KR101038240B1 - 금속 게터 시스템 - Google Patents
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Abstract
전자장치에서 사용하기 위한 금속 게터 시스템이 제공된다. 본 발명에서 교시한 게터 시스템은 게터 패시베이션의 문제가 없이, 전해 콘덴서 같은 전해장치 내에 존재하는 전해질 환경에서 사용하기 위한 격실형 금속 게터 시스템을 구비한다. 그러한 시스템(50)은 용기(51), 전극(52), 및 전기 접점(54, 54')을 갖는 전해 콘덴서(50)의 중앙부에 삽입된 복합 게터 시스템(10)을 구비할 수 있다.
금속, 게터 시스템
Description
본 발명에서 개시한 주제는 전자장치에서 사용하기 위한 금속 게터에 관한 것이다. 특히, 본 발명에서 교시한 게터 시스템은 전해장치 내의 전해질 환경에서 유용하며, 보다 상세하게는, 패시베이션 없이 전해 콘덴서에서 사용할 수 있는 복합 게터 시스템을 구비한다.
전자장치는 많은 어플리케이션에서 광범위하게 사용되며, 게터는 무수히 많은 산업 및 민생용 어플리케이션에 있어서, 이들 중요 장치의 제조 및 작동시 사용한다. 게터는 전형적으로, 특정 기체에 대해 화학적인 친화력을 보이며, 진공장치 내에 도입시, 적절한 진공을 생성하고 유지하도록 장치 내에 존재하는 기상의 타깃 분자를 흡수하는 금속 또는 금속합금으로 구성된다. 특히, 게터가 패시베이션에 대해 효율적이며 내성이 있는 액상 환경에 있어서, 기상 오염 게터(gaseous contaminant getter) 또는 소버(sorber)에 대한 오래되고 절실한 필요성이 잔존하고 있다. 그러한 액상 환경은 가령, 전해 콘덴서의 전해질 액상 환경과 같이, 전해장치에 존재하는 그같은 환경을 포함한다.
전해장치는 전기의 전도가 화학작용을 동반하는 그러한 장치를 포함한다. 전해 콘덴서는 전해장치의 일예이다. 전기화학적 이중층 콘덴서(electrochemical double layer capacitor, EDLC)로는 가령, 슈퍼콘덴서가 있으며, 전해액이 함침되거나 그에 침지된 금속시트로 주로 만들어지며, 전극을 감싸는 기밀 하우징(airtight housing)을 전형적으로 구비한다. 금속시트는 한쌍의 전기 접점에 의해서 하우징의 외부에 전기적으로 연결된다. 콘덴서는 또한, 이 콘덴서가 어떤 종류의 오염 제거기구를 구비하지 않으면, 종종 수리가 불가능할 정도로 콘덴서를 손상시킬 수 있는 오염물질을 함유할 수 있다는데 문제가 있다. 이들 오염물질은 기체일 수 있으며, 가령, 콘덴서의 작동 중에 또는 콘덴서의 다양한 부품에서 생긴 그러한 기체의 탈착(desorption)에 의해서 생성될 수 있다. 유해기체의 한 종류로는 수소가 있다.
금속 게터가 전해 콘덴서의 전해질 환경 같은 액상 환경에서 패시베이션되는데 문제가 있다. 본 발명에서 사용한 바와 같이, "패시베이션(passivation)"이란 용어는 금속 게터가 적어도 일반적으로 오염물질을 흡착할 수 있어, 게터재가 그의 의도된 목적에는 바람직하지 않게 되는 것을 말한다. 패시베이션의 문제에 대해 시도한 하나의 해법에서는 "비혼합(non-mixed)" 흡착 시스템을 만들었는데, 상기 게터는 전해액과 혼합되지 않는다. 상술한 문제해결을 위해 시도한 다른 해법으로는 액상 게터와 같이 선택한 게터를 전해액과 혼합하여 "혼합 흡착 시스템"을 만든 것이 있다. 그러한 시스템의 일예가 SAES Getters SpA가 출원한 국제특허출원 PCT/IT2006/000343에 개시되어 있으며, 이것의 전체내용을 참조로서 여기에 인용한다. 고체 소버를 이용하는 혼합 흡착 시스템의 예가 일본특허 03-292712에 개시되어 있으며, 이것의 전체내용을 참조로서 여기에 인용한다. 이 특허에서, 백금, 팔 라듐, 또는 그의 합금 입자를 포함하는 첨가제는 전해액이 함침된 종이시트 상에 공급된다. 불행히도, 이 종이시트는 종종 두께가 10㎛미만으로 상당히 얇고, 첨가한 입자에 의해 쉽게 손상되어, 콘덴서에서 단락(short-circuits)을 일으킬 수 있다.
문제해결을 위해 시도한 다른 해법은 게터재를 전해질로부터 차폐하는 고분자 장벽(barriers)의 사용을 포함하고 있다. 이들 장벽은 전해질 환경에서 매우 효과적인 게터재의 사용을 허용하는데, 장벽이 없을 경우 게터재에서 패시베이션이 일어나게 된다. 그러한 시스템의 일예가 SAES Getters SpA가 출원한 이탈리아 특허출원 제 MI2005A002344호 및 SAES Getters SpA가 출원한 이탈리아 특허출원 제 MI2006A000056호에 개시되어 있으며, 이들의 전체내용을 참조로서 여기에 인용한다. 불행히도, 그러한 고분자 장벽은, 비록 오염물질에 대해 투과성이라서 흡착을 허용할지라도, 패시베이션으로부터 게터재를 보호하기 위해 전해질에 대해서는 불투과성으로 설계되어 있어, 비능률을 초래한다. 더구나, 그러한 고분자 시스템은 고가이며 사용이 어려운 경향이 있다.
따라서, 당업자라면 전해질 환경에서 사용이 용이하고 패시베이션을 해결하는데 사용할 수 있는 고체 복합 게터 시스템의 진가를 알고 있을 것이다. 고체 복합 게터는 게터재를 패시베이션시키는 것으로 알려진 액상 함유 환경에서 동작 가능하리라고는 결코 기대할 수 없었기 때문에, 지금까지 고체 복합 게터는 진공 또는 기상의 환경에서만 사용해 왔다.
본 발명에서 제공한 교시는 전자장치에서 사용하기 위한 금속 게터 시스템과 관련된다. 특히, 본 발명에서 교시한 게터 시스템은 전해장치 내의 전해질 환경에서 유용하며, 보다 상세하게는, 패시베이션 없이 전해 콘덴서에서 사용할 수 있는 복합 게터 시스템을 구비한다.
일부 실시예에 있어서, 교시는 전해질 환경 내의 2개 이상의 전극과, 전해질 환경과 접촉하는 고체 복합 게터(solid, composite getter)를 포함하는 전해 콘덴서와 관련된다. 일부 실시예에 있어서, 전해 콘덴서는 전기화학적 이중층 콘덴서이다. 고체 복합 게터는 가령, 팔라듐 화합물과 접촉하는 표면적을 갖는 금속 게터를 포함할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 고체 복합 게터 시스템은 다공성 용기 내에 고체 복합 게터를 포함한다. 다공성 용기는 전해장치 내에서 전해액의 소정의 영역에 고체 복합 게터를 유지하는데 사용할 수 있다. 이들 실시예에 있어서, 고체 복합 게터는 (ⅰ) 지르코늄, 티타늄 또는 팔라듐을 포함하는 금속 게터와 (ⅱ) 팔라듐, 팔라듐 산화물 또는 팔라듐 합금을 포함하는 팔라듐 화합물의 조합(combination)을 포함할 수 있다. 이들 실시예에 있어서, 금속 게터와 팔라듐 화합물의 조합은 전해액 내에서 게터재의 패시베이션을 억제한다. 일부 실시예에 있어서, 이 조합은 금속 게터 표면 상에 팔라듐 화합물 코팅을 포함하며, 상기 금속 게터 표면의 적어도 10%는 팔라듐 화합물로 코팅된다.
일부 실시예에 있어서, 고체 복합 게터 시스템은 시트 형태의 고체 복합 게터를 포함한다. 이들 실시예에 있어서, 시트는 금속 게터와 팔라듐 함유 물질의 공압출(共壓出) 제품 같은 공압출 제품(coextrusion product)을 포함할 수 있다. 또한 이 시트는 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 갖고, 약 1 내지 약 100나노미터 범위의 두께를 갖는 팔라듐 화합물의 박막으로 코팅된 포일 같은 금속 게터의 포일일 수 있다.
다공성 용기는 강성(剛性)일 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 가요성(可撓性)일 수 있다. 고체 복합 게터는 직경이 약 10㎛ 내지 약 150㎛ 범위인 입자 크기와 같은 미리선택한 입자크기를 가질 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기 내의 구멍은 대체로 고체 복합 게터에서 가장 작은 입자의 직경만큼 클 수 있다.
금속 게터는 Zr, Ti, Nb, Ta 및 V 금속; Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Zr; Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Ti; 및 상술한 금속 및 합금의 임의의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 포함할 수 있다. 금속 게터는 가령, 지르코늄 70중량%, 바나듐 24.6중량%, 및 철 5.4중량%로 구성되는 비증발성 게터일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속게터는 가령, 지르코늄 80.8중량%, 코발트 14.2중량%, 및 TR 5중량%로 구성되는 비증발성 게터일 수 있다. TR은 희토류 금속, 이트륨, 란탄, 또는 그의 혼합물이며, 미슈메탈(mischmetals)을 포함한다.
본 발명의 교시는 또한 격실형 금속 게터 시스템과 관련되며, 이 시스템은 고체 복합 게터 시스템을 구비할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 교시는 다공성 용기 내에 금속 게터를 포함하는 격실형 금속 게터 시스템과 관련되며, 다공성 용기는 전해장치에서 게터 격실 내에 배치되도록 설계할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 강성(rigid)일 수 있고, 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 가요성일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 밀폐된 다공성 실린더, 밀폐된 다공성 평행육면체, 또는 메시 밀폐체(mesh enclosure)일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 금속 게터를 포함하는 입자 또는 펠릿을 함유할 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 입자 또는 펠릿은 팔라듐 화합물과 접촉할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 입자 크기는 약 10㎛ 내지 약 150㎛ 범위의 직경을 가질 수 있으며, 다공성 용기 내의 구멍은 대체로 가장 작은 입자의 직경만큼 클 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 격실형 금속 게터 시스템은 금속 게터의 표면 상에 팔라듐 화합물의 코팅을 구비하며, 상기 금속게터 표면의 10% 이상이 팔라듐 화합물로 코팅된다. 예를 들어, SAES Getters SpA에게 허여된 미국특허 6,682,817호 및 SAES Getters SpA에게 허여된 WO 2006/089068호에 기술된 고체 복합 게터 및 가요성 게터재를 참조하기로 하며, 이들의 전체내용을 참조로서 여기에 인용한다.
일부 실시예에 있어서, 금속 게터는 Zr, Ti, Nb, Ta, 및 V 금속; Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Zr; Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Ti; 및 상기 금속 및 합금의 임의의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 포함한다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터는 지르코늄 70중량%, 바나듐 24.6중량%, 및 철 5.4중량%로 구성되는 비증발성 게터일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속게터는 지르코늄 80.8중량%, 코발트 14.2중량%, 및 TR 5중량%로 구성되는 비증발성 게터일 수 있으며, 상기 TR은 희토류 금속, 이트륨, 란탄, 또는 그의 혼합물이며, 미슈메탈을 포함한다.
일부 실시예에 있어서, 격실형 금속 게터 시스템은 시트 형태의 금속 게터를 포함할 수 있으며, 상기 시트는 전해 장치 내의 게터 격실(compartment) 내에 배치되도록 설계된다. 이들 실시예에 있어서, 시트는 금속 게터를 포함하는 공압출 제품, 프레스 및 소결 시트, 메시, 포일일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 시트는 또한 팔라듐 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 시트는 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 갖고, 약 1 내지 약 100나노미터 범위의 두께를 갖는 팔라듐 화합물의 박막으로 코팅된 포일 같은 금속 게터의 포일일 수 있다.
또한, 본 발명의 교시는 내벽부, 중앙부, 바닥부, 및 게터 격실을 갖는 밀봉 용기를 포함하는 전기화학적 이중층 콘덴서와 관련된다. 전기화학적 이중층 콘덴서는 전해질 환경 내의 2개 이상의 전극과, 전해질 환경과 접촉하는 고체 복합 게터 시스템을 갖는다. 고체 복합 게터는 게터 격실 내에서 고체 복합 게터를 유지하기 위한 다공성 용기를 구비할 수 있다. 고체 복합 게터는 (ⅰ) 지르코늄, 티타늄 또는 팔라듐을 포함하는 금속 게터와 (ⅱ) 팔라듐, 팔라듐 산화물 또는 팔라듐 합금을 포함하는 팔라듐 화합물의 조합을 포함할 수 있으며, 상기 금속 게터와 팔라듐 화합물의 조합은 전해액 내에서 게터재의 패시베이션을 억제한다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 강성일 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 가요성일 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 게터 격실은 밀봉 용기의 중앙부에 있을 수 있다. 그리고, 일부 실시예에 있어서, 게터 격실은 밀봉 용기의 바닥부에 있을 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 게터 격실은 밀봉용기의 내벽부에 인접할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 전기화학적 이중층 콘덴서는 시트 형태의 고체 복합 게터 시스템을 가질 수 있으며, 시트는 가령, 금속 게터와 팔라듐 함유 물질의 공압출 제품 또는 포일일 수 있다. 금속 게터의 포일은 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 갖고, 약 1 내지 약 100나노미터 범위의 두께를 갖는 팔라듐 화합물의 박막으로 코팅된 금속 게터의 포일일 수 있다.
전기화학적 이중층 콘덴서는 직경이 약 10㎛ 내지 약 150㎛ 범위인 고체 복합 게터의 미리선택한 입자크기를 가질 수 있으며, 다공성 용기 내의 구멍은 대체로 고체 복합 게터에서 가장 작은 입자의 직경만큼 클 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터와 팔라듐 화합물의 조합은 금속 게터 표면 상에 팔라듐 화합물 코팅을 포함하며, 상기 금속 게터 표면의 적어도 10%는 팔라듐 화합물로 코팅된다.
전기화학적 이중층 콘덴서는 Zr, Ti, Nb, Ta 및 V 금속; Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Zr; Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Ti; 및 상술한 금속 및 합금의 임의의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 포함할 수 있다. 금속 게터는 가령, 지르코늄 70중량%, 바나듐 24.6중량%, 및 철 5.4중량%로 구성되는 비증발성 게터일 수 있다. 또한, 금속게터는 가령, 지르코늄 80.8중량%, 코발트 14.2중량%, 및 TR 5중량%로 구성되는 비증발성 게터(non-evaporable)일 수 있다. TR은 희토류 금속, 이트륨, 란탄, 또는 그의 혼합물이며, 미슈메탈을 포함한다.
또한, 본 발명의 교시는 격실형 금속 게터 시스템을 갖는 전자장치를 제조하는 방법과 관련된다. 일부 실시예에 있어서, 이 방법은 격실형 금속 게터 시스템을 함유하는 전자장치를 조립하는 단계를 포함하고, 상기 금속 게터 시스템은 다공성 용기 내에 금속 게터를 포함한다. 다공성 용기는 가령, 금속 게터를 포함하는 입자 또는 펠릿을 함유하여 사용할 수 있다.
이들 실시예에 있어서, 조립단계는 전자장치 내의 게터 격실 내에 다공성 용기를 배치하는 단계와; 격실형 금속 게터 시스템을 함유하는 전자장치를 베이킹하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 가요성일 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 강성일 수 있다. 다공성 용기는 밀폐된 다공성 실린더, 밀폐된 다공성 평행육면체, 또는 메시 밀폐체일 수 있다. 다공성 용기는 가령, 전자장치의 중앙부나 전자장치의 바닥부에 배치할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 격실형 금속 게터 시스템은 시트 형태의 금속 게터를 포함한다. 이들 실시예에 있어서, 조립단계는 전자장치 내의 게터 격실 내에 시트를 배치하는 단계와; 격실형 금속 게터 시스템을 함유하는 전자장치를 베이킹하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에 있어서, 조립단계는 전자장치의 내부벽에 인접한 게터 격실 내에 시트를 배치하는 단계를 포함한다. 시트는 금속 게터를 포함하는 공압출 제품, 프레스 및 소결 시트, 메시 또는 포일일 수 있다. 포일은 가령, 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 가질 수 있다.
격실형 금속 게터 시스템은 직경이 약 10㎛ 내지 약 150㎛ 범위인 미리 선택한 입자 크기를 갖는 금속 게터를 구비할 수 있고, 다공성 용기의 직경은 대체로 고체 복합 게터에서 가장 작은 입자의 직경만큼 클 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 전자장치는 전기화학적 이중층 콘덴서 같은 전해 콘덴서일 수 있으며, 상기 금속 게터의 표면은 팔라듐 화합물로 코팅된다.
본 발명의 교시는 전자장치에서 오염물질을 제거하는 방법과 관련된다. 이 방법은 전자 장치 내에 격실형 금속 게터 시스템을 배치하는 단계로, 금속 게터 시스템은 다공성 용기 내에 금속 게터를 포함하는 단계와, 금속 게터가 전자장치 내의 오염물질을 흡착하는 여건(conditions)을 조성하는 단계를 포함한다. 금속 게터 시스템은 시트 형태의 금속 게터를 포함할 수 있다.
이들 실시예에 있어서, 상기 배치단계는 게터 격실 내의 다공성 용기를 전자장치의 중앙부나 바닥부에 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 강성일 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 가요성일 수 있다. 다공성 용기는 밀폐된 다공성 실린더, 밀폐된 다공성 평행육면체, 또는 메시 밀폐체일 수 있다. 금속 게터가 시트 형태이면, 상기 배치단계는 전자장치의 내벽부에 인접한 게터 격실 내에 시트를 배치하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 격실형 금속 게터 시스템은 다공성 용기 내에 금속 게터를 포함하는 입자 또는 펠릿을 포함할 수 있다. 금속 게터는 직경이 약 10㎛ 내지 약 150㎛ 범위인 미리선택한 입자크기를 가질 수 있으며, 다공성 용기는 대체로 고체 복합 게터에서 가장 작은 입자의 직경만큼 큰 미리선택한 크기를 갖는 구멍을 구비할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 격실형 금속 게터 시스템은 금속 게터를 구비하는 시트를 포함할 수 있다. 이들 실시예에 있어서, 시트는 금속 게터를 포함하는 공압출 제품, 프레스 및 소결 시트, 메시 또는 포일일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터의 포일은 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 가질 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 전자장치는 전기화학적 이중층 콘덴서 같은 전해 콘덴서일 수 있으며, 상기 금속 게터의 표면은 팔라듐 화합물과 접촉한다.
금속 게터가 전자장치 내의 오염물질을 흡착하는 여건을 조성하는 단계는 가령, 전자장치를 작동시키거나, 고체 복합 게터 시스템에 에너지를 공급하여 고체 복합 게터를 활성화하는(activate) 단계를 포함할 수 있다.
이하, 한정함이 없이 단지 예시목적의 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 일부 실시예에 따라서, 고체 복합 게터가 다공성 물질층들 사이에 끼워지는 격실형 금속 게터 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2는 일부 실시예에 따라서, 펠릿 형태의 고체 복합 게터가 강성 고분자 용기 내에 구비되는 격실형 금속 게터 시스템의 일부 절결 사시도이다.
도 3은 일부 실시예에 따라서, 고체 복합 게터를 구비하는 전해 콘덴서의 일부 절결 사시도이다.
도 4는 일부 실시예에 따라서, 고체 복합 게터 및 게터 격실을 구비하는 전해 콘덴서의 일부 절결 사시도이다.
도 5는 일부 실시예에 따라서, 콘덴서의 중앙부에 고체 복합 게터를 구비하는 전해 콘덴서의 단면도이다.
도 6은 일부 실시예에 따라서, 나선형 전극 및 얇은 포일 게터를 갖는 원통형 콘덴서를 나타내는 도면이다.
도 7은 일부 실시예에 따라서, 나선형 전극 및 게터 격실을 갖는 원통형 콘덴서를 나타내는 도면이다.
금속 게터는 전자장치 내에서 오염물질을 제거하는데 사용할 수 있으며, 전자장치 내에 구획될 수 있도록 설계되는 금속 게터 시스템은, 전자 장치 내에 고체 복합 금속 게터를 배치하는 등의 신규한 어플리케이션을 가질 수 있다. 금속 게터는 미리선택하고 미리결정한 크기를 갖는 분말 같은 입자 형태일 수 있으며, 또한 펠릿 형태로 프레스할 수 있다. 입자와 펠릿의 치수를 미리선택 및 미리결정한 후에, 게터는 다공성 용기를 이용하여 전자장치 내에 구획시킬 수 있다. 다공성 용기는 금속 게터를 유지하며, 금속 게터와 그의 주변 환경 간의 접촉을 허용한다. 또한, 용기는 게터재의 선택적인 위치결정 및 보유를 허용하도록 전자 장치 내에 특수하게 위치된 게터 격실 내에 배치할 수 있다. 마찬가지로, 금속 게터는 시트로 형성할 수 있다. 시트는 가령, 한가지 금속의 압출, 금속들의 조합의 공압출, 프레스 및 소결, 또는 하나 이상의 금속 게터의 메시 또는 포일 같이, 당업자에게 알려 진 임의의 방법으로 형성할 수 있다. 시트는 가령, 제 1금속 게터와 상이한 특성을 갖는 제 2금속 게터 같은 제 2물질로 선택적으로 코팅할 수 있다.
이와 같이 본 발명에서 제공한 교시는 전자장치에서 오염물질을 제거하는 신규한 방법을 포함한다. 이 방법은 먼저, 전자 장치 내에 격실형 금속 게터 시스템을 배치하는 단계로, 상기 금속 게터 시스템은 다공성 용기 내에 금속 게터를 포함하는 단계와, 다음에, 금속 게터가 전자장치 내의 오염물질을 흡착하는 여건을 조성하는 단계를 포함한다. 금속 게터 시스템은 시트 형태의 금속 게터를 포함할 수 있다.
이들 실시예에 있어서, 상기 배치단계는 다공성 용기를 전자장치의 중앙부나 바닥부에 있는 게터 격실 내에 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 강성일 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 가요성일 수 있다. 다공성 용기는 밀폐된 다공성 실린더, 밀폐된 다공성 평행육면체, 또는 메시 밀폐체일 수 있다. 금속 게터가 시트 형태이면, 상기 배치단계는 전자장치의 내벽부에 인접한 게터 격실 내에 시트를 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 금속 게터가 전자장치 내의 오염물질을 흡착하는 여건을 조성하는 단계는 가령, 전자장치를 작동시키거나, 고체 복합 게터 시스템에 에너지를 공급하여 고체 복합 게터를 구동하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 공급된 에너지는 가령, 레이저원으로부터의 전자기 에너지일 수 있다. 금속 게터가 전자장치 내의 일부 오염물질을 흡착하는 여건을 조성하기 위한 것으로, 당업자에게 알려진 임의의 방법을 일부 실시예에서 사용할 수 있다.
본 발명의 교시는 격실형 금속 게터 시스템을 갖는 전자장치를 제조하는 방법을 제공한다. 일부 실시예에 있어서, 이 방법은 격실형 금속 게터 시스템을 함유하는 전자장치를 조립하는 단계를 포함하고, 상기 시스템은 다공성 용기 내에 금속 게터를 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 전자장치는 전기화학적 이중층 콘덴서 같은 전해 콘덴서일 수 있으며, 금속 게터의 표면은 팔라듐 화합물과 접촉한다.
다공성 용기는 가령, 금속 게터를 포함하는 입자 또는 펠릿을 함유하는데 사용할 수 있다. 이들 실시예에 있어서, 조립단계는 전자장치 내의 게터 격실 내에 다공성 용기를 배치하는 단계와; 격실형 금속 게터 시스템을 함유하는 전자장치를 베이킹하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 가요성일 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기는 강성일 수 있다. 다공성 용기는 밀폐된 다공성 실린더, 밀폐된 다공성 평행육면체, 또는 메시 밀폐체일 수 있다. 다공성 용기는 가령, 전자장치의 중앙부나 전자장치의 바닥부에 배치할 수 있다.
따라서, 일부 실시예에 있어서, 격실형 금속 게터 시스템은, 이 게터 시스템이 몇몇 전해장치를 제조하는데 사용한 베이킹 공정의 고온에 견딜 수 있도록 보증할 정도의 충분한 내열성을 필요로 한다. 충분한 내열성은 가령, 최종 제조단계의 하나로서 복합 게터 시스템을 추가하기 보다는, 베이킹 전에 복합 게터 시스템을 전해 콘덴서 내에 설치하는 것을 허용한다. 따라서, 베이킹에 대한 충분한 내열성을 갖는 격실형 금속 게터 시스템의 제공은 당업자에게 제조 공정의 선택을 통해서 증가된 유연성 및 선택성을 제공하게 된다.
본 발명에서 교시한 실시예는 가령, 전해장치 내의 전해질 환경 같은 액체를 함유하는 환경에서 기상의 오염물질을 제거하는데 사용할 수 있다. 이들 환경에 있어서, 고체 복합 게터는 대개 적어도 하나의 용매 및 이온염, 또는 전리 화합물을 포함하는 전해액에 노출된다. 본 발명에서 교시한 금속 게터 시스템은 실제로, 전해장치 내의 전해질 환경에서 유용하며, 특히, 패시베이션 없이 전해 콘덴서에서 사용할 수 있다.
"전해질 환경"이란, 가령 용매 및 전리 화합물을 함유하는 전자장치 내의 어떤 환경이라 말할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 전해질 환경은 전자장치의 작동 전이나, 작동 중에 또는 작동 후에 그들이 존재하는 영역의 함유량(contents)을 포함하여, 전해질을 함유하는 전자장치 내의 어떤 영역을 포함하는데, 전해질은 이온 도전체이며 하전 원자 또는 분자를 함유한다. 일부 실시예에 있어서, 전해질 환경은 특수할 수 있으며, 가령, 저속 증발을 위해 첨가한 각종 설탕 또는 에틸렌과 함께 액상 용액 내에 붕산이나 붕산염을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 전해질 환경은 자유 유동하는 전해액을 포함할 수 있으며, 일부 실시예에 있어서, 전해질 환경은 전해액으로 포화된 물질을 포함함으로써, 포화된 물질을 통해서 전해액의 이동이 발생한다. 일부 실시예에 있어서, 전해질 환경은 일부 전해장치에 존재하는 고체 산화물 전해질을 포함할 수 있다.
용매로서 아세토니트릴 및 프로필렌 카보네이트를 흔히 채용하고, 염으로서 테트라에틸 암모늄 테트라플루오로보레이트를 사용하는 전기화학적 이중층 콘덴서의 경우에, 팔라듐 화합물과 결합된 금속 게터는 기체 흡착 특성을 잃지 않는 것을 발견하였으며, 이는 금속 게터가 패시베이션화 되지 않는 것을 의미한다. 비록 전해 콘덴서 내에서 사용할 때 금속 게터는 크게 감소된 흡착성을 보이지만, 복합 금속 게터 시스템은 패시베이션에 대한 놀라운 내성을 보였으며, 전해질 환경에서 사용하기에 충분한 흡착성을 지닌다.
"고체 복합 게터"란 용어는 금속 게터 및 이 금속 게터와 결합되는 적어도 하나의 제 2물질의 조합을 말하며, 상기 제 2물질은 (ⅰ)오염물질의 제거 기능을 갖거나 갖지 않을 수 있고, (ⅱ)전화질 환경에서 금속 게터재의 패시베이션을 억제한다. 일부 실시예에 있어서, 고체 복합 게터는 적절한 금속 게터재의 표면을 팔라듐, 산화 팔라듐, 팔라듐-은 합금 또는 팔라듐 화합물 같은 팔라듐 화합물로 코팅하여 얻을 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 유사한 특성을 갖는 다른 팔라듐 화합물 및 물질을 사용할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 금속 게터재 표면의 약 1% 내지 약 100%를 코팅하여 고체 복합 게터를 형성할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터재 표면의 약 2% 내지 약 99%, 약 5% 내지 약 95%, 약 10% 내지 약 90%, 약 20% 내지 약 50%, 약 50% 내지 약 99%, 또는 그 중에서 임의의 비율로 코팅하여 본 발명에 교시한 용도에 맞는 고체 복합 게터를 형성할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터재 표면의 적어도 약 10% 내지 약 90%는 팔라듐 화합물로 코팅된다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터재 표면의 약 10% 이상은 팔라듐 화합물로 코팅된다. 일부 실시예에 있어서, 팔라듐 코팅은 30%까지의 원자 은을 함유하는 팔라듐-은 합금을 포함한다.
일부 실시예에 있어서, 금속 게터는 가령, 미국특허 3,203,901호; 4,071,335 호; 4,306,887호; 4,312,669호; 4,668,424호; 및 5,961,750호에 기술된 지르코늄계 합금을 포함할 수 있으며, 각각의 전체내용을 참조로서 여기에 인용한다. 일부 실시예에 있어서, Zr-V-Fe 합금 또는 등가물을 사용하여 팔라듐 코팅 또는 등가물을 위한 금속 게터 기판을 형성할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터는 Zr, Ti, Nb, Ta 및 V 금속; Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Zr; Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Ti; 및 상기 금속 및 합금의 임의의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 포함한다. 일부 실시예에 있어서, 금속 게터는 지르코늄 70중량%, 바나듐 24.6중량%, 및 철 5.4중량%로 구성되는 비증발성 게터이다. 일부 실시예에 있어서, 금속게터는 가령, 지르코늄 80.8중량%, 코발트 14.2중량%, 및 TR 5중량%로 구성되는 비증발성 게터이다. TR은 희토류 금속, 이트륨, 란탄, 또는 그의 혼합물이며, 미슈메탈을 포함한다. 가령, 미국특허 5,961,750호 및 SAES getter St787(등록상표)(SAES Getters SpA)를 참조한다.
일부 실시예에 있어서, 고체 복합 게터는 분말, 분말로부터 얻은 펠릿, 분말로부터 얻은 시트, 공압출로부터 얻은 시트 형태로 사용할 수 있으며, 종종 메시 형태로 제조할 수 있다. 펠릿 및 시트는 가령, 적절한 금형 내에서 분말을 프레스하여 제조할 수 있으며, 프레스 가공한 시트를 소결할 수 있다. 당업자라면 고체 복합 게터는, 특정 어플리케이션용으로 유용할 수 있으며 알려진 다양한 공정에 의해 제조할 수 있는 그 밖의 다양한 형상으로 만들 수 있음을 이해할 수 있을 것이 다.
일부 실시예에 있어서, 팔라듐 코팅은 약 5미크론 미만(less than)의 두께를 가져야 한다. 일부 실시예에 있어서, 팔라듐 코팅은 약 1미크론 내지 약 20미크론, 약 2미크론 내지 약 15미크론, 약 3미크론 내지 약 12미크론, 약 4미크론 내지 약 10미크론, 약 5미크론 내지 약 7미크론, 또는 그 중에서 임의 범위의 두께를 가질 수 있다. 두께가 증가할수록 고가인 팔라듐의 양의 소비량이 증가되며, 불필요할 수 있으나, 팔라듐의 높은 수소 흡착성을 제공할 수 있음을 주목해야 한다.
팔라듐은 당업자에게 알려진 많은 기법 중 어느 하나를 이용하여 금속 게터 입자 상에 증착할 수 있다. 100%미만의 피복을 위해, 증발 또는 스퍼터링 기법을 이용할 수 있으며, 금속 게터 입자는 팔라듐 소스 아래의 샘플 홀더 상에서 분말 박층 형태로 진공으로 유지된 챔버 내에 배치된다. 증착을 위해서, 팔라듐 소스는 통과 전류에 의해서 가열되어 팔라듐을 증발시키는 팔라듐의 금속선일 수 있다. 스퍼터링 증착에 있어서, 팔라듐 소스는 음전위로 유지되고 양이온과 충돌하는 타깃, 특히 아르곤 또는 다른 불활성 요소일 수 있다. 팔라듐 소스가 팔라듐-은 합금일 경우 스퍼터링이 바람직할 수 있다. 부분 또는 전체 피복은 화학 기상 증착을 이용하여 얻을 수도 있다. 이 기법은 증착될 요소나 화합물을 포함하는 휘발 또는 휘발성 전구체 종(species)의 증발을 포함한다. 코팅을 형성하기 위해 화학 기상 증착을 이용할 경우는 유기금속 팔라듐 화합물이 바람직하다.
약 100%까지의 피복을 얻기 위해 액상 함침법을 사용할 수 있다. 금속 게터 입자는 약 25℃ 내지 약 50℃ 사이의 온도로 유지되는 적절한 용매 속의 팔라듐 화 합물 용액 내에서 교반된다. 일부 실시예에 있어서, 용매는 물, 알코올, 또는 그의 혼합물일 수 있다. 적절한 팔라듐 화합물은 가령, 질산 팔라듐, 초산 팔라듐, 및 테트라민(tetraminic) 팔라듐 복합체의 염을 포함한다. 상기 용액은 용매의 증발에 의해서 건조되며, 얻어지는 건조 분말은 진공 하에서 약 5분 내지 약 45분 동안에 약 500℃에서 가열되어 게터 표면에 남아 있는 팔라듐 염이 산화 팔라듐 또는 팔라듐으로 변환된다. 산화 팔라듐은 금속 게터 자체에 의해서 팔라듐으로 환원될 수 있다. 게터 입자는 코팅이 증착되기 전에 수소(수소화)로 미리충전될 수 있으며, 다음에 열처리되어 게터 입자의 노출부 표면을 세척하여 수소 이외의 기체에 대한 흡착 특성을 향상시킨다.
도 1은 일부 실시예에 따라서, 고체 복합 게터가 다공성 물질층들 사이에 끼워지는 격실형 금속 게터 시스템을 나타내는 도면이다. 복합 게터 시스템(10)은 15위치에서 함께 용접되어 공동(13)을 제공하는 2개의 기체 투과성 시트(11, 12)를 구비하며, 시트(11, 12)와 공동(13)의 조합(combination)은, 전해 콘덴서 같은 장치 내에 배치될 수 있는 분말 형태로 고체 복합 게터(14)용 용기로서의 역할을 한다. 이 시스템은, 시스템의 배치를 허용하기에 충분한 변형성을 요하는 전자장치의 일정 부분 내에 구속되거나 그 안에서 조작된다.
전해 콘덴서에서 사용하는 경우, 시트(11, 12)와 공동(13)에 의해 형성된 용기는 전체적으로 전해질 환경에 적합할 수 있어야 한다. 따라서, 당업자라면 용기를 형성하는데 다양한 물질을 사용할 수 있음을 이해할 것이다. 시트(11, 12)는 가령, 당업자에게 알려진 광범위한 폴리머로 제조된 고분자 시트일 수 있다. 일부 실 시예에 있어서, 시트는 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌, 및 폴리프로필렌으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 고분자 시트는 폴리머, 코폴리머, 및 그의 조합으로 제조할 수 있다. 또한, 시트(11, 12)는 침투성 포일, 직물, 부직포, 또는 금속망 형태일 수 있다.
도 2는 일부 실시예에 따라서, 펠릿 형태의 고체 복합 게터가 강성 고분자 용기 내에 구비되는 격실형 금속 게터 시스템의 일부 절결 사시도이다. 이 시스템은 복합 금속 게터를 구비한다. 복합 게터 시스템(20)은 다공성 용기(21) 및 고체 복합 금속 게터(22, 22')를 구비한다. 용기(21)는 가령, 적절하게 형성된 전해 콘덴서의 공동(cavity) 내에 이것을 설치할 때와 같이, 콘덴서 내에 설치되는 동안에 그의 형상을 유지하기에 충분한 강성을 지닐 수 있다. 상술한 바와 같이, 당업자라면 용기(21)에 대해 다양한 물질을 사용할 수 있음을 이해할 것이다. 일부 실시예에 있어서, 용기는 폴리(프로필렌) 또는 폴리(에틸렌)으로 제조할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 미리선택한 적절한 입자 크기는, 직경이 약 10㎛ 내지 약 150㎛, 직경이 약 20㎛ 내지 약 100㎛, 직경이 약 30㎛ 내지 약 70㎛, 직경이 약 50㎛ 내지 약 125㎛, 또는 그 중에서 임의의 범위를 가져야 한다. 직경은 입자의 형상에 관계없이, 단지 입자의 양측을 가로지른 평균 거리로서 간주한다. 이들 크기는 가령, 체를 이용하여 거르는 바와 같이 당업자에게 알려진 임의의 방법에 의해서 미리결정할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 고체 복합 게터는 좁은 또는 넓은 범위의 크기 및 크기 분포를 가질 수 있다.
본 발명에 교시한 임의의 다공성 용기의 형상, 벽 두께, 구멍 분포, 및 이를 형성하는데 사용한 물질의 직경은 상당히 다양할 수 있음을 이해해야 한다. 입자를 보유하기 위해 평균 구멍 크기가 미리결정한 가장 작은 입자크기의 사이즈를 넘지 않도록 구멍의 크기를 선택해야 한다. 최소 입자 크기는 분말을 체로 거르거나 원하는 조각이나 조각들을 선택하여 조절할 수 있다. 가령, 분말형태의 게터재를 사용하면, 적절한 구멍 크기는 약 10㎛ 미만 내지 약 150㎛ 미만 범위의 직경을 가질 수 있으며, 또한 직경은 개구의 형상에 관계없이, 단지 다공성 개구의 반대측(opposite sides)을 가로지른 평균 거리로서 간주한다. 일부 실시예에 있어서, 다공성 용기 내의 구멍은 대체로 고체 복합 게터에서 가장 작은 입자의 직경만큼 클 수 있으며, 복합 게터는 복합 게터 시스템 내에서 고체 복합 게터를 여전히 유지한다.
일부 실시예에 있어서, 격실형 금속 게터 시스템은 시트 형태의 금속 게터를 포함한다. 이들 실시예에 있어서, 조립 단계는 전자장치 내의 게터 격실 내에 시트를 배치하는 단계와; 격실형 금속 게터 시스템을 함유하는 전자장치를 베이킹하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에 있어서, 조립단계는 전자장치의 내벽에 인접한 게터 격실 내에 시트를 배치하는 단계를 포함한다. 시트는 금속 게터, 및 선택적으로 제 2금속 게터를 포함하는 공압출 제품, 프레스 및 소결 시트, 메시, 또는 포일일 수 있다. 포일은 가령, 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 가질 수 있으며, 선택적으로 제 2금속 게터의 코팅을 가질 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 제 2금속 게터는 팔라듐 화합물일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 시트는 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 갖고, 약 1 내지 약 100나노미터 범위의 두께를 갖는 팔라듐 화합물의 박막으로 고팅되는 금속 게터의 포일이다.
일부 실시예에 있어서, 고체 복합 게터는 얇은 다공성 물질로 코팅된 게터의 포일로 제조할 수 있다. 가령, 얇은 티타늄 포일을 팔라듐 박층으로 코팅할 수 있다. 티타늄의 적절한 두께는 가령, 수십 미크론 내지 수백 미크론 범위일 수 있는 반면, 팔라듐 코팅은 나노미터 범위이어야 한다. 일부 실시예에 있어서, 팔라듐 코팅은 약 10나노미터 내지 약 100나노미터 범위, 약 20나노미터 내지 약 90나노미터 범위, 약 30나노미터 내지 약 80나노미터 범위, 약 15나노미터 내지 약 75나노미터 범위, 약 20나노미터 내지 약 50나노미터 범위, 또는 그 중에서 임의 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명에 교시한 고체 복합 게터가 패시베이션을 피하기 위해 항상 밀폐할 필요가 없는, 즉 게터가 전해질 환경 같은 액상의 환경과 접촉될 수 있기 때문에, 구부릴 수 있는 금속 포일로 이것을 제조하면, 게터는 다양한 구성, 형상 및 크기의 전자장치 내에 쉽게 결합하는 것이 가능해진다.
팔라듐과 결합된 티타늄 게터를 포함하는 실시예에 있어서, 예기치 않은 놀라운 결과를 발견했다. 팔라듐의 양이 많을수록 고체 복합 게터에 대한 흡착 속도가 증가하게 된다. 이러한 결과는 특히, 고체 복합 게터가 팔라듐의 박층으로 코팅된 티타늄 박막인 경우에 예기치 못하였으며 놀라웠다. 본 기술분야에서는 티타늄/팔라듐 조합이 전해 콘덴서 내에서 사용하기에 그다지 적합하지 않은 것으로 알려져 있기 때문에, 당업자라면 티타늄/팔라듐 조합을 선택하지 않을 것이다. 그럼에도 불구하고, 보다 많은 양의 팔라듐을 사용하면 놀랍게도 티타늄/팔라듐을 전해 콘덴서에서 유용하게 사용할 수 있게 된다. 더구나, 이 시스템은 알려진 어플리케 이션의 요구조건에 적합할 수 있으며, 금속 박층의 사용을 통한 이것의 기구적 유연성으로 인해서 특히, 게터재를 조작하는 능력면에서 유용한 일부 특정 실시예에 대해 바람직한 시스템이 된다.
도 3은 일부 실시예에 따라서, 고체 복합 게터를 구비하는 전해 콘덴서의 일부 절결 사시도이다. 콘덴서(30)는 전해액(도시 생략)을 함유하는 밀폐 용기(31), 전해액에 침지된 전극(32, 32'), 전극 상에 구비된 전기 접점(34, 34'), 및 고체 복합 게터 시스템 또는 게터재(33)를 구비한다. 단순화하기 위해 도 3에는 단지 2개의 전극만 도시하였으나, 일부 실시예에 있어서, 전해 콘덴서는 그러한 전극을 여러개 함유할 수 있으며, 수십개의 전극을 구비할 수도 있다.
도 4는 일부 실시예에 따라서, 고체 복합 게터 및 게터 격실을 구비하는 전해 콘덴서의 일부 절결 사시도이다. 콘덴서(40)는 고체 복합 게터(45)를 유지하기 위한 게터 격실(43)를 함유한다. 게터 격실(43)는 기본적으로, 전극(32, 32')과 전해질을 유지하는 콘덴서의 일부와 통전되는 전해 콘덴서(40)의 밀폐 용기(31)의 공간부이다. 전해질은 필요에 따라서 게터 격실(43)에 추가할 수 있다.
도 5는 일부 실시예에 따라서, 콘덴서의 중앙부에 고체 복합 게터를 구비하는 전해 콘덴서의 단면도이다. 복합 게터(10) 시스템은 전해 콘덴서(50)의 중앙부에 삽입할 수 있다. 콘덴서(50)는 실린더 형상을 가지며, 그의 축을 따라 절단한 단면이 도시되어 있다. 콘덴서(50)는 나선을 형성하도록 감겨진 얇은 금속시트이며 수직 평행선으로 도시한 전극(52)을 밀폐하는 밀폐 용기(51)를 갖는다. 전극(52)은 전해질(도시 생략) 내에 침지되며, 전기 접점(54, 54')은 전극(52)과 밀폐 용 기(51)의 외부와의 통전을 가능케 한다. 이 실시예에 있어서, 고체 복합 게터(10)는 콘덴서(50)의 중앙부에 있는데, 이는 콘덴서 내의 미리 할당된 공간에 강성 복합 게터 시스템을 배치하는 것이 바람직한 경우에 특히 적합하다.
비록 도 5는 실린더 형상을 도시하였으나, 당업자라면 의도된 기능을 제공하는 한 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어플리케이션의 특성에 따라 특정 형상의 단면을 가질 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들면, 실린더가 직사각형, 타원 등, 다양한 임의의 단면형상일 수 있는 바와 같이, 다수의 상이한 실리더 형상이 있다. 그 경우에, 당업자라면 이 교시는 장치의 격실을 밀폐하는데 사용한 용기의 가능한 형상을 제한하지 않는 것을 이해할 것이다. 가령, 콘덴서 용기는 임의의 다양한 평행육면체 형상을 가질 수 있으며, 이는 일부 실시예에서 바람직할 수 있다.
도 6은 일부 실시예에 따라서, 나선형 전극 및 얇은 포일 게터를 갖는 원통형 콘덴서를 나타내는 도면이다. 고체 복합 게터 시스템(63)은 밀폐 용기(61)의 내벽부 상에 배치되고, 콘덴서(60)의 전극(62)은 서로 둥글게 감겨져 있다. 이 실시예에 있어서, 유용한 특수 고체 복합 게터는 그의 유연성으로 인해서, 티타늄 포일을 구비할 수 있다. 예를 들면, 상술한 바와 같이, 티탄 팔라듐층으로 덮힌 티나늄 포일은 전해질 환경에서 유용하다는 것을 알았다.
도 7은 일부 실시예에 따라서, 나선형 전극 및 게터 격실을 갖는 원통형 콘덴서를 나타내는 도면이다. 전해 콘덴서(70)는 밀폐 용기(71)와 전극(72)을 갖는다. 또한, 콘덴서(70)는 고체 복합 게터 시스템(75)을 구비하는 콘덴서의 바닥부에 배치된 게터 격실(73)을 갖는다. 이 실시예는 복합 게터 시스템이 전기 접점과 관 련해서 배치되는 방식의 결과로서 기하학적 제한이 보다 적은 이점을 갖는다.
실시예
Zr 70중량% - V 24.6중량% - Fe 5.4중량%의 조성을 갖는 금속 게터의 분말을 체로 걸러서 약 53㎛ 내지 약 128㎛ 범위의 입자 크기 조각을 갖는 게터 분말을 회수하였다. 100g의 이 조각을 0.5g의 질화 팔라듐 전해질 Pd(NO3)2×2H2O를 용해시켜 만든 용액을 글라스 플라스크 내의 증류수 40㎖에 첨가하였다. 플라스크는 Rotavapor(등록상표)에 연결하고, 용액은 70℃까지 가열한 후 교반하면서 5시간을 유지하자, 물은 증발하고 게터 분말 표면 상에는 질화 팔라듐이 증착되었다. 다음에, 분말은 진공 하에 500℃에서 3시간 동안 열처리를 실시하고, 다음 약 16시간 동안 실온에서 냉각되도록 하였다. 그 결과, 질화 팔라듐은 게터재의 입자 표면 상에 "섬(islands)"을 형성하는 금속 팔라듐으로 분해되었다. 팔라듐의 공칭량(nominal amount)은 고체 복합 게터 0.2중량%와 동일하였다.
고체 복합 게터의 수소 흡착성은 니들 밸브를 통해서 투여챔버(dosing chamber)에 연결된 시료챔버를 갖는 흡착 시험 시스템을 이용하여 평가한다. 시료챔버와 투여챔버는 1리터의 체적을 갖는다. 흡착 시험 시스템은 2개의 챔버 내의 전체 압력을 측정하기 위한 게이지를 구비하며 메인 펌프로서 터보분자 펌프를 기본으로 하는 펌핑 시스템에 연결된다.
상술한 바와 같이, 300㎎의 팔라듐 코팅 분말을 시료챔버에 배치하고, 니들 밸브를 이용하여 개폐할 수 있는 용매(아세토니트릴) 용기 역시 시료챔버에 연결하 였다. 흡착 시험 시스템을 비운 다음, 펌핑 시스템에서 분리하였다. 시료챔버와 닫힌 투여챔버 사이의 니들밸브로, 아세토니트릴 용기를 개방하여, 이 화합물의 증기가 시료챔버에 충만되도록 하였다. 540hPa의 압력에 도달할 때까지 수소를 투여챔버에 공급하고; 이어서 니들밸브를 개방하여, 시료챔버 내로 수소가 확산되도록 하였으며; 이러한 조건 하에서 시험 초기에 시료챔버 내의 수소의 부분압력은 266hPa이다. 고체 복합 게터는 곧바로 수소의 흡착을 개시하였으며, 시료챔버 내의 압력감소가 모니터링되었다. 압력이 일정값에 도달하자, 시험을 중지했다. 시험 종료시에, 시료챔버로부터 분말이 추출되고, LECO RH-402 분석기를 이용하여 수소 함량을 분석하였으며; 게터재의 중량으로 통일한 수소의 흡착량은 107(hPa×l/g)이었다.
1g의 질화 팔라듐 2수화물을 개시재로 상술한 절차를 반복하여, 0.4% 중량의 공칭량을 갖는 복합재를 얻었다. 이 제 2시료를 갖고서 흡착 시험을 반복하여, 마지막에 95(hPa×l/g)와 동일한 수소의 흡착량을 얻었다.
비코팅 게터재를 이용하여 유사한 시험을 실시한 결과, 수소 흡착이 일어나지 않았다.
지금까지 다양한 실시예를 설명하였지만, 당업자라면 교시의 진정한 정신 및 범위 내에 포함되는 많은 변형, 수정, 치환, 부가, 조합, 및 등가물이 존재할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 상술한 설명은 한정하기 보다는 본 발명에 개시한 개념의 보다 넓은 범위를 갖는 예로서 의도한 것이다.
Claims (91)
- 밀봉 전해질 환경 내의 2개 이상의 전극과;전해질 환경과 접촉하며, 팔라듐 화합물과 접촉하는 표면적을 갖는 금속 게터를 구비하고, 상기 금속 게터와 팔라듐 화합물의 조합은 전해질 환경에 의한 게터재의 패시베이션을 억제하는 고체 복합 게터를 포함하며;상기 조합은 금속 게터의 표면 상에 팔라듐 화합물 코팅을 포함하고, 상기 금속 게터 표면의 10% 이상이 팔라듐 화합물로 코팅되는 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서, 상기 고체 복합 게터는 (ⅰ) 지르코늄 또는 티타늄을 포함하는 금속 게터와 (ⅱ) 팔라듐, 팔라듐 산화물, 또는 팔라듐 합금을 포함하는 팔라듐 화합물의 조합을 포함하고, 상기 금속 게터와 팔라듐 화합물의 조합은 전해질 환경에 의한 게터재의 패시베이션을 억제하는 전해 콘덴서.
- 제 2항에 있어서, 상기 복합 게터는 전해장치 내에서 전해액의 소정의 영역에 금속 게터를 유지하기 위해, 시트 형태인 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 전해 콘덴서는 전기화학 이중층 콘덴서인 전해 콘덴서.
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- 제 3항에 있어서, 상기 시트는 금속 게터 및 팔라듐 화합물의 공압출 제품을 포함하는 전해 콘덴서.
- 제 3항에 있어서, 상기 시트는 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위의 두께를 갖고, 약 1 내지 약 100나노미터 범위의 두께를 갖는 팔라듐 화합물의 박막으로 코팅된 금속 게터의 포일인 전해 콘덴서.
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- 제 1항에 있어서, 상기 금속 게터는 Zr, Ti, Nb, Ta 및 V 금속; Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Zr; Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Cu, Sn, Si, Y, La, 임의의 희토류 원소, 또는 그의 혼합물 중 하나와 합금된 Ti; 및 상기 금속 및 합금의 임의의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 성분을 포함하는 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속 게터는 지르코늄 70중량%, 바나듐 24.6중량%, 및 철 5.4중량%로 구성되는 비증발성 게터인 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속게터는 지르코늄 80.8중량%, 코발트 14.2중량%, 및 TR 5중량%로 구성되는 비증발성 게터이고, 상기 TR은 희토류 금속, 이트륨, 란탄, 또는 그의 혼합물이며, 미슈메탈(mischmetals)을 포함하는 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속 게터는 팔라듐 코팅을 갖는 티타늄 게터의 시트를 포함하는 전해 콘덴서.
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- 제 2항에 있어서, 상기 고체 복합 게터는 전해 콘덴서의 소정의 영역에 금속 게터를 유지하기 위해 다공성 용기 내에 배치되는 전해 콘덴서.
- 제 89항에 있어서, 상기 고체 복합 게터는 직경이 10㎛ 내지 150㎛ 범위의 미리선택한 입자 크기를 갖고, 다공성 용기 내의 구멍은 대체로 금속 게터에서 가장 작은 입자의 직경만큼 큰 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 전해질 환경은 액상 전해질인 전해 콘덴서.
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| CN102758101B (zh) * | 2012-08-07 | 2013-12-18 | 南京盖特电子有限公司 | 一种非蒸散型低温激活锆基吸气剂合金及其制法 |
| CN103157429A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-06-19 | 南京玖壹环境科技有限公司 | 高真空多层绝热用吸附剂活化的装置与方法 |
| CN104745865B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-02-15 | 北京有色金属研究总院 | 一种非蒸散型低温激活钛基吸气剂合金及其制备方法 |
| WO2017027524A2 (en) * | 2015-08-09 | 2017-02-16 | Microsemi Corporation | High voltage relay systems and methods |
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| CN110918045B (zh) * | 2019-12-10 | 2022-08-05 | 西华大学 | 一种常温吸气复合材料及其制品 |
| CN111621671B (zh) * | 2020-06-18 | 2022-03-15 | 南京哲玺太电子科技有限公司 | 锆系非蒸散型吸气剂及其制备方法与应用 |
| CN112820551A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 烯晶碳能电子科技无锡有限公司 | 基于mh合金的氢气吸附电极及其应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6746584B1 (en) * | 1999-12-15 | 2004-06-08 | Delphi Technologies, Inc. | Oxygen sensing device |
| US20050045900A1 (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-03 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2209870A (en) * | 1937-12-01 | 1940-07-30 | Raytheon Production Corp | Getter tab for vacuum tubes |
| US3203901A (en) | 1962-02-15 | 1965-08-31 | Porta Paolo Della | Method of manufacturing zirconiumaluminum alloy getters |
| US3491269A (en) * | 1967-08-21 | 1970-01-20 | Mallory & Co Inc P R | Construction for non-hermetic sealed solid electrolyte capacitor |
| US3558962A (en) * | 1968-12-11 | 1971-01-26 | Union Carbide Corp | High yield getter device |
| US3624460A (en) * | 1969-12-29 | 1971-11-30 | Gen Electric | Electrolytic capacitor employing glass-to-metal hermetic seal |
| US3988075A (en) * | 1972-05-15 | 1976-10-26 | General Electric Company | Nuclear fuel element |
| US3840287A (en) * | 1973-07-30 | 1974-10-08 | Optel Corp | Symmetrical electrochromic cell |
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| US4724186A (en) * | 1985-05-13 | 1988-02-09 | The Dow Chemical Company | Weatherable three layer films |
| JPS6290920A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-04-25 | 旭硝子株式会社 | 長寿命電解コンデンサ |
| US4668424A (en) | 1986-03-19 | 1987-05-26 | Ergenics, Inc. | Low temperature reusable hydrogen getter |
| JPH03161918A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-11 | Canon Inc | 長寿命型電解コンデンサ |
| JP2772297B2 (ja) | 1990-04-11 | 1998-07-02 | ジエルマックス株式会社 | 電解コンデンサ |
| IT1264692B1 (it) * | 1993-07-08 | 1996-10-04 | Getters Spa | Combinazione di getter adatta per camicie isolanti sotto vuoto reversibile |
| IT1265269B1 (it) * | 1993-12-10 | 1996-10-31 | Getters Spa | Dispositivo per la stabilizzazione del vuoto e metodo per la sua produzione. |
| CA2150507C (en) * | 1994-05-30 | 1999-05-18 | Soichiro Kawakami | Rechargeable batteries |
| US6673400B1 (en) * | 1996-10-15 | 2004-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen gettering system |
| IT1290451B1 (it) | 1997-04-03 | 1998-12-03 | Getters Spa | Leghe getter non evaporabili |
| JP4020490B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2007-12-12 | 旭硝子株式会社 | 電気化学素子 |
| AU5102600A (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-28 | Saes Getters S.P.A. | Composite materials capable of hydrogen sorption independently from activating treatments and methods for the production thereof |
| JP2001168240A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-06-22 | Trw Inc | 集積型マイクロエレクトロニクスモジュール |
| US6428612B1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-08-06 | Hughes Electronics Corporation | Hydrogen getter package assembly |
| JP5021874B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2012-09-12 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池 |
| US20030062610A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Kovacs Alan L. | Multilayer thin film hydrogen getter |
| JP2004207451A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電解液 |
| US7365442B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of thin-film electronic devices |
| ITMI20031178A1 (it) * | 2003-06-11 | 2004-12-12 | Getters Spa | Depositi multistrato getter non evaporabili ottenuti per |
| US7315069B2 (en) * | 2004-11-24 | 2008-01-01 | Northrop Grumman Corporation | Integrated multi-purpose getter for radio-frequency (RF) circuit modules |
| WO2006089068A2 (en) | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Saes Getters S.P.A. | Flexible multi-layered getter |
| US7466539B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-12-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Electrochemical double-layer capacitor using organosilicon electrolytes |
| EP1961022A4 (en) * | 2005-11-22 | 2014-08-06 | Maxwell Technologies Inc | PRESSURE REGULATION SYSTEM FOR ULTRA CAPACITOR |
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|---|---|---|---|---|
| US6746584B1 (en) * | 1999-12-15 | 2004-06-08 | Delphi Technologies, Inc. | Oxygen sensing device |
| US20050045900A1 (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-03 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
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