한다. 하지만, 이렇게 전도체의 폭을 줄이는 것은 기판 제작 비용의 상승 및 제작 불가에 이르게 할 수 있다. 이를 해결하기 위해서는 절연재의 유전율을 낮추는 것이 가장 효과적이다.
이와 관련하여, 도 1에 회로 설계를 위한 통상의 마이크로스트립 구조를 나타내었다. 마이크로스트립은 도 1에 도시된 바와 같이 아래 면 전체에 접지를 위한 전극(20)을 형성하고, 중간 절연체(유전체)(10)의 높이(h)와 유전율(εr)을 명확하게 정의한 후, 그 높이/유전율에 따라 윗면에 신호선(30)을 배치하면서 회로를 구성하는 기판의 구조이다. 마이크로스트립 구조의 기판에서 임피던스를 매칭하기 위해서는 신호선(30)의 폭(W)과 높이(t) 외에 중간 절연체(10)의 높이(h)와 유전율(εr)이 명확하게 정의되어야 한다.
임피던스 값(Z0)은 W/h≤1인 경우(수학식 1)와 W/h≥1인 경우(수학식 2) 다음과 같이 정의될 수 있다.
Figure 112010012166911-pat00001
Figure 112010012166911-pat00002
도 1 및 상기 수학식 1 및 2에서 알 수 있듯이 유전율을 낮추면 임피던스를 높힐 수 있어 두께의 감소로 인한 임피던스의 낮아짐을 회로의 폭을 줄이지 않고 실현하는 것이 가능하다.
한편, 종래에는 인쇄회로기판의 절연재의 유전율을 낮추기 위해 주로 불소수지로서 PTFE나 PPE 등을 이용하였다. 하지만, PTFE 수지 기판은 매우 낮은 유전율을 가지고 있으나 흡습성이 너무 높아 전자기기용 인쇄회로기판으로 사용이 되지 않고 있으며 PPE 수지는 열팽창계수와 경화 수축이 커서 휨 발생이 쉽고, 드릴 마모량이 많다. 또한, 디스미어성이 좋지 않다. 이와 더불어 두 가지 모두 제조단가가 매우 높은 단점이 있다.
이와 더불어 PTFE 수지와 다른 수지를 혼합하여 압축성형(compression molding)을 이용하여 복합체를 구성하여 절연자재로 이용한 경우도 있다. 또한, 이 복합체를 직조유리섬유(glass cloth)에 라미네이션(lamination)하여 제작하고 있다. 하지만, 이 경우에도 제작 공법이 현재의 기판 절연재에 비해 매우 비싸다는 단점이 있다.
이에 본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 광범위한 연구를 거듭한 결과, 기존의 압축성형이나 라미네이션이 아닌 용매를 이용하여 열경화성 액정(Liquid Crystal Thermosetting, LCT) 올리고머에 불소수지 분말을 분산시킴으로써 저유전율, 저열팽창 특성을 갖는 기판용 절연재료 조성물을 얻을 수 있었고, 본 발명은 이에 기초하여 완성되었다.
따라서, 본 발명의 일 측면은 저유전율 및 저열팽창 특성을 갖는 기판 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 상기 기판 형성용 조성물을 이용한 프리프레그 및 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 바람직한 일 측면에 따르면,
(i) 주쇄에 하나 이상의 가용성 구조단위를 가지며 주쇄의 말단 중 하나 이상에 열경화성 그룹을 갖는 열경화성 액정 올리고머(Liquid Crystal Thermosetting Oligomer), (ii) 불소수지 분말, 및 (iii) 용매를 포함하는 기판 형성용 조성물이 제공된다.
상기 열경화성 액정 올리고머에서, 상기 가용성 구조단위는 C4～C30의 아릴-아민기 또는 C4～C30의 아릴-아마이드기를 포함할 수 있다.
상기 가용성 구조단위는 또한 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112010012166911-pat00003
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이며, X1 및 Y1은 각각 독립적으로 COO, O, CONR", NR"' 및 CO로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 상기 R" 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 원자, C1～C20의 알킬기 및 C6～C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, X1 및 Y1 중 하나 이상은 CONR" 또는 NR"'이다.
상기 가용성 구조단위는 또한 하기 화학식 2로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 구조단위를 포함할 수 있다:
Figure 112010012166911-pat00004
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이다.
여기서, 상기 Ar은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 선택되는 아릴기 또는 이들의 치환체일 수 있다:
Figure 112010012166911-pat00005
한편, 상기 가용성 구조단위는 전체 구조단위의 합계에 대하여 5몰% 초과 60몰% 이하로 포함될 수 있다.
또한, 상기 열경화성 액정 올리고머는 주쇄에 하기 화학식 4로 표시되는 구조단위를 더 포함할 수 있다:
Figure 112010012166911-pat00006
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이며, X2 및 Y2는 각각 독립적으로 COO, O, CONR", NR"' 및 CO로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 상기 R" 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 원자, C1～C20의 알킬기 및 C6～C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
상기 화학식 4로 표시되는 구조단위는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 구조단위를 포함할 수 있다:
Figure 112010012166911-pat00007
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이다.
여기서, 상기 Ar은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중에서 선택될 수 있다:
화학식 3
Figure 112010012166911-pat00008
상기 열경화성 그룹은 열가교성 반응기일 수 있다.
상기 열경화성 그룹은 일 실시예에 따라, 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nedimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물일 수 있다:
Figure 112010012166911-pat00009
상기 식에서, R1은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며; R2는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며; Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 히드록시기, 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며; Z1 및 Z2 중 하나 이상은 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며; n과 m은 각각 독립적으로 1～50의 정수이며; n/(n+m+2)는 0.05 초과 0.6 이하이다:
화학식 2
Figure 112010012166911-pat00010
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이고;
화학식 5
Figure 112010012166911-pat00011
상기 화학식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이다.
바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 화합물일 수 있다:
Figure 112010012166911-pat00012
Figure 112010012166911-pat00013
상기 식에서, Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nedimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며, m은 1～50의 정수이고, n은 1～50의 정수이다.
상기 열경화성 액정 올리고머의 수평균 분자량은 500～15,000일 수 있다.
상기 불소수지는 바람직하게는 PTFE(PolyTetraFluoro Ethylene), FEP(Fluorinated Ethylene Propylene), PFA(PerFluoro Alkoxy), ETFE(Ethylene-TetraFluoro Ethylene), PVDF(PolyVinyliDen Fluoride), ECTFE(Ethylene-ChlorotriFluoro Ethylene), PCTFE(PolyChloroTriFluoro Ethylene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
바람직하게는, 상기 불소수지 분말의 평균입경은 10 내지 1000nm일 수 있다.
상기 조성물 중 불소수지 분말의 함량은 5 내지 60중량%인 것이 바람직하다.
한편, 상기 조성물은 용매 100중량부에 대하여 0.1 내지 300중량부의 열경화성 액정 올리고머를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 다른 측면에 따르면, 상기 기판 형성용 조성물로부터 제조되는 프리프레그가 제공된다.
본 발명의 바람직한 또 다른 측면에 따르면, 상기 기판 형성용 조성물로부터 제조되는 기판이 제공된다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따르면, 기존의 압축성형이나 라미네이션이 아닌 용매를 이용하여 열경화성 액정(Liquid Crystal Thermosetting, LCT) 올리고머에 불소수지 분말을 분산시킴으로써 균일한 저유전율 특성을 갖는 기판용 절연재료를 제공할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 기판 형성용 조성물은 유전율의 국부적인 차이가 없으며, 고속 회로 및 고주파 영역의 인쇄회로기판 절연재료로 사용될 수 있다.
또한, 열경화성 액정 올리고머 고유의 열적, 기계적 특성이 유지되어 기존 에폭시계 소재 대비 상당히 낮은 열팽창계수와 저유전율 특성을 동시에 나타내는 기판 절연재료로의 적용이 가능하다.
도 1은 종래기술에 따른 마이크로스트립 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 기판 형성용 조성물을 이용한 프리프레그의 제작공정을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
본 발명의 기판 형성용 조성물은 (i) 주쇄에 하나 이상의 가용성 구조단위를 가지며 주쇄의 말단 중 하나 이상에 열경화성 그룹을 갖는 열경화성 액정 올리고머(Liquid Crystal Thermosetting Oligomer), (ii) 불소수지 분말, 및 (iii) 용매를 포함한다.
본 발명에서 사용되는 열경화성 액정 올리고머는 액정의 특성을 구현하는 구조와 용매에 녹을 수 있는 가용성 구조를 동시에 가지고 있다. 또한, 열에 의한 경화구조를 가질 수 있는 부분이 양 말단 중 하나 이상에 존재한다.
즉, 상기 열경화성 액정 올리고머는 주쇄에 하나 이상의 가용 구조단위를 포함하고, 주쇄의 양 말단 중 하나 이상에 열경화성 그룹을 갖는다. 본원에서 "가용성" 이란 조성물에 사용된 용매에 대한 용해도가 우수한 특성을 의미한다.
일반적으로 고분자 수지는 용융시켜 사용하거나, 용매에 용해시켜 사용하더라도 점도가 매우 높아 고형분 함량을 증가시키기 어렵다. 특히, 유리섬유 부직포에 함침시키는 경우 고분자 조성물의 점도가 높아 함침이 어렵고, 고형분 함량이 낮을 경우 함침량이 부족하여 재가공 등의 문제로 가공비가 증가하는 문제점이 있다. 이에 반해서, 상기 열경화성 액정 올리고머는 낮은 점도를 가지면서도 유전상수, 열팽창계수, 내흡수성 등의 특성이 우수하고 용매에 대한 용해성이 매우 우수하여 각종 기판의 소재로 응용시 제조비용을 낮출 수 있다.
상기 열경화성 액정 올리고머의 주쇄에 삽입되는 가용성 구조단위는 C4～C30의 아릴-아민기 또는 C4-C30의 아릴-아마이드기일 수 있다. 상기 가용성 구조단위는 하기 화학식 1의 구조단위를 포함할 수 있다.
화학식 1
Figure 112010012166911-pat00014
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이며, X1 및 Y1은 각각 독립적으로 COO, O, CONR", NR"' 및 CO로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 상기 R" 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 원자, C1～C20의 알킬기 및 C6～C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, X1 및 Y1 중 하나 이상 이상은 CONR" 또는 NR"'이다.
이러한 가용성 구조단위는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물들 중 선택되는 하나 또는 둘 이상의 구조단위를 포함하나, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니다.
화학식 2
Figure 112010012166911-pat00015
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이다.
상기 열경화성 액정 올리고머를 구성하는 각각의 구조단위에서 Ar은 서로 상이하거나 동일하며, Ar의 방향족 고리는 아마이드기, 에스테르기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴기 또는 플루오로메틸기로 치환될 수 있다.
상기 Ar의 비제한적인 예들은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
화학식 3
Figure 112010012166911-pat00016
상기 열경화성 액정 올리고머는 가용성 구조단위를 전체 구조단위의 합계에 대하여 5몰% 초과 60몰% 이하의 함량으로 포함할 수 있다. 가용성 구조단위의 함량이 5몰% 이하인 경우에는 용매 중에서의 용해도 향상 효과가 미미할 수 있고, 이와 대조적으로 가용성 구조단위의 함량이 60몰%를 초과하는 경우에는 친수성이 증가하여 내흡습성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. 열경화성 액정 올리고머 중의 상기 가용성 구조단위의 함량은 반응시에 첨가하는 단량체 함량을 조절함으로써 원하는 수준의 가용성 구조를 열경화성 액정 올리고머에 포함시킬 수 있다. 상기 가용성 구조단위의 함량은 가용성 구조단위의 크기, 질량, 특성 및 화학적 조성을 변화시킴으로써 조절될 수 있다.
상기 열경화성 액정 올리고머는 주쇄에 가용성 구조단위와 함께 하기 화학식 4로 표시되는 구조단위를 더 포함할 수 있다.
화학식 4
Figure 112010012166911-pat00017
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이며; X2 및 Y2는 각각 독립적으로 COO, O, CONR", NR"' 및 CO로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 상기 R" 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 원자, C1～C20의 알킬기 및 C6～C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
상기 화학식 4의 구조단위의 예들은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위를 포함할 수 있다.
화학식 5
Figure 112010012166911-pat00018
상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이다.
상기 화학식 5로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 구조단위가 2개 이상 포함되는 경우에 각각의 구조단위의 Ar은 서로 같거나 상이하며, Ar의 방향족 고리는 아마이드기, 에스테르기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴기 또는 플루오로메틸기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 상기 Ar은 하기 화학식 3에서 선택되는 것일 수 있다.
화학식 3
Figure 112010012166911-pat00019
상기 열경화성 액정 올리고머는 주쇄의 양 말단 중 하나 이상에 서로 동일하거나 상이한 열경화성 그룹이 도입될 수 있다. 이러한 열경화성 그룹은 기판 형성용 조성물을 인쇄회로기판 등의 제조에 이용시 고온경화를 거치면 이들 가교 관능기가 서로 가교되어 견고한 그물망 형태의 안정된 구조를 형성하므로, 인쇄회로기판의 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.
상기 열경화성 그룹은 열가교성 반응기일 수 있다. 이러한 열경화성 그룹의 예들은 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물을 포함하나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 본원에서 "치환체"라 함은 열가교성 반응기의 말단 일부가 알킬기, 할로겐 원자, 아릴기 등의 치환기로 치환된 구조를 의미하며, 예를 들어 말레이미드 반응기의 경우 이중 결합에 있는 수소의 하나 이상이 메틸기와 같은 알킬기 등에 의해 치환된 것을 포함한다. 또한, 본원에서 "유도체"라 함은 방향족, 헤테로 방향족기 등에 열가교성 반응기가 결합된 구조를 의미하며, 예를 들어 말레이미드 반응기의 경우, 벤젠 고리 또는 나프탈렌에 말레이미드 반응기가 결합된 것을 포함한다.
바람직하게는, 상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 6의 구조를 가질 수 있다.
화학식 6
Figure 112010012166911-pat00020
상기 식에서, R1은 하기 화학식 2 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며; R2는 하기 화학식 5 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며;
Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 히드록시기, 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며;
n과 m은 각각 독립적으로 양의 정수이며, 바람직하게는 독립적으로 1 내지 50의 정수이다.
화학식 2
Figure 112010012166911-pat00021
상기 화학식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이다.
화학식 5
Figure 112010012166911-pat00022
상기 화학식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이다.
또한, 상기 화학식에서 R1 및 R2는 블록 형태로 반복되거나, 랜덤(random)으로 반복될 수 있다. 예컨대, Z1R1R1R1…R2R2R2Z2이거나 Z1R1R1R2…R2R2Z2이거나 Z1R1R2R2R2…R1R2Z2이거나 Z1R1R2R1R2…R2R2Z2의 형태일 수 있다.
예컨대, 상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 7 또는 화학식 8의 구조를 가질 수 있다.
화학식 7
Figure 112010012166911-pat00023
화학식 8
Figure 112010012166911-pat00024
상기 식에서, Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며; n과 m은 각각 독립적으로 양의 정수이며, 바람직하게는 각각 독립적으로 1 내지 50의 정수이다.
또한, 상기 화학식 6 내지 8의 구조에서 n/(n+m+2)는 0.05 초과 0.6 이하의 범위내일 수 있다.
상기 열경화성 액정 올리고머의 분자량은 500～15,000일 수 있다. 상기 열경화성 액정 올리고머의 분자량이 500 미만일 경우에는 가교밀도가 높아져 물성이 브리틀(brittle)해질 수 있고, 상기 분자량이 15,000을 초과하는 경우에는 용액의 점도가 높아져 유리섬유 부직포에 함침시 불리해질 수 있다.
상기 열경화성 액정 올리고머의 제조방법은 특별히 제한되지 않으며, 중합을 통해 가용성 구조단위를 포함하는 액정 올리고머를 제조할 수 있는 화합물들 및 열경화성 그룹을 도입할 수 있는 화합물을 반응시켜 제조될 수 있다.
상기에서 가용성 구조단위를 포함하는 액정 올리고머를 제조할 수 있는 화합물들은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 하나 이상의 방향족, 방향족 헤테로고리 또는 지방족 디카르복실산; 방향족, 방향족 헤테로고리 또는 지방족 디올; 방향족, 방향족 헤테로고리 또는 지방족 디아민; 아미노 페놀; 히드록시벤조산; 및 아미노벤조산으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 방향족, 방향족 헤테로고리 또는 지방족 디올; 아미노 페놀; 아미노벤조산 중 하나 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
일례로, 열경화성 액정 올리고머는 용액 중합 또는 벌크 중합에 의해서 제조될 수 있다. 용액 중합 및 벌크 중합은 적합한 교반수단이 설치된 하나의 반응 탱크 내에 행해질 수 있다.
용액중합 방법에 대해서 예를 들어 설명하면, 먼저 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride), 아미노페놀, 2,6-디히드록시나프탈렌(2,6-dihydroxynaphthalene), 트리에틸아민(triethylamine)을 반응기에 넣은 후 상온에서 교반하면서 반응을 진행시킨다. 일정 시간 경과 후 열경화성 그룹을 부가할 수 있는 화합물(예컨대, 말레이미도-벤조일 클로라이드 등과 같이 말레이미드, 네드이미드 또는 아세틸렌 등을 부가할 수 있는 화합물)을 추가로 첨가하여 반응시켜 열경화성 액정 올리고머를 수득한 후, 이를 분리정제함으로써 상기 열경화성 액정 올리고머를 합성할 수 있다.
한편, 벌크 중합에 의해서 열경화성 액정 올리고머를 제조하는 경우에는, 이소프탈산, 아미노페놀, 2-히드록시-6-나프토익 애시드, 아세트산 무수물을 반응기에 첨가한 후에 교반시키면서 온도를 서서히 150℃까지 올린 후 환류시키면서 일정 시간 동안 반응시킨다. 이어서 유출하는 부생 초산 및 무수 초산을 제거한 후 4-히드록시벤조산을 추가로 첨가하고 320℃까지 승온하여 반응시킨다. 이렇게 하여 주쇄의 양 말단 중 하나 이상에 알코올기를 가진 액정 올리고머를 합성한다. 양 말단에 알코올기를 가진 액정 올리고머가 수득되면, 액정 올리고머를 용매(예컨대 DMF)에 용해시킨 후, 열경화성 그룹을 부가할 수 있는 화합물을 첨가하여 반응시키면 주쇄의 양 말단 중 어느 하나 이상에 열경화성 그룹이 부가된 열경화성 액정 올리고머를 수득할 수 있다.
또 다른 벌크 중합에 의해서 열경화성 액정 올리고머를 제조하는 경우에는, 이소프탈산, 아미노페놀, 2-히드록시-6-나프토익 애시드, 아세트산 무수물을 반응기에 첨가한 후에 교반시키면서 150℃까지 올린 후 환류시키면서 일정 시간 동안 반응시킨다. 이어서 230℃까지 서서히 승온시키면서 부생 초산 및 무수 초산을 제거하여 올리고머를 합성한다. 네드이미드 벤조익 애시드를 추가로 첨가하고 250℃까지 승온하여 열경화성 액정 올리고머를 수득할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 불소수지 분말의 불소수지는 PTFE(PolyTetraFluoro Ethylene), FEP(Fluorinated Ethylene Propylene), PFA(PerFluoro Alkoxy), ETFE(Ethylene-Tetra Fluoro Ethylene), PVDF(PolyVinyliDen Fluoride), ECTFE(Ethylene-ChlorotriFluoro Ethylene), PCTFE(PolyChloroTriFluoro Ethylene) 중 하나 이상이 선택될 수 있다.
상기 불소수지 분말의 평균입경은 10 내지 1000nm인 것이 분산성 측면에서 바람직하다.
상기 조성물 중 불소수지 분말의 함량은 5 내지 60중량%인 것이 경제성 대비 목적하는 유전 특성 발현 측면에서 바람직하다.
상기 기판 형성용 조성물에 사용되는 용매는 특별히 제한되지 않으나, 극성 비프로톤성 용매가 바람직하다. 상기 용매는 예를 들어, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈(NMP), N-메틸카프로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, 디메틸술폭시드, γ-부틸락톤, 디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸포스포릭 아미드 및 에틸셀로솔브 아세테이트로 구성되는 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있으며, 선택적으로 이들 중 2 종류 이상의 혼합 용매를 사용할 수 있다. 상기 기판 형성용 조성물에는 용매 100중량부에 대하여 열경화성 액정 올리고머 0.1～300중량부가 포함될 수 있다.
본 발명의 기판 형성용 조성물에는 또한 필요에 따라 목적하는 특성을 극대화하기 위하여 소량(약 5～30중량%)의 금속 필러 및/또는 세라믹 필러가 더 첨가될 수 있다.
또한, 본 발명의 기판 형성용 조성물은 유연성 향상을 위하여 강인화제(toughening agent)를 더 포함할 수 있다. 상기 강인화제는 방향족 고분자로서, 상기 방향족 고분자의 수평균 분자량은 2,000 내지 약 500,000일 수 있다. 이러한 방향족 고분자의 예들은 주쇄에 에스테르, 에스테르-아미드, 에스테르-이미드, 에스테르-에테르, 및 에스테르-카보네이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 2 이상의 메소겐 그룹을 포함하는 방향족 고분자를 포함하나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 상기 중합 반응물 및 강인화제의 혼합비는 중량비로 99.5:0.5～35:65일 수 있다.
본 발명의 기판 형성용 조성물은 필요에 따라서 기타 공지된 기판용 절연수지, 유무기 충전제, 연화제, 가소제, 윤활제, 정전기방지제, 착색제, 산화방지제, 열안정제, 광안정제 및 UV 흡수제와 같은 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 유무기 충전제의 예는 에폭시 수지 분말, 멜라민 수지 분말, 요소 수지 분말, 벤조구아나민 수지 분말 및 스티렌 수지와 같은 유기 충전제; 및 실리카, 알루미나, 산화티타늄, 지르코니아, 카올린, 탄산칼슘 및 인산칼슘과 같은 무기 충전제를 포함한다.
한편, 본 발명의 기판 형성용 조성물은 용매 캐스팅(solvent casting) 공정에 적용 가능하여, 유리 섬유 등의 함침이 용이할 수 있다.
본 발명의 기판 형성용 조성물은 유리섬유 부직포에 함침을 하여 프리프레그 형태로 제작될 수도 있으며, 또한 빌드업 필름 자체로 제작되어 인쇄회로기판 등의 기판의 절연재료로 사용될 수 있다.
프리프레그는 조성물을 보강재에 함침하여 제조되는데, 구체적으로 기판 형성용 조성물을 보강재에 함침시킨 후 경화시켜 시이트(sheet) 상으로 제조하여 사용할 수 있다. 상기 보강재는 특별히 제한되지 않으나, 일례로 직조유리섬유(glass cloth), 직조 알루미나 유리섬유, 유리섬유 부직포, 셀룰로오즈 부직포, 직조카본섬유, 및 고분자 직물 등을 예로 들 수 있다. 보강재에 기판 형성용 조성물을 함침시키는 방법으로서는 딥 코팅, 롤 코팅법 등이 있으며, 그 밖의 통상적인 함침방법을 사용할 수 있다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 기판 형성용 조성물을 이용한 프리프레그 제작방법을 예를 들어 설명한다.
우선, 열경화성 액정 올리고머(a), 용매(b) 및 각종 첨가제(c)가 각각 함유된 수지 바니시 공급부(11)와 불소수지 분말 공급부(12)로부터 각 원료를 공급하고 혼합부(13)에서 혼합하여 불소수지 분말이 분산된 혼합 바니시(14)를 함침부(16)에 공급한다.
이와 동시에, 유리섬유 부직포 공급부(15)로부터 유리섬유 부직포를 상기 함침부(16)에 공급하고 혼합 바니시에 함침시킨다.
이어서, 상기 혼합 바니시가 함침된 유리섬유 부직포를 건조부(17)에서 건조시킨 후, 필요에 따라 원하는 두께만큼 복수장을 적층한 후 가열, 가압하여 적층하고 완전건조 및 열처리를 통해서 용매를 제거하고 최종 프리프레그(18)를 얻는다.
기존의 세라믹 필러만을 사용하는 경우에는 세라믹의 유전율이 4 이상으로 기본적으로 수지에 비에 크기 때문에 유전율을 낮추면서 CTE를 동시에 감소시키는 것이 불가능하였으나, 본 발명의 프리프레그는 불소수지 분말 함량에 따라 유전율 및 CTE 값을 원하는 수준으로 동시에 낮출 수 있다.
또한, 상기 기판 형성용 조성물을 이용하여 기판을 제조할 수 있다. 상기 기판은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 다층 기판의 각층, 금속박과 결합된 적층물 형태, 인쇄회로기판 등일 수 있다. 또한, 상기 프리프레그가 금속박 등과 결합되는 형태를 포함할 수 있다.
상기 기판은 여러 형태일 수 있으며, 필름 형태일 수 있다. 필름은 상기 기판 형성용 조성물을 박막화하여 제조될 수 있다.
필름 형태 이외의 상기 기판은 금속박과 결합된 적층물 형태일 수도 있다. 상기 금속박으로서는 동박, 알루미늄박 등이 사용된다. 금속박의 두께는 용도에 따라서 다르나, 5 내지 100㎛인 것이 적합하게 사용된다. 금속박 피복 적층판의 금속박에 대하여 회로 가공을 실시함으로써 인쇄회로기판으로 제작할 수 있다. 인쇄 적층판 표면에 또한 상기한 금속박 피복 적층판을 동일하게 적층하고 가공하여 다층 인쇄회로기판으로 제작할 수 있다.
상기 금속박과 결합되는 적층물은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 수지 코팅 동박(resin coated copper; RCC), 동박적층판(copper clad laminate; CCL) 등이 있다.
상기 기판 형성용 조성물은 또한 동박과의 접착 강도가 높으며, 내열성, 저팽창성, 기계적 특성이 우수하므로, 우수한 패키징 재료로 사용될 수 있다. 기판 형성용 조성물은 기판으로 성형되거나 함침 또는 코팅용 바니시를 형성할 수 있다. 상기 조성물은 인쇄회로기판, 다층 기판의 각층, 동박 적층물(예컨대, RCC, CCL), TAB용 필름에 적용 가능하지만, 상기 기판 형성용 조성물의 용도는 여기에 한정되지 않는다.
상기 조성물을 기판 등의 재료로 사용하기 위해서는 기판 위에 캐스팅하고 경화시켜 제조할 수 있다.
이하, 하기 실시예를 통해 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하지만 이에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
제조예 1
1-1. 4-네드이미드 벤조익 애시드 합성
1000㎖ 플라스크에 5-노르보넨-2,3-디카르복실산 무수물 32.83g(0.2mol)을 빙초산 400㎖에 넣고 110℃로 가열하여 용해시킨 후, 과량의 4-아미노벤조산 41.1g(0.3mol)을 투입하였다. 투입후 2시간 동안 교반하면서 반응시킨 다음 상온에서 침전시켰다. 침전물은 빙초산과 물로 각각 세척 후 60℃의 진공오븐에서 건조시켜 네드이미드벤조익 애시드를 제조하였다. 이때 수율은 95% 이었다.
1-2. 열경화성 액정 올리고머의 합성
응축기(condenser)와 교반기(mechanical stirrer)를 장착한 500㎖ 플라스크에 이소프탈산 10.789g(0.065mol), 6-히드록시-2-나프토산 47.948g(0.254mol), 4-아미노페놀 14.187g(0.130mol), 아세트산 무수물 58.396g(9.5mol)을 넣고, 질소 분위기 하에서 140℃까지 서서히 온도를 증가시킨 후, 온도를 유지하며 3시간 동안 반응시켜 아세틸화 반응을 완결하였다. 이어서, 상기 제조예 1-1에서 수득한 4-네드이미드벤조익 애시드 36.79g(0.130mol)을 첨가한 후 반응 부산물인 아세트산 및 미반응 아세트산 무수물을 제거하면서 분당 1～2℃의 속도로 215℃까지 승온시킨 후 그 온도에서 4시간 동안 반응시켜 주쇄의 양 말단 중 하나 이상에 네드이미드기가 도입된 하기 화학식 9의 열경화성 액정 올리고머를 수득하였다.
Figure 112010012166911-pat00025
제조예 2
2-1. 4- 말레이미도 - 벤조일 클로라이드 합성
250㎖ 플라스크에 p-아미노벤조산 41.1g(0.3mol) 및 아세트산 300㎖를 넣어 용해시킨 후, 말레산 무수물 29.4g(0.3mol)을 10℃에서 서서히 첨가하여 노란색의 침전물을 얻었다. 이 침전물을 DMF/에탄올(50:50, w/w) 용액으로 재결정하였다. 재결정된 중간체를 초산 나트륨과 초산 무수물을 사용하여 85℃에서 15분간 처리한 다음 상온으로 냉각시킨 후 얼음중탕기에 침전시켜 침전물을 얻었다. 수득된 침전물을 에틸 아세테이트/n-헥산(50:50, w/w) 용액으로 재결정하여 N-(p-카르복시페닐) 말레이미드를 수득하였다.
N-(p-카르복시페닐) 말레이미드 15g(0.07mol)을 80㎖의 벤젠에 첨가하였다. 여기에 옥살릴 클로라이드 21.83g(0.172mol)을 서서히 첨가하고, 온도를 높여 2시간 동안 환류시켰다. 미반응 옥살릴 클로라이드를 제거하고 상온으로 냉각시킨 후 필터링하고 헥산으로 세정하여 4-말레이미도-벤조일 클로라이드를 수득하였다.
2-2. 열경화성 액정 올리고머의 합성
250㎖ 플라스크에 100㎖의 디메틸포름아미드를 넣은 후, 4-아미노페놀 3.274g(0.03mol), 4,4-디히드록시비페닐 4.655g(0.025mol), 트리에틸아민 18㎖를 첨가하여 용해시킨 후, 얼음물에 담가 냉각시킨 상태에서 이소프로탈로일 클로라이드 10.151g(0.05mol)를 첨가하였다. 상온에서 60시간 반응시킨 후 물과 에탄올을 사용하여 정제한 후 건조하였다.
건조된 시료 1g을 9g의 NMP에 용해시킨 후 상기 제조예 2-1에서 수득한 4-말레이미도-벤조일 클로라이드 0.1g, 트레에틸아민 10㎖를 첨가하여 상온에서 12시간 반응시켜 주쇄의 양 말단 중 하나 이상에 말레이미드 반응기를 도입하여 하기 화학식 10의 열경화성 액정 올리고머를 수득하였다.
Figure 112010012166911-pat00026
실시예 1
N-메틸 피롤리돈(methyl pyrrolidone) 용매 100중량부에 대하여 상기 제조예 1에서 얻어진 열경화성 액정 올리고머 40중량부를 용해시켜 수지 바니시를 얻은 후, 여기에 PTFE 분말을 수지 당량으로 30중량%를 분산시켜 혼합 바니시를 준비한다. 상기 혼합 바니시를 유리섬유 부직포에 함침시킨 후, 대기 분위기 하에서 약 150℃의 온도에서 건조시켜 본 발명에 따른 프리프레그를 제조하였다. 이로부터 얻은 프리프레그를 약 200℃의 온도로 최종 경화한 후 유전율 및 열팽창계수를 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 2
N-메틸 피롤리돈(methyl pyrrolidone) 용매 100중량부에 대하여 상기 제조예 2에서 얻어진 열경화성 액정 올리고머 40중량부를 용해시켜 수지 바니시를 얻은 후, 여기에 PTFE 분말 15중량%를 분산시켜 혼합 바니시를 준비한다. 상기 혼합 바니시를 유리섬유 부직포에 함침시킨 후, 대기 분위기 하에서 약 150℃의 온도에서 건조시켜 본 발명에 따른 프리프레그를 제조하였다. 이로부터 얻은 프리프레그를 약 200℃의 온도로 최종 경화한 후 유전율 및 열팽창계수를 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 1 실시예 2
유전율 3.05 3.35
열팽창계수
(ppm/℃)		 14.7 15.5
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 프리프레그는 낮은 유전율 및 열팽창계수를 동시에 나타냄을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 기판 형성용 조성물은 고속 회로 및 고주파 영역의 인쇄회로기판 절연재료로서 활용 시 우수한 열적, 기계적, 전기적 특성을 나타낼 것으로 기대된다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
11 : 수지 바니시 공급부
12 : 불소수지 분말 공급부
13 : 혼합부
14 : 혼합 바니시
15 : 유리섬유 부직포 공급부
16 : 함침부
17 : 건조부
18 : 프리프레그

Claims (20)

  1. (i) 주쇄에 하나 이상의 가용성 구조단위를 가지며 주쇄의 말단 중 하나 이상에 열경화성 그룹을 갖는 열경화성 액정 올리고머(Liquid Crystal Thermosetting Oligomer), (ii) 불소수지 분말, 및 (iii) 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가용성 구조단위는 C4～C30의 아릴-아민기 또는 C4～C30의 아릴-아마이드기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 가용성 구조단위는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 1
    Figure 112010012166911-pat00027

    상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이며, X1 및 Y1은 각각 독립적으로 COO, O, CONR", NR"' 및 CO로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 상기 R" 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 원자, C1～C20의 알킬기 및 C6～C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, X1 및 Y1 중 하나 이상은 CONR" 또는 NR"'임.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 가용성 구조단위는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 구조단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 2
    Figure 112010012166911-pat00028

    상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기임.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 Ar은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 선택되는 아릴기 또는 이들의 치환체인 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 3
    Figure 112010012166911-pat00029
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 가용성 구조단위는 전체 구조단위의 합계에 대하여 5몰% 초과 60몰% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 열경화성 액정 올리고머는 주쇄에 하기 화학식 4로 표시되는 구조단위를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 4
    Figure 112010012166911-pat00030

    상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이며, X2 및 Y2는 각각 독립적으로 COO, O, CONR", NR"' 및 CO로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 상기 R" 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 원자, C1～C20의 알킬기 및 C6～C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택됨.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 화학식 4로 표시되는 구조단위는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 구조단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 5
    Figure 112010012166911-pat00031

    상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기임.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 Ar은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 3
    Figure 112010012166911-pat00032
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 열경화성 그룹은 열가교성 반응기인 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 열경화성 그룹은 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nedimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 6
    Figure 112011091993344-pat00033

    상기 식에서, R1은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며; R2는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며; Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 히드록시기, 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며; Z1 및 Z2 중 하나 이상은 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며; n과 m은 각각 독립적으로 1～50의 정수이며; n/(n+m+2)는 0.05 초과 0.6 이하임:
    화학식 2


    Figure 112011091993344-pat00034

    상기 식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기이고;
    화학식 5
    Figure 112011091993344-pat00035

    상기 화학식에서, Ar은 C4～C30의 아릴기임.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물:
    화학식 7
    Figure 112010012166911-pat00036

    화학식 8
    Figure 112010012166911-pat00037

    상기 식에서, Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nedimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며, m은 1～50의 정수이고, n은 1～50의 정수임.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 열경화성 액정 올리고머의 수평균 분자량은 500～15,000인 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 불소수지는 PTFE(PolyTetraFluoro Ethylene), FEP(Fluorinated Ethylene Propylene), PFA(PerFluoro Alkoxy), ETFE(Ethylene-TetraFluoro Ethylene), PVDF(PolyVinyliDen Fluoride), ECTFE(Ethylene-ChlorotriFluoro Ethylene), PCTFE(PolyChloroTriFluoro Ethylene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 불소수지 분말의 평균입경은 10 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 조성물 중 불소수지 분말의 함량은 5 내지 60중량%인 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 조성물은 용매 100중량부에 대하여 0.1 내지 300중량부의 열경화성 액정 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 형성용 조성물.
  19. 청구항 1의 기판 형성용 조성물로부터 제조되는 프리프레그.
  20. 청구항 1의 기판 형성용 조성물로부터 제조되는 기판.
KR20100016762A 2010-02-24 2010-02-24 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판 KR101156836B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100016762A KR101156836B1 (ko) 2010-02-24 2010-02-24 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100016762A KR101156836B1 (ko) 2010-02-24 2010-02-24 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110097107A KR20110097107A (ko) 2011-08-31
KR101156836B1 true KR101156836B1 (ko) 2012-06-18

Family

ID=44932168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20100016762A KR101156836B1 (ko) 2010-02-24 2010-02-24 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101156836B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090084967A (ko) * 2006-12-26 2009-08-05 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 광중합성 수지 적층체 및 블랙 매트릭스 패턴이 부착된 기판의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090084967A (ko) * 2006-12-26 2009-08-05 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 광중합성 수지 적층체 및 블랙 매트릭스 패턴이 부착된 기판의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110097107A (ko) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101148384B1 (ko) 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판
KR101077303B1 (ko) 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판
US7943856B2 (en) Composition for producing printed circuit board and printed circuit board using the same
KR101492597B1 (ko) 액정 서모셋 모노머 또는 올리고머, 이를 포함하는 열경화성 액정 고분자 조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판
JP2010528149A (ja) 芳香族液晶ポリエステルアミド共重合体、この芳香族液晶ポリエステルアミド共重合体を使用したプリプレグ、及びこのプリプレグを使用した積層板並びに配線板
KR101505199B1 (ko) 열경화성 올리고머 또는 폴리머, 이를 포함한 열경화성 수지 조성물, 및 이를 이용한 인쇄회로기판
JP2007146139A (ja) 樹脂含浸基材およびその製造方法
KR20070045095A (ko) 수지-함침 베이스 기판 및 이의 제조 방법
KR101798237B1 (ko) 전방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지, 상기 전방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지를 포함하는 고분자 필름, 상기 고분자 필름을 포함하는 연성 금속박 적층판, 및 상기 연성 금속박 적층판을 구비하는 연성 인쇄 회로기판
KR20100056344A (ko) 열경화성 조성물 및 그를 이용하는 인쇄회로기판
US20130101824A1 (en) Method for producing laminate, and laminate
JP5231174B2 (ja) 基板形成用組成物、プリプレグ、基板および熱硬化性芳香族オリゴマー
KR101539770B1 (ko) 기판 형성용 조성물 및 그를 이용하는 인쇄회로기판
KR101485185B1 (ko) 인쇄회로기판 형성용 조성물 및 그를 이용하는 인쇄회로기판
JP5721570B2 (ja) 熱硬化性樹脂製造用の組成物及びその硬化物、該硬化物を含むプリプレグ及びプリプレグ積層体、並びに該プリプレグまたはプリプレグ積層体を採用した金属箔積層板及びプリント配線板
JP2012514067A (ja) 芳香族ポリエステルアミド共重合体、高分子フィルム、プリプレグ、プリプレグ積層体、金属箔積層板及びプリント配線板
JP2014508206A (ja) 全芳香族ポリエステルアミド共重合体樹脂、該樹脂を含むフィルム、該フィルムを含む軟性金属張積層板、及び該軟性金属張積層板を具備する軟性印刷回路基板
KR101156836B1 (ko) 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판
KR101767682B1 (ko) 전방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지, 및 이를 포함하는 고분자 필름, 연성 금속박 적층판 및 인쇄 회로기판
KR20130102413A (ko) 열경화성 수지 제조용 조성물 및 그의 경화물, 상기 경화물을 포함하는 프리프레그, 및 상기 프리프레그를 채용한 금속박 적층판과 프린트 배선판
JP2015157419A (ja) フィルムの製造方法、フィルムおよびフレキシブルプリント配線板
KR101728547B1 (ko) 열경화성 수지 제조용 조성물 및 그의 경화물, 상기 경화물을 포함하는 프리프레그와 프리프레그 적층체, 및 상기 프리프레그 또는 프리프레그 적층체를 채용한 금속박 적층판과 프린트 배선판
KR20110090389A (ko) 방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지, 상기 방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지를 포함하는 고분자 필름, 상기 고분자 필름을 포함하는 연성 금속박 적층판, 및 상기 연성 금속박 적층판을 구비하는 연성 인쇄 회로기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 8