KR101120205B1 - 상이한 내부 압력 및/또는 상이한 가스 조성을 갖는 두 개 이상의 공동부를 포함하는 마이크로 공학적인 하우징 그리고 이 하우징을 제조하기 위한 방법 - Google Patents

상이한 내부 압력 및/또는 상이한 가스 조성을 갖는 두 개 이상의 공동부를 포함하는 마이크로 공학적인 하우징 그리고 이 하우징을 제조하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 활성 구조물을 포함하는 컴포넌트의 형성하에 추후 분리 공정을 실행하기 위해 제공된 다중-컴포넌트, 그리고 마이크로 시스템 기술에 사용할 수 있는 상응하는 컴포넌트에 관한 것이며, 이 경우 다중-컴포넌트 또는 컴포넌트는 편평한 기판 및 마찬가지로 편평한 캡 구조물을 구비하며, 이 기판 및 캡 구조물은 서로 연결되어 전술한 컴포넌트마다 제공된 하나 이상의 제 1 공동부 및 제 2 공동부를 둘러싸고, 상기 공동부들은 상호 그리고 외부 환경에 대하여 밀봉되어 있다. 본 발명은 상기 두 개의 공동부 중에 제 1 공동부에 게터 물질이 제공되고, 제 1 공동부가 게터 물질 때문에 제 2 공동부와 다른 내부 압력 및/또는 다른 가스 조성을 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 또한 전술한 유형의 컴포넌트 또는 부품을 제조하기 위한 방법과도 관련이 있으며, 이 방법을 위해서는 다양한 가스 종류로 이루어진 가스 혼합물이 사용되고, 이 다양한 가스 종류들은 게터 물질에 대하여 상이한 흡수율을 갖는다.

Description

상이한 내부 압력 및/또는 상이한 가스 조성을 갖는 두 개 이상의 공동부를 포함하는 마이크로 공학적인 하우징 그리고 이 하우징을 제조하기 위한 방법 {MICROMECHANICAL HOUSING COMPRISING AT LEAST TWO CAVITIES HAVING DIFFERENT INTERNAL PRESSURE AND/OR DIFFERENT GAS COMPOSITIONS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF}
본 발명은 바람직하게 웨이퍼 상에 실행되는, 각각 상이한 작동 압력을 필요로 하는 마이크로 공학 시스템으로부터 조합된 하우징에 적합한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 동일 작업 단계에서 규정 가스 압력(P1)을 갖는 공동부(1) 및 가스 압력(P2)을 갖는 공동부(2)를 선택적으로 충전하는 것을 가능케 하며, 이 경우 상기 가스 압력(P1 및 P2)은 상호 독립적으로 선택될 수 있다. 상기 방법에 의해서는 상이한 마이크로 공학 시스템들이 하나의 컴포넌트로 조합될 수 있다. 그럼으로써 상기와 같은 시스템들의 집적률이 현저하게 상승할 수 있다. 또한, 본 발명은 상이한 내부 압력 및/또는 가스 조성을 갖는 두 개 이상의 공동부를 갖춘 마이크로 공학 시스템도 포함한다.
마이크로 시스템 기술로 제조된 컴포넌트(MEMS)는 오래전부터 센서 및 작동기를 소형으로 그리고 경제적으로 제조하기 위해 설치되었다. 상기 마이크로 시스템 기술(MST)은 상대적으로 최근의 기술 분과로서, 이 기술 분과는 대부분 기본 재료인 실리콘에 맞추어진 상기 마이크로 공학적인 방법을 이용하여 거시적인 기술 시스템을 마이크로 세계로 옮기기에 적합하도록 반도체 산업의 효율적인 제조 프로세스를 만들어주고, 이로 인해 기술 제품의 지속적인 소형화 및 파워 증가가 지지된다. MST를 이용해서 제조된 제품들은 마이크로 전자 공학, 산업 자동화, 통신- 및 의학 기술, 자동차 산업 또는 생명 과학 제품에서도 분과 중첩적으로 적용된다. 이 경우 점진적인 소형화 그리고 마이크로 시스템의 기술적인 집적 밀도의 연속적인 상승은 기존 제조 프로세스의 지속적인 개발 및 개선을 요구한다.
자동차 분야에서뿐만 아니라 기계 제조 분야에서도 매우 다양한 측정- 및 조절 기능들을 자동으로 그리고 적은 에너지 소비로써 실행하는, 집적 방식으로 구성된 복잡한 마이크로 시스템 컴포넌트에 대한 필요성이 존재한다. 상이한 센서 시스템들은 설계 방식에 따라 상응하는 작동 압력을 요구한다. 따라서, 공진 시스템들은 종종 높은 품질을 필요로 한다. 그렇기 때문에 각각의 센서 시스템이 존재하는 공동부 내부에서 상응하는 적은 작동 압력에 의한 주변을 둘러싸는 가스에 의해 기계적인 감쇠가 최소화되어야만 한다. 예컨대 공진 회전률 센서는 통상적으로 1 μbar 내지 수 mbar의 작동 압력으로 작동된다. 그와 달리 가속 센서는 부분적으로 강하게 댐핑되어야 하며, 그 결과 이 경우에는 작동 압력이 일반적으로 수백 mbar에 놓이게 된다. 아래의 표는 몇 가지 다양한 마이크로 시스템을 위한 통상적인 작동 압력을 각각 보여주고 있다:
센서/컴포넌트 타입 작동 압력
가속 센서 300-700 mbar
절대 압력 센서 1-10 mbar
공진 센서(예컨대 회전율 센서) 0.1 mbar
볼로미터(Bolometer) < 0.0001 mbar
RF 스위치 < 0.0001 mbar
도 2에는 마이크로 시스템 기술적으로 제조된 공진 관성 센서의 통상적인 구조가 도시되어 있다(P.Merz, W.Reinert, K. Reimer, B.Wagner, 'PSM-X2: Polysilicon surface micromachining process platform for vacuum-packaged sensors', Konferenzband Mikrosystemtechnik-Kongress 2005, 독일/프라이부르크, VDE 출판사, p.467-470). 아래에 놓인 표면 마이크로 공학적인 센서는 액티브한 센서 구조물(MEMS 활성층)을 포함한다. 희생 층이 제거되는 특수한 에칭 단계에 의해서 지지대 없는 구조물이 제조될 수 있다. 평면으로부터의 이동을 용량성으로 검출하기 위하여 1.5㎛의 간격으로 대응 전극들이 구현되었다. 따라서, 마이크로 공학적인 시스템의 이동 방향은 평면 내에서의(in-plane) 이동에만 한정되지 않고, 오히려 평면 외부에서의(out-of plane) 이동도 여기 되고 검출될 수 있다. 상부 커버-칩(Cap) 내에서 센서 구조물 위에는 60㎛ 깊이의 공동부가 형성되어 있으며, 상기 공동부 내부에는 가스 분자의 흡수 및 화학적 결합을 위한 게터 물질이 증착되어 있다. 소위 웨이퍼-레벨 패키징으로 불리는 웨이퍼-평면에서의 센서 웨이퍼와 캡 웨이퍼의 고정 결합은 본 경우에 금-실리콘 공융에 의해서 야기된다. 금-실리콘으로 이루어진 본딩 프레임이 밀폐식 캡슐화를 보증함으로써, 공융 결합 프로세스에서 설정된 압력이 유지된다. 공동부 내부에 형성된 게터 층에 의해서는, 1E-6 bar까지의 최소 공동부 내부 압력이 설정되어 컴포넌트의 전체 수명 동안 유지될 수 있다.
마이크로 시스템 공학 분야에는 최소로 개발된, 하지만 그와 동시에 가장 중요하고도 가장 도전적인 기술 분야들 중 한 분야에 속하는 마이크로 센서의 하우징이 존재한다. 특히 밀폐식 하우징을 제공하는 것은 다수의 마이크로 공학적인 컴포넌트를 위한 키(key) 기술이 된다. 밀폐식 캡슐화에 의해서는 마이크로 센서들이 유해한 주변 영향(먼지, 기계적인 또는 화학적인 손상)에 대하여 차폐되어, 상기 마이크로 센서들의 신뢰할만한 기능 및 수명이 결정적으로 연장된다. 더 나아가 공진 방식으로 작동되는 현대의 마이크로 센서들은 요구되는 기능성을 충족시키기 위하여 특수한 작동 가스 또는 하우징 공동부 내부에서 규정된 바대로 설정된 주변 압력을 필요로 한다.
소위 웨이퍼-레벨 패키징(WLP)의 경우에는 개방된 센서들의 캡슐화가 웨이퍼 평면에서 실시된다. 이 목적을 위하여 상응하는 캡 웨이퍼가 제조되며, 상기 캡 웨이퍼는 하우징의 개별적이고 기능적인 소자들을 포함한다. 상기 캡 웨이퍼에 센서 웨이퍼가 결합됨으로써, 각각의 센서 칩은 상응하는 하우징 칩에 견고하게 연결된다. 웨이퍼 평면에서 이루어지는 상기 결합 후에 비로소 웨이퍼 쌍은 개별 칩으로 분리된다. 광범위한 병렬 작업 방식에 의해, 웨이퍼 평면상에서 이루어지는 하우징은 칩 평면상에서 이루어지는 하우징에 비해 비용, 컴포넌트 집적 밀도 및 수율과 관련하여 특별한 장점들을 갖는다.
WLP 기술을 위해서는 예컨대 글래스 프릿 본딩, 양극 웨이퍼 본딩, 직접 본딩(퓨전 본딩), 공융 본딩, 열압축 본딩, 접착 본딩, 또는 접착과 같은 일련의 확정된 방법들이 사용된다(R.F. Wolffenbuttel, K.D.Wise, 'Low-temperature silicon-to-wafer bonding using gold at eutectit temperature', Sensors and Actuators A, 43, 1994, p.223-229; M.Madou, 'Fundamentals of Microfabrication', CRC Press, Boca Raton, 2002 참조).
웨이퍼 평면에서 하우징 작업을 하는 경우에는 프로세스 챔버 내에 있는 가스 그리고 공동부 내에 있는 프로세스 압력이 밀봉된다. 그럼으로써 프로세스 통일성의 범위 안에 있는 웨이퍼의 모든 컴포넌트에는 동일한 공동부 압력이 제공되며, 이 경우에는 대기압 및 하부(sub) 대기압뿐만 아니라 공동부 내부의 초과 압력도 밀봉될 수 있다. 일반적으로 전술된 WLP 기술에 의해서는 1-10 mbar의 최소 공동부 압력에 도달할 수 있다. 더 낮은 작동 압력은 일반적으로 설정될 수 없는데, 그 이유는 약 1 내지 10 mbar의 범위에 있는 나머지 부분 압력이 재료 가스 방출, 분자의 표면 탈착 그리고 오염 입자의 분해 작용에 의해서 나타나기 때문이다. 1 mbar 미만의 더 낮은 압력 범위에 도달하기 위해서는 추가의 기능 층, 소위 게터 층(M.Moraja, M.Amiotti, R.C.Kullberg, 'New getter configuration at wafer level for assuring long term stability of MEMS', Proc. of SPIE, Vol. 4980., 2003, p. 260-267; D.Sparks, S.Massoud-Ansari, N. Najafi, 'Reliable vacuum packaging using Nanogetters TM and glass frit bonding', Reliability, Testing and Characterisation of MEMS/MOEMS Ⅲ, Proc. of SPIE, Vol. 5343, 2004, p. 70-78 참조)이 형성되어야만 하며, 상기 게터 층은 의도한 바대로 가스 분자를 흡수한 다. 이와 같은 과정은 표면 흡착에 의해서, 용적 용해성에 의해서 이루어질 수 있거나 또는 화학적 결합에 의해서도 이루어질 수 있다.
지난 수십 년 동안 다수의 게터 물질들이 개발되었다. 이미 오래전부터 사용되고 있는 게터 물질에는 Ba, Al, Ti, Zr, V, Fe 등과 같은 금속 또는 합금으로 이루어진 게터가 속하고, 상기 게터는 예를 들어 음극 방사 파이프, 평면 스크린, 입자 가속기 또는 반도체 처리-장치에 사용되며, 이와 관련해서는 예컨대 US-특허 4,269,624호, 5,320,496호, 4,977,035호 또는 6,236,156호가 참조된다. 상기 재료들은 산화물- 및 수산화물 형성에 의해서 또는 단순한 표면 흡착에 의해서 다양한 가스들을 흡수 또는 흡착한다. 소위 비-기화성 게터(NEGs; Non Evaporable Getters)는 지난 세기의 90년대 중반부터 정제(tablet)의 형태로 또는 스트립의 형태로, 이 목적을 위해 형성된 홈 내부에 적용되거나 또는 칩에 이웃하여 세라믹 외피에 적용되었다. 표면 영역을 가급적 크게 만들기 위하여, NEGs는 빈번하게 분말 금속학적인 방법에 의해서 제조되며, 이 방법에서는 금속 입자의 소결이 곧바로 개시됨으로써, 금속 볼 사이에 작은 중간 공간이 남는다. 진공에서의 온도 활성화-단계에 의해서 또는 물속에 포함된 환원 분위기에 의해서는, 소결 단계 중에 금속상에 형성된 표면 산화물 층이 제거된다. 상기 활성화는 둘러싸는 전체 구조물을 연속으로 가열함으로써 또는 (옴 방식의 가열 장치를 이용한) 저항 가열에 의해서 종료된다.
본 발명의 과제는 두 개 이상의 공동부 또는 중공 챔버(도 1의 Ⅰ 및 Ⅱ)를 갖고 상기 공동부 또는 중공 챔버의 가스 챔버가 상이한 압력 및/또는 상이한 가스 조성을 갖는, 마이크로 시스템 공학용으로 제공된 컴포넌트(MEMS)(예컨대 칩)를 제공하는 것이다. 본 발명은 또한 기판 및 캡 구조물을 구비하고, 상기 기판 및 캡 구조물로부터 분리 작업(톱질 등)에 의해 전술한 컴포넌트가 제조될 수 있는 다중-컴포넌트-시스템(예컨대 웨이퍼)도 제공해야만 한다. 그리고 마지막으로 본 발명은 전술한 컴포넌트 그리고 이와 같은 컴포넌트들로부터 완성될 수 있는 다중-컴포넌트-시스템을 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제는 하나의 (MEMS-)컴포넌트의 두 개의 중공 챔버 중에 제 1 중공 챔버에 (제 1) 게터 물질이 제공됨으로써, 그리고 상기 제 1 게터 물질에 의해 흡수될 수 있는 한 가지 이상의 가스 종류를 포함하는 가스 분위기에서 기판 및 캡의 본딩이 이루어짐으로 상기 가스 종류에 대한 상기 게터 물질의 흡수 특성 때문에 게터 물질의 활성화 후에는 상기 두 개의 중공 챔버 중에 제 1 중공 챔버가 제 2 중공 챔버와 다른 내부 압력 및/또는 다른 가스 조성을 가짐으로써 해결된다. 상기 가스 분위기는 바람직하게 두 가지의 가스 종류(A 및 B)를 포함하며, 상기 가스 종류들은 (제 1) 게터 물질에 대하여 상이한 흡수 특성을 갖는다. 제 2 중공 챔버는 게터 물질을 전혀 함유하지 않거나, 또는 다른 흡수 특성을 갖는 제 2 게터 물질을 함유하거나, 또는 게터 물질의 활성화 후에 상기 제 2 중공 챔버 내에서 상기 두 가지의 가스 종류가 제 1 중공 챔버 내에서와 다른 비율을 형성할 정도의 양으로 제 1 또는 제 2 게터 물질을 함유한다.
그렇기 때문에 활성 구조물, 예를 들어 센서 시스템을 구비하고 상이한 작동 압력을 갖는 다수의 마이크로 시스템의 하우징 작업을 웨이퍼 평면상에서 동시에 실행하기 위해서는 상응하는 활성 구조물을 갖는 상응하는 웨이퍼, 예컨대 하나 또는 - 일반적으로 - 다수의 하우징 처리될 센서를 구비한 웨이퍼가 제공된다. 도 3에는 이에 대한 예로서 각각 밀폐식으로 상호 분리된 두 개의 서브 모듈을 갖는 센서 시스템의 구조가 도시되어 있다. 표면이 실질적으로 평평한 센서 웨이퍼(1) 상에는 마이크로 공학적인 센서 서브 시스템(3, 4)이 존재한다. 추가로 커버, 예를 들어 캡 웨이퍼(2)가 제공되며, 상기 캡 웨이퍼는 센서 영역 안에 공동부를 형성하기 위하여 홈 또는 리세스를 갖고, 본딩 프로세스에서 센서 웨이퍼(1)에 고정 연결된다. 본딩 프레임(7)은 센서 영역들을 둘러싸고, 상기 센서 영역들을 주변으로부터 밀폐식으로 밀봉한다. 상기 활성 구조물 및 홈의 배열 상태는 당연히 도면에 도시된 것과 다를 수도 있다. 예를 들어 활성 구조물(예컨대 센서)은 센서 웨이퍼의 홈 안에 배치될 수 있는 반면에 캡 웨이퍼는 내측에서 각각 활성 구조물의 공간 필요에 따라 편평하거나 또는 단지 약간의 홈을 갖는다. 그 대신에 필요시에는 활성 구조물이 캡 웨이퍼 내에도 제공될 수 있음으로써, 전술한 변형예들은 반사 대칭으로 구현될 수 있을 것이다.
본딩 프로세스에 의해 규정된 또는 본 발명의 목적에 적합하게 선택된 프로세스 분위기는 공동부 또는 중공 챔버 내에서 두 개의 웨이퍼를 결합할 때에 밀봉된다. 이와 같은 프로세스 분위기는 하나 이상의 가스 종류(A)로 이루어진다. 제 1 게터 물질이 제 1 중공 챔버 내에서 활성화되면, 상기 가스 종류는 게터 물질의 양에 따라 적어도 부분적으로 또는 완전히 또는 실제로 완전히 흡수되고, 상기 중공 챔버 내에서는 (부분)-진공 상태가 형성된다. 바람직하게 상기 프로세스 분위기는 제 1 게터 물질에 비해 상이한 두 가지 이상의 반응성 가스 종류(A 및 B)로 이루어진다.
"가스 종류"란 본 발명에 따르면 개별 가스 또는 가스 혼합물로 이해될 수 있다. 상기 개별 가스 또는 상기 가스 종류(예컨대 A)의 혼합 성분들은 (모두) 사용된 게터 물질에 의한 흡수 가능성과 관련하여 하나 이상의 특성을 가지며, 이와 같은 특성은 상기(또는 한 가지) 각각 다른 가스 종류(예컨대 B)의 상응하는 특성과 상이하다. 따라서, 가스 종류 A로서는 예를 들어 유사한 또는 상이한 반응성을 갖는 가스들의 혼합물이 사용되는 반면에(그러나 상기 가스들은 사용된 모든 게터 물질에 의해 모두 흡수됨), 가스 종류 B는 예를 들어 게터 물질에 의해서 흡수되지 않는 하나 또는 다수의 불활성 가스만을 함유한다.
재차 도 3을 참조하여 볼 때, 이미 언급된 바와 같이, 캡 웨이퍼 또는 활성 구조물을 갖는 웨이퍼가 홈을 가짐으로써, 두 개의 웨이퍼는 공동부의 형성하에 본딩될 수 있다. 각각 하나의 마이크로 시스템-컴포넌트를 위해서는 두 개의 이상의 상기와 같은 공동부(5, 6)가 제공된다; 그러나 당연히 필요에 따라서는 더 많을 수도 있다. 바람직하게 캡 웨이퍼 내에서 홈 영역의 내측에는 게터 물질(8)이 제공되는데, 특히 본딩 후에 두 개 이상의 공동부(5, 6) 중에서 단지 제 1 공동부 내에만 게터 물질이 존재하도록 제공된다. 제 1 공동부(5) 내에 있는 게터 물질은 제 1 가스 종류(A)(예컨대 H2, O2, CO2 또는 N2 또는 이들의 임의의 혼합물)의 분자들을 흡수할 수 있다. 제 2 가스 종류(B)(예컨대 Ar 또는 Ne와 같은 불활성 가스)의 분자들에 의해서는 일반적으로 게터 물질이 상호 작용을 갖지 않는다. 게터 물질은 선행 기술에 공지되어 있고 도입부에 설명된 바와 같이 대부분 패시브 상태에서 커버 웨이퍼 내에 제공된다. 상기 게터 물질의 활성화는 통상적으로 선행 기술에 공지된 바와 같이 그리고 이하에서 상세하게 설명되는 바와 같이 온도-시간-프로세스에 의해서 이루어진다. 상기 활성화 후에는 상기 가스 종류(A)의 분자들이 게터링(흡수)된다.
게터의 활성화에 의해 제 1 공동부(5) 내에 있는 가스 종류(A)가 흡수될 수 있음으로써, 공동부 압력은 가스 종류(B)의 나머지 분자들에 의해서 규정된다. 게터 물질이 없는 제 2 공동부 내에서는 상기 미립자 A와 B의 총합(부분 압력들)으로부터 형성되는 원래의 공동부 압력이 유지된다. 본 발명에 따르면, 원래 가스 혼합물(A+B)의 조성을 통해서 그리고 제 2 공동부 내에 있는 게터 물질의 양 및/또는 종류와 상이해야만 하는(그곳에 게터 물질이 존재하는 한) 적어도 상기 제 1 공동부 내부에 있는 게터 물질의 양 및 종류를 통해서 다양한 서브 시스템들의 최종 압력이 설정될 수 있다. 상기 가스 종류 B의 부분 압력이 0일 수 있다는 사실은 자명하다. 이 경우 가스 혼합물은 단 한 가지 가스 종류(A)만을 함유한다.
본 발명의 제 1 실시예에서 게터 물질은 상기 가스 종류(A)의 미립자가 게터 활성화 후에 완전히 또는 실제로 완전히 흡수될 정도의 양으로 제 1 공동부의 커버 영역 안에 제공된다. 그렇기 때문에 제 1 공동부(5) 내에는 (적어도 실질적으로) 단지 가스 종류 B의 미립자만 (또는 B의 부분 압력이 0이거나 또는 거의 0인 경우에는, 상기 절대값에 다소 강하게 근접한 진공이) 존재하는 반면에, 상기 가스 종류 A 및 경우에 따라서는 B의 모든 가스 분자들은 제 2 공동부(6)의 가스 챔버 안에 남겨진다.
본 발명의 대안적인 한 실시예에서 게터 물질은 상기 가스 종류 A의 완전한 흡수를 위해서가 아니라 오히려 단지 x 몰-%의 함량만을 흡수할 수 있는 양만큼만 제 1 공동부(5) 내부에 제공된다. 활성화 후에는 선택되고 감소된 게터 물질의 양 그리고 그로 인해 결과적으로 나타나는 불완전한 가스 흡수 현상 때문에 제 1 공동부가 (100-x) 몰-% A + 전체 B의 양으로 구성된 가스 함량을 갖는 반면에 제 2 공동부 내부의 가스 혼합물이 변동 없이 유지됨으로써, 공동부들의 가스 분위기는 서로 상이해진다. 이와 같은 방식으로 임의의 압력-혼합 영역들이 설정될 수 있다.
본 발명의 추가의 한 실시예에서는 MEMS-컴포넌트(예컨대 칩)가 두 개 또는 다수의 공동부(5, 6)를 가지며, 이 경우 게터 물질은 두 개의 공동부 모두에 존재하거나 또는 컴포넌트마다 다수의 공동부가 존재하는 경우에는 각각의 컴포넌트에 제공된 공동부들 중에서 두 개 이상의 공동부에 존재한다. 이와 같은 경우들에서는 게터 물질의 면적 및/또는 상기 게터 물질의 가스 흡수 특성이 두 개의 공동부 내에서 서로 상이함으로써, 게터 물질의 활성화 후에 두 개의 공동부 또는 두 개 이상의 공동부 내에서는 상이한 최종 압력이 주도하게 되고 그리고/또는 상이한 가스 조성이 존재하게 된다.
게터 물질은 임의의 형태로, 예를 들어 스트립 또는 평면으로서 공동부 내에 배치될 수 있지만, 구조화된 형상을 가질 수도 있다. 상기 게터 물질은 유리한 방식으로 웨이퍼의 캡 측에, 예를 들어 (웨이퍼에 홈이 존재하는 한) 홈 안에 제공된다. 그러나 대안적으로 게터 물질은 기판 측에 존재할 수도 있는데, 예를 들면 상응하는 면이 다른 곳에서 필요치 않다면 활성 구조물 측면에 또는 심지어 활성 구조물 아래에도 존재할 수 있다.
제조될 컴포넌트가 두 개를 초과하는 공동부를 가져야 하는 경우에는, 가스 혼합물이 재차 두 가지 가스 종류(A 및 B)로 이루어질 수 있으며, 이 경우 예를 들어 제 1 공동부 내에는 활성화 후에 가스 종류 A를 전체적으로 또는 부분적으로 흡수할 수 있는 양만큼의 게터 물질이 배치되어 있는 반면에, 제 2 공동부 내에는 가스 종류 A를 혼합물(A+B)로부터 상기 제 1 게터 물질과 다른 백분율로 흡수하는 게터 물질(A)이 배치되어 있으며, 제 3 공동부는 게터 물질을 전혀 포함하지 않는다. 그러나 대안적으로 상기 가스 혼합물은 또한 세 가지의 가스 종류 또는 심지어 그 이상의 가스 종류들(A, B, C...)로 이루어질 수도 있다. 그 경우 제 1 공동부 내에는 가스 혼합물에 대하여 제 1의 흡수 특성을 갖는 게터 물질을 배치하고, 제 2 공동부 내에는 가스 혼합물에 대하여 제 2의 흡수 특성을 갖는 게터 물질을 배치하는 것이 바람직하다. 한 가지 가스 혼합물은 예를 들어 가스 종류 CO2, N2 및 Ar로 이루어질 수 있다. 제 1의 흡수 특성을 갖는 게터 물질은 이산화탄소는 결합시키지만, 질소는 전혀 결합시키지 않거나 또는 단지 소량만 결합시키다. 제 2 흡수 특성을 갖는 게터 물질은 질소 및 이산화탄소를 결합시킨다. 제 3 공동부는 게터 물질이 없는 상태로 유지될 수 있다.
MEMS-컴포넌트의 제조는 이미 언급된 바와 같이 바람직하게 다중 컴포넌트 상에서, 예를 들어 웨이퍼 평면상에서 이루어지며, 그 다음에 웨이퍼 또는 그 밖의 다중 컴포넌트는 개별 컴포넌트들(예컨대 칩)로 분리된다. 대안적으로 상기 컴포넌트들은 당연히 활성 구조물(들)을 갖는 적합한 단일 기판(예컨대 베이스 기판으로서의 기능을 함) 그리고 두 개 이상의 공동부(5, 6)를 커버하는 동시에 상기 공동부를 상호 밀폐식으로 분리하는 커버부(예컨대 캡 칩)로부터 형성될 수도 있다.
본 발명에 따른 방법은 도 4A)-도 4C)를 인용해서, 다수의 센서를 갖춘 웨이퍼를 제조하는 방법 및 추후에 MEMS-컴포넌트들을 분리하는 방법을 참조하여 아래에서 예로 설명된다. 그러나 하나의 센서 대신에 마이크로 시스템 기술에서 필요한 임의의 각각의 활성 구조물이 존재할 수도 있는데, 예를 들면 작동기, 공진기, 디스플레이, 디지털 마이크로 미러, 볼로미터, RF 스위치 등이 존재할 수 있다. 예를 들어 회전율 센서(공진 센서, 자이로스코프), 가속 센서, 절대 압력 센서 등과 같은 각각의 임의의 센서도 마찬가지로 센서로서 제공될 수 있다. 그밖에, 다중-컴포넌트의 제조 방법 및 상기 컴포넌트의 추후 분리 방법 대신에 상기 컴포넌트가 단일-컴포넌트로서 직접 형성될 수도 있다. 마지막으로, (실리콘-)웨이퍼 대신에 MEMS-컴포넌트의 제조에 적합한 임의의 다른 기판- 및 캡 재료 또는 구조물도 사용될 수 있다.
상기 예로 든 방법은 아래와 같은 단계들을 포함한다:
1) 선택된 영역들이 게터 물질로 코팅된 캡 웨이퍼를 제공하고, 상기 캡 웨이퍼를 하나의 센서 웨이퍼로 정렬한다. 상기 캡 웨이퍼를 고정 메커니즘에 의해서 특정 간격을 두고 고정한다.
2) 정렬 전에 또는 정렬 후에 웨이퍼 쌍을 하나의 프로세스 챔버 안에 삽입한다(도 4A).
3) 상기 프로세스 챔버를 부분 압력(P1, P2, ...)으로 존재하는 가스 종류(A 및 B)(그리고 경우에 따라서는 C 또는 그 밖의 종류)로 이루어진 임의의 혼합물로 조성된 프로세스 가스로 채운다. 가스 종류 (A)는 상응하는 게터 활성화의 경우에 게터에 의해서 흡수될 수 있다. 가스 종류 (B)는 예를 들어 게터링 되지 않는다.
4) 캡 웨이퍼를 아래로 내리고, 압력으로 센서 웨이퍼를 향해 프레스 한다(도 4-B).
5) 본딩 과정을 실행한다. 공융 본딩의 경우에는 예를 들어 캡 웨이퍼 상에 금 프레임이 존재하며, 상기 금 프레임은 마주 놓인 웨이퍼의 실리콘과 함께 표면 콘택을 형성한다. 공융점 이상으로 온도를 높임으로써 81 원자-%의 금 및 19 원자-%의 Si로 이루어진 액체 공융 상을 형성한다. 냉각 시에 상기 액체 상을 응고시킨다. 센서 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 서로 고정 연결하며, 이 경우 형성되는 본딩 프레임은 기밀 상태다. 두 개의 공동부 내부에서 동일한 가스 혼합물을 밀봉시킨다.
6) 일반적으로 제조자의 추천에 따라 선행 기술에 따른 온도 처리에 의해서 이루어지는 상응하는 게터 활성화(도 4-C)에 의해 게터 물질을 가스 종류 (A)의 분자들이 결합되는 상태로 만든다. 상황에 따라서는 이와 같은 과정이 본딩 프로세스 중에도 이루어질 수 있다. 그럼으로써, 게터 물질이 제공된 공동부로부터 게터의 활성화에 의해 가스 종류 (A)가 공융된다. 가스 종류 (B)의 가스 분자만이 남겨진다. 원래의 공동부 압력(P1+P2)은 나머지 압력(P2)으로 줄어든다. 게터 물질이 제공되지 않은 공동부 내부에는 원래의 공동부 압력(P1+P2)이 유지된다.
7) 프로세싱을 실행한 후에 다중-컴포넌트의 경우에는 웨이퍼를 개별 센서 시스템(칩)으로 분할, 예를 들어 톱질하며, 상기 센서 시스템상에는 다양한 서브 시스템들이 포함되어 있다.
본 발명은 다양한 가스 혼합물의 실시예를 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다.
실시예 A): 본딩 챔버를 압력(P1)을 갖는 종류 A의 순수한 가스(예컨대 질소)로 채운다.
게터가 있는 챔버: 게터가 없는 챔버
게터 활성화 전 부분 압력(P1)을 갖는 질소
P=P1		 부분 압력(P1)을 갖는 질소
P=P1
게터 활성화 후 게터에 의해 질소가 결합됨
이론적인 공동부 압력 P=0 P=P1
실제로 도달 가능한
공동부 압력		 P=1E-6 bar
(오염에 의해 잔류 압력이
야기됨 )		 P=P1 +/- 1E-3 mbar
실시예 B): 부분 압력(P1)을 갖는 종류 A(예컨대 질소)의 가스량 그리고 부분 압력(P2)을 갖는 종류 B(예컨대 아르곤)의 가스량으로 이루어진 혼합 가스로 본딩 챔버를 채운다:
게터가 있는 챔버: 게터가 없는 챔버
게터 활성화 전 부분 압력(P1)을 갖는 질소
부분 압력(P2)을 갖는 아르곤

P=P1+P2		 부분 압력(P1)을 갖는 질소
부분 압력(P2)을 갖는 아르곤

P=P1+P2
게터 활성화 후 게터에 의해 질소가 결합됨
아르곤이 남는다		 부분 압력(P1)을 갖는 질소
부분 압력(P2)을 갖는 아르곤
이론적인 공동부 압력 P=P2 P=P1+P2
실제로 도달 가능한
공동부 압력		 P=P2 +/- 1E-6 bar P=P1+P2 +/- 1E-6 mbar
4 mbar의 N2 및 0.2 mbar의 Ar로 이루어진 프로세스 가스가 실시예로서 출발된다. 게터가 있는 챔버 내에서는 게터의 활성화 후에 0.2 mbar의 전체 압력이 주도하고, 게터가 없는 챔버 내에서는 4.2 mbar의 전체 압력이 주도한다.
두 가지 경우 모두 오염, 표면 탈착 및 재료 가스 방출에 의해서 삽입되는 가스가 고려될 수 있다. 상기 가스는 흡착 특성을 기준으로 가스 종류들 중에서 하나의 가스 종류에 할당될 수 있고, 이 경우에는 상기 가스의 양을 고려해야만 한다.
본 발명에 따른 방법은 다음과 같은 일련의 장점들을 갖는다:
1) 가스 종류 A 및 B(추가로 경우에 따라서는 C, ...)로부터 임의의 조성으로 가스 합성물을 혼합할 수 있는 가능성에 의해 넓은 한계 안에서 임의의 규정된 작동 압력이 설정될 수 있다. 그럼으로써 제 1 및 제 2 공동부, 경우에 따라서는 심지어 제 3 또는 추가의 공동부가 간단한 방식으로 웨이퍼 내부에서 또는 MEMS-컴포넌트 내부에서 상이한 압력 및/또는 상이한 가스 조성을 가질 수 있다. 몇 가지 종류의 컴포넌트를 위해서는 다양한 공동부 내부에서 상이한 압력이 반드시 필요한 이유는 이미 도입부에서 설명했다. 예를 들어 특정 가스에 의해 의도치 않은 화학적 작용을 받는 재료로 하나의 공동부가 피복된 한편, 하나 또는 제 2의 추가 공동부가 - 예를 들어 차단 필터로서 광학적으로 작용하는 가스를 갖는 시스템(측정 센서 및 기준) 내부에서 이루어지는 - 그 내부에 존재하는 활성 구조물의 작용을 성취하기 위해서 다름 아닌 바로 이 가스를 필요로 하는 경우에는, 제 1 및 제 2 공동부 내부에서 상이한 가스 조성을 형성할 수 있는 능력도 마찬가지로 바람직할 수 있다.
웨이퍼 상에서 상이한 작동 압력을 갖는 두 가지 이상의 센서를 통합적으로 하우징 처리함으로써, 다음과 같은 장점들에 도달할 수 있다:
● 더욱 높은 집적률에 도달할 수 있다. 상이한 센서 서브 시스템들의 개별적인 프로세싱에서는 톱질 경로와 같은 주변 표면, 추가의 본딩 패드, 안전 간격 등이 고려되어야 한다. 이와 같은 고려 요소들은 조합된 디자인에서는 생략된다. 그럼으로써 효과적으로 이용 가능한 면의 비율이 현저하게 확대될 수 있다.
● 상이한 서브 모듈의 정렬은 리소그래피 방법에 의해 이미 웨이퍼 평면에서 고도로 정밀하게 이루어졌다. 상기 서브 모듈의 추후 정렬은 생략된다. 단지 전체 시스템만 정렬된 상태로 장착되어야 한다.

Claims (37)

  1. 활성 구조물을 포함하는 컴포넌트의 형성하에 추후 분리 공정을 실행하기 위해 제공된 다중-컴포넌트로서,
    상기 다중-컴포넌트가 편평한 기판 및 마찬가지로 편평한 캡 구조물을 구비하며,
    상기 기판 및 캡 구조물이 서로 연결됨으로써 상기 컴포넌트마다 제공된 적어도 하나의 제 1 공동부(5) 및 제 2 공동부(6)를 둘러싸고, 상기 공동부들은 상호 그리고 외부 환경에 대하여 밀봉되었으며,
    적어도 상기 제 1 공동부(5) 내에는 회전율 센서, 가속 센서, 작동기, 공진기, 디스플레이, 디지털 마이크로 미러, 볼로미터 및 RF-스위치 중 어느 하나 이상이 배치된, 다중-컴포넌트에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에 제 1 공동부(5)에는 게터 물질(8)이 제공되며, 상기 제 1 공동부는 게터 물질 때문에 제 2 공동부(6)와 다른 내부 압력 및 다른 가스 조성 중 하나 이상을 갖는 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 편평한 기판 및 편평한 캡 구조물 중 하나 이상은 실리콘-웨이퍼인 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 편평한 기판의 상부 표면은 평평하고, 상기 편평한 캡 구조물은 내측 리세스 또는 홈을 갖는 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에서 제 2 공동부는 게터 물질을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에서 제 2 공동부는 제 2 게터 물질을 함유하고, 상기 게터 물질의 가스 흡수 특성은 제 1 공동부 내부에 있는 게터 물질의 가스 흡수 특성과 상이한 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에서 제 2 공동부는 제 1 공동부와 동일한 게터 물질을 함유하지만, 상기 제 1 공동부의 용적을 기준으로 할 때 더 적은 양 또는 면적으로 함유하는 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게터 물질은 부분적으로 또는 전체적으로 구조화된 상태로 존재하는 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 편평한 기판 및 마찬가지로 편평한 캡 구조물은 밀폐식으로 폐쇄되는 본딩 프레임에 의해서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는
    다중-컴포넌트.
  9. 활성 구조물을 포함하는 컴포넌트의 형성하에 추후 분리 공정을 실행하기 위해 제공된 다중-컴포넌트에 사용하기 위한 편평한 기판 또는 편평한 캡 구조물로서,
    상기 기판 구조물 또는 캡 구조물이 제 1 리세스 또는 홈 그리고 제 2 리세스 또는 홈을 가지며,
    상기 다중-컴포넌트의 형성하에 상기 기판 또는 캡 구조물이 대응 부재와 결합할 때에 상호 밀봉된 공동부가 형성되도록 상기 기판 구조물 또는 캡 구조물이 각각 형성되며,
    적어도 상기 제 1 영역, 리세스 또는 홈 내부에는 회전율 센서, 가속 센서, 작동기, 공진기, 디스플레이, 디지털 마이크로 미러, 볼로미터 및 RF-스위치 중 어느 하나 이상이 배치된, 기판 구조물 또는 캡 구조물에 있어서,
    상기 제 1 영역, 리세스 또는 홈 내부에는 제 1 게터 물질이 존재하지만 제 2 영역 또는 리세스 내부에는 제 1 게터 물질이 존재하지 않거나, 또는
    상기 제 2 영역 또는 리세스 내부에는 제 2 게터 물질이 존재하며, 상기 제 2 게터 물질의 가스 흡착 특성은 상기 제 1 게터 물질의 가스 흡착 특성과 상이한 것을 특징으로 하는
    기판 구조물 또는 캡 구조물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 영역, 홈 또는 리세스 뿐만 아니라 상기 제 2 영역, 홈 또는 리세스도 금으로 이루어진 본딩 프레임에 의해서 완전히 둘러싸인
    기판 구조물 또는 캡 구조물.
  11. 상호 그리고 외부 환경에 대하여 밀봉된 적어도 하나의 제 1 공동부 및 제 2 공동부를 둘러싸도록 서로 연결된 단일 기판 및 캡 구조물을 갖는, 마이크로 시스템 기술에 사용할 수 있는 컴포넌트로서,
    적어도 상기 제 1 공동부(5) 내부에는 회전율 센서, 가속 센서, 작동기, 공진기, 디스플레이, 디지털 마이크로 미러, 볼로미터 및 RF-스위치 중 어느 하나 이상이 배치된, 컴포넌트에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에 제 1 공동부에는 게터 물질이 제공되며, 상기 제 1 공동부는 게터 물질 때문에 제 2 공동부와 다른 내부 압력 및 다른 가스 조성 중 하나 이상을 갖는 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 및 캡 구조물 중 하나 이상은 실리콘으로 제조되는 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판의 상부 외부면은 평평하고, 상기 캡 구조물은 내측에 리세스 또는 홈을 갖는 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에 제 2 공동부는 게터 물질을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  15. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에서 제 2 공동부는 제 2 게터 물질을 함유하고, 상기 게터 물질의 가스 흡수 특성은 제 1 공동부 내부에 있는 게터 물질의 가스 흡수 특성과 상이한 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  16. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 공동부 중에서 제 2 공동부는 제 1 공동부와 동일한 게터 물질을 함유하지만, 상기 제 1 공동부의 용적을 기준으로 할 때 더 적은 양 또는 면적으로 함유하는 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  17. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게터 물질은 적어도 여러 부분 영역에서 구조화된 상태로 존재하는 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  18. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 및 캡 구조물은 밀폐식으로 폐쇄되는 본딩 프레임에 의해서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는
    컴포넌트.
  19. 마이크로 시스템 기술에 사용할 수 있는 컴포넌트에 사용하기 위한 단일 기판 또는 캡 구조물로서,
    상기 단일 기판 또는 캡 구조물이 제 1 리세스 또는 홈 그리고 제 2 리세스 또는 홈을 갖는, 단일 기판 또는 캡 구조물에 있어서,
    상기 제 2 리세스 내부에는 제 2 게터 물질이 존재하며, 상기 제 2 게터 물질의 가스 흡착 특성은 제 1 게터 물질의 가스 흡착 특성과 상이한 것을 특징으로 하는
    단일 기판 또는 캡 구조물.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 홈 또는 리세스 뿐만 아니라 상기 제 2 홈 또는 리세스도 금으로 이루어진 본딩 프레임에 의해서 완전히 둘러싸인
    단일 기판 또는 캡 구조물.
  21. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 다중-컴포넌트 또는 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 컴포넌트를 제조하기 위한 방법으로서,
    (a) 제 1 공동부 영역에서 제 1 게터 물질로 코팅된 편평한 기판/단일 기판 또는 경우에 따라 상기 편평한 캡 구조물을 제공하는 단계,
    (b) 상기 편평한 기판/단일 기판 또는 캡 구조물을 상응하는 하나의 캡-대응부 또는 기판-대응부로 정렬시키는 단계,
    (c) 편평한 기판/단일 기판 및 경우에 따라 편평한 캡 구조물로 이루어진 쌍을 프로세스 챔버 내부에 삽입하는 단계,
    (d) 제 1 게터 물질에 의해 흡수될 수 있는 한 가지 가스 종류(A) 및 상기 제 1 게터 물질에 의해 전혀 흡수될 수 없거나 또는 실질적으로 더 적은 양만 흡수될 수 있는 다른 한 가지 가스 종류(B) 중에서 한 가지 가스 종류를 포함하거나 또는 상기 두 가지 가스 종류로 이루어진 프로세스 가스로 상기 프로세스 챔버를 채우는 단계로서, 이 경우에는 부분 압력(PA)을 갖는 가스 종류 A 및 부분 압력(PB)을 갖는 가스 종류 B가 존재하고, 상기 부분 압력(PB)은 경우에 따라 0일 수 있으며,
    (e) 캡 구조물과 기판을 콘택팅 하고, 상기 두 개의 부분들을 결합시키는 단계, 그리고
    (f) 상기 가스 종류 A의 분자들을 흡수하도록 상기 제 1 게터 물질을 활성화하는 단계를 포함하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 단계 (a)에서는 편평한 기판 및 마찬가지로 편평한 캡 구조물을 다중-컴포넌트를 형성하기 위하여 사용하고, 상기 단계 (e)가 종료된 후에는 편평한 기판/캡 구조물로 이루어진 쌍을 전술한 다수의 컴포넌트로 분리시키는 과정을 실시하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 두 개 웨이퍼의 결합을 밀폐식 본딩에 의해서 실시하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 두 개 웨이퍼의 결합을 게터 물질의 활성화와 동일한 단계에서 실시하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  25. 제 21 항에 있어서,
    편평한 기판 및 편평한 캡 구조물로 이루어진 쌍의 결합을 공융 본딩에 의해서 실시하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    콘택팅 전에 상기 편평한 캡 구조물 또는 상기 편평한 기판에 추후 본딩을 목적으로 금 프레임을 제공하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 단계 (d)에 사용된 가스 종류 B의 부분 압력(PB)은 0인
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 단계 (d)에 사용된 가스 종류 A 및 B의 부분 압력의 비율은 1:99 내지 99:1인
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 가스 종류 A를 H2, O2, CO2, 메탄 및 N2 또는 이들의 임의의 혼합물 중에서 선택하고/선택하거나 상기 가스 종류 B를 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논 또는 이들의 임의의 혼합물 중에서 선택하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  30. 제 27 항에 있어서,
    상기 컴포넌트의 제 2 공동부는 게터 물질을 갖지 않는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 제 2 공동부는 상기 적어도 한 가지 가스 종류(A 또는 B)에 대하여 상기 제 1 게터 물질이 갖는 흡수 특성과 다른 흡수 특성을 갖는 제 2 게터 물질을 함유하는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 제 2 공동부는 제 1 공동부와 동일한 게터 물질을 갖지만, 상기 게터 물질은 상기 제 2 공동부 내부에서의 게터 물질의 활성화 후에는 제 1 공동부 내부에서와 다른 PA 대 PB의 부분 압력 비율이 설정될 수 있을 정도의 양 또는 면적으로 제공되는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  33. 제 21 항에 있어서,
    세 개 이상의 공동부를 갖는 컴포넌트를 제조하기에 적합하며, 제 3 공동부는 게터 물질을 갖지 않는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  34. 제 21 항에 있어서,
    세 개 이상의 공동부를 갖는 컴포넌트를 제조하기에 적합하며, 제 3 공동부는 제 2 게터 물질 또는 제 3 게터 물질을 갖고, 상기 제 3 게터 물질은 상기 적어도 한 가지 가스 종류(A 또는 B)에 대하여 상기 제 1 게터 물질 및 제 2 게터 물질이 갖는 흡수 특성과 다른 흡수 특성을 갖는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  35. 제 34 항에 있어서,
    프로세스 가스는 제 2 게터 물질 또는 제 3 게터 물질에 의해서 전혀 흡수될 수 없거나 또는 실질적으로 더 적은 양만큼 흡수될 수 있는 추가의 가스 종류 C를 더 가지며, 이 경우에는 부분 압력 PA를 갖는 가스 종류 A, 부분 압력 PB를 갖는 가스 종류 B 그리고 부분 압력 PC를 갖는 가스 종류 C가 제공되는
    다중-컴포넌트 또는 컴포넌트의 제조 방법.
  36. 삭제
  37. 삭제
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