KR101104423B1 - 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 디스플레이 패널(10)과, 기입 기간에 주사 전극에 주사 펄스를 순차적으로 인가하여 기입 동작을 행하는 주사 전극 구동 회로(43)와, 상기 플라즈마 디스플레이 패널(10)의 표시 영역을 복수의 영역으로 나누고, 이들 영역의 각각에 있어, 방전 셀의 총 수에 대한 점등시켜야 되는 방전 셀 수의 비율을 부분 점등율로 하여 상기 영역마다 또한 서브필드마다 검출하는 부분 점등율 검출 회로(47)를 구비하는 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서, 상기 주사 전극 구동 회로(43)가, 상기 부분 점등율 검출 회로(47)에서 검출된 상기 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행하는 것에 의해, 안정한 기입 방전을 발생시킨다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND PLASMA DISPLAY PANEL DRIVE METHOD}
본 발명은, 벽걸이 텔레비젼이나 대형 모니터에 사용되는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」로 약기한다)로서 대표적인 교류 면방전형 패널은, 대향 배치된 전면판(前面板)과 배면판(背面板) 사이에 다수의 방전 셀이 형성되어 있다. 전면판은, 한 쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 전면 유리 기판상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되고, 그들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다. 배면판은, 배면 유리 기판상에 복수의 평행한 데이터 전극과, 그들을 덮는 유전체층과, 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 각각 형성되고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다. 그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되어 밀봉되고, 내부의 방전 공간에는, 예컨대 분압비(分壓比)로 5%의 제논을 포함하는 방전 가스가 밀봉되어 있다. 여기서 표시 전극쌍과 데이터 전극이 대향하는 부분에 방전 셀이 형성된다. 이러한 구성의 패널에 있어서, 각 방전 셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시켜, 이 자외선으로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색의 형광체를 여기 발광시켜 컬러 표시를 행하고 있다.
패널을 구동하는 방법으로서는 일반적으로 서브필드(subfield)법이 사용되고 있다. 서브필드법에서는, 1 필드를 복수의 서브필드로 분할하여, 각각의 서브필드에서 각 방전 셀을 발광 또는 비발광시킴으로써 계조 표시를 행한다. 각 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다.
초기화 기간에서는, 각 주사 전극에 초기화 파형을 인가하여, 각 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시킨다. 그것에 의하여, 계속되는 기입 동작을 위해 필요한 벽전하를 각 방전 셀에 형성함과 동시에, 기입 방전을 안정하게 발생시키기 위한 프라이밍(priming) 입자(기입 방전을 발생시키기 위한 여기 입자)를 발생시킨다.
기입 기간에서는, 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가(이하, 이 동작을 「주사」라 한다)함과 아울러, 데이터 전극에는 표시해야 할 화상 신호에 대응한 기입 펄스를 선택적으로 인가한다(이하, 이들의 동작을 총칭하여 「기입」이라 한다). 그것에 의하여, 주사 전극과 데이터 전극 사이에서 선택적으로 기입 방전을 발생시켜, 선택적으로 벽전하를 형성한다.
유지 기간에서는, 표시해야 할 휘도에 따른 소정 회수의 유지 펄스를 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에 교대로 인가한다. 그것에 의하여, 기입 방전에 의한 벽전하 형성이 행해진 방전 셀에서 선택적으로 유지 방전을 발생시켜, 그 방전 셀을 발광시킨다. 이렇게 하여, 패널의 표시 영역에 화상을 표시한다.
이 서브필드법에서는, 예컨대, 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 모든 방전 셀을 방전시키는 모든 셀 초기화 동작을 행하고, 다른 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 유지 방전을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행하는 선택 초기화 동작을 행함으로써, 계조 표시에 관계없는 발광을 상당히 삭감하여 콘트라스트비를 향상시키는 것이 가능하다.
한편, 최근에는, 패널의 대화면화, 고휘도화에 수반하여, 패널에 있어서의 소비 전력이 증대하는 경향이 있다. 또한, 대화면화, 고정밀화된 패널에서는 패널 구동시의 부하가 증대하기 때문에 방전이 불안정하게 되기 쉽다. 방전을 안정하게 발생시키기 위해서는, 전극에 인가하는 구동 전압을 올리면 좋지만, 이것은, 소비 전력을 더욱 증대시키는 한가지 원인으로 된다. 또한, 구동 전압을 높게 하거나, 소비 전력이 증대하거나 하여 구동 회로를 구성하는 부품의 정격값을 초과하면, 회로가 오동작할 우려도 생긴다.
예컨대, 데이터 전극 구동 회로는, 기입 펄스 전압을 데이터 전극에 인가하여 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 동작을 행하지만, 기입시의 소비 전력이 데이터 전극 구동 회로를 구성하는 IC의 정격값을 초과하면 그 IC가 오동작하여, 기입 방전을 발생시켜야 할 방전 셀에서 기입 방전이 발생하지 않거나, 또는 기입 방전을 발생시키지 않아야 할 방전 셀에서 기입 방전이 발생한다고 하는 기입 불량이 발생할 우려가 있다. 그래서, 기입시의 소비 전력을 억제하기 위해서, 표시해야 할 화상 신호에 의거하여 데이터 전극 구동 회로의 소비 전력을 예측하여, 그 예측값이 설정값 이상으로 되면 계조를 제한하는 방법이 개시되어 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
기입 기간에서는, 상술한 바와 같이, 주사 전극으로의 주사 펄스 전압의 인가 및 데이터 전극으로의 기입 펄스 전압의 인가에 의해서 기입 방전을 발생시킨다. 그 때문에, 특허 문헌 1에 개시된 데이터 전극 구동 회로의 동작을 안정화시키는 기술만으로는, 안정한 기입을 행하는 것은 어렵고, 주사 전극을 구동하는 회로(주사 전극 구동 회로)에 있어서의 동작의 안정화를 도모하는 기술도 중요해 진다.
또한, 기입 기간에 있어서의 주사 전극으로의 주사 펄스 전압의 인가는 각 주사 전극에 대하여 순차적으로 실시되기 때문에, 특히 고정밀화된 패널에 있어서는, 주사 전극수의 증가에 의해서 기입 기간에 소비하는 기간이 길게 되어 버린다. 그 때문에, 기입 기간의 최후에 기입이 이루어지는 방전 셀에서는 기입 기간의 최초에 기입이 이루어지는 방전 셀에 비교하여, 벽전하의 소실이 증가하여, 기입 방전이 불안정하게 되기 쉽다고 하는 문제도 있었다.
(특허 문헌)
일본 특허 공개 공보 제 2000-66638 호
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1 필드내에 복수 마련하고, 서브필드마다 휘도 가중을 설정함과 아울러 유지 기간에 휘도 가중에 따른 수의 유지 펄스를 발생하여 계조 표시하는 서브필드법으로 구동하고, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 패널과, 기입 기간에, 주사 전극에 주사 펄스를 순차적으로 인가하여 기입 동작을 행하는 주사 전극 구동 회로와, 패널의 표시 영역을 복수의 영역으로 나누고, 이들 영역의 각각에 있어, 방전 셀 수에 대한 점등시켜야 할 방전 셀 수의 비율을 부분 점등율로 하여 영역마다 또한 서브필드마다 검출하는 부분 점등율 검출 회로를 구비하고, 주사 전극 구동 회로는, 부분 점등율 검출 회로에서 검출된 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행하는 것을 특징으로 한다.
이것에 의해, 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 방전을 발생시키기 때문에, 대화면화, 고정밀화된 패널에 있어서도, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)이 증대하는 것을 방지하여 안정한 기입 방전을 발생시키는 것이 가능해지고, 패널의 화상 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은, 대화면화, 고정밀화된 패널에 있어서도, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)이 증대하는 것을 방지하여 안정한 기입 방전을 발생시켜, 높은 화상 표시 품질을 실현할 수 있기 때문에, 플라즈마 디스플레이 장치 및 패널의 구동 방법으로서 유용하다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2는 상기 패널의 전극 배열도이다.
도 3은 상기 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도이다.
도 5는 상기 플라즈마 디스플레이 장치의 주사 전극 구동 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 부분 점등율을 검출하는 영역과 주사 IC의 접속의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC의 기입 동작의 순서의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC의 기입 동작의 순서와 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 부분 점등율과 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 10은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 회로의 일 구성예를 나타내는 회로 블록도이다.
도 11은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 SID 발생 회로의 일 구성예를 나타내는 회로도이다.
도 12는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 13은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 회로의 다른 구성예를 나타내는 회로도이다.
도 14는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 동작의 다른 일례를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 15는 소정의 화상을 부분 점등율에 따른 순서로 기입 동작하여 표시했을 때의 저 서브필드의 발광 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 16은 도 15에 나타낸 표시 화상과 마찬가지의 화상을 패널 상단의 주사 전극으로부터 패널 하단의 주사 전극을 향하여 순서대로 기입 동작을 행하여 표시했을 때의 저 서브필드에 있어서의 발광 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도이다.
도 18은 본 발명의 실시예 3에 있어서의 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다.
도 19는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 소정의 화상을 2상 구동으로 표시할 때의 부분 점등율에 따른 주사 순서의 일례를 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 유리제의 전면판(21) 상에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(24)이 복수 형성되어 있다. 그리고 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(25)이 형성되고, 그 유전체층(25) 상에 보호층(26)이 형성되어 있다.
또한, 보호층(26)은, 방전 셀에 있어서의 방전 개시 전압을 내리기 위해서, 패널의 재료로서 사용 실적이 있고, 네온(Ne) 및 제논(Xe) 가스를 밀봉한 경우에 2차 전자 방출 계수가 크고 내구성에 우수한 MgO를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있다.
배면판(31) 상에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되어, 데이터 전극(32)을 덮 도록 유전체층(33)이 형성되고, 또한 그 위에 정(井) 형상의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33) 상에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색으로 발광하는 형광체층(35)이 마련되어 있다.
이들 전면판(21)과 배면판(31)은, 미소한 방전 공간을 사이에 두고 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치되고, 그 외주부를 유리 프릿(glass frit) 등의 밀봉재에 의해 밀봉되어 있다. 그리고, 내부의 방전 공간에는, 네온과 제논의 혼합 가스가 방전 가스로서 밀봉되어 있다. 한편, 본 실시예에서는, 발광 효율을 향상시키기 위해 제논 분압(分壓)을 약 10%으로 한 방전 가스를 이용하고 있다. 방전 공간은 격벽(34)에 의해서 복수의 구획으로 구분되어 있고, 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 그리고 이들의 방전 셀이 방전, 발광하는 것에 의해 화상이 표시된다.
한편, 패널(10)의 구조는 상술한 것에 한정되는 것은 아니고, 예컨대 스트라이프 형상의 격벽을 구비한 것이더라도 좋다. 또한, 방전 가스의 혼합 비율도 상술한 수치에 한정되는 것은 아니고, 그 밖의 혼합 비율이더라도 좋다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 전극 배열도이다. 패널(10)에는, 행 방향으로 긴 n개의 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)(도 1의 유지 전극(23))이 배열되고, 열 방향으로 긴 m개의 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 한 쌍의 주사 전극(SCi)(i = 1 ~ n) 및 유지 전극(SUi)과 하나의 데이터 전극(Dj)(j= 1 ~ m)이 교차한 부분에 방전 셀이 형성되고, 방전 셀은 방전 공간내에 m×n개 형성되어 있다. 그리고, m×n개의 방전 셀이 형성된 영역이 패널(10)의 표시 영역으로 된다.
다음으로, 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형과 그 동작의 개요에 대하여 설명한다. 한편, 본 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치는, 서브필드법, 즉 1 필드를 시간축 상에서 복수의 서브필드로 분할하고, 각 서브필드에 휘도 가중을 각각 설정하여, 서브필드마다 각 방전 셀의 발광·비발광을 제어함으로써 계조 표시를 행하는 것으로 한다.
이 서브필드법에서는, 예컨대, 1 필드를 8개의 서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 8 SF)로 구성하고, 각 서브필드는 각각 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128의 휘도 가중을 갖는 구성으로 할 수 있다. 또한, 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 모든 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 전체 셀 초기화 동작을 행하고(이하, 전체 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드를 「전체 셀 초기화 서브필드」라 한다), 다른 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 유지 방전을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 발생시키는 선택 초기화 동작을 하는(이하, 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드를 「선택 초기화 서브필드」라 한다) 것으로, 계조 표시에 관계없는 발광을 상당히 삭감하여 콘트라스트비를 향상시키는 것이 가능하다.
그리고, 본 실시예에서는, 제 1 SF의 초기화 기간에서는 전체 셀 초기화 동작을 행하고, 제 2 SF ~ 제 8 SF의 초기화 기간에서는 선택 초기화 동작을 행하는 것으로 한다. 이것에 의해, 화상의 표시에 관계가 없는 발광은 제 1 SF에서의 전체 셀 초기화 동작의 방전에 수반하는 발광만으로 되고, 유지 방전을 발생시키지 않은 흑 표시 영역의 휘도인 흑 휘도는 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 미약 발광만으로 되어, 콘트라스트가 높은 화상 표시가 가능해진다. 또한, 각 서브필드의 유지 기간에 있어서는, 각각의 서브필드의 휘도 가중에 소정의 비례 정수를 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)의 각각에 인가한다. 이때의 비례 정수가 휘도 배율이다.
그러나, 본 실시예는, 서브필드 수나 각 서브필드의 휘도 가중이 상기의 값에 한정되는 것은 아니며, 또한, 화상 신호 등에 의거하여 서브필드 구성을 전환하는 구성이더라도 좋다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다. 도 3에는 기입 기간에 있어서 최초에 주사를 행하는 주사 전극(SC1), 기입 기간에 있어서 최후에 주사를 행하는 주사 전극(SCn), 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn), 및 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)의 구동 파형을 나타낸다.
또한, 도 3에는, 2개의 서브필드의 구동 전압 파형, 즉 전체 셀 초기화 서브필드인 제 1 서브필드(제 1 SF)와, 선택 초기화 서브필드인 제 2 서브필드(제 2 SF)를 나타낸다. 한편, 다른 서브필드에 있어서의 구동 전압 파형은, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생 수가 다른 것 이외는 제 2 SF의 구동 전압 파형과 거의 같다. 또한, 이하에 있어서의 주사 전극(SCi), 유지 전극(SUi), 데이터 전극(Dk)은, 각 전극 중에서 화상 데이터(서브필드마다의 발광·비발광을 나타내는 데이터)에 의거하여 선택된 전극을 나타낸다.
우선, 전체 셀 초기화 서브필드인 제 1 SF에 대하여 설명한다.
제 1 SF의 초기화 기간 전반부에서는, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm), 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 각각 O(V)을 인가하고, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에는, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 대하여 방전 개시 전압 이하의 전압(Vi1)으로부터, 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vi2)을 향하여 완만하게(예컨대, 약 1.3V/μsec의 구배로) 상승하는 경사 전압(이하, 「상승 램프 전압」이라 한다)(L1)을 인가한다.
이 상승 램프 전압(L1)이 상승하는 동안에, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)과 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn) 사이, 및 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)과 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm) 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 계속해서 일어난다. 그리고, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn) 상부에 부(負)의 벽전압이 축적됨과 아울러, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm) 상부 및 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn) 상부에는 정(正)의 벽전압이 축적된다. 이 전극 상부의 벽전압은, 전극을 덮는 유전체층 상, 보호층 상, 형광체층 상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다.
초기화 기간 후반부에서는, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에는 정(正)의 전압(Ve1)을 인가하고, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)에는 O(V)을 인가하고, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에는, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 대하여 방전 개시 전압 이하로 되는 전압(Vi3)으로부터 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vi4)을 향하여 완만하게 하강하는 경사 전압(이하, 「하강 램프 전압」이라 한다)(L2)을 인가한다.
이 사이에, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)과 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn) 사이, 및 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)과 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm) 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn) 상부의 부(負)의 벽전압 및 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn) 상부의 정(正)의 벽전압이 약하게 되고, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm) 상부의 정(正)의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이상으로, 모든 방전 셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 전체 셀 초기화 동작이 종료한다.
한편, 도 3의 제 2 SF의 초기화 기간에 나타낸 바와 같이, 초기화 기간의 전반부를 생략한 구동 전압 파형을 각 전극에 인가하여도 좋다. 즉, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 전압(Ve1)을, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)에 O(V)를 각각 인가하고, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 방전 개시 전압 이하로 되는 전압(예컨대, 접지 전위)으로부터 전압(Vi4)을 향하여 완만하게 하강하는 하강 램프 전압(L4)을 인가한다. 이것에 의해 직전의 서브필드(도 3에서는 제 1 SF)의 유지 기간에서 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하고 주사 전극(SCi) 상부 및 유지 전극(SUi) 상부의 벽전압이 약하게 되고, 데이터 전극(Dk)(k= 1 ~ m) 상부의 벽전압도, 과도한 부분이 방전되어, 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 한편, 직전의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않은 방전 셀에 대해서는 방전하지 않고, 직전의 서브필드의 초기화 기간 종료시에서의 벽전하가 그대로 유지된다. 이와 같이 전반부를 생략한 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전 셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 선택 초기화 동작으로 된다.
계속되는 기입 기간에서는, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 대해서는 순차적으로 주사 펄스 전압(Va)을 인가하고, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)에 대해서는 발광시켜야 되는 방전 셀에 대응하는 데이터 전극(Dk)(k= 1 ~ m)에 정(正)의 기입 펄스 전압(Vd)을 인가하여, 각 방전 셀에 선택적으로 기입 방전을 발생시킨다. 이때, 본 실시예에서는, 후술하는 부분 점등율 검출 회로에서의 검출 결과에 의거하여 주사 펄스 전압(Va)을 인가하는 주사 전극(22)의 순서, 또는 주사 전극(22)을 구동하는 IC의 기입 동작의 순서를 변경하고 있다. 이 상세한 설명에 대해서는 후술하지만, 여기서는, 주사 전극(SC1)으로부터 순서대로 주사 펄스 전압(Va)을 인가하는 것으로서 설명한다.
기입 기간에서는, 우선 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 전압(Ve2)을, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 전압(Vc)을 인가한다.
그리고, 1행째의 주사 전극(SC1)에 부(負)의 주사 펄스 전압(Va)을 인가함과 아울러, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm) 중 1행째에 발광시켜야 되는 방전 셀의 데이터 전극(Dk)(k= 1 ~ m)에 정(正)의 기입 펄스 전압(Vd)을 인가한다. 이때 데이터 전극(Dk) 상과 주사 전극(SC1) 상의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차이(전압(Vd)-전압(Va))에 데이터 전극(Dk) 상의 벽전압과 주사 전극(SC1) 상의 벽전압의 차이가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 넘는다. 이것에 의해, 데이터 전극(Dk)과 주사 전극(SC1) 사이에 방전이 발생한다. 또한, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 전압(Ve2)을 인가하고 있기 때문에, 유지 전극(SU1) 상과 주사 전극(SC1) 상의 전압차는, 외부 인가 전압의 차이인 (전압(Ve2)-전압(Va))에 유지 전극(SU1) 상의 벽전압과 주사 전극(SC1) 상의 벽전압의 차이가 가산된 것으로 된다. 이때, 전압(Ve2)을, 방전 개시 전압을 약간 하회하는 정도의 전압값으로 설정하는 것으로, 유지 전극(SU1)과 주사 전극(SC1) 사이를, 방전에는 이르지 않지만 방전이 발생하기 쉬운 상태로 할 수 있다. 이것에 의해, 데이터 전극(Dk)과 주사 전극(SC1) 사이에 발생하는 방전을 트리거하여, 데이터 전극(Dk)과 교차하는 영역에 있는 유지 전극(SU1)과 주사 전극(SC1) 사이에 방전을 발생시킬 수 있다. 이렇게 해서, 발광시켜야 되는 방전 셀에 기입 방전이 일어나, 주사 전극(SC1) 상에 정(正)의 벽전압이 축적되고, 유지 전극(SU1) 상에 부(負)의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극(Dk) 상에도 부(負)의 벽전압이 축적된다.
이렇게 하여, 1행째에 발광시켜야 되는 방전 셀에서 기입 방전을 일으켜 각 전극 상에 벽전압을 축적하는 기입 동작이 행하여진다. 한편, 기입 펄스 전압(Vd)을 인가하지 않은 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)과 주사 전극(SC1)의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 넘지 않기 때문에, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작을 n행째의 방전 셀에 이를 때까지 행하고, 기입 기간이 종료된다.
계속되는 유지 기간에서는, 휘도 가중에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)에 교대로 인가하여, 기입 방전을 발생한 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜 발광시킨다.
이 유지 기간에서는, 우선 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 정(正)의 유지 펄스 전압(Vs)을 인가함과 아울러 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 베이스 전위로 되는 접지 전위, 즉 0(V)을 인가한다. 그렇게 하면 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 주사 전극(SCi) 상과 유지 전극(SUi) 상의 전압차가 유지 펄스 전압(Vs)에 주사 전극(SCi) 상의 벽전압과 유지 전극(SUi) 상의 벽전압의 차이가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 넘는다.
그리고, 주사 전극(SCi)와 유지 전극(SUi) 사이에 유지 방전이 일어나고, 이때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고 주사 전극(SCi) 상에 부(負)의 벽전압이 축적되고, 유지 전극(SUi) 상에 정(正)의 벽전압이 축적된다. 또한, 데이터 전극(Dk) 상에도 정(正)의 벽전압이 축적된다. 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전 셀에서는 유지 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간의 종료시에 있어서의 벽전압이 유지된다.
계속해서, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에는 베이스 전위로 되는 O(V)를, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에는 유지 펄스 전압(Vs)을 각각 인가한다. 그렇게 하면, 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 유지 전극(SUi) 상과 주사 전극(SCi) 상의 전압차가 방전 개시 전압을 넘기 때문에 다시 유지 전극(SUi)와 주사 전극(SCi) 사이에 유지 방전이 일어나, 유지 전극(SUi) 상에 부(負)의 벽전압이 축적되고 주사 전극(SCi) 상에 정(正)의 벽전압이 축적된다. 이하 마찬가지로, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)과 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 교대로 휘도 가중에 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 인가하여, 표시 전극쌍(24)의 전극 사이에 전위차를 부여하는 것에 의해, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전이 계속하여 실시된다.
그리고, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생 후에, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에, O(V)로부터 전압(Vers)을 향하여 완만하게 상승하는 경사 전압(이하, 「소거 램프 전압」이라 한다)(L3)을 인가한다. 이것에 의해, 유지 방전을 발생시킨 방전 셀에 있어서, 미약한 방전을 계속해서 발생시켜, 데이터 전극(Dk) 상의 정(正)의 벽전압을 남긴 상태로, 주사 전극(SCi) 및 유지 전극(SUi) 상의 벽전압의 일부 또는 전부를 소거한다.
구체적으로는, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)을 O(V)로 되돌린 후, 베이스 전위로 되는 O(V)로부터 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vers)을 향하여 상승하는 소거 램프 전압(L3)을, 상승 램프 전압(L1)보다도 급격한 구배(예컨대, 약 1OV/μsec)로 발생시켜, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 인가한다. 그렇게 하면, 유지 방전을 일으킨 방전 셀의 유지 전극(SUi)과 주사 전극(SCi) 사이에서 미약한 방전이 발생한다. 그리고, 이 미약한 방전은, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)으로의 인가 전압이 상승하는 기간, 계속해서 발생한다. 그리고, 상승하는 전압이 미리 정한 전압(Vers)에 도달하고 나서, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 인가하는 전압을 베이스 전위로 되는 O(V)까지 하강시킨다.
이때, 이 미약한 방전으로 발생한 하전(荷電) 입자는, 유지 전극(SUi)과 주사 전극(SCi) 사이의 전압차를 완화하도록, 유지 전극(SUi) 상 및 주사 전극(SCi) 상에 벽전하로 되어 축적되어 간다. 이것에 의해, 데이터 전극(Dk) 상의 정(正)의 벽전하를 남긴 상태로, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn) 상과 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn) 상 사이의 벽전압은, 주사 전극(SCi)에 인가한 전압과 방전 개시 전압의 차이, 즉(전압(Vers) - 방전 개시 전압)의 정도까지 약하게 된다. 이하, 이 소거 램프 전압(L3)에 의해서 발생되는 유지 기간의 최후의 방전을 「소거 방전」이라 한다.
계속되는 제 2 SF 이후의 서브필드의 각 동작은, 유지 기간의 유지 펄스의 수를 제외하고 상술의 동작과 거의 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 이상이, 본 실시예에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형의 개요이다.
다음으로, 본 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 구성에 대하여 설명한다. 도 4는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 회로 블록도이다. 플라즈마 디스플레이 장치(1)는, 패널(10), 화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(45), 부분 점등율 검출 회로(47), 점등율 비교 회로(48), 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.
화상 신호 처리 회로(41)는, 입력된 화상 신호(sig)를 서브필드마다의 발광·비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환한다.
부분 점등율 검출 회로(47)는, 패널(10)의 표시 영역을 복수의 영역으로 나누고, 서브필드마다의 화상 데이터에 의거하여, 영역마다 또한 서브필드마다, 각 영역의 방전 셀 수에 대한 점등시켜야 되는 방전 셀 수의 비율을 검출한다(이하, 각 영역마다 검출하는 점등시켜야 되는 방전 셀 수의 비율을 「부분 점등율」이라 한다). 한편, 부분 점등율 검출 회로(47)는, 예컨대, 한 쌍의 표시 전극쌍(24)에 있어서의 점등율을 부분 점등율로서 검출할 수도 있지만, 여기서는, 주사 전극(22)을 구동하는 IC(이하, 「주사 IC」라 한다)의 하나에 접속된 복수의 주사 전극(22)으로 구성되는 영역을 하나의 영역으로 하여 부분 점등율을 검출하는 것으로 한다.
점등율 비교 회로(48)는, 부분 점등율 검출 회로(47)에서 검출한 각 영역의 부분 점등율의 값을 서로 비교하여, 값이 큰 쪽부터 순서대로, 어떤 영역이 몇 번째의 크기로 되는 것인지를 판별한다. 그리고, 그 결과를 나타내는 신호를 서브필드마다 타이밍 발생 회로(45)에 출력한다.
타이밍 발생 회로(45)는, 수평 동기 신호(H), 수직 동기 신호(V) 및 점등율 비교 회로(48)로부터의 출력에 의거하여 각 회로 블록의 동작을 제어하는 각종의 타이밍 신호를 발생하여, 각각의 회로 블록에 공급한다.
주사 전극 구동 회로(43)는, 초기화 기간에 있어서 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 인가하는 초기화 파형 전압을 발생하기 위한 초기화 파형 발생 회로(도시하지 않음), 유지 기간에 있어서 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 인가하는 유지 펄스를 발생하기 위한 유지 펄스 발생 회로(도시하지 않음), 복수의 주사 IC를 구비하여 기입 기간에 있어서 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 인가하는 주사 펄스 전압(Va)을 발생하기 위한 주사 펄스 발생 회로(50)를 갖는다. 그리고, 타이밍 신호에 의거하여 각 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)을 각각 구동한다. 이때, 본 실시예에서는, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입이 실시되도록 주사 IC를 순차적으로 전환하여 기입 동작시키고 있다. 이것에 의해, 안정한 기입 방전을 실현하고 있다. 상세한 설명은 후술한다.
데이터 전극 구동 회로(42)는, 서브필드마다의 화상 데이터를 각 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)에 대응하는 신호로 변환하고, 타이밍 신호에 의거하여 각 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)을 구동한다. 한편, 본 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 기입을 행하는 순서가 서브필드마다 변할 가능성이 있기 때문에, 타이밍 발생 회로(45)는, 데이터 전극 구동 회로(42)에 있어서 주사 IC의 기입 동작의 순서에 맞춰 기입 펄스 전압(Vd)이 발생하도록 타이밍 신호를 발생시키고 있다. 이것에 의해, 표시 화상에 따른 올바른 기입 동작을 행할 수 있다.
유지 전극 구동 회로(44)는, 유지 펄스 발생 회로 및 전압(Ve1), 전압(Ve2)을 발생하기 위한 회로(도시하지 않음)를 구비하고, 타이밍 신호에 의거하여 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)을 구동한다.
다음으로, 주사 전극 구동 회로(43)의 상세한 설명과 그 동작에 대하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 주사 전극 구동 회로(43)의 구성을 나타내는 회로도이다. 주사 전극 구동 회로(43)는, 주사 펄스 발생 회로(50)와, 초기화 파형 발생 회로(51)와, 주사 전극(22) 측의 유지 펄스 발생 회로(52)를 구비하고, 주사 펄스 발생 회로(50)의 각각의 출력은 패널(10)의 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)의 각각에 접속되어 있다.
초기화 파형 발생 회로(51)는, 초기화 기간에 있어서 주사 펄스 발생 회로(50)의 기준 전위(A)를 램프 형상으로 상승 또는 강하시켜, 도 3에 나타낸 초기화 파형 전압을 발생시킨다.
유지 펄스 발생 회로(52)는, 주사 펄스 발생 회로(50)의 기준 전위(A)를 전압(Vs) 또는 접지 전위로 함으로써, 도 3에 나타낸 유지 펄스를 발생시킨다.
주사 펄스 발생 회로(50)는, 기입 기간에 있어서 기준 전위(A)를 부(負)의 전압(Va)에 접속하기 위한 스위치(72)와, 전압(Vc)을 부여하기 위한 전원(VC)과, n개의 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)의 각각에 주사 펄스 전압(Va)을 인가하기 위한 스위칭 소자(QH1) ~ 스위칭 소자(QHn) 및 스위칭 소자(QL1) ~ 스위칭 소자(QLn)를 구비하고 있다. 스위칭 소자(QH1) ~ 스위칭 소자(QHn), 스위칭 소자(QL1) ~ 스위칭 소자(QLn)는 복수의 출력마다 그룹화하여 IC화되어 있다. 이 IC가 주사 IC 이다. 그리고, 스위칭 소자(QHi)를 오프, 스위칭 소자(QLi)를 온으로 하는 것에 의해, 스위칭 소자(QLi)를 경유하여 주사 전극(SCi)에 부(負)의 주사 펄스 전압(Va)을 인가한다. 한편, 이하의 설명에 있어서는, 스위칭 소자를 도통시키는 동작을 「온」, 차단시키는 동작을 「오프」로 표기하고, 스위칭 소자를 온시키는 신호를 「Hi」, 오프시키는 신호를 「Lo」로 표기한다.
한편, 초기화 파형 발생 회로(51) 또는 유지 펄스 발생 회로(52)를 동작시키고 있을 때는, 스위칭 소자(QH1) ~ 스위칭 소자(QHn)를 오프, 스위칭 소자(QL1) ~ 스위칭 소자(QLn)를 온으로 하는 것에 의해, 스위칭 소자(QL1) ~ 스위칭 소자(QLn)를 경유하여 각 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 초기화 파형 전압 또는 유지 펄스 전압(Vs)을 인가한다.
한편, 여기서는, 90개의 출력분의 스위칭 소자를 하나의 모놀리식 IC로서 집적하고, 패널(10)은 1080개의 주사 전극(22)을 구비하고 있는 것으로 하여, 이하의 설명을 행한다. 그리고, 12개의 주사 IC를 이용하여 주사 펄스 발생 회로(50)를 구성하여, n= 1080개의 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)을 구동하는 것으로 한다. 이와 같이 다수의 스위칭 소자(QH1) ~ 스위칭 소자(QHn), 스위칭 소자(QL1) ~ 스위칭 소자(QLn)를 IC화하는 것에 의해 부품 점수를 삭감하여, 실장 면적을 저감할 수 있다. 단, 여기에 예로 든 수치는 단순한 일례이며, 본 발명은 결코 이들의 수치에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 실시예에서는, 기입 기간에 있어서, 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 SID(1) ~ SID(12)를 주사 IC(1) ~ 주사 IC(12)의 각각에 입력하고 있다. 이 SID(1) ~ SID(12)는, 주사 IC에 기입 동작을 개시하기 위한 동작 개시 신호이며, 주사 IC(1) ~ 주사 IC(12)는, SID(1) ~ SID(12)에 의거하여 기입 동작의 순서가 전환된다.
예컨대, 주사 전극(SC181) ~ 주사 전극(SC270)에 접속된 주사 IC(3)에 기입 동작시킨 후에, 주사 전극(SC91) ~ 주사 전극(SC180)에 접속된 주사 IC(2)에 기입 동작시키는 경우는, 다음과 같은 동작으로 된다.
타이밍 발생 회로(45)는, SID(3)를 Lo(예컨대, O(V))로부터 Hi(예컨대, 5(V))로 변화시켜, 주사 IC(3)에 기입 동작의 개시를 지시한다. 주사 IC(3)는, SID(3)의 전압 변화를 검지하고, 이것에 의해 기입 동작을 개시한다. 우선, 스위칭 소자(QH181)를 오프, 스위칭 소자(QL181)를 온으로 하여, 스위칭 소자(QL181)를 경유하여 주사 전극(SC181)에 주사 펄스 전압(Va)을 인가한다. 주사 전극(SC181)에서의 기입이 종료한 후는, 스위칭 소자(QH181)를 온, 스위칭 소자(QL181)를 오프로 하고, 계속해서, 스위칭 소자(QH182)를 오프, 스위칭 소자(QL182)를 온으로 하여, 스위칭 소자(QL182)를 경유하여 주사 전극(SC182)에 주사 펄스 전압(Va)을 인가한다. 이 일련의 기입 동작을 순차적으로 행하고, 주사 전극(SC181) ~ 주사 전극(SC270)에 주사 펄스 전압(Va)을 순차적으로 인가하여, 주사 IC(3)는 기입 동작을 종료한다.
주사 IC(3)의 기입 동작이 종료한 후, 타이밍 발생 회로(45)는, SID(2)를 Lo(예컨대, O(V))로부터 Hi(예컨대, 5(V))로 변화시켜, 주사 IC(2)에 기입 동작의 개시를 지시한다. 주사 IC(2)는, SID(2)의 전압 변화를 검지하고, 이것에 의해 상술한 바와 같은 기입 동작을 개시하고, 주사 전극(SC91) ~ 주사 전극(SC180)에 주사 펄스 전압(Va)을 순차적으로 인가한다.
본 실시예에서는, 이와 같이, 동작 개시 신호인 SID를 이용하여 주사 IC의 기입 동작의 순서를 제어할 수 있다.
그리고, 본 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 부분 점등율 검출 회로(47)에서 검출되는 부분 점등율에 따라 주사 IC의 기입 동작의 순서를 결정하고, 부분 점등율이 높은 영역을 구동하는 주사 IC부터 먼저 기입 동작시킨다. 이들 동작의 일례를 도면을 이용하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 부분 점등율을 검출하는 영역과 주사 IC의 접속의 일례를 나타내는 개략도이다. 도 6은 패널(10)과 주사 IC의 접속의 형태를 간략하게 나타내고 있으며, 패널(10) 내에 나타내는 파선으로 둘러싸인 각 영역은, 각각 부분 점등율을 검출하는 영역을 나타낸다. 또한, 표시 전극쌍(24)은, 도 2와 같이, 도면에 있어서의 좌우 방향으로 연장하여 배열되어 있는 것으로 한다.
상술한 바와 같이, 부분 점등율 검출 회로(47)는, 하나의 주사 IC에 접속된 복수의 주사 전극(22)으로 구성되는 영역을 하나의 영역으로 하여 부분 점등율을 검출한다. 예컨대, 하나의 주사 IC에 접속되는 주사 전극(22)의 수가 90개이고, 주사 전극 구동 회로(43)가 구비하는 주사 IC가 12개(주사 IC(1) ~ 주사 IC(12))이면, 도 6에 나타낸 바와 같이, 부분 점등율 검출 회로(47)는, 주사 IC(1) ~ 주사 IC(12)의 각각에 접속된 90개의 주사 전극(22)을 하나의 영역으로 하고, 패널(10)의 표시 영역을 12 분할하여 각 영역의 부분 점등율을 검출한다. 그리고, 점등율 비교 회로(48)는, 부분 점등율 검출 회로(47)에서 검출한 부분 점등율의 값을 서로 비교하여, 값이 큰 쪽부터 순서대로, 각 영역에 대하여 순위 부여를 행한다. 그리고, 타이밍 발생 회로(45)는 그 순위 부여에 의거하여 타이밍 신호를 발생하고, 주사 전극 구동 회로(43)는, 그 타이밍 신호에 의해, 부분 점등율이 높은 영역에 접속된 주사 IC부터 먼저 기입 동작시킨다.
도 7은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC(1) ~ 주사 IC(12)의 기입 동작의 순서의 일례를 나타내는 개략도이다. 한편, 도 7에 있어서, 부분 점등율을 검출하는 영역은 도 6에 나타낸 영역과 마찬가지이며, 사선으로 나타낸 부분은 유지 방전을 발생시키지 않는 비점등 셀의 분포를 나타내고, 사선이 없는 음영 부분은 방전을 발생시키는 점등 셀의 분포를 나타내는 것으로 한다.
예컨대, 어떤 서브필드에 있어서, 점등 셀이, 도 7에 나타낸 바와 같이 분포되어 있는 경우, 가장 부분 점등율이 높은 영역은 주사 IC(12)가 접속된 영역(이하, 주사 IC(n)에 접속된 영역을 「영역(n)」으로 나타낸다)으로 되고, 다음으로 부분 점등율이 높은 영역은 주사 IC(10)가 접속된 영역(10)으로 되고, 그 다음으로 부분 점등율이 높은 영역은 주사 IC(7)가 접속된 영역(7)으로 된다. 이때, 종래의 기입 동작이면, 주사 IC(1)부터 주사 IC(2), 주사 IC(3)로 순차적으로 기입 동작이 전환되고, 가장 부분 점등율이 높은 영역에 접속된 주사 IC(12)는 최후에 기입 동작이 개시된다. 그러나, 본 실시예에서는, 부분 점등율이 높은 영역의 주사 IC부터 먼저 기입 동작시키기 때문에, 도 7에 나타낸 바와 같이, 우선 최초에 주사 IC(12)에 기입 동작시키고, 다음으로 주사 IC(10)에 기입 동작시키고, 그 다음으로 주사 IC(7)에 기입 동작시킨다. 한편, 본 실시예에서는, 부분 점등율이 같으면, 배치적으로 보아, 보다 상부의 주사 전극(22)에 접속된 주사 IC부터 먼저 기입 동작시키는 것으로 한다. 그 때문에, 주사 IC(7) 이후의 기입 동작의 순서는, 주사 IC(1), 주사 IC(2), 주사 IC(3), 주사 IC(4), 주사 IC(5), 주사 IC(6), 주사 IC(8), 주사 IC(9), 주사 IC(11)으로 되고, 기입 동작은, 영역(12), 영역(10), 영역(7), 영역(1), 영역(2), 영역(3), 영역(4), 영역(5), 영역(6), 영역(8), 영역(9), 영역(11)의 순서로 실시된다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 부분 점등율이 높은 영역에 접속된 주사 IC부터 먼저 기입 동작시키는 것으로, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입을 행하여, 안정한 기입 방전을 실현하고 있다. 이것은, 다음과 같은 이유에 의한다.
도 8은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC의 기입 동작의 순서와 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)과의 관계를 나타내는 특성도이다. 도 8에 있어서, 세로축은 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)을 나타내며, 횡축은 주사 IC의 기입 동작의 순서를 나타낸다. 한편, 이 실험은, 1 화면을 16의 영역으로 나누고, 주사 펄스 발생 회로(50)에 16개의 주사 IC를 구비하여 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)을 구동하는 구성으로 하여 실시했다. 그리고, 주사 IC의 기입 동작의 순서에 의해서, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)이 어떻게 변화되는지를 측정했다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 주사 IC의 기입 동작의 순서에 따라 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)도 변화된다. 그리고, 기입 동작의 순서가 늦은 주사 IC일수록 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은 커진다. 예컨대, 최초에 기입 동작시키는 주사 IC에서는, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은 약 80(V)이지만, 최후(여기서는, 16번째)에 기입 동작시키는 주사 IC에서는, 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은 약 150(V)으로 되어, 약 70(V)만큼 커졌다.
이것은, 초기화 기간에 형성된 벽전하가, 시간의 경과와 함께 서서히 감소하기 때문인 것으로 생각된다. 또한, 기입 펄스 전압(Vd)은, 기입 기간 중(표시 화상에 따라) 각 데이터 전극(32)에 인가되기 때문에, 기입 동작이 행하여지고 있지 않은 방전 셀에도 기입 펄스 전압(Vd)은 인가된다. 이러한 전압 변화에 의해서도 벽전하는 감소하기 때문에, 기입 기간의 종반에 기입이 실시되는 방전 셀에서는, 더욱 벽전하가 감소한다고 생각된다.
도 9는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 부분 점등율과 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)과의 관계를 나타내는 특성도이다. 도 9에 있어서, 세로축은 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)을 나타내며, 횡축은 부분 점등율을 나타낸다. 한편, 이 실험에서는, 도 8에 있어서의 측정과 마찬가지로 1화면을 16의 영역으로 나누고, 그 중의 하나의 영역에서, 점등 셀의 비율을 바꾸면서, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)이 어떻게 변화되는지를 측정했다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 점등 셀의 비율에 따라 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)도 변화된다. 그리고, 점등율이 높아질수록 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은 커진다. 예컨대, 점등율 10%에서는 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은 약 118(V)이지만, 점등율 100%에서는 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은 약 149(V)로 되어, 약 31(V)만큼 커진다.
이것은, 점등 셀이 증가하여 점등율이 오르면 방전 전류가 증가하고, 주사 펄스 전압(진폭)의 전압 강하가 커지기 때문인 것으로 생각된다. 또한, 패널(10)의 대화면화에 의해, 주사 전극(22)의 길이가 길게 되는 등과 같이 구동 부하가 증대하면, 전압 강하는 더욱 커진다.
이와 같이, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은, 주사 IC의 기입 동작의 순서가 늦어질수록, 즉 초기화 동작으로부터 기입 동작까지의 경과 시간이 길게 될수록 커지고, 또한, 점등율이 높아질수록 커진다. 따라서, 주사 IC의 기입 동작의 순서가 늦고, 또한 그 주사 IC가 접속된 영역의 부분 점등율이 높은 경우에는, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)은 더욱 커진다.
그러나, 마찬가지로 부분 점등율이 높은 영역이더라도, 그 영역에 접속된 주사 IC의 기입 동작의 순서를 빠르게 하면, 그 영역에 접속된 주사 IC의 기입 동작의 순서가 늦은 때보다도, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)을 저감할 수 있다.
그래서, 본 실시예에서는, 영역마다 부분 점등율을 검출하고, 부분 점등율이 높은 영역에 접속된 주사 IC부터 먼저 기입 동작시키는 구성으로 한다. 이것에 의해, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 할 수 있기 때문에, 부분 점등율이 높은 영역에서의 기입 동작을, 부분 점등율이 낮은 영역에서의 기입 동작보다도, 초기화 동작으로부터 기입 동작까지의 경과 시간을 짧게 하여 행하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)이 증대하는 것을 방지하여 안정한 기입 방전을 발생시킬 수 있다. 본 발명자가 행한 실험에서는, 본 실시예에 있어서의 구성으로 함으로써, 표시 화상에 따르면서도, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)을 약 20(V) 저감할 수 있는 것이 확인되었다.
다음으로, 도 5에 나타낸 주사 IC에의 동작 개시 신호인 SID(여기서는, SID(1) ~ SID(12))를 발생시키는 회로의 일례를 도면을 이용하여 설명한다.
도 10은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 회로(60)의 일 구성예를 나타내는 회로 블록도이다. 타이밍 발생 회로(45)는, SID(여기서는, SID(1) ~ SID(12))를 발생시키는 주사 IC 전환 회로(60)를 갖는다. 한편, 여기에는 도시하지 않고 있지만, 각 주사 IC 전환 회로(60)에는 각 회로의 동작 타이밍의 기준으로 되는 클록 신호(CK)가 입력되어 있다.
주사 IC 전환 회로(60)는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 발생시키는 SID의 수와 동수(여기서는, 12개)의 SID 발생 회로(61)를 구비하고, 각 SID 발생 회로(61)에는, 점등율 비교 회로(48)에 있어서의 비교 결과에 의거하여 발생시키는 전환 신호(SR), 기입 기간에 있어서의 주사 IC 선택 기간에 발생시키는 선택 신호(CH), 주사 IC의 기입 동작 개시시에 발생시키는 스타트 신호(ST)가 각각 입력된다. 그리고, 각 SID 발생 회로(61)는, 입력된 각 신호에 의거하여 SID를 출력한다. 한편, 각 신호는 타이밍 발생 회로(45)에서 생성되지만, 선택 신호(CH)에 대해서는, 각 SID 발생 회로(61)에 있어서 소정 시간만큼 지연된 선택 신호(CH)를 다음 단의 SID 발생 회로(61)에서 이용하는 것으로 한다. 예컨대, 최초의 SID 발생 회로(61)에 입력하는 선택 신호(CH(1))를 그 SID 발생 회로(61)에서 소정 시간 지연하여 선택 신호(CH(2))로 하고, 이 선택 신호(CH(2))를 다음 단의 SID 발생 회로(61)에 입력하는 것으로 한다. 따라서, 각 SID 발생 회로(61)에 있어서는, 전환 신호(SR) 및 스타트 신호(ST)는 동일 타이밍에 입력되지만, 선택 신호(CH)는 모두 다른 타이밍에 입력된다.
도 11은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 SID 발생 회로(61)의 일 구성예를 나타내는 회로도이다. SID 발생 회로(61)는, 플립 플롭 회로(이하, 「FF」로 약기한다)(62), 지연 회로(63), AND 게이트(64)를 갖는다.
FF(62)는, 일반적으로 알려진 플립 플롭 회로와 같은 구성, 동작이며, 클록 입력 단자(CKIN), 데이터 입력 단자(DIN), 데이터 출력 단자(DOUT)를 갖는다. 그리고, 클록 입력 단자(CKIN)에 입력되는 신호(여기서는, 전환 신호(SR))의 상승시(Lo로부터 Hi로의 변화시)에 있어서의 데이터 입력 단자(DIN)(여기서는, 선택 신호(CH)를 입력)의 상태(Lo 또는 Hi)를 유지하고, 이 상태를 반전한 것을, 데이터 출력 단자(DOUT)로부터 게이트 신호(G)로서 출력한다.
AND 게이트(64)는, FF(62)로부터 출력되는 게이트 신호(G)를 한쪽의 입력 단자에, 스타트 신호(ST)를 다른쪽의 입력 단자에 입력하고, 2개의 신호의 논리적 연산을 행하여 출력한다. 즉, 게이트 신호(G)가 Hi이고 또한 스타트 신호(ST)가 Hi일 때만 Hi를 출력하고, 그 이외는 Lo를 출력한다. 그리고, 이 AND 게이트(64)의 출력이 SID로 된다.
지연 회로(63)는, 일반적으로 알려진 지연 회로와 마찬가지의 구성, 동작이며, 클록 입력 단자(CKIN), 데이터 입력 단자(DIN), 데이터 출력 단자(DOUT)를 갖는다. 그리고, 데이터 입력 단자(DIN)에 입력되는 신호(여기서는, 선택 신호(CH))를, 클록 입력 단자(CKIN)에 입력되는 클록 신호(CK)의 소정의 주기분(여기서는, 1주기분)만큼 지연시켜 데이터 출력 단자(DOUT)로부터 출력한다. 이 출력이 다음 단의 SID 발생 회로(61)에 이용하는 선택 신호(CH)로 된다.
이들의 동작을 타이밍도를 이용하여 설명한다. 도 12는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 회로(60)의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 여기서는, 주사 IC(3)의 다음에 주사 IC(2)에 기입 동작시킬 때의, 주사 IC 전환 회로(60)의 동작을 예로 들어 설명을 행한다. 한편, 여기에 나타내는 각 신호는, 점등율 비교 회로(48)로부터의 비교 결과에 의거하여, 타이밍 발생 회로(45) 내에서, 그 발생 타이밍을 결정하여 발생시키는 것으로 한다.
한편, 본 실시예에서는, 기입 기간 내에 마련한 주사 IC 선택 기간에 있어서, 다음으로 기입 동작시키는 주사 IC를 결정하는 것으로 한다. 단, 최초에 기입 동작시키는 주사 IC를 결정하기 위한 주사 IC 선택 기간은 기입 기간의 직전에 마련하는 것으로 한다. 그리고, 기입 동작중의 주사 IC의 기입 동작이 종료하기 직전에, 다음으로 기입 동작시키는 주사 IC를 결정하기 위한 주사 IC 선택 기간을 마련하는 것으로 한다.
주사 IC 선택 기간에서는, 우선, 선택 신호(CH(1))가 SID(1)를 발생시키기 위한 SID 발생 회로(61)에 입력된다. 이 선택 신호(CH(1))는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 보통은 Hi이며, 클록 신호(CK1) 주기분만 Lo로 되는 음극성의 펄스 파형이다. 그리고, 선택 신호(CH(1))는, SID 발생 회로(61)에 있어서 클록 신호(CK1) 주기분만큼 지연되고, 선택 신호(CH(2))로 되어 SID(2)를 발생시키기 위한 SID 발생 회로(61)에 입력된다. 이후, 클록 신호(CK1) 주기분만큼 지연된 선택 신호(CH(3)) ~ 선택 신호(CH(12))가 각 SID 발생 회로(61)에 각각 입력된다.
전환 신호(SR)는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 보통은 Lo이며, 클록 신호(CK1) 주기분만 Hi로 되는 양극성의 펄스 파형이다. 그리고, 클록 신호(CK1) 주기분만큼 지연된 선택 신호(CH(1)) ~ 선택 신호(CH(12)) 중, 다음으로 기입 동작시키는 주사 IC를 선택하기 위한 선택 신호(CH)가 Lo로 된 타이밍에, 양극성의 펄스를 발생시킨다. 이것에 의해, FF(62)에서는, 클록 입력 단자(CKIN)에 입력되는 전환 신호(SR)의 상승시에 있어서의 선택 신호(CH)의 상태를 반전시킨 것이 게이트 신호(G)로서 출력된다.
예컨대, 주사 IC(2)를 선택하는 경우에는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 선택 신호(CH(2))가 Lo로 된 시점에서 전환 신호(SR)에 양극성의 펄스를 발생시킨다. 이때, 선택 신호(CH(2))를 제외한 선택 신호(CH)는 Hi이기 때문에, 게이트 신호(G(2))만이 Hi로 되고 그 이외의 게이트 신호(G)는 Lo로 된다. 한편, 여기서는, 게이트 신호(G(3))가 이 타이밍에 Hi로부터 Lo로 변화된다.
한편, 전환 신호(SR)는, 클록 신호(CK)의 하강에 동기하여 상태가 변화되도록 발생시키더라도 좋다. 이렇게 함으로써, 선택 신호(CH)의 상태 변화에 대하여 클록 신호(CK) 반주기분의 시간적인 오차를 마련할 수 있어, FF(62)에 있어서의 동작을 확실하게 할 수 있다.
그리고, 주사 IC의 기입 동작을 개시하는 타이밍에, 스타트 신호(ST)에 클록 신호(CK1) 주기분만 Hi로 되는 양극성의 펄스를 발생시킨다. 스타트 신호(ST)는 각 SID 발생 회로(61)에 공통으로 입력되지만, 게이트 신호(G)가 Hi로 되어 있는 AND 게이트(64)만이 양극성의 펄스를 출력할 수 있다. 이것에 의해, 다음으로 기입 동작시키는 주사 IC를 임의로 결정할 수 있다. 여기서는, 게이트 신호(G(2))가 Hi이기 때문에, SID(2)에 양극성의 펄스가 발생하고, 주사 IC(2)가 기입 동작을 개시한다.
이상으로 나타낸 회로 구성에 의해 SID를 발생시킬 수 있으나, 여기에 나타낸 회로 구성은 단순한 일례에 불과하며, 본 발명은 결코 여기에 나타낸 회로 구성에 한정되는 것은 아니다. 주사 IC에 기입 동작의 개시를 지시하는 SID를 발생할 수 있는 구성이면, 어떠한 회로 구성이더라도 좋다.
도 13은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 회로의 다른 구성예를 나타내는 회로도이며, 도 14는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 주사 IC 전환 동작의 다른 일례를 설명하기 위한 타이밍도이다.
예컨대, 도 13에 나타낸 바와 같이, 스타트 신호(ST)를 FF(65)에서 클록 신호(CK1) 주기분만큼 지연시켜, 스타트 신호(ST)와, FF(65)에서 클록 신호(CK1) 주기분만큼 지연시킨 스타트 신호(ST)를 AND 게이트(66)에서 논리적 연산하도록 구성할 수도 있다. 이때, FF(65)의 클록 입력 단자(CKIN)에는, 클록 신호(CK)를 논리 반전기(INV)를 이용하여 극성을 반대로 한 클록 신호(CK)를 입력하도록 구성하는 것이 바람직하다. 이 구성에서는, 스타트 신호(ST)에 클록 신호(CK2) 주기분만 Hi로 되는 양극성의 펄스가 발생한 경우에, AND 게이트(66)로부터 클록 신호(CK1) 주기분만 Hi로 되는 양극성의 펄스가 출력된다. 그러나, 스타트 신호(ST)에 클록 신호(CK1) 주기분만 Hi로 되는 양극성의 펄스가 발생하더라도, AND 게이트(66)로부터는 Lo 밖에 출력되지 않는다.
따라서, 도 14에 나타낸 바와 같이, 전환 신호(SR) 대신에, 스타트 신호(ST)에 클록 신호(CK2) 주기분만 Hi로 되는 양극성의 펄스를 발생시키면, AND 게이트(66)로부터 출력되는 양극성의 펄스를 전환 신호(SR)의 대체 신호로서 사용할 수 있다. 즉, 이 구성에서는, 스타트 신호(ST)에, 원래의 스타트 신호(ST)로서의 기능과, 전환 신호(SR)로서의 기능을 갖도록 할 수 있기 때문에, 전환 신호(SR)를 삭감하면서 상술한 것과 마찬가지의 동작을 행할 수 있다.
이상 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 패널(10)의 표시 영역을 복수의 영역으로 나누고, 각각의 영역에서의 부분 점등율을 부분 점등율 검출 회로(47)에서 검출하고, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행하는 구성으로 한다. 이것에 의해, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해서 필요한 주사 펄스 전압(진폭)이 증대하는 것을 방지하여, 안정한 기입 방전을 발생시키는 것이 가능해 진다.
한편, 본 실시예에서는, 하나의 주사 IC에 접속된 주사 전극(22)에 의거하여 각 영역을 설정하는 구성을 설명했지만, 본 발명은 결코 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 그 밖의 구분으로 각 영역을 설정하는 구성이더라도 좋다. 예컨대, 주사 전극(22)의 주사 순서를 1개씩 임의로 변경할 수 있도록 한 구성이면, 1개의 주사 전극(22)을 하나의 영역으로 하여 주사 전극(22)마다 부분 점등율을 검출하여, 그 검출 결과에 따라, 주사 전극(22)마다 기입 동작의 순서를 변경하는 구성이더라도 좋다.
한편, 본 실시예에서는, 각각의 영역에서의 부분 점등율을 검출하고, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행하는 구성을 설명했지만, 본 발명은, 결코 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 한 쌍의 표시 전극쌍(24)에 있어서의 점등율을 라인 점등율로서 각 표시 전극쌍(24)마다 검출함과 아울러, 각 영역마다 가장 높은 라인 점등율을 피크 점등율로서 검출하여, 피크 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입을 행하는 구성으로 하여도 좋다.
한편, 주사 IC 전환 회로(60)의 동작을 설명할 때에 나타낸 각 신호의 극성은, 단순한 일례를 나타낸 것에 불과하며, 설명에서 나타낸 극성과는 반대의 극성이더라도 상관없다.
(실시예 2)
본 실시예에서는, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 이상인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 이상인 서브필드에 있어서는, 실시예 1에서 설명한 바와 같이, 부분 점등율 검출 회로에서의 검출 결과에 의거하여 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입이 실시되도록 주사 IC를 순차적으로 전환 동작시킨다. 또한, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 미만인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 미만인 서브필드에 있어서는, 미리 정한 순서로 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 주사 펄스 전압(Va)을 인가하여 기입을 행한다. 예컨대, 주사 전극(SC1)으로부터 주사 전극(SCn)까지 순서대로 주사 펄스 전압(Va)을 인가하도록 주사 IC를 동작시킨다. 이것에 의해, 기입 방전을 더욱 안정화하여, 화상 표시 품질을 더욱 향상시키는 것을 실현하고 있다.
여기서, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 미만인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 미만인 서브필드에 있어서는, 미리 정한 순서로 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 주사 펄스 전압(Va)을 인가하여 기입을 행하는 이유에 대하여 설명한다.
각 서브필드에 있어서의 발광 휘도는 다음 식으로 표현된다.
(서브필드의 발광 휘도) = (그 서브필드의 유지 기간에 발생하는 유지 방전에 의한 발광 휘도) + (그 서브필드의 기입 기간에 발생하는 기입 방전에 의한 발광 휘도)
그러나, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 높은 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 큰 서브필드(이하, 「고 서브필드」라 한다)에서는, 유지 방전에 의한 발광 휘도가, 기입 방전에 의한 발광 휘도보다도 매우 크기 때문에, 실질적으로, 다음 식으로 나타낼 수 있다.
(서브필드의 발광 휘도) = (그 서브필드의 유지 기간에 발생하는 유지 방전에 의한 발광 휘도)
한편, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 작은 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 적은 서브필드(이하, 「저 서브필드」라 한다)에서는, 유지 방전에 의한 발광 휘도가 작게 되기 때문에, 기입 방전에 의한 발광 휘도가 상대적으로 커진다. 그 때문에, 예컨대 기입 방전의 방전 강도가 변화되어 기입 방전에 의한 발광 휘도가 변화되면, 그 영향을 받아, 서브필드의 발광 휘도가 변화될 우려가 있다.
또한, 기입 방전의 방전 강도는 기입의 순서에 따라 변화하는 것이다. 이것은, 초기화 동작으로부터의 경과 시간에 따라 벽전하가 감소하기 때문이고, 기입의 순서가 빠른 방전 셀에서는 기입 방전의 방전 강도가 비교적 강하여, 기입 방전에 의한 발광 휘도도 비교적 높지만, 기입의 순서가 늦은 방전 셀에서는, 기입의 순서가 빠른 방전 셀과 비교하여 기입 방전의 방전 강도는 약해, 기입 방전에 의한 발광 휘도도 낮게 된다.
따라서, 저 서브필드에서는, 기입의 순서가 늦은 방전 셀만 서브필드의 발광 휘도가 낮게 된다고 생각된다. 이 발광 휘도의 변화는 미약하기 때문에, 알기 어렵지만, 점등 셀의 분포 패턴에 따라서는 알기 쉽게 되는 것도 있다.
도 15는, 소정의 화상을 부분 점등율에 따른 순서로 기입 동작하여 표시했을 때의 저 서브필드(예컨대, 제 1 SF)의 발광 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다. 한편, 도 15에 있어서, 흑색(해칭된 영역)으로 나타낸 부분은 비점등 셀을 나타내며, 백색(해칭이 없는 영역)으로 나타낸 부분은 점등 셀을 나타내는 것으로 한다.
한편, 이 표시 화상은, 부분 점등율이 가장 높은 영역이 영역(1)(주사 IC(1)에 접속된 영역)이며, 다음으로 부분 점등율이 높은 영역은 영역(3)(주사 IC(3)에 접속된 영역)이며, 이하, 부분 점등율은, 영역(5), 영역(7), 영역(9), 영역(11), 영역(2), 영역(4), 영역(6), 영역(8), 영역(10), 영역(12)의 순서로 작게 되는 것으로 한다.
그리고, 이 화상 패턴을 부분 점등율에 따라 주사하면, 영역(1), 영역(3), 영역(5), 영역(7), 영역(9), 영역(11), 영역(2), 영역(4), 영역(6), 영역(8), 영역(10), 영역(12)의 순서로 기입이 이루어진다. 그 때문에, 기입의 순서가 빠른 영역 사이에 기입의 순서가 늦은 영역이 들어가 버린다. 예컨대, 최초에 기입이 이루어지는 영역(1)과 2번째로 기입이 이루어지는 영역(3) 사이에, 7번째로 기입이 이루어지는 영역(2)이 들어가고, 2번째로 기입이 이루어지는 영역(3)과 3번째로 기입이 이루어지는 영역(5) 사이에, 8번째로 기입이 이루어지는 영역(4)이 들어갈 수 있다.
상술한 바와 같이, 저 서브필드에 있어서의 발광 휘도는 기입의 순서에 따라 서서히 저하하지만, 그 발광 휘도의 변화는 미약하여, 알기 어렵다. 그러나, 도 15에 나타낸 바와 같이, 기입의 순서가 빠른 영역 사이에 기입의 순서가 늦은 영역이 들어가 버리면, 발광 휘도가 불연속적으로 변화되는 영역이 발생해 버린다. 발광 휘도의 변화가 미약하더라도 그 변화가 불연속적으로 발생하면, 그 휘도 변화는 알기 쉽고, 예컨대 띠 상태의 노이즈로서 인식될 우려가 있다.
그래서, 본 실시예에서는, 기입 방전에 의한 발광 휘도의 변화가 알기 쉬운, 유지 방전에 의한 발광 휘도가 작은 서브필드에서는, 미리 정한 순서로 기입 동작을 행하는 것으로 한다.
도 16은 도 15에 나타낸 표시 화상과 마찬가지의 화상을 패널(10) 상단의 주사 전극(22)(주사 전극(SC1))으로부터 패널(10) 하단의 주사 전극(22)(주사 전극(SCn))을 향하여 순서대로 기입 동작을 행하여 표시했을 때의 저 서브필드(예컨대, 제 1 SF)에 있어서의 발광 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
예컨대, 도 16에 나타낸 바와 같이, 패널(10) 상단의 주사 전극(22)(주사 전극(SC1))으로부터 패널(10) 하단의 주사 전극(22)(주사 전극(SCn))을 향하여 순서대로 기입 동작을 행하면, 점등 셀의 발광 휘도는 패널(10) 상단으로부터 패널(10) 하단을 향하여 서서히 저하하기 때문에, 패널(10)의 화상 표시면에서 불연속적인 휘도 변화는 발생하지 않고, 휘도 변화를 평활하게 할 수 있다. 기입 방전에 의거하는 휘도 변화는 미약하기 때문에, 휘도 변화가 평활하게 되도록 하는 순서로 기입 동작하면, 그 휘도 변화를 알기 어렵게 할 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 기입 방전에 의한 발광 휘도의 변화가 알기 쉬운, 유지 방전에 의한 발광 휘도가 작은 서브필드에서는, 미리 정한 순서로 기입 동작을 행하는 구성으로 한다. 이것에 의해, 패널(10)의 화상 표시면에서의 기입 방전에 의거하는 휘도 변화를 평활하게 하여, 화상 표시 품질을 더욱 높일 수 있다.
한편, 본 실시예에서는, 상술한 소정의 비율을, 예컨대 1%로 설정할 수 있다. 이 경우, 예컨대 1 필드를 8개의 서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, … , 제 8 SF)로 구성하고, 각 서브필드의 휘도 가중을 각각 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128로 하는 구성에서는, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 1% 미만으로 되는 서브필드인 제 1 SF 및 제 2 SF에서는, 미리 정한 순서로 기입 동작을 행하고, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 1% 이상으로 되는 서브필드인 제 3 SF ~ 제 8 SF에서는, 부분 점등율 검출 회로(47)에서 검출된 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행한다.
또한, 본 실시예에서는, 상술한 소정의 수를, 예컨대 6으로 설정할 수 있다. 이 경우, 예컨대 1 필드를 8개의 서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, … , 제 8 SF)로 구성하고, 각 서브필드의 휘도 가중을 각각 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128로 함과 아울러 휘도 배율을 4로 하는 구성에서는, 각 서브필드의 유지 기간에 발생시키는 유지 펄스의 수는 각 휘도 가중을 4배로 한 수로 되기 때문에, 유지 펄스의 발생수가 6 미만으로 되는 서브필드인 제 1 SF에서는, 미리 정한 순서로 기입 동작을 행하고, 유지 펄스의 발생수가 6 이상으로 되는 서브필드인 제 2 SF ~ 제 8 SF에서는, 부분 점등율 검출 회로(47)에서 검출된 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행한다.
도 17은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도이다.
플라즈마 디스플레이 장치(2)는, 패널(10), 화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(46), 부분 점등율 검출 회로(47), 점등율 비교 회로(48), 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 한편, 실시예 1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치(1)와 마찬가지의 구성 및 마찬가지의 동작을 행하는 블록에 대해서는 동일 부호를 붙여, 설명을 생략한다.
타이밍 발생 회로(46)는, 수평 동기 신호(H), 수직 동기 신호(V) 및 점등율 비교 회로(48)로부터의 출력에 의거하여 각 회로 블록의 동작을 제어하는 각종 타이밍 신호를 발생하여, 각각의 회로 블록에 공급한다. 그리고, 본 실시예에 있어서의 타이밍 발생 회로(46)는, 현재의 서브필드가, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율(예컨대, 1%) 이상인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수(예컨대, 6) 이상인 서브필드인지 아닌지를 판단한다. 그리고, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 이상인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 이상인 서브필드에 있어서는, 실시예 1에서 설명한 바와 같이, 부분 점등율 검출 회로에서의 검출 결과에 의거하여 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입이 실시되도록 각 타이밍 신호를 발생시킨다. 또한, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 미만인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 미만인 서브필드에 있어서는, 미리 정한 순서로 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 주사 펄스 전압(Va)을 인가하도록 각 타이밍 신호를 발생시킨다.
이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 이상인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 이상인 서브필드에 있어서는, 실시예 1에 나타낸 바와 같이, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행한다. 또한, 기입 방전에 의한 발광 휘도의 변화가 알기 쉬운, 유지 방전에 의한 발광 휘도가 작은 서브필드, 즉, 1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 미만인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 미만인 서브필드에 있어서는, 미리 정한 순서로 기입 동작을 행하는 구성으로 한다. 이것에 의해, 패널(10)의 화상 표시면에서의 기입 방전에 의거하는 휘도 변화를 평활하게 하여, 화상 표시 품질을 더욱 높이는 것이 가능해진다.
한편, 본 실시예에서는, 저 서브필드에 있어서 주사 전극(22)을 미리 정한 순서로 주사하는 구성의 일례로서, 패널(10) 상단의 주사 전극(22)(주사 전극(SC1))으로부터 패널(10)의 하단의 주사 전극(22)(주사 전극(SCn))을 향하여 순서대로 기입 동작을 행하는 구성을 설명했지만, 본 발명은 결코 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 패널(10)의 하단의 주사 전극(22)(주사 전극(SCn))으로부터 패널(10)의 상단의 주사 전극(22)(주사 전극(SC1))을 향하여 순서대로 기입 동작을 행하는 구성이나, 표시 영역을 2 분할하고, 패널(10)의 상단 및 패널(10)의 하단의 각 주사 전극(22)(주사 전극(SC1), 주사 전극(SCn))으로부터 패널(10) 중앙의 주사 전극(22)(주사 전극(SCn/2))을 향하여 기입 동작을 행하는 구성 등이더라도 좋다. 본 발명에 있어서의 「미리 정한 순서로 행하는 기입 동작」은, 패널(10)의 화상 표시면에서의 기입 방전에 의거하는 휘도 변화를 평활하게 할 수 있는 기입 동작이면, 어떠한 순서의 기입 동작이더라도 상관없다.
한편, 본 실시예에서는, 「1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 이상인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 이상인 서브필드」와, 「1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 미만인 서브필드, 또는 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 미만인 서브필드」에서 기입 동작을 바꾸는 구성을 설명했다. 그러나, 예컨대, 어떤 화상 표시 모드에서는, 「1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 이상인 서브필드」와 「1 필드를 차지하는 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 미만인 서브필드」에서 기입 동작을 바꾸고, 다른 화상 표시 모드에서는, 「유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 이상인 서브필드」와 「유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 미만인 서브필드」에서 기입 동작을 바꾸도록 구성할 수도 있다. 또는, 화상 표시 모드 대신에, 휘도 배율의 크기에 의거하여 이들의 전환을 행하는 구성이더라도 좋다. 이 경우, 예컨대, 표시 화상의 평균 휘도 레벨에 의거하여 휘도 배율의 크기를 바꾸도록 구성된 플라즈마 디스플레이 장치에서는, 이들의 전환을 표시 화상의 평균 휘도 레벨에 의거하여 적응적으로 전환하는 것도 가능해진다.
(실시예 3)
본 발명은, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)을 제 1 주사 전극군과 제 2 주사 전극군으로 분할하고, 기입 기간을, 제 1 주사 전극군에 속하는 주사 전극(22)의 각각에 주사 펄스를 인가하는 제 1 기입 기간과, 제 2 주사 전극군에 속하는 주사 전극(22)의 각각에 주사 펄스를 인가하는 제 2 기입 기간으로 구성함과 아울러, 제 1 기입 기간과 제 2 기입 기간 사이에 2회째의 초기화 동작을 행하는 2상(相) 구동에 의한 패널의 구동 방법에도 적용시킬 수 있어, 상술한 것과 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
도 18은 본 발명의 실시예 3에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다. 또한, 도 19는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 소정의 화상을 2상 구동으로 표시할 때의 부분 점등율에 따른 주사 순서의 일례(주사 IC의 기입 동작의 순서의 일례)를 나타내는 개략도이다. 한편, 도 19에 있어서, 사선으로 나타낸 영역은 비점등 셀이 분포되는 영역을 나타내며, 사선이 없는 음영 영역은 점등 셀이 분포되는 영역을 나타낸다. 또한, 도 19에는 각 영역을 알기 쉽게 나타내기 위해서, 영역 사이의 경계를 파선으로 나타낸다.
본 실시예에서는, 도 19에 나타낸 바와 같이, 주사 IC(1)에 접속된 영역(1)(이하, 주사 IC(n)에 접속된 영역을 「영역(n)」으로 나타냄)으로부터 영역(6)에 속하는 주사 전극(22)을 제 1 주사 전극군으로 하고, 영역(7)으로부터 영역(12)에 속하는 주사 전극(22)을 제 2 주사 전극군으로 한다. 그리고, 초기화 기간에 있어서의 1회째의 초기화 동작을 행한 후에 제 1 주사 전극군으로의 기입 동작을 행하고(제 1 기입 기간), 제 1 주사 전극군으로의 기입 동작이 종료한 후에 2회째의 초기화 동작을 행한다. 그리고, 2회째의 초기화 동작이 종료한 후에 제 2 주사 전극군으로의 기입 동작을 행하는 (제 2 기입 기간) 것으로 한다.
한편, 도 18에는, 주사 전극(SC1)과, 주사 전극(SCn/2)(예컨대, 주사 전극(SC540))과, SCn/2+1(예컨대, 주사 전극(SC541))과, 주사 전극(SCn)(예컨대, 주사 전극(SC1080))을 나타낸다. 그리고, 제 1 기입 기간의 최초에 주사 전극(SC1)에 기입 동작을 행하고, 제 1 기입 기간의 최후에 주사 전극(SCn/2)에 기입 동작을 행하고, 제 2 기입 기간의 최초에 주사 전극(SCn/2+1)에 기입 동작을 행하고, 제 2 기입 기간의 최후에 주사 전극(SCn)에 기입 동작을 행하는 예를 나타낸다. 또한, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn), 및 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)의 구동 전압 파형을 나타낸다.
우선, 도 18을 이용하여 2상 구동 동작시의 구동 전압 파형의 일례에 대하여 설명한다.
제 1 SF의 초기화 기간 전반부에서의 동작은, 도 3에 나타낸 구동 전압 파형의 제 1 SF의 초기화 기간 전반부에서의 동작과 마찬가지기 때문에, 설명을 생략한다.
초기화 기간 후반부에서는, 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에는 정(正)의 전압(Ve1)을 인가하고, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)에는 O(V)을 인가한다.
여기서, 1회째의 초기화 동작만을 행하는 방전 셀과, 2회째의 초기화 동작도 행하는 방전 셀에, 서로 다른 파형 형상의 초기화 파형을 인가한다. 구체적으로는, 최저 전압이 서로 다른 하강 램프 전압을 인가한다.
제 1 주사 전극군에는, 도 3에 나타낸 제 1 SF의 초기화 기간 후반부와 마찬가지의 하강 램프 전압(L2)을 인가한다. 이것에 의해, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn/2)과 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn/2) 사이, 및 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn/2)과 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm) 사이에서 초기화 방전이 일어나고, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn/2) 상부의 부(負)의 벽전압 및 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn/2) 상부의 정(正)의 벽전압이 약하게 되어, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm) 상부의 정(正)의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다.
제 2 주사 전극군에는, 전압(Vi3)으로부터 부(負)의 전압(Va + Vset5)을 향하여 완만하게 하강하는 하강 램프 전압(L5)을 인가한다. 이때, 전압(Vset5)을 전압(Vset2)(예컨대, 6(V))보다도 높은 전압(예컨대, 70(V))으로 설정한다.
이와 같이, 본 실시예에 있어서의 초기화 기간에서는, 하강 램프 전압(L2)이 전압(Va+ Vset2)까지 하강하는 데 비해, 하강 램프 전압(L5)은 전압(Va+ Vset2)보다도 높은 전압(Va+ Vset5)까지밖에 하강하지 않도록 한다. 이것에 의해, 하강 램프 전압(L5)을 인가하는 방전 셀에 있어서는, 초기화 방전에 의해서 이동하는 전하의 양이, 하강 램프 전압(L2)에 의해서 초기화 방전을 발생하는 방전 셀에 비교하여 적어진다. 그 때문에, 하강 램프 전압(L5)을 인가하는 방전 셀에는, 하강 램프 전압(L2)을 인가하는 방전 셀보다 많은 벽전하가 잔존한다.
계속되는 기입 기간에서는, 제 1 주사 전극군에 기입 동작을 행하는 제 1 기입 기간과, 제 2 주사 전극군에 기입 동작을 행하는 제 2 기입 기간으로 나눠 기입 동작을 행한다. 단, 기입 동작 그 자체는, 도 3의 기입 기간에 나타낸 기입 동작과 동일하다. 즉, 주사 전극(22)에 대해서는 주사 펄스 전압(Va)을 인가하고, 데이터 전극(32)에 대해서는 발광시켜야 되는 방전 셀에 대응하는 데이터 전극(Dk)(k= 1 ~ m)에 정(正)의 기입 펄스 전압(Vd)을 인가하여, 각 방전 셀에 선택적으로 기입 방전을 발생시킨다.
그리고, 본 실시예에서는, 제 1 기입 기간에 있어서의 제 1 주사 전극군(도 18에서는, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn/2)으로의 기입 동작이 종료한 후, 또한 계속되는 제 2 기입 기간의 기입 동작을 개시하기 전에, 하강 램프 전압(L5)보다도 최저 전압이 낮은 하강 램프 전압, 구체적으로는, 전압(Vc)으로부터 부(負)의 전압(Va+ Vset3)을 향하여 하강하는 하강 램프 전압(L6)을, 제 2 주사 전극군(도 18에서는, 주사 전극(SCn/2+1) ~ 주사 전극(SCn))에 인가한다.
상술한 바와 같이, 하강 램프 전압(L5)은 부(負)의 전압(Va+ Vset5)까지밖에 하강하고 있지 않고, 그 때문에, 하강 램프 전압(L5)을 인가한 방전 셀에는, 하강 램프 전압(L2)을 인가한 방전 셀보다 많은 벽전하가 잔존한다. 따라서, 전압(Vset3)(예컨대, 8(V))을 전압(Vset5)(예컨대, 70(V))보다도 충분히 작은 전압으로 설정하여, 하강 램프 전압(L6)을 하강 램프 전압(L5)보다도 충분히 낮은 전위까지 하강시킴으로써, 하강 램프 전압(L5)을 인가한 방전 셀에 2회째의 초기화 방전을 발생시킬 수 있다.
한편, 도 18에는, 제 2 주사 전극군에 하강 램프 전압(L6)을 인가하는 것과 동일한 타이밍에, 제 1 주사 전극군에도 하강 램프 전압(L6)을 인가하는 파형도를 기재하고 있다. 제 1 주사 전극군은, 이미 기입 동작이 끝나기 때문에, 하강 램프 전압(L6)을 인가할 필요는 없다. 그러나, 하강 램프 전압(L6)을 선택적으로 인가할 수 있도록 주사 전극 구동 회로를 구성하기 어려운 경우에는, 도 18에 나타낸 바와 같이, 하강 램프 전압(L6)을 제 1 주사 전극군에 인가하더라도 상관없다. 이것은, 하강 램프 전압(L2)을 인가하여 초기화 방전을 발생시킨 방전 셀에는, 하강 램프 전압(L2)의 최저 전압(Va + Vset2)보다도 높은 전압(Va+ Vset3)까지밖에 하강하지 않는 하강 램프 전압(L6)을 인가하더라도, 초기화 방전이 재차 발생하는 것은 아니기 때문이다.
그래서, 하강 램프 전압(L6)에 의한 2회째의 초기화 동작을 행한 후, 기입 동작이 행해지지 않은 제 2 주사 전극군에 대하여, 상술한 것과 마찬가지의 순서로 기입 동작을 행한다. 이상의 기입 동작이 모두 종료하여, 제 1 SF에서의 기입 기간이 종료한다.
한편, 주사 전극(22)에 하강 램프 전압(L6)을 인가하는 기간은, 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)에 기입 펄스는 인가하지 않는 것으로 한다.
계속되는 유지 기간에 있어서의 동작은, 도 3에 나타낸 구동 전압 파형의 유지 기간에 있어서의 동작과 마찬가지기 때문에, 설명을 생략한다.
제 2 SF의 초기화 기간에서는, 제 1 전극군에는, 도 3의 제 2 SF의 초기화 기간에 나타낸 초기화 파형과 마찬가지로, 방전 개시 전압 이하로 되는 전압(예컨대, 0(V))로부터 부(負)의 전압(Va+ Vset4)을 향하여 하강하는 하강 램프 전압(L4)을 인가한다. 제 2 주사 전극군에는, 방전 개시 전압 이하로 되는 전압(예컨대, 0(V))로부터 부(負)의 전압(Va+ Vset5)을 향하여 하강하는 하강 램프 전압(L7)을 인가한다.
제 2 SF의 기입 기간 및 유지 기간에 있어서의 동작은, 제 1 SF의 기입 기간 및 유지 기간과 마찬가지의 동작이기 때문에, 설명을 생략한다. 또한, 제 3 SF 이후의 서브필드에서는, 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn), 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn) 및 데이터 전극(D1) ~ 데이터 전극(Dm)에 대하여, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스수가 다른 것 이외는 제 2 SF와 마찬가지의 구동 전압 파형을 인가한다.
이상은, 2상 구동을 행할 때에 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형의 개요이다. 본 실시예에서는, 이 2상 구동에 의해서 패널을 구동할 때에, 다음과 같이 기입 동작을 행한다.
도 19에 나타내는 표시 화상에 있어서, 부분 점등율이 가장 높은 영역은 주사 IC(12)에 접속된 영역(12)이며, 이하, 부분 점등율은, 영역(11), 영역(10), 영역(9), 영역(8), 영역(7), 영역(6), 영역(5), 영역(4), 영역(3), 영역(2), 영역(1)의 순서로 작게 되는 것으로 한다. 그리고, 영역(1)으로부터 영역(6)에 속하는 주사 전극(22)을 제 1 주사 전극군으로 하고, 영역(7)으로부터 영역(12)에 속하는 주사 전극(22)을 제 2 주사 전극군으로 한다.
이러한 예에서는, 초기화 기간에 행하는 1회째의 초기화 동작 이후, 영역(1)으로부터 영역(6)의 6개의 영역을, 도 19의 주사 순서 1 ~ 6으로 나타낸 바와 같이, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저, 영역(6), 영역(5), 영역(4), 영역(3), 영역(2), 영역(1)의 순서로 기입 동작을 행한다. 그리고, 2회째의 초기화 동작 이후, 나머지의 영역(7)으로부터 영역(12)의 6개의 영역을, 도 19의 주사 순서 1' ~ 6'으로 나타낸 바와 같이, 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저, 영역(12), 영역(11), 영역(10), 영역(9), 영역(8), 영역(7)의 순서로 기입 동작을 행한다.
이와 같이, 2상 구동으로 패널(10)을 구동할 때에도, 실시예 1에 나타낸 바와 같이 부분 점등율이 높은 영역부터 먼저 기입 동작을 행함으로써, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압(진폭)이 증대하는 것을 방지하여, 안정한 기입 방전을 발생시키는 것이 가능해진다. 또한, 2상 구동 동작에서는, 기입 기간 도중에 2회째의 초기화 동작을 행하기 때문에, 초기화 동작으로부터 기입 동작까지의 시간을 단축하여, 더욱 안정하게 기입 동작을 행하는 것이 가능해진다.
한편, 본 발명에 있어서의 실시예는, 주사 전극(22)과 주사 전극(22)이 이웃하고, 유지 전극(23)과 유지 전극(23)이 이웃하는 전극 구조, 즉 전면판(21)에 마련되는 전극의 배열이, 「…, 주사 전극, 주사 전극, 유지 전극, 유지 전극, 주사 전극, 주사 전극,…」으로 되는 전극 구조의 패널에 있어서도, 유효하다.
한편, 본 발명의 실시예에서는, 소거 램프 전압(L3)을 주사 전극(SC1) ~ 주사 전극(SCn)에 인가하는 구성을 설명했지만, 소거 램프 전압(L3)을 유지 전극(SU1) ~ 유지 전극(SUn)에 인가하는 구성으로 할 수 있다. 또는, 소거 램프 전압(L3)이 아니라, 이른바 세폭(細幅) 소거 펄스에 의해 소거 방전을 발생시키는 구성으로 하여도 좋다.
한편, 본 발명의 실시예에서 나타낸 구체적인 수치는, 50인치, 표시 전극쌍(24)의 수가 1080 쌍인 패널(10)의 특성에 의거하여 설정한 것으로서, 단지 실시예에 있어서의 일례를 나타낸 것에 불과하다. 본 발명은 결코 이들의 수치에 한정되는 것은 아니며, 각 수치는 패널(10)의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 수단 등에 맞춰 적절히 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 이들의 각 수치는, 상술한 효과를 얻을 수 있는 범위에서의 오차를 허용하는 것으로 한다. 또한, 서브필드 수나 각 서브필드의 휘도 가중 등도 본 발명의 실시예에 나타낸 값으로 한정되는 것은 아니고, 또한, 화상 신호 등에 의거하여 서브필드 구성을 전환하는 구성이더라도 상관없다.
1, 2 : 플라즈마 디스플레이 장치 10 : 패널
21 : 전면판 22 : 주사 전극
23 : 유지 전극 24 : 표시 전극쌍
25, 33 : 유전체층 26 : 보호층
31 : 배면판 32 : 데이터 전극
34 : 격벽 35 : 형광체층
41 : 화상 신호 처리 회로 42 : 데이터 전극 구동 회로
43 : 주사 전극 구동 회로 44 : 유지 전극 구동 회로
45, 46 : 타이밍 발생 회로 47 : 부분 점등율 검출 회로
48 : 점등율 비교 회로 50 : 주사 펄스 발생 회로
51 : 초기화 파형 발생 회로 52 : 유지 펄스 발생 회로
60, 67 : 주사 IC 전환 회로 61 : SID 발생 회로
62, 65 : FF(플립 플롭 회로) 63 : 지연 회로
64, 66 : AND 게이트

Claims (7)

  1. 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1 필드 내에 복수 마련하고, 서브필드마다 휘도 가중을 설정함과 아울러 상기 유지 기간에 휘도 가중에 따른 수의 유지 펄스를 발생하여 계조 표시하는 서브필드법으로 구동하고, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과,
    상기 기입 기간에, 상기 주사 전극에 주사 펄스를 순차적으로 인가하여 기입 동작을 행하는 주사 전극 구동 회로와,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 표시 영역을 복수의 영역으로 나누고, 상기 영역의 각각에 있어, 방전 셀 수에 대한 점등시켜야 할 방전 셀 수의 비율을 부분 점등율로 하여 영역마다 또한 서브필드마다 검출하는 부분 점등율 검출 회로
    를 구비하되,
    상기 주사 전극 구동 회로는, 1 필드를 차지하는 상기 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 이상인 서브필드 또는 상기 유지 기간에 있어서의 상기 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 이상인 서브필드에 있어서는 상기 부분 점등율 검출 회로에서 검출된 상기 부분 점등율이 높은 상기 영역부터 먼저 상기 기입 동작을 행하고, 1 필드를 차지하는 상기 휘도 가중의 비율이 상기 소정의 비율 미만인 서브필드 또는 상기 유지 기간에 있어서의 상기 유지 펄스의 발생수가 상기 소정의 수 미만인 서브필드에 있어서는 미리 정한 순서로 상기 기입 동작을 행하는
    것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 부분 점등율 검출 회로는, 상기 표시 전극쌍마다 점등율을 검출함과 아울러 상기 영역에서의 상기 점등율의 최대값을 최대 점등율로 하여 상기 영역마다 검출하고
    상기 주사 전극 구동 회로는, 상기 최대 점등율이 높은 상기 영역부터 먼저 상기 기입 동작을 행하는
    것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 주사 전극 구동 회로는, 복수의 상기 주사 전극에 대하여 상기 기입 동작을 행할 수 있는 주사 IC를 복수개 갖고,
    상기 부분 점등율 검출 회로는, 하나의 상기 주사 IC에 접속된 복수의 상기 주사 전극으로 구성되는 영역을 하나의 상기 영역으로 하는
    것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 비율은 1%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 수는 6인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1 필드 내에 복수 마련하고, 서브필드마다 휘도 가중을 마련함과 아울러, 상기 기입 기간에 있어서는 상기 주사 전극에 주사 펄스를 순차적으로 인가하여 기입 동작을 행하고, 상기 유지 기간에 있어서는 휘도 가중에 따른 수의 유지 펄스를 발생하여 계조 표시하는 서브필드법으로 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 표시 영역을 복수의 영역으로 나누고, 상기 영역의 각각에 있어, 방전 셀 수에 대한 점등시켜야 할 방전 셀 수의 비율을 부분 점등율로 하여 영역마다 또한 서브필드마다 검출하고,
    1 필드를 차지하는 상기 휘도 가중의 비율이 소정의 비율 이상인 서브필드 또는 상기 유지 기간에 있어서의 상기 유지 펄스의 발생수가 소정의 수 이상인 서브필드에 있어서는 검출된 상기 부분 점등율이 높은 상기 영역부터 먼저 상기 기입 동작을 행하고, 1 필드를 차지하는 상기 휘도 가중의 비율이 상기 소정의 비율 미만인 서브필드 또는 상기 유지 기간에 있어서의 상기 유지 펄스의 발생수가 상기 소정의 수 미만인 서브필드에 있어서는 미리 정한 순서로 상기 기입 동작을 행하는
    것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
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