KR101017550B1 - Photosensitive resin laminate - Google Patents

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Abstract

고해상성 및 고밀착성을 발현하여 레지스트 패턴의 사이드 월에 덜컥거림이 없고, 레지스트 패턴의 표면에 함몰이 없으며, 또한 해상 후의 늘어짐이 매우 작은 특성을 갖는 감광성 수지 적층체에 있어서, 지지 필름 박리성에 문제가 없는 감광성 수지 적층체를 제공한다. 지지 필름 상에, 층 두께가 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하인 중간체와, 감광성 수지층을 순차 적층시켜 이루어지는 감광성 수지 적층체로서, 그 중간층이, 폴리비닐알코올과 특정한 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 적층체를 사용한다. In the photosensitive resin laminate having high characteristics and high adhesion, no splattering on the sidewall of the resist pattern, no depressions on the surface of the resist pattern, and very small sagging after resolution, problems in supporting film peelability It provides a photosensitive resin laminate having no. A photosensitive resin laminate obtained by sequentially laminating an intermediate having a layer thickness of 0.1 µm to 10 µm and a photosensitive resin layer on a supporting film, wherein the intermediate layer contains polyvinyl alcohol and a specific compound. A resin laminate is used.

Description

감광성 수지 적층체{PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE}Photosensitive resin laminated body {PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE}

본 발명은 감광성 수지 적층체 및 그 용도에 관한 것이다. 상세하게는, 도체 패턴을 갖는 프린트 배선판, 플렉시블 기판, 리드프레임 기판, COF (Chip On Film) 용 기판, 반도체 패키지용 기판의 제조 및 도체 패턴으로서 액정용 투명 전극, 액정을 구동시키기 위한 TFT (Thin Film Transistor) 용 배선, PDP (Plasma Display Panel) 용 전극을 갖는 기판의 제조에 적절한 감광성 수지 적층체, 그것을 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법, 그리고 도체 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin laminate and its use. Specifically, a printed wiring board having a conductor pattern, a flexible substrate, a lead frame substrate, a substrate for a chip on film (COF), a substrate for a semiconductor package, and a transparent electrode for a liquid crystal as a conductor pattern, a TFT (Thin for driving a liquid crystal) The photosensitive resin laminated body suitable for manufacture of the board | substrate which has the wiring for film transistors, the electrode for plasma display panels (PDP), the formation method of the resist pattern using the same, and the manufacturing method of a conductor pattern.

전자 기기, 예를 들어 PC 나 휴대 전화에는 부품이나 반도체의 실장 기판으로서, 예를 들어 프린트 배선판이 사용된다. 프린트 배선판을 제조하기 위해서 사용되는 레지스트로는, 종래부터 지지 필름 상에 감광성 수지층을 적층시키고, 필요에 따라 추가로 그 감광성 수지층 상에 보호층을 적층시켜 이루어지는 감광성 수지 적층체, 이른바 드라이 필름 레지스트가 사용되고 있다.In an electronic device, for example, a PC or a mobile telephone, for example, a printed wiring board is used as a board for mounting a component or a semiconductor. As a resist used in order to manufacture a printed wiring board, the photosensitive resin layer which has conventionally laminated | stacked the photosensitive resin layer on a support film, and further laminated | stacked the protective layer on the photosensitive resin layer as needed, what is called a dry film, is mentioned. A resist is used.

여기에서 사용되는 감광성 수지층으로는, 현재 현상액으로서 약알칼리 수용액을 사용하는 알칼리 현상형의 것이 일반적이다. As a photosensitive resin layer used here, the thing of alkali developing type which uses weak alkaline aqueous solution as a developing solution is common now.

드라이 필름 레지스트를 사용하여 프린트 배선판을 제작하는 일반적인 방법을 간단히 서술한다. 먼저, 보호층이 있는 경우에는 보호층을 박리한다. 그 후, 영구 회로 제조용 기판, 예를 들어 동장(銅張) 적층판이나 플렉시블 기판에 라미네이터를 사용하여, 지지 필름과 일체로 된 감광성 수지층을 라미네이트한다. 다음으로, 배선 패턴 마스크 필름을 통해 노광을 실시한다. 노광 방식은 용도에 따라 다양화되어 있다. 포토 마스크를 필요로 하지 않는 마스크리스 노광, 예를 들어 레이저에 의한 직접 묘화의 방식도 있다. 이어서, 지지 필름이 남아 있는 경우에는 이것을 박리하여, 현상액에 의해 미노광 부분의 감광성 수지층을 용해 또는 분산 제거하여 기판 상에 경화된 레지스트 패턴 (이하, 레지스트 패턴이라고 약칭) 을 형성시킨다.A general method for producing a printed wiring board using dry film resist is briefly described. First, when there is a protective layer, a protective layer is peeled off. Then, the photosensitive resin layer integrated with a support film is laminated using a laminator for the board | substrate for permanent circuit manufacture, for example, a copper clad laminated board and a flexible board | substrate. Next, exposure is performed through the wiring pattern mask film. The exposure method is diversified according to the use. There is also a method of maskless exposure which does not require a photo mask, for example, direct drawing by a laser. Subsequently, when the support film remains, it is peeled off, and the photosensitive resin layer of the unexposed part is melt | dissolved or disperse | distributed with a developing solution, and the hardened resist pattern (henceforth a resist pattern is abbreviated) is formed on a board | substrate.

레지스트 패턴 형성 후, 회로를 형성시키는 프로세스는 크게 2 가지의 방법으로 나뉜다. 제 1 방법은 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 기판의 동면(銅面)을 에칭 제거한 후, 레지스트 패턴 부분을 현상액보다 강한 알칼리 수용액으로 제거하는 방법 (에칭법) 이다. 제 2 방법은 기판의 동면에 구리, 땜납, 니켈을 사용한 도금 처리를 한 후, 레지스트 패턴 부분을 제거하고, 다시 나타난 기판의 동면을 에칭하는 방법 (도금법) 이다. 에칭에는 염화 제 2 구리, 염화 제 2 철, 구리 암모니아 착물 용액이 사용된다.After forming the resist pattern, the process of forming the circuit is largely divided into two methods. A 1st method is the method (etching method) of removing the resist pattern part with aqueous alkali solution stronger than a developing solution, after etching away the copper surface of the board | substrate which is not covered by the resist pattern. The second method is a method (plating method) in which the copper surface of the substrate is plated using copper, solder, and nickel, followed by removing the resist pattern portion and etching the copper surface of the substrate again. For etching, a cupric chloride, ferric chloride, copper ammonia complex solution is used.

또, 최근, 프린트 배선판의 도체 패턴의 미세화 요망에 대응하기 위해, 레지스트 패턴의 고해상성 및 밀착성이 요구되고 있다 (특허 문헌 1). 고해상성은 일반적으로는 감광성 수지 조성물의 가교 밀도를 향상시킴으로써 달성되는데, 가교 밀도를 향상시키면 노광 후의 레지스트 패턴이 딱딱해져 깨지기 쉬워져, 현상 공정부터 에칭이나 도금 공정까지의 반송 공정에서 레지스트 패턴의 일부가 결락된다는 문제점이 발생하는 경우가 있다. 또, 특히 감광성 수지층의 막 두께가 10㎛ 이하인 박막에서는, 노광시에 광이 기재 표면에서 반사되어, 미노광이어야 할 감광성 수지층까지도 감광되어 버리는 경우가 있다. 이 감광되어 버린 부분이 레지스트 패턴에 반영되기 때문에 쇼트의 원인이 되기도 한다. 또, 노광시에 광이 기재 표면에서 반사됨으로써, 레지스트 패턴의 저면은 늘어짐이라는 현상 잔사가 발생하는 경우가 있다. 늘어짐이 발생하면, 그 크기에 따라 다르기도 하지만 에칭 공정에서 구리 회로에 덜컥거림이 발생한다는 문제가 발생하는 경우가 있다. Moreover, in order to respond to the request of refinement | miniaturization of the conductor pattern of a printed wiring board, the high resolution and adhesiveness of a resist pattern are calculated | required in recent years (patent document 1). The high resolution is generally achieved by improving the crosslinking density of the photosensitive resin composition. When the crosslinking density is improved, the resist pattern after exposure becomes hard and brittle, and part of the resist pattern is removed during the transfer process from the developing process to the etching or plating process. There is a problem of missing. Moreover, especially in the thin film whose film thickness of the photosensitive resin layer is 10 micrometers or less, light may be reflected at the surface of a base material at the time of exposure, and even the photosensitive resin layer which should be unexposed may be photosensitive. The part which has been exposed to light is reflected in the resist pattern, which may cause a short. Moreover, when light is reflected by the surface of a base material at the time of exposure, the development residue that the bottom face of a resist pattern hangs may generate | occur | produce. When sagging occurs, the size may vary depending on the size, but there may be a problem that rattles occur in the copper circuit in the etching process.

드라이 필름 레지스트의 지지 필름으로는 일반적으로 폴리에스테르 필름이 사용된다. 폴리에스테르 필름 내에는 미량 성분, 예를 들어 활제가 함유되어 있다. 이 미량 성분에 의해, 노광시에 매우 미소한 일부분이 차광된다는 현상이 일어난다. 이 결과로서, 레지스트 패턴의 사이드 월 (측벽) 이나 레지스트 패턴에 있어서의 기판과 대향하는 면 (표면) 에 덜컥거림이나 함몰을 발생시키는 경우가 있다. 특히, 도체 패턴 폭이 10㎛ 이하의 미세 배선을 형성하는 경우에는, 이 영향을 무시할 수 없다. Generally as a support film of dry film resist, a polyester film is used. The polyester film contains a trace component, for example a lubricant. This trace component causes a phenomenon that a very minute portion is shielded from light during exposure. As a result of this, there are cases in which a flaw or depression occurs in the sidewall (side wall) of the resist pattern or the surface (surface) facing the substrate in the resist pattern. In particular, in the case of forming a fine wiring having a conductor pattern width of 10 µm or less, this influence cannot be ignored.

고해상성을 달성하는 다른 수단으로는, 지지 필름과 감광성 수지층 사이에 폴리비닐알코올로 이루어지는 중간층을 형성하는 수법이 알려져 있다. 노광 공정 전에 지지 필름을 박리하여 중간층 상에서 노광함으로써, 고해상도 및 지지 필름에 함유되는 미량 성분에 의한 레지스트 패턴 형상에 대한 영향을 배제할 수 있다. 그러나, 중간층을 폴리비닐알코올 단독으로 형성하면, 지지 필름과의 박리성이나 알칼리 현상액에서의 용해성에 문제가 발생하는 경우가 있었다. As another means of achieving high resolution, a method of forming an intermediate layer made of polyvinyl alcohol between the supporting film and the photosensitive resin layer is known. By peeling a support film and exposing it on an intermediate | middle layer before an exposure process, the influence on the resist pattern shape by the trace component contained in a high resolution and a support film can be excluded. However, when the intermediate layer is formed of polyvinyl alcohol alone, problems may arise in peelability with the support film or solubility in an alkaline developer.

특허 문헌 2 에는, 폴리비닐알코올과 히드록시에틸셀룰로오스를 함유하는 중간층을 형성한다는 기술이 개시되어 있다. 단, 이 기술에서는 지지 필름과 중간층 사이에서 필름의 박리성을 제어하는 것이 매우 곤란하여 중간층 조성에 연구가 필요하다. Patent Document 2 discloses a technique for forming an intermediate layer containing polyvinyl alcohol and hydroxyethyl cellulose. However, in this technique, it is very difficult to control the peelability of a film between a support film and an intermediate | middle layer, and research is needed for an intermediate | middle layer composition.

특허 문헌 3 에는, 중간층에는 옥시프로필렌기 함유 폴리비닐알코올계 수지를 사용하고, 감광성 수지층에는 다가 알코올의 (메트)아크릴산 부분 에스테르를 함유하는 기술이 나타나 있다. 특허 문헌 4 에는, 중간층이, 올레핀을 특정량 공중합한 폴리비닐알코올, 중합도 4000 이상의 폴리에틸렌옥사이드, 카르복실기 함유 아크릴레이트 수지 및 2 염기산과 올레핀의 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 주성분으로 하는 기술이 개시되어 있는데, 이들 방법으로도 고해상도나 고밀착성, 현상 후의 레지스트 패턴의 늘어짐 문제에 관해서는 해결되지 않았다. In patent document 3, the technique in which the oxypropylene group containing polyvinyl alcohol-type resin is used for an intermediate | middle layer, and the (meth) acrylic acid partial ester of polyhydric alcohol is shown in the photosensitive resin layer. Patent document 4 has an intermediate layer whose main component is at least 1 type selected from the group which consists of polyvinyl alcohol which copolymerized a specific amount of olefin, polyethylene oxide of 4000 degree or more of polymerization degree, a carboxyl group-containing acrylate resin, and a copolymer of dibasic acid and an olefin. Although the technique is disclosed, these methods have not solved the problem of sagging of the resist pattern after high resolution, high adhesion, and development.

미세한 도체 패턴을 갖는 프린트 배선판의 제작, 박막이며 고해상성이 필요한 C0F 용 기판의 제작, 반도체 패키지용 기판의 제작에는, 고해상성을 발현하고, 현상 후의 레지스트 패턴 형상에 있어서 그 사이드 월에 덜컥거림이 없고, 그 표면에 함몰이 발생되지 않으며, 또한 현상 후의 늘어짐이 매우 작은 특성을 갖는 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체가 요구되어 왔다.The production of a printed wiring board having a fine conductor pattern, the production of a C0F substrate requiring a high resolution and a thin film, and the production of a substrate for a semiconductor package exhibit high resolution, and a rattling of the sidewall in the shape of a resist pattern after development. There has been a demand for a photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate in which the surface is free of depressions, and the sagging after development is very small.

특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2001-159817호 Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-159817

특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 소63-197942호 Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-197942

특허 문헌 3 : 일본 공개특허공보 평4-371957호 Patent document 3: Unexamined-Japanese-Patent No. 4-371957

특허 문헌 4 : 일본 공개특허공보 평6-242611호 Patent document 4: Unexamined-Japanese-Patent No. 6-242611

발명의 개시 DISCLOSURE OF INVENTION

발명이 해결하고자 하는 과제Problems to be Solved by the Invention

본 발명은 고해상성 및 고밀착성을 발현하고, 레지스트 패턴의 사이드 월에 덜컥거림이 없고, 레지스트 패턴의 표면에 함몰이 없으며, 또한 현상 후의 늘어짐이 매우 작은 특성을 갖는 감광성 수지 적층체로서, 지지 필름 박리성에 문제가 없는 감광성 수지 적층체를 제공하는 것, 그리고 그 적층체를 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법, 및 도체 패턴의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a support film as a photosensitive resin laminate, which exhibits high resolution and high adhesion, has no splattering on the sidewall of the resist pattern, no depression on the surface of the resist pattern, and has a very small sagging after development. It aims at providing the photosensitive resin laminated body which does not have a problem in peelability, the formation method of the resist pattern using this laminated body, and the manufacturing method of a conductor pattern.

과제를 해결하기 위한 수단Means to solve the problem

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 검토한 결과, 특정한 감광성 수지 적층체를 사용함으로써, 지지 필름의 박리성에 문제가 없이, 현상 후, 고해상성 및 고밀착성을 발현하고, 레지스트 패턴의 사이드 월에 덜컥거림이 없고, 레지스트 패턴의 표면에 함몰이 없으며, 현상 후의 늘어짐이 매우 작은 감광성 수지 적층체를 제공하는 것이 가능한 것을 알아내어 본 발명에 이르렀다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of examining in order to solve the said subject, by using a specific photosensitive resin laminated body, there existed no problem in the peelability of a support film, and after image development, it expressed high resolution and high adhesiveness, and was loosened to the sidewall of a resist pattern. It has been found that it is possible to provide a photosensitive resin laminate which has no roughness, no depression on the surface of the resist pattern, and very small sagging after development, and has thus reached the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 감광성 수지 적층체, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 도체 패턴의 제조 방법의 발명이다. That is, this invention is invention of the following photosensitive resin laminated bodies, the resist pattern formation method, and the manufacturing method of a conductor pattern.

(1) 지지 필름, 그리고 그 지지 필름 상에 층 두께가 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하인 중간층 및 감광성 수지층을 이 순서로 포함하여 이루어지는 감광성 수지 적층체로서, 그 중간층이 폴리비닐알코올과 하기 일반식 (I) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 감광성 수지 적층체. (1) A photosensitive resin laminate comprising, in this order, an intermediate layer having a layer thickness of 0.1 µm to 10 µm and a photosensitive resin layer on the supporting film and the supporting film, wherein the intermediate layer is polyvinyl alcohol and the following general formula ( Said photosensitive resin laminated body containing 1 or more types of compounds chosen from the group which consists of a compound represented by I).

R1-O-(CH2CH2O)n1-R2 (I) R 1 -O- (CH 2 CH 2 O) n 1 -R 2 (I)

(R1 및 R2 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, n1 은 3 ∼ 25 의 정수이다) (R 1 and R 2 Is H or CH 3 , these may be the same or different, n 1 is an integer of 3 to 25)

(2) 상기 감광성 수지층 상에 추가로 보호층을 적층시켜 이루어지는 (1) 에 기재된 감광성 수지 적층체. (2) The photosensitive resin laminated body as described in (1) which laminates a protective layer further on the said photosensitive resin layer.

(3) 상기 감광성 수지층이, (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ∼ 600 이며, 중량 평균 분자량이 5000 ∼ 500000 인 바인더용 수지 : 20 ∼ 90 질량%, (b) 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물 : 3 ∼ 70 질량%, (c) 광중합 개시제 : 0.1 ∼ 20 질량% 를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층인 (1) 또는 (2) 에 기재된 감광성 수지 적층체. (3) Resin for binders whose said photosensitive resin layer is (a) carboxyl group content is 100-600 in acid equivalent, and a weight average molecular weight is 5000-50000: 20-90 mass%, (b) At least 1 sort (s) of photopolymerization is possible Unsaturated compound: 3-70 mass%, (c) Photoinitiator: The photosensitive resin laminated body as described in (1) or (2) which is a layer which consists of a photosensitive resin composition containing 0.1-20 mass%.

(4) 상기 (a) 바인더용 수지가, 벤질(메트)아크릴레이트를 공중합 성분으로서 함유하는 (3) 에 기재된 감광성 수지 적층체. (4) Photosensitive resin laminated body as described in (3) in which said resin for binder (a) contains benzyl (meth) acrylate as a copolymerization component.

(5) 상기 (b) 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물이 하기 일반식 (Ⅱ) ∼ (Ⅵ) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물인 (3) 또는 (4) 에 기재된 감광성 수지 적층체.(5) (3) or (4) wherein (b) at least one photopolymerizable unsaturated compound is at least one photopolymerizable unsaturated compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (II) to (VI): Photosensitive resin laminated body of description.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112008058843022-pct00001
Figure 112008058843022-pct00001

(식 중, R4 및 R5 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ∼ 20 의 정수이다) (Wherein, R 4 and R 5 are H or CH 3 , which may be the same or different, and n 2 , n 3 and n 4 are each independently an integer of 3 to 20)

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112008058843022-pct00002
Figure 112008058843022-pct00002

(식 중, R6 및 R7 은 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, A 는 C2H4, B 는 CH2CH(CH3), n6 + n7 은 2 ∼ 40 의 정수, n8 + n9 는 0 ∼ 40 의 정수, n6 및 n7 은 각각 독립적으로 1 ∼ 39 의 정수, n8 및 n9 는 각각 독립적으로 0 ∼ 40 의 정수이다. -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 순서는 어느 하나가 비스페닐기측이어도 된다) (Wherein R 6 and R 7 are H or CH 3 , these may be the same or different, A is C 2 H 4 , B is CH 2 CH (CH 3 ), n 6 + n 7 is an integer from 2 to 40, n 8 9 + n is an integer of 0 to 40, n 6 and n 7 is 1 to 39 are each independently an integer, n 8 and n 9 are each independently an integer from 0 to 40. The arrangement of repeating units of-(AO)-and-(BO)-may be random or block. In the case of blocks, the order of-(AO)-and-(BO)-may be the bisphenyl group side)

[화학식 3](3)

Figure 112008058843022-pct00003
Figure 112008058843022-pct00003

(식 중, R8 및 R9 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, D 는 C2H4, E 는 CH2CH(CH3), m1 + m2 는 2 ∼ 40 의 정수, m3 + m4 는 0 ∼ 40 의 정수, m1 및 m2 는 각각 독립적으로 1 ∼ 39 의 정수, m3 및 m4 는 각각 독립적으로 0 ∼ 40 의 정수이다. -(D-O)- 및 -(E-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(D-O)- 및 -(E-O)- 의 순서는 어느 하나가 시클로헥실기측이어도 된다) Wherein R 8 and R 9 are H or CH 3 Which may be the same or different, D is C 2 H 4 , E is CH 2 CH (CH 3 ), m 1 + m 2 is an integer of 2 ~ 40, m 3 + m 4 is an integer of 0 to 40, m 1 and m 2 are each independently an integer of 1 to 39, and m 3 and m 4 are each independently an integer of 0 to 40. The arrangement of the repeating units of-(DO)-and-(EO)-may be random or block. In the case of a block, the order of-(DO)-and-(EO)-may be one of the cyclohexyl group side)

[화학식 4] [Formula 4]

Figure 112008058843022-pct00004
Figure 112008058843022-pct00004

(식 중, R10 은 탄소수 4 ∼ 12 의 2 가의 유기기, R11 및 R12 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일해도 되고 상이해도 된다. m5 및 m6 은 각각 독립적으로 1 ∼ 15 의 정수이다) (Wherein, R 10 are carbon atoms, a divalent organic group, R 11 and R 12 of 4 to 12 is H or CH 3, which may be the same or different. M 5 and m 6 is from 1 to 15 are each independently Is an integer)

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112008058843022-pct00005
Figure 112008058843022-pct00005

(식 중, R13 은 H 또는 CH3, R14 는 탄소수 4 ∼ 14 의 알킬기, A' 는 C2H4, B' 는 CH2CH(CH3), m7 은 1 ∼ 12, m8 은 0 ∼ 12, m9 는 0 ∼ 3 의 정수이다. -(A'-O)- 및 -(B'-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(A'-O)- 및 -(B'-O)- 의 순서는 어느 하나가 페닐기측이어도 된다) (Wherein R 13 is H or CH 3 , R 14 is an alkyl group having 4 to 14 carbon atoms, A 'is C 2 H 4 , B' is CH 2 CH (CH 3 ), m 7 is 1-12, m 8 Is 0-12 and m 9 is an integer of 0 to 3. The array of repeating units of-(A'-O)-and-(B'-O)-may be random or a block. The order of A'-O)-and-(B'-O)-may be the phenyl group side)

(6) (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 적층체를 금속판, 또는 금속 피복 절연판의 표면에 라미네이트하는 라미네이트 공정, 지지 필름을 박리하여 노광하는 노광 공정, 현상에 의해 미노광부를 제거하는 현상 공정을 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성 방법. (6) The unexposed part by the lamination process of laminating the photosensitive resin laminated body in any one of (1)-(5) to the surface of a metal plate or a metal clad insulation board, the exposure process which peels and exposes a support film, and develops. A method of forming a resist pattern comprising a developing step of removing in order.

(7) (6) 에 기재된 방법에 의해, 레지스트 패턴을 형성한 기판을 에칭 또는 도금하는 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조 방법. (7) The method of manufacturing a conductor pattern, wherein the substrate on which the resist pattern is formed is etched or plated by the method described in (6).

발명의 효과Effects of the Invention

본 발명에 의하면, 지지 필름의 박리성에 문제가 없이, 현상 후, 고해상성 및 고밀착성을 발현하여 레지스트 패턴의 사이드 월에 덜컥거림이 없고, 레지스트 패턴의 표면에 함몰이 없으며, 현상 후의 늘어짐이 매우 작은 감광성 수지 적층체를 제공하는 것, 그리고 그 적층체를 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법 및 도체 패턴의 제조 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, there is no problem in the peelability of the support film, and after development, it exhibits high resolution and high adhesiveness, there is no splattering on the sidewall of the resist pattern, no depression on the surface of the resist pattern, and sagging after development is very high. Providing a small photosensitive resin laminated body, the formation method of the resist pattern using this laminated body, and the manufacturing method of a conductor pattern can be provided.

도 1 은 본 발명 (상기 제 (1) 항) 의 감광성 수지 적층체의 개략도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram of the photosensitive resin laminated body of this invention (the said (1) item).

도 2 는 본 발명 (상기 제 (2) 항) 의 감광성 수지 적층체의 개략도이다. 부호의 설명 Fig. 2 is a schematic diagram of the photosensitive resin laminate of the present invention (above (2)). Explanation of the sign

1 지지 필름1 support film

2 중간층 2 mezzanine

3 감광성 수지층 3 photosensitive resin layer

4 보호층 4 protective layer

발명을 실시하기Carrying out the invention 위한 최선의 형태 Best form for

이하, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated concretely.

본 발명의 감광성 수지 적층체는 지지 필름 상에, 층 두께가 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하인 중간층, 감광성 수지층을 순차 적층시켜 이루어지는 감광성 수지 적층체이다. The photosensitive resin laminated body of this invention is a photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking the intermediate | middle layer and photosensitive resin layer which layer thickness is 0.1 micrometer-10 micrometers sequentially on a support film.

본 발명의 감광성 수지 적층체는 그 중간층이, 폴리비닐알코올과, 하기 일반식 (I) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. The photosensitive resin laminated body of this invention is characterized in that the intermediate | middle layer contains polyvinyl alcohol and 1 or more types of compounds chosen from the group which consists of a compound represented by following General formula (I).

R1-O-(CH2CH2O)n1-R2 (I) R 1 -O- (CH 2 CH 2 O) n 1 -R 2 (I)

(R1 및 R2 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, n1 은 3 ∼ 25 의 정수이다) (R 1 and R 2 are H or CH 3 , these may be the same or different, n 1 is an integer of 3 to 25)

폴리비닐알코올의 중간층 내의 배합 중량 비율로는, 현상성 및 비용의 관점에서 50 질량% 이상 95 질량% 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 70 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 75 질량% 이상, 90 질량% 이하이다.As a compounding weight ratio in the intermediate | middle layer of polyvinyl alcohol, it is preferable that they are 50 mass% or more and 95 mass% or less from a viewpoint of developability and cost. More preferably, they are 70 mass% or more, More preferably, they are 75 mass% or more and 90 mass% or less.

일반식 (I) 의 화합물의 중간층 내의 배합 중량 비율로는, 지지 필름과 중간층의 박리성의 관점에서 5 질량% 이상 50 질량% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 질량% 이상 30 질량% 이하이며, 더욱 바람직하게는 5 질량% 이상 15 질량% 이하이다. As a compounding weight ratio in the intermediate | middle layer of the compound of General formula (I), 5 mass% or more and 50 mass% or less are preferable from a peelable viewpoint of a support film and an intermediate layer, More preferably, they are 5 mass% or more and 30 mass% or less. More preferably, they are 5 mass% or more and 15 mass% or less.

폴리비닐알코올은 폴리아세트산비닐을 알칼리 비누화하여 제조하는 것이 일반적이다. 본 발명에 사용되는 폴리비닐알코올의 중량 평균 분자량은 1,000 ∼ 100,000 이 바람직하다. 보다 바람직한 중량 평균 분자량은 산소 차단성, 현상 성의 관점에서 5,000 ∼ 50,000 이다. 또, 비누화도는 현상성의 관점에서 50 몰% 이상이 바람직하고, 바람직하게는 70 몰% 이상, 보다 바람직하게는 80 몰% 이상이다. Polyvinyl alcohol is generally produced by alkali saponification of polyvinyl acetate. As for the weight average molecular weight of the polyvinyl alcohol used for this invention, 1,000-100,000 are preferable. More preferable weight average molecular weights are 5,000-50,000 from an oxygen barrier property and developability. Moreover, as for saponification degree, 50 mol% or more is preferable from a developable viewpoint, Preferably it is 70 mol% or more, More preferably, it is 80 mol% or more.

본 발명의 감광성 수지 적층체에 사용되는 폴리비닐알코올의 중량 평균 분자량은 닛폰 분광 (주) 제조의 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) (펌프 : Gulliver, PU-1580 형, 칼럼 : 쇼와 전공 (주) 제조의 Shodex (등록 상표) (HFIP-805, HFIP-803) 2 개 직렬, 이동층 용매 : 헥사플루오로이소프로판올, 폴리스티렌 표준 샘플에 의한 검량선 사용) 에 의해 중량 평균 분자량 (폴리스티렌 환산) 으로서 구해진다. The weight average molecular weight of the polyvinyl alcohol used for the photosensitive resin laminate of the present invention is gel permeation chromatography (GPC) manufactured by Nippon Spectro Co., Ltd. (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Showa Electric Co., Ltd.) It is calculated | required as a weight average molecular weight (polystyrene conversion) by Shodex (trademark) (HFIP-805, HFIP-803) of 2 production lines, a moving bed solvent: hexafluoroisopropanol, and a calibration curve by a polystyrene standard sample.

상기 일반식 (I) 로 나타내는 화합물은 악취의 면에서 n1 은 3 이상이 바람직하고, 폴리비닐알코올과의 상용성 및 현상성의 관점에서 n1 은 25 이하가 바람직하다. n1 은 보다 바람직하게는 5 이상 20 이하, 더욱 바람직하게는 7 이상 15 이하이다. 상기 일반식 (I) 로 나타내는 화합물의 구체예로서, 평균 분자량이 200 인 폴리에틸렌글리콜 (닛폰 유지 주식회사 제조 PEG200), 평균 분자량이 300 인 폴리에틸렌글리콜 (닛폰 유지 주식회사 제조 PEG300, 평균 분자량이 400 인 폴리에틸렌글리콜 (닛폰 유지 주식회사 제조 PEG400), 평균 분자량이 600 인 폴리에틸렌글리콜 (닛폰 유지 주식회사 제조 PEG600), 평균 분자량이 1000 인 폴리에틸렌글리콜 (닛폰 유지 주식회사 제조 PEG1000) 이나 평균 분자량 400 인 폴리에틸렌글리콜모노메틸에테르 (닛폰 유지 주식회사 제조의 유니옥스 M-400), 평균 분자량 550 인 폴리에틸렌글리콜모노메틸에테르 (닛폰 유지 주식회사 제조 유니옥스 M- 550), 평균 분자량 1000 인 폴리에틸렌글리콜모노메틸에테르 (닛폰 유지 주식회사 제조 유니옥스 M-1000) 가 있다. As for the compound represented by the said General formula (I), n <1> is preferable at least 3 from a viewpoint of a bad smell, and n <1> is 25 or less from a viewpoint of compatibility and developability with polyvinyl alcohol. n 1 becomes like this. More preferably, it is 5 or more and 20 or less, More preferably, it is 7 or more and 15 or less. Specific examples of the compound represented by the general formula (I) include polyethylene glycol having an average molecular weight of 200 (PEG200 manufactured by Nippon Oil and Fats Co., Ltd.), polyethylene glycol having an average molecular weight of 300 (PEG300 of Nippon Oil and Fats Co., Ltd., polyethylene glycol having an average molecular weight of 400). (PEG400 manufactured by Nippon Oil Holding Co., Ltd.), polyethylene glycol having an average molecular weight of 600 (PEG600 produced by Nippon Oil Holding Co., Ltd.), polyethylene glycol having an average molecular weight of 1000 (PEG1000 produced by Nippon Oil Holding Co., Ltd.) or polyethylene glycol monomethyl ether having an average molecular weight of 400 (Nippon Oil Holding Uniox M-400 manufactured by Co., Ltd., polyethylene glycol monomethyl ether having an average molecular weight of 550 (Niox M-550 manufactured by Nippon Oil Holding Co., Ltd.), polyethylene glycol monomethyl ether having an average molecular weight of 1000 (Unox M-1000 manufactured by Nippon Oil Corporation) )

또, 중간층에는 상기 이외에 공지된 수용성 폴리머를 첨가해도 된다. 수용성 폴리머의 구체예로는 폴리비닐에테르-무수 말레산 수용성 염류, 카르복시알킬전분 수용성 염류, 폴리아크릴아미드, 폴리아미드, 폴리아크릴산 수용성 염류, 젤라틴, 폴리프로필렌글리콜, 폴리비닐피롤리돈이 있다. 폴리비닐피롤리돈의 구체예로는, 주식회사 닛폰 쇼쿠바이 제조의 중량 평균 분자량이 40,000 인 K-15, 중량 평균 분자량이 100,000 인 K-30, 중량 평균 분자량 900,000 인 K-85, 중량 평균 분자량 1,000,000 인 K-90 이 있다. Moreover, you may add a well-known water-soluble polymer other than the above to an intermediate | middle layer. Specific examples of the water-soluble polymers include polyvinyl ether-maleic anhydride water soluble salts, carboxyalkyl starch water soluble salts, polyacrylamide, polyamide, polyacrylic acid water soluble salts, gelatin, polypropylene glycol, and polyvinylpyrrolidone. As a specific example of polyvinylpyrrolidone, K-15 with a weight average molecular weight of 40,000 by Nippon Shokubai Co., Ltd., K-30 with a weight average molecular weight of 100,000, K-85 with a weight average molecular weight of 900,000, and a weight average molecular weight of 1,000,000 There is K-90.

중간층의 층 두께는 해상도, 밀착성, 현상성의 관점에서 10㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 또, 산소 차단성의 관점에서 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상이다. As for the layer thickness of an intermediate | middle layer, 10 micrometers or less are preferable from a viewpoint of a resolution, adhesiveness, and developability, More preferably, it is 5 micrometers or less, More preferably, it is 3 micrometers or less. Moreover, it is 0.1 micrometer or more from a viewpoint of oxygen barrier property, Preferably it is 0.5 micrometer or more, More preferably, it is 1 micrometer or more.

본 발명에 있어서는 노광 전에 지지 필름을 박리하는 것이 고해상성을 달성하는 데 있어서 바람직하다. 노광 전에 지지 필름을 박리하는 경우에는, 지지 필름은 노광광을 투과시키는 투명한 것이어도 되고 불투명한 것이어도 된다. 본 발명에 있어서의 지지 필름으로는 두께 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 대표되는 합성 수지 필름이 있다. 통상, 적당한 가요성과 강도를 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트가 바람직하게 사용된다. 라미네이트시에 주름이 잘 발생되지 않게 하기 위해, 또 지지 필름의 파손을 방지하기 위해, 그 막 두께는 10㎛ 이상인 것이 바람직하다. In this invention, peeling a support film before exposure is preferable in achieving high resolution. When peeling a support film before exposure, a support film may be transparent or an opaque one which transmits exposure light. As a support film in this invention, there exists a synthetic resin film represented by polyethylene, a polypropylene, a polycarbonate, polyethylene terephthalate of 10 micrometers-100 micrometers in thickness. Usually, polyethylene terephthalate having suitable flexibility and strength is preferably used. In order to prevent wrinkles from occurring during lamination and to prevent breakage of the support film, the film thickness is preferably 10 µm or more.

본 발명의 감광성 수지 적층체는 중간층이 상기 구성을 채용함으로써, 지지 필름의 박리성이 우수하다. 즉, 노광 공정 전에 지지 필름을 박리할 때에, 지지 필름과 중간층의 층간 접착력이 중간층과 감광성 수지층보다 낮은 감광성 수지 적층체이다. The photosensitive resin laminated body of this invention is excellent in the peelability of a support film because an intermediate | middle layer employ | adopts the said structure. That is, when peeling a support film before an exposure process, the interlayer adhesive force of a support film and an intermediate | middle layer is a photosensitive resin laminated body lower than an intermediate | middle layer and the photosensitive resin layer.

또, 본 발명의 감광성 수지 적층체로는, 지지 필름 상에 중간층과 감광성 수지층을 순차 적층시킨 후에 추가로 보호층을 적층시켜도 된다. Moreover, as a photosensitive resin laminated body of this invention, you may laminate | stack a protective layer further, after laminating | stacking an intermediate | middle layer and the photosensitive resin layer on a support film one by one.

보호층의 특성으로는 감광성 수지층과 보호층 사이의 층간 접착력이, 지지 필름과 중간층 사이의 층간 접착력보다 낮은 것이 중요하고, 이로써 라미네이트시에 보호층을 용이하게 박리할 수 있다. As a characteristic of a protective layer, it is important that the interlayer adhesive force between the photosensitive resin layer and a protective layer is lower than the interlayer adhesive force between a support film and an intermediate | middle layer, and can easily peel a protective layer at the time of lamination by this.

보호층으로는 10 ∼ 100㎛ 두께의 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 대표되는 합성 수지 필름이 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌 필름 또는 폴리프로필렌 필름이 바람직하게 사용된다. As a protective layer, there exists a synthetic resin film represented by polyethylene, a polypropylene, a polycarbonate, polyethylene terephthalate of 10-100 micrometers thick. Especially, a polyethylene film or a polypropylene film is used preferably.

본 발명의 감광성 수지층의 막 두께의 상한은 100㎛ 이하가 바람직하고, 50㎛ 이하가 보다 바람직하고, 30㎛ 이하가 더욱 바람직하며, 10㎛ 이하가 가장 바람직하다. 막 두께의 하한은 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 또한 1㎛ 이상이 바람직하다. 100 micrometers or less are preferable, as for the upper limit of the film thickness of the photosensitive resin layer of this invention, 50 micrometers or less are more preferable, 30 micrometers or less are more preferable, and 10 micrometers or less are the most preferable. 0.5 micrometer or more is preferable and, as for the minimum of a film thickness, 1 micrometer or more is preferable.

본 발명의 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지층은 (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ∼ 600 이며, 중량 평균 분자량이 5000 ∼ 500000 인 바인더용 수지 : 20 ∼ 90 질량%, (b) 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물 : 3 ∼ 70 질량%, (c) 광중합 개시제 : 0.1 ∼ 20 질량% 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층인 것이 바람직하다. The photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminated body of this invention is (a) resin for binders whose carboxyl group content is 100-600 in acid equivalent, and a weight average molecular weight is 5000-50000: 20-90 mass%, (b) at least It is preferable that it is a layer which consists of a photosensitive resin composition containing 1 type of photopolymerizable unsaturated compounds: 3-70 mass% and (c) photoinitiator: 0.1-20 mass%.

본 발명의 감광성 수지 적층체에 사용되는 감광성 수지 조성물을 이하에 상세히 설명한다. The photosensitive resin composition used for the photosensitive resin laminated body of this invention is demonstrated in detail below.

(a) 바인더용 수지에 함유되는 카르복실기의 양은 산 당량으로 100 ∼ 600 이 바람직하고, 보다 바람직하게는 250 ∼ 450, 더욱 바람직하게는 300 ∼ 450 이다. 산 당량이란, 그 중에 1 당량의 카르복실기를 갖는 바인더용 수지의 질량을 말한다. (a) As for the quantity of the carboxyl group contained in resin for binders, 100-600 are preferable in acid equivalent, More preferably, it is 250-450, More preferably, it is 300-450. An acid equivalent means the mass of resin for binder which has a 1 equivalent carboxyl group in it.

바인더용 수지 내의 카르복실기는 감광성 수지층에 알칼리 수용액에 대한 현상성이나 박리성을 부여하기 위해서 필요하다. 산 당량은 현상 내성, 해상성 및 밀착성의 관점에서 100 이상이 바람직하고, 현상성 및 박리성의 관점에서 600 이하가 바람직하다. The carboxyl group in resin for binders is necessary in order to provide developability and peelability with respect to aqueous alkali solution to the photosensitive resin layer. The acid equivalent is preferably 100 or more from the viewpoint of development resistance, resolution and adhesion, and preferably 600 or less from the viewpoint of developability and peelability.

(a) 바인더용 수지의 중량 평균 분자량은 5,000 ∼ 500,000 인 것이 바람직하다. 바인더용 수지의 중량 평균 분자량은 해상성의 관점에서 500,000 이하가 바람직하고, 에지 퓨즈의 관점에서 5000 이상이 바람직하다. 본 발명의 효과를 더욱 잘 발휘하기 위해서는, 바인더용 수지의 중량 평균 분자량은 5,000 ∼ 200,000 인 것이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5,000 ∼ 100,000 이다. 분산도 (분자량 분포라고 하는 경우도 있다) 는 하기 식의 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비로 나타낸다. (a) It is preferable that the weight average molecular weights of resin for binders are 5,000-500,000. As for the weight average molecular weight of resin for binders, 500,000 or less are preferable from a viewpoint of resolution, and 5000 or more are preferable from a viewpoint of an edge fuse. In order to exhibit the effect of this invention better, it is more preferable that the weight average molecular weights of resin for binders are 5,000-200,000, More preferably, it is 5,000-100,000. Dispersion degree (it may be called molecular weight distribution) is represented by the ratio of the weight average molecular weight and number average molecular weight of the following formula.

(분산도) = (중량 평균 분자량) / (수평균 분자량). (Dispersity) = (weight average molecular weight) / (number average molecular weight).

분산도는 1 ∼ 6 정도의 것이 사용되고, 바람직하게는 1 ∼ 4 이다. As for dispersion degree, the thing of about 1-6 is used, Preferably it is 1-4.

또한, 산 당량의 측정은 히라누마 산업 (주) 제조의 히라누마 자동 적정 장치 (COM-555) 를 사용하여, 0.1㏖/ℓ 의 수산화나트륨 수용액을 사용하여 전위차 적정법에 의해 실시된다.In addition, the measurement of acid equivalent is performed by potentiometric titration method using 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution using Hiranuma automatic titration apparatus (COM-555) by Hiranuma Industries.

분자량은 닛폰 분광 (주) 제조의 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) (펌프 : Gulliver, PU-1580 형, 칼럼 : 쇼와 전공 (주) 제조의 Shodex (등록 상표) (KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5) 4 개 직렬, 이동층 용매 : 테트라히드로푸란, 폴리스티렌 표준 샘플 (쇼와 전공 (주) 제조의 Shodex STANDARD SM-105) 에 의한 검량선 사용) 에 의해 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량 (폴리스티렌 환산) 이 구해진다. Molecular weight is gel permeation chromatography (GPC) manufactured by Nippon Spectroscopy Co., Ltd. (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Shodex (registered trademark) manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) (KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5) Four in-line, moving bed solvent: tetrahydrofuran, weight average molecular weight and number by polystyrene standard sample (using calibration curve by Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Electric Co., Ltd.) Average molecular weight (polystyrene equivalent) is obtained.

(a) 바인더용 수지는 하기 2 종류의 단량체 중에서, 각각 1 종 또는 그 이상의 단량체를 공중합시킴으로써 얻어진다. (a) Resin for binders is obtained by copolymerizing 1 type or more of monomers among the following 2 types of monomers, respectively.

제 1 단량체는 분자 내에 중합성 불포화기를 1 개 갖는 카르복실산 또는 산무수물이다. 예를 들어 (메트)아크릴산, 푸마르산, 계피산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산 무수물, 말레산 반(半)에스테르를 들 수 있다. 그 중에서도, 특히 (메트)아크릴산이 바람직하다. 여기에서 (메트)아크릴이란 아크릴 및 메타크릴을 나타낸다. 이하 동일하다.The first monomer is a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. For example, (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and maleic acid semiester are mentioned. Especially, (meth) acrylic acid is preferable. Here, (meth) acryl represents acryl and methacryl. It is the same below.

제 2 단량체는 비산성이며, 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 갖는 화합물이다. 그 화합물은 감광성 수지층의 현상성, 에칭 및 도금 공정에서의 내성, 경화막의 가요성을 유지하도록 선택된다. 그 화합물로는 알킬(메트)아크릴레이 트, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로니트릴, 벤질(메트)아크릴레이트, 메톡시벤질(메트)아크릴레이트, 클로로벤질(메트)아크릴레이트, 푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, 크레질(메트)아크릴레이트, 나프틸(메트)아크릴레이트, 페닐기를 갖는 비닐 화합물 (예를 들어 스티렌) 을 사용할 수 있다. 특히, 해상성, 현상액 응집성의 관점에서 벤질(메트)아크릴레이트가 바람직하다.The second monomer is non-acidic and is a compound having one polymerizable unsaturated group in the molecule. The compound is selected to maintain developability of the photosensitive resin layer, resistance in etching and plating processes, and flexibility of the cured film. Examples of the compound include alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, and 2-hydroxy. Ethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylonitrile, benzyl (meth) acrylate, methoxybenzyl (meth) acrylate, chlorobenzyl (meth) acrylate, green Furyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, cresyl (meth) acrylate, naphthyl (meth) acrylate, phenyl group Vinyl compounds (for example, styrene) having In particular, benzyl (meth) acrylate is preferable from the viewpoint of resolution and developer cohesion.

(a) 바인더용 수지는 상기 제 1 단량체와 제 2 단량체의 혼합물을 용제, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 또는 이소프로판올로 희석한 용액에 라디칼 중합 개시제, 예를 들어 과산화벤조일, 아조이소부티로니트릴을 적당량 첨가하여, 과열 교반함으로써 합성하는 것이 바람직하다. 혼합물의 일부를 반응액에 적하하면서 합성을 실시하는 경우도 있다. 반응 종료 후, 추가로 용제를 첨가하여 원하는 농도로 조정하는 경우도 있다. 합성 수단으로는 용액 중합 이외에, 괴상 중합, 현탁 중합, 또는 유화 중합을 사용해도 된다. (a) The binder resin is a radical polymerization initiator such as benzoyl peroxide or azoisobutyro in a solution obtained by diluting a mixture of the first monomer and the second monomer with a solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, or isopropanol. It is preferable to synthesize | combine by adding an appropriate amount of nitrile and stirring with overheating. In some cases, synthesis is carried out while dropping a part of the mixture into the reaction solution. After completion | finish of reaction, a solvent may be further added and it may adjust to desired density | concentration. In addition to solution polymerization, block polymerization, suspension polymerization, or emulsion polymerization may be used as the synthesis means.

(a) 바인더용 수지의 감광성 수지 조성물 전체에 대한 비율은 20 ∼ 90 질량% 의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 ∼ 70 질량% 이다. 레지스트 패턴이, 레지스트로서의 특성, 예를 들어 텐팅, 에칭 및 각종 도금 공정에 있어서 충분한 내성을 갖는다는 관점에서 20 질량% 이상 90 질량% 이하가 바람직하다. The range with respect to the whole photosensitive resin composition of (a) resin for binders is 20-90 mass% is preferable, More preferably, it is 30-70 mass%. 20 mass% or more and 90 mass% or less are preferable from a viewpoint that a resist pattern has sufficient resistance in the characteristic as a resist, for example, tenting, an etching, and various plating processes.

(b) 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물로는, 고해상성의 관점에서 하기 일반식 (Ⅱ) ∼ (Ⅵ) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물을 감광성 수지 조성물에 사용하는 것은 바람직한 양태이다. (b) As at least 1 type of photopolymerizable unsaturated compound, at least 1 type of photopolymerizable unsaturated compound chosen from the group which consists of a compound represented by following General formula (II)-(VI) from a high resolution viewpoint is used for the photosensitive resin composition. It is a preferred embodiment to do so.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112008058843022-pct00006
Figure 112008058843022-pct00006

(식 중, R4 및 R5 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ∼ 20 의 정수이다)(Wherein, R 4 and R 5 are H or CH 3 , which may be the same or different, and n 2 , n 3 and n 4 are each independently an integer of 3 to 20)

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112008058843022-pct00007
Figure 112008058843022-pct00007

(식 중, R6 및 R7 은 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, A 는 C2H4, B 는 CH2CH(CH3), n6 + n7 은 2 ∼ 40 의 정수, n8 + n9 는 0 ∼ 40 의 정 수, n6 및 n7 은 각각 독립적으로 1 ∼ 39 의 정수, n8 n9 는 각각 독립적으로 0 ∼ 40 의 정수이다. -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 순서는 어느 하나가 비스페닐기측이어도 된다) (Wherein R 6 and R 7 are H or CH 3 , these may be the same or different, A is C 2 H 4 , B is CH 2 CH (CH 3 ), n 6 + n 7 is an integer from 2 to 40, n 8 + n 9 is an integer from 0 to 40, n 6 And n 7 Are each independently an integer from 1 to 39, n 8 And n <9> is an integer of 0-40 each independently. The arrangement of repeating units of-(AO)-and-(BO)-may be random or block. In the case of blocks, the order of-(AO)-and-(BO)-may be the bisphenyl group side)

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112008058843022-pct00008
Figure 112008058843022-pct00008

(식 중, R8 및 R9 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, D 는 C2H4, E 는 CH2CH(CH3), m1 + m2 는 2 ∼ 40 의 정수, m3 + m4 는 0 ∼ 40 의 정수, m1 및 m2 는 각각 독립적으로 1 ∼ 39 의 정수, m3 및 m4 는 각각 독립적으로 0 ∼ 40 의 정수이다. -(D-O)- 및 -(E-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(D-O)- 및 -(E-O)- 의 순서는 어느 하나가 시클로헥실기측이어도 된다) In which R 8 and R 9 Is H or CH 3 , these may be the same or different, D is C 2 H 4 , E is CH 2 CH (CH 3 ), m 1 + m 2 is an integer of 2-40, m 3 + m 4 is of 0 to 40 integer, m 1 and m 2 are each independently an integer of 1 ~ 39, m 3 and m 4 are each independently an integer from 0 to 40. The arrangement of the repeating units of-(DO)-and-(EO)-may be random or block. In the case of a block, the order of-(DO)-and-(EO)-may be one of the cyclohexyl group side)

[화학식 9] [Formula 9]

Figure 112008058843022-pct00009
Figure 112008058843022-pct00009

(식 중, R10 은 탄소수 4 ∼ 12 의 2 가의 유기기, R11 및 R12 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일해도 되고 상이해도 된다. m5 및 m6 은 각각 독립적으로 1 ∼ 15 의 정수이다) (In formula, R <10> is a C4-C12 divalent organic group, R <11> and R <12>. Is H or CH 3 , and these may be the same or different. m 5 and m 6 are each independently an integer of 1 to 15)

[화학식10][Formula 10]

Figure 112008058843022-pct00010
Figure 112008058843022-pct00010

(식 중, R13 은 H 또는 CH3, R14 는 탄소수 4 ∼ 14 의 알킬기, A' 는 C2H4, B' 는 CH2CH(CH3), m7 은 1 ∼ 12, m8 은 0 ∼ 12, m9 는 0 ∼ 3 의 정수이다. -(A'-O)- 및 -(B'-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(A'-O)- 및 -(B'-O)- 의 순서는 어느 하나가 페닐기측이어도 된다) Wherein R 13 is H or CH 3 , R 14 Is an alkyl group having 4 to 14 carbon atoms, A 'is C 2 H 4 , B' is CH 2 CH (CH 3 ), m 7 is 1-12, m 8 is 0-12, m 9 is an integer of 0-3. . The arrangement of repeating units of-(A'-O)-and-(B'-O)-may be random or block. In the case of a block, the order of-(A'-O)-and-(B'-O)-may be either phenyl group side)

상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물은 비등점, 악취의 관점에서 n2, n3 및 n4 가 3 이상인 것이 바람직하다. 단위 질량당 광활성 부위의 농도에서 기인하는 감도의 관점에서 n2, n3 및 n4 가 20 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에 사용되는 상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 예를 들어 평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜에 에틸렌옥사이드를 추가로 양단에 각각 평균 3 몰 부가한 글리콜의 디메타크릴레이트를 바람직한 것으로서 들 수 있다. It is preferable that n <2> , n <3> and n <4> are three or more from a boiling point and a bad smell from the compound represented by the said General formula (II). It is n 2, n 3 and n 4 is not more than 20 in view of the sensitivity resulting from the concentration of the optically active area per unit weight are preferred. As a specific example of the compound represented by the said General formula (II) used for this invention, For example, Glycol which added 3 mol of ethylene oxide to both ends on the both ends of the polypropylene glycol which added the average of 12 mol of propylene oxide, respectively. Dimethacrylate of is mentioned as a preferable thing.

상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물에 있어서, n6 + n7 및 n8 + n9 는 40 이하일 필요가 있고, 40 을 초과하면 감도의 관점에서 바람직하지 않다. 바람직하게는 30 이하이다. In the compound represented by the general formula (III), n 6 + n 7 and n 8 + n 9 need to be 40 or less, and when it exceeds 40, it is not preferable from the viewpoint of sensitivity. Preferably it is 30 or less.

본 발명에 사용되는 상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물의 구체예로는, 비스페놀A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드와 평균 6 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트나, 비스페놀A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드와 평균 15 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트비스페놀A 의 양단에 각각 평균 5 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 (주) 제조의 NK 에스테르 BPE-500) 및 비스페놀A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 (주) 제조의 NK 에스테르 BPE-200) 가 있다. As a specific example of the compound represented by the said General formula (III) used for this invention, the dimethacryl of polyalkylene glycol which added an average of 2 mol of propylene oxide and an average of 6 mol of ethylene oxide to both ends of bisphenol A, respectively. Polyethylene having an average of 5 moles of ethylene oxide added to both ends of the dimethacrylate bisphenol A of polyalkylene glycols each having an average of 2 moles of propylene oxide and an average of 15 moles of ethylene oxide added to both ends of bisphenol A. Dimethacrylate of glycol (the NK ester BPE-500 by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.) and bisphenol A of polyethylene glycol which added an average of 2 mol of ethylene oxide to both ends of glycol (Shin-Nakamura Chemical Industries Co., Ltd.). NK ester BPE-200 by the company.

상기 일반식 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물에 있어서, m1 + m2 및 m3 + m4 는 40 이하일 필요가 있고, 40 을 초과하면 감도의 관점에서 바람직하지 않다. 바람직하게는 30 이하이다. In the compound represented by the general formula (IV), m 1 + m 2 and m 3 + m 4 need to be 40 or less, and when it exceeds 40, it is not preferable from the viewpoint of sensitivity. Preferably it is 30 or less.

상기 일반식 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물의 구체예로는 2,2-비스{(4-아크릴록시폴리에틸렌옥시)시클로헥실}프로판 또는 2,2-비스{(4-메타크릴록시폴리에틸렌옥시)시클로헥실}프로판을 들 수 있다. 그 화합물이 갖는 폴리에틸렌옥시기는 모노에틸렌옥시기, 디에틸렌옥시기, 트리에틸렌옥시기, 테트라에틸렌옥시기, 펜타에틸렌옥시기, 헥사에틸렌옥시기, 헵타에틸렌옥시기, 옥타에틸렌옥시기, 노나에틸렌옥시기, 데카에틸렌옥시기, 운데카에틸렌옥시기, 도데카에틸렌옥시기, 트리데카에틸렌옥시기, 테트라데카에틸렌옥시기 및 펜타데카에틸렌옥시기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 기인 화합물이 바람직하다. 또, 2,2-비스{(4-아크릴록시폴리옥시)시클로헥실}프로판 또는 2,2-비스{(4-메타크릴록시폴리알킬렌옥시)시클로헥실}프로판도 들 수 있다. 그 화합물이 갖는 폴리알킬렌옥시기로는 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기의 혼합물을 들 수 있고, 옥타에틸렌옥시기와 디프로필렌옥시기의 블록 구조의 부가물 또는 랜덤 구조의 부가물 및 테트라에틸렌옥시기와 테트라프로필렌옥시기의 블록 구조의 부가물 또는 랜덤 구조의 부가물, 펜타데카에틸렌옥시기와 디프로필렌옥시기의 블록 구조의 부가물 또는 랜덤 구조의 부가물이 바람직하다. 이들 중에서도 2,2-비스{(4-메타크릴록시펜타에틸렌옥시)시클로헥실}프로판이 가장 바람직하다. Specific examples of the compound represented by the general formula (IV) include 2,2-bis {(4-acryloxypolyethyleneoxy) cyclohexyl} propane or 2,2-bis {(4-methacryloxypolyethyleneoxy) cyclohexyl } Propane. The polyethyleneoxy group which the compound has has monoethyleneoxy group, diethyleneoxy group, triethyleneoxy group, tetraethyleneoxy group, pentaethyleneoxy group, hexaethyleneoxy group, heptaethyleneoxy group, octaethyleneoxy group, nonaethylene jade The compound of any one group chosen from the group which consists of time period, a decaethyleneoxy group, an undecaethyleneoxy group, a dodecaethyleneoxy group, a tridecaethyleneoxy group, a tetradecaethyleneoxy group, and a pentadecaethyleneoxy group is preferable. Moreover, 2, 2-bis {(4-acryloxy polyoxy) cyclohexyl} propane or 2, 2-bis {(4-methacryloxy polyalkylene oxy) cyclohexyl} propane is also mentioned. As a polyalkylene oxy group which the compound has, the mixture of an ethyleneoxy group and a propyleneoxy group is mentioned, The addition product of the block structure of an octaethyleneoxy group and a dipropyleneoxy group, or the addition product of a random structure, and tetraethyleneoxy group and a tetrapropylene Additives of the block structure of the oxy group or the addition of the random structure, the addition of the block structure of the pentadecaethyleneoxy group and the dipropyleneoxy group, or the addition of the random structure are preferable. Of these, 2,2-bis {(4-methacryloxypentaethyleneoxy) cyclohexyl} propane is most preferred.

상기 일반식 (V) 로 나타내는 화합물은 식 중, m5 또는 m6 이 15 를 초과하면 충분한 감도가 얻어지지 않는다. 식 중, R10 은 탄소수 4 ∼ 12 의 2 가의 유기기이며, 디이소시아네이트의 잔기이다. In the compound represented by the general formula (V), sufficient sensitivity is not obtained when m 5 or m 6 exceeds 15. In formula, R <10> is a C4-C12 divalent organic group and is a residue of diisocyanate.

상기 일반식 (V) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 디이소시아네이트 화합물, 예를 들어 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 또는 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트와, 1 분자 중에 히드록실기와 (메트)아크릴기를 갖는 화합물, 예를 들어 2-히드록시프로필아크릴레이트, 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트의 우레탄 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트 (닛폰 유지 (주) 제조, 브렌머 PP1000) 의 반응물이 있다. As a specific example of the compound represented by the said General formula (V), a diisocyanate compound, for example, hexamethylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, or 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and a hydroxide in 1 molecule The compound which has a real group and a (meth) acryl group, for example, the urethane compound of 2-hydroxypropyl acrylate and oligopropylene glycol monomethacrylate is mentioned. Specifically, there is a reaction product of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (manufactured by Nippon Oils & Fats, Inc., Brenmer PP1000).

상기 일반식 (Ⅵ) 으로 나타내는 화합물은 m7 또는 m8 이 12 를 초과하면 충분한 감도가 얻어지지 않는다. m9 가 3 을 초과해도 충분한 감도가 얻어지지 않는다. A compound represented by the general formula (Ⅵ) is not a sufficient sensitivity is not obtained when the m 7 m 8 or greater than 12. Even if m 9 exceeds 3, sufficient sensitivity cannot be obtained.

상기 일반식 (Ⅵ) 으로 나타내는 화합물의 구체예로는, 예를 들어 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜과 평균 7 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜을 노닐페놀에 부가한 화합물의 아크릴레이트인 4-노멀노닐페녹시헵타에틸렌글리콜디프로필렌글리콜아크릴레이트를 들 수 있다. 평균 8 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜을 노닐페놀에 부가한 화합물의 아크릴레이트인 4-노멀노닐페녹시옥타에틸렌글리콜아크릴레이트 (토아 합성 (주) 제조, M-114) 도 들 수 있다.As a specific example of the compound represented by the said General formula (VI), For example, the polypropylene glycol which added an average of 2 mol of propylene oxide, and the polyethylene glycol which added an average of 7 mol of ethylene oxide to the nonylphenol of the compound The 4-normal nonyl phenoxy heptaethylene glycol dipropylene glycol acrylate which is an acrylate is mentioned. 4-normal nonyl phenoxy octaethylene glycol acrylate (The Toa Synthetic Co., Ltd. product, M-114) which is an acrylate of the compound which added the polyethyleneglycol which added an average of 8 mol ethylene oxide to nonylphenol is also mentioned.

(b) 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물인, 상기 일반식 (Ⅲ), (Ⅳ), (Ⅴ), (Ⅵ) 및 (Ⅶ) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에 속하지 않는 화합물로는, 하기에 나타내는 광중합 가능한 불포화 화합물이 있다. 예를 들어 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 2-디(p-히드록시페닐)프로판디(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르트리(메트)아크릴레이트, 비스페놀A디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, β-히드록시프로필-β'-(아크릴로일키시)프로필프탈레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. (b) As a compound which does not belong to the group which consists of a compound represented by said general formula (III), (IV), (V), (VI) and (iii) which is at least 1 type of photopolymerizable unsaturated compound, There is a photopolymerizable unsaturated compound shown. For example, 1, 6- hexanediol di (meth) acrylate, 1, 4- cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethyleneglycol di (meth) acrylate, 2 -Di (p-hydroxyphenyl) propanedi (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxy Ethyl trimethylol propane triacrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, trimethylolpropanetriglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether Di (meth) acrylate, β-hydroxypropyl-β '-(acryloylkishi) propylphthalate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) a Acrylate.

상기 일반식 (Ⅱ) ∼ (Ⅵ) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물의 감광성 수지 조성물 전체에 대한 비율은 3 ∼ 70 질량% 의 범위이다. 해상도의 관점에서 3 질량% 이상이며, 레지스트 패턴의 가요성의 관점에서 70 질량% 이하이다. 보다 바람직하게는 3 ∼ 30 질량% 이하이다. The ratio with respect to the whole photosensitive resin composition of the at least 1 sort (s) of photopolymerizable unsaturated compound chosen from the group which consists of a compound represented by said general formula (II)-(VI) is 3-70 mass%. It is 3 mass% or more from a viewpoint of a resolution, and is 70 mass% or less from a flexible viewpoint of a resist pattern. More preferably, it is 3-30 mass% or less.

(b) 광중합 가능한 불포화 화합물 전체의 감광성 수지 조성물 전체에 대한 비율은, 감도의 관점에서 3 질량% 이상이 바람직하고, 에지 퓨즈의 관점에서 70 질량% 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 10 ∼ 60 질량%, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 55 질량% 이다. (b) As for the ratio with respect to the whole photosensitive resin composition of the whole photopolymerizable unsaturated compound, 3 mass% or more is preferable from a viewpoint of a sensitivity, and 70 mass% or less is preferable from an viewpoint of an edge fuse. More preferably, it is 10-60 mass%, More preferably, it is 15-55 mass%.

(c) 광중합 개시제로는 각종 활성 광선, 예를 들어 자외선에 의해 활성화 되고, (b) 광중합 가능한 불포화 화합물의 중합을 개시하는 화합물이면 되고, 하기 일반식 (Ⅶ) 로 나타내는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체를 사용하는 것은 고해상도의 관점에서 바람직한 실시형태이다. As a (c) photoinitiator, what is necessary is just a compound which is activated by various actinic rays, for example, an ultraviolet-ray, and (b) initiates superposition | polymerization of the unsaturated compound which can be photopolymerized, and is represented by the following general formula (i) The use of triarylimidazole dimers is a preferred embodiment in view of high resolution.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112008058843022-pct00011
Figure 112008058843022-pct00011

(식 중, X, Y, 및 Z 는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기 및 할로겐기 중 어느 하나를 나타내고, p, q, 및 r 은 각각 독립적으로 1 ∼ 5 의 정수이다) (Wherein, X, Y, and Z each independently represents any one of hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen group, and p, q, and r each independently represent an integer of 1 to 5).

상기 일반식 (Ⅶ) 로 대표되는 트리아릴이미다졸 2 량체에 있어서는, 2 개의 로핀기를 결합하는 공유 결합은 1,1'-, 1,2'-, 1,4'-, 2,2'-, 2,4'- 또는 4,4'- 결 합 등일 수 있는데, 그 공유 결합이 1,1'- 결합인 상기 일반식 (Ⅶ) 의 화합물이 바람직하다. 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체로는 예를 들어 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-비스-(m-메톡시페닐)이미다졸 2 량체, 2-(p-메토시키페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체가 있는데, 특히,2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체가 바람직하다. In the triarylimidazole dimer represented by the said general formula (i), the covalent bond which couples two ropin groups is 1,1'-, 1,2'-, 1,4'-, 2,2 ' -, 2,4'- or 4,4'- bond and the like, wherein the compound of the general formula (VII) whose covalent bond is a 1,1'- bond is preferred. Examples of the 2,4,5-triarylimidazole dimer include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4, 5-bis- (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (p-methosikiphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, especially 2- (o-chlorophenyl) Preference is given to -4,5-diphenylimidazole dimers.

본 발명에 사용되는 (c) 광중합 개시제로는, 상기 일반식 (Ⅶ) 로 나타내는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체와 p-아미노페닐케톤을 병용하는 계가 바람직하다. p-아미노페닐케톤으로는, 예를 들어 p-아미노벤조페논, p-부틸아미노아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-디메틸아미노벤조페논, p,p'-비스(에틸아미노)벤조페논, p,p'-비스(디메틸아미노)벤조페논[미힐러케톤], p,p'비스(디에틸아미노)벤조페논, p,p'-비스(디부틸아미노)벤조페논을 들 수 있다. As a (c) photoinitiator used for this invention, the system which uses together the 2,4,5-triaryl imidazole dimer and p-aminophenyl ketone represented by the said General formula (i) is preferable. As p-aminophenyl ketone, p-amino benzophenone, p-butylamino acetophenone, p-dimethylamino acetophenone, p-dimethylamino benzophenone, p, p'-bis (ethylamino) benzophenone, for example , p, p'-bis (dimethylamino) benzophenone [mihilerketone], p, p'bis (diethylamino) benzophenone and p, p'-bis (dibutylamino) benzophenone.

또, 상기에서 나타낸 화합물 이외의 광중합 개시제는 퀴논류, 예를 들어 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논. 벤조인에테르류, 예를 들어 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 아크리딘 화합물, 예를 들어 9-페닐아크리딘, 그 밖에 벤질디메틸케탈, 벤질디에틸케탈이 있다. 또, 티오크산톤류, 예를 들어 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤과, 3 급 아민 화합물, 예를 들어 디메틸아미노벤조산알킬에스테르 화합물의 조합도 있다. 또, 옥심에스테르류, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-O-벤조일옥심, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심이 있다. 또, N-아릴-α-아미노산 화합물도 사용할 수 있고, 이들 중에서는 N-페닐글리신이 특히 바람직하다. Moreover, photoinitiators other than the compound shown above are quinones, for example, 2-ethyl anthraquinone and 2-tert- butyl anthraquinone. Benzoin ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, acridine compounds such as 9-phenylacridine, else benzyldimethyl ketal, benzyldiethyl ketal. There is also a combination of thioxanthones such as thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone and 2-chlorothioxanthone and a tertiary amine compound such as a dimethylaminobenzoic acid alkyl ester compound. . Moreover, oxime esters, for example, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoyl oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime have. Moreover, an N-aryl- (alpha)-amino acid compound can also be used, Among these, N-phenylglycine is especially preferable.

본 발명의 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지 조성물은 (c) 광중합 개시제를, 감광성 수지 조성물 전체에 대하여 0.1 ∼ 20 질량% 함유하는 것이 바람직하다. 충분한 감도를 얻는 관점에서 0.1 질량% 이상, 노광시에 광이 기재 표면에서 반사되는 것을 방지하는 관점에서 20 질량% 이하가 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition in the photosensitive resin laminated body of this invention contains 0.1-20 mass% of (c) photoinitiators with respect to the whole photosensitive resin composition. From a viewpoint of obtaining sufficient sensitivity, 20 mass% or less is preferable from a viewpoint of preventing light from reflecting off a surface of a base material at the time of exposure and 0.1 mass%.

감광성 수지 조성물로는 염기성 염료를 사용할 수 있다. 염기성 염료의 구체예로는, 푹신, 푸탈로시아닌 그린, 아우라민 염기, 칼콕시드 그린 S, 크리스탈 바이올렛, 메틸 오렌지, 나일 블루 2B, 말라카이트 그린 (호도가야 화학 (주) 제조의 아이젠 (등록 상표) MALACHITE GREEN), 베이직 블루 20, 다이아몬드 그린 (호도가야 화학 (주) 제조의 아이젠 (등록 상표) DIAMOND GREEN GH), 빅토리아 블루 (호도가야 화학 (주) 제조의 아이젠 (등록 상표) VICTORIA PURE BLUE) 를 들 수 있다. A basic dye can be used as the photosensitive resin composition. Specific examples of the basic dye include fuchsin, phthalocyanine green, auramin base, chalcoxide green S, crystal violet, methyl orange, nile blue 2B, malachite green (Hodogaya Chemical Co., Ltd.) ) MALACHITE GREEN), basic blue 20, diamond green (Higen (registered trademark) manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) DIAMOND GREEN GH), Victoria Blue (Izen (registered trademark) manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) VICTORIA PURE BLUE) Can be mentioned.

감광성 수지 조성물에는 광 조사에 의해 발색되는 발색계 염료를 함유시킬 수도 있다. 사용되는 발색계 염료로는, 예를 들어 로이코 염료와, 할로겐 화합물의 조합이 있다. 로이코 염료로는, 예를 들어 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄[로이코 크리스탈 바이올렛], 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄[로이코 말라카이트 그린] 을 들 수 있다. The photosensitive resin composition may also contain a color-based dye developed by light irradiation. As a chromophore dye used, there exists a combination of a leuco dye and a halogen compound, for example. Examples of the leuco dyes include tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leuco crystal violet] and tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leuco malachite green].

할로겐 화합물로는 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤잘, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 4브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세토아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 헥사클로로에탄, 할로겐화트리아진 화합물을 들 수 있다. 그 할로겐화트리아진 화합물로는 2,4,6-트리스(트클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진을 들 수 있다. Examples of the halogen compound include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutyl bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, and tris (2,3-dibromopropyl Phosphate, trichloroacetoamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, and halogenated triazine compounds. As the halogenated triazine compound, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine Can be mentioned.

이와 같은 발색계 염료 중에서도, 트리브로모메틸페닐술폰과 로이코 염료의 조합이나, 할로겐화트리아진 화합물과 로이코 염료의 조합이 유용하다. Among such color developing dyes, a combination of tribromomethylphenyl sulfone and a leuco dye, or a combination of a halogenated triazine compound and a leuco dye is useful.

할로겐 화합물을 함유하는 경우의 감광성 수지 조성물 내의 할로겐 화합물의 함유량은 0.01 ∼ 5 질량% 가 바람직하다. As for content of the halogen compound in the photosensitive resin composition in the case of containing a halogen compound, 0.01-5 mass% is preferable.

염기성 염료 및 로이코 염료를 함유하는 경우의 함유량은 감광성 수지 조성물 중에 있어서, 각각 0.01 ∼ 10 질량% 가 바람직하다. 충분한 착색성 (발색성) 을 확인할 수 있는 점에서 0.01 질량% 이상, 노광부와 미노광부의 콘트라스트를 갖는 점과, 보존 안정성 유지의 관점에서 10 질량% 이하가 바람직하다. As for content in the case of containing basic dye and leuco dye, 0.01-10 mass% is preferable in the photosensitive resin composition, respectively. 10 mass% or less is preferable at the point which can confirm sufficient coloring (chromic property) from 0.01 mass% or more, the point which has contrast of an exposure part and an unexposed part, and hold | maintain storage stability.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 열 안정성, 보존 안정성을 향상시키기 위해서, 감광성 수지 조성물에 라디칼 중합 금지제나 벤조트리아졸류를 함유시키는 것은 바람직한 것이다. Moreover, in order to improve the thermal stability and storage stability of the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable to contain a radical polymerization inhibitor and benzotriazole in a photosensitive resin composition.

이와 같은 라디칼 중합 금지제로는, 예를 들어 p-메톡시페놀, 히드로퀴논, 피로갈롤, 나프틸아민, tert-부틸카테콜, 염화제 1 구리, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-tert-부틸페놀), 니트로소페닐히드록시아민알루미늄염, 디페닐니트로소아민을 들 수 있다. Examples of such radical polymerization inhibitors include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol , 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), nitrosophenylhydroxyamine aluminum salt, Diphenyl nitrosoamine is mentioned.

또, 벤조트리아졸류로는 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-클로로-1,2,3-벤조트리아졸, 비스(N-2-에틸헥실)아미노메틸렌-1,2,3-벤조트리아졸, 비스(N-2-에틸헥실)아미노메틸렌-1,2,3-톨릴트리아졸, 비스(N-2-히드록시에틸)아미노메틸렌- 1,2,3-벤조트리아졸을 들 수 있다. 또, 카르복시벤조트리아졸류로는 예를 들어 4-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸, 5-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸, N-(N,N-디-2-에틸헥실)아미노메틸렌카르복시벤조트리아졸, N-(N,N-디-2-히드록시에틸)아미노메틸렌카르복시벤조트리아졸, N-(N,N-디-2-에틸헥실)아미노에틸렌카르복시벤조트리아졸을 들 수 있다. Moreover, as benzotriazole, 1, 2-, 3- benzotriazole, 1-chloro- 1,2, 3- benzotriazole, bis (N-2-ethylhexyl) amino methylene- 1, 2, 3-benzotriazole, bis (N-2-ethylhexyl) aminomethylene-1,2,3-tolyltriazole, bis (N-2-hydroxyethyl) aminomethylene-1, 1,2,3-benzotriazole Can be mentioned. Moreover, as carboxy benzotriazoles, 4-carboxy-1,2,3-benzotriazole, 5-carboxy-1,2,3-benzotriazole, N- (N, N-di-2- Ethylhexyl) aminomethylenecarboxybenzotriazole, N- (N, N-di-2-hydroxyethyl) aminomethylenecarboxybenzotriazole, N- (N, N-di-2-ethylhexyl) aminoethylenecarboxybenzo Triazoles.

라디칼 중합 금지제 및 벤조트리아졸류 각각의 합계 첨가량은, 바람직하게는 0.01 ∼ 3 질량% 이며, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 1 질량% 이다. 이 양은 감광성 수지 조성물에 보존 안정성을 부여한다는 관점에서 0.01 질량% 이상이 바람직하고, 또 광 감도를 유지한다는 관점에서 3 질량% 이하가 보다 바람직하다. The total addition amount of each of the radical polymerization inhibitor and the benzotriazoles is preferably 0.01 to 3% by mass, more preferably 0.05 to 1% by mass. 0.01 mass% or more is preferable from a viewpoint of providing storage stability to the photosensitive resin composition, and 3 mass% or less is more preferable from a viewpoint of maintaining light sensitivity.

이들 라디칼 중합 금지제나 벤조트리아졸류 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상 병용해도 된다. These radical polymerization inhibitors and benzotriazole compounds may be used independently and may be used together 2 or more types.

또한 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 가소제를 함유시켜도 된다. 이와 같은 가소제로는 프탈산에스테르류, 예를 들어 디에틸프탈레이트, o-톨루엔술폰산아미드, p-톨루엔술폰산아미드, 시트르산트리부틸, 시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리-n-프로필, 아세틸시트르산트리-n-부틸, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜알킬에테르, 폴리프로필렌글리콜알킬에테르를 들 수 있다. 가소제를 함유시키는 경우의 함유량으로는 감광성 수지 조성물 중, 5 ∼ 50 질량% 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 질량% 이다. 현상 시간의 지연을 억제하거나, 경화막에 유연성을 부여한다는 관점에서 5 질량% 이상이 바람직하고, 또 경화 부족이나 콜드 플로우를 억제한다 는 관점에서 50 질량% 이하가 바람직하다. Moreover, you may contain a plasticizer in the photosensitive resin composition as needed. Such plasticizers include phthalic acid esters such as diethyl phthalate, o-toluenesulfonic acid amide, p-toluenesulfonic acid amide, tributyl citrate, triethyl citrate, triethyl citrate, acetyl citrate tri-n-propyl, acetyl Citric acid tri-n-butyl, polypropylene glycol, polyethylene glycol, polyethylene glycol alkyl ether, polypropylene glycol alkyl ether. As content in the case of containing a plasticizer, 5-50 mass% is preferable in the photosensitive resin composition, More preferably, it is 5-30 mass%. 5 mass% or more is preferable from a viewpoint of suppressing delay of image development time, or providing flexibility to a cured film, and 50 mass% or less is preferable from a viewpoint of suppressing hardening shortage or cold flow.

이하 도 1 및 도 2 를 참조하여, 지지 필름 (1), 중간층 (2), 감광성 수지층 (3) 및 필요에 따라 보호층 (4) 을 순차 적층시켜 감광성 수지 적층체를 제작하는 방법에 대하여 서술한다. Hereinafter, with reference to FIG. 1 and FIG. 2, the support film 1, the intermediate | middle layer 2, the photosensitive resin layer 3, and the protective layer 4 are laminated | stacked sequentially as needed, and the method of manufacturing the photosensitive resin laminated body is shown. Describe.

먼저, 폴리비닐알코올, 예를 들어 주식회사 쿠라레 제조의 PVA-205 수지 및 상기 일반식 (I) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을, 고형분 비율이 5 ∼ 30 중량% 가 되는 양으로, 60 ∼ 90℃ 로 가온한 물에 서서히 첨가하여 1 시간 정도 교반하여 균일하게 용해하여, 상기 중간층 조성물의 균일한 수용액을 얻는다. 폴리비닐알코올을 함유하는 중간층 조성물의 균일한 수용액의 점도는 10 ∼ 500mPa·s 로 조정하는 것이 바람직하다. 이어서 그 수용액을 지지 필름 (1) 상에 바 코터나 롤 코터를 사용하여 도포하고 건조시켜, 중간층 (2) 이 형성된 지지 필름 (1) 을 얻는다. First, a polyvinyl alcohol, for example, the solid content ratio becomes 5-30 weight% of 1 or more types of compounds chosen from the group which consists of PVA-205 resin by Kuraray Co., Ltd., and the compound represented by the said General formula (I). The amount is gradually added to water heated to 60 to 90 ° C., stirred for about 1 hour, and uniformly dissolved to obtain a uniform aqueous solution of the intermediate layer composition. It is preferable to adjust the viscosity of the uniform aqueous solution of the intermediate | middle layer composition containing polyvinyl alcohol to 10-500 mPa * s. Subsequently, this aqueous solution is apply | coated on a support film 1 using a bar coater or a roll coater, and it dries, and the support film 1 in which the intermediate | middle layer 2 was formed is obtained.

별도로, 감광성 수지 조성물의 조합액을 제조한다. 감광성 수지 조성물의 조합액의 점도가 25℃ 에서 500 ∼ 4000mPa·sec 가 되도록 용매를 첨가해 두는 것이 바람직하다. 사용되는 용매로는 메틸에틸케톤 (MEK) 으로 대표되는 케톤류나 알코올류, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올을 들 수 있다. Separately, the combination liquid of the photosensitive resin composition is manufactured. It is preferable to add a solvent so that the viscosity of the preparation liquid of the photosensitive resin composition may be 500-4000 mPa * sec at 25 degreeC. Examples of the solvent used may include ketones and alcohols such as methyl ethyl ketone (MEK), for example methanol, ethanol, and isopropyl alcohol.

그 중간층 (2) 이 형성된 지지 필름 (1) 의 중간층 상에 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지층 (3) 을, 중간층 (2) 의 도포와 마찬가지로 바 코터나 롤 코터를 사용하여 도포하고 건조시킨다. The photosensitive resin layer 3 which consists of the photosensitive resin composition on the intermediate | middle layer of the support film 1 in which the intermediate | middle layer 2 was formed is apply | coated and dried using a bar coater or a roll coater similarly to application | coating of the intermediate | middle layer 2.

다음으로 감광성 수지층 (3) 상에 보호층 (4) 을 라미네이트함으로써 감광성 수지 적층체를 제작할 수 있다. Next, the photosensitive resin laminate can be produced by laminating the protective layer 4 on the photosensitive resin layer 3.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 적층체를 사용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다. Next, an example of the method of manufacturing a printed wiring board using the photosensitive resin laminated body of this invention is demonstrated.

프린트 배선판은 이하의 각 공정을 거쳐 제조된다. A printed wiring board is manufactured through each of the following processes.

(1) 라미네이트 공정(1) Lamination Process

감광성 수지 적층체에 보호층이 있는 경우에는 보호층을 박리하면서 기판, 예를 들어 동장 적층판이나 플렉시블 기판 상에 핫 롤 라미네이터를 사용하여 밀착시키는 공정.When a photosensitive resin laminated body has a protective layer, the process of making it adhere | attach on a board | substrate, for example, a copper clad laminated board or a flexible board | substrate, using a hot roll laminator, peeling a protective layer.

(2) 노광 공정(2) exposure process

감광성 수지 적층체로부터 지지 필름을 박리하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 마스크 필름을 중간층 상에 밀착시켜 활성 광선원을 사용하여 노광을 실시하는 공정. The process of peeling a support film from the photosensitive resin laminated body, adhering the mask film which has a desired wiring pattern on an intermediate | middle layer, and exposing using an active light source.

(3) 현상 공정 (3) developing process

알칼리 현상액을 사용하여 중간층 및 감광성 수지층의 미노광 부분을 용해 또는 분산 제거하고, 경화 레지스트 패턴을 기판 상에 형성하는 공정. Process of melt | dissolving or disperse | distributing the unexposed part of an intermediate | middle layer and the photosensitive resin layer using alkaline developing solution, and forming a hardening resist pattern on a board | substrate.

(4) 에칭 공정 또는 도금 공정 (4) etching process or plating process

형성된 레지스트 패턴 위로부터 에칭액을 분사하여, 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 동면을 에칭하는 공정, 또는 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 동면에 구리, 땜납, 니켈 및 주석으로 대표되는 도금 처리를 실시하는 공정. 이로써, 도체 패턴을 제조할 수 있다. Etching liquid is sprayed on the formed resist pattern, and the process of etching the copper surface which is not covered by the resist pattern, or the process of performing plating process represented by copper, solder, nickel, and tin on the copper surface which is not covered by a resist pattern. Thereby, a conductor pattern can be manufactured.

(5) 박리 공정 (5) peeling process

레지스트 패턴을 알칼리 박리액을 사용하여 기판으로부터 제거하는 공정. Process of removing a resist pattern from a board | substrate using alkali peeling liquid.

상기 (2) 노광 공정에 있어서 사용되는 활성 광선원으로는, 예를 들어 고압 수은등, 초고압 수은등, 자외선 형광등, 카본 아크등, 크세논 램프를 들 수 있다. 또, 보다 미세한 레지스트 패턴을 얻기 위해서는 평행광 광원을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 먼지나 이물질의 영향을 최대한 줄이고자 하는 경우에는, 포토 마스크를 지지 필름 상으로부터 수십㎛ 이상 수백㎛ 이하 부상시킨 상태에서 노광 (프록시미티 노광) 하는 경우도 있다. As an active light source used in said (2) exposure process, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, an ultraviolet fluorescent lamp, a carbon arc lamp, a xenon lamp is mentioned, for example. Moreover, in order to obtain a finer resist pattern, it is more preferable to use a parallel light source. In order to minimize the influence of dust and foreign substances, exposure (proxy exposure) may be performed in a state where the photomask is floated from several tens of micrometers to several hundred micrometers or less from the support film.

또, 상기 (3) 현상 공정에서 사용되는 알칼리 현상액으로는 탄산나트륨, 또는 탄산칼륨의 수용액을 들 수 있다. 이들 알칼리 수용액은 감광성 수지층의 특성에 맞춰 선택는데, 일반적으로 0.5 질량% 이상 3 질량% 이하의 탄산나트륨 수용액이 사용된다. Moreover, the aqueous solution of sodium carbonate or potassium carbonate is mentioned as alkaline developing solution used at said (3) image development process. Although these aqueous alkali solution is selected according to the characteristic of the photosensitive resin layer, generally 0.5 mass% or more and 3 mass% or less sodium carbonate aqueous solution is used.

상기 (4) 에칭 공정은 예를 들어 산성 에칭, 알칼리 에칭에 의해 실시된다. 이들은 사용하는 드라이 필름 레지스트에 적합한 방법이 선택된다. The said (4) etching process is performed by acidic etching and alkali etching, for example. The method suitable for the dry film resist to use these is selected.

상기 (5) 박리 공정에서 사용되는 알칼리 박리액으로는, 일반적으로 현상에서 사용한 알칼리 수용액보다 더 강한 알칼리성의 수용액, 예를 들어 1 질량% 이상 5 질량% 이하의 수산화나트륨, 또는 수산화칼륨의 수용액을 들 수 있다. As the alkaline stripping solution used in the above (5) stripping step, an alkaline aqueous solution that is generally stronger than the aqueous alkaline solution used in development, for example, an aqueous solution of sodium hydroxide or potassium hydroxide of 1% by mass or more and 5% by mass or less. Can be mentioned.

또, 도금 공정을 선택한 경우에는, 레지스트 패턴을 박리한 후에, 레지스트 패턴 밑에 드러난 동면을 추가로 에칭하는 경우도 있다. Moreover, when a plating process is selected, after peeling a resist pattern, the copper surface exposed under the resist pattern may be further etched.

이하, 실시예에 의해 본 발명의 실시형태의 예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the example of embodiment of this invention is demonstrated in detail by an Example.

이하에 실시예 및 비교예의 평가용 샘플의 제작 방법 그리고 얻어진 샘플에 대한 평가 방법 및 평가 결과에 대하여 나타낸다. Below, the preparation method of the sample for evaluation of an Example and a comparative example, the evaluation method, and the evaluation result about the obtained sample are shown.

〔실시예 1 ∼ 12〕및〔실시예 1 ∼ 3〕 [Examples 1 to 12] and [Examples 1 to 3]

1. 평가용 샘플의 제작 1. Preparation of Samples for Evaluation

실시예 및 비교예에 있어서의 감광성 수지 적층체는 다음과 같이 하여 제작하였다.The photosensitive resin laminated body in an Example and a comparative example was produced as follows.

<감광성 수지 적층체의 제작><Production of Photosensitive Resin Laminate>

먼저, 표 1-1 및 표 1-2 에 나타내는 중간층 조성물을, 고형분 비율이 10 질량% 가 되도록, 85℃ 로 가온한 물에 서서히 첨가하여 1 시간 정도 교반하여 균일하게 용해시켜 중간층 조성물의 균일한 수용액을 얻었다. 지지 필름으로서 16㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하여, 그 수용액을 지지 필름 상에 바 코터를 사용하여 도포하였다. 이어서, 100℃ 의 건조기 내에서 3 분간 건조시켜 지지 필름 상에 균일한 중간층을 형성하였다. 중간층의 두께는 2㎛ 이었다. 지지 필름에 적층된 중간층 상에, 표 1-1 및 표 1-2 에 나타내는 감광성 수지 조성물을 바 코터를 사용하여 균일하게 도포하고, 95℃ 의 건조기 내에서 3 분간 건조시켜 균일한 감광성 수지층을 형성하였다. 감광성 수지층의 두께는 3㎛ 이었다. First, the intermediate layer compositions shown in Tables 1-1 and 1-2 were gradually added to water heated to 85 ° C so as to have a solid content ratio of 10% by mass, stirred for about 1 hour, and uniformly dissolved to uniformly dissolve the intermediate layer composition. An aqueous solution was obtained. A 16 µm thick polyethylene terephthalate film was used as the supporting film, and the aqueous solution was applied onto the supporting film using a bar coater. Subsequently, it dried for 3 minutes in the dryer of 100 degreeC, and formed the uniform intermediate | middle layer on the support film. The thickness of the intermediate layer was 2 micrometers. On the intermediate | middle layer laminated | stacked on the support film, the photosensitive resin composition shown in Table 1-1 and Table 1-2 was apply | coated uniformly using a bar coater, it dried in a 95 degreeC dryer for 3 minutes, and the uniform photosensitive resin layer was Formed. The thickness of the photosensitive resin layer was 3 micrometers.

이어서, 감광성 수지층 상의 표면 상에, 보호층으로서 25㎛ 두께의 폴리에틸렌 필름을 부착하여 감광성 수지 적층체를 얻었다.Subsequently, a 25 micrometer-thick polyethylene film was stuck as a protective layer on the surface on the photosensitive resin layer, and the photosensitive resin laminated body was obtained.

<기판> <Substrate>

해상성 평가, 독립 원주(圓柱) 밀착성을 포함하는 밀착성 평가, 레지스트 패턴의 늘어짐 평가, 레지스트 패턴의 사이드 월의 덜컥거림 평가 및 레지스트 패턴의 표면 상태 평가는 절연 수지에 8㎛ 동박을 적층시킨 스미토모 금속 (주) 제조의 에스퍼 플렉스를 사용하여 평가하였다.Resolution evaluation, adhesion evaluation including independent circumferential adhesion, lagging evaluation of resist pattern, lagging evaluation of sidewall of resist pattern, and surface condition evaluation of resist pattern were sumitomo metal laminated 8 µm copper foil on insulating resin. It evaluated using the Sperflex Co., Ltd. make.

<라미네이트> <Laminate>

본 발명의 감광성 수지 적층체의 보호층을 박리하면서 핫 롤 라미네이터 (아사히 카세이 엔지니어링 (주) 사 제조, AL-70) 에 의해, 롤 온도 105℃ 에서 라미네이트하였다. 에어 압력은 0.35㎫ 로 하고, 라미네이트 속도는 1.0m/min 로 하였다. It laminated at the roll temperature of 105 degreeC by the hot roll laminator (Asahi Kasei Engineering Co., Ltd. product, AL-70), peeling the protective layer of the photosensitive resin laminated body of this invention. The air pressure was 0.35 MPa, and the lamination speed was 1.0 m / min.

<노광> <Exposure>

지지 필름을 박리한 후, 감광성 수지층의 평가에 필요한 마스크 필름을 중간층 상에 두고, 초고압 수은 램프 (오크 제작소 제조, HMW-801) 에 의해 80mJ/㎠ 의 노광량으로 노광하였다. After peeling a support film, the mask film required for evaluation of the photosensitive resin layer was put on the intermediate | middle layer, and it exposed at the exposure amount of 80mJ / cm <2> by the ultrahigh pressure mercury lamp (HMW-801 make).

<현상> <Phenomena>

30℃ 의 0.5 질량% Na2CO3 수용액을 소정 시간 스프레이하고, 감광성 수지층의 미노광 부분을 용해 제거하였다. 이 때, 미노광 부분의 감광성 수지층이 완전히 용해되는 데 필요로 하는 가장 적은 시간을 최소 현상 시간으로 하였다. 실제의 현상 시간은 최소 현상 시간의 2 배로 현상하여, 경화 레지스트 패턴을 얻 었다. Given a 0.5 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution for 30 ℃ time it was sprayed, and dissolve and remove the unexposed portion of the photosensitive resin layer. At this time, the minimum time required for the photosensitive resin layer of the unexposed part to melt | dissolve completely was made into the minimum developing time. The actual development time was developed at twice the minimum development time to obtain a cured resist pattern.

2. 평가 방법2. Evaluation method

(1) 지지 필름 박리성 평가(1) evaluation of support film peelability

노광 전에 지지 필름을 박리할 때, 박리성에 대하여 하기와 같이 등급을 나눴다.When peeling a support film before exposure, the grade was divided as follows regarding peelability.

○ (양호) : 지지 필름만이 박리되었다.○ (good): Only the support film was peeled off.

△ (가능) : 지지 필름에 일부 중간층이 부착되어 동시에 박리되었다.△ (possible): Some intermediate layer was attached to the supporting film and peeled at the same time.

× (불가능) : 지지 필름과 중간층이 함께 박리되었다 (중간층과 감광성 수지층 사이에서 박리되었다). X (impossible): The support film and the intermediate | middle layer peeled together (it peeled between an intermediate | middle layer and the photosensitive resin layer).

(2) 해상성 평가 (2) resolution evaluation

라미네이트 후 15 분 경과한 기판을, 노광시의 마스크 필름으로서 노광부와 미노광부의 폭이 1 : 1 의 비율인 라인 패턴 마스크를 사용하여, 상기와 같이 노광하고 현상하였다. 경화 레지스트 패턴이 정상적으로 형성되어 있는 최소 마스크 폭을 해상도의 값으로 하고, 해상성을 하기와 같이 등급을 나눴다,The board | substrate which passed 15 minutes after lamination was exposed and developed as above using the line pattern mask whose width | variety of an exposure part and an unexposed part is 1: 1 as a mask film at the time of exposure. The minimum mask width in which the cured resist pattern was normally formed was regarded as the resolution value, and the resolution was divided as follows.

◎ (우수) : 해상도의 값이 5㎛ 이하 ◎ (excellent): The value of resolution is 5 탆 or less

○ (양호) : 해상도의 값이 5㎛ 를 초과하고, 10㎛ 이하○ (good): The value of resolution exceeds 5 micrometers and is 10 micrometers or less

△ (가능) : 해상도의 값이 10㎛ 를 초과하고, 15㎛ 이하△ (possible): The value of the resolution exceeds 10 μm, and 15 μm or less

× (불가능) : 해상도의 값이 15㎛ 를 초과함× (impossible): The value of resolution exceeds 15 µm

(3) 밀착성 평가 (3) adhesion evaluation

라미네이트 후 15 분 경과한 기판을, 노광시의 마스크 필름으로서 노광부 단 독의 라인 패턴 마스크를 사용하여, 상기와 같이 노광하고 현상하였다. 경화 레지스트 패턴이 정상적으로 형성되어 있는 최소 마스크 폭을 밀착성의 값으로 하고, 밀착성을 하기와 같이 등급을 나눴다. The board | substrate which passed 15 minutes after lamination was exposed and developed as mentioned above using the line pattern mask of an exposure part alone as a mask film at the time of exposure. The minimum mask width in which the cured resist pattern was normally formed was made into an adhesive value, and adhesiveness was divided as follows.

◎ (우수) : 밀착성의 값이 5㎛ 이하 ◎ (excellent): adhesion value is 5 μm or less

○ (양호) : 밀착성의 값이 5㎛ 를 초과하고, 10㎛ 이하 ○ (good): Adhesive value exceeds 5 micrometers and is 10 micrometers or less

△ (가능) : 밀착성의 값이 10㎛ 를 초과하고, 15㎛ 이하△ (possible): adhesiveness value exceeds 10 micrometers and 15 micrometers or less

× (불가능) : 밀착성의 값이 15㎛ 를 초과함× (impossible): The adhesive value exceeds 15 μm

(4) 독립 원주 밀착성 평가 (4) Independent circumferential adhesion evaluation

라미네이트 후 15 분 경과한 기판을, 노광시의 마스크 필름으로서 노광부 단독의 원주 패턴 마스크를 사용하여, 상기와 같이 노광하고 현상하였다. 경화 레지스트 패턴이 정상적으로 형성되어 있는 원주 마스크 직경의 최소 폭을 독립 원주 밀착성의 값으로 하고, 하기와 같이 등급을 나눴다. The board | substrate which passed 15 minutes after lamination was exposed and developed as mentioned above using the circumferential pattern mask of an exposure part only as a mask film at the time of exposure. The minimum width | variety of the circumferential mask diameter in which the hardening resist pattern is normally formed was made into the value of independent circumferential adhesiveness, and it divided into grades as follows.

◎ (우수) : 독립 원주 밀착성의 값이 5㎛ 이하 ◎ (excellent): value of independent circumferential adhesion is 5 μm or less

○ (양호) : 독립 원주 밀착성의 값이 5㎛ 를 초과하고, 10㎛ 이하 ○ (good): The value of independent circumferential adhesiveness exceeds 5 micrometers and is 10 micrometers or less

△ (가능) : 독립 원주 밀착성의 값이 10㎛ 를 초과하고, 15㎛ 이하△ (possible): Independent circumferential adhesion value exceeds 10 µm, and 15 µm or less

× (불가능) : 독립 원주 밀착성의 값이 15㎛ 를 초과함× (impossible): The value of independent circumferential adhesion exceeds 15 μm

(5) 레지스트 패턴의 늘어짐 평가(5) evaluation of sagging of resist pattern

노광시의 마스크 필름으로서 크롬 유리 포토 마스크를 사용하여, 상기와 같이 노광하고 현상하였다. 얻어진 경화 패턴의 10㎛ 라인의 형상을 하기에 의해 등급을 나눴다.It exposed and developed as mentioned above using the chrome glass photomask as a mask film at the time of exposure. The shape of the 10 micrometer line of the obtained hardening pattern was divided into the following grades.

◎ (우수) : 경화 레지스트의 풋부의 끊김은 양호하며 늘어짐이 없다. ◎ (excellent): The foot part of a hardening resist is good, and there is no sagging.

○ (양호) : 경화 레지스트의 풋부의 끊김은 양호하며 늘어짐이 매우 작다.○ (good): The break of the foot part of a hardening resist is favorable, and a drooping is very small.

△ (가능) : 경화 레지스트의 풋부에 3㎛ 이하의 늘어짐이 확인된다. △ (possible): The sagging of 3 micrometers or less is confirmed in the foot part of a hardening resist.

× (불가능) : 경화 레지스트의 풋부에 3㎛ 를 초과하는 늘어짐이 확인된다.X (impossible): The sagging of more than 3 micrometers is confirmed by the foot part of a hardening resist.

(6) 레지스트 패턴의 사이드 월의 덜컥거림 평가(6) rattling evaluation of sidewall of resist pattern

기판에 라미네이트된 적층체에, 크롬 유리 포토 마스크를 사용하여 상기와 같이 노광하고 현상하였다. 얻어진 경화 패턴의 10㎛ 라인의 레지스트 패턴의 사이드 월 형상을 하기에 의해 등급을 나눴다.The laminated body laminated on the board | substrate was exposed and developed as mentioned above using the chrome glass photo mask. The sidewall shape of the resist pattern of the 10 micrometer line of the obtained hardening pattern was divided into the following grades.

○ (양호) : 형성된 레지스트 사이드 월에 덜컥거림은 거의 없다. ○ (good): There is almost no rattling in the formed resist sidewall.

△ (가능) : 형성된 레지스트 사이드 월에 아주 약간의 덜컥거림이 존재한다. △ (possible): There is very little rattling in the formed resist sidewalls.

× (불가능) : 형성된 레지스트 사이드 월의 군데군데에서 덜컥거림이 존재한다.× (impossible): There is rattling in several places of the formed resist sidewalls.

(7) 레지스트 패턴의 표면 상태 평가(7) Surface condition evaluation of resist pattern

기판에 라미네이트된 적층체에, 크롬 유리 포토 마스크를 사용하여 상기와 같이 노광하고 현상하였다. 얻어진 경화 패턴의 10㎛ 라인의 레지스트 표면 상태를 하기에 의해 랭크 분리시켰다.The laminated body laminated on the board | substrate was exposed and developed as mentioned above using the chrome glass photo mask. The resist surface state of the 10 micrometer line of the obtained hardening pattern was ranked and separated by the following.

○ (양호) : 형성된 레지스트 표면에는 함몰이 거의 없다. ○ (good): There is almost no depression in the formed resist surface.

△ (가능) : 형성된 레지스트 표면에 아주 약간 함몰이 존재한다. △ (possible): There is a slight depression in the formed resist surface.

× (불가능) : 형성된 레지스트 표면에 군데군데서 함몰이 존재한다. X (impossible): A depression exists in several places on the formed resist surface.

3. 평가 결과 3. Evaluation result

실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 1-1 및 표 1-2 에 나타낸다. 표 1-1 및 표 1-2 에 있어서의 P-1 ∼ P-2 의 질량부는 메틸에틸케톤을 함유한 양이다. 표 1-1 및 표 1-2 중, 비교예 1 은 중간층이 없고, 비교예 2 는 중간층의 막 두께가 두껍고, 비교예 3 은 중간층에 있어서 상기 일반식 (I) 로 나타내는 화합물이 결락되어 있다. The evaluation result of an Example and a comparative example is shown to Table 1-1 and Table 1-2. The mass part of P-1-P-2 in Table 1-1 and Table 1-2 is the quantity containing methyl ethyl ketone. In Table 1-1 and Table 1-2, the comparative example 1 does not have an intermediate | middle layer, the comparative example 2 has a thick film thickness of an intermediate | middle layer, and the comparative example 3 has the compound represented by said general formula (I) in an intermediate | middle layer missing. .

[표 1-1]Table 1-1

Figure 112008058843022-pct00012
Figure 112008058843022-pct00012

[표 1-2]TABLE 1-2

Figure 112008058843022-pct00013
Figure 112008058843022-pct00013

Q-1 : 폴리비닐알코올 ((주) 쿠라레 제조 PVA-205) Q-1: Polyvinyl alcohol (PVA-205 by Kuraray Co., Ltd.)

Q-2 : 폴리에틸렌글리콜 (중량 평균 분자량 400) Q-2: polyethylene glycol (weight average molecular weight 400)

Q-3 : 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르 (닛폰 유지 (주) 제조의 유니옥스 M-550, 중량 평균 분자량 550) Q-3: Polyoxyethylene monomethyl ether (Uniox M-550 by Nippon Oil Holding Co., Ltd., weight average molecular weight 550)

Q-4 : 폴리비닐피롤리돈 (중량 평균 분자량 40,000) Q-4: polyvinylpyrrolidone (weight average molecular weight 40,000)

P-1 : 벤질메타크릴레이트 80 질량%, 메타크릴산 20 질량% 의 2 원 공중합체의 메틸에틸케톤 용액 (고형분 농도 50 질량%, 중량 평균 분자량 25,000, 산 당량 430, 분산도 2.7) P-1: Methyl ethyl ketone solution of the binary copolymer of 80 mass% benzyl methacrylate and 20 mass% methacrylic acid (50 mass% of solid content concentration, the weight average molecular weight 25,000, the acid equivalent 430, dispersion degree 2.7)

P-2 : 메타크릴산메틸 50 질량%, 메타크릴산 25 질량%, 스티렌 25 질량% 의 3 원 공중합체의 메틸에틸케톤 용액 (고형분 농도 35 질량%, 중량 평균 분자량 50,000, 산 당량 430, 분산도 3.1) P-2: Methyl ethyl ketone solution of the ternary copolymer of 50 mass% of methyl methacrylate, 25 mass% of methacrylic acid, and 25 mass% of styrene (solid content concentration 35 mass%, weight average molecular weight 50,000, acid equivalent 430, dispersion | distribution) 3.1)

M-1 : 평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜에 에틸렌옥사이드를 추가로 양단에 각각 평균 3 몰 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트 M-1: Dimethacrylate of polyalkylene glycol in which an average of 3 moles of ethylene oxide was added to both ends of the polypropylene glycol to which an average of 12 moles of propylene oxide was added.

M-2 : 비스페놀A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드와 평균 6 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트 M-2: Dimethacrylate of polyalkylene glycol which added an average of 2 mol of propylene oxide and an average of 6 mol of ethylene oxide to both ends of bisphenol A, respectively.

M-3 : 비스페놀A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 (주) 제조 NK 에스테르 BPE-200) M-3: Dimethacrylate of polyethyleneglycol which added an average of 2 mol of ethylene oxide to both ends of bisphenol A (NK ester BPE-200 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)

M-4 : 비스페놀A 의 양단에 각각 평균 5 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 (주) 제조의 NK 에스테르 BPE-500 M-4: Dimethacrylate of polyethylene glycol with an average of 5 moles of ethylene oxide added to both ends of bisphenol A (NK ester BPE-500 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)

M-5 : 2,2-비스{4-(메타크릴록시펜타에톡시)시클로헥실}프로판 M-5: 2,2-bis {4- (methacryloxypentaethoxy) cyclohexyl} propane

M-6 : 헥사메틸렌디이소시아네이트와 올리고프로필렌글리콜모노메타크릴레이트 (닛폰 유지 (주) 제조, 브렌머 PP1000) 의 반응물인 우레탄폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트 M-6: urethane polypropylene glycol dimethacrylate which is a reaction product of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (manufactured by Nippon Oils & Fats, Inc., Brenmer PP1000).

M-7 : 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트 M-7: trimethylolpropane trimethacrylate

M-8 : 트리옥시에틸트리메틸올프로판트리아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 (주) 제조의 NK 에스테르 A-TMPT-3EO) M-8: trioxyethyl trimethylol propane triacrylate (NK ester A-TMPT-3EO manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

M-9 : 노나에틸렌글리콜디아크릴레이트 M-9: nonaethylene glycol diacrylate

G-1 : 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 G-1: 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone

G-2 : 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체 G-2: 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer

J-1 : 다이아몬드 그린 (호도가야 화학 (주) 제조의 아이젠 (등록 상표) DIAMOND GREEN GH) J-1: Diamond Green (Hoistaya Chemical Co., Ltd. Eisen (registered trademark) DIAMOND GREEN GH)

J-2 : 로이코 크리스탈 바이올렛J-2: Loikaw Crystal Violet

L-1 : 1-(2-디-n-부틸아미노메틸)-5-카르복실벤조트리아졸과 1-(2-디-n-부틸아미노메틸)-6-카르복실벤조트리아졸의 1 : 1 혼합물 L-1: 1 of 1- (2-di-n-butylaminomethyl) -5-carboxybenzotriazole and 1- (2-di-n-butylaminomethyl) -6-carboxybenzotriazole: 1 mixture

L-2 : 펜타에리트리톨의 3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐프로피온산테트라에스테르 (치바 스페셜리티 케미칼 (주) 제조의 IRGMOX245) L-2: 3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl propionic acid tetraester of pentaerythritol (IRGMOX245 by Chiba Specialty Chemical Co., Ltd.)

본 발명의 감광성 수지 적층체는 도체 패턴을 갖는 프린트 배선판, 플렉시블 기판, 리드프레임 기판, COF 용 기판, 반도체 패키지용 기판의 제조 및 도체 패턴으로서 액정용 투명 전극, 액정용 TFT 용 배선, PDP (플라즈마 디스플레이 패널) 용 전극을 갖는 기판의 제조 분야에 있어서, 에칭 레지스트 또는 도금 레지스트로서 바람직하다. The photosensitive resin laminate of the present invention is a printed wiring board, a flexible substrate, a lead frame substrate, a COF substrate, a semiconductor package substrate having a conductor pattern and a transparent electrode for a liquid crystal, a wiring for a liquid crystal TFT, a PDP (plasma) as a conductor pattern. In the field of manufacturing a substrate having an electrode for a display panel), it is preferable as an etching resist or a plating resist.

Claims (7)

지지 필름, 그리고 그 지지 필름 상에 층 두께가 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하인 중간층 및 감광성 수지층을 이 순서로 포함하여 이루어지는 감광성 수지 적층체로서, 그 중간층이 폴리비닐알코올과 하기 일반식 (I) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 함유하여 이루어지는 감광성 수지 적층체A photosensitive resin laminate comprising a support film and an intermediate layer having a layer thickness of 0.1 μm or more and 10 μm or less on the support film and a photosensitive resin layer in this order, wherein the intermediate layer is polyvinyl alcohol and the following general formula (I). Photosensitive resin laminated body containing 1 or more types of compounds chosen from the group which consists of a compound to show R1-O-(CH2CH2O)n1-R2 (I) R 1 -O- (CH 2 CH 2 O) n 1 -R 2 (I) (R1 및 R2 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, n1 은 3 ∼ 25 의 정수이다) (R 1 and R 2 are H or CH 3 , these may be the same or different, n 1 is an integer of 3 to 25) 에 있어서, 그 감광성 수지층이 (a) 카르복실기 함유량이 산 당량으로 100 ∼ 600 이며, 중량 평균 분자량이 5000 ∼ 500000 인 바인더용 수지 : 20 ∼ 90 질량%, (b) 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물 : 3 ∼ 70 질량%, (c) 광중합 개시제 : 0.1 ∼ 20 질량% 를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층인 것을 특징으로 하는 상기 감광성 수지 적층체. WHEREIN: Resin for binders whose photosensitive resin layer is (a) carboxyl group content is 100-600 in acid equivalent, and a weight average molecular weight is 5000-500000: 20-90 mass%, (b) At least 1 type of photopolymerizable unsaturated Compound: 3-70 mass%, (c) Photoinitiator: It is a layer which consists of photosensitive resin composition containing 0.1-20 mass%, The said photosensitive resin laminated body characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 감광성 수지층 상에 추가로 보호층을 적층시켜 이루어지는 감광성 수지 적층체. The photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking a protective layer further on the said photosensitive resin layer. 삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 (a) 바인더용 수지가, 벤질(메트)아크릴레이트를 공중합 성분으로서 함유하는 감광성 수지 적층체. The photosensitive resin laminated body in which the said resin for binders (a) contains benzyl (meth) acrylate as a copolymerization component. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 (b) 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물이 하기 일반식 (Ⅱ) ∼ (Ⅵ) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종의 광중합 가능한 불포화 화합물인 감광성 수지 적층체. The photosensitive resin laminated body whose said (b) at least 1 sort (s) of photopolymerizable unsaturated compound is at least 1 sort (s) of photopolymerizable unsaturated compound chosen from the group which consists of a compound represented by following General formula (II)-(VI). [화학식 1][Formula 1]
Figure 112010067790295-pct00021
Figure 112010067790295-pct00021
(식 중, R4 및 R5 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ∼ 20 의 정수이다) (Wherein, R 4 and R 5 are H or CH 3 , which may be the same or different, and n 2 , n 3 and n 4 are each independently an integer of 3 to 20) [화학식 2][Formula 2]
Figure 112010067790295-pct00022
Figure 112010067790295-pct00022
(식 중, R6 및 R7 은 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, A 는 C2H4, B 는 CH2CH(CH3), n6 + n7 은 2 ∼ 40 의 정수, n8 + n9 는 0 ∼ 40 의 정수, n6 및 n7 은 각각 독립적으로 1 ∼ 39 의 정수, n8 및 n9 는 각각 독립적으로 0 ∼ 40 의 정수이다. -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(A-O)- 및 -(B-O)- 의 순서는 어느 하나가 비스페닐기측이어도 된다) (Wherein R 6 and R 7 are H or CH 3 , these may be the same or different, A is C 2 H 4 , B is CH 2 CH (CH 3 ), n 6 + n 7 is 2-40 , N 8 + n 9 are each an integer of 0 to 40, n 6 and n 7 are each independently an integer of 1 to 39, and n 8 and n 9 are each independently an integer of 0 to 40.-(AO) The arrangement of the repeating units-and-(BO)-may be random or a block, and in the case of a block, the order of-(AO)-and-(BO)-may be the bisphenyl group side) [화학식 3](3)
Figure 112010067790295-pct00023
Figure 112010067790295-pct00023
(식 중, R8 및 R9 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 되며, D 는 C2H4, E 는 CH2CH(CH3), m1 + m2 는 2 ∼ 40 의 정수, m3 + m4 는 0 ∼ 40 의 정수, m1 및 m2 는 각각 독립적으로 1 ∼ 39 의 정수, m3 및 m4 는 각각 독립적으로 0 ∼ 40 의 정수이다. -(D-O)- 및 -(E-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(D-O)- 및 -(E-O)- 의 순서는 어느 하나가 시클로헥실기측이어도 된다) (Wherein, R 8 and R 9 is H or CH 3, which will be the same or different, D is C 2 H 4, E is CH 2 CH (CH 3), m 1 + m 2 is an integer of 2 ~ 40, m 3 + m 4 is an integer of 0 to 40, m 1 and m 2 are each independently an integer of 1 to 39, and m 3 and m 4 are each independently an integer of 0 to 40. The arrangement of the repeating units of-(DO)-and-(EO)-may be random or block. In the case of a block, the order of-(DO)-and-(EO)-may be one of the cyclohexyl group side) [화학식 4] [Formula 4]
Figure 112010067790295-pct00024
Figure 112010067790295-pct00024
(식 중, R10 은 탄소수 4 ∼ 12 의 2 가의 유기기, R11 및 R12 는 H 또는 CH3 이며, 이들은 동일하거나 상이하여도 된다. m5 및 m6 은 각각 독립적으로 1 ∼ 15 의 정수이다) (Wherein, R 10 is a divalent organic group, R 11 and R 12 having a carbon number of 4 to 12 is H or CH 3, which are the same or the different. M 5 and m 6 is from 1 to 15 are each independently Is an integer) [화학식 5][Chemical Formula 5]
Figure 112010067790295-pct00025
Figure 112010067790295-pct00025
(식 중, R13 은 H 또는 CH3, R14 는 탄소수 4 ∼ 14 의 알킬기, A' 는 C2H4, B' 는 CH2CH(CH3), m7 은 1 ∼ 12, m8 은 0 ∼ 12, m9 는 0 ∼ 3 의 정수이다. -(A'-O)- 및 -(B'-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이거나 블록이어도 된다. 블록의 경우, -(A'-O)- 및 -(B'-O)- 의 순서는 어느 하나가 페닐기측이어도 된다) (Wherein R 13 is H or CH 3 , R 14 is an alkyl group having 4 to 14 carbon atoms, A 'is C 2 H 4 , B' is CH 2 CH (CH 3 ), m 7 is 1-12, m 8 Is 0-12 and m 9 is an integer of 0 to 3. The array of repeating units of-(A'-O)-and-(B'-O)-may be random or a block. The order of A'-O)-and-(B'-O)-may be the phenyl group side)
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 감광성 수지 적층체를 금속판, 또는 금속 피복 절연판의 표면에 라미네이트하는 라미네이트 공정, 지지 필름을 박리하여 노광하는 노광 공정, 현상에 의해 미노광부를 제거하는 현상 공정을 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성 방법. The lamination process of laminating the photosensitive resin laminated body of Claim 1 or 2 to the surface of a metal plate or a metal clad insulation board, the exposure process which peels and exposes a support film, and the image development process which removes an unexposed part by image development, and order. The resist pattern formation method characterized by including as it is. 제 6 항에 기재된 방법에 의해, 레지스트 패턴을 형성한 기판을 에칭 또는 도금하는 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조 방법. The method according to claim 6, wherein the substrate on which the resist pattern is formed is etched or plated.
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