KR101081871B1 - 투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재 - Google Patents

투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재 Download PDF

Info

Publication number
KR101081871B1
KR101081871B1 KR1020067006407A KR20067006407A KR101081871B1 KR 101081871 B1 KR101081871 B1 KR 101081871B1 KR 1020067006407 A KR1020067006407 A KR 1020067006407A KR 20067006407 A KR20067006407 A KR 20067006407A KR 101081871 B1 KR101081871 B1 KR 101081871B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
transparent conductive
thin film
indium
oxygen
Prior art date
Application number
KR1020067006407A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060117911A (ko
Inventor
도쿠유키 나카야마
요시유키 아베
Original Assignee
스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 filed Critical 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Publication of KR20060117911A publication Critical patent/KR20060117911A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101081871B1 publication Critical patent/KR101081871B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making

Abstract

본 발명의 투명도전막(1)은, 적층된 적어도 2층의 투명 도전성 박막(10, 20)으로 이루어지고, 최상층의 상기 투명 도전성 박막이 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막이고, 갈륨을 전 금속 원자에 대해서 49.1 원자% 이상 65원자% 이하 함유하고, 또한 일함수가 5.1eV 이상이고, 100Ω/□이하의 표면 저항을 갖는다. 또한, 본 발명의 투명도전성 기재는, 투명 기판과, 상기 투명 기판의 편면 혹은 양면 상에 형성된 상기 투명도전막(1)을 포함한다.

Description

투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE BASE MATERIAL UTILIZING THE SAME}
본 발명은 유기 일렉트로 루미네선스(electroluminescence)(EL)소자 등에 이용되는 투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재에 관한 것이다.
투명도전막은 높은 도전성(예를 들면 1×10-3Ωcm 이하의 비저항)과, 가시광 영역에서의 높은 투과율을 갖기 때문에, 태양 전지, 액정 표시 소자, 기타 각종 수광 소자 등의 전극으로서 이용되고, 나아가, 자동차의 창유리나, 건축물의 창유리 등에 이용하는 열선 반사막, 각종 대전 방지막, 냉동 쇼 케이스 등의 방담(防曇)용 투명 발열체로서도 이용되고 있다.
투명도전막에는, 안티몬이나 불소가 도핑된 산화주석(SnO2)막, 알루미늄이나 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO)막, 주석이 도핑된 산화 인듐(In2O3)막 등이 널리 이용되고 있다. 특히, 주석이 도핑된 산화 인듐막, 즉 In2O3-Sn계 막은, ITO(Indium Tin Oxide)막으로 불려지고, 저저항의 투명도전막이 용이하게 수득되는 것으로부터, LCD를 비롯해서 각종 디바이스에 널리 이용되고 있다.
ITO막은 유기 EL 소자의 전극으로서도 이용되고 있다. 유기 EL 소자는 구동 전압을 대폭으로 낮게 해서 소형화가 용이하기 때문에, 차세대 표시 소자로서의 실용화 연구가 적극적으로 이루어지고 있다. 유기 EL 소자의 구성은, 양극/발광층/음극의 적층을 기체로 하고, 통상, 유리판 등을 이용한 기판 상에 투명 양극으로서 상기 ITO막을 형성하는 구성이 채용되고 있다. 양극으로부터는 정공이 주입되기 때문에, 양극의 일함수(work function)는 높은 편이 바람직하다. 이 경우, 일함수로서 적어도 4.4eV 이상이 필요하지만, 5.0eV 이상인 것이 바람직하다. 그러나 일반적으로 ITO막의 일함수는 4.4eV 정도인 것이 알려지고, 유기 EL 소자의 양극으로서 이용하기에는 일함수가 충분하지 않다.
비 특허 문헌 1에 기재되어 있는 것과 같이, 통상은, ITO막의 표면에 산세정 및 UV 오존 세정을 실시하고, 일함수를 5.0eV 정도까지 증가시킬 필요가 있다. 그러나, 일함수는 처리 조건에 대해서 매우 민감하기 때문에, 그 제어는 어렵다. 또한, 일정 시간의 방치에 의해서 일함수가 처리전의 값으로 되돌아가 버리는 경우가 있는 것도 보고되어 있다.
또한, 특허 문헌 1에는, 양극과 음극과의 사이에 유기 발광층을 포함하는 유기층이 협지되어 이루는 유기 일렉트로 루미네선스 소자에 있어서, 음극이 유기층에 접하는 측으로부터 전자 주입 전극층, 투명도전막, 저항율 1×10-5Ωcm 이하의 금속박막 순으로 적층되어 이루어짐과 동시에, 음극의 외측에 투명 박막층이 형성 되어 있는 유기 일렉트로 루미네선스 소자가 제안되어 있다. 이 투명 박막층에는, 인듐(In), 아연(Zn), 산소(O)로 이루어진 산화물을 이용한 비정질 투명도전막, 이른바 IZO막이 이용되고 있다.
IZO막은, 비저항이 낮을 뿐만 아니라, 미결정을 포함하지 않은 안정한 비액정질막이기 때문에, 유기 EL의 전극막으로서 유용하다. 그러나, IZO 막의 일함수는 4.8~4.9eV 정도이고, 유기 EL의 양극으로서 이용하기에는 충분히 높다고는 말할 수 없다. ITO막과 마찬가지로 표면 처리에 의해서 일함수를 높이는 것이 필요로 되어 있다.
이상과 같이, 유기 EL의 양극으로서 유용한 일함수가 높고, 도전성이 높은 투명도전막은 아직 없고, 그 개발이 기대되고 있다.
[특허 문헌 1] : 특개 평 7－182924호 공보
[비특허 문헌 1] : 「투명도전막의 신전개Ⅱ」, 씨엠씨 출판, 제 1판, P203
본 발명의 목적은, 낮은 표면 저항과 높은 일함수를 겸해서 구비한 투명 도전성 박막을 적층해서 이루는 투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재를 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 Ga, In 및 O로 이루어진 비정질 산화물막에 있어서, Ga를 전(全)금속 원자에 대해서 49.1 원자% 이상 65원자% 이하 함유하는 투명도전막은, 유기 EL의 투명 전극으로서 이용하기 위해서는, 아직 도전성이 충분히 만족하기까지는 도달하지 않지만, 일함수가 5.1eV 이상으로 높다고 하는 특징을 갖고 있고, 이 높은 일함수를 갖는 특징을 살려서, 기판 상에 적어도 2층 이상의 투명도전막을 순차 적층한 적층막을 형성하고, 최상면의 제 1투명도전막이 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질 산화 박막으로, 갈륨을 전 금속 원자에 대해서 49.1원자% 이상 65원자% 이하 함유하는 투명도전막을 이용하는 것에 의해서, 일함수가 5.1eV 이상이고, 적층막의 표면 저항이 100Ω/□이하인 투명도전막이 수득되는 것을 발견하고, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명에 의한 투명도전막은, 기판 상에 투명 도전성 박막을 적어도 2층 이상 적층해서 이루는 투명도전막에 있어서, 최상층의 제 1투명 도전성 박막이 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막에 있어서, 갈륨을 전 금속 원자에 대해서 49.1 원자% 이상 65원자% 이하 함유하고, 또한 일함수가 5.1eV 이상이고, 그 표면 저항이 100Ω/□이하이다.
본 발명에 의하면, 바람직하게는 상기 표면 저항이 50Ω/□이하이다.
본 발명에 의하면, 상기 제 1투명 도전성 박막보다 기판 측에 있는 다른 투명 도전성 박막이, 인듐, 주석 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 텅스텐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막 또는 인듐, 텅스텐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막의 어느 1종 이상으로 이루어진다.
본 발명에 의하면, 상기 제 1투명 도전성 박막의 두께가 5nm 이상이고, 또한 적층된 투명 도전성 박막의 총 막 두께가 300nm 이하이다.
본 발명에 의하면, 상기 제 1투명 도전성 박막의 표면의 산술 평균 높이(Ra)가 2.0nm 이하이다.
본 발명에 의한 투명 도전성 기재는, 유리판, 석영판, 편면 혹은 양면이 가스 배리어막으로 덮여 있는 수지판 혹은 수지 필름, 또는 내부에 가스 배리어막이 삽입되어 있는 수지판 혹은 수지 필름으로부터 선택된 투명 기판과, 그 투명 기판의 편면 혹은 양면에 형성된 상기 어느 하나의 투명도전막을 포함하고 있다.
본 발명에 의하면, 상기 가스 배리어막이 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 알루미늄산 마그네슘막, 산화 주석계막 및 다이아몬드 모양 카본막 중에서 선택되는 적어도 하나이다.
본 발명에 의하면, 상기 수지판 혹은 수지 필름이 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리카보네이트(PC), 혹은 그들의 표면을 아크릴계 유기물로 덮은 적층 구조체로 이루어져 있다.
본 발명의 투명도전막은, 기판상에 적어도 2층 이상의 투명 도전성 박막을 순차 적층한 적층막으로 이루어지고, 최상층의 투명 도전성 박막이 갈륨, 인듐, 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막이고, 갈륨을 전 금속 원자에 대해서 49.1원자% 이상 65원자% 이하 함유하는 투명도전막으로 하는 것에 의해서, 종래 수득되지 않았던 일함수가 5.1eV 이상이고, 또한, 표면 저항이 100Ω/□ 이하의 투명도전막을 수득 할 수 있다.
본 발명의 투명도전막은, 특히, 유기 EL 소자 등의 양극으로서 이용한 경우, 정공 주입이 행해지기 쉬워진다. 그 결과로서, 본 밞병의 투명도전막은 유기 EL 소자 등의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 유용하다.
또한, 본 발명의 투명 도전성 기재는 유리 기판이나 석영 기판 뿐만 아니라, 내열성이 없는 수지 기판, 나아가서는 플렉시블한 수지 필름 기판 상에, 필요에 따라서 가스 배리어 막을 형성한 후, 본 발명의 상기 투명도전막을 형성하는 것에 의해서 수득된다. 따라서, 어떠한 디바이스의 형상이나 형태에 대해서도, 수지 필름 기판을 이용한 플랙시블한 투명 유기 EL 소자 등의 기재로서 이용할 수 있고, 공업적으로 극히 가치가 높다.
도 1은, 기재의 상에 투명도전막을 형성한 투명 도전성 기재의 기본적인 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는, 기재의 상에 가스 배리어 막을 형성하고, 그 상에 투명도전막을 형성한 투명 도전성 기재의 기본적인 구성을 나타내는 단면도이다.
본 발명에 의한 투명도전막은, 기판 상에 적어도 2층 이상의 투명 도전성 박막이 순차 적층된 적층막으로 이루어지고, 최상층의 투명 도전성 박막이 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막에 있어서, 갈륨을 전 금속 원자에 대해서 49.1원자% 이상 65원자% 이하 함유하고, 또한 일함수가 5.1eV 이상이고, 적층막의 표면 저항이 100Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하고 있다. 갈륨 함유량이 49.1 원 자% 미만에서는, 일함수가 저하해버리고, 갈륨 함유량이 65원자%를 초과하면, 도전막으로서 충분한 도전성을 수득할 수 없다.
상기 적층막의 최상층의 투명 도전성 박막보다 기판측에 적층되어 있는 다른 투명 도전성 박막은, 인듐, 주석 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 텅스텐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 또는 인듐, 텅스텐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막의 어느 하나 이상으로 이루어진 박막인 것이 바람직하다.
상기 4종의 투명 도전성 박막을 실온에서 성막하는 것에 의해서, 10-4Ωcm 대의 저비저항을 나타내는 비정질 박막을 용이하게 수득할 수 있다. 특히, 인듐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 텅스텐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 및 인듐, 텅스텐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막은, 미결정을 거의 볼 수 없는, 거의 완전한 비정질막이기 때문에, 미결정이 존재하는 것 등을 원인으로 하는 표면의 요철을 꺼리는 유기 EL의 전극으로서는, 더욱 바람직하다.
상기 적층막에 있어서, 최상층의 투명 도전성 박막이, 막 두께 5nm 이상 50nm 이하이고, 또한 그 적층막의 총 두께가 300nm 이하인 것이 바람직하다. 최상층의 투명 도전성 박막의 막 두께가 5nm 미만의 경우, 안정하고 높은 일함수가 수득되지 않는다. 한편, 그 막 두께가 50nm을 초과하는 경우, 제 1층(최상층)을 제 2층 이후의 투명 도전성 박막에 적층한 경우에, 적층 막의 총 막 두께에 차지하는 최상층의 막 두께의 비율이 높아지고, 고저항화 해버린다. 또한 적층막의 총 막 두께가 300nm을 초과하면, 제 1층(최상층)을 제 2층 이후의 투명 도전성 박막에 적층한 경우, 제 2층 이후의 투명 도전성 박막이 지나치게 두꺼워져, 착색이 일어나고, 충분한 투과율을 수득할 수 없게 되어 버린다. 또한, 적층막의 총 막 두께가 100nm 미만의 경우, 적층막의 표면 저항이 높아져 버리기 때문에, 100nm 이상인 것이 바람직하다.
또한, 제 1층의 투명 도전성 박막의 표면의 산술 평균 높이(Ra)는, 2.0nm 이하인 것이 바람직하다. 나아가, 이 높이가 1.0nm 이하이면 더욱 바람직하다. 제 1층의 투명 도전성 박막의 표면의 산술 평균 높이(Ra)가, 2.0nm을 초과하면, 예를 들면, 유기 EL의 전극으로서 이용한 경우, 전극의 볼록부에서 리크(leak)가 일어나기 때문에, 유기 EL에 다수의 다크 스폿(dark spot)이 발생하는 등의 문제가 일어나서 바람직하지 않다.
본 발명의 투명 도전성 기재는, 투명 기판의 표면에 본 발명이 투명도전막을 형성하는 것에 의해 구성되어 있다.
투명 기판으로서는, 유리판, 석영판, 편면 혹은 양면이 가스 배리어막으로 덮여 있는 수지판 혹은 수지 필름, 혹은 내부에 가스 배리어막이 삽입되어 있는 수지판 혹은 수지 필름이 이용되고 있다.
수지판 혹은 수지 필름은 유리판과 비교해서 가스의 투과성이 높고, 유기 EL 소자나 무기 EL 소자의 발광층, 및 LCD 등의 액정층은, 수분이나 산소에 대해서 열화하기 때문에, 수지판 혹은 수지 필름을 이들 표시 소자의 기판으로서 이용하는 경우는, 가스의 통과를 억제하는 가스 배리어막을 실시하는 것이 바람직하다.
가스 배리어막은, 수지판 혹은 수지 필름의 편면에 형성되어 있어도 좋고, 양면에 형성되어 있으면, 가스 통과의 차단성은 더욱 양호해진다. 또한 가스 배리어막을 수지판 혹은 수지 필름의 편면에 형성하고, 또한 그 가스 배리어막의 상에, 수지판 혹은 수지 필름을 적층하는 것에 의해서, 내부에 가스 배리어막을 삽입시킨 구성을 수득할 수 있다. 나아가, 복수회, 적층을 반복한 구조로 할 수도 있다.
상기 수지판 혹은 수지 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리카보네이트(PC)로 이루어지거나, 혹은 이들 재료의 표면을 아크릴계 유기물로 덮은 적층 구조로 이루어진다. 수지판 혹은 수지 필름의 두께는 하기의 구체적 용도에 맞춰 적당히 선택된다.
가스 배리어막은, 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘(SiON)막, 알루미늄산 마그네슘막, 산화주석계막 및 다이아몬드 모양 카본(DLC) 막 중에서 선택되는 적어도 하나인 것이 바람직하다. 여기서, 산화 주석계막이란, 산화주석에, 예를 들면, Si, Ce, Ge 등으로부터 선택되는 적어도 1종류 이상의 첨가 원소를 함유한 조성을 갖는다. 이들 첨가 원소에 의해서, 산화 주석층을 비정질화하고, 치밀한 막으로 한다. 또한, 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 알루미늄산 마그네슘막, 산화주석계막 및 다이아몬드 모양 카본막 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스 배리어막과, 유기 혹은 고분자 막이, 수지 기판 혹은 수지 필름의 표면에 교대로 반복해서 적층시킨 구조의 기판 상에, 상기 투명도전막을 실시한 구성이라도 좋다.
<실시예>
우선, 본 실시예의 구성을 도 1 및 도 2를 이용해서 설명한다.
도 1은, 실시예 1내지 6으로서 이용한 투명 도전성 기재의 기본적인 구성을 나타내는 단면도이다. 유리 기판(코닝사제 7059기판)(50)상에 순차 적층된 투명 도전성 박막(20), 및 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 투명 도전성 박막(10)으로 구성된 적층 구조의 투명도전막(1)을 제작했다.
투명도전막(10) 및 (20)은, 아네르바 사제 특SPF-530H 스퍼터링 장치를 사용하고, 직류 마그네트론 스퍼터링법으로 성막했다. 투명 도전성 박막(10) 및 (20)은, 아르곤과 산소의 혼합 가스를 이용하고, 가스 압 0.5Pa, 산소 유량비 1.5 내지 2.5% 조건에서, 출력 200W에서 소정의 막 두께가 되도록 시간 조정해서 성막했다.
도 2는, 실시예 7로서 이용한 투명 도전성 기재의 기본적인 구성을 나타내는 단면도이다. 두께 200μm의 PES 필름으로 이루어진 기판(51) 상에, 미리 두께 100nm의 산화 질화 실리콘막을 가스 배리어막(30)으로서 형성하고, 그 가스 배리어막(30) 상에 실시예 1내지 6과 동일한 투명도전막(1)을 형성했다.
수득된 투명도전막(1)의 일함수를, 대기중 광전자 분광 장치(이연계기 사제, AC-2)로 측정했다. 막의 표면 저항은, 저항율계 로레스타 EP(다이아인스트르먼트 사제 MCP-T360형)에 의한 사탐침법(四探針法)으로 측정했다. 막의 표면 거칠기는 원자간력 현미경(디지털인스트루먼트 사제, NS-III, D5000시스템)으로 측정했다. 나아가, 기판(51)을 포함한 광투과율을 분광광도계(히타치 제작소 사제, U-4000)으로 측정했다.
실시예 1내지 3은, 투명도전막(20)을 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질막으로 하고, 투명도전막(10)을 막 두께 10nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질막으로서 갈륨 함유량을 변화시킨 경우로 했다. 또한, 실시예 4~6은, 투명 도전성 박막(10)을, 막 두께10nm, 갈륨 함유량을 50원자%의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질막으로 하고, 투명 도전성 박막(20)을, 막 두께 150nm의 In2O3-10wt%SnO2 비정질막, In2O3-10wt%ZnO 비정질막, In2O3-1wt%WO3-0.5wt%ZnO 비정질막 중에서 하나를 선택해서 조합한 경우로 했다.
나아가, 실시예 7 및 8은, 투명 도전성 박막(10)의 막 두께를 5nm, 갈륨 함유량을 50원자%로 하고, 투명 도전성 박막(20)을 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질막으로 한 경우, 및 투명도전막(1)과 기재 사이에 가스 배리어막(30)을 형성해있는 경우로 했다. 실시예 1내지 8의 투명도전막(1)의 일함수 및 표면 저항값을 표 1에 나타냈다.
<표 1>
투명도전막(10) 투명도전막(20) 막 평가
막두께
[nm]		 갈륨
함유량
[원자%]		 막두께
[nm]		 조성비 일함수
[eV]		 표면
저항
[Ω/□]		 산술평균 높이(Ra)
[nm]		 가시역 평균투과율
[%]
실시예 1 10 19.1 150 In2O3-1wt%WO3 5.19 24.3 0.74 83.8
실시예 2 10 50 150 In2O3-1wt%WO3 5.34 21.5 0.76 83.6
실시예 3 10 65 150 In2O3-1wt%WO3 5.23 24.9 0.76 83.5
실시예 4 10 50 150 In2O3-10wt%SnO2 5.29 32.5 1.58 84.1
실시예 5 10 50 150 In2O3-10wt%ZnO 5.30 24.6 0.71 83.2
실시예 6 10 50 150 In2O3-1wt%WO3
-0.5wt%ZnO		 5.35 24.4 0.81 83.5
실시예 7 5 50 150 In2O3-1wt%WO3 5.12 24.5 0.74 83.1
실시예 8 10 50 290 In2O3-1wt%WO3 5.20 12.7 1.18 80.5
실시예 9 10 50 150 In2O3-1wt%WO3 5.20 25.6 0.79 81.2
실시예 1 내지 3
투명 도전성 박막(10)은, 막 두께 10nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질막으로 하고, 조성을 각각 전 금속 원자에 대한 갈륨 함유량 49.1, 50 및 65원자%의 3종류로 했다. 투명 도전성 박막(20)은, 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질막으로 했다.
실시예 1 내지 3으로부터 알 수 있듯이, 투명 도전성 박막(10)의 갈륨 함유량을 49.1 내지 65원자%의 범위로 하면, 일함수 5.1eV 이상, 표면 저항50Ω/□ 이하의 투명도전막(1)이 수득된다.
실시예 4 내지 6
투명 도전성 박막(10)은, 막 두께 10nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비 정질막으로 하고, 조성을 각각 전 금속 원자에 대한 갈륨 함유량 50원자%의 1종류로만 했다. 투명 도전성 박막(20)은, 막 두께 150nm의 In2O3-10wt%SnO2 비정질막, In2O3-10wt%ZnO 비정질막, 및 In2O3-1wt%WO3-0.5wt%ZnO 비정질막 중에서 한 종류의 막을 선택했다.
실시예 4 내지 6으로부터 알 수 있듯이, 막 두께 10nm, 갈륨 함유량 50원자%의 투명 도전성 박막(10)과, 막 두께 150nm의 투명 도전성 박막(20)을 In2O3-10wt%SnO2 비정질막, In2O3-10wt%ZnO 비정질막, 및 In2O3-1wt%WO3-0.5wt%ZnO 비정질막 중에서 선택된 1종류의 막을 조합한 경우에, 일함수 5.1eV 이상, 표면 저항50Ω/□ 이하의 투명도전막(1)이 수득된다.
실시예 7
투명 도전성 박막(10)은, 막 두께 5nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질막으로 하고, 조성을 전 금속 원자에 대한 갈륨 함유량 50원자%로만 했다. 투명 도전성 박막(20)은, 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질막으로 했다.
실시예 7로부터 알 수 있듯이, 투명 도전성 박막(10)이 5nm까지 얇아진 경우라도, 일함수 5.1eV 이상, 표면 저항50Ω/□ 이하의 투명도전막(1)이 수득된다.
실시예 8
투명 도전성 박막(10)은, 막 두께 10nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질막으로 하고, 조성을 전 금속 원자에 대한 갈륨 함유량 50원자%로만 했다. 투 명 도전성 박막(20)은, 막 두께 290nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질막으로 했다.
실시예 8로부터 알 수 있듯이, 총 막 두께가 300nm까지 두꺼워진 경우라도, 일함수 5.1eV 이상, 표면 저항50Ω/□ 이하의 투명도전막(1)이 수득된다. 가시역의 평균 광투과율도 80%를 넘고, 시각 레벨에서도 착색에 문제는 없었다.
실시예 9
두께 200μm의 PES 필름 기판 상에, 미리 두께 100nm의 산화 질화 실리콘막을 가스 배리어막으로서 형성하고, 그 가스 배리어막 상에 실시예 2와 동일 구조의 투명도전막(1)을 형성했다.
실시예 9로부터, 기판에 가스 배리어막(30)을 미리 형성한 수지 필름을 이용한 경우라도, 일함수 5.1eV 이상, 표면 저항50Ω/□ 이하의 투명도전막(1)이 수득되는 것을 알 수 있다.
비교예 1 내지 5
실시예 1 내지 6과 동일한 구성의 투명도전성 기재를 제작했다.
비교예 1 내지 3을, 투명 도전성 박막(20)을 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질막으로 하고, 막 두께 10nm의 투명 도전성 박막(10)의 갈륨 함유량을 변화시킨 경우로 했다. 비교예 4 및 5를 투명 도전성 박막(10)을 막 두께 3nm, 갈륨 함유량 50원자%로 하고, 투명 도전성 박막(20)을 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질막으로 한 경우, 및 투명 도전성 박막(10)을 10nm, 갈륨 함유량 50원자%로 하고, 투명 도전성 박막(20)을 막 두께 300nm의 In2O3-10wt%SnO2 비정질막으로 한 경우로 했다. 비교예 1 내지 5의 투명도전막(1)의 일함수 및 표면 저항값을 표 2에 나타낸다.
<표 2>
투명도전막(10) 투명도전막(20) 막 평가
막두께
[nm]		 갈륨 함유량
[원자%]		 막두께
[nm]		 조성비 일함수
[eV]		 표면
저항
[Ω/□]		 산술평균 높이(Ra)
[nm]		 가시역 평균투과율
[%]
비교예 1 10 30 150 In2O3-1wt%WO3 4.88 24.4 0.75 83.9
비교예 2 10 45 150 In2O3-1wt%WO3 4.97 24.6 0.74 83.6
비교예 3 10 70 150 In2O3-1wt%WO3 5.32 측정불가 0.71 83.2
비교예 4 3 50 150 In2O3-1wt%WO3 4.96 24.5 0.77 83.1
비교예 5 10 50 340 In2O3-10wt%SnO2 5.32 10.8 3.55 76.1
비교예 1 내지 3에 있어서는, 투명 도전성 박막(10)은, 막 두께 10nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질 막으로 하고, 조성을 각각 전 금속 원자에 대한 갈륨 함유량 30, 45 및 70원자%의 3종류로 했다. 투명 도전성 박막(20)은, 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질 막으로 했다.
비교예 1 내지 3으로부터 알 수 있듯이, 투명 도전성 박막(10)의 갈륨 함유량을 45원자%, 나아가서는 30원자% 까지 저하시키면, 일함수는 5.0eV를 밑돌기 때문에 바람직하지 않다. 또한 비교예 3으로부터 알 수 있듯이, 투명도전막(10)의 갈륨 함유량을 70원자%까지 높이면, 도전성이 상실되기 때문에 바람직하지 않다.
비교예 4에 있어서, 투명 도전성 박막(10)은 막 두께 5nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질 막으로 하고, 조성을 전 금속 원자에 대한 갈륨 함유량 50원자%으로만 했다. 투명 도전성 박막(20)은, 막 두께 150nm의 In2O3-1wt%WO3 비정질 막으로 했다.
비교예 4로부터 알 수 있듯이, 투명 도전성 박막(10)의 막 두께를 3nm까지 얇게 하면, 일함수는 5.0eV를 밑돌기 때문에 바람직하지 않다.
비교예 5에 있어서는, 투명 도전성 박막(10)은, 막 두께 50nm의 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어진 비정질 막으로 하고, 조성을 전 금속 원자에 대한 갈륨 함유량 50원자%로만 했다. 투명 도전성 박막(20)은, 막 두께 300nm의 In2O3-10wt%SnO2 비정질 막으로 했다.
비교예 5로부터 알 수 있듯이, 투명 도전성 박막(10)의 막 두께를 50nm, 투명 도전성 박막(20)의 막 두께를 300nm, 즉 적층막의 막 두께를 350nm까지 두껍게 한 경우, 5.1eV 이상의 일함수 및 50Ω/□를 충분히 밑도는 양호한 도전성을 얻을 수 있다. 그러나, 목시(目視) 레벨에서도 막의 착색이 인정되고, 투명성이 손상되어 있기 때문에, 유기 EL 등에 이용하는 투명 전극에는 바람직하지 않다.
본 발명의 투명도전막은 특히, 유기 EL 소자 등의 양극으로서 이용한 경우, 정공 주입이 행해지기 쉬워지고, 그 결과, 유기 EL 소자 등의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 유용하다.
또한, 본 발명의 투명 도전성 기재는, 유리 기판이나 석영 기판뿐만 아니라, 내열성이 없는 수지 기판, 나아가서는 플렉시블한 수지 필름 기판 상에, 필요에 따 라서 가스 배리어막을 형성한 후, 본 발명의 상기 투명도전막을 형성하는 것에 의해서 수득된다. 따라서, 어떠한 디바이스의 형상이나 형태에 대해서도, 수지 필름 기판을 이용한 플렉시블한 투명 유기 EL 소자 등의 기재로서 이용할 수 있고, 공업적으로 극히 가치가 높다.

Claims (10)

  1. 적층된 적어도 2층의 투명 도전성 박막으로 이루어지고, 최상층의 상기 투명 도전성 박막은 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어지고, 갈륨을 전 금속 원자에 대해서 49.1 원자% 이상 65 원자% 이하 함유하는 비정질 산화물 박막이며,
    최상층 이외의 상기 투명 도전성 박막은, 인듐, 주석 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 텅스텐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막 또는 인듐, 텅스텐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막의 어느 하나 이상으로 이루어지고,
    또한 일함수가 5.1eV 이상이고, 100Ω/□이하의 표면 저항을 갖는 투명도전막.
  2. 적층된 적어도 2층의 투명 도전성 박막으로 이루어지고, 최상층의 상기 투명 도전성 박막은 갈륨, 인듐 및 산소로 이루어지고, 갈륨을 전 금속 원자에 대해서 49.1 원자% 이상 65 원자% 이하 함유하는 비정질 산화물 박막이고,
    최상층 이외의 상기 투명 도전성 박막이, 인듐, 주석 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막, 인듐, 텅스텐 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막 또는 인듐, 텅스텐, 아연 및 산소로 이루어진 비정질 산화물 박막의 어느 하나 이상으로 이루어지고,
    또한 일함수가 5.1eV 이상이고, 50Ω/□이하의 표면 저항을 갖는 투명도전막.
  3. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    최상층의 상기 투명 도전성 박막의 막 두께가 5nm 이상이고, 또한 상기 투명도전막의 총 막 두께가 300nm 이하인 투명도전막.
  4. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    최상층의 상기 투명 도전성 박막의 표면의 산술 평균 높이(Ra)가 2.0nm 이하인 투명도전막.
  5. 제 3 항에 있어서,
    최상층의 상기 투명 도전성 박막의 표면의 산술 평균 높이(Ra)가 2.0nm 이하인 투명도전막.
  6. 투명 기판과, 상기 투명 기판의 편면 혹은 양면 상에 형성된 제 1 항, 제 2 항 및 제 5 항 중 어느 하나에 기재된 투명도전막을 포함하고, 상기 투명 기판이 유리판, 석영판, 편면 혹은 양면이 가스 배리어막으로 덮여 있는 수지판 혹은 수지 필름, 또는 내부에 가스 배리어막이 삽입되어 있는 수지판 혹은 수지 필름의 어느 하나인 투명 도전성 기재.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 가스 배리어막이 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 알루미늄산 마그네슘막, 산화 주석계막 및 다이아몬드 모양 카본막 중에서 선택되는 적어도 하나인 투명도전성 기재.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 수지판 혹은 수지 필름이 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 혹은 이들의 표면을 아크릴계 유기물로 덮은 적층 구조체로 이루어져 있는 투명도전성 기재.
  9. 투명 기판과, 상기 투명 기판의 편면 혹은 양면 상에 형성된 제 3 항에 기재된 투명도전막을 포함하고, 상기 투명 기판이 유리판, 석영판, 편면 혹은 양면이 가스 배리어막으로 덮여 있는 수지판 혹은 수지 필름, 또는 내부에 가스 배리어막이 삽입되어 있는 수지판 혹은 수지 필름의 어느 하나인 투명 도전성 기재.
  10. 투명 기판과, 상기 투명 기판의 편면 혹은 양면 상에 형성된 제 4 항에 기재된 투명도전막을 포함하고, 상기 투명 기판이 유리판, 석영판, 편면 혹은 양면이 가스 배리어막으로 덮여 있는 수지판 혹은 수지 필름, 또는 내부에 가스 배리어막이 삽입되어 있는 수지판 혹은 수지 필름의 어느 하나인 투명 도전성 기재.
KR1020067006407A 2004-02-27 2004-12-28 투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재 KR101081871B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004054816 2004-02-27
JPJP-P-2004-00054816 2004-02-27
JP2004363269 2004-12-15
JPJP-P-2004-00363269 2004-12-15
PCT/JP2004/019595 WO2005083722A1 (ja) 2004-02-27 2004-12-28 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060117911A KR20060117911A (ko) 2006-11-17
KR101081871B1 true KR101081871B1 (ko) 2011-11-09

Family

ID=34914460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067006407A KR101081871B1 (ko) 2004-02-27 2004-12-28 투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7563514B2 (ko)
EP (1) EP1720175B1 (ko)
JP (1) JP4730300B2 (ko)
KR (1) KR101081871B1 (ko)
DE (1) DE602004027166D1 (ko)
WO (1) WO2005083722A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160116066A (ko) * 2015-03-25 2016-10-07 전자부품연구원 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4539181B2 (ja) * 2004-06-07 2010-09-08 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜、透明導電膜製造用焼結体ターゲット、透明導電性基材及びそれを用いた表示デバイス
JP4888119B2 (ja) * 2004-09-13 2012-02-29 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス
KR100643376B1 (ko) 2005-10-24 2006-11-10 삼성전자주식회사 표시장치와 표시장치의 제조방법
JP4816116B2 (ja) * 2006-02-08 2011-11-16 住友金属鉱山株式会社 スパッタリングターゲット用酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材
JP4816137B2 (ja) * 2006-02-24 2011-11-16 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜及び透明導電性基材
KR101313327B1 (ko) * 2006-06-08 2013-09-27 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결체, 타겟, 이를 사용하여 제조된 투명 도전막 및 투명 도전성 기재
JP5127183B2 (ja) * 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
WO2008099932A1 (ja) * 2007-02-16 2008-08-21 Kaneka Corporation 透明導電膜およびその製造方法
CN101960625B (zh) * 2008-03-06 2013-01-23 住友金属矿山株式会社 半导体发光元件、该半导体发光元件的制造方法以及使用该半导体发光元件的灯
KR100964231B1 (ko) * 2008-08-29 2010-06-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치
US8003164B2 (en) * 2008-09-19 2011-08-23 Guardian Industries Corp. Method of making a scratch-and etch-resistant coated glass article
CN102471129B (zh) * 2009-09-18 2015-04-15 日本电气硝子株式会社 玻璃膜的制造方法及玻璃膜的处理方法以及玻璃膜层叠体
US20110070453A1 (en) * 2009-09-21 2011-03-24 Mai Chien-Chin Laminate of transparent conductive film
US9862640B2 (en) 2010-01-16 2018-01-09 Cardinal Cg Company Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
CA2786872A1 (en) 2010-01-16 2011-07-21 Cardinal Cg Company High quality emission control coatings, emission control glazings, and production methods
US11155493B2 (en) 2010-01-16 2021-10-26 Cardinal Cg Company Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US8293344B2 (en) 2010-02-26 2012-10-23 Guardian Industries Corp. Articles including anticondensation coatings and/or methods of making the same
JP2011192896A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
TWI624878B (zh) 2011-03-11 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5327282B2 (ja) * 2011-06-24 2013-10-30 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜製造用焼結体ターゲット
US9657386B2 (en) * 2014-03-28 2017-05-23 Kaneka Corporation Transparent conductive film and method for producing same
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09259640A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Uchitsugu Minami 透明導電膜
US6391462B1 (en) * 1999-08-06 2002-05-21 Samsung Sdi. Co., Ltd. Optical filter for plasma display

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5407602A (en) 1993-10-27 1995-04-18 At&T Corp. Transparent conductors comprising gallium-indium-oxide
JP4837811B2 (ja) 1998-04-09 2011-12-14 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000048966A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4198253B2 (ja) * 1999-02-02 2008-12-17 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4917725B2 (ja) * 2001-09-26 2012-04-18 東ソー株式会社 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途
US20030134122A1 (en) 2002-01-14 2003-07-17 Paul Wickboldt High conductivity transparent conductor formed using pulsed energy process
JP4260494B2 (ja) 2002-02-26 2009-04-30 株式会社フジクラ 透明電極用基材の製法、光電変換素子の製法、及び色素増感太陽電池の製法
TWI254080B (en) * 2002-03-27 2006-05-01 Sumitomo Metal Mining Co Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09259640A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Uchitsugu Minami 透明導電膜
US6391462B1 (en) * 1999-08-06 2002-05-21 Samsung Sdi. Co., Ltd. Optical filter for plasma display

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160116066A (ko) * 2015-03-25 2016-10-07 전자부품연구원 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법
KR101694856B1 (ko) * 2015-03-25 2017-01-11 전자부품연구원 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4730300B2 (ja) 2011-07-20
DE602004027166D1 (de) 2010-06-24
KR20060117911A (ko) 2006-11-17
EP1720175A4 (en) 2008-05-28
WO2005083722A1 (ja) 2005-09-09
US20070051926A1 (en) 2007-03-08
EP1720175A1 (en) 2006-11-08
EP1720175B1 (en) 2010-05-12
JPWO2005083722A1 (ja) 2008-01-17
US7563514B2 (en) 2009-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101081871B1 (ko) 투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재
KR100527191B1 (ko) 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자
KR101700286B1 (ko) 유기 발광 소자용 기판, 상기 기판 및 유기 발광 소자의 제조 방법 및 용도
US9099673B2 (en) Electrode for an organic light-emitting device, acid etching thereof and also organic light-emitting device incorporating it
US8786176B2 (en) Substrate for organic light-emitting device, and also organic light-emitting device incorporating it
JP4961786B2 (ja) 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性フィルム
KR101156429B1 (ko) 유기 발광 소자
US20100117523A1 (en) Substrate bearing a discontinuous electrode, organic electroluminescent device including same and manufacture thereof
CN100433356C (zh) 电场发光组件及电场发光面板
KR102194500B1 (ko) 도전 필름 및 도전 필름을 갖는 전자 디바이스
KR20090128527A (ko) 발광장치 구조체 및 그 제조방법
WO2018181573A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び有機エレクトロルミネッセンス素子用電極の製造方法
US20140349070A1 (en) Reflective anode electrode for use in an organic electroluminescent display and method for making the same
JP4269986B2 (ja) 透明導電性薄膜製造用酸化物焼結体ターゲット、透明導電性薄膜、透明導電性基板、表示デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3725908B2 (ja) 導電性積層体
KR102534082B1 (ko) 표시 기판, 표시장치 및 터치패널
US8067886B2 (en) Composite optical destructive electrode for high contrast electroluminescent devices
JP3850865B2 (ja) 導電性積層体
JP2000276950A (ja) 透明導電薄膜
JP2000173778A (ja) 有機ｅｌ表示装置
TWI388240B (zh) 透明電極及包含此透明電極之有機電激發光元件
KR100537375B1 (ko) 인듐-틴-옥사이드를 포함하는 금속적층구조
TWI384901B (zh) 有機發光二極體
Lucas et al. Effect of ZnO film thickness on the performance of organic light emitting diodes
JP2004241371A (ja) 有機ｅｌ表示パネル

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161019

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 7