이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 대하여 상세히 설명한다.
실시예1
실시예1은 금속지지체형 고체산화물 연료전지의 제조방법에 관한 것이다. 도1은 실시예1의 흐름도를, 도2는 실시예1에 의하여 제조된 금속지지체형 고체산화물 연료전지의 주요부의 단면도를, 도3은 도1의 소결단계의 흐름도를, 도4는 실시예1에 의하여 제조된 금속지지체형 고체산화물 연료전지의 주요부의 SEM 이미지를 나타낸다.
도1을 참조하면 실시예1은 제1 분리판접합층 형성단계(S10), 연료극접합층 형성단계(S20), 매개 슬러리층 형성단계(S30), 적층단계(S40) 및 소결단계(S50)를 포함한다.
도2를 참조하면 실시예1에 의하여 제조되는 금속지지체형 고체산화물 연료전지는 제1 금속분리판(10), 제2 금속분리판(20), 제1 금속분리판(10)과 제2 금속분리판(20) 사이에 설치되는 세라믹셀(30)을 포함한다. 세라믹셀(30)은 전해질(32), 연료극(anode)(34) 및 공기극(cathode)(36)으로 이루어진다. 공기극(cathode)(36)과 제2 금속분리판(20) 사이에는 집전체(40)가 형성될 수 있다.
전해질(32) 및 연료극(anode)(34)의 세라믹셀(30) 요소들은 테이프캐스팅(tape casting process)을 이용하여 적층될 수 있다. 전해질(32)로서는 YSZ(Tosoh TZ-8Y)를 사용할 수 있고, 연료극(anode)(34)으로서는 NiO와 YSZ(Tosoh TZ-8Y)를 6:4 질량비로 혼합하여 사용할 수 있다. 테이프캐스팅용 슬러리는 각 분말에 대해 15%wt.의 결합재 Butvar B-98, 2%wt.의 분산제 polyvinylpyrrolidone, 10%wt.의 가소제 polyethylene glycol, 100%wt.의 용매 S-NECS를 혼합한 후 48시간 볼밀하여 얻을 수 있다. 슬러리를 탈포(de-airing)시킨 후 150㎛ 혹은 250㎛ 높이 의 테이프캐스터(tape-caster)를 이용하여 세라믹 시트(sheet)를 확보한다. 용도에 맞게 적층시킨 후 1500oC에서 4시간 소결하여 치밀한 전해질 및 어느 정도 기공이 있는 연료극(anode)의 세라믹셀을 얻을 수 있다.
제1 금속분리판(10) 및 제2 금속분리판(20)으로 사용되는 금속지지체로서는 28mm의 직경과 1mm의 두께를 가지는 원형의 STS430 판을 사용할 수 있다. 제1 금속분리판(10) 및 제2 금속분리판(20)에 연료극(anode) 유로(12) 및 공기극(cathode) 유로(22)를 단면상으로 만들 수 있다. 연료극(anode) 유로(12) 및 공기극(cathode) 유로(22)의 폭은 각각 0.4mm일 수 있다.
도2를 참조하면 제1 분리판접합층 형성단계(S10)에서는 제1 금속분리판(10)의 일측면에 제1 분리판접합층(52)이 형성된다. 제1 분리판접합층(52)은 금속성분 분말 및 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분 분말을 포함하는 슬러리를 제1 금속분리판(10)의 일측면에 도포한 후 상온에서 건조시킴으로써 형성되는 고형분층이다. 상기 제1 금속분리판(10)에 도포되는 슬러리는 금속성분 분말에 대한 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분 분말의 중량비가 1보다 작다. 따라서, 상기 제1 금속분리판(10)에 도포되는 슬러리는 금속성분 분말과 세라믹셀(30) 연료극(anode)(34) 성분 분말을 중량비 8:2로 포함할 수 있는데, 이 경우 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분 분말은 NIO 분말과 YSZ 분말이 중량비 12:8로 혼합된 혼합분말일 수 있다. 한편, 상기 제1 금속분리판(10)에 도포되는 슬러리는 첨가제로서 결합제, 분산제, 가소제 및 pore former를 포함하는데, pore former는 carbon 일 수 있다. 상기 제1 금속분리판(10)에 도포되는 슬러리는 소결시 수축이 최소화될 수 있도록, 상대적으로 입경이 큰 금속성분 분말(수μm~수백μm의 크기를 가지는 스테인리스 스틸, 인코넬 등의 합금)을 많이 첨가한다. 상기 제1 금속분리판(10)에 도포되는 슬러리의 가장 중요한 요구조건은 소결시 소결수축이 거의 없어야 하는 것이다. 상기 제1 금속분리판(10)에 도포되는 슬러리는 수십μm~수백μm으로 비교적 두껍게 도포되어 이후 딱딱한 세라믹셀(30)과 딱딱한 제1 금속분리판(10) 사이에서 스펀지와 같은 역할을 함으로써 약간의 압력에 의해 세라믹셀(30)과 딱딱한 제1 금속분리판(10) 사이의 모든 접합면이 고루 잘 붙을 수 있는 역할을 하도록 하는 것이 바람직하다.
도2를 참조하면 연료극접합층 형성단계(S20)에서는 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)의 일측면에 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분을 포함하는 연료극접합층(54)이 형성된다. 연료극접합층(54)은 금속성분 분말 및 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분 분말을 포함하는 슬러리를 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)의 일측면에 도포함으로써 형성되는 슬러리층이다. 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리층의 가장 중요한 요구조건은 소결시 연료극(anode)(34)과의 우수한 접합성이다. 따라서 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리의 조성은 연료극(anode)(34) 재료가 많이 들어가는 것이 바람직하다. 이를 위하여 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리는 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분 분말에 대한 금속성분 분말의 중량비가 1보다 작게 한다. 따라서, 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리는 금속성분 분말과 세라믹셀(30) 연료극(anode)(34) 성분 분말을 중량비 2:8로 포함할 수 있는데, 이 경우 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분 분말은 NIO 분말과 YSZ 분말이 중량비 48:32로 혼합된 혼합분말일 수 있다. 한편, 연료극(anode)(34) 성분의 비율이 높아 소결수축이 크므로 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리는 최대한 얇게 하여 소결수축에 의한 악영향을 막아야 한다. 따라서, 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리는 수십nm~수μm 의 두께가 되도록 한다. 한편, 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리는 첨가제로서 결합제, 분산제, 가소제 및 pore former를 포함하는데, pore former는 carbon일 수 있다.
도2를 참조하면 매개 슬러리층 형성단계(S30)에서는 고형분층인 제1 분리판접합층(52)에 매개 슬러리층(56)이 형성된다. 매개 슬러리층(56)은 고형분층인 제1 분리판접합층(52)에 상기 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)에 도포되는 슬러리와 동일한 슬러리를 도포함으로써 형성된다. 마찬가지로 매개 슬러리층(56)은 연료극(anode)(34) 성분의 비율이 높아 소결수축이 크므로 최대한 얇게 하여 소결수축에 의한 악영향을 막아야 한다. 따라서, 고형분층인 제1 분리판접합층(52)에 도포되는 슬러리는 수십nm~수μm 의 두께가 되도록 한다.
도2를 참조하면 적층단계(S40)에서는 제1 분리판접합층(52) 및 연료극접합층(54)이 제1 금속분리판(10)과 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)을 접착시키는 다층으로 이루어지는 접합층(50)의 일측 외각층 및 타측 외각층을 이루도록 적층된다. 한편, 적층단계(S40)에서는 연료극접합층(54)인 슬러리층과 매개 슬러리층(56) 이 직접 접촉하도록 적층될 수 있다. 도2에는 매개 슬러리층(56)과 연료극접합층(54)이 상호 경계면을 형성하는 것으로 도시되어 있으나 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐 실질적으로 상호 경계면이 형성되지 않는 하나의 층이다. 즉, 매개 슬러리층(56)과 연료극접합층(54)은 동일한 성분의 슬러리층이므로 실질적으로 하나의 슬러리층을 이룬다.
소결단계(S50)에서는 접합층(50)을 통하여 제1 금속분리판(10) 및 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)이 상호 접착되도록 상기 적층된 접합층(50)이 소결된다. 소결단계(S50)는 공기분위기 또는 환원분위기가 가능한 소결로 내에서 수행된다. 공기분위기란 소결로 내에 공기가 공급된 상태를 가리키고, 환원분위기란 소결로 내에 수소, 질소, 아르곤 등의 환원가스가 공급된 상태를 가리킨다.
도3을 참조하면 소결단계(S50)는 제1 승온단계(S51), 제1 등온단계(S52), 제2 승온단계(S53), 제2 등온단계(S54), 전환단계(S55), 제3 승온단계(S56), 제3 등온단계(S57), 강온단계(S58)를 포함한다.
온도 (
o
C)
|
시간 (hour)
|
분위기
|
목적
|
상온에서 400~500까지 |
10~30 |
공기 |
첨가제가 타서 날아갈 때 주위 분말에 영향을 주지 않기 위해 천천히 승온 |
400~500 유지 |
1~3 |
공기 |
첨가제가 완전히 타기 위해 온도 유지 |
400~500에서 800~1000까지 |
2~5 |
공기 |
pore former로서 carbon이 쓰일 경우, carbon이 타는 온도가 700~800oC 정도이므로 800~1000oC까지 공기분위기에서 승온 |
800~1000 유지 |
1~3 |
온도 유지하는 중간쯤 되는 시간에서 공기에서 환원분위기로 변환 |
공기분위기를 유지하는 것은 carbon을 완전히 태우기 위함, 환원분위기로 바꾸는 것은 이 온도 이상에서는 금속의 산화를 막기 위함 |
800~1000에서 1300~1500까지 |
0.5~2 |
환원분위기 |
최고온도인 1300~1500oC까지 되도록 빨리 승온하는 것이 좋음, 이는 소결수축의 영향을 최소화하기 위함 |
1300~1500 유지 |
2~20 |
환원분위기 |
접합면에서 좋은 접합을 이루기 위해 온도 유지 |
1300~1500에서 상온으로 |
3~10 |
환원분위기 |
|
[표 1]을 참조하면 제1 승온단계(S51)에서는 소결로 내의 온도가 상온으로 부터 제1 온도까지 상승된다. 제1 승온단계(S51)는 10 ~ 30 시간 동안 공기분위기에서 수행된다. 즉, 제1 승온단계(S51)에서는 접합층(50)에 함유된 첨가제가 타서 날아갈 때 주위 분말에 영향을 끼치지 않도록 천천히 승온된다. 제1 온도는 400 ~ 500 ℃의 임의 온도일 수 있다.
[표 1]을 참조하면 제1 등온단계(S52)에서는 소결로 내의 온도가 상기 제1 온도로 일정하게 유지된다. 제1 등온단계(S52)는 1 ~ 3 시간 동안 공기분위기에서 수행된다. 제1 등온단계(S52)는 접합층(50)에 함유된 첨가제 중 결합제, 분산제 및 가소제를 완전 연소시키기 위해 수행된다.
[표 1]을 참조하면 제2 승온단계(S53)에서는 소결로 내의 온도가 상기 제1 온도로부터 제2 온도까지 상승된다. 제2 승온단계(S53)는 2 ~ 5 시간 동안 공기분위기에서 수행된다. 접합층(50)에 함유되는 첨가제 중 pore former로서 carbon이 쓰일 경우, carbon이 타는 온도가 700 ~ 800 ℃ 정도이므로 제2 승온단계(S53)에서는 소결로 내의 온도가 800 ~ 1000 ℃의 임의 온도까지 상승된다. 즉, 상기 제2 온도는 800 ~ 1000 ℃의 임의 온도일 수 있다.
[표 1]을 참조하면 제2 등온단계(S54)에서는 소결로 내의 온도가 상기 제2 온도로 일정하게 유지된다. 제2 등온단계(S54)는 1 ~ 1.5 시간 동안 공기분위기에서 수행된다. 제2 등온단계(S54)는 접합층(50)에 함유되는 첨가제 중 pore former로서 carbon이 쓰일 경우, carbon을 완전 연소시키기 위하여 수행된다.
[표 1]을 참조하면 전환단계(S55)에서는 소결 내의 분위기가 공기분위기에서 환원분위기로 전환된다. 전환단계(S55)는 상기 제2 온도가 유지되는 상태에서 1 ~ 1.5 시간 동안 수행될 수 있다. 전환단계(S55)에서 소결로 내의 분위기를 전환분위기로 바꾸는 것은 소결로 내의 온도가 상기 제2 온도 이상으로 올라가는 경우 제1 금속분리판(10), 제2 금속분리판(20), 접합층(50) 등에 함유된 금속 성분의 산화를 방지하기 위한 것이다.
[표 1]을 참조하면 제3 승온단계(S56)에서는 소결로 내의 온도가 상기 제2 온도로부터 제3 온도까지 상승된다. 제3 승온단계(S56)는 0.5 ~ 2 시간 동안 환원분위기에서 수행된다. 즉, 환원분위기는 짧은 시간 동안에 걸쳐 빨리 수행되는데, 이는 접합층(50)의 소결수축의 영향을 최소화시키기 위한 것이다. 제3 온도는 1300 ~ 1500 ℃의 임의 온도일 수 있다.
[표 1]을 참조하면 제3 등온단계(S57)에서는 소결로 내의 온도가 상기 제3 온도로 일정하게 유지된다. 제3 등온단계(S57)는 2 ~ 20 시간 동안 환원분위기에서 수행된다. 제3 등온단계(S57)는 제1 금속분리판(10)과 제1 분리판접합층(52) 사이의 접합면, 제1 분리판접합층(52)과 매개 슬러리층(56) 사이의 접합면, 연료극접합층(54)과 연료극(anode)(34) 사이의 접합면 등에서 좋은 접합이 이루어져, 제1 금속분리판 (10)과 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 사이의 접착력이 강화되도록 하기 위한 것이다.
[표 1]을 참조하면 강온단계(S58)에서는 소결로 내의 온도가 상기 제3 온도로부터 상온으로 하강된다. 강온단계(S58)는 3 ~ 10 시간 동안 환원분위기에서 수행된다.
도4는 실시예1에 의하여 제조된 금속지지체형 고체산화물 연료전지의 주요부의 SEM 이미지이다.
실시예1에 의하여 제조된 금속지지체형 고체산화물 연료전지는 세라믹셀(30)과 제1 금속분리판(10)간의 결합구조의 접합면이 더욱 견고해지며, 접합층(50)의 소결수축 거동의 영향이 최소화하여 비교적 큰 면적의 세라믹셀(30) 및 제1 금속분리판(10)의 결합에 있어서도 비교적 평평하게 제작 가능하다.
실시예1에 있어서, 매개슬러리층 형성단계(S30)를 포함하는 것으로 하였으나, 다른 실시예의 경우 매개슬러리층 형성단계(S30)를 포함하지 않을 수 있다. 이 경우 적층단계(S40)는 연료극접합층 형성단계(S20)에서 형성되는 연료극접합층(54)이 제1 분리판접합층(52)과 직접 접촉하도록 적층되는 단계일 수 있다. 한편, 이와는 달리 매개슬러리층 형성단계(S30)를 포함하지 않는 경우 연료극접합층 형성단계(S20)에서 형성되는 연료극접합층(54)은 금속성분 분말 및 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34) 성분 분말을 포함하는 슬러리를 제1 분리판접합층(52)의 일측면에 도포함으로써 형성되는 슬러리층이고, 적층단계(S40)는 세라믹셀(30)의 연료극(anode)(34)이 연료극접합층(54)과 직접 접촉하도록 적층되는 단계일 수 있다.
실시예2
실시예2는 실시예1에 의하여 제조되는 금속지지체형 고체산화물 연료전지에 관한 것이다.
도2를 참조하면 실시예2는 제1 금속분리판(10), 제2 금속분리판(20), 제1 금속분리판(10)과 제2 금속분리판(20) 사이에 설치되는 세라믹셀(30)을 포함한다. 세라믹셀(30)은 전해질(32), 연료극(anode)(34) 및 공기극(cathode)(36)으로 이루어진다. 공기극(cathode)(36)과 제2 금속분리판(20) 사이에는 집전체(40)가 형성될 수 있다.
도2를 참조하면 제1 금속분리판(10)과 연료극(anode)(34) 사이에는 접합층(50)이 형성된다. 접합층(50)에 대하여는 실시예1에서 상세히 설명하였으므로, 설명을 생략한다.
실시예3
실시예3은 금속지지체형 고체산화물 연료전지의 제조방법에 관한 것이다. 도5는 실시예3의 흐름도를, 도6은 실시예3에 의하여 제조된 금속지지체형 고체산화물 연료전지의 주요부의 단면도를 나타낸다.
도5를 참조하면 실시예3은 제2 분리판접합층 형성단계(S110), 공기극접합층 형성단계(S120), 매개 슬러리층 형성단계(S130), 적층단계(S140) 및 소결단계(S150)를 포함한다.
도6을 참조하면 실시예3에 의하여 제조되는 금속지지체형 고체산화물 연료전지는 제1 금속분리판(110), 제2 금속분리판(120), 제1 금속분리판(110)과 제2 금속분리판(120) 사이에 설치되는 세라믹셀(130)을 포함한다. 세라믹셀(130)은 전해질(132), 연료극(anode)(134) 및 공기극(cathode)(136)으로 이루어진다. 연료극(anode)(134)과 제1 금속분리판(110) 사이에는 집전체(150)가 형성될 수 있다.
세라믹셀(130)은 실시예1과 마찬가지 방법으로 획득될 수 있다. 또한 실시예1에서와 마찬가지로 제1 금속분리판(110) 및 제2 금속분리판(120)으로 사용되는 금속지지체로서는 28mm의 직경과 1mm의 두께를 가지는 원형의 STS430 판을 사용할 수 있으며, 제1 금속분리판(110) 및 제2 금속분리판(120)에 연료극(anode) 유로(112) 및 공기극(cathode) 유로(122)가 형성된다.
도6을 제1 분리판접합층 형성단계(S110)에서는 제2 금속분리판(120)의 일측면에 제2 분리판접합층(142)이 형성된다. 제2 분리판접합층(142)은 금속성분 분말 및 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136) 성분 분말을 포함하는 슬러리를 제2 금속분리판(120)의 일측면에 도포한 후 상온에서 건조시킴으로써 형성되는 고형분층일 수 있다. 상기 제2 금속분리판(120)에 도포되는 슬러리는 금속성분 분말에 대한 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136) 성분 분말의 중량비가 1보다 작다. 기타의 사항은 실시예1에서 설명한 바에 준한다.
도6을 참조하면 공기극접합층 형성단계(S120)에서는 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136)의 일측면에 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136) 성분을 포함하는 공기극접합층(144)이 형성된다. 공기극접합층(144)은 금속성분 분말 및 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136) 성분 분말을 포함하는 슬러리를 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136)의 일측면에 도포함으로써 형성되는 슬러리층이다. 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136)에 도포되는 슬러리는 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136) 성분 분말에 대한 금속성분 분말의 중량비가 1보다 작게 한다. 기타의 사항은 실시예1에서 설명한 바에 준한다.
도6을 참조하면 매개 슬러리층 형성단계(S130)에서는 고형분층인 제2 분리판접합층(142)에 매개 슬러리층(146)이 형성된다. 매개 슬러리층(146)은 고형분층인 제2 분리판접합층(142)에 상기 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136)에 도포되는 슬러리와 동일한 슬러리를 도포함으로써 형성된다. 기타의 사항은 실시예1에서 설명한 바에 준한다.
도6을 참조하면 적층단계(S140)에서는 제2 분리판접합층(142) 및 공기극접합층(144)이 제2 금속분리판(110)과 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136)을 접착시키는 다층으로 이루어지는 접합층(140)의 일측 외각층 및 타측 외각층을 이루도록 적층된다. 한편, 적층단계(S140)에서는 공기극접합층(144)인 슬러리층과 매개 슬러리층(146)이 직접 접촉하도록 적층될 수 있다.
소결단계(S150)에서는 접합층(140)을 통하여 제2 금속분리판(120) 및 세라믹셀(130)의 공기극(cathode)(136)이 상호 접착되도록 상기 적층된 접합층(140)이 소결된다. 소결단계(S150)는 공기분위기 또는 환원분위기가 가능한 소결로 내에서 수행된다. 공기분위기란 소결로 내에 공기가 공급된 상태를 가르키고, 환원분위기란 소결로 내에 수소, 질소, 아르곤 등의 환원가스가 공급된 상태를 가르킨다. 기타의 사항은 실시예1에서 설명한 바에 준한다.