KR101128003B1 - 표면 처리된 나노충전제를 포함하는 기판용 나노복합재료의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
No. | TEOS (g) | MTES(g) | TMVS(g) | Water(g) | NaOH(g) |
1 | 6.4000 | 0.6400 | 0.7962 | 0.3619 | |
2 | 3.4483 | 2.9517 | 0.6400 | 0.8503 | 0.3865 |
3 | 5.4645 | 0.9355 | 0.6400 | 0.8820 | 0.4009 |
4 | 3.2000 | 0.6400 | 0.4911 | 0.2232 | |
No. | TEOS | PTES | TMVS | Water | NaOH |
5 | 3.2000 | 0.6400 | 0.3491 | 0.1587 | |
No. | TEOS | PTES | GPTMS | Water | NaOH |
6 | 6.4000 | 0.6400 | 0.8648 | 0.3931 | |
7 | 6.4000 | 0.3200 | 0.5539 | 0.2518 |
No | LCT (g) | TEOS (g) |
MTES (g) |
TMVS (g) |
Water (g) |
NaOH (g) |
NMP (g) |
Total (g) |
추가 NMP(g) |
1 | 16 | 6.4000 | 0.6400 | 0.7962 | 0.3619 | 20 | 44.20 | 4.0 | |
2 | 16 | 3.4483 | 2.9517 | 0.6400 | 0.8503 | 0.3865 | 20 | 44.28 | 4.0 |
3 | 16 | 5.4645 | 0.9355 | 0.6400 | 0.8820 | 0.4009 | 20 | 44.32 | 4.0 |
4 | 16 | 3.2000 | 0.6400 | 0.4911 | 0.2232 | 20 | 40.55 | 4.0 | |
No | LCT | TEOS | PTES | TMVS | Water | NaOH | NMP | Total | 추가 NMP |
5 | 16 | 3.2000 | 0.6400 | 0.3491 | 0.1587 | 20 | 40.35 | 4.0 | |
No | LCT | TEOS | PTES | GPTMS | Water | NaOH | NMP | Total | 추가 NMP |
6 | 16 | 6.4000 | 0.6400 | 0.8648 | 0.3931 | 20 | 44.30 | 4.0 | |
7 | 16 | 6.4000 | 0.3200 | 0.5539 | 0.2518 | 20 | 40.35 | 4.0 |
SPL No. | LCT (g) |
TEOS (g) |
TMVS (g) |
Water (g) |
NaOH (g) |
NMP (g) |
Total (g) |
추가 NMP(g) |
LCT neat | 16 | 0.0000 | 0.0000 | 20 | 36.00 | 4.0 | ||
LCT + 표면처리 silica (9wt%) | 16 | 1.5000 | 0.3000 | 0.2302 | 0.1046 | 20 | 38.13 | 4.0 |
LCT + 표면처리 silica (17wt%) | 16 | 3.2000 | 0.6400 | 0.4911 | 0.2232 | 20 | 40.55 | 4.0 |
LCT + 표면처리 silica (30wt%) | 16 | 5.0000 | 1.0000 | 0.7673 | 0.3488 | 20 | 43.12 | 4.0 |
α 1 (40~80℃) |
α 2 (220~240℃) |
α tot (10~280 ℃) |
|
LCT | 47 | 157 | 85 |
LCT + 표면처리 silica (9wt%) |
43 | 159 | 77 |
LCT + 표면처리 silica (17wt%) |
42 | 117 | 61 |
LCT + 표면처리 silica (30wt%) |
42 | 93 | 54 |
α 1 (40~80℃) |
α 2 (170~210℃C) |
α tot (10~250 ℃) |
|
epoxy(BPA +DDM) | 63 | 164 | 109 |
epoxy(BPA +ATMS) | 71 | 148 | 106 |
Claims (31)
- 주쇄에 하나 이상의 C4~C30의 아릴-아민기 또는 C4~C30의 아릴-아마이드기를 포함하는 가용성 구조단위를 가지며, 주쇄의 말단 중 하나 이상에 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nedimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 열경화성 그룹을 갖는 열경화성 액정 올리고머를 제조하는 단계; Ti, Al, Ge, Co, Ca, Hf, Fe, Ni, Nb, Mo, La, Re, Sc, Si, Ta, W, Y, Zr 및 V로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 알콕사이드 금속화합물로 나노충전제의 표면을 치환하는 단계; 및 상기 표면이 치환된 나노충전제와 상기 액정 올리고머를 혼합하는 단계를 포함하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 주쇄에 하나 이상의 C4~C30의 아릴-아민기 또는 C4~C30의 아릴-아마이드기를 포함하는 가용성 구조단위를 가지며, 주쇄의 말단 중 하나 이상에 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nedimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 열경화성 그룹을 갖는 열경화성 액정 올리고머를 제조하는 단계; Ti, Al, Ge, Co, Ca, Hf, Fe, Ni, Nb, Mo, La, Re, Sc, Si, Ta, W, Y, Zr 및 V로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 알콕사이드 금속화합물을 상기 액정 올리고머에 첨가하는 단계; 및 상기 알콕사이드 금속화합물로 표면이 치환될 수 있는 나노충전제를 첨가하는 단계를 포함하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 가용성 구조단위는 나노복합재료에 대하여 5몰% 초과 60몰% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법:[화학식 6]상기 식에서, R1은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며; R2는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 구조단위이며; Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 히드록시기, 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며; Z1 및 Z2 중 하나 이상은 말레이 미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질 에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며; n과 m은 각각 독립적으로 1~50의 정수이며; n/(n+m+2)는 5% 초과 60% 이하임:[화학식 2]상기 식에서, Ar은 C4~C30의 아릴기이고;[화학식 5]상기 화학식에서, Ar은 C4~C30의 아릴기임.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 열경화성 액정 올리고머는 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법:[화학식 7][화학식 8]상기 식에서, Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nedimide), 프탈이미드(phthalimide), 아세틸렌(acetylene), 프로파질에테르(propagyl ether), 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 시아네이트(cyanate) 및 이들의 치환체 또는 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며, m은 1~50의 정수이고, n은 1~50의 정수임.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 열경화성 액정 올리고머의 수평균 분자량은 500~15,000인 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면이 치환된 나노충전제의 반응기는 비닐기(Vinyl), 아크릴기(Acryl), 메타아크릴기(Meta-acryl), 메캅토기(Mercapto)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 표면이 치환된 나노 충전제는 알콕사이드 금속화합물로 이루어진 중심 클러스터(seed cluster)구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 제21항에 있어서,상기 중심 클러스터를 이루는 알콕사이드 금속화합물의 금속은 Ti, Al, Ge, Co, Ca, Hf, Fe, Ni, Nb, Mo, La, Re, Sc, Si, Ta, W, Y, Zr 및 V로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 제21항에 있어서,상기 중심 클러스터를 이루는 알콕사이드 금속화합물은 네 개의 작용기를 가진(tetra functional) 알콕사이드 금속화합물 및 세 개의 작용기를 가진(tri-functional) 알콕사이드 금속화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 제25항에 있어서,상기 세 개의 작용기를 가진 알콕사이드 금속화합물의 메톡시실란(methoxysilane)은 에톡시실란(ethoxysilane)으로 치환된 것임을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 복합재료는 표면이 치환되지 않은 나노충전제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판용 나노복합재료의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항의 제조방법으로 제조된 나노복합재료로 이루어진 필름.
- 제1항 또는 제2항의 제조방법으로 제조된 나노복합재료를 보강재 중에 함침하여 제조되는 프리프레그(prepreg).
- 제29항에 있어서 상기 보강재는 직조유리섬유(Woven glass fiber), 직조 알루미나 유리섬유, 유리섬유 부직포, 셀룰로오즈 부직포, 직조카본섬유 및 고분자직 물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 프리프레그.
- 제1항 또는 제2항의 제조방법으로 제조된 나노복합재료를 구비하는 기판.
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