KR20130073970A - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

Abstract

플라즈마 디스플레이 장치에서, 표시 화상의 콘트라스트를 향상함과 아울러 안정하게 기입 방전을 발생한다. 그를 위해, 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 동작과, 직전의 서브필드에서 기입 방전을 발생한 방전 셀에 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 동작 중 어느 하나의 초기화 동작을 초기화 기간에 행한다. 그리고, 특정의 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고 다른 방전 셀에서는 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 특정 셀 초기화 서브필드를 1 필드 내에 마련한다. 그리고, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을 길게 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치{DRIVING METHOD FOR PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 교류 면 방전형의 플라즈마 디스플레이 패널을 이용한 화상 표시장치인 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」이라고 약기함)로서 대표적인 교류 면 방전형 패널은 대향 배치된 전면(前面) 기판과 배면(背面) 기판 사이에 다수의 방전 셀이 형성되어 있다. 전면 기판은 1쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 전면측의 유리 기판 상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되어 있다. 그리고, 그들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다.

배면 기판은, 배면측의 유리 기판 상에 복수의 평행한 데이터 전극이 형성되고, 그들 데이터 전극을 덮도록 유전체층이 형성되고, 또 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 형성되어 있다. 그리고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다.

그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 입체 교차하도록, 전면 기판과 배면 기판을 대향 배치하여 밀봉한다. 밀봉된 내부의 방전 공간에는, 예를 들면 분압비로 5%의 크세논을 포함하는 방전 가스를 봉입하고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 대향하는 부분에 방전 셀을 형성한다. 이러한 구성의 패널에서, 각 방전 셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생하고, 이 자외선으로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색 형광체를 여기 발광하여 컬러의 화상 표시를 행한다.

패널을 구동하는 방법으로서는 일반적으로 서브필드법이 이용되고 있다. 서브필드법에서는, 1 필드를 복수의 서브필드로 분할하고, 각각의 서브필드에서 각 방전 셀을 발광 또는 비발광으로 하는 것에 의해 계조 표시를 행한다. 각 서브필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 가진다.

초기화 기간에서는, 각 주사 전극에 초기화 파형을 인가하여, 각 방전 셀에서 초기화 방전을 발생하는 초기화 동작을 행한다. 이것에 의해, 각 방전 셀에서, 연속하는 기입 동작을 위해 필요한 벽전하를 형성함과 아울러, 기입 방전을 안정하게 발생하기 위한 프라이밍 입자(방전을 발생시키기 위한 여기 입자)를 발생한다.

초기화 동작에는, 강제 초기화 동작과 선택 초기화 동작이 있다. 강제 초기화 동작에서는, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 강제적으로 초기화 방전을 발생한다. 선택 초기화 동작에서는, 직전의 서브필드의 기입 기간에서 기입 방전을 발생한 방전 셀에만 선택적으로 초기화 방전을 발생한다.

기입 기간에서는, 주사 전극에 주사 펄스를 순차적으로 인가함과 아울러, 데이터 전극에는 표시해야 할 화상 신호에 근거하여 선택적으로 기입 펄스를 인가한다. 이것에 의해, 발광을 행해야 할 방전 셀의 주사 전극과 데이터 전극 사이에 기입 방전을 발생하여, 그 방전 셀 내에 벽전하를 형성한다(이하, 이러한 동작을 총칭하여 「기입」이라고도 기재함).

유지 기간에서는, 서브필드마다 정해진 휘도 가중치에 근거하는 수의 유지 펄스를 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에 교대로 인가한다. 이것에 의해, 기입 방전을 발생한 방전 셀에서 유지 방전을 발생하고, 그 방전 셀의 형광체층을 발광시킨다(이하, 방전 셀을 유지 방전에 의해 발광시키는 것을 「점등」, 발광시키지 않는 것을 「비점등」이라고도 기재함). 이것에 의해, 각 방전 셀을 휘도 가중치에 따른 휘도로 발광시킨다. 이렇게 해서, 패널의 각 방전 셀을 화상 신호의 계조값에 따른 휘도로 발광시키고, 패널의 화상 표시 영역에 화상을 표시한다.

유지 방전에 의한 형광체층의 발광은 계조 표시에 관계되는 발광이다. 한편, 초기화 기간의 강제 초기화 동작에 의한 발광은 계조 표시에 관계되지 않는 발광이다.

패널에 표시되는 화상의 품질을 높임에 있어 중요한 요인의 하나로 콘트라스트의 향상이 있다. 그리고, 서브필드법에 의한 패널의 구동 방법의 하나로서, 계조 표시에 관계되지 않는 발광을 극력 줄이고, 패널에 표시되는 화상의 콘트라스트를 향상시키는 구동 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).

이 구동 방법에서는, 1 필드를 구성하는 복수의 서브필드 중, 1개의 서브필드의 초기화 기간에서는 모든 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 동작을 행한다. 또한, 다른 서브필드의 초기화 기간에서는 선택 초기화 동작을 행한다.

또한, 강제 초기화 동작을 행할 때에는, 전압이 서서히 증가하는 완만한 경사 부분과, 전압이 서서히 감소하는 완만한 경사 부분을 가지는 경사 파형 전압을 주사 전극에 인가한다. 이것에 의해, 강제 초기화 동작을 행할 때에, 방전 셀에 강한 방전이 발생하여 강한 발광이 발생하는 것을 방지한다.

유지 방전을 발생하지 않는 흑(黑) 표시 영역의 휘도(이하, 「흑 휘도」라고 약기함)는 계조값의 크기에 관계없이 생기는 발광에 의해서 변화된다. 이 발광에는, 예를 들면, 강제 초기화 동작에 의해서 생기는 발광이 있다.

상술한 특허문헌 1에 기재된 구동 방법에서는, 강제 초기화 동작은 1 필드에 1회이고, 흑 표시 영역에서의 발광은 강제 초기화 동작을 행할 때의 미약 발광만으로 된다. 이것에 의해, 서브필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 경우와 비교하여, 패널에 표시되는 화상의 흑 휘도를 저감하고, 콘트라스트가 높은 화상을 패널에 표시하는 것이 가능해진다.

또한, 표시 전극쌍을 n분할하고, 강제 초기화 동작을 행하는 회수를 n필드에 1회로 함으로써, 계조 표시에 관계되지 않는 발광을 더 줄여 흑 휘도를 더 낮추고, 콘트라스트를 더 향상시키는 구동 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).

특허문헌 2에 기재의 구동 방법을 이용하면, 특허문헌 1에 기재된 구동 방법보다, 단위 시간(예를 들면, 1초간)당의 강제 초기화 동작의 회수를 저감하여, 흑 휘도를 더 낮출 수 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2000-242224호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2006-091295호 공보

그러나, 강제 초기화 동작에는, 연속하는 기입 기간에서 기입 방전을 발생하기 위해 필요한 벽전하를 방전 셀 내에 축적하는 기능이 있다. 또한, 방전 지연 시간을 짧게 하여 기입 방전을 확실히 발생시키기 위한 프라이밍 입자를 발생하는 기능도 있다. 이 방전 지연 시간이란, 방전 셀에 인가하는 전압이 방전 개시 전압을 초과하고 나서 실제로 방전이 발생할 때까지 필요로 하는 시간인 것이며, 방전 지연 시간이 길어질수록 방전의 발생은 불안정하게 된다.

따라서, 강제 초기화 동작의 발생 빈도를 저감하면, 기입 방전을 발생하기 위해 필요한 벽전하나 프라이밍 입자가 부족하고, 기입 방전의 방전 지연 시간이 길어져, 기입 동작이 불안정하게 되거나 혹은 기입 방전이 발생하지 않는 등의 동작 불량이 발생할 우려가 있다. 특히, 흑을 표시하는 방전 셀에서는 유지 방전이 발생하지 않기 때문에, 프라이밍 입자가 부족하기 쉬워, 기입 동작이 불안정하게 되기 쉽다. 그리고, 기입 동작이 불안정하게 되어, 발광해야 할 방전 셀에서 유지 방전이 발생하지 않게 되면, 정상적인 화상을 패널에 표시를 할 수 없게 된다.

최근에는, 패널의 대화면화, 고정밀화에 따라, 화상 표시 품질의 더 향상이 요구되고 있다.

본 발명은, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍과 데이터 전극을 가지는 방전 셀을 복수 구비한 패널에, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 가지는 서브필드를 1 필드 내에 복수 마련하여 계조를 표시하는 패널의 구동 방법이다. 이 구동 방법에서는, 초기화 기간에서, 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 동작과, 직전의 서브필드에서 기입 방전을 발생한 방전 셀에 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 동작의 어느 1개의 초기화 동작을 행한다. 그리고, 1 필드 내에는, 특정한 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고 다른 방전 셀에서는 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 특정 셀 초기화 서브필드와, 모든 방전 셀에서 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 선택 초기화 서브필드를 마련한다. 그리고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을 길게 한다.

이것에 의해, 패널에 표시되는 화상의 콘트라스트를 향상함과 아울러 안정하게 기입 방전을 발생하여, 플라즈마 디스플레이 장치에서의 화상 표시 품질을 향상할 수 있다.

또한, 이 구동 방법에서는, 시간적으로 연속한 복수의 필드에서 1개의 필드군을 구성함과 아울러, 배치적으로 연속한 복수의 주사 전극으로 1개의 주사 전극군을 구성하고, 주사 전극군을 구성하는 각 주사 전극에는, 1개의 필드군 중의 1개의 필드에서만 강제 초기화 동작을 위한 강제 초기화 파형을 인가하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을, 강제 초기화 동작을 행한 초기화 기간으로부터 시간적으로 떨어진 서브필드일수록 길게 하여도 좋다.

또한, 이 구동 방법에서는, 기입 기간에서, 기입 펄스의 펄스폭을 주사 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 설정하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 주사 펄스를 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 기입 펄스도 방전 셀에 인가하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 주사 펄스를 인가하여도 좋다.

또한, 이 구동 방법에서는, 기입 기간에서, 주사 펄스의 펄스폭을 기입 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 설정하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 기입 펄스를 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 주사 펄스도 방전 셀에 인가하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 기입 펄스를 인가하여도 좋다.

또한, 본 발명은, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍과 데이터 전극을 가지는 방전 셀을 복수 구비한 패널과, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 가지는 서브필드를 1 필드 내에 복수 마련하여 패널에 계조를 표시하는 구동 회로를 가지는 플라즈마 디스플레이 장치이다. 이 플라즈마 디스플레이 장치에서, 구동 회로는, 초기화 기간에서, 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 동작과, 직전의 서브필드에서 기입 방전을 발생한 방전 셀에 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 동작 중 어느 1개의 초기화 동작을 행한다. 그리고, 1 필드 내에는, 특정의 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고 다른 방전 셀에서는 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 특정 셀 초기화 서브필드와, 모든 방전 셀에서 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 선택 초기화 서브필드를 마련한다. 그리고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을 길게 한다.

이것에 의해, 패널에 표시되는 화상의 콘트라스트를 향상함과 아울러, 안정하게 기입 방전을 발생하고, 플라즈마 디스플레이 장치에서의 화상 표시 품질을 향상할 수 있다.

또한, 이 플라즈마 디스플레이 장치에서의 구동 회로를, 시간적으로 연속한 복수의 필드로 1개의 필드군을 구성함과 아울러, 배치적으로 연속한 복수의 주사 전극으로 1개의 주사 전극군을 구성하고, 주사 전극군을 구성하는 각 주사 전극에는, 1개의 필드군 중의 1개의 필드에서만 강제 초기화 동작을 위한 강제 초기화 파형을 인가하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을, 강제 초기화 동작을 행한 초기화 기간으로부터 시간적으로 떨어진 서브필드일수록 길게 하도록 구성하여도 좋다.

또한, 이 플라즈마 디스플레이 장치에서의 구동 회로를, 기입 기간에서, 기입 펄스의 펄스폭을 주사 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 하여 발생하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 주사 펄스를 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 기입 펄스도 방전 셀에 인가하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 주사 펄스를 인가하도록 구성하여도 좋다.

또한, 이 플라즈마 디스플레이 장치에서의 구동 회로를, 기입 기간에서, 주사 펄스의 펄스폭을 기입 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 하여 발생하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 기입 펄스를 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 주사 펄스도 방전 셀에 인가하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 기입 펄스를 인가하도록 구성하여도 좋다.

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 패널의 전극 배열도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 코딩 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 강제 초기화 동작과 선택 초기화 동작의 발생 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치를 구성하는 회로 블록의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 주사 전극 구동 회로의 일 구성예를 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 데이터 전극 구동 회로의 일 구성을 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간 및 기입 기간의 주사 전극 구동 회로의 동작의 일례를 설명하기 위한 타이밍차트이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 강제 초기화 동작과 선택 초기화 동작의 발생 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대해, 도면을 이용하여 설명한다.

(실시 형태 1)

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다.

유리제의 전면 기판(21) 상에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(24)이 복수 형성되어 있다. 그리고, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(25)이 형성되고, 그 유전체층(25) 상에 보호층(26)이 형성되어 있다.

이 보호층(26)은, 방전 셀에서의 방전 개시 전압을 낮추기 위해서, 패널의 재료로서 사용 실적이 있으며, 네온(Ne) 및 크세논(Xe) 가스를 봉입한 경우에 2차 전자 방출 계수가 커 내구성이 우수한 산화 마그네슘(MgO)을 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있다.

보호층(26)은, 1개의 층으로 구성되어 있어도 좋고, 혹은 복수의 층으로 구성되어 있어도 좋다. 또한, 층 위에 입자가 존재하는 구성이더라도 좋다.

배면 기판(31) 상에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되고, 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되고, 또 그 위에 우물 정(井)자 모양의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33) 상에는 적색(R)으로 발광하는 형광체층(35R), 녹색(G)으로 발광하는 형광체층(35G), 및 청색(B)으로 발광하는 형광체층(35B)이 마련되어 있다. 이하, 형광체층(35R), 형광체층(35G), 형광체층(35B)을 통합하여 형광체층(35)이라고도 기재한다.

이들 전면 기판(21)과 배면 기판(31)을, 미소한 공간을 사이에 두고 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치하고, 전면 기판(21)과 배면 기판(31)의 간극에 방전 공간을 마련한다. 그리고, 그 외주부를 유리 플리트(glass frit) 등의 봉합재에 의해서 봉합한다. 그 방전 공간에는, 예를 들면 네온과 크세논의 혼합 가스를 방전 가스로서 봉입한다.

방전 공간은 격벽(34)에 의해서 복수의 구획으로 나누어져 있고, 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전 셀이 형성된다.

그리고, 이들 방전 셀에서 방전을 발생하고, 방전 셀의 형광체층(35)을 발광(방전 셀을 점등)하는 것에 의해, 패널(10)에 컬러의 화상을 표시한다.

또, 패널(10)에서는, 표시 전극쌍(24)이 연신(延伸)되는 방향으로 배열된 연속하는 3개의 방전 셀로 1개의 화소를 구성한다. 이 3개의 방전 셀이란, 형광체층(35R)을 갖고 적색(R)으로 발광하는 방전 셀(적색의 방전 셀)과, 형광체층(35G)을 갖고 녹색(G)으로 발광하는 방전 셀(녹색의 방전 셀)과, 형광체층(35B)을 갖고 청색(B)으로 발광하는 방전 셀(청색의 방전 셀)이다.

또, 패널(10)의 구조는 상술한 것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 수직 방향으로 연장된 스트라이프 형상의 격벽만을 구비한 것이어도 좋다.

도 2는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 패널(10)의 전극 배열도이다.

패널(10)에는, 수평 방향(행 방향, 라인 방향)으로 연장된 n개의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn(도 1의 유지 전극(23))이 배열되고, 수직 방향(열 방향)으로 연장된 m개의 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다.

그리고, 1쌍의 주사 전극 SCi(i=1~n) 및 유지 전극 SUi와 1개의 데이터 전극 Dj(j=1~m)가 교차한 영역에 1개의 방전 셀이 형성된다. 즉, 1쌍의 표시 전극쌍(24) 상에는, m개의 방전 셀이 형성되고, m/3개의 화소가 형성된다. 그리고, 방전 셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되고, m×n개의 방전 셀이 형성된 영역이 패널(10)의 화상 표시 영역으로 된다. 예를 들면, 화소수가 1920×1080개의 패널에서는, m=1920×3으로 되어, n=1080으로 된다.

또, 본 실시 형태에서는, n=768로 하지만, 본 발명은 전혀 이 수치에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 패널(10)을 구동할 때의 동작의 개요에 대해 설명한다.

본 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치는 서브필드법에 따라 패널(10)을 구동한다. 서브필드법에서는, 화상 신호의 1 필드를 시간축 상에서 복수의 서브필드로 분할하고, 각 서브필드에 휘도 가중치를 각각 설정한다. 따라서, 각 필드는 휘도 가중치가 다른 복수의 서브필드를 가진다.

각각의 서브필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 가진다. 그리고, 화상 신호에 근거하여, 서브필드마다 각 방전 셀의 발광·비발광을 제어한다. 즉, 화상 신호에 근거하여, 발광하는 서브필드와 비발광의 서브필드를 조합하는 것에 의해, 화상 신호에 근거하는 복수의 계조를 패널(10)에 표시한다.

초기화 기간에서는, 방전 셀에 초기화 방전을 발생하고, 연속하는 기입 기간에서의 기입 방전에 필요한 벽전하를 각 전극 상에 형성하는 초기화 동작을 행한다.

이 초기화 동작에는, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 「강제 초기화 동작」과, 직전의 서브필드의 기입 기간에서 기입 방전을 발생하고 유지 기간에서 유지 방전을 발생한 방전 셀에만 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 「선택 초기화 동작」이 있다. 강제 초기화 동작에서는 상승하는 경사 파형 전압 및 하강하는 경사 파형 전압을 주사 전극(22)에 인가하고, 화상 표시 영역 내의 모든 방전 셀에 초기화 방전을 발생한다.

기입 기간에서는, 주사 전극(22)에 주사 펄스를 인가함과 아울러 데이터 전극(32)에 선택적으로 기입 펄스를 인가하고, 후속하는 유지 기간에 발광해야 할 방전 셀에 선택적으로 기입 방전을 발생하는 기입 동작을 행한다. 기입 방전이 발생하는 것에 의해, 유지 방전을 발생하기 위한 벽전하가 그 방전 셀 내에 형성된다.

유지 기간에서는, 각각의 서브필드에 설정된 휘도 가중치에 소정의 비례 정수를 곱한 수의 유지 펄스를 주사 전극(22) 및 유지 전극(23)에 교대로 인가하고, 직전의 기입 기간에 기입 방전을 발생한 방전 셀에서 유지 방전을 발생하여, 그 방전 셀을 발광하는 유지 동작을 행한다. 이 비례 정수가 휘도 배수이다. 예를 들면, 휘도 배수가 2배일 때, 휘도 가중치 「2」의 서브필드의 유지 기간에서는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)에 각각 4회씩 유지 펄스를 인가한다. 그 때문에, 그 유지 기간에 발생하는 유지 펄스의 수는 8이 된다.

휘도 가중치란, 각 서브필드에서 표시하는 휘도의 크기의 비를 나타내는 것이며, 각 서브필드에서는 휘도 가중치에 따른 수의 유지 펄스를 유지 기간에 발생한다. 그 때문에, 예를 들면, 휘도 가중치 「8」의 서브필드는, 휘도 가중치 「1」의 서브필드의 약 8배의 휘도로 발광하고, 휘도 가중치 「2」의 서브필드의 약 4배의 휘도로 발광한다.

따라서, 예를 들면, 1 필드를 8개의 서브필드(서브필드 SF1, 서브필드 SF2, 서브필드 SF3, 서브필드 SF4, 서브필드 SF5, 서브필드 SF6, 서브필드 SF7, 서브필드 SF8)로 구성하고, 서브필드 SF1로부터 서브필드 SF8의 각 서브필드에 각각 (1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128)의 휘도 가중치를 설정하면, 각 방전 셀은 계조값 「0」으로부터 계조값 「255」까지의 256가지의 계조값을 표시할 수 있다.

이렇게 해서, 화상 신호에 따른 조합으로 서브필드마다 각 방전 셀의 발광·비발광을 제어하여 각 서브필드를 선택적으로 발광하는 것에 의해, 여러 계조값으로 각 방전 셀을 발광하여, 화상을 패널(10)에 표시할 수 있다.

또, 본 실시 형태에서는, 1 필드를 서브필드 SF1로부터 서브필드 SF10까지의 10개의 서브필드로 구성하고, 서브필드 SF1로부터 서브필드 SF10까지의 각 서브필드에 각각 (1, 2, 3, 6, 11, 18, 30, 44, 60, 80)의 휘도 가중치를 설정하는 예를 설명한다.

또, 본 실시 형태에서는, 1 필드를 구성하는 복수의 서브필드 중, 1개의 서브필드의 초기화 기간에서는 「특정 셀 초기화 동작」을 행하고, 다른 서브필드의 초기화 기간에서는 모든 방전 셀에서 선택 초기화 동작을 행한다.

특정 셀 초기화 동작이란, 특정의 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고, 다른 방전 셀에서는 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 동작인 것이다. 따라서, 특정 셀 초기화 동작을 행하는 초기화 기간에서는, 특정의 방전 셀에는 강제 초기화 동작을 행하기 위한 초기화 파형을 인가하고, 다른 방전 셀에는 선택 초기화 동작을 행하기 위한 초기화 파형을 인가한다.

이하, 강제 초기화 동작을 행하기 위한 초기화 파형을 「강제 초기화 파형」이라고 호칭하고, 선택 초기화 동작을 행하기 위한 초기화 파형을 「선택 초기화 파형」이라고 호칭한다. 또한, 특정 셀 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 「특정 셀 초기화 기간」이라고 호칭하고, 특정 셀 초기화 기간을 가지는 서브필드를 「특정 셀 초기화 서브필드」라고 호칭한다. 또한, 모든 방전 셀에서 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 「선택 초기화 기간」이라고 호칭하고, 선택 초기화 기간을 가지는 서브필드를 「선택 초기화 서브필드」라고 호칭한다.

그리고, 본 실시 형태에서는, 각 필드의 최초의 서브필드(서브필드 SF1)를 특정 셀 초기화 서브필드로 하고, 다른 서브필드(서브필드 SF2로부터 서브필드 SF10)는 선택 초기화 서브필드로 한다.

또, 본 발명은 1 필드를 구성하는 서브필드의 수, 각 서브필드가 가지는 휘도 가중치 등이 상술한 수치에 한정되는 것은 아니다.

강제 초기화 동작의 발생 패턴(강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)과 필드의 관계)에 대해서는 후술한다.

다음으로, 패널(10)에 계조를 표시하는 방법에 대해 설명한다.

본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 미리 휘도 가중치가 설정된 복수의 서브필드로 1 필드를 구성한다. 그리고, 방전 셀에 표시하는 계조값의 크기에 따라 서브필드를 선택적으로 발광시킴으로써, 계조값에 따른 밝기로 각 방전 셀을 발광시키고, 패널(10)에 화상을 표시한다. 이하, 발광시키는 서브필드를 「점등 서브필드」, 비발광의 서브필드를 「비점등 서브필드」라고도 기재한다.

1 필드에서의 점등 서브필드와 비점등 서브필드의 조합은 복수 있다. 이하, 1 필드에서의 점등 서브필드와 비점등 서브필드의 조합을 「코딩」이라고 호칭한다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 그들 복수의 코딩 중에서, 계조를 표시하기 위해서 이용하는 코딩(표시용 코딩)을 복수 선택하고, 표시용 조합 집합을 작성한다. 이하, 표시용 조합 집합을 「코딩 테이블」이라고 호칭한다.

그리고, 코딩 테이블에 속하는 코딩에 근거하여 각 서브필드의 발광·비발광을 제어하고, 방전 셀을 계조값의 크기에 따른 휘도로 발광시키고, 패널(10)에 화상을 표시한다.

다음으로, 본 실시 형태에서 이용하는 코딩 테이블에 대해 설명한다.

또, 이하의 설명에서는, 흑을 표시할 때의 계조값(유지 방전이 발생하지 않을 때의 계조값)을 「0」으로 한다. 또한, 휘도 가중치 「N」에 대응하는 계조값을 계조값 「N」이라고 표기한다.

따라서, 예를 들면, 휘도 가중치 「1」의 서브필드 SF1만이 발광하는 방전 셀이 표시하는 계조값은 계조값 「1」로 된다. 또한, 휘도 가중치 「1」의 서브필드 SF1과 휘도 가중치 「2」의 서브필드 SF2만이 발광하는 방전 셀이 표시하는 계조값은 1+2=3이기 때문에 계조값 「3」으로 된다.

도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 코딩 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.

도 3에 나타내는 코딩 테이블에서 각 서브필드를 나타내는 표기의 바로 아래에 기록된 수치는 각 서브필드의 휘도 가중치를 나타낸다.

또, 도 3에는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 서브필드 SF1로부터 서브필드 SF5까지의 5개의 서브필드를 1 필드로 갖고, 각 서브필드는 각각 「1」, 「2」, 「4」, 「8」, 「16」의 휘도 가중치를 가지는 코딩 테이블을 나타낸다.

도 3에 나타내는 코딩 테이블에는, 발광하는 서브필드를 「○」, 비발광의 서브필드를 공란으로 나타내고, 가장 왼쪽의 열에는, 각 코딩에서 표시하는 계조의 값을 나타낸다.

예를 들면, 도 3에 나타내는 코딩 테이블에 근거하면, 계조값 「3」을 표시하는 방전 셀에서는 서브필드 SF1 및 서브필드 SF2가 발광한다. 또한, 계조값 「23」을 표시하는 방전 셀에서는, 서브필드 SF1, 서브필드 SF2, 서브필드 SF3 및 서브필드 SF5가 발광한다.

도 3에 나타내는 코딩 테이블은, 「계조값 「1」 이상을 표시하는 방전 셀에서는 반드시 서브필드 SF1이 발광한다」고 하는 규칙을 가지는 코딩의 집합이다. 이 규칙은, 「서브필드 SF1에서 발광하지 않았던 방전 셀은 서브필드 SF2 이후에서도 발광하지 않는다」고 바꾸어 말할 수 있다.

즉, 도 3에 나타내는 코딩 테이블은, 서브필드 SF1이 발광하지 않으면 서브필드 SF1 이후의 서브필드도 발광하지 않도록, 발광하는 서브필드와 비발광의 서브필드를 조합한 코딩 테이블이다.

따라서, 도 3에 나타내는 코딩 테이블에서는, 계조값 「1」 이상을 표시하는 방전 셀에서는 반드시 서브필드 SF1이 발광한다. 본 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치는, 이 규칙에 따라 코딩 테이블을 구성하고, 이 규칙에 따라 점등 서브필드와 비점등 서브필드를 조합시키고, 패널(10)에 계조를 표시한다.

또, 도 3에 나타낸 코딩 테이블에 근거하여 패널(10)에 화상을 표시할 때에는, 계조값 「2」, 계조값 「4」, 계조값 「6」 등의 짝수의 계조값을 이용할 수 없다. 그러나, 이러한 계조값은 일반적으로 알려진 디더 처리(dither processing)나 오차 확산 처리 등의 기술을 이용하여 의사적으로 패널(10)에 표시할 수 있다.

다음으로, 본 실시 형태에 있어서의 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형의 일례와 그 동작의 개요에 대해 설명한다.

도 4는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 4에는, 기입 기간에서 최초로 기입 동작을 행하는 주사 전극 SC1, 기입 기간에서 2번째로 기입 동작을 행하는 주사 전극 SC2, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn, 및 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm의 각각에 인가하는 구동 전압 파형을 나타낸다. 또한, 이하에서의 주사 전극 SCi, 유지 전극 SUi, 데이터 전극 Dk는, 각 전극 중에서 화상 데이터(서브필드마다의 발광·비발광을 나타내는 데이터)에 근거하여 선택된 전극을 나타낸다.

또한, 도 3에는, 특정 셀 초기화 서브필드인 서브필드 SF1과, 선택 초기화 서브필드인 서브필드 SF2 및 서브필드 SF3을 나타낸다. 서브필드 SF1과, 서브필드 SF2~서브필드 SF10에서는, 초기화 기간에 주사 전극(22)에 인가하는 구동 전압의 파형 형상이 상이하다.

또, 서브필드 SF4 이후의 서브필드는 도시하고 있지 않지만, 서브필드 SF1을 제외한 각 서브필드는 선택 초기화 서브필드이고, 유지 펄스의 발생수를 제외하고, 각 기간에 거의 동일한 구동 전압 파형을 발생한다. 또한, 도 4에는, 주사 전극 SC1을 가지는 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고, 주사 전극 SC2를 가지는 방전 셀에서는 강제 초기화 동작을 행하지 않고 선택 초기화 동작만을 행하는 필드를 나타낸다. 도 4에 나타내는 필드와, 후속하는 필드는 각 필드에서의 서브필드 SF1의 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)이 다를 뿐이며, 그 이외는 거의 동일한 구동 전압 파형을 각 전극에 인가한다. 이하, 도 4에 나타내는 필드를 「제 1 필드」라고 호칭한다.

우선, 특정 셀 초기화 서브필드인 서브필드 SF1에 대해 설명한다.

본 실시 형태에서, 제 1 필드의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 배치적으로 보아 위에서부터 1번째, 6번째, 11번째, …와 같이, (1+5×N)번째(N는 0 이상의 정수)의 주사 전극 SC(1+5×N)에, 강제 초기화 동작을 행하기 위한 강제 초기화 파형을 인가한다. 그리고, 다른 주사 전극(22), 즉 (2+5×N)번째의 주사 전극 SC(2+5×N), (3+5×N)번째의 주사 전극 SC(3+5×N), (4+5×N)번째의 주사 전극 SC(4+5×N), 및 (5+5×N)번째의 주사 전극 SC(5+5×N)에는, 선택 초기화 동작을 행하기 위한 선택 초기화 파형을 인가한다. 도 3에는, 주사 전극 SC(1+5×N)의 대표예로서 주사 전극 SC1을 나타내고, 다른 주사 전극(22)의 대표예로서 주사 전극 SC2를 나타낸다.

특정 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드 SF1의 초기화 기간의 전반부에서는, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 전압 0(V)을 인가하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에도 전압 0(V)을 인가한다. 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SC(1+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SC1)에는, 전압 0(V)을 인가한 후에 전압 Vi1을 인가하고, 전압 Vi1로부터 전압 Vi2로 향해 완만하게(예를 들면, 약 1.3V/sec의 기울기로) 상승하는 경사 파형 전압(이하, 「상승 램프 전압 L1」이라고 호칭함)을 인가한다. 이 때, 전압 Vi1은 유지 전극 SU(1+5×N)에 대해 방전 개시 전압보다 낮은 전압(즉, 방전 셀에 방전이 발생하지 않는 전압)으로 설정하고, 전압 Vi2는 유지 전극 SU(1+5×N)에 대해 방전 개시 전압을 초과하는 전압(즉, 그 이전의 방전의 유무에 관계없이 방전 셀에 방전이 발생하는 전압)으로 설정한다.

이 상승 램프 전압 L1가 상승하는 동안에, 각 방전 셀의 주사 전극 SC(1+5×N)와 유지 전극 SU(1+5×N) 사이, 및 주사 전극 SC(1+5×N)와 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에 각각 미약한 초기화 방전이 지속적으로 발생한다. 그리고, 주사 전극 SC(1+5×N) 상에 음극성의 벽전압이 축적되고, 주사 전극 SC(1+5×N)와 교차하는 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상 및 유지 전극 SU(1+5×N) 상에는 양극성의 벽전압이 축적된다. 또, 기입 방전의 방전 지연 시간(방전 셀에 인가하는 전압이 방전 개시 전압을 초과하고 나서, 방전 셀에 방전이 발생할 때까지의 시간 길이인 것)을 짧게 하는 프라이밍 입자도 발생한다. 또, 전극 상의 벽전압이란, 전극을 가리는 유전체층(25) 상, 보호층(26) 상, 형광체층(35) 상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다.

서브필드 SF1의 초기화 기간의 후반부에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 양의 전압 Ve를 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에는 전압 0(V)을 인가한다. 주사 전극 SC(1+5×N)에는, 전압 Vi3으로부터 음의 전압 Vi4로 향해 완만하게(예를 들면, 약 -1.5V/sec의 기울기로) 하강하는 하강 경사 파형 전압(이하, 「하강 램프 전압 L2」라고 호칭함)을 인가한다. 전압 Vi3은 유지 전극 SU(1+5×N)에 대해 방전 개시 전압 미만의 전압으로 설정하고, 전압 Vi4는 유지 전극 SU(1+5×N)에 대해 방전 개시 전압을 초과하는 전압으로 설정한다.

이 하강 램프 전압 L2를 주사 전극 SC(1+5×N)에 인가하는 동안에, 각 방전 셀의 주사 전극 SC(1+5×N)와 유지 전극 SU(1+5×N) 사이, 및 주사 전극 SC(1+5×N)와 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에 각각 미약한 초기화 방전이 발생한다. 이것에 의해, 주사 전극 SC(1+5×N) 상의 음극성의 벽전압, 유지 전극 SU(1+5×N) 상의 양극성의 벽전압, 및 주사 전극 SC(1+5×N)와 교차하는 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상의 양극성의 벽전압은 기입 기간에서의 기입 동작에 적절한 전압으로 조정된다. 또, 기입 방전의 방전 지연 시간을 짧게 하는 프라이밍 입자도 발생한다.

이상의 전압 파형이, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 파형이다. 그리고, 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하는 동작이 강제 초기화 동작이다. 그리고, 제 1 필드의 서브필드 SF1에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (1+5×N)번째의 주사 전극 SC(1+5×N) 상에 형성된 방전 셀에서의 초기화 동작은 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 동작으로 된다.

한편, 서브필드 SF1의 초기화 기간 전반부에서, 다른 주사 전극(22), 즉 (2+5×N)번째의 주사 전극 SC(2+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SC2), (3+5×N)번째의 주사 전극 SC(3+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SC3), (4+5×N)번째의 주사 전극 SC(4+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SC4), 및 (5+5×N)번째의 주사 전극 SC(5+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SC5)에는, 전압 Vi1을 인가하지 않고, 전압 0(V)으로부터 전압 Vi5로 향해 완만하게 상승하는 상승 램프 전압 L1'을 인가한다. 이 상승 램프 전압 L1'은, 상승 램프 전압 L1과 동일한 기울기로, 상승 램프 전압 L1과 동일한 시간만큼 상승을 계속하는 전압 파형이다. 따라서, 전압 Vi5는 전압 Vi2로부터 전압 Vi1을 뺀 전압과 동일한 전압으로 된다. 이 때, 전압 Vi5는 유지 전극 SU(2+5×N), 유지 전극 SU(3+5×N), 유지 전극 SU(4+5×N) 및 유지 전극 SU(5+5×N)에 대해 방전 개시 전압 미만의 전압으로 되도록 각 전압 및 상승 램프 전압 L1'을 설정한다. 이것에 의해, 상승 램프 전압 L1'을 인가한 방전 셀에서는 방전은 실질적으로 발생하지 않는다.

서브필드 SF1의 초기화 기간 후반부에서는, 주사 전극 SC(2+5×N), 주사 전극 SC(3+5×N), 주사 전극 SC(4+5×N) 및 주사 전극 SC(5+5×N)에는, 주사 전극 SC(1+5×N)와 마찬가지로, 하강 램프 전압 L2를 인가한다.

이 하강 램프 전압 L2를, 주사 전극 SC(2+5×N), 주사 전극 SC(3+5×N), 주사 전극 SC(4+5×N) 및 주사 전극 SC(5+5×N)에 인가하는 동안에, 직전의 서브필드(도 4에서는, 서브필드 SF10)의 유지 기간에 유지 방전을 발생한 방전 셀에서는, 미약한 초기화 방전이 발생한다. 그리고, 이 초기화 방전에 의해, 주사 전극(22)의 음극성의 벽전압, 유지 전극(23) 상의 양극성의 벽전압, 및 데이터 전극(32) 상의 양극성의 벽전압은 기입 기간에서의 기입 동작에 적절한 전압으로 조정된다. 이렇게 해서, 방전 셀 내의 벽전압은 기입 동작에 적절한 벽전압으로 조정된다. 또, 기입 방전의 방전 지연 시간을 짧게 하는 프라이밍 입자도 발생한다.

한편, 직전의 서브필드(서브필드 SF10)의 유지 기간에 유지 방전을 발생하지 않았던 방전 셀에서는, 초기화 방전은 발생하지 않고, 그 이전의 벽전압이 유지된다.

이상의 전압 파형이, 직전의 서브필드의 기입 기간에서 기입 동작을 행한 방전 셀에서 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 파형이다. 그리고, 선택 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하는 동작이 선택 초기화 동작이다. 그리고, 제 1 필드의 서브필드 SF1에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (2+5×N)번째의 주사 전극 SC(2+5×N) 상, (3+5×N)번째의 주사 전극 SC(3+5×N) 상, (4+5×N)번째의 주사 전극 SC(4+5×N) 상, 및 (5+5×N)번째의 주사 전극 SC(5+5×N) 상에 형성된 방전 셀에서의 초기화 동작은 직전의 서브필드의 기입 기간에서 기입 동작을 행한 방전 셀에서 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 동작으로 된다.

이상에 의해, 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)의 초기화 기간에서의 특정 셀 초기화 동작이 종료된다. 그리고, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에서는, 강제 초기화 동작을 행하는 방전 셀과 선택 초기화 동작을 행하는 방전 셀이 혼재한다.

서브필드 SF1의 기입 기간에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 전압 Ve를 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에는 전압 0(V)을 인가하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 전압 Vc를 인가한다.

다음으로, 배치적으로 보아 위에서부터 1번째(1행째)의 주사 전극 SC1에 음의 전압 Va의 음극성의 주사 펄스를 인가한다. 그리고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 중 1행째에서 발광해야 할 방전 셀의 데이터 전극 Dk에 양의 전압 Vd의 양극성의 기입 펄스를 인가한다.

기입 펄스의 전압 Vd를 인가한 데이터 전극 Dk와 주사 펄스의 전압 Va를 인가한 주사 전극 SC1의 교차부에 있는 방전 셀에서는, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1의 전압차가 방전 개시 전압을 초과하고 나서 방전 지연 시간 후, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이에 방전이 발생한다.

또한, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve를 인가하고 있기 때문에, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이에 발생하는 방전에 유발되어, 데이터 전극 Dk와 교차하는 영역에 있는 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에도 방전이 발생한다. 이렇게 해서, 주사 펄스의 전압 Va와 기입 펄스의 전압 Vd가 동시에 인가된 방전 셀(발광해야 할 방전 셀)에 기입 방전이 발생한다.

기입 방전이 발생한 방전 셀에서는, 주사 전극 SC1 상에 양의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU1 상에 음의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극 Dk 상에도 음의 벽전압이 축적된다.

이렇게 해서, 1행째의 방전 셀에서의 기입 동작이 종료된다. 또, 기입 펄스를 인가하지 않았던 방전 셀에서는, 기입 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간 종료 후의 벽전압이 유지된다.

다음으로, 배치적으로 보아 위에서부터 2번째(2행째)의 주사 전극 SC2에 전압 Va의 주사 펄스를 인가함과 아울러, 2행째에 발광해야 할 방전 셀에 대응하는 데이터 전극 Dk에 전압 Vd의 기입 펄스를 인가한다. 이것에 의해, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 인가된 2행째의 방전 셀에서는, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC2의 전압차가 방전 개시 전압을 초과하고 나서 방전 지연 시간 후, 기입 방전이 발생한다. 그리고, 주사 전극 SC2 상에 양의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU2 상에 음의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극 Dk상에도 음의 벽전압이 축적된다. 기입 펄스를 인가하지 않았던 방전 셀에서는, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이렇게 해서, 2행째의 방전 셀에서의 기입 동작이 종료된다.

동일한 기입 동작을, 주사 전극 SC3, 주사 전극 SC4, …, 주사 전극 SCn라고 하는 순서로, n행째의 방전 셀에 도달할 때까지 순차적으로 행하고, 서브필드 SF1의 기입 기간이 종료된다. 이와 같이 해서, 기입 기간에서는, 발광해야 할 방전 셀에 선택적으로 기입 방전을 발생하고, 그 방전 셀에 유지 방전을 위한 벽전하를 형성한다.

본 실시 형태에서는, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을 「기입 시간」이라고 하고, 특정 셀 초기화 기간에서 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 그 직후의 기입 기간(즉, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간)에서의 기입 시간을 T0으로 한다. 또한, 특정 셀 초기화 기간에서 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 그 직후의 기입 기간(특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간)에서의 기입 시간을 T1이라고 한다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 기입 시간 T1을 기입 시간 T0보다 긴 시간폭으로 설정한다.

또, 주사 펄스와 기입 펄스의 발생 타이밍에 어긋남이 생기거나 혹은 주사 펄스와 기입 펄스가 서로 다른 펄스폭인 것이 상정되기 때문에, 엄밀하게는, 주사 펄스의 펄스폭 또는 기입 펄스의 펄스폭과 기입 시간은 상이하다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 기입 펄스의 펄스폭을 적어도 주사 펄스의 펄스폭과 동등하거나 또는 그 이상으로 설정하고, 주사 펄스를 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 기입 펄스도 방전 셀에 인가하는 것으로 한다. 이것에 의해, 주사 펄스의 펄스폭과 기입 시간은 서로 동등하다고 볼 수 있다. 따라서, 이하, 주사 펄스의 펄스폭은 기입 시간과 동등한 것으로 한다.

따라서, 본 실시 형태에서는, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 그 직후의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스의 펄스폭을 T0이라고 하고, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 그 직후의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스의 펄스폭을 T1이라고 한다. 그리고, 펄스폭 T1을 펄스폭 T0보다 긴 시간으로 설정한다.

예를 들면, 도 4에 나타내는 예에서는, 서브필드 SF1의 기입 기간에서, 주사 전극 SC1에 인가되는 주사 펄스의 펄스폭은 T0이고, 주사 전극 SC2에 인가되는 주사 펄스의 펄스폭은 T1이다. 그리고, 주사 전극 SC2에 인가되는 주사 펄스의 펄스폭 T1은 주사 전극 SC1에 인가되는 주사 펄스의 펄스폭 T0보다 길다.

이것은, 이하와 같은 이유에 의한다.

특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 강제 초기화 동작에 따라 발생한 프라이밍 입자가 방전 셀 내에 충분히 잔류하고 있다.

한편, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 그 직전의 유지 기간(예를 들면, 서브필드 SF10의 유지 기간)에 유지 방전을 발생한 방전 셀에는 초기화 방전이 발생하고, 유지 방전을 발생하지 않았던 방전 셀에는 초기화 방전이 발생하지 않는다. 따라서, 초기화 방전이 발생하지 않는 방전 셀에서는, 초기화 방전을 발생하는 방전 셀과 비교하여 프라이밍 입자가 부족하기 쉽다. 그리고, 프라이밍 입자가 부족한 방전 셀에서는, 프라이밍 입자가 충분히 잔류한 방전 셀과 비교하여 기입 방전의 방전 지연 시간이 길어지기 쉽고, 기입 방전이 불안정하게 되기 쉽다.

초기화 방전의 발생에 의해 프라이밍 입자가 충분히 방전 셀 내에 잔류하고, 기입 방전의 방전 지연 시간이 상대적으로 짧은 방전 셀에서는, 기입 시간을 상대적으로 짧게 설정할 수 있다.

한편, 초기화 방전이 발생하지 않고, 프라이밍 입자가 상대적으로 감소하고, 기입 방전의 방전 지연 시간이 상대적으로 길어진 방전 셀에서 기입 방전을 안정하게 발생하기 위해서는, 기입 시간을 상대적으로 길게 설정하는 것이 바람직하다.

이들로부터, 본 실시 형태에서는, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서의 기입 시간을 길게 한다.

즉, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 그 직후의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스의 펄스폭을 T1이라고 하고, 펄스폭 T1을, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀에서 그 직후의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스의 펄스폭 T0보다 길게 한다.

이것에 의해, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서도, 안정하게 기입 방전을 발생하는 것이 가능해진다.

또, 주사 펄스의 펄스폭을 적어도 기입 펄스의 펄스폭과 동등하거나 또는 그 이상으로 설정하고, 기입 펄스를 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 주사 펄스도 방전 셀에 인가하는 것이라고 하면, 기입 펄스의 펄스폭과 기입 시간은 서로 동등하다고 볼 수도 있다.

또, 초기화 기간 후반에 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 인가하는 전압 Ve와, 기입 기간에 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 인가하는 전압 Ve는 서로 다른 전압값이어도 좋다.

서브필드 SF1의 유지 기간에서는, 우선 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 0(V)을 인가한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 양의 전압 Vs의 유지 펄스를 인가한다.

이 유지 펄스의 인가에 의해, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi의 전압차는, 유지 펄스의 전압 Vs에, 주사 전극 SCi 상의 벽전압과 유지 전극 SUi상의 벽전압의 차(差)를 가산한 것으로 된다. 이것에 의해, 직전의 기입 기간에 기입 방전을 발생한 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi의 전압차가 방전 개시 전압을 초과하여, 유지 방전이 발생한다. 그리고, 이 방전에 의해 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 또한, 이 방전에 의해, 주사 전극 SCi 상에 음의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SUi 상에 양의 벽전압이 축적된다. 또, 데이터 전극 Dk 상에도 양의 벽전압이 축적된다.

단, 직전의 기입 기간에서 기입 방전이 발생하지 않았던 방전 셀에서는, 벽전압이 낮기 때문에, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)의 전압차는 방전 개시 전압을 초과하지 않아, 유지 방전은 발생하지 않는다.

계속해서, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 0(V)을 인가하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Vs의 유지 펄스를 인가한다. 이것에 의해, 직전에 유지 방전을 발생한 방전 셀에서는 다시 유지 방전이 발생한다. 그리고, 이 방전 셀에서는, 그 유지 방전에 의해 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광하고, 유지 전극 SUi 상에 음의 벽전압이 축적되고, 주사 전극 SCi 상에 양의 벽전압이 축적된다.

이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에, 휘도 가중치에 소정의 휘도 배수를 곱한 수의 유지 펄스를 교대로 인가한다. 이렇게 해서, 직전의 기입 기간에서 기입 방전을 발생한 방전 셀은, 휘도 가중치에 따른 회수의 유지 방전을 발생하고, 휘도 가중치에 따른 휘도로 발광한다.

그리고, 유지 기간에서의 유지 펄스의 발생 후(유지 기간의 최후)에, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 및 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 전압 0(V)을 인가한 채, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 0(V)으로부터 전압 Vr까지 완만하게(예를 들면, 약 10V/sec의 기울기로) 상승하는 경사 파형 전압(이하, 「소거 램프 전압 L3」라고 호칭함)을 인가한다.

전압 Vr을 방전 개시 전압을 초과하는 전압으로 설정함으로써, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 소거 램프 전압 L3이 방전 개시 전압을 초과하여 상승하는 동안에, 유지 방전을 발생한 방전 셀의 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이에 미약한 방전(소거 방전)이 지속적으로 발생한다.

이 미약한 방전으로 발생한 하전 입자는, 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이의 전압차를 완화하도록, 유지 전극 SUi 상 및 주사 전극 SCi 상에 벽전하로 되어 축적된다. 이것에 의해, 데이터 전극 Dk 상의 양극성의 벽전압을 남긴 채, 주사 전극 SCi 상의 벽전압 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압을 약하게 할 수 있다. 이렇게 해서, 방전 셀 내에서의 불필요한 벽전하가 소거된다.

주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 전압이 전압 Vr에 도달하면, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn으로의 인가 전압을 전압 0(V)까지 하강한다. 이렇게 해서, 서브필드 SF1의 유지 기간에서의 유지 동작이 종료된다.

이상에 의해, 서브필드 SF1이 종료된다.

또, 유지 기간에 발생하는 유지 펄스의 수가 「0」으로 설정된 서브필드에서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 유지 펄스를 인가하지 않고, 소거 램프 전압 L3만을 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다. 그 경우, 직전의 기입 기간에 기입 방전을 발생한 방전 셀에만 소거 방전이 발생한다.

다음으로, 선택 초기화 서브필드에 대해 서브필드 SF2를 예로 들어 설명한다.

서브필드 SF2의 초기화 기간에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 양극성의 전압 Ve를 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 전압 0(V)을 인가한다.

주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 방전 개시 전압 미만으로 되는 전압(예를 들면, 전압 0(V))으로부터 음극성의 전압 Vi4로 향하여, 하강 램프 전압 L2와 동일한 기울기로 하강하는 하강 램프 전압 L4를 인가한다. 전압 Vi4는 방전 개시 전압을 초과하는 전압으로 설정한다.

이 하강 램프 전압 L4를 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 동안에, 직전의 서브필드(도 4에서는, 서브필드 SF1)의 유지 기간에 유지 방전을 발생한 방전 셀에서는, 미약한 초기화 방전이 발생한다.

그리고, 이 초기화 방전에 의해, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압을 약하게 할 수 있다. 또한, 데이터 전극 Dk 상에 축적된 벽전압의 과잉인 부분이 방전된다. 이렇게 해서, 방전 셀 내의 벽전압은 기입 동작에 적절한 벽전압으로 조정된다.

한편, 직전의 서브필드(서브필드 SF1)의 유지 기간에 유지 방전을 발생하지 않았던 방전 셀에서는, 초기화 방전은 발생하지 않고, 그 이전의 벽전압이 유지된다.

상술한 파형이, 직전의 서브필드의 기입 기간에 기입 동작을 행한 방전 셀에서 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 파형이다. 그리고, 선택 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하는 동작이 선택 초기화 동작이다.

이상에 의해, 선택 초기화 서브필드인 서브필드 SF2의 초기화 기간에서의 선택 초기화 동작이 종료된다.

서브필드 SF1의 초기화 기간에 발생하는 선택 초기화 파형과, 서브필드 SF2의 초기화 기간에 발생하는 선택 초기화 파형은 파형 형상이 서로 다르다. 그러나, 서브필드 SF1의 초기화 기간에 발생하는 선택 초기화 파형은, 초기화 기간 전반부에서는 방전이 발생하지 않고, 초기화 기간 후반부의 동작은 서브필드 SF2의 초기화 기간에서의 선택 초기화 동작과 실질적으로 동등하다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 서브필드 SF1의 초기화 기간에 발생하는, 상승 램프 전압 L1'과 하강 램프 전압 L2를 가지는 초기화 파형을 선택 초기화 파형으로 하고 있다.

서브필드 SF2의 기입 기간에서는, 서브필드 SF1의 기입 기간과 동일한 구동 전압 파형을 각 전극에 인가한다. 단, 서브필드 SF2의 기입 기간에서의 기입 시간은, 서브필드 SF1의 기입 기간에서의 기입 시간과는 달리, 어느 방전 셀에 대해서도 일정하다. 즉, 서브필드 SF2의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스의 펄스폭은 어느 주사 전극(22)에 대해서도 일정하고, 그 펄스폭은, 예를 들면 T0이다.

연속하는 서브필드 SF2의 유지 기간도, 서브필드 SF1의 유지 기간과 마찬가지로, 휘도 가중치에 따른 수의 유지 펄스를 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 교대로 인가한다.

서브필드 SF3 이후의 각 서브필드에서는, 유지 기간에 발생하는 유지 펄스의 수를 제외하고, 서브필드 SF2와 동일한 구동 전압 파형을 각 전극에 인가한다.

이상이, 본 실시 형태에서 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형의 개요이다.

또, 본 실시 형태에서 각 전극에 인가하는 전압값은, 예를 들면, 전압 Vi1=150(V), 전압 Vi2=350(V), 전압 Vi3=200(V), 전압 Vi4=-180(V), 전압 Vi5=202(V), 전압 Vc=-50(V), 전압 Va=-200(V), 전압 Vs=200(V), 전압 Vr=200(V), 전압 Ve=160(V), 전압 Vd=60(V)이다.

또한, 예를 들면, 기입 시간 T0=1.15μsec(펄스폭 T0=1.15μsec)이고, 기입 시간 T1=1.4μsec(펄스폭 T1=1.4μsec)이다.

그러나, 상술한 전압값이나 시간, 기울기 등의 구체적인 수치는 단순한 일례에 지나지 않으며, 본 발명은 각 전압값이나 시간, 기울기 등이 상술한 수치에 한정되는 것은 아니다. 각 전압값이나 시간, 기울기 등은 패널의 방전 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 근거하여 최적으로 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 전압 Vi5=전압 Vi3이어도 좋다.

또, 본 실시 형태에서는, 서브필드 SF1을 강제 초기화 동작을 행하는 특정 셀 초기화 서브필드로 하고, 다른 서브필드(서브필드 SF2~서브필드 SF10)를 선택 초기화 동작을 행하는 선택 초기화 서브필드로 하는 예를 설명했다. 그러나, 본 발명은 전혀 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 서브필드 SF1을 선택 초기화 서브필드로 하거나 혹은 복수의 서브필드를 특정 셀 초기화 서브필드로 하여도 좋다.

다음으로, 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)과 필드의 관계에 대해 설명한다. 이하, 주사 전극(22)에 강제 초기화 파형을 인가하고, 그 주사 전극(22) 상에 형성된 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 것을, 「주사 전극(22)에서 강제 초기화 동작을 행한다」라고도 기재한다.

본 실시 형태에서는, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 이하의 규칙에 근거하여 설정한다. 이하, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 「특정의 주사 전극」이라고도 기재한다.

1개의 주사 전극(22)에 대해, 시간적으로 연속하는 N개의 필드(N는 자연수) 중 1개의 필드에서 1회만 강제 초기화 동작을 행하는 경우, 시간적으로 연속하는 N개의 필드를 1개의 필드군으로 한다. 그리고, 연속하여 배치된 N개의 주사 전극(22)을 1개의 주사 전극군으로 한다.

그 조건 하에서, 다음과 같이 규칙 1, 규칙 2를 정한다.

(규칙 1) 1개의 주사 전극(22)에서, 강제 초기화 동작을 행하는 필드는 각 필드군 중에서 하나이다. 이것은, 다음과 같이 바꾸어 말할 수 있다. 각 주사 전극(22)에는, 각 필드군 각각에서, 1개의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서만 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 필드의 특정 셀 초기화 기간에서는 선택 초기화 파형을 인가한다.

(규칙 2) 1개의 필드에서 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)은 각 주사 전극군 중에서 하나이다. 이것은, 다음과 같이 바꾸어 말할 수 있다. 1개의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서, 강제 초기화 파형을 인가하는 것은 각 주사 전극군 각각에서 1개의 주사 전극(22)뿐이고, 다른 주사 전극(22)에는 선택 초기화 파형을 인가한다.

또, N이 5 이상일 때, 즉, 1개의 필드군을 5개 또는 그 이상의 필드로 구성하는 경우에는, 다음의 규칙 3을 정한다.

(규칙 3) 1개의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCx에 인접하는 주사 전극 SCx-1 및 주사 전극 SCx+1에는, 적어도 그 필드의 특정 셀 초기화 기간과, 그 필드의 다음의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서는, 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다.

다음으로, 이 규칙에 근거하는 강제 초기화 동작의 발생 패턴에 대해 설명한다.

도 5는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 강제 초기화 동작과 선택 초기화 동작의 발생 패턴의 일례를 나타내는 도면이다. 도 5에서, 가로축은 필드를 나타내고, 세로축은 주사 전극(22)을 나타낸다.

도 5에는, N=5로 하고, 시간적으로 연속하는 5개의 필드를 1개의 필드군으로 하고, 배치적으로 연속하는 5개의 주사 전극(22)을 1개의 주사 전극군으로 할 때의 일례를 나타내고 있다. 예를 들면, 도 5에 나타내는 예에서는, 필드 Fj, 필드 Fj+1, 필드 Fj+2, 필드 Fj+3, 및 필드 Fj+4로 1개의 필드군을 구성하고, 주사 전극 SCi, 주사 전극 SCi+1, 주사 전극 SCi+2, 주사 전극 SCi+3, 및 주사 전극 SCi+4로 1개의 주사 전극군을 구성하고 있다.

또, 도 5에 나타내는 「○」은 서브필드 SF1의 초기화 기간에서 강제 초기화 동작을 행하는(즉, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행하는) 것을 나타내고, 「×」는 서브필드 SF1의 초기화 기간에서 강제 초기화 동작을 행하지 않는(즉, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행하는) 것을 나타낸다.

또, 도 5에 나타내는 예에서는, 필드 Fj를 제 1 필드로 하고, 필드 Fj+1을 제 2 필드로 하고, 필드 Fj+2를 제 3 필드로 하고, 필드 Fj+3을 제 4 필드로 하고, 필드 Fj+4를 제 5 필드로 한다.

그리고, 제 1 필드(예를 들면, 필드 Fj)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 특정 셀 초기화 기간에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (1+5×N)번째의 주사 전극 SC(1+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi)에는, 강제 초기화 동작을 위한 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극(22)에는, 강제 초기화 파형이 아니라, 선택 초기화 동작을 위한 선택 초기화 파형을 인가한다.

또한, 제 2 필드(예를 들면, 필드 Fj+1)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 특정 셀 초기화 기간에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (4+5×N)번째의 주사 전극 SC(4+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+3)에는 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극(22)에는, 선택 초기화 파형을 인가한다.

또한, 제 3 필드(예를 들면, 필드 Fj+2)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 특정 셀 초기화 기간에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (2+5×N)번째의 주사 전극 SC(2+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+1)에는 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극(22)에는 선택 초기화 파형을 인가한다.

또한, 제 4 필드(예를 들면, 필드 Fj+3)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 초기화 기간에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (5+5×N)번째의 주사 전극 SC(5+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+4)에는 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극(22)에는 선택 초기화 파형을 인가한다.

또한, 제 5 필드(예를 들면, 필드 Fj+4)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 초기화 기간에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (3+5×N)번째의 주사 전극 SC(3+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+2)에는 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극(22)에는 선택 초기화 파형을 인가한다.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 1개의 주사 전극(22)에서, 강제 초기화 동작을 행하는 필드는 각 필드군 중에서 1개이다(규칙 1).

예를 들면, 도 5에 나타내는 예에서는, 주사 전극 SCi에는, 각 필드군에서의 제 1 필드의 특정 셀 초기화 기간에서만 강제 초기화 파형을 인가한다. 주사 전극 SCi+1에는, 각 필드군에서의 제 3 필드의 특정 셀 초기화 기간에서만 강제 초기화 파형을 인가한다. 주사 전극 SCi+2에는, 각 필드군에서의 제 5 필드의 특정 셀 초기화 기간에서만 강제 초기화 파형을 인가한다. 주사 전극 SCi+3에는, 각 필드군에서의 제 2 필드의 특정 셀 초기화 기간에서만 강제 초기화 파형을 인가한다. 주사 전극 SCi+4에는, 각 필드군에서의 제 4 필드의 특정 셀 초기화 기간에서만 강제 초기화 파형을 인가한다. 이것은 다른 필드군에 대해서도 마찬가지이다.

이것에 의해, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 경우와 비교하여, 강제 초기화 동작의 회수는 5분의 1로 저감된다. 따라서, 강제 초기화 동작에 의해 생기는 발광도 5분의 1로 저감된다.

본 실시 형태에서는, 이와 같이 패널(10)을 구동함으로써, 흑 휘도를 상승시키는 요인으로 되는 발광을 극력 줄여 흑 휘도를 저감하여, 표시 화상의 콘트라스트비를 향상한다.

흑 휘도를 상승시키는 요인의 하나로, 초기화 방전에 의한 발광이 있다. 단, 선택 초기화 동작은 직전의 서브필드에서 유지 방전을 발생하지 않았던 방전 셀에서는 방전이 발생하지 않기 때문에, 흑 휘도의 밝기에 실질적으로 영향을 주지 않는다. 그러나, 강제 초기화 동작은 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전이 발생하기 때문에, 흑 휘도의 밝기에 영향을 준다. 즉, 강제 초기화 동작의 발생 빈도가 커질수록 흑 휘도는 상승한다. 따라서, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 저감하면, 표시 화상의 흑 휘도를 저감하여, 콘트라스트를 향상할 수 있다.

본 실시 형태에서는, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 경우와 비교하여, 강제 초기화 동작의 회수를 5분의 1로 저감하기 때문에, 그 만큼, 표시 화상의 흑 휘도를 낮게 할 수 있어, 표시 화상의 콘트라스트비를 향상할 수 있다.

그리고, 본 실시 형태에서는, 1개의 필드에서 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)은 각 주사 전극군 중에서 1개이다(규칙 2).

예를 들면, 도 5에 나타내는 예에서는, 필드 Fj에서는, 배치적으로 보아 위에서부터 (1+5×N)번째의 주사 전극 SC(1+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi)에 강제 초기화 파형을 인가한다. 필드 Fj+1에서는, 배치적으로 보아 위에서부터 (4+5×N)번째의 주사 전극 SC(4+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+3)에 강제 초기화 파형을 인가한다. 필드 Fj+2에서는, 배치적으로 보아 위에서부터 (2+5×N)번째의 주사 전극 SC(2+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+1)에 강제 초기화 파형을 인가한다. 필드 Fj+3에서는, 배치적으로 보아 위에서부터 (5+5×N)번째의 주사 전극 SC(5+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+4)에 강제 초기화 파형을 인가한다. 필드 Fj+4에서는, 배치적으로 보아 위에서부터 (3+5×N)번째의 주사 전극 SC(3+5×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+2)에 강제 초기화 파형을 인가한다. 이것은 다른 주사 전극군에 대해서도 마찬가지이다.

이것에 의해, 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)이 각 필드로 분산되기 때문에, 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)이 1 필드에 집중하는 경우와 비교하여, 플리커(flicker)(화면이 깜빡이는 현상)를 저감할 수 있다.

또, 「강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)이 1 필드에 집중한다」라는 것은, 예를 들면, 각 특정 셀 초기화 기간에서, 필드군 중의 1개의 필드에서는 모든 주사 전극(22)에 대해 강제 초기화 동작을 행하고, 다른 필드에서는 모든 주사 전극(22)에 대해 선택 초기화 동작을 행하는 경우이다.

또, 본 실시 형태에서는, 1개의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCx에 인접하는 주사 전극 SCx-1 및 주사 전극 SCx+1에는, 적어도 그 필드의 특정 셀 초기화 기간과, 그 필드의 다음 필드의 특정 셀 초기화 기간에서는, 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다(규칙 3).

예를 들면, 도 5에 나타내는 예에서는, 주사 전극 SCi에는 필드 Fj의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지만, 주사 전극 SCi에 인접하는 주사 전극 SCi-1 및 주사 전극 SCi+1에는, 필드 Fj 및 그 다음의 필드 Fj+1의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다. 마찬가지로, 주사 전극 SCi+3에는 필드 Fj+1의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지만, 주사 전극 SCi+3에 인접하는 주사 전극 SCi+2 및 주사 전극 SCi+4에는, 필드 Fj+1 및 그 다음의 필드 Fj+2의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다. 마찬가지로, 주사 전극 SCi+1에는 필드 Fj+2의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지만, 주사 전극 SCi+1에 인접하는 주사 전극 SCi 및 주사 전극 SCi+2에는, 필드 Fj+2 및 그 다음의 필드 Fj+3의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다. 마찬가지로, 주사 전극 SCi+4에는 필드 Fj+3의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지만, 주사 전극 SCi+4에 인접하는 주사 전극 SCi+3 및 주사 전극 SCi+5에는, 필드 Fj+3 및 그 다음의 필드 Fj+4의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다. 마찬가지로, 주사 전극 SCi+2에는 필드 Fj+4의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지만, 주사 전극 SCi+2에 인접하는 주사 전극 SCi+1 및 주사 전극 SCi+3에는, 필드 Fj+4 및 그 다음의 필드 Fj+5의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다.

이것에 의해, 강제 초기화 동작을 행하는 방전 셀의 시간적 및 공간적인 연속성이 저감하기 때문에, 강제 초기화 동작에 따른 발광이 사용자에 인식되기 어려워진다.

그리고, 본 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에서는, 상술한 바와 같이, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서의 기입 시간을 길게 한다.

도 5에 나타내는 예에서는, 「○」을 기재한 필드에서는 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스의 펄스폭을 T0으로 하고, 「×」을 기재한 필드에서는 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스의 펄스폭을 T1로 한다. 그리고, 펄스폭 T1을 펄스폭 T0보다 긴 시간폭으로 한다.

이것에 의해, 특정 셀 초기화 기간에 초기화 방전이 발생하지 않고, 프라이밍 입자가 상대적으로 부족하여, 기입 방전의 방전 지연 시간이 상대적으로 길어진 방전 셀에서도, 초기화 방전이 발생해서 프라이밍 입자가 충분히 잔류하고 있는 방전 셀과 마찬가지로, 안정하게 기입 방전을 발생할 수 있다.

다음으로, 본 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명한다.

도 6은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(40)를 구성하는 회로 블록의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.

플라즈마 디스플레이 장치(40)는 패널(10)과, 패널(10)을 구동하는 구동 회로를 구비하고 있다. 구동 회로는 화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(45) 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.

화상 신호 처리 회로(41)에 입력되는 화상 신호는 적색의 화상 신호, 녹색의 화상 신호, 청색의 화상 신호이다. 화상 신호 처리 회로(41)는 적색의 화상 신호, 녹색의 화상 신호, 청색의 화상 신호에 근거하여, 각 방전 셀에 적색, 녹색, 청색의 각 계조값(1 필드에서 표현되는 계조값)을 설정한다. 또, 화상 신호 처리 회로(41)는 입력되는 화상 신호가 휘도 신호(Y 신호) 및 채도 신호(C 신호, 또는 R-Y 신호 및 B-Y 신호, 또는 u 신호 및 v 신호 등)를 포함할 때에는, 그 휘도 신호 및 채도 신호에 근거하여 적색의 화상 신호, 녹색의 화상 신호, 청색의 화상 신호를 산출하고, 그 후, 각 방전 셀에 적색, 녹색, 청색의 각 계조값을 설정한다. 그리고, 각 방전 셀에 설정한 적색, 녹색, 청색의 계조값을, 서브필드마다의 점등·비점등을 나타내는 화상 데이터(발광·비발광을 디지털 신호의 「1」, 「0」에 대응시킨 데이터)로 변환한다. 즉, 화상 신호 처리 회로(41)는 적색의 화상 신호, 녹색의 화상 신호, 청색의 화상 신호를 적색의 화상 데이터, 녹색의 화상 데이터, 청색의 화상 데이터로 변환하여 출력한다.

타이밍 발생 회로(45)는, 수평 동기 신호 및 수직 동기 신호에 근거하여, 각 회로 블록의 동작을 제어하는 각종의 제어 신호를 발생한다. 그리고, 발생한 제어 신호를 각각의 회로 블록(데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 및 화상 신호 처리 회로(41) 등)에 공급한다.

주사 전극 구동 회로(43)는, 초기화 파형 발생 회로, 유지 펄스 발생 회로, 주사 펄스 발생 회로(도 6에는 나타내지 않음)를 구비하며, 타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호에 근거하여 구동 전압 파형을 작성하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 각각에 인가한다. 초기화 파형 발생 회로는, 타이밍 신호에 근거하여, 초기화 기간에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 강제 초기화 파형 및 선택 초기화 파형을 발생한다. 유지 펄스 발생 회로는, 타이밍 신호에 근거하여, 유지 기간에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 유지 펄스를 발생한다.

주사 펄스 발생 회로는, 복수의 주사 전극 구동 IC(주사 IC)를 구비하고, 타이밍 신호에 근거하는 펄스폭으로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 주사 펄스를 기입 기간에 발생한다. 예를 들면, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에 펄스폭 T0의 주사 펄스를 발생한다. 또한, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에, 펄스폭 T0보다 넓은 펄스폭 T1의 주사 펄스를 발생한다.

유지 전극 구동 회로(44)는, 유지 펄스 발생 회로 및 전압 Ve를 발생하는 회로(도 6에는 나타내지 않음)를 구비하고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호에 근거하여 구동 전압 파형을 작성하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn의 각각에 인가한다. 유지 기간에서는, 타이밍 신호에 근거하여 유지 펄스를 발생하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 인가한다. 초기화 기간 및 기입 기간에서는, 타이밍 신호에 근거하여 전압 Ve를 발생하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 인가한다.

데이터 전극 구동 회로(42)는, 화상 신호 처리 회로(41)로부터 출력되는 각 색 화상 데이터 및 타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호에 근거하여, 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대응하는 기입 펄스를 발생한다. 이 때, 데이터 전극 구동 회로(42)는 타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호에 근거하는 펄스폭으로 기입 펄스를 발생한다. 예를 들면, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에, 펄스폭 T0과 동등하거나 그 이상의 펄스폭의 기입 펄스를 발생한다. 또한, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에, 펄스폭 T1과 동등하거나 그 이상의 펄스폭의 기입 펄스를 발생한다. 그리고, 데이터 전극 구동 회로(42)는 그 기입 펄스를 기입 기간에 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 인가한다.

다음으로, 주사 전극 구동 회로(43)의 상세와 그 동작에 대해 설명한다.

도 7은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(40)에 이용하는 주사 전극 구동 회로(43)의 일 구성예를 개략적으로 나타내는 회로도이다. 주사 전극 구동 회로(43)는, 유지 펄스를 발생하는 유지 펄스 발생 회로(50)와, 초기화 파형을 발생하는 경사 파형 전압 발생 회로(60)와, 주사 펄스를 발생하는 주사 펄스 발생 회로(70)를 구비한다. 그리고, 주사 펄스 발생 회로(70)의 각 출력 단자는 패널(10)의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 각각에 접속되어 있다.

또, 본 실시 형태에서는, 주사 펄스 발생 회로(70)에 입력되는 전압을 「기준 전위 A」라고 기재한다. 또한, 이하의 설명에서 스위칭 소자를 도통시키는 동작을 「온」, 차단시키는 동작을 「오프」라고 표기하고, 스위칭 소자를 온시키는 신호를 「Hi」, 오프시키는 신호를 「Lo」라고 표기한다. 또, 도 7에서는, 각 회로에 입력되는 제어 신호(타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호)의 신호 경로의 상세는 생략한다.

유지 펄스 발생 회로(50)는, 전력 회수 회로(51)와 클램프 회로를 구비하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 유지 펄스를 발생한다.

전력 회수 회로(51)는 전력 회수용의 콘덴서, 복수의 스위칭 소자, 복수의 역류 방지용 다이오드, 및 복수의 공진용 인덕터를 가진다. 전력 회수용의 콘덴서는 패널(10)의 전극간 용량 Cp에 비해 충분히 큰 용량을 갖고, 전력 회수 회로(51)의 전원으로서 기능하도록, 전압값 Vs의 절반인 약 Vs/2로 충전되어 있다. 그리고, 전력 회수 회로(51)는, 패널(10)의 전극간 용량 Cp에 축적된 전력을 LC 공진을 이용하여 전력 회수용의 콘덴서에 회수하고, 전력 회수용의 콘덴서에 축적된 전력을 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn를 구동할 때에 재이용한다.

클램프 회로는 스위칭 소자 Q55와, 스위칭 소자 Q56과, 스위칭 소자 Q59를 가진다. 스위칭 소자 Q55는 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn를 전압 Vs로 클램프하고, 스위칭 소자 Q56은 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn를 전압 0(V)로 클램프한다. 스위칭 소자 Q59는 분리 스위치이고, 주사 전극 구동 회로(43)를 구성하는 스위칭 소자의 기생 다이오드 등을 거쳐서 전류가 역류되는 것을 방지하기 위해 마련되어 있다.

그리고, 유지 펄스 발생 회로(50)는 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호에 근거하여 각 스위칭 소자를 전환해서 유지 펄스를 발생한다.

경사 파형 전압 발생 회로(60)는 밀러 적분 회로(Miller integrating circuit)(61), 밀러 적분 회로(62), 및 밀러 적분 회로(63)를 가진다. 도 7에는, 밀러 적분 회로(61)의 입력 단자를 입력 단자 IN61, 밀러 적분 회로(62)의 입력 단자를 입력 단자 IN62, 밀러 적분 회로(63)의 입력 단자를 입력 단자 IN63으로 나타내고 있다. 또, 밀러 적분 회로(61) 및 밀러 적분 회로(62)는 상승하는 경사 파형 전압을 발생하고, 밀러 적분 회로(63)는 하강하는 경사 파형 전압을 발생한다.

밀러 적분 회로(61)는, 트랜지스터 Q61과 콘덴서 C61과 저항 R61을 갖고, 전압 Vt로 향해 완만하게 상승하는 상승 경사 파형 전압을 발생한다. 밀러 적분 회로(61)는, 예를 들면 초기화 동작시에, 주사 전극 구동 회로(43)의 기준 전위 A를 전압 Vi5(예를 들면, 전압 Vi5=전압 Vt)까지 램프 형상으로 완만하게(예를 들면, 1.3V/sec로) 상승시켜 상승 램프 전압 L1'을 발생한다.

밀러 적분 회로(62)는, 트랜지스터 Q62, 콘덴서 C62, 저항 R62, 및 역류 방지용의 다이오드 Di62를 가진다. 그리고, 유지 기간의 마지막에, 기준 전위 A를 상승 램프 전압 L1'보다 급격한 기울기(예를 들면, 10 V/sec)로 전압 Vr까지 상승시켜 소거 램프 전압 L3을 발생한다.

밀러 적분 회로(63)는 트랜지스터 Q63, 콘덴서 C63, 및 저항 R63을 가진다. 그리고, 초기화 동작시에, 기준 전위 A를 전압 Vi4까지 램프 형상으로 완만하게(예를 들면,-1.5V/sec의 기울기로) 하강시켜 하강 램프 전압 L2 및 하강 램프 전압 L4를 발생한다.

또, 도 7에 나타내는 스위칭 소자 Q69는 분리 스위치이며, 주사 전극 구동 회로(43)를 구성하는 스위칭 소자의 기생 다이오드 등을 거쳐서 전류가 역류되는 것을 방지하기 위해 마련되어 있다. 스위칭 소자 Q69는, 예를 들면, 음극성의 전압 Vi4를 이용한 밀러 적분 회로(63)가 동작하고 있을 때에, 밀러 적분 회로(63)와, 유지 펄스 발생 회로(50), 전압 Vt를 이용한 밀러 적분 회로(61), 및 전압 Vr을 이용한 밀러 적분 회로(62)를 전기적으로 분리한다.

주사 펄스 발생 회로(70)는 n개의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 각각에 주사 펄스를 인가하기 위한 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln, 스위칭 소자 Q72, 전압원 VP를 구비하고 있다.

스위칭 소자 Q71Hj(j=1~n)의 한쪽의 단자와 스위칭 소자 Q71Lj의 한쪽의 단자는 서로 접속되어 있고, 그 접속 개소가 주사 펄스 발생 회로(70)의 출력 단자로 되고, 주사 전극 SCj에 접속되어 있다. 또한, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn의 다른쪽의 단자는 전압원 VP의 고압측에 접속되고, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln의 다른쪽의 단자는 전압원 VP의 저압측(기준 전위 A)에 접속되어 있다.

또, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln은 복수의 출력마다 통합되고, IC화되어 있다. 이 IC가 주사 IC이다.

스위칭 소자 Q72는 기입 기간에서 기준 전위 A를 음극성의 전압 Va에 접속한다.

전압원 VP는 전압 Vp를 발생하고, 기준 전위 A에 중첩된다. 따라서, 전압원 VP의 고압측의 전압은 기준 전위 A에 전압 Vp를 중첩한 전압으로 되고, 전압원 VP의 저압측의 전압은 기준 전위 A와 동일하다.

이와 같이 구성된 주사 펄스 발생 회로(70)에서는, 기입 기간에서는, 스위칭 소자 Q72를 온으로 하여 기준 전위 A를 음극성의 전압 Va와 동등하게 하고, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln의 입력 단자에는 음극성의 전압 Va를 인가하고, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn의 입력 단자에는 전압 Va+전압 Vp로 된 전압 Vc를 인가한다. 그리고, 화상 데이터에 근거하여, 주사 펄스를 인가하는 주사 전극 SCi에 대해서는, 스위칭 소자 Q71Hi를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71Li를 온으로 함으로써, 스위칭 소자 Q71Li를 경유하여 주사 전극 SCi에 음극성의 주사 펄스 전압 Va를 인가한다. 주사 펄스를 인가하지 않은 주사 전극 SCh(h는 1~n 중 i를 제외한 것)에 대해서는, 스위칭 소자 Q71Lh를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71Hh를 온으로 함으로써, 스위칭 소자 QHh를 경유하여 주사 전극 SCh에 전압 Va+전압 Vp(=전압 Vc)를 인가한다.

그리고, 본 실시 형태에서의 주사 펄스 발생 회로(70)는, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln의 온·오프를 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호에 근거하여 제어한다. 이것에 의해, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에 펄스폭 T0의 주사 펄스를 발생하고, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에, 펄스폭 T0보다 넓은 펄스폭 T1의 주사 펄스를 발생한다.

또한, 주사 펄스 발생 회로(70)는, 특정 셀 초기화 기간에서, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCx에 대해서는, 스위칭 소자 Q71Lx를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71Hx를 온으로 한다. 이렇게 함으로써, 스위칭 소자 Q71Hx를 경유하여, 경사 파형 전압 발생 회로(60)로부터 출력되는 상승 램프 전압 L1'에 전압 Vp를 중첩한 상승 램프 전압 L1을 주사 전극 SCx에 인가한다. 특정 셀 초기화 기간에서, 선택 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCy에 대해서는, 스위칭 소자 Q71Hy를 오프, 스위칭 소자 Q71Ly를 온으로 함으로써, 스위칭 소자 Q71Ly를 경유하여 주사 전극 SCy에 상승 램프 전압 L1'을 인가한다.

또, 주사 펄스 발생 회로(70)는, 유지 기간에서는, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln을 온으로 하여, 유지 펄스 발생 회로(50)의 출력 전압을 그대로 출력해서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다.

다음으로, 데이터 전극 구동 회로(42)에 대해 설명한다.

도 8은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(40)에 이용하는 데이터 전극 구동 회로(42)의 일 구성을 개략적으로 나타내는 회로도이다.

또, 도 8에는, 각 회로에 입력되는 제어 신호(타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호, 및 화상 신호 처리 회로(41)로부터 공급되는 화상 데이터)의 신호 경로의 상세는 생략한다.

데이터 전극 구동 회로(42)는 스위칭 소자 Q91H1~스위칭 소자 Q91Hm, 스위칭 소자 Q91L1~스위칭 소자 Q91Lm를 가진다. 그리고, 기입 기간에서는, 화상 데이터에 근거하여(도면에서는, 화상 데이터의 상세는 생략), 데이터 전극 Dj에 전압 0(V)을 인가할 때에는, 스위칭 소자 Q91Lj를 온으로 하고 스위칭 소자 Q91Hj를 오프로 한다. 또한, 데이터 전극 Dj에 전압 Vd를 인가할 때에는, 스위칭 소자 Q91Lj를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q91Hj를 온으로 한다.

그리고, 본 실시 형태에서의 데이터 전극 구동 회로(42)는, 스위칭 소자 Q91H1~스위칭 소자 Q91Hm, 스위칭 소자 Q91L1~스위칭 소자 Q91Lm의 온·오프를 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호에 근거하여 제어한다. 이것에 의해, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에 펄스폭 T0 또는 그 이상의 펄스폭의 기입 펄스를 발생하고, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 파형을 발생한 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에, 펄스폭 T1 또는 그 이상의 펄스폭의 기입 펄스를 발생한다.

또, 이들 스위칭 소자 및 트랜지스터는 MOSFET나 IGBT 등의 일반적으로 알려진 소자를 이용하여 구성할 수 있다. 또한, 이들 스위칭 소자 및 트랜지스터는 타이밍 발생 회로(45)에서 발생한 각각의 스위칭 소자 및 트랜지스터에 대응하는 타이밍 신호에 의해 제어된다.

다음으로, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에서 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형을 발생하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서 주사 펄스를 발생할 때의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작을 도 9를 이용하여 설명한다.

도 9는 본 발명의 실시 형태 1에서의 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간 및 기입 기간의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작의 일례를 설명하기 위한 타이밍차트이다. 또, 도 9에서는, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 「주사 전극 SCx」라고 나타내고, 강제 초기화 파형이 아니라 선택 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 「주사 전극 SCy」라고 나타낸다.

또한, 도 9에서는, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn 중, 주사 전극 SCx에 대응하는 스위칭 소자를 스위칭 소자 Q71Hx라고 나타내고, 주사 전극 SCy에 대응하는 스위칭 소자를 스위칭 소자 Q71Hy라고 나타낸다. 마찬가지로, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln 중, 주사 전극 SCx에 대응하는 스위칭 소자를 스위칭 소자 Q71Lx라고 나타내고, 주사 전극 SCy에 대응하는 스위칭 소자를 스위칭 소자 Q71Ly라고 나타낸다.

또한, 이하, 전압 Vi1은 전압 Vp와 동등한 것으로 하고, 전압 Vi2는 전압 Vt+전압 Vp와 동등한 것으로 하고, 전압 Vi3은 유지 펄스를 발생할 때에 이용하는 전압 Vs와 동등한 것으로 하고, 전압 Vi5는 전압 Vt와 동등한 것으로 하고, 전압 Vc는 전압 Va+전압 Vp와 동등한 것으로 하여 설명한다.

또, 도 9에는, 전압 Vt가 전압 Vs보다 높은 전압값으로 설정된 예를 나타내고 있지만, 전압 Vt와 전압 Vs는 서로 동등한 전압값이더라도 좋고, 혹은, 전압 Vs쪽이 전압 Vtc보다 높은 전압값이더라도 상관없다.

이하, 특정 셀 초기화 기간의 동작, 기입 기간의 동작 순서로 설명한다.

특정 셀 초기화 기간의 전반부에서는, 우선, 스위칭 소자 Q56, 스위칭 소자 Q69, 스위칭 소자 Q71Lx, 및 스위칭 소자 Q71Ly를 온으로 하고, 스위칭 소자 Q55, 스위칭 소자 Q59, 스위칭 소자 Q72, 스위칭 소자 Q71Hx, 및 스위칭 소자 Q71Hy를 오프로 하고, 주사 전극 SCx, 주사 전극 SCy에 전압 0(V)을 인가한다.

다음으로, 스위칭 소자 Q56을 오프로 함과 아울러, 스위칭 소자 Q71Lx를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71Hx를 온으로 하고, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCx에 전압 Vp를 인가한다. 스위칭 소자 Q71Ly는 온을 유지하고, 스위칭 소자 Q71Hy는 오프를 유지하고, 주사 전극 SCy에는 전압 0(V)을 인가한 채로 한다.

다음으로, 상승 램프 전압 L1'를 발생하는 밀러 적분 회로(61)의 입력 단자 IN61(도 7에서, 밀러 적분 회로(61)의 입력 단자로서 나타내는 2개의 단자)의 단자간에 소정의 전압차(예를 들면, 5(V))를 부여한다.

이것에 의해, 콘덴서 C61로 향해 일정한 전류가 흐르고, 트랜지스터 Q61의 소스 전압이 램프 형상으로 상승하고, 기준 전위 A가 0(V)로부터 램프 형상으로 상승하기 시작한다. 이 전압 상승은 입력 단자 IN61의 단자간에 소정의 전압차를 부여하고 있는 기간 혹은, 기준 전위 A가 전압 Vt에 도달할 때까지 계속할 수 있다.

이렇게 해서, 0(V)으로부터 전압 Vi5(본 실시 형태에서는, 전압 Vt와 동등)로 향해 상승하는 상승 램프 전압 L1'을 발생한다.

스위칭 소자 Q71Hy는 오프, 스위칭 소자 Q71Ly는 온이기 때문에, 주사 전극 SCy에는, 이 상승 램프 전압 L1'가 그대로 인가된다.

한편, 스위칭 소자 Q71Hx는 온, 스위칭 소자 Q71Lx는 오프이기 때문에, 주사 전극 SCx에는, 이 상승 램프 전압 L1'에 전압 Vp가 중첩된 전압, 즉 전압 Vi1(본 실시 형태에서는, 전압 Vp와 동등)로부터 전압 Vi2(본 실시 형태에서는, 전압 Vt+전압 Vp와 동등)로 향해 상승하는 상승 램프 전압 L1이 인가된다.

특정 셀 초기화 기간의 후반부에 들어가기 직전에, 입력 단자 IN61의 단자간의 전압차를 0(V)으로 한다. 이것에 의해, 밀러 적분 회로(61)의 동작은 정지한다.

특정 셀 초기화 기간의 후반부에서는, 스위칭 소자 Q55 및 스위칭 소자 Q59를 온으로 하고, 기준 전위 A를 전압 Vs로 한다. 그리고, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln를 온으로 하고, 기준 전위 A를 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다. 이것에 의해, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vi3(본 실시 형태에서는, 전압 Vs와 동등)을 인가한다.

다음으로, 스위칭 소자 Q69를 오프로 하고, 하강 램프 전압 L2를 발생하는 밀러 적분 회로(63)의 입력 단자 IN63(도 7에서, 밀러 적분 회로(63)의 입력 단자로서 나타내는 2개의 단자)의 단자간에 소정의 전압차(예를 들면, 5(V))를 부여한다.

이것에 의해, 콘덴서 C63으로 향해 일정한 전류가 흐르고, 트랜지스터 Q63의 드레인 전압이 램프 형상으로 하강하기 시작하고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압도, 음의 전압 Vi4로 향해 램프 형상으로 하강하기 시작한다. 이 전압 하강은, 입력 단자 IN63의 단자간에 소정의 전압차를 부여하고 있는 기간, 혹은 기준 전위 A가 전압 Vi4에 도달할 때까지 계속할 수 있다.

그리고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압이 음의 전압 Vi4에 도달하면, 입력 단자 IN63의 단자간의 전압차를 0(V)으로 한다. 이것에 의해, 밀러 적분 회로(63)의 동작은 정지한다.

이렇게 해서, 전압 Vi3(본 실시 형태에서는, 전압 Vs와 동등)으로부터 음의 전압 Vi4로 향해 하강하는 하강 램프 전압 L2를 발생하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다.

연속하는 기입 기간에서는, 스위칭 소자 Q72를 온으로 하고, 기준 전위 A를 전압 Va로 한다.

덧붙여, 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn를 온, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln을 오프로 한다. 이렇게 해서, 기준 전위 A에 전압 Vp를 중첩한 전압 Vc(본 실시 형태에서는, 전압 Va+전압 Vp와 동등)를 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다.

다음으로, 스위칭 소자 Q71H1을 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71L1을 온으로 하고, 주사 전극 SC1에 전압 Va를 인가한다. 소정의 시간 후, 스위칭 소자 Q71L1을 오프로 하고, 스위칭 소자 Q71H1을 온으로 하고, 주사 전극 SC1에 전압 Va+전압 Vp를 인가한다. 이와 같이 해서 주사 전극 SC1에 주사 펄스를 인가한다. 이하 동일한 동작을 주사 전극 SC2로부터 주사 전극 SCn에 도달할 때까지 순차적으로 행하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 주사 펄스를 순차적으로 인가한다.

이 때, 강제 초기화 파형을 인가한 주사 전극 SCx에는 펄스폭 T0의 주사 펄스를 인가한다. 구체적으로는, 스위칭 소자 Q71Hx를 오프로 하고 스위칭 소자 Q71Lx를 온으로 하고 나서, 스위칭 소자 Q71Hx를 온으로 되돌리고 스위칭 소자 Q71Lx를 오프로 되돌릴 때까지의 기간을 T0으로 한다. 이렇게 해서, 펄스폭 T0의 주사 펄스를 발생하고, 주사 전극 SCx에 인가한다.

또한, 강제 초기화 파형이 아니라 선택 초기화 파형을 인가한 주사 전극 SCy에는 펄스폭 T1의 주사 펄스를 인가한다. 구체적으로는, 스위칭 소자 Q71Hy를 오프로 하고 스위칭 소자 Q71Ly를 온으로 하고 나서, 스위칭 소자 Q71Hy를 온으로 되돌리고 스위칭 소자 Q71Ly를 오프로 되돌릴 때까지의 기간을 T1로 한다. 이렇게 해서, 펄스폭 T1의 주사 펄스를 발생하고, 주사 전극 SCy에 인가한다.

기입 기간이 종료되면, 스위칭 소자 Q72 및 스위칭 소자 Q71H1~스위칭 소자 Q71Hn를 오프로 하고, 스위칭 소자 Q56, 스위칭 소자 Q69, 스위칭 소자 Q71L1~스위칭 소자 Q71Ln을 온으로 하여 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 0(V)을 인가하고, 연속되는 유지 기간에 대비한다.

본 실시 형태에서는, 이와 같이 해서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에서, 강제 초기화 파형을 발생하여 주사 전극 SCx에 인가하고, 선택 초기화 파형을 발생하여 주사 전극 SCy에 인가한다. 또한, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서는, 강제 초기화 파형을 인가한 주사 전극 SCx에는 펄스폭 T0의 주사 펄스를 인가하고, 선택 초기화 파형을 인가한 주사 전극 SCy에는 펄스폭 T1의 주사 펄스를 인가한다.

또, 본 실시 형태에서는, 각 방전 셀에서 5 필드에 1회의 비율로 강제 초기화 파형에 의한 강제 초기화 동작을 행하는 구성을 설명했지만, 본 발명은 이 구성에 전혀 한정되는 것은 아니다. 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도는 5 필드에 1회 이상이더라도 좋고, 그 이하의 빈도이더라도 좋다.

또, 본 실시 형태는 1 필드를 구성하는 서브필드의 수, 각 서브필드의 휘도 가중치 등이 상술한 수치에 한정되는 것은 아니다. 또한, 화상 신호 등에 근거하여 서브필드 구성을 전환하는 구성이더라도 좋다.

(실시 형태 2)

실시 형태 1에서는, (규칙 1), (규칙 2)에 근거하여 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 설정하고, 또, 1개의 필드군을 구성하는 필드의 수가 5 이상일 때에는 (규칙 3)을 부가하여 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 설정하는 예를 설명했다. 그러나, 본 발명은, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)이 조금도 이러한 규칙에 한정되는 것은 아니다. 본 실시 형태에서는, 실시 형태 1에 나타낸 규칙과는 다른 규칙에 근거하여 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 설정하는 예를 설명한다.

본 실시 형태에서는, 1개의 주사 전극(22)에 대해, 시간적으로 연속하는 N개의 필드(N는 자연수) 중 1개의 필드에서 1회만 강제 초기화 동작을 행하는 경우, 시간적으로 연속하는 N개의 필드를 1개의 필드군으로 한다. 그리고, 연속하여 배치된 M개의 주사 전극(22)을 1개의 주사 전극군으로 한다. 그리고, M≤N로 한다.

그 조건 하에서, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 이하의 규칙에 근거하여 설정한다.

(규칙 1) 1개의 주사 전극(22)에서, 강제 초기화 동작을 행하는 필드는 각 필드군 중에서 1개이다.

(규칙 2') 1개의 필드에서 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)은 각 주사 전극군 중에서 1개 또는 0개이다.

또, N이가 4 이상일 때, 즉, 1개의 필드군을 4개 또는 그 이상의 필드로 구성할 때에는, 다음의 규칙 3을 정한다.

(규칙 3) 1개의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCx에 인접하는 주사 전극 SCx-1 및 주사 전극 SCx+1에는, 적어도 그 필드의 특정 셀 초기화 기간과, 그 필드의 다음의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서는, 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다.

이와 같이, 본 실시 형태에서의 규칙 1은 실시 형태 1에 나타낸 규칙 1과 동일하지만, 본 실시 형태에서의 규칙 2'는 실시 형태 1에 나타낸 규칙 2와는 다르다. 또한, 규칙 3을 적용할 때의 1개의 필드군을 구성하는 필드의 수가, 본 실시 형태와 실시 형태 1은 다르다.

도 10은 본 발명의 실시 형태 2에서의 강제 초기화 동작과 선택 초기화 동작의 발생 패턴의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10에서, 가로축은 필드를 나타내고, 세로축은 주사 전극(22)을 나타낸다.

도 10에는, 시간적으로 연속하는 4개의 필드를 1개의 필드군으로 하고, 배치적으로 연속하는 2개의 주사 전극(22)을 1개의 주사 전극군으로 할 때의 일례를 나타내고 있다. 예를 들면, 도 10에 나타내는 예에서는, 필드 Fj, 필드 Fj+1, 필드 Fj+2 및 필드 Fj+3으로 1개의 필드군을 구성하고(N=4), 주사 전극 SCi 및 주사 전극 SCi+1로 1개의 주사 전극군을 구성하고 있다(M=2).

또, 도 10에 나타내는 「○」은 서브필드 SF1의 초기화 기간에서 강제 초기화 동작을 행하는(즉, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행하는) 것을 나타내고, 「×1」, 「×2」, 「×3」은 서브필드 SF1의 초기화 기간에서 강제 초기화 동작을 행하지 않는(즉, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행하는) 것을 나타낸다.

또, 도 10에 나타내는 예에서는, 필드 Fj를 제 1 필드로 하고, 필드 Fj+1을 제 2 필드로 하고, 필드 Fj+2를 제 3 필드로 하고, 필드 Fj+3을 제 4 필드로 한다.

그리고, 제 1 필드(예를 들면, 필드 Fj)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 특정 셀 초기화 기간에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (1+2×N)번째의 주사 전극 SC(1+2×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi)에는, 강제 초기화 동작을 위한 강제 초기화 파형을 인가한다. 배치적으로 보아 위에서부터 (2+2×N)번째의 주사 전극 SC(2+2×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+1)에는, 강제 초기화 파형이 아니라, 선택 초기화 동작을 위한 선택 초기화 파형을 인가한다.

또한, 제 2 필드(예를 들면, 필드 Fj+1)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 모든 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에, 강제 초기화 파형이 아니라 선택 초기화 파형을 인가한다.

제 3 필드(예를 들면, 필드 Fj+2)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 특정 셀 초기화 기간에서, 배치적으로 보아 위에서부터 (2+2×N)번째의 주사 전극 SC(2+2×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi+1)에는, 강제 초기화 동작을 위한 강제 초기화 파형을 인가한다. 배치적으로 보아 위에서부터 (1+2×N)번째의 주사 전극 SC(1+2×N)(예를 들면, 주사 전극 SCi)에는, 강제 초기화 파형이 아니라 선택 초기화 파형을 인가한다.

또한, 제 4 필드(예를 들면, 필드 Fj+3)의 특정 셀 초기화 서브필드(서브필드 SF1)에서는, 모든 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에, 강제 초기화 파형이 아니라 선택 초기화 파형을 인가한다.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 1개의 주사 전극(22)에서, 강제 초기화 동작을 행하는 필드는 각 필드군 중에서 1개이다(규칙 1).

이것에 의해, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 경우와 비교하여, 강제 초기화 동작의 회수는 4분의 1로 저감된다. 따라서, 강제 초기화 동작에 의해 생기는 발광도 4분의 1로 저감하고, 그 만큼, 표시 화상의 흑 휘도를 낮게 해서 표시 화상의 콘트라스트비를 향상할 수 있다.

그리고, 본 실시 형태에서는, 1개의 필드에서 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)은 각 주사 전극군 중에서 1개 또는 0개이다(규칙 2').

이것에 의해, 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)이 각 필드로 분산되기 때문에, 강제 초기화 동작을 행하는 주사 전극(22)이 1 필드에 집중되는 경우와 비교하여, 플리커(화면이 깜빡이는 현상)를 저감할 수 있다.

또, 본 실시 형태에서는, 1개의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCx에 인접하는 주사 전극 SCx-1 및 주사 전극 SCx+1에는, 적어도 그 필드의 특정 셀 초기화 기간과, 그 필드의 다음의 필드의 특정 셀 초기화 기간에서는, 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다(규칙 3).

예를 들면, 도 10에 나타내는 예에서는, 주사 전극 SCi에는 필드 Fj의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지만, 주사 전극 SCi에 인접하는 주사 전극 SCi-1 및 주사 전극 SCi+1에는, 필드 Fj 및 그 다음의 필드 Fj+1의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다. 마찬가지로, 주사 전극 SCi+1에는 필드 Fj+2의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지만, 주사 전극 SCi+1에 인접하는 주사 전극 SCi 및 주사 전극 SCi+2에는, 필드 Fj+2 및 그 다음의 필드 Fj+3의 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 인가하지 않고, 선택 초기화 파형을 인가한다.

이것에 의해, 강제 초기화 동작을 행하는 방전 셀의 시간적 및 공간적인 연속성이 저감하기 때문에, 강제 초기화 동작에 따른 발광이 사용자에 인식되기 어려워진다.

그리고, 본 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에서는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서의 기입 시간을 길게 한다.

단, 본 실시 형태에서는, 실시 형태 1과는 달리, 4 종류의 기입 시간을 설정하고, 필드에 따라 기입 시간을 변경한다. 이 4 종류의 기입 시간이란, 기입 시간 T0, 기입 시간 T1, 기입 시간 T2 및 기입 시간 T3이다. 그리고, 기입 시간 T1을 기입 시간 T0보다 길게 하고, 기입 시간 T2를 기입 시간 T1보다 길게 하고, 기입 시간 T3을 기입 시간 T2보다 길게 하고 있다.

구체적으로는, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행하는 제 1 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서 기입 시간을 T0으로 한다. 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행함과 아울러 제 1 필드의 다음에 발생하는 제 2 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서 기입 시간을 T1로 한다. 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행함과 아울러 제 2 필드의 다음에 발생하는 제 3 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서 기입 시간을 T2로 한다. 그리고, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행함과 아울러 제 3 필드의 다음에 발생하는 제 4 필드에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서 기입 시간을 T3으로 한다.

도 10에서는, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서 기입 시간을 T0으로 하는 필드는 란 내에 「○」을 기재한 필드(즉, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행하는 필드)이다. 그리고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서 기입 시간을 T1로 하는 필드는 란 내에 「×1」을 기재하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서 기입 시간을 T2로 하는 필드는 란 내에 「×2」를 기재하고, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서 기입 시간을 T3으로 하는 필드는 란 내에 「×3」을 기재하고 있다.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서의 기입 시간을, 강제 초기화 동작을 행한 특정 셀 초기화 기간으로부터 시간적으로 떨어진 서브필드일수록 길게 한다.

또, 실시 형태 1에서 설명한 바와 같이, 엄밀하게는, 주사 펄스의 펄스폭 또는 기입 펄스의 펄스폭과 기입 시간은 다르다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 기입 펄스의 펄스폭을 적어도 주사 펄스의 펄스폭과 동등하거나 또는 그 이상으로 설정하고, 주사 펄스를 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 기입 펄스도 방전 셀에 인가하는 것으로 한다. 이것에 의해, 주사 펄스의 펄스폭은 기입 시간과 동등한 것으로 한다.

따라서, 도 10에 나타내는 예에서는, 특정 셀 초기화 기간에 강제 초기화 동작을 행하는 제 1 필드(란 내에 「○」을 기재한 필드)에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서, 펄스폭 T0의 주사 펄스를 발생하고 기입 동작을 행한다.

또한, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행함과 아울러 제 1 필드의 다음에 발생하는 제 2 필드(란 내에 「×1」을 기재한 필드)에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서, 펄스폭 T1의 주사 펄스를 발생하고 기입 동작을 행한다.

또한, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행함과 아울러 제 2 필드의 다음에 발생하는 제 3 필드(란 내에 「×2」를 기재한 필드)에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서, 펄스폭 T2의 주사 펄스를 발생하고 기입 동작을 행한다.

그리고, 특정 셀 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행함과 아울러 제 3 필드의 다음에 발생하는 제 4 필드(란 내에 「×3」을 기재한 필드)에서는, 특정 셀 초기화 기간의 직후의 기입 기간에서, 펄스폭 T3의 주사 펄스를 발생하고 기입 동작을 행한다.

상술한 바와 같이, 초기화 방전에 의해서 발생한 프라이밍 입자는 시간의 경과와 함께 감소한다. 따라서, 강제 초기화 동작으로부터의 경과 시간이 길어질수록 프라이밍 입자는 보다 많이 감소하고, 기입 동작시에서의 방전 지연 시간도 상대적으로 길어진다.

그러나, 본 실시 형태에서는, 각각의 필드군에서, 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서의 기입 시간(즉, 주사 펄스의 펄스폭)을, 강제 초기화 동작을 행한 특정 셀 초기화 기간으로부터 시간적으로 떨어진 서브필드일수록 길게 한다.

이것에 의해, 특정 셀 초기화 기간에 초기화 방전이 발생하지 않고, 프라이밍 입자가 상대적으로 감소하고, 기입 방전의 방전 지연 시간이 상대적으로 길어진 방전 셀에서, 기입 방전을 안정하게 발생하는 것이 가능해진다.

또, 본 실시 형태에서, 예를 들면, 기입 시간 T0=1.0μsec(펄스폭 T0=1.0μsec)이고, 기입 시간 T1=1.1μsec(펄스폭 T1=1.1μsec)이고, 기입 시간 T2=1.3μsec(펄스폭 T2=1.3μsec)이고, 기입 시간 T3=1.6μsec(펄스폭 T3=1.6μsec)이다. 그러나, 본 발명은, 기입 시간이 조금도 상술한 수치에 한정되는 것이 아니며, 각 기입 시간은 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 따라 최적으로 설정하는 것이 바람직하다.

또, 본 실시 형태에서는, 선택 초기화 서브필드(예를 들면, 서브필드 SF2로부터의 서브필드 SF10)의 기입 기간에서는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 어느 방전 셀에 대해서도 일정한 펄스폭의 주사 펄스를 인가한다. 그 펄스폭은, 예를 들면 T0이다.

또, 본 실시 형태에서는, 각 방전 셀에서 4 필드에 1회의 비율로 강제 초기화 파형에 의한 강제 초기화 동작을 행하는 구성을 설명했지만, 본 발명은 조금도 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도는 4 필드에 1회 이상이더라도 좋고, 그 이하의 빈도이더라도 좋다.

또, 도 4, 도 9에 나타낸 구동 전압 파형은 본 발명의 실시 형태에서의 일례를 나타낸 것에 불과하며, 본 발명은 조금도 이러한 구동 전압 파형에 한정되는 것은 아니다.

또한, 도 6, 도 7, 도 8에 나타낸 회로 구성도 본 발명의 실시 형태에서의 일례를 나타낸 것에 불과하며, 본 발명은 조금도 이들 회로 구성에 한정되는 것은 아니다.

또, 본 발명에서의 실시 형태에 나타낸 각 회로 블록은, 실시 형태에 나타낸 각 동작을 행하는 전기 회로로서 구성되어도 좋고, 혹은, 동일한 동작을 하도록 프로그래밍된 마이크로컴퓨터 등을 이용하여 구성되어도 좋다.

또, 본 발명에 있어서의 실시 형태에서는, 1개의 필드를 10개의 서브필드로 구성하는 예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 1 필드를 구성하는 서브필드의 수는 조금도 상기의 수에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 서브필드의 수를 보다 많이 함으로써, 패널(10)에 표시할 수 있는 계조의 수를 더 증가시킬 수 있다. 혹은, 서브필드의 수를 보다 적게 함으로써, 패널(10)의 구동에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.

또, 본 발명에 있어서의 실시 형태에서는, 선택 초기화 서브필드(예를 들면, 서브필드 SF2로부터의 서브필드 SF10)의 기입 기간에서는, 어느 방전 셀에 대해서도 펄스폭 T0의 주사 펄스를 인가하는 예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 조금도 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 선택 초기화 서브필드의 기입 기간에 발생하는 주사 펄스는 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 따른 최적인 펄스폭으로 발생하는 것이 바람직하다.

또, 본 발명에 있어서의 실시 형태에서는, 특정 셀 초기화 서브필드를 서브필드 SF1로 하는 예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 조금도 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 특정 셀 초기화 서브필드는 서브필드 SF1 이외의 서브필드이더라도 상관없다.

또, 본 발명에 있어서의 실시 형태에서는, 1 화소를 적색, 녹색, 청색의 3색 방전 셀로 구성하는 예를 설명했지만, 1 화소를 4색 혹은 그 이상의 색 방전 셀로 구성하는 패널에서도, 본 발명에 있어서의 실시 형태에 나타낸 구성을 적용하는 것은 가능하며, 동일한 효과를 얻을 수 있다.

또, 본 발명의 실시 형태에서 나타낸 구체적인 수치는, 화면 사이즈가 50인치, 표시 전극쌍(24)의 수가 1024개인 패널(10)의 특성에 근거하여 설정한 것이며, 단지 실시 형태에 있어서의 일례를 나타낸 것에 불과하다. 본 발명은 이들 수치에 조금도 한정되는 것이 아니며, 각 수치는 패널의 사양이나 패널의 특성, 및 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 맞추어 최적인 수치로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 각 수치는 상술한 효과를 얻을 수 있는 범위에서의 편차를 허용하는 것으로 한다. 또한, 1 필드를 구성하는 서브필드의 수나 각 서브필드의 휘도 가중치 등도 본 발명에 있어서의 실시 형태에 나타낸 값에 한정되는 것이 아니고, 또한, 화상 신호 등에 근거하여 서브필드 구성을 전환하는 구성이더라도 좋다.

(산업상의 이용 가능성)

본 발명은, 표시 화상의 콘트라스트를 향상함과 아울러 안정하게 기입 방전을 발생하여 플라즈마 디스플레이 장치에서의 화상 표시 품질을 향상할 수 있기 때문에, 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치로서 유용하다.

10: 패널
21: 전면 기판
22: 주사 전극
23: 유지 전극
24: 표시 전극쌍
25, 33: 유전체층
26: 보호층
31: 배면 기판
32: 데이터 전극
34: 격벽
35, 35R, 35G, 35B: 형광체층
40: 플라즈마 디스플레이 장치
41: 화상 신호 처리 회로
42: 데이터 전극 구동 회로
43: 주사 전극 구동 회로
44: 유지 전극 구동 회로
45: 타이밍 발생 회로
50: 유지 펄스 발생 회로
51: 전력 회수 회로
60: 경사 파형 전압 발생 회로
61, 62, 63: 밀러 적분 회로
70: 주사 펄스 발생 회로
Q55, Q56, Q59, Q69, Q72, Q71H1~Q71Hn, Q71L1~Q71Ln, Q91H1~Q91Hm, Q91L1~Q91Lm: 스위칭 소자
IN61, IN62, IN63: 입력 단자
Q61, Q62, Q63: 트랜지스터
C61, C62, C63: 콘덴서
R61, R62, R63: 저항
Di62: 다이오드
VP: 전압원
L1, L1': 상승 램프 전압
L2, L4: 하강 램프 전압
L3: 소거 램프 전압

Claims (8)

1. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍과 데이터 전극을 가지는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널에, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 가지는 서브필드를 1 필드 내에 복수 마련하여 계조를 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,
   상기 초기화 기간에서는, 상기 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 동작과, 직전의 서브필드에서 기입 방전을 발생한 방전 셀에 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 동작 중 어느 하나의 초기화 동작을 행하고,
   1 필드 내에는, 특정의 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고 다른 방전 셀에서는 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 특정 셀 초기화 서브필드와, 모든 방전 셀에서 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 선택 초기화 서브필드를 마련하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을 길게 하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   시간적으로 연속한 복수의 필드로 1개의 필드군을 구성함과 아울러, 배치적으로 연속한 복수의 주사 전극으로 1개의 주사 전극군을 구성하고,
   상기 주사 전극군을 구성하는 각 주사 전극에는, 1개의 상기 필드군 중의 1개의 필드에서만 상기 강제 초기화 동작을 위한 강제 초기화 파형을 인가하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을, 상기 강제 초기화 동작을 행한 초기화 기간으로부터 시간적으로 떨어진 서브필드일수록 길게 하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 기입 기간에서, 상기 기입 펄스의 펄스폭을 상기 주사 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 설정하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 상기 주사 펄스를 상기 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 상기 기입 펄스도 상기 방전 셀에 인가하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 주사 펄스를 인가하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 기입 기간에서, 상기 주사 펄스의 펄스폭을 상기 기입 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 설정하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 상기 기입 펄스를 상기 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 상기 주사 펄스도 상기 방전 셀에 인가하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 기입 펄스를 인가하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
   
5. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍과 데이터 전극을 가지는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 가지는 서브필드를 1 필드 내에 복수 마련하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널에 계조를 표시하는 구동 회로를 가지는 플라즈마 디스플레이 장치로서,
   상기 구동 회로는,
   상기 초기화 기간에서는, 상기 방전 셀에 초기화 방전을 발생하는 강제 초기화 동작과, 직전의 서브필드에서 기입 방전을 발생한 방전 셀에 선택적으로 초기화 방전을 발생하는 선택 초기화 동작 중 어느 하나의 초기화 동작을 행하고,
   1 필드 내에는, 특정의 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고 다른 방전 셀에서는 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 특정 셀 초기화 서브필드와, 모든 방전 셀에서 선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간을 가지는 선택 초기화 서브필드를 마련하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에서는, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을 길게 하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 구동 회로는,
   시간적으로 연속한 복수의 필드로 1개의 필드군을 구성함과 아울러, 배치적으로 연속한 복수의 주사 전극으로 1개의 주사 전극군을 구성하고,
   상기 주사 전극군을 구성하는 각 주사 전극에는, 1개의 상기 필드군 중의 1개의 필드에서만 상기 강제 초기화 동작을 위한 강제 초기화 파형을 인가하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 주사 펄스와 기입 펄스가 동시에 방전 셀에 인가되고 있는 기간을, 상기 강제 초기화 동작을 행한 초기화 기간으로부터 시간적으로 떨어진 서브필드일수록 길게 하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
7. 제 5 항에 있어서,
   상기 구동 회로는,
   상기 기입 기간에서, 상기 기입 펄스의 펄스폭을 상기 주사 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 하여 발생하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 상기 주사 펄스를 상기 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 상기 기입 펄스도 방전 셀에 인가하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 주사 펄스를 인가하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
   
8. 제 5 항에 있어서,
   상기 구동 회로는,
   상기 기입 기간에서, 상기 주사 펄스의 펄스폭을 상기 기입 펄스의 펄스폭과 동등 이상으로 하여 발생하고, 기입 방전을 발생해야 할 방전 셀에 대해서는, 상기 기입 펄스를 상기 방전 셀에 인가하고 있는 기간은 상기 주사 펄스도 방전 셀에 인가하고,
   상기 특정 셀 초기화 서브필드의 기입 기간에서, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 선택 초기화 동작을 행한 방전 셀에는, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 상기 강제 초기화 동작을 행한 방전 셀보다 펄스폭이 넓은 기입 펄스를 인가하는 것
   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

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