KR101084422B1 - 아조 화합물 및 그 염 - Google Patents
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Abstract
Description
극대 흡수 파장(nm) | 편광률(%) | |
실시예 9 실시예 10 실시예 11 실시예 12 실시예 13 실시예 14 실시예 15 실시예 16 | 550 570 550 550 550 550 590 560 | 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 |
편광률 변화 (%) | |
실시예 17 실시예 18 실시예 19 실시예 20 실시예 21 실시예 22 비교예 1 | 0.16 0.67 0.08 0.30 0.27 0.16 1.04 |
Claims (9)
- 아래의 식 (1)[위의 식에서, A는 술폰산기, 아미노기, 탄소 수 1~5의 알킬기로 1~2개 치환한 아미노기, 아세틸아미노기, 페닐아미노기 및 벤조일아미노기로 이루어지는 군(群)으로부터 선택되는 치환 아미노기, 탄소 수 1~5의 알킬기, 탄소 수 1~5의 알콕실기, 히드록실기 및 카르복실기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1∼3개의 치환기를 가진 페닐기, 또는 치환기로서 술폰산기를 1∼3개 가지고 또한 히드록실기를 가지고 있어도 좋은 나프틸기를 나타내고, B는 수소 원자, 술폰산기, 탄소 수 1~5의 알킬기, 탄소 수 1~5의 알콕실기, 할로겐 원자 또는 니트로기를 나타내며, Rl∼R4는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소 수 1~5의 알킬기, 탄소 수 1~5의 알콕실기 또는 아세틸아미노기를 나타내고, D는 -NHCO-, -N=N- 또는 -NH-를 나타내며, E는 수소 원자, 탄소 수 1~5의 알킬기 또는 히드록실기, 아미노기, 니트로기, 술폰산기, 카르복실기, 탄소 수 1~5의 알킬기 및 탄소 수 1~5의 알콕실기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1∼3개의 치환기를 갖는 페닐기를 나타내고, n은 0 또는 1, m은 0 또는 1을 나타낸다.]로 나타내어지는 아조 화합물 또는 그 염, 혹은 이들 중의 어느 한가지의 구리 착염 화합물.
- 제1항에 있어서, A가 치환기로서 술폰산기, 메틸기, 메톡시기, 히드록실기 및 카르복실기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1∼3개의 치환기를 가진 페닐기인 아조 화합물 또는 그 염, 혹은 이들 중의 어느 한가지의 구리 착염 화합물.
- 제1항에 있어서, A가 치환기로서 1∼2개의 술폰산기, 카르복실기, 히드록실기 또는 Cl∼C5 알킬기를 갖는 페닐기, 또는 술폰산기를 갖는 나프틸기이고, B는 수소 원자, 술폰산기, Cl∼C4 알킬기 또는 Cl∼C4 알콕실기이며, Rl은 Cl∼C5 알킬기, Cl∼C5 알콕실기 또는 아세틸아미노기이고, R2는 수소 원자, Cl∼C5 알킬기 또는 Cl∼C5 알콕실기이며, R3은 Cl∼C5 알킬기 또는 Cl∼C5 알콕실기이고, R4는 수소 원자, Cl∼C5 알킬기 또는 Cl∼C5 알콕실기이며, D는 -NHCO-, -N=N- 또는 -NH-이고, E는 아미노기 또는 히드록실기로 치환되어 있어도 좋은 페닐기인 아조 화합물 또는 그 염, 혹은 이들 중의 어느 한가지의 구리 착염 화합물.
- 제1항에 있어서, A가 치환기로서 술폰산기, 카르복실기를 갖는 페닐기이고, B는 술폰산기이며, Rl은 메틸기이고, R2는 수소 원자이며, R3은 메틸기이고, R4는 메틸기 또는 메톡시기이며, D는 -NHCO- 또는 -N=N-이고, E는 아미노기 또는 히드록실기로 치환되어 있어도 좋은 페닐기인 아조 화합물 또는 그 염, 혹은 이들 중의 어느 한가지의 구리 착염 화합물.
- 제1항 기재의 아조 화합물 또는 그 염, 혹은 이들 중의 어느 한가지의 구리 착염 화합물을 편광막 기재에 함유한 염료계 편광막.
- 제1항 기재의 아조 화합물 또는 그 염, 혹은 이들 중의 어느 한가지의 구리 착염 화합물, 및 이들 이외의 유기 염료를 1종류 이상 편광막 기재에 함유한 염료계 편광막.
- 제5항에 있어서, 편광막 기재가 폴리비닐 알코올계 수지로 이루어지는 필름인 염료계 편광막.
- 제5항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 액정 프로젝터용인 염료계 편광막.
- 제5항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 기재한 염료계 편광막을 포함해서 이루어지는 편광판.
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