CN106249372A - 一种晶圆级集成光学窗口及其制作方法 - Google Patents
一种晶圆级集成光学窗口及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106249372A CN106249372A CN201610826133.3A CN201610826133A CN106249372A CN 106249372 A CN106249372 A CN 106249372A CN 201610826133 A CN201610826133 A CN 201610826133A CN 106249372 A CN106249372 A CN 106249372A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- window
- optical window
- scale integrated
- integrated optics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明揭示了一种晶圆级集成光学窗口,包括:晶圆本体;光学窗口,所述光学窗口与需要封装的另一晶圆上探测器芯片的数量、位置对应,在所述晶圆本体的第一表面上凹陷形成;所述光学窗口包括与所述第一表面平行的底面,以及设置于所述第一表面与所述底面之间的过渡面;吸气剂层,设置于所述过渡面上,并由所述过渡面上延伸至所述底面上,沿所述底面边缘设置。本发明还揭示了一种晶圆级集成光学窗口的制作方法。本发明通过在晶圆本体上与需要封装的另一晶圆的探测器芯片对应设置若干光学窗口,可以实现晶圆级封装,封装完成后再进行切割,具有生产效率高、生产成本低的优点。
Description
技术领域
本发明涉及红外探测器制作技术领域,具体涉及一种晶圆级集成光学窗口及其制作方法。
背景技术
目前,红外技术在军事、工业、农业、环境、食品安全等领域都有广泛的应用,主要应用在光通信、传感、热成像等方面;随着大数据时代和“智慧时代”的到来,对红外探测器的需求会越来越大,其生产成本和生产效率显得非常重要。
通常,红外探测器主要工作原理为:信号光通过光学窗口进入器件(红外探测器),被器件内的探测器芯片接收,将红外信号转化为电信号,再进行数据处理。因此,光学窗口的封装是红外探测器生产过程中最重要的一步,直接关系到整个器件的成本、使用寿命和工作可靠性。
目前,红外探测器的光学窗口主要为器件型,适合芯片级封装,即单个光学窗口与单个探测器封装;而单个晶圆上有多个探测器芯片,需要先对晶圆进行切割获得单个芯片,再与光学窗口进行封装,这种封装形式效率低下且成本高昂。
另外,为了增加器件工作寿命,在器件中还需要添加吸气剂,现有光学窗口上并未集成含有吸气剂的结构,需要后续在器件中额外添加吸气剂,增加了工艺的复杂性和器件的体积。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆级集成光学窗口及其制作方法。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种晶圆级集成光学窗口,包括:
晶圆本体;
光学窗口,所述光学窗口与需要封装的另一晶圆上探测器芯片的数量、位置对应,在所述晶圆本体的第一表面上凹陷形成;
所述光学窗口包括与所述第一表面平行的底面,以及设置于所述第一表面与所述底面之间的过渡面;
吸气剂层,设置于所述过渡面上,并由所述过渡面上延伸至所述底面上,沿所述底面边缘设置。
作为本发明进一步改进的技术方案,还包括:
增透膜层,以提高信号光的透过率;
所述增透膜层设置于所述晶圆本体上与所述第一表面平行相对的第二表面上;
所述增透膜层还设置于所述光学窗口的底面上。
作为本发明进一步改进的技术方案,还包括:
焊料层,设置于所述晶圆本体的第一表面上。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述过渡面为一斜面。
为实现上述另一发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种晶圆级集成光学窗口的制作方法,包括以下步骤:
在晶圆本体上制作光学窗口;
所述光学窗口与需要封装的另一晶圆上探测器芯片的数量、位置对应,在所述晶圆本体的第一表面上凹陷形成;
所述光学窗口包括与所述第一表面平行的底面,以及设置于所述第一表面与所述底面之间的过渡面;
在所述光学窗口上制作吸气剂层,所述吸气剂层设置于所述过渡面上,并由所述过渡面上延伸至所述底面上,沿所述底面边缘设置。
作为本发明进一步改进的技术方案,还包括制作增透膜层,以提高信号光的透过率;
所述增透膜层设置于所述晶圆本体上与所述第一表面平行相对的第二表面上;
所述增透膜层还设置于所述光学窗口的底面上。
作为本发明进一步改进的技术方案,还包括:
制作焊料层,所述焊料层设置于所述晶圆本体的第一表面上。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述过渡面为一斜面。
作为本发明进一步改进的技术方案,通过干法蚀刻或湿法蚀刻在所述晶圆本体上制作所述光学窗口。
相对于现有技术,本发明的技术效果在于:
本发明通过在晶圆本体上与需要封装的另一晶圆的探测器芯片对应设置若干光学窗口,可以实现晶圆级封装,封装完成后再进行切割,具有生产效率高、生产成本低的优点。
附图说明
图1是本发明实施方式中一种晶圆级集成光学窗口的主视结构示意图;
图2是图1中A-A向的剖视结构示意图;
图3是图2中A处的局部放大结构示意图;
图4是本发明实施方式中一种晶圆级集成光学窗口的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
本实施方式中相同或相似结构采用了相同标号。
以下提供本发明的一种实施方式:
请参见图1至3,一种晶圆级集成光学窗口100,包括:
晶圆本体1;
光学窗口2,所述光学窗口2与需要封装的另一晶圆(未图示)上探测器芯片的数量、位置对应,在所述晶圆本体1的第一表面11上凹陷形成;
所述光学窗口2包括与所述第一表面11平行的底面21,以及设置于所述第一表面11与所述底面21之间的过渡面22;
吸气剂层3,设置于所述过渡面22上,并由所述过渡面22上延伸至所述底面21上,沿所述底面21边缘设置。
需要说明的是,晶圆本体1为扁平结构,第一表面11为晶圆本体1的一侧端面。
晶圆本体1与设有探测器芯片的另一晶圆为两块相互独立的晶圆,在晶圆本体1上与需要封装的另一晶圆的探测器芯片对应设置若干光学窗口2,并在封装时将光学窗口2与探测器芯片对齐,可以实现晶圆级封装,封装完成后再进行切割,具有生产效率高、生产成本低的优点。
光学窗口2上设有吸气剂层3,无需后续在器件中额外添加吸气剂,降低了工艺的复杂性和器件的体积。
具体的,在本实施方式中吸气剂层3的成份为Ti、Zr、V、Fe等材料。
进一步的,一种晶圆级集成光学窗口100还包括:
增透膜层5,以提高信号光的透过率;
所述增透膜层5设置于所述晶圆本体1上与所述第一表面11平行相对的第二表面12上;
所述增透膜层5还设置于所述光学窗口2的底面21上。
具体的,在本实施方式中增透膜层5在光学窗口2的底面21上设置于不设有吸气剂层3的区域(底面21中部区域)。
一种晶圆级集成光学窗口100,还包括:
焊料层6,设置于所述晶圆本体1的第一表面11上。
具体的,在本实施方式中焊料层6设置在第一表面11上不设有光学窗口2的区域,利用真空镀膜或电镀方法镀制金属化焊料层6,焊料层6的成份为Ti、Pt、Cr、Ni、Au、Ag、In、Sn、Cu、W等材料的一种或多种组合。
再者,在本实施方式中所述过渡面22为一斜面。
请参见图4,一种晶圆级集成光学窗口的制作方法,包括以下步骤:
S1.在晶圆本体上制作光学窗口;
所述光学窗口与需要封装的另一晶圆上探测器芯片的数量、位置对应,在所述晶圆本体的第一表面上凹陷形成;
所述光学窗口包括与所述第一表面平行的底面,以及设置于所述第一表面与所述底面之间的过渡面;
S4.在所述光学窗口上制作吸气剂层,所述吸气剂层设置于所述过渡面上,并由所述过渡面上延伸至所述底面上,沿所述底面边缘设置。
进一步的,一种晶圆级集成光学窗口的制作方法,还包括:
S2.制作增透膜层,以提高信号光的透过率;
所述增透膜层设置于所述晶圆本体上与所述第一表面平行相对的第二表面上;
所述增透膜层还设置于所述光学窗口的底面上。
一种晶圆级集成光学窗口的制作方法,还包括:
S3.制作焊料层,所述焊料层设置于所述晶圆本体的第一表面上。
在本实施方式中,所述过渡面为一斜面,并且通过干法蚀刻或湿法蚀刻在所述晶圆本体上制作所述光学窗口。
需要说明的是,以上制作增透膜层、焊料层、吸气剂层的步骤也可以为其它顺序。
以下结合一实施例对本发明的制作方法具体说明。
1.在晶圆本体上,采用光刻、蚀刻工艺形成一定深度的凹陷部(光学窗口),可以为干法蚀刻或湿法蚀刻。
具体的,在晶圆本体要蚀刻的面上(第一表面上)通过蒸镀或溅射工艺制作保护层,保护层可以为SiN、SiO2或SiO等;
在保护层上旋涂光刻胶、曝光、显影,露出需要蚀刻的区域;
蚀刻掉未被光刻胶保护的保护层,露出晶圆本体的基底;
去掉光刻胶;
通过湿法蚀刻或干法蚀刻出一定深度的凹陷部;
去掉晶圆本体表面的保护层,光学窗口制作完毕。
2.在光学窗口中,和晶圆本体的第二表面分别镀制增透膜层以提高信号光的透过率;
3.在晶圆本体第一表面未蚀刻位置利用真空镀膜或电镀方法镀制金属化焊料层,其成份为Ti、Pt、Cr、Ni、Au、Ag、In、Sn、Cu、W等材料的一种或多种组合;
4.在光学窗口的过渡面和底面的边缘部分位置形成薄膜型吸气剂层,吸气剂层的成份为Ti、Zr、V、Fe等。
本发明通过在晶圆本体上与需要封装的另一晶圆的探测器芯片对应设置若干光学窗口,可以实现晶圆级封装,封装完成后再进行切割,具有生产效率高、生产成本低的优点。
最后应说明的是:以上实施方式仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施方式对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施方式所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施方式技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种晶圆级集成光学窗口,其特征在于,包括:
晶圆本体;
光学窗口,所述光学窗口与需要封装的另一晶圆上探测器芯片的数量、位置对应,在所述晶圆本体的第一表面上凹陷形成;
所述光学窗口包括与所述第一表面平行的底面,以及设置于所述第一表面与所述底面之间的过渡面;
吸气剂层,设置于所述过渡面上,并由所述过渡面上延伸至所述底面上,沿所述底面边缘设置。
2.根据权利要求1所述的晶圆级集成光学窗口,其特征在于,还包括:
增透膜层,以提高信号光的透过率;
所述增透膜层设置于所述晶圆本体上与所述第一表面平行相对的第二表面上;
所述增透膜层还设置于所述光学窗口的底面上。
3.根据权利要求1所述的晶圆级集成光学窗口,其特征在于,还包括:
焊料层,设置于所述晶圆本体的第一表面上。
4.根据权利要求1所述的晶圆级集成光学窗口,其特征在于,所述过渡面为一斜面。
5.一种晶圆级集成光学窗口的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
在晶圆本体上制作光学窗口;
所述光学窗口与需要封装的另一晶圆上探测器芯片的数量、位置对应,在所述晶圆本体的第一表面上凹陷形成;
所述光学窗口包括与所述第一表面平行的底面,以及设置于所述第一表面与所述底面之间的过渡面;
在所述光学窗口上制作吸气剂层,所述吸气剂层设置于所述过渡面上,并由所述过渡面上延伸至所述底面上,沿所述底面边缘设置。
6.根据权利要求5所述的晶圆级集成光学窗口的制作方法,其特征在于,还包括制作增透膜层,以提高信号光的透过率;
所述增透膜层设置于所述晶圆本体上与所述第一表面平行相对的第二表面上;
所述增透膜层还设置于所述光学窗口的底面上。
7.根据权利要求5所述的晶圆级集成光学窗口的制作方法,其特征在于,还包括:
制作焊料层,所述焊料层设置于所述晶圆本体的第一表面上。
8.根据权利要求5所述的晶圆级集成光学窗口的制作方法,其特征在于,所述过渡面为一斜面。
9.根据权利要求5所述的晶圆级集成光学窗口的制作方法,其特征在于,通过干法蚀刻或湿法蚀刻在所述晶圆本体上制作所述光学窗口。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610826133.3A CN106249372A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 一种晶圆级集成光学窗口及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610826133.3A CN106249372A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 一种晶圆级集成光学窗口及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106249372A true CN106249372A (zh) | 2016-12-21 |
Family
ID=57598782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610826133.3A Pending CN106249372A (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 一种晶圆级集成光学窗口及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106249372A (zh) |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2004542A1 (de) * | 2006-04-06 | 2008-12-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanische gehäusung mit mindestens zwei kavitäten mit unterschiedlichem innendruck und/oder unterschiedlicher gaszusammensetzung sowie verfahren zu deren herstellung |
EP2174907A2 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-14 | Honeywell International Inc. | System and methods for implementing a wafer level hermetic interface chip |
EP2284121A1 (fr) * | 2009-08-06 | 2011-02-16 | Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives | Structure a microcavite et structure d'encapsulation d'un dispositif microelectronique |
US20120068300A1 (en) * | 2010-09-22 | 2012-03-22 | Innovative Micro Technology | Inductive getter activation for high vacuum packaging |
CN102583219A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-07-18 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种晶圆级mems器件的真空封装结构及封装方法 |
CN102620840A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-08-01 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种晶圆级封装的红外焦平面阵列器件及其制造方法 |
CN102745642A (zh) * | 2012-07-27 | 2012-10-24 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种集成吸气剂的mems薄膜封装结构及其制造方法 |
CN102786026A (zh) * | 2012-08-23 | 2012-11-21 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种用于mems光学器件的薄膜封帽封装结构及其制造方法 |
CN202601616U (zh) * | 2012-05-31 | 2012-12-12 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 红外传感器封装结构 |
CN202687944U (zh) * | 2012-07-27 | 2013-01-23 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种集成吸气剂的mems薄膜封装结构 |
CN103318838A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-25 | 厦门大学 | 一种应用于微机电系统器件的真空封装方法 |
CN103818868A (zh) * | 2014-02-22 | 2014-05-28 | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 | 双压力mems芯片圆片级封装方法及其双压力mems芯片 |
US20140225206A1 (en) * | 2013-02-11 | 2014-08-14 | Yizhen Lin | Pressure level adjustment in a cavity of a semiconductor die |
CN104340952A (zh) * | 2013-08-09 | 2015-02-11 | 比亚迪股份有限公司 | Mems圆片级真空封装方法及结构 |
CN105304505A (zh) * | 2014-06-17 | 2016-02-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 混合晶圆级真空封装方法及结构 |
CN104022046B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-07-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构 |
CN206833048U (zh) * | 2016-09-18 | 2018-01-02 | 上海晶鼎光电科技有限公司 | 一种晶圆级集成光学窗口 |
-
2016
- 2016-09-18 CN CN201610826133.3A patent/CN106249372A/zh active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2004542A1 (de) * | 2006-04-06 | 2008-12-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanische gehäusung mit mindestens zwei kavitäten mit unterschiedlichem innendruck und/oder unterschiedlicher gaszusammensetzung sowie verfahren zu deren herstellung |
EP2174907A2 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-14 | Honeywell International Inc. | System and methods for implementing a wafer level hermetic interface chip |
EP2284121A1 (fr) * | 2009-08-06 | 2011-02-16 | Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives | Structure a microcavite et structure d'encapsulation d'un dispositif microelectronique |
US20120068300A1 (en) * | 2010-09-22 | 2012-03-22 | Innovative Micro Technology | Inductive getter activation for high vacuum packaging |
CN102583219A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-07-18 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种晶圆级mems器件的真空封装结构及封装方法 |
CN102620840A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-08-01 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种晶圆级封装的红外焦平面阵列器件及其制造方法 |
CN202601616U (zh) * | 2012-05-31 | 2012-12-12 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 红外传感器封装结构 |
CN102745642A (zh) * | 2012-07-27 | 2012-10-24 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种集成吸气剂的mems薄膜封装结构及其制造方法 |
CN202687944U (zh) * | 2012-07-27 | 2013-01-23 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种集成吸气剂的mems薄膜封装结构 |
CN102786026A (zh) * | 2012-08-23 | 2012-11-21 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种用于mems光学器件的薄膜封帽封装结构及其制造方法 |
US20140225206A1 (en) * | 2013-02-11 | 2014-08-14 | Yizhen Lin | Pressure level adjustment in a cavity of a semiconductor die |
CN103318838A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-25 | 厦门大学 | 一种应用于微机电系统器件的真空封装方法 |
CN104340952A (zh) * | 2013-08-09 | 2015-02-11 | 比亚迪股份有限公司 | Mems圆片级真空封装方法及结构 |
CN103818868A (zh) * | 2014-02-22 | 2014-05-28 | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 | 双压力mems芯片圆片级封装方法及其双压力mems芯片 |
CN104022046B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-07-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构 |
CN105304505A (zh) * | 2014-06-17 | 2016-02-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 混合晶圆级真空封装方法及结构 |
CN206833048U (zh) * | 2016-09-18 | 2018-01-02 | 上海晶鼎光电科技有限公司 | 一种晶圆级集成光学窗口 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107134438B (zh) | 半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法 | |
CN102786026B (zh) | 一种用于mems光学器件的薄膜封帽封装结构及其制造方法 | |
EP3806168B1 (en) | Light-emitting component | |
CN102157512B (zh) | 芯片封装体及其形成方法 | |
CN103818874B (zh) | Mems结构与处理电路集成系统的封装方法 | |
CN106441595B (zh) | 红外探测器阵列级封装结构及其制造方法 | |
CN100464439C (zh) | 发光二极管的封装结构与其制造方法 | |
CN107706117A (zh) | 单步封装 | |
CN102157462A (zh) | 晶片封装体及其制造方法 | |
CN102774805B (zh) | 晶片封装体及其形成方法 | |
CN102751266B (zh) | 芯片封装体及其形成方法 | |
CN101913553B (zh) | 一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法 | |
CN104952812A (zh) | 晶片封装体及其制造方法 | |
CN102275863A (zh) | 微机电器件的晶圆级真空封装方法 | |
CN102745642A (zh) | 一种集成吸气剂的mems薄膜封装结构及其制造方法 | |
CN102079502A (zh) | 一种mems器件及其圆片级真空封装方法 | |
CN103426832B (zh) | 芯片封装体及其形成方法 | |
CN105181231A (zh) | 一种封装结构的压力传感器及其制备方法 | |
CN102935994A (zh) | 新型cmos-mems兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法 | |
CN109326686A (zh) | 一种倒装发光二极管芯片的制作方法 | |
KR20180058221A (ko) | 패키지 압력을 낮추기 위한 외부 게터의 사용 | |
CN105470374A (zh) | 量子点封装结构及其制备方法 | |
CN102633228A (zh) | 新型cmos-mems兼容的非制冷红外传感器晶圆级封装方法 | |
CN206833048U (zh) | 一种晶圆级集成光学窗口 | |
CN110534485A (zh) | 一种集成天线的封装方法及封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200915 Address after: 215000 Jiangsu Province, Suzhou City Industrial Park, Lou Yang Road 6 new technology industrial workshop, three 2-1-B, 2-2-B Applicant after: SUZHOU JINGXING PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 200082, Shanghai, Yangpu District Military Road No. 10, building 2, 1300 floor East Applicant before: SHANGHAI JINGDING PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161221 |