KR101037560B1 - 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로 - Google Patents

고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적회로의 그라운드를 분리하는 기술에 관한 것으로, 특히, 칩-온-글래스(Chip On Glass:COG) 캐스케이드(cascade) 구조의 액정표시장치에서 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리됨으로써 소스 드라이버 집적회로의 출력 구동 동작 시 발생하는 그라운드 바운싱(bouncing)을 감소시키고, 이로 인해 고전압 전원의 그라운드 바운싱에 의한 전원 노이즈가 저전압 전원을 사용하는 로직회로에 간섭을 일으키지 않아 주파수 마진과 저전압 전원의 전압 마진이 향상되는 효과가 있다.
COG, 캐스케이드, 드라이버 집적회로, 그라운드, bouncing

Description

고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로{Source driver IC separated high voltage power ground and low voltage power ground}
본 발명은 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적회로의 그라운드를 분리하는 기술에 관한 것으로, 특히, 칩-온-글래스(Chip On Glass:COG) 캐스케이드(cascade) 구조의 액정표시장치에서 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로에 관한 것이다.
액정디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)는 인가전압에 따라 액정분자들의 배열 상태가 달라지는 특징을 이용하여 액정으로 빛을 통과시킴에 의해 영상 데이터가 디스플레이되는 소자를 의미한다. 이 가운데서 최근 가장 활발하게 사용되고 있는 소자는 실리콘 집적회로의 제조기술을 이용하여 만드는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)형 액정디스플레이(LCD)이다.
도 1은 일반적인 액정디스플레이의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)형 액정디스플레이(LCD)는 서로 대향하는 박막트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판이 일정한 간격을 두고 합착 되고, 그 일정한 이격공간에 액정층이 주입된 액정표시패널(30)과 이를 구동하기 위한 구동회로로 구성된다.
상기 구동회로는 매 프레임마다 게이트라인들에 주사신호를 순차적으로 인가하는 게이트 드라이버 집적회로(40)와, 게이트 드라이버 집적회로의 주사신호에 대응하여 소스 라인을 구동하는 소스 드라이버 집적회로(20)와, 게이트 드라이버 집적회로(40) 및 소스 드라이버 집적회로(20)를 제어하고 픽셀 데이터를 출력하는 타이밍 제어부(10) 및 액정표시장치에서 사용되는 여러 가지 구동 전압들을 공급하는 전원공급부(미도시)로 구성된다.
종래로부터 상기 드라이버 집적회로를 액정표시패널과 연결하기 위해 여러 방법이 사용되었으며, 최근 들어 미세실장기술의 발전에 따라 상기 드라이버 집적회로를 액정표시패널의 유리기판 위에 직접 실장하여 연결하는 칩-온-글래스(Chip On Glass:이하 'COG'라 한다.)방식이 주로 사용되고 있다.
도 2는 종래의 칩-온-글래스(COG) 방식의 액정표시장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 2를 참고하면 상기 소스 드라이버 집적회로 칩(221~224) 및 게이트 드라이버 집적회로 칩(231~233)들이 액정표시패널의 유리기판(240) 위에 직접 실장되어 있음을 알 수 있다.
또한 상기 COG 방식에서 액정표시패널에 실장되는 소스 드라이버 집적회로 칩 및 게이트 드라이버 집적회로 칩들은 신호라인들이 액정패널의 기판 상에 직접 실장되는 라인-온-글래스(Line On Glass:이하 LOG'라 한다.) 방식으로 상호 접속되 고, 타이밍제어부 및 전원공급부로부터 제어신호 및 구동 전원을 공급받게 된다.
상기와 같이 COG방식으로 칩이 실장된 경우 데이터와 제어신호 및 전원을 공급받는 방법에는 여러 가지가 있다. 그 중에서 타이밍컨트롤러로부터 출력되는 각종 데이터와 제어신호 그리고 전원공급부에서 공급되는 전원이 제1 소스 드라이버 집적회로로 인가되고 나머지 소스 드라이버 집적회로는 제1 소스 드라이버 집적회로로부터 데이터와 제어신호 및 전원을 순차적으로 수신 받는 방식을 직렬 캐스케이드(serial cascade) 방식이라고 한다.
도 3은 종래의 COG 캐스케이드 구조에서 전원을 공급하는 방식을 나타내는 도면이다.
도 3을 참고하면 제1전원전압(VDD)이 연결되는 라인과 제2전원전압(VSS2)이 연결되는 라인은 소스 드라이버 집적회로 내부의 고전압에서 동작하는 회로에 전원을 공급하는 고전압 전원 공급라인이고, 제3전원전압(VCC)이 연결되는 라인과 제4전원전압(VSS1)이 연결되는 라인은 소스 드라이버 집적회로 내부의 저전압에서 동작하는 회로에 전원을 공급하는 저전압 전원공급라인이다.
도 3에 도시된 바와 같이 COG 캐스케이드 구조의 액정표시장치는 전원공급원(Power Supply)으로부터 공급된 전원이 제1 소스 드라이버 집적회로로 인가되고 제2 소스 드라이버 집적회로는 제1 소스 드라이버 집적회로 내부의 전원공급라인을 거쳐 전원이 공급된다.
이와 같이 제2 소스 드라이버 집적회로는 제1 소스 드라이버 집적회로로부터 전원을 공급받음으로 인해 제1 소스 드라이버 집적회로의 전류와 전원공급라인의 저항(R) 값에 의해 그라운드(GND)의 경우 매우 큰 레벨의 그라운드 바운싱(GND-Bouncing)이 일어나게 된다. 이러한 그라운드 바운싱(GND-Bouncing)은 소스 드라이버 집적회로의 출력이 구동되는 경우에 그 레벨이 더욱 커지게 된다.
도 4a는 종래의 COG 캐스케이드 구조의 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적회로 내부에서 그라운드 전압의 쇼트를 나타내는 도면이다.
반도체 공정상 그라운드(GND)는 별도의 공정을 추가 하지 않으면, 도 4a에 도시된 바와 같이, 고전압 전원 공급라인의 그라운드(GND), 즉, 제2전원전압(VSS2)과 저전압 전원공급라인의 그라운드(GND), 즉, 제4전원전압(VSS1)은 웰(Well)에 의해 서로 쇼트(short)되어 있거나, 금속배선(metal)에 의해 집적회로 내부에서 서로 쇼트(short)되어 있다.
따라서 이러한 COG 캐스케이드 구조를 사용하는 경우 고전압 전원을 공급받는 소스 드라이버 집적회로의 모든 출력이 동작하는 구간에서는 그라운드 바운싱(GND-Bouncing)의 레벨이 매우 커져서 저전압 전원을 사용하는 디지털 로직 회로의 동작에 장애를 발생시키는 문제가 있다.
도 4b는 종래의 COG 캐스케이드 구조의 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적회로 내부에서 그라운드 전압의 쇼트를 나타내는 또 다른 도면이다.
도 4b를 참고하면 고전압 전원을 사용하는 회로 블록의 Pwell(HV-PW)과 저전압 전원을 사용하는 회로블록의 Pwell(LV-PW)이 기판(Substrate) 상에서 서로 쇼트(short)되어 있음을 알 수 있다.
도 5는 종래의 COG 캐스케이드 구조의 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적 회로의 그라운드 레벨을 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이 제2 소스드라이버 집적회로의 경우 그라운드 레벨이 제1 소스 드라이버 집적회로의 그라운드 레벨의 2배 이상이며, 그라운드 레벨이 바운싱(Bouncing)되는 구간은 소스 드라이버 집적회로의 출력 동작 구간이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, COG 캐스케이드 구조의 소스 드라이버 집적회로에서 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드를 분리함으로써 소스 드라이버 집적회로 구동 시 고전압 전원의 그라운드의 노이즈가 저전압 전원을 사용하는 로직 회로에 미치는 영향을 제거할 수 있는 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로는, 칩-온-글래스(COG) 캐스케이드 구조의 소스 드라이버 집적회로에 있어서, 고전압을 사용하는 고전압 동작회로부에 제1전원전압(VDD)을 공급하는 제1전원전압공급라인, 고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부에 제2전원전압(VSS2)을 공급하는 제2전원전압공급라인, 저전압을 사용하는 저전압 동작회로부에 제3전원전압(VCC)을 공급하는 제3전원전압공급라인 및 저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부에 제4전원전압(VSS1)을 공급하는 제4전원전압공급라인을 구비하고, 상기 제2전원전압공급라인과 상기 제4전원전압공급라인이 서로 분리되어 있으며, 상기 제2전원전압(VSS2)은 고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)이고, 상기 제4전원전압(VSS1)은 저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이며, 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 금속배선(metal line)에 의해 연결되지 않도록 함으로써, 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 분리되는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로는, 칩-온-글래스(COG) 캐스케이드 구조의 소스 드라이버 집적회로에 있어서, 고전압을 사용하는 고전압 동작회로부에 제1전원전압(VDD)을 공급하는 제1전원전압공급라인, 고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부에 제2전원전압(VSS2)을 공급하는 제2전원전압공급라인, 저전압을 사용하는 저전압 동작회로부에 제3전원전압(VCC)을 공급하는 제3전원전압공급라인 및 저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부에 제4전원전압(VSS1)을 공급하는 제4전원전압공급라인을 구비하고, 상기 제2전원전압공급라인과 상기 제4전원전압공급라인이 서로 분리되어 있으며, 상기 제2전원전압(VSS2)은 고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)이고, 상기 제4전원전압(VSS1)은 저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이며, 상기 저전압 동작회로부를 에워싸는 형태의 웰(well)을 구비함으로써 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 분리되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로에 의하면 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리됨으로써 소스 드라이버 집적회로의 출력 구동 동작 시 발생하는 그라운드 바운싱(bouncing)을 감소시키고, 이로 인해 고전압 전원의 그라운드 바운싱에 의한 전원 노이즈가 저전압 전원을 사용하는 로직 회로에 간섭을 일으키지 않아 주파수 마진과 저전압 전원의 전압 마진이 향상되는 효과가 있다.
본 발명의 핵심적인 아이디어는 소스 드라이버 집적회로 내부의 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드를 분리함으로써 고전압 전원의 그라운드의 노이즈가 저전압 전원을 사용하는 로직 회로에 미치는 영향을 제거할 수 있는 소스 드라이버 집적회로를 제공하는 것이다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시 예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명에 따른 소스 드라이버 집적회로에서 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드의 금속 배선이 분리된 모습을 나타내는 도면이다.
도 6을 참고하면 본 발명에 따른 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로는 제1전원전압공급라인(610), 제2전원 전압공급라인(620), 제3전원전압공급라인(630) 및 제4전원전압공급라인(640)을 구비한다.
상기 제1전원전압공급라인(610)은 고전압을 사용하는 고전압 동작회로부(650)에 제1전원전압(VDD)을 공급하고, 상기 제2전원전압공급라인(620)은 고전압을 사용하는 고전압 동작회로부(650)에 제2전원전압(VSS2)을 공급한다.
상기 제3전원전압공급라인(630)은 저전압을 사용하는 저전압 동작회로부(660)에 제3전원전압(VCC)을 공급하고, 상기 제4전원전압공급라인(640)은 저전압을 사용하는 저전압 동작회로부(660)에 제4전원전압(VSS1)을 공급한다.
일반적으로 액정표시패널의 드라이버 집적회로는 아날로그 신호 처리와 같이 고전압을 필요로 하는 고전압 동작회로부와 디지털 로직 회로의 처리와 같이 저전압을 필요로 하는 저전압 동작회로부를 구비한다.
본 발명에서, 고전압 동작회로부(650)는 제1전원전압(VDD)과 제2전원전압(VSS2) 사이에서 동작하고, 저전압 동작회로부(660)는 제3전원전압(VCC)과 제4전원전압(VSS1) 사이에서 동작한다.
이때, 상기 제2전원전압(VSS2)은 고전압을 사용하는 고전압 동작회로부(650)의 그라운드전압(HV-GND)에 해당되고, 상기 제4전원전압(VSS1)은 저전압을 사용하는 저전압 동작회로부(660)의 그라운드전압(LV-GND)에 해당된다.
본 발명에서는, 상기 고전압 동작회로부(650)의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부(660)의 그라운드전압(LV-GND) 사이의 금속배선(metal line)을 제거함으로써, 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 분리되는 것을 특징으로 한다.
금속배선의 분리는 레이아웃 과정에서 주의 깊게 디자인하고, 검증 도구를 통해 고전압 동작회로부(650)의 그라운드와 상기 저전압 동작회로부(660)의 그라운드가 완전히 분리되었는지 체크하는 과정을 통해 구현 가능하다.
한편, 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)을 분리시키기 위해 상기 저전압 동작회로부의 하부에 상기 저전압 동작회로부를 에워싸는 형태의 웰(well)을 구비하는 것이 바람직하다.
이때 상기 웰은 상기 저전압 동작회로부를 에워쌀 수 있도록 상기 저전압 동작회로부의 하부의 깊은 곳에 형성된 N형 웰(deep N well)인 것이 더 바람직하다.
도 7은 본 발명에 따른 소스 드라이버 집적회로에서 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 웰에 의해 분리된 모습을 나타내는 도면이다.
도 7을 참고하면 본 발명에 따른 소스 드라이버 집적회로는 저전압 동작회로부(LV NMOS, LV PMOS)의 하부에 Deep N웰(DNW)을 구비하여 고전압 동작회로부(HV NMOS, HV PMOS)의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부(LV NMOS, LV PMOS)의 그라운드전압(LV-GND)이 쇼트(short)되지 않도록 분리되어 있음을 알 수 있다.
즉, 기판상에 형성된 웰을 통해 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 완전히 분리될 수 있으며 상기한 웰을 형성하는 공정은 당업계에서 공지의 것이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 8은 본 발명에 따른 소스 드라이버 집적회로의 그라운드 레벨을 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 분리됨으로써 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)의 바운싱의 전원 노이즈가 저전압 동작회로부에 영향을 주지 않게 되므로 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)의 바운싱(bouncing)이 매우 작아지게 된다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
도 1은 일반적인 액정디스플레이의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 칩-온-글래스(COG) 방식의 액정표시장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3은 종래의 COG 캐스케이드 구조에서 전원을 공급하는 방식을 나타내는 도면이다.
도 4a는 종래의 COG 캐스케이드 구조의 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적회로 내부에서 그라운드 전압의 쇼트를 나타내는 도면이다.
도 4b는 종래의 COG 캐스케이드 구조의 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적회로 내부에서 그라운드 전압의 쇼트를 나타내는 또 다른 도면이다.
도 5는 종래의 COG 캐스케이드 구조의 액정표시장치에서 소스 드라이버 집적회로의 그라운드 레벨을 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 소스 드라이버 집적회로에서 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드의 금속 배선이 분리된 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 소스 드라이버 집적회로에서 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 웰에 의해 분리된 모습을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 소스 드라이버 집적회로의 그라운드 레벨을 측정한 결과를 나타내는 도면이다.

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  2. 삭제
  3. 칩-온-글래스(COG) 캐스케이드 구조의 소스 드라이버 집적회로에 있어서,
    고전압을 사용하는 고전압 동작회로부에 제1전원전압(VDD)을 공급하는 제1전원전압공급라인;
    고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부에 제2전원전압(VSS2)을 공급하는 제2전원전압공급라인;
    저전압을 사용하는 저전압 동작회로부에 제3전원전압(VCC)을 공급하는 제3전원전압공급라인; 및
    저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부에 제4전원전압(VSS1)을 공급하는 제4전원전압공급라인;을 구비하고
    상기 제2전원전압공급라인과 상기 제4전원전압공급라인이 서로 분리되어 있으며,
    상기 제2전원전압(VSS2)은 고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)이고, 상기 제4전원전압(VSS1)은 저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이며,
    상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 금속배선(metal line)에 의해 연결되지 않도록 함으로써, 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 분리되는 것을 특징으로 하는 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로.
  4. 칩-온-글래스(COG) 캐스케이드 구조의 소스 드라이버 집적회로에 있어서,
    고전압을 사용하는 고전압 동작회로부에 제1전원전압(VDD)을 공급하는 제1전원전압공급라인;
    고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부에 제2전원전압(VSS2)을 공급하는 제2전원전압공급라인;
    저전압을 사용하는 저전압 동작회로부에 제3전원전압(VCC)을 공급하는 제3전원전압공급라인; 및
    저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부에 제4전원전압(VSS1)을 공급하는 제4전원전압공급라인;을 구비하고
    상기 제2전원전압공급라인과 상기 제4전원전압공급라인이 서로 분리되어 있으며,
    상기 제2전원전압(VSS2)은 고전압을 사용하는 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)이고, 상기 제4전원전압(VSS1)은 저전압을 사용하는 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이며,
    상기 저전압 동작회로부를 에워싸는 형태의 웰(well)을 구비함으로써 상기 고전압 동작회로부의 그라운드전압(HV-GND)과 상기 저전압 동작회로부의 그라운드전압(LV-GND)이 분리되는 것을 특징으로 하는 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 웰(well)은
    상기 저전압 동작회로부를 에워쌀 수 있도록 상기 저전압 동작회로부의 하부에 형성된 N형 웰(deep N well)인 것을 특징으로 하는 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로.
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1전원전압공급라인 내지 상기 제4전원전압공급라인은 자체 저항을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 전원의 그라운드와 저전압 전원의 그라운드가 분리된 소스 드라이버 집적회로.
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