KR101030150B1 - 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트, 이의 용도 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents
무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트, 이의 용도 및 이를 제조하는 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트, 이의 용도 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 첨가제 0.1~0.2 중량부, 충전제 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부 및 경화제 15~32 중량부를 포함하는 조성물을 플레이트에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성하고 10~30℃/sec로 냉각시킨 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트에 관한 것이다. 본 발명의 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트는 내마모성, 내식성 및 내열성 등 기계적 물성을 매우 우수하게 향상시킬 수 있으므로 내구성이 증대된다. 또한, 크렉 발생이 없으며 과도한 응력에도 취성이 거의 나타나지 않고, 기존의 세라믹 코팅막에 비하여 2~3배 경도를 증가시킬 수 있으며, 범랑에 가까운 경도를 지니게 된다. 나아가, 2개층 이상으로 다층 코팅하여 급냉 또는 초급냉한 경우, 크렉, 박리 현상이 없는 우수한 물성의 완성된 세라믹코팅 도막은 무정형화한 세라믹이 갖는 전기적으로 반도체 특성을 지니게 된다.
Description
본 발명은 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트, 이의 용도 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
졸겔프로세싱에 의해 만들어지는 세라믹 코팅제 또는 유무기 혼성복합 코팅제는 사용시 낮은 온도와 최종도막이 갖는 내마모성, 내열성, 내식성등 물성이 우수하므로 그 사용이 증대하고 있다. 이러한 세라믹 코팅제는 사용시 피도체에 약 15㎛이내의 도막두께로 코팅하면 은폐력과 피도체 보호능력이 떨어지게 되며 30㎛이상의 도막두께는 우수한 경도를 보인다. 하지만 이 도막은 가열 또는 냉각의 급격한 온도 변화에 대하여 사용되는 원료의 입자간 결합 부족과 피도체와 코팅된 도막의 열팽창 계수 차이로 인하여 크렉이 발생할 수 있고, 이는 도막의 박리현상으로 이어질 수 있으며, 충전제를 충분하게 혼입하거나 소성온도를 높인 경우 내부입자간의 결합력을 크게 올리기 어려우며, 최종도막이 9H의 연필경도를 넘기기 어렵다. 즉, 스크래치에 매우 취약한 약점을 보이게 되며 낮은 파괴인성으로 인하여 낮은 응력 (stress)에서도 취성이 나타나게 된다.
이러한 문제점들을 해결하고자 한국 등록특허 제10-0397486호, 한국 공개특허 제 10-2009-0006695호, 한국 공개특허 제 10-2010-0052824호 등에 개시되어 있다.
한편, 무정형이란 분자간의 결합이 단거리 질서는 있으나 장거리 질서가 없어지며 새로운 물성이 나타나는 것을 말한다. 본 발명의 발명자는 급속 냉각을 하는 경우, 코팅층이 손상을 입지 아니하고 단거리 질서는 있으나 장거리 질서가 없는 무정형화 되고 내마모성, 내식성, 내열성, 경도 등 기계적 물성을 매우 향상 시킬 수 있다는 것을 발명하여 본원 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 코팅층이 손상을 입지 않고 단거리 질서는 있으나 장거리 질서가 없는 무정형 코팅층을 포함하는 플레이트 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다. 또한 본 발명은 상기 코팅층을 포함하는 태양전지 또는 주방용 가열판을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 일 구체예에서, 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 첨가제 0.1~0.2 중량부, 충전제 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부 및 경화제 15~32 중량부를 포함하는 조성물을 플레이트에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성하고 10~30℃/sec로 냉각시킨 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 다른 구체예에서, 상기 구체예의 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 병용하여 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 실리카졸은 구성비가 2:1:1인 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 알코올은 지방족 알코올을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 첨가제는 K과 Na을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 경화제는 실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, Sic, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, CoO, MnO, Fe2O3, AlN, Si3N4, B4C, C 및 BN으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 플레이트는 주방용, 건축용, 자동차용, 선박용, 및 전기용품용 중 어느 한 용도임을 특징으로 하는 플레이트를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 플레이트는 플레이트는 금속, 세라믹 및 플라스틱으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 플레이트를 제공한다.
일 구체예에서, 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 첨가제 0.1~0.2 중량부, 충전제 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부 및 경화제 15~32 중량부의 혼합 조성물을 기판에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성하고 10~30℃/sec로 냉각시킨 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지를 제공한다. 다른 구체예에서, 상기 구체예의 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 병용하여 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, Sic, B, Al, In 및 Ga로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지를 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지를 제공한다.
일 구체예에서, 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제 0.2~27 중량부 및 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부를 볼밀로 분쇄한 후 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 첨가하여 코팅제를 제조하는 단계; 상기 코팅제를 플레이트에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성시키는 단계; 및 상기 소성된 플레이트를 10~30℃/sec로 냉각하는 단계에 의하여 제조된 무정형 세라믹을 포함하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 다른 구체예에서 상기 구체예의 냉각하는 단계는 냉각 전후의 온도 편차가 100℃ 내지 200℃가 되는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 병용하여 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 실리카졸의 구성비가 2:1:1인 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 알코올은 지방족 알코올을 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 첨가제는 K과 Na을 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 경화제는 실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, SiC, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, CoO, MnO, Fe2O3, AlN, Si3N4, B4C, C 및 BN으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 냉각하는 단계는 Na 또는 K를 함유하는 냉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제 0.2~27 중량부 및 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부를 볼밀로 분쇄한 후 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 첨가하여 제조된 코팅제를 플레이트에 추가로 코팅하고 100~350℃의 온도로 소성시킨 후 0~30℃에서 냉각시킨 세라믹 코팅층을 추가로 포함하는 플레이트의 제조 방법을 제공한다.
일 구체예에서, 기판에 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제는 Si, SiC, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5 중량부, 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 첨가하여 제조된 코팅제를 기판에 코팅하는 단계; 상기 코팅된 기판에 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5 중량부, 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 첨가하여 제조된 코팅제를 코팅하는 단계; 상기 코딩된 기판을 100~350℃의 온도로 소성시키는 단계; 상기 소성된 기판을 10~30℃/sec로 냉각하는 단계; 및 투명 도전성 물질을 코팅하는 단계를 포함하는 태양전지를 제조하는 방법을 제공한다. 다른 구체예에서, 상기 구체예의 소성된 기판을 0~30℃에서 냉각시킨 후 100~350℃의 온도로 재소성시키고 10~30℃/sec로 재냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 냉각하는 단계는 냉각 전후의 온도 편차가 100℃ 내지 200℃가 되는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 투명 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, Ag, AlZnO 및 InZnO으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 기판은 알루미늄, 구리 및 폴리이미드(polyimide)로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법을 제공한다.
일 구체예에서, 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 첨가제 0.1~0.2 중량부, 충전제 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부 및 경화제 15~32 중량부를 포함하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 다른 구체예에서, 상기 구체예의 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 병용하여 사용하는 것을 특징으로 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 실리카졸의 구성비가 2:1:1인 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 알코올은 지방족 알코올을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 첨가제는 K과 Na을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 경화제는 실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, Sic, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다. 또 다른 구체예에서, 상기 구체예의 충전제는 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, CoO, MnO, Fe2O3, AlN, Si3N4, B4C, C 및 BN으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물을 제공한다.
일 구체예에서, 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제 0.2~27 중량부 및 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부를 볼밀로 분쇄한 후 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 첨가하여 코팅제를 제조하는 단계; 상기 코팅제를 주방용 가열판에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성시키는 단계; 및 상기 소성된 가열판을 10~30℃/sec로 냉각하는 단계에 의하여 제조된 무정형 세라믹을 포함하는 주방용 가열판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트는 코팅층이 내마모성, 내식성, 내열성등 기계적 물성을 매우 우수하게 향상시킬 수 있으므로 내구성이 증대된다. 또한, 크렉 발생이 없으며 과도한 응력에도 취성이 거의 나타나지 않고, 기존의 세라믹 코팅층에 비하여 2~3배 경도를 증가시킬 수 있으며, 범랑에 가까운 경도를 지니게 된다. 나아가, 2개층 이상으로 다층 코팅하여 급냉 또는 초급냉한 경우, 크렉, 박리 현상이 없는 우수한 물성의 완성된 세라믹코팅 도막은 무정형화한 세라믹이 갖는 전기적으로 반도체 특성을 지니게 된다.
도 1은 본원 발명의 코팅제를 코팅한 NP형 전지의 개략도이다.
도 2는 본원 발명의 코팅제를 코팅한 NP형 태양 전지를 병렬로 연결한 개략도이다.
도 2는 본원 발명의 코팅제를 코팅한 NP형 태양 전지를 병렬로 연결한 개략도이다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예
1. 세라믹 코팅층을 포함하는 기판의 제조
1-1.
제조예
1
각각10~50nm, 100~200nm, 200~300nm의 입자 크기를 갖는 실리카졸을 2:1:1의 비율로 560g(물함량 400g), IPA(Isopropyl Alcohol) 110g, 충전제로 TiO2계 안료2g, 다공성 실리카 5g을 볼밀에 넣어 100RPM 의 속도로 약4시간 동안 분쇄반응 시킨 액체를 교반기로 옮겼다. 여기에 경화제로 MTMS(methyltrimethoxy silane) 320g, 산촉매로 개미산을 1g넣어 100RPM의 속도로 약6시간 교반 숙성하였다. 그 후, 칼륨 및 나트륨을 섞은 것을2g 첨가하여 약30분간 더 교반 숙성을 지속하여 1kg의 코팅제를 완성하였다.
100×100×10mm 의 크기를 갖는 알루미늄 기판을 80#의 금강사로 샌딩처리하여 깨끗이 세척한 후, 완성된 코팅제로 스프레이 코팅하여 소성로에서 250℃ 온도로 약 30분간 소성(firing)시켰다.
소성된 알루미늄 기판을 출구에서 약 20℃의 물에 바로 담궈 10℃/sec로 급냉하여 무정형화한 30㎛ 도막 두께의 기판을 완성하였다.
1-2.
제조예
2
하기 [표 1]의 제조예와 같은 배합비에 충전제로 Al2O3, ZrO2 및 Fe2O3을 1:1:1로 사용하여 상기 제조예 1과 같은 방법으로 기판을 완성하였다.
1-3.
제조예
3
하기 [표 1]의 제조예와 같은 배합비에 충전제로 AIN 및 Si3N4를 1:1로 사용하여 상기 제조예 1과 같은 방법으로 기판을 완성하였다.
대조군과 상기 제조예 1,2 및 3의 코팅제를 정리하면 아래 [표 1]과 같다.
실시예 2. 무정형화한 세라믹 코팅층을 포함하는 기판의 물성 결과
상기 제조한 세라믹 코팅층으로 코팅된 기판의 물성을 검사한 결과 다음 [표 2]과 같은 결과를 얻었다.
| 구 분 | 대조군 | 제조예 1 | 제조예 2 | 제조예 3 | 비 고 |
| 크렉 | 미세크렉발생 | 없음 | 없음 | 없음 | 200배 현미경 사용 |
| 경도 | 7~8H | 9H이상 | 9H이상 | 9H이상 | 연필경도 |
| 내열성 | 박리현상발생 | 이상없음 | 이상없음 | 이상없음 | 400℃ |
| 내알카리성 | 이상없음 | 이상없음 | 이상없음 | 이상없음 | 5% Na2CO3 수용액 |
| 내산성 | 이상없음 | 이상없음 | 이상없음 | 이상없음 | 초산 5% 수용액 |
실시예 3. 무정형화한 세라믹 코팅층을 포함하는 기판을 이용한 태양 전지의 제조
상기 [표 1]의 제조예 4와 같은 배합비로 2 종류의 코팅제를 제조하였다.
A 형 - 충전제로 Al, Ga 및 In를 2:1:1의 비율로 사용하였다. (P형 반도체로 사용)
B 형 - 충전제로 P, Sb 및 As를 2:1:1의 비율로 사용하였다. (N형 반도체로 사용)
200×200×2mm의 알루미늄 기판을 준비하여 100# 금강사로 샌딩 처리하여 깨끗이 세척한 후, 코팅제 A 형을 도막두께 20㎛정도로 베이스코팅 하였다(P형 반도체). 그 위에 코팅제 B 형을 약 15㎛ 정도의 도막두께로 스프레이 코팅하여(N형 반도체) 150℃의 소성온도로 약30분 가열 소성한 후, 즉시 15℃의 이내의 온도를 지니는 차가운 공기로 10℃/sec 속도 이상, 약 5분 미만으로 급냉하였다. 급냉에 의해 무정형화한 코팅 도막위에 In 및 Sn으로 만들어진 광투광성이 좋은 ITO도전성 코팅을 5~7㎛ 정도 두께의 박막코팅 하여 100℃에서 20분간 가열 소성하여 기판을 완성하였다. 완성된 기판을 도2와 같이 접지하여 태양광을 약10분간 쪼인 후 전기 발생을 확인하였다.
본 발명의 제조예 1, 2 및 3과 같이 충전제로 금속산화물 또는 비산화물을 사용하여 만들어진 코팅제로 코팅 작업하여 가열 소성 후, 급냉에 의해 만들어진 무정형 세라믹코팅 도막은 내마모성, 내식성, 내열성 및 경도 등 기계적 물성이 매우 우수하게 나타난다. 또한 제조예 4와 같이 충전제를 선별하여 태양광을 전기로 변환할 수 있는 태양전지의 P형, N형 반도체로 활용할 수 있다.
본 발명과 같이 만들어지는 무정형 세라믹코팅은 태양전지, 자동차, 건축, 선박, 주방 용품 등 산업용 전반에 사용이 가능하다.
100: ITO 투명전도막
200: N형 반도체층(발전층)
300: P형 반도체층(발전층)
400: Al 기판
500: 전선
200: N형 반도체층(발전층)
300: P형 반도체층(발전층)
400: Al 기판
500: 전선
Claims (42)
- 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 첨가제 0.1~0.2 중량부, 충전제 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부 및 경화제 15~32 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 조성물을 플레이트에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성하고 10~30℃/sec로 냉각시킨 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트.
- 제 1항에 있어서,
상기 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트. - 제 2항에 있어서,
상기 제 1 실리카졸, 제 2 실리카졸 및 제 3 실리카졸의 구성비가 2:1:1인 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트. - 제 1항에 있어서,
상기 알코올은 지방족 알코올을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트. - 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 경화제는 실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트. - 제 1항에 있어서,
상기 충전제는 Si, Sic, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트. - 제 1항에 있어서,
상기 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트. - 제 1항에 있어서,
상기 충전제는 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, CoO, MnO, Fe2O3, AlN, Si3N4, B4C, C 및 BN으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 플레이트. - 제 1항에 있어서,
상기 플레이트는 주방용, 건축용, 자동차용, 선박용 및 전기용품용 중 어느 한 용도임을 특징으로 하는 플레이트. - 제 1항에 있어서,
상기 플레이트는 금속, 세라믹 및 플라스틱으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 플레이트. - 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 첨가제 0.1~0.2 중량부, 충전제 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부 및 경화제 15~32 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 조성물을 기판에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성하고 10~30℃/sec로 냉각시킨 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지.
- 제 12 항에 있어서,
상기 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지. - 제 12항 또는 13항에 있어서,
상기 충전제는 Si, Sic, B, Al, In 및 Ga로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지. - 제 12항 또는 13항에 있어서,
상기 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅층을 포함하는 태양전지. - 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제 0.2~27 중량부 및 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부를 볼밀로 분쇄한 후 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 코팅제를 제조하는 단계;
상기 코팅제를 플레이트에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성시켜 소성된 플레이트를 제조하는 단계; 및
상기 소성된 플레이트를 10~30℃/sec로 냉각하는 단계에 의하여 제조된 무정형 세라믹을 포함하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 냉각하는 단계는 냉각 전후의 온도 편차가 100℃ 내지 200℃가 되는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 제 1 실리카졸, 제 2 실리카졸 및 제 3 실리카졸의 구성비가 2:1:1인 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 알코올은 지방족 알코올을 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 삭제
- 제 16항에 있어서,
상기 경화제는 실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 충전제는 Si, SiC, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 충전제는 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, CoO, MnO, Fe2O3, AlN, Si3N4, B4C, C 및 BN으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 냉각하는 단계는 Na 또는 K를 함유하는 냉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 플레이트의 제조 방법. - 제 16항 내지 제 20항 및 22항 내지 26항 중 어느 한 항에 있어서,
실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제 0.2~27 중량부 및 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부를 볼밀로 분쇄한 후 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 코팅제를 플레이트에 추가로 코팅하고 100~350℃의 온도로 소성시킨 후 0~30℃에서 냉각시킨 세라믹 코팅층을 추가로 포함하는 플레이트의 제조 방법. - 기판에 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제는 Si, SiC, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5 중량부, 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 코팅제를 기판에 코팅하여 코팅된 기판을 제조하는 단계;
상기 코팅된 기판에 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5 중량부, 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 코팅제를 재코팅하여 이중 코팅된 기판을 제조하는 단계;
상기 이중 코딩된 기판을 100~350℃의 온도로 소성시켜 소성된 기판을 제조하는 단계;
상기 소성된 기판을 10~30℃/sec로 냉각하는 단계; 및
투명 도전성 물질을 코팅하는 단계를 포함하는 태양전지를 제조하는 방법. - 제 28항에 있어서,
상기 소성된 기판을 0~30℃에서 냉각시킨 후 100~350℃의 온도로 재소성시키고 10~30℃/sec로 재냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법. - 제 28항에 있어서,
상기 냉각하는 단계는 냉각 전후의 온도 편차가 100℃ 내지 200℃가 되는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법. - 제 28항에 있어서,
상기 투명 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, Ag, AlZnO 및 InZnO으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법. - 제 28항에 있어서,
상기 기판은 알루미늄, 구리 및 폴리이미드(polyimide)로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법. - 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 첨가제 0.1~0.2 중량부, 충전제 0.2~27 중량부, 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부 및 경화제 15~32 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물.
- 제 33항에 있어서,
상기 실리카졸은 10~50㎚ 입자크기의 제 1 실리카졸, 100~200㎚ 입자크기의 제 2 실리카졸 및 200~300㎚ 입자 크기의 제 3 실리카졸 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물. - 제 34항에 있어서,
상기 제 1 실리카졸, 제 2 실리카졸 및 제 3 실리카졸의 구성비가 2:1:1인 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물. - 제 33항에 있어서,
상기 알코올은 지방족 알코올을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물. - 삭제
- 제 33항에 있어서,
상기 경화제는 실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물. - 제 33항에 있어서,
상기 충전제는 Si, Sic, B, Al, In 및 Ga으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물. - 제 33항에 있어서,
상기 충전제는 Si, Sb, P 및 As로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물. - 제 33항에 있어서,
상기 충전제는 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, CoO, MnO, Fe2O3, AlN, Si3N4, B4C, C 및 BN으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 무정형 세라믹 코팅 제조용 조성물. - 실리카졸 24~56 중량부, 알코올 11~30 중량부, 충전제 0.2~27 중량부 및 다공성 세라믹 0.5~5.0 중량부를 볼밀로 분쇄한 후 경화제 15~32 중량부 및 첨가제 0.1~0.2 중량부를 포함하며 상기 첨가제는 K와 Na인 것을 특징으로 하는 코팅제를 제조하는 단계;
상기 코팅제를 주방용 가열판에 코팅한 후 100~350℃의 온도로 소성시켜 소성된 가열판을 제조하는 단계; 및
상기 소성된 가열판을 10~30℃/sec로 냉각하는 단계에 의하여 제조된 무정형 세라믹을 포함하는 주방용 가열판의 제조 방법.
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