KR101043484B1 - 집적 회로 패키지를 포함하는 장치, 시스템 및 집적 회로 패키지의 제조 방법 - Google Patents

집적 회로 패키지를 포함하는 장치, 시스템 및 집적 회로 패키지의 제조 방법 Download PDF

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KR101043484B1
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존 제이 탕
헨리 수
신이치 사카모토
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    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/82007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting a build-up interconnect during or after the bonding process
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Abstract

본 발명의 일부 실시예는 지지부와 지지부에 부착된 적어도 하나의 다이 사이의 접속 구조체를 포함한다. 다이는 다이의 표면 상에 복수의 다이 본드 패드를 포함한다. 접속 구조체는 복수의 비아와 그루브의 결합부를 포함한다. 비아와 그루브의 결합부 내에 전도성 재료가 형성되어 다이 본드 패드와 지지부 상의 본드 패드 사이에서 접속을 제공한다. 그외 다른 실시예들이 기술되고 청구되었다.

Description

집적 회로 패키지를 포함하는 장치, 시스템 및 집적 회로 패키지의 제조 방법{APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR WIRELESS CONNECTION IN INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES}
본 발명의 실시예는 집적 회로 패키징에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 집적 회로 패키지 내의 배선 접속부(wiring connections)에 관한 것이다.
컴퓨터 및 전자 디바이스는 일반적으로 집적 회로(IC) 패키지를 포함한다. IC 패키지는 종종 IC 패키지의 베이스 또는 지지부 상에 장착된 다이를 구비할 수 있다. 다이는 전기적 기능을 수행하는 회로를 포함할 수 있다.
일부 IC 패키지는 다이 내의 회로로/로부터 전기 신호가 전송되도록 다이와 지지부 사이에 연결된 금 또는 구리 와이어를 구비한다.
일부 경우에서, 너무 많은 와이어는 원치 않는 신호 간섭, 배선 재료 비용의 증가, 와이어를 보호하는 패키지 크기의 증가, 와이어 사이에서의 단락 가능성 증가를 발생시킬 수 있으며, 제조 프로세스를 복잡하게 할 수 있다.
도 1 내지 3은 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조체와 다이를 구비하는 장치를 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 접속 구조체와 다이를 구비하는 장치를 도시한 도면,
도 5 내지 7은 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조체와 다이 적층(stack)을 구비하는 장치를 도시한 도면,
도 8 내지 14는 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조체를 형성하는 다양한 프로세스를 도시한 도면,
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 방법을 도시한 순서도,
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 시스템을 도시한 도면.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조체(110)와 다이(101)를 구비하는 장치(100)를 도시한다. 도 1은 도 2에 도시된 장치(100)의 평면도의 단면선(1-1)에 따른 단면에 기초한 장치(100)의 단면도를 도시한다. 도 3은 비아와 그루브의 결합부(a via and groove combination)의 세부사항을 도시하는 장치(100)의 일부분의 3차원 도면이다. 도 1 및 2의 장치(100)의 다이(101)는 프로세서, 메모리 디바이스, 통신 디바이스, 또는 이들의 몇몇 조합과 같은 반도체 디바이스의 기능을 수행하는 회로를 포함할 수 있다. 장치(100)는 IC 패키지의 일부일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 장치(100)는 컴퓨터 또는 휴대폰과 같은 시스템 또는 디바이스 내에 존재할 수 있다. 도 1에서, 접속 구조체(110)는 다이(101)로의/로부터의 신호의 전송을 가능케 한다.
명확성을 위해, 본 명세서에 기술된 일부 구조(예로서, 도 1의 다이(101))는 이러한 구조가 단면도에 도시되었을 때 단면선 심볼(평행선) 대신 실선으로 도시될 수 있다. 또한 명확성을 위해, 본 명세서에 기술된 일부 구조(예로서, 도 2의 다이(101))는 이러한 구조가 평면도에 도시되었을 때 숨은 줄(hidden line) 심볼(점선) 대신 실선으로 도시될 수 있다. 도 1에서, 장치(100)는 다이(101)를 지지부(120)에 부착시키는 부착부(attachment)(131)를 포함한다. 부착부(131)는 점착성 재료를 포함할 수 있다. 지지부(120)는 장치(100)가 배치될 수 있는 IC 패키지의 기판일 수 있다. 도 1 내지 3에 도시된 바와 같이, 접속 구조체(110)는 다이(101), 비아(141), 비아(148), 그루브(147), 및 전도성 세그먼트(151), 전도성 세그먼트(158), 전도성 세그먼트(151, 158)를 브릿징하는 전도성 세그먼트(157)를 구비하는 접속부(150)의 적어도 일부를 커버하는 유전층(199)을 포함한다.
도 3은 도 1의 접속부(150)가 형성되기 이전의, 비아(141, 148) 및 그루브(147)를 포함하는 비아와 그루브의 결합부의 세부사항을 도시한 장치(100)의 일부(133)의 3차원 도면이다. 접속부(150)가 형성된 후(도 1), 접속부(150)의 전도성 재료는 비아(141, 148) 및 그루브(147)를 충진한다. 일부 실시예에서, 접속부(150)의 전도성 재료는 금속을 포함한다. 접속부(150)는 다이(101)의 표면(104) 상의 다이 본드 패드(111)를 지지부(120)의 표면(124) 상의 지지부 본드 패드(128)에 연결 하여 다이 본드 패드(111)와 지지부 본드 패드(128) 사이의 전기 신호 전송을 가능케 한다. 지지부 본드 패드(128)는 다이(101) 내의 회로와 다른 구성요소 사이에서의 신호의 전송을 가능케 하도록 다른 구성요소에 연결될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 다이(101)는 표면(104) 상에 복수의 다이 본드 패드(111)를 포함하고, 지지부(120)는 표면(124) 상에 복수의 지지부 본드 패드(128)를 포함한다. 도 2의 다이 본드 패드(111)와 지지부 본드 패드(128)의 개수 및 배치가 예시적으로 도시되었다. 일부 실시예에서, 다이 본드 패드(111) 및 지지부 본드 패드(128)의 개수 및 배치는 도 2의 것과 다를 수 있다. 예를 들어, 다이(101) 및 지지부(120)는 도 2에 도시된 바와 같은 네 개의 에지 모두의 위에 본드 패드를 갖는 대신 오직 두 개의 에지 상에만 본드 패드를 가질 수도 있다.
도 2는 다이 본드 패드(111)와 지지부 본드 패드(128)의 각각의 직경이 비아(141, 148)의 각 직경보다 큰 예시를 도시한다. 일부 실시예에서, 다이 본드 패드(111) 및 지지부 본드 패드(128)의 각각의 직경은 비아(141, 148)의 각각의 직경보다 작거나 또는 동일할 수 있다.
도 1은 그루브(147)와 전도성 세그먼트가 지지부(120)의 표면(124)에 대해 각도를 갖도록 지지부(120)의 표면(124)과 각을 이루는 유전층(199)의 표면(114)을 도시한다. 일부 실시예에서, 유전층(199)의 표면(114)은 그루브(147)와 전도성 세그먼트가 지지부(120)의 표면(124)에 대해 실질적으로 평행하도록, 지지부(120)의 표면(124)에 대해 실질적으로 평행할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 접속 구조체(410)를 갖는 장치(400)를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 접속 구조체(410)는 접속부(450)의 그루브(447)와 전도성 세그먼트(457)가 지지부(420)의 표면(424)에 실질적으로 평행하도록 지지부(420)의 표면(424)에 실질적으로 평행한 표면(414)을 포함할 수 있다.
도 5 내지 7은 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조체(510) 및 다이 적층(570)을 구비하는 장치(500)를 도시한다. 도 5는 도 6에 도시된 장치(500)의 평면도의 단면선(5-5)에 따른 단면에 기초한 장치(500)의 단면도를 도시한다. 도 7은 비아와 그루브의 결합부의 세부사항을 도시한 장치(500)의 일부의 3차원 도면이다. 장치(500)는 IC 패키지의 일부분일 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 다이 적층(570)은 지지부(520) 상의 적층 내에 배열된 다이(501, 502, 503)를 포함한다. 다이(501, 502, 503)는 상응하는 다이 본드 패드(511, 512, 513)를 포함한다. 부착부(531, 532, 533)는 다이(501, 502, 503)를 서로 그리고 지지부(520)에 부착시킨다. 접속 구조체(510)는 다이(501, 502, 503)와, 다이 본드 패드(511, 512, 513) 및 지지부(520)의 표면(524) 상의 지지부 본드 패드(528)에 연결된 전도성 세그먼트(551, 552, 553, 557, 558)를 포함하는 접속부(550)의 적어도 일부를 커버하는 유전층(599)을 포함한다. 전도성 세그먼트(551, 552, 553, 557, 558)는 도 7에 세부사항이 도시된 비아와 그루브의 결합부 내에 형성된다. 도 7은 도 5의 접속부(550)가 형성되기 이전의 비아(541, 542, 543, 548)와 그루브(547)를 포함하는 비아와 그루브의 결합부를 도시한다. 접속부(550)가 형성된 후(도 5), 접속부(550)의 전도성 재료는 전도성 세그먼트(551, 552, 553, 558)를 형성하도록 비아(541, 542, 543, 548)를 충진한다. 접속부(550)의 전도성 재료는 또한 전도성 세그먼트(551, 552, 553, 558)를 브릿징하는 전도성 세그먼트(557)를 형성하도록 그루브(547)를 충진한다. 도 5는 장치(500)가 세 개의 다이를 포함하는 예시를 도시한다. 일부 실시예에서, 장치(500)의 다이의 개수는 변화할 수 있다. 예를 들어, 장치(500)의 다이의 개수는 두 개 이상일 수 있다.
도 8 내지 14는 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조체를 형성하는 다수의 프로세스를 도시한다.
도 8은 지지부(820) 상에 적층된 다이(801, 802, 803)를 구비하는 다이 적층(870)을 도시한다. 다이(801, 802, 803)는 상응하는 다이 본드 패드(811, 812, 813)를 포함한다. 지지부(820)는 지지부 표면(824) 상의 지지부 본드 패드(828)를 포함한다. 다이 적층(870)은 다이와 지지부(820) 사이에 부착부(예로서, 접착제)를 포함할 수 있다. 부착부는 도 8로부터 생략되었다. 일부 실시예에서, 다이(801, 802, 803) 중 하나 이상은 300㎛보다 작은 별개의 다이 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 다이(801, 802, 803)의 비교적 작은 다이 두께는 본 명세서에서 기술되는 설명에 따라 접속 구조체의 형성을 강화할 수 있다.
도 9는 지지부(820)의 표면 영역(821)과 다이(801, 802, 803) 상에 형성된 유전층(899)을 도시한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 유전체 재료(899)는 다이(801, 802, 803) 및 지지부 영역(821)을 커버한다. 유전층(899)은 다이(801, 802, 803)와, 지지부(820)의 지지부 영역(821) 상에 유전체 재료를 증착함으로써 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 유전층(899)을 형성하기 위해 유전체 재료를 증착하는 것은 다이(801, 802, 803)와 지지부 영역(821)을 유전체 재료로 코팅하는 것을 포함 할 수 있다. 다른 실시예에서, 유전층(899)을 형성하기 위해 유전체 재료를 증착하는 것은 다이(801, 802, 803) 및 지지부 영역(821)을 유전체 재료로 몰딩하는 것을 포함할 수 있다. 다른 기술들이 유전층(899)을 형성하는 데에 사용될 수 있다.
도 10은 유전층(899) 내에 형성된 복수의 비아(841, 842, 843, 848)를 도시한다. 비아(841, 842, 843, 848)는 기판 표면(824)에 실질적으로 직교한다. 도 10에 도시된 바와 같이, 비아(841, 842, 843, 848)는 다이 본드 패드(811, 812, 813) 및 지지부 본드 패드(818) 위에 형성되어 다이 본드 패드(811, 812, 813) 및 지지부 본드 패드(818)의 각각에 대한 접속을 제공한다. 이러한 접속은 후속하는 프로세스에서 다이 본드 패드(811, 812, 813) 및 지지부 본드 패드(828)로의 접속부를 허용한다. 일부 실시예에서, 비아(841, 842, 843, 848)는 유전층(899)에 레이저를 가함으로써 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 비아(841, 842, 843, 848)는 유전층(899)을 기계적으로 드릴링함으로써 형성될 수 있다. 예로서, 비아(841, 842, 843, 848)를 형성하기 위해 유전층(899)을 드릴링하도록 드릴 비트(drill bits)가 사용될 수 있다. 일부 다른 실시예에서, 비아(841, 842, 843, 848)를 형성하도록 유전층(899)의 일부를 제거하는 데에 리소그래피 기술이 사용될 수 있다. 다른 기술들이 비아(841, 842, 843, 848)를 형성하는 데에 사용될 수 있다.
도 11은 비아(841, 842, 843, 848)가 형성된 후의 유전층(899)의 일부의 3차원도이다.
도 12는 유전층(899) 내에서 비아(841, 842, 843, 848) 위에 형성된 그루브(847)를 도시한다. 비아(841, 842, 843, 848) 및 그루브(847)는 비아와 그루브의 결합부를 형성한다. 일부 실시예에서, 그루브(847)는 유전층(899)에 레이저를 가함으로써 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 그루브(847)는 유전층(899)을 기계적으로 드릴링함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 그루브(847)를 형성하도록 유전층(899)을 드릴링하는 데에 드릴 비트가 사용될 수 있다. 일부 다른 실시예에서, 그루브(847)를 형성하도록 유전층(899)의 일부를 제거하는 데에 리소그래피 기술이 사용될 수 있다. 다른 기술들이 그루브(847)를 형성하는 데에 사용될 수 있다.
도 12는 또한 솔더 볼(1266)이 그루브(847) 내에 배치되거나, 비아(841, 842, 843, 848) 내에 배치되거나 또는 그루브(847)와 비아(841, 842, 843, 848) 모두에 배치될 수 있도록 솔더 볼(1266)이 삽입된 예시를 도시한다. 후속하는 프로세스는 솔더 볼(1266)을 융해시켜, 솔더 볼(1266)이 비아(841, 842, 843, 848) 및 그루브(847)를 충진함으로써 전도성 접속부를 형성하도록 할 수 있다. 일부 실시예에서, 솔더 볼(1266) 대신, 볼 형태 외의 다른 형태를 갖는 솔더 재료가 그루브(847) 내에 배치될 수 있다. 후속하는 프로세스에서 솔더 재료를 융해시켜, 솔더 재료가 비아(841, 842, 843, 848)와 그루브(847)를 충진함으로써 전도성 접속부를 형성하도록 할 수 있다.
도 11 및 12에 도시된 프로세스에서, 레이저, 기계적 드릴링 및 리소그래피와 같은 기술들 중 하나 이상이 비아(841, 842, 843, 848)와 그루브(847)를 형성하는 데에 사용될 수 있다.
도 13은 비아(841, 842, 843, 848) 및 그루브(847)의 형성 후의 유전층(899)을 도시한다.
도 14는 접속 구조체(1410)를 구비하는 장치(1400)를 도시한다. 접속 구조체(1410)는 유전층(899)과, 다이 본드 패드(811, 812, 813)를 지지부 본드 패드(828)로 연결시키는 접속부(1450)를 포함한다. 일부 실시예에서, 접속부(1450)는 그루브(847)와 비아(841, 842, 843, 848) 내에 솔더 볼(1266)(도 12)과 같은 솔더 볼을 배치하고, 솔더 볼(1266)이 비아(841, 842, 843, 848)와 그루브(847)을 충진하여 접속부(1450)를 형성할 수 있도록 솔더 볼(1266)을 융해시킴으로써 형성될 수 있다. 접속부(1450)를 형성하는 데에 솔더 볼이 사용되는 실시예에서, 그루브(847)와 비아(841, 842, 843, 848)를 처리하여 솔더 습윤을 향상시키도록 유동체(flux)를 사용할 수 있다. 다른 실시예에서, 전도성 페이스트가 배치되고, 인쇄되며, 그루브(847)와 비아(841, 842, 843, 848) 상에 압착되어 접속부(1450)를 형성할 수 있다. 전도성 페이스트의 경화 또는 베이킹이 수행될 수 있다. 전도성 페이스트는 단일 재료 또는 두 개 이상의 재료들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 전도성 페이스트는 구리 페이스트, 주석과 은 페이스트의 조합물, 솔더 페이스트, 또는 다른 전도성 페이스트 재료일 수 있다. 다른 기술들이 그루브(847)와 비아(841, 842, 843, 848)를 전도성 재료로 충진하여 접속부(1450)를 형성하는 데에 사용될 수 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 접속부(1450)는 비아(841, 842, 843, 848) 내부에 형성되고 다이 본드 패드(811, 812, 813)와 지지부 본드 패드(828)에 연결된 전도성 세그먼트(1451, 1452, 1453, 1458) 및 그루브(847) 내에 형성되고 전도성 세그먼트(1451, 1452, 1453, 1458)를 브릿징하는 전도성 세그먼트(1457)를 포함한다. 전도성 세그먼트(1451, 1452, 1453, 1458)는 지지부 표면(824)에 실질적으로 직교할 수 있다. 도 14의 장치(1400)는 IC 패키지의 일부분일 수 있다.
도 8 내지 14에 도시된 바와 같이, 접속부(1450)(도 14)가 형성되기 이전에 그루브(847)와 비아(841, 842, 843, 848)가 이미 형성되었기 때문에(도 13), 접속부(1450)의 전도성 세그먼트(1451, 1452, 1453, 1458) 및 전도성 세그먼트(1457)는 예로서 그루브(847)와 비아(841, 842, 843, 848)를 동시에 전도성 재료로 충진함으로써 하나의 프로세스 단계(도 13부터 도 14까지의 단계)에서 형성될 수 있다. 전도성 세그먼트(1451, 1452, 1453, 1458) 및 전도성 세그먼트(1457)를 하나의 프로세스 단계에서 또는 동시에 형성하는 것은 지지부 본드 패드(828)와 다이 본드 패드(811, 812, 813)들 각각 간의 접속부가 별개의 프로세스 단계에서 형성되지 않음을 의미하기도 한다. 따라서, 지지부(820)와 다이(801, 802, 803) 사이의 접속부의 제조 프로세스는 단순화되거나, 보다 신속해지거나, 또는 둘 모두일 수 있으며, 이는 프로세스 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 도 1 내지 14에서 도시되고 설명된 바와 같이, 접속부(150, 450, 550, 1450)는 다이 본드 패드와 지지부 또는 기판의 본드 패드 사이를 접속시키는 종래의 와이어와 같은 와이어를 포함하지 않는다(무선). 따라서, 유선 접속에서의 와이어의 재료(예로서, 금) 비용은 접속부(150, 450, 550, 1450)와 같은 무선 접속부의 재료보다 상대적으로 높을 수 있기 때문에, 재료 비용이 감소될 수 있다.
도 1 내지 14에서 장치(100, 400, 500, 1400)에 대해 기술된 바와 같이, 접속부(150, 450, 550, 1450)에 와이어가 사용되지 않기 때문에, 와이어와 관련된 기생 인덕턴스, 저항, 커패시턴스, 또는 이들의 조합이 감소될 수 있다. 따라서, 장 치(100, 400, 500, 1400)의 전기적 성능이 향상될 수 있다. 또한, 도 1 내지 14에 도시된 바와 같은 접속부(150, 450, 550, 1450)는 와이어를 갖는 접속부보다 상대적으로 더 짧을 수 있다. 그러므로, 유선 접속부와 비교하여, 접속부(150, 450, 550, 1450)에서의 전기적 신호 지연이 보다 작을 수 있고, 따라서 장치(100, 400, 500, 1400)를 갖는 IC 패키지에서의 신호 속도는 유선 접속부를 갖는 IC 패키지에서보다 비교적 더 높을 수 있다. 또한, 도 1 내지 14에서 기술된 바와 같이, 접속부(150, 450, 550, 1450)가 와이어를 포함하지 않기 때문에, 와이어로 인한 단락이 감소될 수 있다. 따라서, 장치(100, 400, 500, 1400)에서, 산출량, 품질, 신뢰도 또는 이들의 조합이 향상될 수 있다.
도 8 내지 14에 기술된 프로세스는 복수의 다이의 적층과 지지부 사이의 접속 구조체(예로서, 도 5의 접속 구조체(510) 또는 도 14의 접속 구조체(1410))를 형성한다. 일부 실시예에서, 도 8 내지 14에 기술된 프로세스는 도 1의 접속 구조체(110) 또는 도 4의 접속 구조체(410)와 같은 단일 다이 및 지지부 사이의 접속 구조체를 형성하는 데에 사용될 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 방법(1500)을 도시하는 순서도이다. 방법(1500)은 적어도 하나의 다이와, 다이에 부착된 지지부 사이의 접속 구조체를 형성한다. 방법(1500)의 단계(1510)는 다이와 지지부 상에 유전층을 형성한다. 단계(1520)는 유전층 내에 비아와 그루브의 결합부를 형성한다. 단계(1530)는 비아와 그루브의 결합부 내에 접속부를 형성한다. 접속부는 다이 상의 다이 본드 패드를 지지부 상의 지지부 본드 패드와 연결시킨다. 방법(1500)에 의해 형성되는 접속 구 조체는 도 1 내지 14의 접속 구조체(110, 410, 510, 1410)의 실시예를 포함할 수 있다. 방법(1500)의 단계들은 도 1 내지 도 14에서 기술된 단계 또는 프로세스를 포함할 수 있다. 방법(1500)의 개별적인 단계들은 도시된 순서 또는 어떠한 특정 순서로 수행되어야 하는 것은 아니다. 일부 단계들은 반복될 수 있으며, 그외의 단계들은 오직 한번만 실행될 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예는 도 15에 도시된 것보다 많거나 더 적은 단계들을 포함할 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 시스템을 도시한다. 시스템(1600)은 프로세서(1610), 메모리 디바이스(1620), 메모리 컨트롤러(1630), 그래픽 컨트롤러(1640), 입력 및 출력(I/O) 컨트롤러(1650), 디스플레이(1652), 키보드(1654), 포인팅 디바이스(1656), 주변 장치(1658) 및 버스(1660)를 포함한다.
프로세서(1610)는 일반적 용도의 프로세서 또는 애플리케이션 특정 집적 회로(ASIC)일 수 있다. 메모리 디바이스(1620)는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 디바이스, 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM) 디바이스, 플래쉬 메모리 디바이스, 또는 이들 메모리 디바이스들의 조합일 수 있다. I/O 컨트롤러(1650)는 유선 또는 무선 통신용 통신 모듈을 포함할 수 있다. 시스템(1600)에 도시된 하나 이상의 구성요소는 도 1 내지 14의 장치(100, 400, 500, 1400)와 같은 장치를 포함할 수 있다. 시스템(1600)에 도시된 하나 이상의 구성요소는 하나 이상의 IC 패키지에 포함될 수 있다. 예를 들어, 프로세서(1610), 또는 메모리 디바이스(1620), 또는 I/O 컨트롤러(1650)의 적어도 일부, 또는 이들 구성요소들의 조합은 도 1 내지 14의 장치(100, 400, 500, 1400)와 같은 장치를 포함할 수 있는 IC 패키지 내에 포함될 수 있다. 따라서, 시스템(1600)에 도시된 하나 이상의 구성요소는 도 1 내지 14의 접속 구조체(110, 410, 510, 1410)와 같은 접속 구조체를 포함할 수 있다.
시스템(1600)은 컴퓨터(예로서, 데스크톱, 랩톱, 휴대용 컴퓨터, 서버, 웹 어플라이언스, 라우터 등), 무선 통신 디바이스(예로서, 휴대폰, 코드리스 폰(cordless phone), 삐삐, PDA 등), 컴퓨터 관련 주변기기들(예로서, 프린터, 스캐너, 모니터 등), 엔터테인먼트 디바이스(예로서, 텔레비전, 라디오, 스테레오, 테이프 및 콤팩트 디스크 플레이어, 비디오 카세트 리코더, 캠코더, 디지털 카메라, MP3(Motion Picture Experts Group, Audio Layer 3) 플레이어, 비디오 게임기, 시계 등) 등을 포함할 수 있다.
전술된 설명과 도면은 본 발명의 당업자가 본 발명의 실시예를 실시하는 것을 가능케 하기에 충분하도록 일부 특정 실시예를 설명한다. 다른 실시예들은 구조적, 논리적, 전기적, 프로세스 및 그외의 변화와 결합할 수 있다. 도면에서, 여러 도면들에 걸쳐 동일한 부호 또는 동일한 참조번호는 실질적으로 동일한 부분을 설명한다. 예시들은 단지 가능한 변화를 대표하는 것이다. 일부 실시예들의 부분 및 특징이 다른 실시예의 부분 및 특징에 포함되거나 또는 대체될 수 있다. 다양한 다른 실시예들이 상기의 설명을 읽고 이해함으로써 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 다양한 실시예들의 범주는 첨부된 특허청구범위와 그 동등물의 전체 범위에 의해서 결정된다.

Claims (21)

  1. 지지부 표면 및 상기 지지부 표면 상의 지지부 본드 패드를 포함하는 지지부와,
    다이 표면 및 상기 다이 표면 상의 다이 본드 패드를 포함하는 제 1 다이와,
    상기 다이의 외부에 위치되어, 상기 다이 본드 패드와 상기 지지부 본드 패드에 연결되는 비아와 그루브의 결합부(a via and groove combination)를 포함하는 유전층과,
    상기 다이 본드 패드 및 상기 지지부 본드 패드에 연결된 접속부를 포함하되,
    상기 접속부는 상기 비아와 그루브의 결합부 내부의 적어도 하나의 전도성 세그먼트를 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전층은 상기 다이 표면의 적어도 일부분 및 상기 지지부 표면의 적어도 일부분을 커버하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아와 그루브의 결합부는,
    상기 유전층 내에서 상기 다이 본드 패드 위에 있는 제 1 비아와,
    상기 유전층 내에서 상기 지지부 본드 패드 위에 있는 제 2 비아와,
    상기 유전층 내에서 상기 제 1 비아와 상기 제 2 비아를 브릿징하는(bridging) 그루브를 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 비아와 상기 제 2 비아는 상기 그루브와 상기 지지부 표면 사이에 위치하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 접속부는,
    상기 다이 본드 패드에 연결되는, 상기 제 1 비아 내부의 제 1 전도성 세그먼트와,
    상기 지지부 본드 패드에 연결되는, 상기 제 2 비아 내부의 제 2 전도성 세그먼트와,
    상기 제 1 전도성 세그먼트 및 상기 제 2 전도성 세그먼트에 연결되는, 상기 그루브 내부의 제 3 전도성 세그먼트를 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 전도성 세그먼트 및 상기 제 2 전도성 세그먼트는 실질적으로 상기 지지부 표면에 직교하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 접속부는 금속을 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 다이와 적층으로 배치되는 제 2 다이를 더 포함하되,
    상기 제 2 다이는 다이 표면 및 상기 다이 표면 상의 제 2 다이 본드 패드를 포함하고,
    상기 비아와 그루브의 결합부는 상기 제 2 다이 본드 패드 위의 제 3 비아를 더 포함하며,
    상기 접속부는 상기 제 2 다이 본드 패드 및 상기 그루브 내의 상기 제 3 전도성 세그먼트에 연결되는, 상기 제 3 비아 내부의 제 4 전도성 세그먼트를 더 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 유전층은 상기 제 2 다이의 다이 표면의 적어도 일부분을 커버하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 및 상기 제 2 다이와 적층으로 배치되는 제 3 다이를 더 포함하되,
    상기 제 3 다이는 다이 표면 및 상기 다이 표면 상의 제 3 다이 본드 패드를 포함하고,
    상기 비아와 그루브의 결합부는 상기 제 3 다이 본드 패드 위의 제 4 비아를 더 포함하며,
    상기 접속부는 상기 제 3 다이 본드 패드 및 상기 그루브 내의 상기 제 3 전도성 세그먼트에 연결되는, 상기 제 4 비아 내부의 제 5 전도성 세그먼트를 더 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 장치.
  11. 집적 회로 패키지를 포함하는 시스템으로서,
    상기 집적 회로 패키지는,
    지지부 표면 및 상기 지지부 표면 상의 지지부 본드 패드를 포함하는 지지부와,
    다이 표면 및 상기 다이 표면 상의 다이 본드 패드를 포함하는 제 1 다이와,
    상기 다이의 외부에 위치되어, 상기 다이 본드 패드와 상기 지지부 본드 패드에 연결되는 비아와 그루브의 결합부를 포함하는 유전층과,
    상기 다이 본드 패드 및 상기 지지부 본드 패드에 연결되고 상기 비아와 그루브의 결합부 내부의 적어도 하나의 전도성 세그먼트를 포함하는 접속부를 포함하며,
    상기 시스템은 상기 지지부 본드 패드에 연결된 동적 랜덤 액세스 메모리 디바이스를 더 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 다이와 적층으로 배치되는 제 2 다이를 더 포함하되,
    상기 제 2 다이는 다이 표면과, 상기 다이 표면 상에 배치되어 상기 지지부 본드 패드에 연결되는 제 2 다이 본드 패드를 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 비아와 그루브의 결합부는,
    상기 유전층 내에서 상기 제 1 다이의 다이 본드 패드 위에 있는 제 1 비아와,
    상기 유전층 내에서 상기 제 2 다이의 다이 본드 패드 위에 있는 제 2 비아와,
    상기 유전층 내에서 상기 지지부 본드 패드 위에 있는 제 3 비아와,
    상기 유전층 내에서 상기 제 1, 제 2 및 제 3 비아를 브릿징하는 그루브를 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 접속부는,
    상기 제 1 다이 본드 패드에 연결되는, 상기 제 1 비아 내부의 제 1 전도성 세그먼트와,
    상기 제 2 다이 본드 패드에 연결되는, 상기 제 2 비아 내부의 제 2 전도성 세그먼트와,
    상기 지지부 본드 패드에 연결되는, 상기 제 3 비아 내부의 제 3 전도성 세그먼트와,
    상기 제 1, 제 2 및 제 3 전도성 세그먼트에 연결되는, 상기 그루브 내부의 제 4 전도성 세그먼트를 포함하는
    집적 회로 패키지를 포함하는 시스템.
  15. 적어도 하나의 다이와 상기 다이에 부착된 지지부의 일부분 위에 유전층을 형성하는 단계와,
    상기 유전층 내에 복수의 비아와 그루브의 결합부를 형성하는 단계와,
    상기 비아와 그루브의 결합부 내에 복수의 접속부를 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 비아와 그루브의 결합부의 각각은 상기 다이 상의 복수의 다이 본드 패드에 대한 접속 및 상기 지지부 상의 복수의 지지부 본드 패드에 대한 접속을 제공하고,
    상기 접속부의 각각은 다이 본드 패드들 중 하나와 지지부 본드 패드들 중 하나에 연결되는
    집적 회로 패키지의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 접속부는 하나의 프로세스 단계에서 형성되는
    집적 회로 패키지의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 비아와 그루브의 결합부를 형성하는 단계는,
    상기 복수의 다이 본드 패드 중 제 1 다이 본드 패드에 대한 접속을 제공하도록 상기 유전층 내에 제 1 비아를 형성하는 단계와,
    상기 복수의 지지부 본드 패드 중 제 1 지지부 본드 패드에 대한 접속을 제공하도록 상기 유전층 내에 제 2 비아를 형성하는 단계와,
    상기 제 1 비아와 상기 제 2 비아를 브릿징하도록 상기 유전층 내에 그루브를 형성하는 단계를 포함하는
    집적 회로 패키지의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 접속부를 형성하는 단계는,
    상기 제 1 비아 및 상기 제 2 비아와, 상기 그루브를 전도성 재료로 충진하는 단계를 포함하는
    집적 회로 패키지의 제조 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 접속부를 형성하는 단계는,
    상기 그루브 내에 전도성 재료를 배치하는 단계와,
    상기 전도성 재료의 융해, 상기 전도성 재료의 경화(curing) 및 상기 전도성 재료의 베이킹(baking) 중 적어도 하나를 수행하는 단계를 포함하는
    집적 회로 패키지의 제조 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 전도성 재료는 솔더 볼(solder ball)과 전도성 페이스트(paste) 중 하나를 포함하는
    집적 회로 패키지의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 전도성 페이스트는 구리 페이스트, 주석과 은의 조합물 페이스트 및 솔더 페이스트 중 하나를 포함하는
    집적 회로 패키지의 제조 방법.
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