KR101107770B1 - 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H01L33/483—Containers
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- Power Engineering (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 방열 특성 및 발광 효율이 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공하기 위한 것으로, 제1패드; 상기 제1패드와 전기적으로 분리된 제2패드; 상기 제1패드에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 제1칩; 상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 지지면을 갖는 몰딩부; 상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하며 제1면을 갖는 제1리드; 및 상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하고 상기 제1면과 평행한 제2면을 갖는 제2리드;를 포함하고, 상기 제1리드의 제1면과 제2리드의 제2면의 면적의 합은 상기 지지면의 면적의 30% 이상인 발광 다이오드 패키지 및 백 라이트 유닛에 관한 것이다.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 방열 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light emitting diode, 이하, LED라 함)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 빛으로 전환시키는 소자로서, 차세대 조명원으로 다양하게 이용 및 개발되고 있다.
이러한 LED는 몰딩부와 리드 프레임에 의해 패키징되어 LED 패키지로 사용되어, 최근 각종 디스플레이용으로 개발되고 있으며, 특히, 액정 표시장치의 백라이트 유닛으로 많이 연구 및 개발되고 있다.
이러한 LED 패키지는 빛이 리드가 접속된 구조의 상방으로 투사되는지 혹은 측면으로 투사되는지에 따라 전면 발광형(Top-view type) LED 패키지와 측면 발광형 LED 패키지로 대별될 수 있는 데, TV와 같이 대면적 액정 표시장치에 채용되는 백라이트 유닛의 경우, 고출력을 얻기 위해 전면 발광형(Top-view type) LED 패키지를 채용하고 있다. 그런데 이때, LED 패키지들을 도광판의 측면 입사면을 따라 배치시킬 경우 LED 패키지들이 장착되는 PCB를 도광판의 입사면에 평행하도록 세워야 하고, 따라서 이를 위한 별도의 알루미늄 샤시나 브라켓이 필요하게 된다. 따라서 소요 부품이 증가하고 이로 인해 복잡한 구조를 갖게 된다. 뿐만 아니라 소요 부품의 증가로 인해 연결 부분의 에어갭 형성으로 열저항을 증가시키게 되어 백라이트 유닛 전체의 성능을 열화시키는 문제점이 있다.
측면 발광형 LED 패키지는 핸드폰이나 PDA 등의 전자 통신기기에 사용되는 소형 디스플레이용 백라이트 유닛에 많이 사용되고 있다. TV용으로 사용되기 위해서는 출력이 높아야 하고 이에 대한 방열 기능도 높게 요구된다. 그런데 기존의 측면 발광형 LED 패키지는 위와 같이 소형 디스플레이용으로 사용되기에 적합한 구조를 갖고 있기 때문에 고출력으로 높일 경우 방열 특성 등이 확보되지 않아 TV 등에는 사용하기 어려운 한계가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제 및 이를 포함한 종래기술의 한계를 극복하기 위한 것으로, 방열 특성이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공하는 데에 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 발광 효율이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1패드; 상기 제1패드와 전기적으 로 분리된 제2패드; 상기 제1패드에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 제1칩; 상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 지지면을 갖는 몰딩부; 상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하며 제1면을 갖는 제1리드; 및 상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하고 상기 제1면과 평행한 제2면을 갖는 제2리드;를 포함하고, 상기 제1리드의 제1면과 제2리드의 제2면의 면적의 합은 상기 지지면의 면적의 30% 이상인 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
상기 제1리드의 제1면과 제2리드의 제2면의 면적의 합은 상기 지지면의 면적의 100% 이하일 수 있다.
상기 제1면과 제2면은 상기 지지면의 방향으로 연장되어 있을 수 있다.
상기 지지면은 상기 제1칩의 발광 방향과 평행할 수 있다.
본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 제1패드; 상기 제1패드와 전기적으로 분리된 제2패드; 상기 제1패드에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 제1칩; 상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 지지면을 갖는 몰딩부; 상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제1리드; 및 상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제2리드;를 포함하고, 상기 몰딩부는 외측으로 개방된 방열공을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
상기 방열공은 제1칩이 안착된 면의 반대방향을 향해 개구된 것일 수 있다.
본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 제1패드; 상기 제1패드와 전기적으로 분리되고 표면으로부터 인입된 인입부를 갖는 제2패드; 상기 제1패드에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 제1칩; 상기 제2패드의 인입부에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되는 제2칩; 상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 지지면을 갖는 몰딩부; 상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제1리드; 및 상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제2리드;를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 본체; 상기 본체에 위치하는 도광판; 상기 본체에 장착된 피씨비(PCB); 및 상기 피씨비에 장착되고 상기 도광판의 입광부와 정렬되도록 배치된 전술한 바와 같은 발광 다이오드 패키지;를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.
상기 피씨비는 메탈 피씨비(metal PCB)가 사용될 수 있다.
상기 도광판의 입광부는 상기 도광판의 측면이고, 상기 피씨비는 상기 도광판과 본체의 사이까지 연장될 수 있다.
상기 본체와 상기 피씨비의 사이에 개재된 열전도층을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 본체; 상기 본체에 위치하는 도광판; 상기 본체에 장착된 피씨비; 상기 피씨비에 장착되고 상기 도광판의 입광부와 정렬되도록 배치된 발광 다이오드 패키지; 및 상기 본체와 상기 피씨비의 사이에 개재된 열전도층;을 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.
상기 피씨비는 메탈 피씨비가 사용될 수 있다.
상기 도광판의 입광부는 상기 도광판의 측면이고, 상기 피씨비는 상기 도광판과 본체의 사이까지 연장될 수 있다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따르면, 방열 특성이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
또한, 발광 효율이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
이에 따라 측면 발광형 LED 패키지의 경우에도 간단하게 0.25W급 이상의 고출력을 필요로 하는 백라이트 유닛에 적용할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명에 따른 LED 패키지를 장착하기 위한 별도의 샤시나 브라켓을 필요로 하지 않기 때문에 조립성, 생산성, 원가의 측면에서 더욱 유리하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 보다 상세하게 설명하도록 한다. 이하 설명되는 각 실시예에 있어 동일한 명칭의 구성요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하였다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 도시한 정면도이고, 도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 저면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ에 따른 단면도이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 측면 발 광형 발광 다이오드 패키지가 된다.
도면에서 X축 방향은 LED 칩인 제1칩(108)으로부터 빛이 발산되는 방향이고, Z축 방향은 본 발명의 발광 다이오드 패키지가 피씨비 상에 실장 결합되는 방향이 된다. 이하 설명에서는 설명의 편의를 위해 상기 Z축 방향의 면을 하면으로, Z축 반대방향의 면을 상면으로 하고, Y축 방향의 면을 측면으로 하며, X축 방향의 면을 정면으로 하여 설명하도록 한다.
도면에 따르면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 서로 분리된 제1패드(104) 및 제2패드(105)와, 제1칩(108)과, 몰딩부(101)와, 제1리드(106) 및 제2리드(107)를 포함한다.
이 제1패드(104)와 제2패드(105)는 도전성 금속 판부재로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1패드(104)에는 제1칩(108)이 실장된다. 상기 제1칩(108)은 LED 칩이 될 수 있는 데, 상기 제1패드(104)에 다이접착제를 매개로 다이본딩(Die Bonding)될 수 있다. 상기 제1칩(108)은 제1와이어(109) 및 제2와이어(110)에 의해 각각 제1패드(104) 및 제2패드(105)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1칩(108)과 제1패드(104) 및 제2패드(105)와의 연결은 반드시 와이어에 의한 것은 아니며, 플립 칩 본딩 방법에 의해 와이어 없이 연결될 수도 있다. 그리고 상기 제1칩(108)은 복수개 장착될 수도 있다.
상기 제1패드(104)와 제2패드(105)는 몰딩부(101)에 의해 고정되어 있다. 상기 몰딩부(101)는 수지재 등에 의해 트랜스퍼 몰딩 또는 사출 성형 등의 방법에 의 해 형성되는 데, 상기 제1패드(104)와 제2패드(105)를 지지 고정해 준다. 상기 몰딩부(101)는 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 외곽을 형성해 준다.
상기 몰딩부(101)는 상기 제1칩(108) 주위로 반사면(102)을 형성하도록 구비될 수 있다. 이 반사면(102)은 도 3 및 도 4에서 볼 수 있듯이 제1칩(108)으로부터 발산된 빛을 정면방향으로 보다 많이 취출시키도록 경사지게 배치된 것으로, 그 내측면이 정면방향에 대해 외측으로 52~88도의 각도를 갖도록 함이 바람직하다. 이에 따라 빛이 도광판의 방향으로 더욱 많이 취출될 수 있고, 좌우 방향 지향각을 최대한 크게 해 백라이트 유닛의 형성 시 LED 패키지들 사이의 암부를 최소화시켜 세트의 베젤 폭을 최소화할 수 있게 된다.
상기 반사면(102)의 내측으로는 도 3 및 도 4에서 볼 수 있듯이 별도의 밀봉재(115)가 더 형성되어 제1칩(108)을 외부로부터 보호할 수 있다. 이 밀봉재(115)에는 형광체가 혼합되어 제1칩(108)으로부터 발광되는 광의 색상을 조절할 수 있다.
상기 몰딩부(101)는 그 하면이 후술하는 피씨비(PCB, Printed Circuit Board)에 실장되는 것으로, 이 하면, 예컨대 피씨비를 향해 투영된 면 전체를 이하에서는 지지면(101a)으로 정의한다.
한편, 상기 제1패드(104) 및 제2패드(105)로부터 각각 제1리드(106) 및 제2리드(107)가 연장되어 상기 몰딩부(101) 외측으로 노출된다. 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 각각 제1패드(104) 및 제2패드(105)와 전기적으로 연결된 것으로 각각 제1패드(104) 및 제2패드(105)와 일체로 형성되도록 하는 것이 바람직하다.
이들 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 도 2에서 볼 수 있듯이 판상으로 형성되어 상기 지지면(101a)을 따라 연장된다.
상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 각각 넓은 면인 제1면(106a) 및 제2면(107a)을 갖는다. 본 발명에 있어서는 이들 제1면(106a)과 제2면(107a)의 면적의 합이 상기 지지면(101a)의 면적의 30% 이상 100% 이하가 되도록 한다. 상기 제1리드(106)와 제2리드(107)의 사이즈는 크면 클수록 좋으나 생산성과 작업성을 위해 상기 지지면(101a)의 면적의 30% 이상 100% 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.
이렇게 제1리드(106) 및 제2리드(107)를 넓은 면적으로 형성할 경우 제1칩(108)으로서 고출력 LED 칩을 사용할 경우에도 넓은 면적의 제1리드(106) 및 제2리드(107)를 통해 방열이 효과적으로 이뤄질 수 있다. 이를 위해 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 도 5에서 볼 수 있듯이 피씨비(400)에 실장되어 피씨비를 통해 열전달이 원활하게 될 수 있도록 할 수 있다. 이에 따라 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 측면 발광형 발광 다이오드 패키지(100)에 고출력 LED 칩을 사용할 경우에도 방열 기능을 충분히 확보할 수 있기 때문에 TV용으로 사용할 수 있게 된다.
이러한 본 발명에 있어서 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 전술한 바와 같이 몰딩부(101)의 지지면(101a)의 연장 방향으로 연장되어 있고, 제1리드(106)와 제2리드(107)의 사이에는 리드간 쇼트를 방지하고 패키지 전체의 균형을 잡기 위해 지지대(103)가 구비되어 있다. 이 지지대(103)는 도 3에서 볼 수 있듯이 그 밑면이 편평하게 되어 있는 것이 아니라 배면으로 갈수록 경사지도록 구비될 수 있다. 그 러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 편평하게 구비될 수도 있다.
한편, 상기 몰딩부(101)에는 도 3 및 도 4에서 볼 수 있듯이 방열공(114)을 더 형성한다. 제1칩(108)으로부터 발산되는 열은 제1리드(106) 및 제2리드(107)를 통해서도 배출될 뿐 아니라 몰딩부(101)를 통해서도 배출될 수 있다. 이러한 몰딩부(101)로부터의 방열 특성을 향상시키기 위해 본 발명의 바람직한 일 실시예는 몰딩부(101)에 방열공(114)을 형성하여 이 방열공(114)을 통해 외기가 유입되도록 함으로써 몰딩부(101) 내가 쉽게 방열될 수 있도록 한다.
상기 방열공(114)은 도 3 및 도 4에서 볼 수 있듯이 제1칩(108)이 안착된 제1패드(104)의 배면 방향을 향해 개구되도록 형성될 수 있다. 이에 따라 제1칩(108)이 안착되는 부분의 몰딩부(101) 두께를 최소화할 수 있다. 상기 방열공(114)은 도 3 및 도 4에서 볼 수 있듯이 2개 형성할 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 그 개수는 더 많게 혹은 더 적게 할 수 있음은 물론이다. 이 방열공(114)의 깊이는 도 3 및 도 4에서 볼 때 x방향의 몰딩부(101) 두께의 대략 절반 이상이 되도록 함이 바람직하다. 방열공(114)의 깊이가 깊을수록 제1칩(108)이 안착되는 부분의 몰딩부(101) 두께가 얇아지기 때문에 몰딩부(101)를 통한 방열 효과가 더욱 높아질 수 있다. 예컨대 도 5에서 볼 수 있듯이 방열공(114)이 제1패드(104)에까지 미치는 깊이로 형성될 수도 있다. 이 경우 방열공(114)을 통해 외기가 직접 제1패드(104)를 방열시킬 수 있어 패키지 전체의 방열 효과가 높아질 수 있다.
한편, 도 1에서 볼 수 있듯이 제2패드(105)에 제2칩(113)이 더 안착될 수 있다. 이 제2칩(113)은 정전기로부터 제1칩(108)을 보호하기 위한 제너 다이오드 칩 등이 사용될 수 있다. 이 제2칩(113)은 제2패드(105)에 전기적으로 연결되고, 제3와이어(111)를 통해 제1패드(104)와도 전기적으로 연결된다.
본 발명은 상기 제2칩(113)에 의해 제1칩(108)으로부터 발산되는 광의 휘도를 저하시키는 것을 방지하기 위해 제2패드(105)에 도 4에서 볼 수 있듯이 인입부(112)를 형성하고 이 인입부(112) 내에 제2칩(113)을 배치하였다. 이에 따라 제1칩(108)으로부터 발산되는 광이 제2칩(113)에 의해 손실되는 것을 최소화할 수 있다. 이 인입부(112)의 인입된 깊이는 제2칩(113)의 두께에 대응되는 정도로 하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 인입부(112)에 안착된 제2칩(113)의 돌출 두께로 인해 제1칩(108)의 광특성이 영향을 받지 않도록 하는 정도의 깊이이면 충분하다.
상기와 같이 형성된 발광 다이오드 패키지(100)는 도 6에서 볼 수 있듯이 백라이트 유닛에 장착될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛은 본체(200)와, 도광판(300)과, PCB(400)와, LED 패키지(100)를 포함한다.
도광판(300)은 그 넓은 면인 도 6의 하면이 본체(200)에 향하도록 본체(200)에 장착된다.
상기 PCB(400)는 메탈 PCB를 사용하는 것이 바람직한 데, 이에 따라 LED 패키지(100)에서 발생된 열을 PCB(400)를 거쳐 본체(200)로 효과적으로 전달할 수 있게 된다. 이 PCB(400)는 도광판(300)의 입광부를 지나도록 넓게 형성되도록 하는 것이 바람직하며, 이에 따라 도광판(300) 입광부로부터 반사된 빛을 최대한 다시 반사시켜 효율을 높이도록 할 수 있다. 이를 위해 PCB(400)로는 반사율이 높은 PSR과 열전도도가 1~2W/mK인 절연체를 적용한다. 그러나 상기 PCB(400)가 반드시 메탈 PCB에 한정되는 것은 아니며 일반적인 PCB를 사용하여도 무방할 것이며, FPCB(Felxible Printed Circuit Board) 도 적용할 수 있다.
이렇게 LED 패키지(100)를 탑재한 PCB(400)를 도광판(300)의 가장자리를 따라, 즉, 도광판(300)의 측면의 입광부를 따라 배치한다. 이 경우 PCB(400)를 도광판(300)의 넓은 면인 평면 하부에까지 미치도록 큰 면적으로 형성하여 장착할 수 있다. 그러면 PCB(400)의 면적이 넓기 때문에 이 PCB(400)를 통한 열전달이 더욱 좋아져 방열 특성이 향상될 수 있게 된다.
이렇게 PCB(400)에 본 발명과 같은 고출력용 측면 발광형 LED 패키지를 장착할 경우 별도의 알루미늄 샤시나 브라켓을 필요로 하지 않기 때문에 더욱 유리하다. 즉, 현재 TV와 같이 고출력을 요하는 백라이트에는 전면 발광형(Top-View type) LED 패키지를 사용할 수 밖에 없었는 데, 이 경우 LED 패키지들이 장착되는 PCB를 도광판의 입사면에 평행하도록 세워야 하고, 따라서 이를 위한 별도의 알루미늄 샤시나 브라켓이 필요하게 된다. 그러나, 전술한 바와 같은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 측면 발광형 LED 패키지를 사용할 경우에는 LED 패키지들이 장착되는 PCB(400)를 본체(200)에 부착하기만 하여도 LED 패키지의 발광방향이 도광판(300)의 입사면으로 향하게 되기 때문에 별도의 샤시나 브라켓이 필요없다.
한편, 본 발명의 바람직한 일 실시예에서는 상기 PCB(400)와 본체(200) 사이에 열전도도가 높은 고점도 써멀 컴파운드(Thermal Compound)를 개재하여 열전도 층(500)을 형성함으로써 방열 특성을 더욱 높일 수 있다. 이 열전도층(500)에 의해 본체(200)와 PCB(400) 사이의 공기층을 없앨 수 있고, 열전달이 더욱 원활하게 이뤄지도록 할 수 있다. 이러한 열전도층(500)은 0.5W/mK 이상의 써멀 컴파운드를 사용하는 것이 바람직한 데, 자연경화형 실리콘재 또는 수지재, 열경화형 실리콘재 또는 수지재, 경화가 되지 않는 실리콘재 또는 수지재, 또는 열전도성 테이프 등이 사용될 수 있다. 이러한 열전도층(500)은 비록 상기 PCB(400)가 금속재 PCB가 아닌 경우에도 그 열을 본체(200)로 원활하게 전달함으로써 백라이트 유닛 전체의 방열 효율을 높일 수 있게 된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 정면도,
도 2는 도 1의 발광다이오드 패키지의 저면도,
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ에 따른 단면도,
도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ에 따른 단면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 백 라이트 유닛의 개략적인 단면도.
Claims (14)
- 제1패드;상기 제1패드와 전기적으로 분리된 제2패드;상기 제1패드에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 제1칩;상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 지지면을 갖고, 외측으로 개방된 방열공을 포함하는 몰딩부;상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하며 제1면을 갖는 제1리드; 및상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하고 상기 제1면과 평행한 제2면을 갖는 제2리드;를 포함하고, 상기 제1리드의 제1면과 제2리드의 제2면의 면적의 합은 상기 지지면의 면적의 30% 이상인 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 제1리드의 제1면과 제2리드의 제2면의 면적의 합은 상기 지지면의 면적의 100% 이하인 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 제1면과 제2면은 상기 지지면의 방향으로 연장되어 있는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 지지면은 상기 제1칩의 발광 방향과 평행한 발광 다이오드 패키지.
- 제1패드;상기 제1패드와 전기적으로 분리된 제2패드;상기 제1패드에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 제1칩;상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 지지면을 갖는 몰딩부;상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제1리드; 및상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제2리드;를 포함하고, 상기 몰딩부는 외측으로 개방된 방열공을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 제5항에 있어서,상기 방열공은 제1칩이 안착된 면의 반대방향을 향해 개구된 발광 다이오드 패키지.
- 제1패드;상기 제1패드와 전기적으로 분리되고 표면으로부터 인입된 인입부를 갖는 제2패드;상기 제1패드에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 제1칩;상기 제2패드의 인입부에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되는 제2칩;상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 지지면을 갖는 몰딩부;상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제1리드; 및상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제2리드;를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 본체;상기 본체에 위치하는 도광판;상기 본체에 장착된 피씨비(PCB); 및상기 피씨비에 장착되고 상기 도광판의 입광부와 정렬되도록 배치된 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 발광 다이오드 패키지;를 포함하는 백라이트 유닛.
- 제8항에 있어서,상기 피씨비는 메탈 피씨비(metal PCB)인 백라이트 유닛.
- 제8항에 있어서,상기 본체와 상기 피씨비의 사이에 개재된 열전도층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
- 제8항에 있어서,상기 도광판의 입광부는 상기 도광판의 측면이고, 상기 피씨비는 상기 도광판과 본체의 사이까지 연장된 백라이트 유닛.
- 본체;상기 본체에 위치하는 도광판;상기 본체에 장착된 피씨비;상기 피씨비에 장착되고 상기 도광판의 입광부와 정렬되도록 배치된 발광 다이오드 패키지; 및상기 본체와 상기 피씨비의 사이에 개재된 열전도층;을 포함하는 백라이트 유닛.
- 제12항에 있어서,상기 피씨비는 메탈 피씨비(metal PCB)인 백라이트 유닛.
- 제12항에 있어서,상기 도광판의 입광부는 상기 도광판의 측면이고, 상기 피씨비는 상기 도광판과 본체의 사이까지 연장된 백라이트 유닛.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090046148A KR101107770B1 (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 |
PCT/KR2010/003279 WO2010137841A2 (ko) | 2009-05-26 | 2010-05-25 | 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 |
TW99116795A TWI423487B (zh) | 2009-05-26 | 2010-05-26 | Led封裝及背光單元 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090046148A KR101107770B1 (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100127623A KR20100127623A (ko) | 2010-12-06 |
KR101107770B1 true KR101107770B1 (ko) | 2012-01-20 |
Family
ID=43223219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090046148A KR101107770B1 (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101107770B1 (ko) |
TW (1) | TWI423487B (ko) |
WO (1) | WO2010137841A2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3932178A2 (en) | 2014-06-06 | 2022-01-05 | Idough Investment Company | Improvements in and relating to bale wrapping machines |
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2009
- 2009-05-26 KR KR1020090046148A patent/KR101107770B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-05-25 WO PCT/KR2010/003279 patent/WO2010137841A2/ko active Application Filing
- 2010-05-26 TW TW99116795A patent/TWI423487B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI423487B (zh) | 2014-01-11 |
TW201104936A (en) | 2011-02-01 |
WO2010137841A3 (ko) | 2011-03-03 |
KR20100127623A (ko) | 2010-12-06 |
WO2010137841A2 (ko) | 2010-12-02 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200103 Year of fee payment: 9 |