KR101043162B1 - 방전 램프용 전극 및 이러한 전극의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 원통형 샤프트(12), 상기 원통형 샤프트(12)에 연결되는 팁(11)을 갖는 방전 램프(I)를 위한 전극에 관한 것으로, 제1 물질 영역(13)이 전극(1)의 길이 방향(A)으로 형성되는 코어를 형성하고, 상기 코어는 적어도 부분적으로는 외피를 형성하는 제2 물질 영역(14)에 의해 둘러싸인다. 본 발명은 또한 이러한 전극을 갖는 방전 램프 및 방전 램프용 전극의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

방전 램프용 전극 및 이러한 전극의 제조 방법 {ELECTRODE FOR A DISCHARGE LAMP AND A METHOD FOR PRODUCING SUCH AN ELECTRODE}

본 발명은 원통형 샤프트 및 상기 원통형 샤프트에 연결되는 팁을 갖는 방전 램프용 전극에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 방전 램프용 전극의 제조 방법 및 대응하는 방전 램프에 관한 것이다.

DC 고압 방전 램프들, 예컨대 HBO 램프들(수은 증기 램프들) 또는 XBO 램프들(크세논 램프들)의 음극들은 일반적으로 산화토륨으로 도핑된 텅스텐으로 구성된다. 이 경우 산화토륨의 함유량은 중량으로 약 0.4 내지 약 2 퍼센트이다. 산화토륨이 방사성 성분이기 때문에, 토륨함유 텅스텐 전극들의 경우에 방사능이 또한 증명될 수 있다. 방사성 물질들을 다루는 것을 규제하는 법적 요구사항들이 존재한다. 임계적 활동도에 도달되면, 이러한 성분들을 다룰 때 상이한 식별 사양들 및 조치들이 요구된다. 산화토륨을 이용한 음극들의 도핑은 음극 팁에서의 일함수를 낮추는 역할을 하고, 그 결과로 더 낮아진 음극 팁 온도가 램프 동작 동안에 달성될 수 있다. 이와 연관되어, 발생하는 음극 역화(cathode burnback occurring)가 램프 수명에 걸쳐서 감소하고, 이는 소용된 플럭스 또는 소용된 방사된 빛이 더 낮게 하강되는 것에 있어서 사용자에게 긍정적으로 주목될만하다.

램프 전력 상승은 일반적으로, 온도를 유지하고 이와 연관되어 전극 역화를 가능한 한 낮게 유지하기 위하여, 확장된 음극 크기를 요구한다. 약 5kW의 전력까지 이르는 방전 램프들의 경우, 전체 음극 또는 음극 헤드는 토륨물질로부터 활동도가 한계값을 초과하는 것 없이 제조될 수 있다. 8kW 초과 전력에서는, 이것이 더 이상 가능하지 않다.

종래 기술에 따른 음극이 도 1에 도시되어 있다. 자신의 사이즈 및 자신의 토륨 함유량 때문에 전체 활동도에 있어서 임계적 한계치를 넘어설 수도 있는 음극(1')의 경우, 활동도는 기계적으로 상호 연결되는 두 가지 물질들의 사용에 의해 설정되는데, 상기 물질들 중 하나는 산화토륨으로 도핑된다. 이를 위해, 음극(1')은 토륨물질로부터 생성되는 전면 팁 영역(11')을 포함한다. 상기 블록(11')은 제2 영역(12') 상으로 배치되고, 상기 제2 영역(12')은 길이방향으로 넘어서 배열되고 토륨-무함유 물질로부터 형성된다. 도 1에 도시된 음극(1')은 그 제조에 있어서 비교적 복잡하다. 음극(1')의 두 부분들(11',12')은 비교적 복잡한 방식으로, 예컨대 납땜 또는 나사-연결이 이를 위해 제공되는 것에 의하여 상호 연결된다. 비교적 복잡한 상기 제조 및 조립에 부가하여, 방전 램프의 시동 문제점들이 이러한 설계를 갖는 음극(1')의 경우에 발생할 수 있다. 이러한 시동 문제점들은, 이러한 두 부분들(11',12')의 연결 영역에서 아크 부착이 발생할 수 있고 요구된 바와 같이 팁 영역(11')의 최전면 단부에서는 발생하지 않을 수 있다는 사실에 의하여 야기될 수 있다.

그러므로, 본 발명의 목적은 방전 램프용 전극, 그리고 상기 전극이 더 낮은 복잡성을 갖도록 제조될 수 있게 하고 또한 상기 전극의 물질의 활동도에 관한 임계적 한계치들이 요구 범위 내에서 유지될 수 있게 하는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 이러한 전극을 갖는 대응하는 방전 램프 및 이러한 방전 램프의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적들은 청구항 제1항에 따른 특징들을 갖는 전극과 청구항 제10항에 따른 특징들을 갖는 방전 램프에 의해 달성된다. 또한, 상기 목적들은 청구항 제16항에 따른 특징들을 갖는 방법에 의해 달성된다.

본 발명에 따른 방전 램프용 전극은 원통형 샤프트 및 상기 원통형 샤프트에 연결된 팁을 포함한다. 전극의 길이방향으로 코어가 형성되고, 상기 코어의 적어도 일부 영역들은 외피에 의해 둘러싸인다. 이 경우, 상기 코어는 제1 물질 영역에 의해 형성되는데, 상기 코어는 상기 외피를 형성하는 제2 물질 영역에 의해 둘러싸이고, 상기 물질 영역들은 자신들의 성분들에 있어서 서로 상이하다. 전극의 이러한 구조화의 결과로서, 전극의 제조는 단순해질 수 있고, 특히 상기 두 물질 영역들의 연결 영역 및 그에 따른 코어 및 외피의 연결 영역이 가능한 낮은 복잡성을 갖도록 생성될 수 있다. 또한, 이러한 전극에 의해, 물질들의 임계적 활동도 및 특히 제1 물질 영역의 임계적 활동도의 한계치에 관한 법적 요구사항들에 충분히 부합될 수 있다.

바람직하게, 코어 영역은 샤프트 및 팁의 전체 길이에 걸쳐서 연장되고, 그 결과로 전극의 길이방향으로 완전히 관통하는 코어 영역이 제1 물질 영역으로서 형성된다. 또한, 코어 및 그에 따른 제1 물질 영역이 전극의 전체 길이에 걸쳐서 부분적으로만 연장되는 것도 제공될 수 있다. 그러므로, 코어는 실질적으로 완전히 외피 안에 내장되도록 배열된다.

바람직하게, 코어는 상기 제2 물질 영역에 의해서 둘러싸이지 않는 부분에 걸쳐서 상기 팁의 전면 단부에서만 노출된다. 그러므로, 제1 물질 영역은 유용하게도 상기 전면 단부에서만 노출되고, 외피 및 그에 따른 제2 물질 영역은 전극의 전체 길이에 걸쳐서 연장되지 않는다. 램프의 작동 조건들 및 특히 음극 팁 온도가 이로써 감소할 수 있다. 이로써 특히 아크 부착이 매우 국부적으로 포커싱될 있고 또한 전극의 원하는 영역에서 유지될 수 있다.

특히 유용한 방식으로, 전극 그리고 특히 물질 영역들의 구성과 특히 제1 물질 영역 및 제2 물질 영역의 연결이 소결 프로세스에 의해 형성된다. 예컨대 납땜 또는 나사-연결을 이용하는 종래 기술의 경우와 같은 설치하기에 복잡한 기계적 연결이 그러므로 상기 전극에는 더 이상 요구되지 않는다.

제1 물질 영역은 전극의 길이방향으로 상기 전극의 길이축 둘레로 바람직하게 형성되고, 전극의 중심에 배열된다. 그러면, 로드형 코어의 상기 중심적 배열은 외피가 코어를 균일하게 둘러싸는 구성을 가능하게 하고, 그 결과로 대칭적 설계가 길이축에 있어서 가능하게 된다. 이는 또한 전극의 기능이 긍정적으로 영향받을 수 있는 것을 가능하게 한다.

제1 물질 영역은 텅스텐 물질로부터 유용하게 형성되는데, 상기 텅스텐 물질은 토륨을 함유하고 그에 따라 특히 산화토륨으로 도핑된다. 그러나, 제1 물질 영역의 텅스텐 물질은 또한 전극 물질들로서 적절한 모든 다른 물질들로 도핑될 수도 있다. 예컨대, 텅스텐 물질을 란탄늄 산화물 또는 산화이트륨이나 다른 공지된 도핑들 및 혼합물들로 도핑하는 것도 이루어질 수 있다. 그러나, 제1 물질 영역은 또한 다른 물질로부터 또는 다른 물질들의 조합으로부터 형성될 수도 있다.

제2 물질 영역은 바람직하게 텅스텐 물질로부터 형성되고 토륨을 포함하지 않는다.

또한, 상기 방법은 상대적으로 큰 전극들의 경우에 제1 물질 영역에서 동종으로 혼합된 물질(a homogeneously mixed material)을 제조하는 것을 가능하게 한다.

합성 물질, 특히 합성 텅스텐 물질로부터 형성되는 전극, 특히 음극이 제조될 수 있다. 상기 합성 물질은 바람직하게 축에 근접한 자신의 내부 코어에서 토륨물질 영역을 갖는 반면에, 그 위에 위치하는 외피는 토륨을 포함하지 않도록 설계된다. 이러한 구성은 완전히 토륨 텅스텐으로 만들어진 동일 사이즈의 전극과 비교할 때 현저하게 낮은 방사능을 갖는 전극에 제조되는 것을 가능하게 한다. 본 발명에 따른 제안된 전극의 경우, 역화 특성들에 있어서 종래 기술에 공지된 전극과 비교하여 어떠한 불리한 반응도 증명되지 않는다.

또한, 도 1에 도시된 음극(1')의 경우처럼, 연결점에서의 아크의 부정확한 부착이 또한 방지될 수 있다. 또한, 상기 제안된 합성 전극의 추가적 장점은, 수명중에, 예컨대 음극 에지에서 방전 램프의 재시동 동안에 부정확한 아크 부착 발생이 회피된다는 사실로 이루어진다. 그 이유는, 아크가 더 낮은 일함수를 갖는 지점들에 바람직하게 부착되고 그에 따라 토륨물질 영역들에 바람직하게 위치하는 것으로 간주될 수 있다. 그러나, 제안된 전극의 바람직한 구성에서, 외피가 토륨을 함유하지 않기 때문에, 아크가 이곳에 부착되는 것은 불가능하다.

바람직하게, 전체 전극의 지름에 대한 전극의 코어 지름의 비율은 0.1 내지 0.7의 값 범위에 있다. 여기서, 특히 바람직하게는 약 0.4의 값이다. 이러한 지름들 덕분에, 음극의 사이즈 관점에서 최적화와 음극의 최적 작동 반응 그리고 또한 임계적 활동도에 있어서 요구되는 법적 스펙들이 달성될 수 있다.

유용한 실시예에서, 전극은 12mm 이상, 특히 15mm 이상의 지름을 갖는다.

본 발명의 다른 측면은 방전 램프, 특히 고압 방전 램프에 관한 것으로, 상기 방전 램프는 본 발명에 따른 전극 또는 상기 전극의 유용한 실시예를 포함한다. 바람직하게, 방전 램프는 상기 방전 램프가 4kW 이상의 전력, 특히 5kW 이상의 전력을 갖도록 설계된다. 제안된 상기 전극은 심지어 8kW 초과 전력을 갖는 방전 램프들에 대하여 특히 유용한 것으로 증명되었다. 전극의 구성의 결과로서, 활동도의 한계값은 이러한 전력들을 갖는 방전 램프들의 경우에도 부합될 수 있다.

방전 램프는 수은 증기 램프 또는 크세논 램프 형태일 수 있다. 수은 증기 램프로서 구성되는 경우, 수은 농도는 바람직하게 8mg/ccm 이상, 특히 10mg/ccm 이상일 수 있다. 방전 램프가 크세논 램프 형태일 경우, 크세논 냉충전 압력은 바람직하게 6바, 특히 8바를 초과한다.

방전 램프용 전극을 제조하는 본 발명에 따른 방법의 경우, 전극은 원통형 샤프트 및 상기 원통형 샤프트에 연결되는 팁을 갖도록 설계된다. 전극의 길이방향으로, 코어를 형성하는 제1 물질 영역이 형성되고 상기 코어의 적어도 일부 영역들을 둘러싸는 외피가 형성되는데, 상기 외피는 제1 물질 영역에 비하여 그 성분에 있어서 상이한 제2 물질 영역에 의해 형성된다. 상기 방법에 의하여, 전극의 물질들의 임계적 활동도에 있어서 법적 요구사항들을 충족시키면서도 복잡성이 거의 없이 제조될 수 있는 전극을 제공하는 것이 가능하다. 특히, 이러한 구성에서, 두 가지 물질 영역들은 유용하게도 소결 프로세스에 의해 제조되고, 그 결과로 물질들 간의 기계적 접합들이 조립 관점에서 상대적으로 부정확한 적어도 하나의 추가적인 복잡한 생산 단계에서 더 이상 형성될 필요가 없다. 그 결과, 이러한 설계를 갖는 전극을 포함하는 방전 램프가 또한 제조될 수 있고, 그 결과로 높은 전력들을 갖는 방전 램프들이 또한 전극 물질들의 활동도의 한계값을 초과하지 않는다.

본 발명에 따른 전극 및 본 발명에 따른 방전 램프의 유용한 구성들은 전극을 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법의 유용한 구성들로서 및 이러한 전극을 갖는 방전 램프를 제조하기 위한 유용한 구성들로서 간주될 수 있다.

본 발명의 예시적 실시예가 개략적인 도면들을 참조하여 하기에서 상세하게 설명될 것이다.

도 1은 종래 기술에 따라 공지된 음극의 섹션도,

도 2는 본 발명에 따른 전극의 관통섹션도, 및

도 3은 본 발명에 따른 고압 방전 램프의 관통섹션도.

도 2는 음극(1) 형태의 전극의 개략적인 관통섹션도를 나타낸다. 음극(1)은 예시적인 실시예에서 원뿔형인 팁(11)을 포함한다. 팁(11)은 원통형 샤프트(12)로 이어진다. 음극(1)의 길이방향 및 그에 따라 길이축(A) 방향으로, 음극(1)은 원통형 샤프트(12)의 길이(ℓ2) 및 팁(11)의 길이(ℓ3)의 합인 길이(ℓ1)를 갖는다. 도시된 구성은 단지 예시이며, 길이 비율에 있어서 및 형태에 있어서 모두 가변될 수 있다.

도 2의 도시로부터 알 수 있는 바와 같이, 음극(1)은 코어(13)를 포함하고, 상기 코어(13)는 예시적인 실시예에서 음극(1)의 중심에 배열되고 중심에 놓여지고 그에 따라 길이축(A)을 기준으로 실질적으로 회전 대칭적으로 설계된다. 예시적인 실시예에서, 제1 물질 영역에 의해 형성되고 예시적인 실시예에서 토륨-함유 텅스텐 물질로부터 형성되는 코어(13)는, 음극(1)의 전체 길이에 걸쳐서 연장된다. 코어(13)는 산화토륨으로 도핑된다.

코어(13)는 외피(14)에 의해 주위로 둘러싸이며, 외피(14)는 예시적인 실시예에서 무-토륨 텅스텐 물질인 제2 물질 영역에 의해 형성된다.

도시된 실시예에서, 코어(13)는 팁(11)의 전면 단부에서 외피(14)를 넘어서 연장된다. 이 경우, 길이(ℓ4)에 걸쳐서 외피(14)를 넘어서 연장되는 높아진 영역이 형성된다. 상기 전면 영역에서, 코어(13)는 그러므로 상기 길이(ℓ4)에 걸쳐서 노출되도록 배열되고 외피(14)에 의해 둘러싸이지 않는다. 개략적으로 도시된 길이들(ℓ1 내지 ℓ4) 및 서로에 대한 상기 길이들(ℓ1 내지 ℓ4)의 각각의 비율들 모두는 단지 예시이며, 마찬가지로 상황에 따라 및 요구사항들에 따라 상이할 수 있다. 하지만, 코어(13)가 음극(1)의 전체 길이(ℓ1)에 걸쳐서 연장되지 않을 수도 있고, 예컨대 팁(11)의 영역 내에서만 연장되고, 예컨대 팁(11)의 전면 단부로부터 시작하여 길이(ℓ3)에 걸쳐서 연장되도록 제공될 수도 있다. 또한, 팁(11)으로부터 시작하여 상기 코어(13)가 가능한 한 원통형 샤프트(12) 안으로 연장되도록 제공될 수도 있다.

예시적 실시예에서, 상기 코어(13)는 핀 형태이고, 길이(ℓ1)에 걸쳐서 실질적으로 동일한 지름(d1)을 갖는다. 팁(11)의 전면 단부에서 및 그에 따른길이(ℓ4)에 걸쳐서만 상기 코어(13)는 원뿔형이고 그러므로 끝이 점점 가늘어진다. 상기 코어(13)의 핀형 구성은 절대적으로 필요한 것은 아니며, 코어(13)의 지름(d1) 및 형태는 또한 상이하게 설계될 수 있다. 특히, 지름(d1)은 샤프트(12)의 영역 및 팁(11) 안으로 뻗어나온 영역에서 가변될 수도 있다.

그 결과로, 특히, 상대적으로 높은 전력들을 갖고 특히 8kW 초과의 전력들을 갖는 램프들에서 상기 전극을 사용하는 관점에 의하여, 특히 코어(13)의 요구사항들을 충족시키는 구성은 방사능에 대한 한계값들에 관한 법적 스펙들도 충족시키는 것이 가능하도록 이루어질 수 있다.

예컨대, 여기서는, 코어(13)가 특히 팁(11)의 영역에서 넓어지도록 설계되고 그에 따라 상기 넓어진 형태에서 팁(11)의 비스듬한 에지들에 실질적으로 면하도록 설계될 수 있다. 원통형 샤프트(12)의 하부 영역에서 도 2에 도시된 지름(d1)으로부터 시작하여, 이러한 구성의 경우에, 팁(11)을 향하는 방향으로 및 특히 상기 팁(11)의 전면 영역을 향하는 방향으로, 코어(13)의 지름(d1)의 확장, 특히 연속적인 확장은 코어(13)의 주변 영역들이 팁(11)의 비스듬한 에지들에 면해지기 전까지 형성될 것이다. 그곳으로부터 단부 길이(ℓ1)까지, 코어(13)의 지름 감소가, 예컨대 도 2에서 길이(ℓ4)에 걸쳐서 도시된 바와 같이, 팁(11)의 비스듬한 에지들의 결과로서 다시 야기될 수 있다. 또한, 상기 연속적인 넓어짐 및 그에 따른 코어(13)의 연속적인 지름 확장은 샤프트(12)로부터 팁(11)까지의 전이에 의해서만 시작되고 상향으로 연속되도록 제공될 수 있다.

코어(13)의 도 2에 도시된 지름(d1)에 부가하여, 음극(1)의 전체 지름(d2)이 또한 도시된다. 예시적 실시예에서, 지름(d2)에 대한 지름(d1)의 비율은 0.4의 값을 갖는다.

도 2에 도시된 음극(1)은 소결 프로세스에 의해 제조되는데, 특히 두 가지 물질 영역들과 그에 따른 코어(13) 및 외피(14)는 상기 소결 프로세스에 의해 연결된다. 그러므로, 음극(1)은 복합전극 형태이고 텅스텐 복합 물질로부터 제조된다.

도 3은 고압 방전 램프(I)의 개략적인 도면이며, 상기 고압 방전 램프(I)는 도 2의 구성에 따른 음극(1)을 갖는다.

또한, 양극(2)이 형성되는데, 상기 음극(1)은 지지 로드(3) 상에 고정되고, 상기 양극(2)은 지지 로드(4) 상에 고정된다. 상기 지지 로드들(3,4)은 각각 추가의 고정 소자들(5,6), 예컨대 석영 로드들 안으로 각각 면해진다. 고압 방전 램프(I)의 이러한 전술된 구성성분들은 석영 유리로 구성된 방전관(7)에 배열되고, 특히 양극(2) 및 음극(1)은 타원형 방전전구(71)에 배열된다.

상기 지지 로드들(3,4)은 몰리브덴 박편(미도시)에 연결되고, 상기 몰리브덴 박편은 진공-기밀 방식으로 방전관(7)의 관형 단부들 안으로 퓨즈된다. 또한, 고압 방전 램프는 연결 베이스들(8,9)을 포함한다.

Claims (22)

1. 방전 램프(Ⅰ)용 전극으로서,

   원통형 샤프트(12); 및

   상기 원통형 샤프트(12)에 연결된 팁(11)을 갖고,

   제1 물질 영역(13)이 코어를 형성하고,

   상기 코어는 전극(1)의 길이 방향(A)으로 형성되고,

   상기 코어의 적어도 일부 영역들은 외피를 형성하는 제2 물질 영역(14)에 의해 둘러싸이고,

   상기 제2 물질 영역(14)에 의해서 둘러싸이지 않는 상기 제1 물질 영역(13)의 부분이 상기 팁(11)의 전면 단부에서만 노출되며, 그리고

   상기 코어는 토륨을 포함하고 상기 전극의 전체 길이(ℓ1)의 일부에 걸쳐서만 연장되는,

   방전 램프용 전극.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1 물질 영역(13)은 상기 샤프트(12) 및 상기 팁(11)의 전체 길이(ℓ2,ℓ3)에 걸쳐서 연장되는,

   방전 램프용 전극.
3. 삭제
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제1 물질 영역(13) 및 상기 제2 물질 영역(14) 사이의 접합은 소결 프로세스로 형성되는,

   방전 램프용 전극.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제1 물질 영역(13)은 상기 길이 방향(A)의 축 둘레로 형성되고 상기 전극(1)의 중심에 배열되는,

   방전 램프용 전극.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제2 물질 영역(14)은 텅스텐 물질로부터 형성되고 토륨을 포함하지 않는,

   방전 램프용 전극.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제1 물질 영역(13)은 토륨을 포함하는 텅스텐 물질로부터 형성되는,

   방전 램프용 전극.
8. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   전체 전극(1)의 지름(d2)에 대한 상기 제1 물질 영역(13)의 지름(d1)의 비율은 0.1 내지 0.7인,

   방전 램프용 전극.
9. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 전극(1)은 12mm 이상의 지름(d2)을 갖는,

   방전 램프용 전극.
10. 방전 램프로서,

    제1항 또는 제2항에 따른 전극(1)을 갖는,

    방전 램프.
11. 제10항에 있어서,

    4kW 이상의 전력을 갖는,

    방전 램프.
12. 제10항에 있어서,

    수은 증기 램프 형태인,

    방전 램프.
13. 제12항에 있어서,

    수은 농도는 8mg/ccm 이상인,

    방전 램프.
14. 제10항에 있어서,

    크세논 램프 형태인,

    방전 램프.
15. 제14항에 있어서,

    크세논 냉충전 압력은 6바를 초과하는,

    방전 램프.
16. 방전 램프(Ⅰ)용 전극(1)을 제조하기 위한 방법으로서,

    상기 전극(1)이 원통형 샤프트(12) 및 상기 원통형 샤프트(12)에 연결되는 팁(11)을 갖도록 설계되고,

    제1 물질 영역(13)이 코어를 형성하고,

    상기 코어는 상기 전극(1)의 길이 방향(A)으로 형성되고,

    외피를 형성하는 제2 물질 영역(14)이 상기 코어의 영역들 둘레로 형성되고,

    상기 제2 물질 영역(14)에 의해서 둘러싸이지 않는 상기 제1 물질 영역(13)의 부분이 상기 팁(11)의 전면 단부에서만 노출되며,

    상기 코어는 토륨을 포함하고 상기 전극의 전체 길이(ℓ1)의` 일부에 걸쳐서만 연장되는,

    방전 램프용 전극을 제조하기 위한 방법.
17. 제16항에 있어서,

    상기 물질 영역들(13,14) 사이의 접합은 소결 프로세스에 의해 제조되는,

    방전 램프용 전극을 제조하기 위한 방법.
18. 제9항에 있어서,

    상기 지름(d2)은 15mm 이상인,

    방전 램프용 전극.
19. 제10항에 있어서,

    상기 방전 램프는 고압 방전 램프인,

    방전 램프.
20. 제11항에 있어서,

    상기 전력은 5kW 이상인,

    방전 램프.
21. 제13항에 있어서,

    상기 수은 농도는 10mg/ccm 이상인,

    방전 램프.
22. 제15항에 있어서,

    상기 크세논 냉충전 압력은 8바를 초과하는,

    방전 램프.

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