JP4931533B2 - Photosensitive resin composition and laminate thereof - Google Patents

Photosensitive resin composition and laminate thereof Download PDF

Info

Publication number
JP4931533B2
JP4931533B2 JP2006260003A JP2006260003A JP4931533B2 JP 4931533 B2 JP4931533 B2 JP 4931533B2 JP 2006260003 A JP2006260003 A JP 2006260003A JP 2006260003 A JP2006260003 A JP 2006260003A JP 4931533 B2 JP4931533 B2 JP 4931533B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
photosensitive resin
mass
resin composition
resist pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006260003A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007122028A (en
Inventor
有里 山田
勉 五十嵐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei E Materials Corp
Original Assignee
Asahi Kasei E Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei E Materials Corp filed Critical Asahi Kasei E Materials Corp
Priority to JP2006260003A priority Critical patent/JP4931533B2/en
Publication of JP2007122028A publication Critical patent/JP2007122028A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4931533B2 publication Critical patent/JP4931533B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は感光性樹脂組成物、ならびにその用途に関し、詳しくはプリント配線板、フレキシブル基板、リードフレーム等の導体パターンの製造に適した感光性樹脂積層体、ならびにそれを用いたレジストパターンの形成方法、導体パターンの製造方法、プリント配線板の製造方法、リードフレームの製造方法、半導体パッケージの製造方法に関する。   The present invention relates to a photosensitive resin composition and use thereof, and more specifically, a photosensitive resin laminate suitable for manufacturing a conductive pattern such as a printed wiring board, a flexible substrate, and a lead frame, and a method of forming a resist pattern using the same. The present invention relates to a conductor pattern manufacturing method, a printed wiring board manufacturing method, a lead frame manufacturing method, and a semiconductor package manufacturing method.

パソコンや携帯電話等の電子機器には、部品や半導体などの実装用としてプリント配線板等が用いられる。プリント配線板等の製造用のレジストとしては、従来より、支持体と感光性樹脂層と保護層から成る、いわゆるドライフィルムレジスト(以下DFRと略称)が用いられている。DFRは、一般に支持体上に感光性樹脂層を積層し、さらに該感光性樹脂層上に保護層を積層することにより調製される。
ここで用いられる感光性樹脂層としては、現在、現像液として弱アルカリ水溶液を用いるアルカリ現像型のものが一般的である。
DFRを用いてプリント配線板等を作成するには、まず保護層を剥離した後、銅張積層板やフレキシブル基板等の永久回路作成用基板上にラミネーター等を用いDFRを積層し、配線パターンマスクフィルム等を通し露光を行う。次に必要に応じて支持体を剥離し、現像液により未露光部分の感光性樹脂層を溶解、もしくは分散除去し、基板上にレジストパターンを形成させる。
For electronic devices such as personal computers and mobile phones, printed wiring boards and the like are used for mounting components and semiconductors. A so-called dry film resist (hereinafter abbreviated as DFR) composed of a support, a photosensitive resin layer, and a protective layer has been conventionally used as a resist for manufacturing printed wiring boards and the like. The DFR is generally prepared by laminating a photosensitive resin layer on a support and further laminating a protective layer on the photosensitive resin layer.
As the photosensitive resin layer used here, an alkali developing type using a weak alkaline aqueous solution as a developing solution is generally used.
To create a printed wiring board using DFR, first peel off the protective layer, and then laminate the DFR on a permanent circuit creation board such as a copper-clad laminate or flexible board using a laminator, etc. Exposure is performed through a film or the like. Next, if necessary, the support is peeled off, and the photosensitive resin layer in the unexposed portion is dissolved or dispersed and removed with a developing solution to form a resist pattern on the substrate.

レジストパターン形成後、回路を形成させるプロセスは大きく2つの方法に分かれる。第一の方法は、レジストパターンによって覆われていない銅張り積層板等の銅面をエッチング除去した後、レジストパターン部分を現像液よりも強いアルカリ水溶液で除去する方法である。この場合、工程の簡便さから、貫通孔(スルーホール)を硬化膜で覆いその後エッチングする方法(テンティング法)が多用されている。第二の方法は同上の銅面に銅、半田、ニッケルおよび錫等のめっき処理を行った後、同様にレジストパターン部分の除去、さらに現れた銅張り積層板等の銅面をエッチングする方法(めっき法)である。いずれの場合もエッチングには塩化第二銅、塩化第二鉄、銅アンモニア錯体溶液等が用いられる。   After forming the resist pattern, the process for forming a circuit is roughly divided into two methods. The first method is a method in which after removing a copper surface such as a copper-clad laminate not covered with a resist pattern by etching, the resist pattern portion is removed with an alkaline aqueous solution stronger than the developer. In this case, for simplicity of the process, a method (tenting method) in which a through hole (through hole) is covered with a cured film and then etched is frequently used. The second method is to remove the resist pattern portion after performing plating treatment of copper, solder, nickel, tin, etc. on the above copper surface, and further etch the copper surface of the copper-clad laminate, etc. that appeared ( Plating method). In any case, cupric chloride, ferric chloride, a copper ammonia complex solution or the like is used for etching.

近年のパソコン等に搭載されるプリント配線板の微細化に対応し、レジストの高解像性及び密着性が求められている。高解像度とするには一般的には感光性樹脂組成物の架橋密度を向上させることにより達成されるが、架橋密度を向上させるとレジスト硬化膜が硬く、もろくなる。テンティング法を用いる場合、硬化膜にはテンティング工程を通して硬化膜破れがないこと(テンティング性)が求められるが、硬化膜が硬くなることにより、テンティング性が悪くなるという問題点が発生する。また現像やエッチングの工程でスプレー等の圧力により、硬化膜が破れると、銅ラインが断線し、不良の原因となってしまう。このため高解像性を有し、硬化膜柔軟性、テンティング性が良好なレジストが求められている。   Responding to the recent miniaturization of printed wiring boards mounted on personal computers and the like, high resolution and adhesion of resists are required. High resolution is generally achieved by improving the crosslinking density of the photosensitive resin composition. However, when the crosslinking density is increased, the cured resist film becomes hard and brittle. When using the tenting method, it is required that the cured film does not break through the tenting process (tenting property), but the problem is that the tented property deteriorates due to the hardened film. To do. In addition, if the cured film is broken by pressure such as spraying in the development or etching process, the copper line is broken, causing a defect. Therefore, a resist having high resolution and good cured film flexibility and tenting properties is required.

また、エッチング工程においてエッチング液耐性が弱いと、エッチング液がレジスト底面からしみ込み、銅回路ががたついたり、レジストラインが流れるなどして不良の原因となることがある。
露光を行った後、現像液により未露光部分の感光性樹脂層を溶解、もしくは分散除去する工程は、現像工程と呼ばれる。DFRの成分はそのすべてが現像液に溶解するわけではなく、現像工程を重ねるごとに現像液分散性の悪い不溶解成分が増え、凝集物(スカム)を発生する。凝集物は基板上に再付着しテンティング、エッチング工法の場合ショート不
良の原因となり、現像槽の配管を詰まらせることもある。それゆえ凝集物を低減する目的で、光重合性不飽和化合物として、現像液分散性の良い、アルキルフェノール型単官能モノマーを用いる試み(特許文献1)や、フェノキシ型単官能モノマーを用いる試み(特許文献2)があるが、いずれも満足するものではなかった。
In addition, if the etchant resistance is weak in the etching process, the etchant may permeate from the bottom surface of the resist, which may cause defects due to rattling of the copper circuit or flow of the resist line.
The step of dissolving or dispersing and removing the photosensitive resin layer in the unexposed portion with a developer after exposure is called a development step. Not all of the DFR components dissolve in the developer, and each time the development process is repeated, insoluble components with poor developer dispersibility increase and aggregates (scum) are generated. Aggregates re-adhere on the substrate, causing a short circuit failure in the tenting and etching methods, and may clog the developing tank piping. Therefore, for the purpose of reducing aggregates, as a photopolymerizable unsaturated compound, an attempt to use an alkylphenol type monofunctional monomer with good developer dispersibility (Patent Document 1) or an attempt to use a phenoxy type monofunctional monomer (Patent) There are references 2), but none of them was satisfactory.

また、特許文献3には、ベンジルメタクリレートを共重合体成分として含むバインダー用樹脂を用いた感光性樹脂組成物が開示されており、特許文献4には、アクリジン化合物を用いた感光性樹脂組成物が開示されているが、これらでは、現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、高解像度を発現し、良好な硬化膜柔軟性、テンティング性及び良好なエッチング液耐性という各効果のバランスに優れた感光性樹脂組成物の要望に十分対応していなかった。
従って、現像工程での現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、高解像度を発現し、良好な硬化膜柔軟性、テンティング性及び良好なエッチング液耐性を有する感光性樹脂組成物が求められてきた。
Patent Document 3 discloses a photosensitive resin composition using a binder resin containing benzyl methacrylate as a copolymer component, and Patent Document 4 discloses a photosensitive resin composition using an acridine compound. However, these have excellent developer dispersion stability, do not generate agglomerates, exhibit high resolution, and exhibit various effects such as good cured film flexibility, tenting properties, and good etching solution resistance. The request for a photosensitive resin composition excellent in balance has not been sufficiently met.
Therefore, a photosensitive resin composition having excellent developer dispersion stability in the development process, generating no agglomerates, expressing high resolution, good cured film flexibility, tenting properties, and good etching solution resistance. It has been sought.

特開2001−174986号公報JP 2001-174986 A 特開2001−305730号公報JP 2001-305730 A 特開2005−121790号公報JP 2005-121790 A 特開2002−323761号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-323761

本発明は、現像後解像性が良好で、現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、硬化膜柔軟性に優れテンティング性、良好なエッチング液耐性を有する感光性樹脂組成物、及び該組成物からなる感光性樹脂層を有する感光性樹脂積層体を提供すること、ならびに、該積層体を用いたレジストパターンの形成方法、及び導体パターンの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention is a photosensitive resin composition having good post-development resolution, excellent developer dispersion stability, not generating aggregates, excellent cured film flexibility, tenting properties, and good etchant resistance, An object of the present invention is to provide a photosensitive resin laminate having a photosensitive resin layer composed of the composition, and to provide a resist pattern forming method and a conductor pattern manufacturing method using the laminate. .

上記課題を解決するため検討した結果、特定の感光性樹脂組成物を用いることにより、現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、解像性及び密着性が良好でテンティング性、良好なエッチング液耐性を有し、良好な導体パターンを形成することが可能なことを見出し、本発明に至った。
即ち、本発明は、以下の感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、レジストパターン形成方法、導体パターンの製造方法の発明である。
(1)(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、共重合成分としてベンジル(メタ)アクリレートを10〜90質量%含有し、かつ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダー用樹脂:10〜90質量%、(b)光重合性不飽和化合物:5〜70質量%、(c)光重合開始剤として下記一般式(I)で表される化合物を0.1〜20質量%、下記一般式(II)で表される化合物を0.01〜10質量%含
有する感光性樹脂組成物であって、
前記(b)光重合性不飽和化合物として、下記一般式(V)及び(VI)で表される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物
(式中Aは、水素、アリール基、複素環基、直鎖または分枝鎖の炭素数1〜6のアルキル基又はアルコキシ基、およびNR(Rは水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基)からなる群から選ばれる置換基を表す。)
(式中Bは、アリール基、複素環基、直鎖または分枝鎖の炭素数1〜6のアルキル基、およびNR(Rは水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基)からなる群から選ばれる置換基を表す。bは0〜5の整数である。式中Xは、ハロゲン原子を表す。)
(式中、R 及びR は、HまたはCH であり、これらは同一であっても相違してもよい。また、R 及びR は、エチレン基又はプロピレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R −O)−及び−(R −O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m5、m6、n5、及びn6は、それぞれ独立に、0又は正の整数であり、これらの合計は、2〜40である。)
(式中、R 及びR 10 は、HまたはCH であり、これらは同一であっても相違してもよい。また、R 及びR は、エチレン基又はプロピレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R −O)−及び−(R −O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m7、m8、n7、及びn8は、それぞれ独立に、0又は正の整数であり、これらの合計は、2〜40である。)
(2)(c)光重合開始剤として、下記一般式(III)で表される化合物を0.1〜1
9.9質量%さらに含有することを特徴とする(1)記載の感光性樹脂組成物。
(式中、C、D、及びEはそれぞれ独立に水素、炭素数が1〜6のアルキル基、及びアルコキシ基、並びにハロゲン基のいずれかを表し、c、d、及びeはそれぞれ独立に1〜5の整数である。)
(3)下記一般式(IV)で表される化合物を0.1〜20質量%さらに含有することを特徴とする(1)または(2)に記載の感光性樹脂組成物。
(R及びRは、エチレン基又はプロピレン基であり、これらは相異なる。m1,n1,m2,n2,m3,n3,m4、及びn4は、0以上の整数であり、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4は0〜40である。−(R−O)−、及び−(R−O)−の繰り返し構造は、ランダムであっても、ブロックであってもよい。F,G,H及びIはそれぞれ独立に、水素又は炭素数1〜30の脂肪酸アシル基である。)
)(1)〜()のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を支持体上に積層してなる感光性樹脂組成層を有することを特徴とした感光性樹脂積層体。
)()記載の感光性樹脂積層体を基板に積層し、露光した後、現像により未露光部を除去する工程を含むレジストパターンの形成方法。
)()に記載の方法によって、レジストパターンを形成した基板をエッチングまたはめっきする工程を含む導体パターンの製造方法。
)()に記載の方法によって、レジストパターンを形成した基板をエッチングまたはめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法。
)()に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法。
)()記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含む半導体パッケージの製造方法。
10)()記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラスト工程によって加工する方法。
As a result of studying to solve the above problems, by using a specific photosensitive resin composition, the developer dispersion stability is excellent, no aggregates are generated, resolution and adhesion are good, tenting properties, and good. It has been found that it has a good etching solution resistance and can form a good conductor pattern, and has led to the present invention.
That is, this invention is invention of the manufacturing method of the following photosensitive resin compositions, photosensitive resin laminated bodies, a resist pattern formation method, and a conductor pattern.
(1) (a) A binder having a carboxyl group content of 100 to 600 in terms of acid equivalent, 10 to 90% by mass of benzyl (meth) acrylate as a copolymer component, and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000. Resin for use: 10 to 90% by mass, (b) Photopolymerizable unsaturated compound: 5 to 70% by mass, (c) 0.1 to 20 of a compound represented by the following general formula (I) as a photopolymerization initiator mass%, a compound of feeling light resin composition you containing 0.01 to 10 wt%, represented by the following formula (II),
A photosensitive resin composition comprising at least one compound represented by the following general formulas (V) and (VI) as the photopolymerizable unsaturated compound (b) .
(In the formula, A is hydrogen, an aryl group, a heterocyclic group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, and NR 2 (where R is a hydrogen atom or having 1 to 6 carbon atoms) Represents a substituent selected from the group consisting of an alkyl group).
Wherein B is an aryl group, a heterocyclic group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and NR 2 (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). And b represents an integer of 0 to 5. In the formula, X represents a halogen atom.
(In the formula, R 5 and R 6 are H or CH 3 , and these may be the same or different. R 3 and R 4 are an ethylene group or a propylene group, and are the same respectively. In this case, the repeating unit of — (R 3 —O) — and — (R 4 —O) — may be a block structure or a random structure, m5, m6, n5. , And n6 are each independently 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)
(In the formula, R 9 and R 10 are H or CH 3 , and these may be the same or different. R 7 and R 8 are an ethylene group or a propylene group, and are the same respectively. In this case, the repeating unit of- (R 7 -O) -and- (R 8 -O)-may be a block structure or a random structure.m7, m8, n7 , And n8 are each independently 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)
(2) (c) As a photopolymerization initiator, a compound represented by the following general formula (III) is 0.1 to 1
The photosensitive resin composition according to (1), further containing 9.9% by mass.
(In the formula, C, D, and E each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group; c, d, and e each independently represent 1; It is an integer of ~ 5.)
(3) The photosensitive resin composition according to (1) or (2), further comprising 0.1 to 20% by mass of a compound represented by the following general formula (IV).
(R 1 and R 2 are ethylene groups or propylene groups, which are different from each other. M1, n1, m2, n2, m3, n3, m4, and n4 are integers of 0 or more, and m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 is 0 to 0. 40. The repeating structure of — (R 1 —O) — and — (R 2 —O) — may be random or block, and F, G, H and I are independent of each other. And hydrogen or a fatty acid acyl group having 1 to 30 carbon atoms.)
( 4 ) A photosensitive resin laminate comprising a photosensitive resin composition layer obtained by laminating the photosensitive resin composition according to any one of (1) to ( 3 ) on a support.
( 5 ) A method for forming a resist pattern, comprising: laminating the photosensitive resin laminate according to ( 4 ) on a substrate, exposing the substrate, and then removing an unexposed portion by development.
( 6 ) A method for producing a conductor pattern comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to ( 5 ).
( 7 ) A method for producing a printed wiring board, comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to ( 5 ).
( 8 ) A method for manufacturing a lead frame, comprising a step of etching a substrate on which a resist pattern is formed by the method described in ( 5 ).
( 9 ) A method for manufacturing a semiconductor package, comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern has been formed by the method described in ( 5 ).
( 10 ) A method of processing a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to ( 5 ) by a sandblasting process.

本発明により、現像工程において現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、解像性が良好で、且つ、硬化膜柔軟性、テンティング性、良好なエッチング液耐性を有しており、良好な導体パターンを形成するために好適な感光性樹脂組成物、及び該組成物からなる感光性樹脂層を有する感光性樹脂積層体を提供することができる。また、該積層体を用いたレジストパターンの形成方法、及び微細配線を有するプリント配線板等の導体パターンの製造方法を提供することができる。   According to the present invention, the developer dispersion stability is excellent in the development process, no aggregates are generated, the resolution is good, and the cured film has flexibility, tenting properties, and good etching solution resistance. A photosensitive resin composition suitable for forming a good conductor pattern, and a photosensitive resin laminate having a photosensitive resin layer comprising the composition can be provided. Moreover, the formation method of the resist pattern using this laminated body and the manufacturing method of conductor patterns, such as a printed wiring board which has fine wiring, can be provided.

以下、本発明について具体的に説明する。
本発明で用いられる感光性樹脂積層体は、支持体と保護層の間に感光性樹脂層を挟み込んだ積層フィルム、又は該積層フィルムから保護層を剥離したものであり、感光性エレメント、感光性フィルム、ドライフィルム、ドライフィルムレジストあるいはDFRと呼ばれることもある。
本発明に用いられる、(a)バインダー用樹脂に含まれるカルボキシル基の含有量は、酸当量で100〜600が好ましく、より好ましくは300〜450である。酸当量とは、その中に1当量のカルボキシル基を有する線状重合体の質量を言う。
バインダー用樹脂中のカルボキシル基は、感光性樹脂層にアルカリ水溶液に対する現像性や剥離性を与えるために必要である。酸当量は、現像耐性、解像性および密着性の観点から100以上が好ましく、現像性および剥離性の観点から600以下が好ましい。
Hereinafter, the present invention will be specifically described.
The photosensitive resin laminate used in the present invention is a laminated film in which a photosensitive resin layer is sandwiched between a support and a protective layer, or a protective layer is peeled from the laminated film. Sometimes called film, dry film, dry film resist or DFR.
As for content of the carboxyl group contained in (a) resin for binders used for this invention, 100-600 are preferable at an acid equivalent, More preferably, it is 300-450. An acid equivalent means the mass of the linear polymer which has a 1 equivalent carboxyl group in it.
The carboxyl group in the binder resin is necessary to give the photosensitive resin layer developability and releasability with respect to an aqueous alkali solution. The acid equivalent is preferably 100 or more from the viewpoint of development resistance, resolution, and adhesion, and is preferably 600 or less from the viewpoint of developability and peelability.

本発明に用いられる(a)バインダー用樹脂の重量平均分子量は、5000〜500000であることが好ましい。バインダー用樹脂の重量平均分子量は、解像性の観点から500000以下が好ましく、エッジフューズの観点から5000以上が好ましい。エッジフューズとは、レジストロールの保存の際、ロールの端からレジストがしみ出し、チップを発生させ不良の原因となる現象をいう。
本発明の効果をさらに良く発揮するためには、バインダー用樹脂の重量平均分子量は、5000〜200000であることがより好ましく、さらに好ましくは5000〜100000である。分散度(分子量分布と呼ぶこともある)は下記式の重量平均分子量と数平均分子量の比で表される。
(分散度)=(重量平均分子量)/(数平均分子量)
分散度は1〜6程度のものが用いられ好ましくは1〜4である。
The weight average molecular weight of the (a) binder resin used in the present invention is preferably 5,000 to 500,000. The weight average molecular weight of the binder resin is preferably 500000 or less from the viewpoint of resolution, and 5000 or more is preferable from the viewpoint of edge fuse. Edge fuse refers to a phenomenon in which when a resist roll is stored, the resist oozes out from the end of the roll, generating chips and causing defects.
In order to better exhibit the effects of the present invention, the weight average molecular weight of the binder resin is more preferably 5,000 to 200,000, still more preferably 5,000 to 100,000. The degree of dispersion (sometimes referred to as molecular weight distribution) is represented by the ratio of the weight average molecular weight to the number average molecular weight of the following formula.
(Dispersity) = (weight average molecular weight) / (number average molecular weight)
The degree of dispersion is about 1 to 6, preferably 1 to 4.

なお、酸当量の測定は、平沼産業(株)製平沼自動滴定装置(COM−555)を使用し、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いて電位差滴定法により行われる。
分子量は、日本分光(株)製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(ポンプ:Gulliver、PU−1580型、カラム:昭和電工(株)製Shodex(登録商標)(KF−807、KF−806M、KF−806M、KF−802.5)4本直列、移動層溶媒:テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル(昭和電工(株)製 Shodex STANDARD SM−105 Polystyrene)による検量線使用)により重量平均分子量(ポリスチレン換算)として求められる。
The acid equivalent is measured by a potentiometric titration method using a Hiranuma automatic titration apparatus (COM-555) manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd., and using a 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution.
The molecular weight is gel permeation chromatography (GPC) manufactured by JASCO Corporation (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Shodex (registered trademark) manufactured by Showa Denko KK (KF-807, KF-806M, KF -806M, KF-802.5) 4 in series, moving bed solvent: tetrahydrofuran, polystyrene standard sample (use of calibration curve by Shodex STANDARD SM-105 Polystyrene manufactured by Showa Denko KK) as weight average molecular weight (polystyrene conversion) Desired.

本発明に用いられる(a)バインダー用樹脂は、解像性、凝集性の観点からベンジル(メタ)アクリレートを必須成分とする。本発明のベンジル(メタ)アクリレートには、芳香環に炭素数1〜6のアルコシキ基、ハロゲン、炭素数1〜6のアルキル基が置換した化合物、具体的には、エトキシベンジル(メタ)アクリレート、メトキシベンジル(メタ)アクリレート、クロロベンジル(メタ)アクリレートやメチルベンジル(メタ)アクリレート、エチルベンジル(メタ)アクリレートなどのベンジル(メタ)アクリレートを含む。特に置換基のないベンジル(メタ)アクリレートが好ましい。   The (a) binder resin used in the present invention contains benzyl (meth) acrylate as an essential component from the viewpoint of resolution and aggregation. The benzyl (meth) acrylate of the present invention is a compound in which an aromatic ring is substituted with an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, halogen, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, specifically, ethoxybenzyl (meth) acrylate, Benzyl (meth) acrylates such as methoxybenzyl (meth) acrylate, chlorobenzyl (meth) acrylate, methylbenzyl (meth) acrylate, and ethylbenzyl (meth) acrylate are included. In particular, benzyl (meth) acrylate having no substituent is preferred.

バインダー樹脂中のベンジル(メタ)アクリレートの含有率は10〜90質量%が好ましい。現像性の観点から90質量%以下が好ましく、凝集性の観点から10質量%以上が好ましい。より好ましくは20〜85質量%であり、さらに好ましくは30〜80質量%、最も好ましくは、40〜80質量%である。
本発明において、(メタ)アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートを表す。
本発明に用いられる(a)バインダー用樹脂は、ベンジル(メタ)アクリレートに加え、下記の2種類の単量体の中より、下記第一の単量体のうち少なくとも一種、さらに必要に応じて下記第二の単量体を共重合させることにより得られる。
The content of benzyl (meth) acrylate in the binder resin is preferably 10 to 90% by mass. 90 mass% or less is preferable from the viewpoint of developability, and 10 mass% or more is preferable from the viewpoint of aggregation. More preferably, it is 20-85 mass%, More preferably, it is 30-80 mass%, Most preferably, it is 40-80 mass%.
In the present invention, (meth) acrylate represents acrylate and methacrylate.
(A) Resin for binder used in the present invention is at least one of the following first monomers from the following two types of monomers in addition to benzyl (meth) acrylate, and further if necessary It can be obtained by copolymerizing the following second monomer.

第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を一個有するカルボン酸又は酸無水物である。例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル等が挙げられる。
第二の単量体は、非酸性で、分子中に重合性不飽和基を一個有する化合物である。該化合物は、感光性樹脂層の現像性、エッチング及びめっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。該化合物としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロニトリル、フルフリル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、クレジル(メタ)アクリレート、ナフチル(メタ)アクリレートなどのアリール(メタ)アクリレート、フェニル基を有するビニル化合物(例えば、スチレン)等を用いることができる。
The first monomer is a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Examples include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid half ester, and the like.
The second monomer is a non-acidic compound having one polymerizable unsaturated group in the molecule. The compound is selected so as to maintain various properties such as developability of the photosensitive resin layer, resistance in etching and plating processes, and flexibility of the cured film. Examples of the compound include alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2 -Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylonitrile, furfuryl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, cresyl ( Aryl (meth) acrylates such as meth) acrylate and naphthyl (meth) acrylate, vinyl compounds having a phenyl group (for example, styrene), and the like can be used.

第一の単量体は(a)バインダー用樹脂中に5〜50質量%、第二の単量体は0〜85質量%含有することが好ましい。
本発明に用いられる(a)バインダー用樹脂は、ベンジル(メタ)アクリレートと、上記第一の単量体および/または第二の単量体との混合物を、アセトン、メチルエチルケトン、又はイソプロパノール等の溶剤で希釈した溶液に、過酸化ベンゾイル、アゾイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤を適量添加し、加熱攪拌することにより合成を行うことが好ましい。混合物の一部を反応液に滴下しながら合成を行う場合もある。反応終了後、さらに溶剤を加えて、所望の濃度に調整する場合もある。合成手段としては、溶液重合以外に、塊状重合、懸濁重合、又は乳化重合を用いてもよい。
The first monomer (a) is preferably contained in the binder resin in an amount of 5 to 50% by mass, and the second monomer is preferably contained in an amount of 0 to 85% by mass.
(A) Binder resin used in the present invention is a mixture of benzyl (meth) acrylate and the first monomer and / or the second monomer, a solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, or isopropanol. It is preferable to carry out the synthesis by adding an appropriate amount of a radical polymerization initiator such as benzoyl peroxide or azoisobutyronitrile to the solution diluted with, and stirring with heating. In some cases, the synthesis is performed while a part of the mixture is dropped into the reaction solution. After completion of the reaction, a solvent may be further added to adjust to a desired concentration. As synthesis means, bulk polymerization, suspension polymerization, or emulsion polymerization may be used in addition to solution polymerization.

本発明に用いられる(a)バインダー用樹脂の、感光性樹脂組成物の総和に対する割合は、10〜90質量%の範囲であり、好ましくは30〜70質量%である。露光、現像によって形成されるレジストパターンが、レジストとしての特性、例えば、テンティング、エッチング及び各種めっき工程において十分な耐性等を有するという観点から10質量%以上90質量%以下が好ましい。また、本発明の感光性樹脂組成物中には、上記ベンジル
(メタ)アクリレートを共重合成分として含むバインダー用樹脂以外のバインダー用樹脂を含有しても良い。
本発明に用いられる(b)光重合性不飽和化合物のうち、下記一般式(V)、及び(VI)で表される光重合性不飽和化合物について説明する。
The ratio of the resin for binder (a) used in the present invention to the total of the photosensitive resin composition is in the range of 10 to 90% by mass, preferably 30 to 70% by mass. The resist pattern formed by exposure and development is preferably 10% by mass or more and 90% by mass or less from the viewpoint that the resist pattern has sufficient resistance as a resist, for example, tenting, etching, and various plating processes. Moreover, you may contain resin for binders other than the resin for binders which contains the said benzyl (meth) acrylate as a copolymerization component in the photosensitive resin composition of this invention.
Among the photopolymerizable unsaturated compounds (b) used in the present invention, the photopolymerizable unsaturated compounds represented by the following general formulas (V) and (VI) will be described.

(式中、R及びRは、HまたはCHであり、これらは同一であっても相違してもよい。また、R及びRは、エチレン基又はプロピレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m5、m6、n5、及びn6は、それぞれ独立に、0又は正の整数であり、これらの合計は、2〜40である。) (In the formula, R 5 and R 6 are H or CH 3 , and these may be the same or different. R 3 and R 4 are an ethylene group or a propylene group, and are the same respectively. In this case, the repeating unit of — (R 3 —O) — and — (R 4 —O) — may be a block structure or a random structure, m5, m6, n5. , And n6 are each independently 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)

(式中、R及びR10は、HまたはCHであり、これらは同一であっても相違してもよい。また、R,Rはエチレン基又はプロピレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R−O)−及び−(R−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m7、m8、n7、及びn8は、それぞれ独立に、0又は正の整数であり、これらの合計は、2〜40である。) (In the formula, R 9 and R 10 are H or CH 3 , and these may be the same or different. R 7 and R 8 are an ethylene group or a propylene group, and each is the same. In this case, the repeating units of — (R 7 —O) — and — (R 8 —O) — may have a block structure or a random structure, m7, m8, n7, And n8 are each independently 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)

上記一般式(V)で表される化合物においては、m5+m6+n5+n6の下限は2以上が好ましく、上限は、40以下が好ましい。より好ましくは、15以上40以下、更に好ましくは、20以上40以下である。
上記一般式(VI)で表される化合物においては、m7+m8+n7+n8の下限は2以上が好ましく、上限は40以下が好ましい。
上記一般式(V)、(VI)で表わされる化合物においては、これらの値が2未満では硬化膜の柔軟性およびテンティング性が悪化し、これらの値が40を超えると、解像度に対する効果が充分でない。
In the compound represented by the general formula (V), the lower limit of m5 + m6 + n5 + n6 is preferably 2 or more, and the upper limit is preferably 40 or less. More preferably, it is 15-40, More preferably, it is 20-40.
In the compound represented by the general formula (VI), the lower limit of m7 + m8 + n7 + n8 is preferably 2 or more, and the upper limit is preferably 40 or less.
In the compounds represented by the general formulas (V) and (VI), when these values are less than 2, the flexibility and tenting properties of the cured film deteriorate, and when these values exceed 40, the effect on the resolution is obtained. Not enough.

上記一般式(V)で表される具体例としては、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均2モルのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジメタクリレート(新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−200)やビスフェノールAの両端にそれぞれ平均5モルのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジメタクリレート(新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−500)、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均6モルのエチレンオキサイドと平均2モルのプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均15モルのエチレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均15モルのエチレンオキサイドと平均1モルのプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均15モルのエチレンオキサイドと平均2モルのプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均15モルのエチレンオキサイドと平均3モルのプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレートなどがある。   Specific examples of the general formula (V) include polyethylene glycol dimethacrylate (NK ester BPE-200 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) in which an average of 2 moles of ethylene oxide is added to both ends of bisphenol A. Polyethylene glycol dimethacrylate (NK ester BPE-500 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) with an average of 5 moles of ethylene oxide added to both ends of bisphenol A, and an average of 6 moles of ethylene oxide to both ends of bisphenol A Polyalkylene glycol dimethacrylate with an average of 2 moles of propylene oxide added to both ends of bisphenol A and polyalkylene glycol dimethacrylate with an average of 15 moles of ethylene oxide added to both ends of bisphenol A Polyalkylene glycol dimethacrylate with an average of 15 moles of ethylene oxide and an average of 1 mole of propylene oxide, and polyalkylene with an average of 15 moles of ethylene oxide and an average of 2 moles of propylene oxide on both ends of bisphenol A, respectively. Examples include glycol dimethacrylate and polyalkylene glycol dimethacrylate in which an average of 15 mol of ethylene oxide and an average of 3 mol of propylene oxide are added to both ends of bisphenol A, respectively.

また上記一般式(VI)で表される具体例としては、2,2−ビス{(4−アクリロキシポリエトキシ)シクロヘキシル}プロパンまたは2,2−ビス{(4−メタクリロキシポリエトキシ)シクロヘキシル}プロパンのエトキシ基がモノエトキシ、ジエトキシ、トリエトキシ、テトラエトキシ、ペンタエトキシ、ヘキサエトキシ、ヘプタエトキシ、オクタエトキシ、ノナエトキシ、デカエトキシ、ウンデカエトキシ、ドデカエトキシ、トリデカエトキシ、テトラデカエトキシ、ペンタデカエトキシであり、また、アルキレン基にはエチレン基とプロピレン基の混合物も挙げられ、2,2−ビス{(4−アクリロキシポリアルキレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンまたは2,2−ビス{(4−メタクリロキシポリアルキレンオキシ)シクロヘキシル}プロパンのアルキレンオキシ基がオクタエトキシとジプロピルオキシのブロック構造の付加物やランダム構造の付加物およびテトラエトキシとテトラプロピルオキシのブロック構造の付加物やランダム構造の付加物が挙げられる。これらの中でも、2,2−ビス{(4−メタクロキシペンタエトキシ)シクロヘキシル}プロパンが最も好ましい。   Specific examples of the general formula (VI) include 2,2-bis {(4-acryloxypolyethoxy) cyclohexyl} propane or 2,2-bis {(4-methacryloxypolyethoxy) cyclohexyl}. The ethoxy group of propane is monoethoxy, diethoxy, triethoxy, tetraethoxy, pentaethoxy, hexaethoxy, heptaethoxy, octaethoxy, nonaethoxy, decaethoxy, undecaethoxy, dodecaethoxy, tridecaethoxy, tetradecaethoxy, pentadecaethoxy. And alkylene groups also include mixtures of ethylene and propylene groups such as 2,2-bis {(4-acryloxypolyalkyleneoxy) cyclohexyl} propane or 2,2-bis {(4-methacryloxypoly). Alkyleneoxy) Alkyleneoxy groups hexyl} propane adducts of adducts and random structure of the block structure of the adduct and tetraethoxy and tetrapropyloxy adducts and random structure of the block structure of octa ethoxy and di propyloxy and the like. Among these, 2,2-bis {(4-methacryloxypentaethoxy) cyclohexyl} propane is most preferable.

(b)上記一般式(V)、及び(VI)で表される化合物群以外に、下記に示される光重合可能な不飽和化合物を同時に併用することもできる。例えば、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシプロピレントリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレントリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−(アクリロイルキシ)プロピルフタレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、プロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドをさらに両端付加したポリアルキレングリコールのジ(メタ)クリレート等が挙げられる。   (B) In addition to the compound groups represented by the general formulas (V) and (VI), the photopolymerizable unsaturated compounds shown below can be used in combination. For example, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) ) Propane di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxypropylene trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxyethylenetrimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth) acrylate, β-hydroxypropyl-β ′-(acryloyloxy) propyl phthalate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolyalkylene glycol (meta ) Acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, polyalkylene glycol di (meth) acrylate obtained by adding ethylene oxide to both ends of polypropylene glycol to which propylene oxide is added.

また、ウレタン化合物も挙げられる。ウレタン化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、又は2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物と、一分子中にヒドロキシル基と(メタ)アクリル基を有する化合物(2−ヒドロキシプロピルアクリレート、オリゴプロピレングリコールモノメタクリレート等)との反応で得られるウレタン化合物等が挙げられる。具体的には、ヘキサメチレンジイソシアネートとオリゴプロピレングリコールモノメタクリレート(日本油脂(株)製、ブレンマーPP1000)との反応物がある。
(b)光重合性不飽和化合物の感光性樹脂組成物の総和に対する割合は、感度の観点から5質量%以上が好ましく、エッジフューズの観点から70質量%以下が好ましい。より好ましくは10〜60質量%、さらに好ましくは15〜55質量%である。
Moreover, a urethane compound is also mentioned. Examples of the urethane compound include a diisocyanate compound such as hexamethylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, or 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and a compound having a hydroxyl group and a (meth) acryl group in one molecule (2- And urethane compounds obtained by reaction with hydroxypropyl acrylate, oligopropylene glycol monomethacrylate, etc.). Specifically, there is a reaction product of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (Nippon Yushi Co., Ltd., Blenmer PP1000).
(B) As for the ratio with respect to the sum total of the photosensitive resin composition of a photopolymerizable unsaturated compound, 5 mass% or more is preferable from a sensitivity viewpoint, and 70 mass% or less is preferable from a viewpoint of an edge fuse. More preferably, it is 10-60 mass%, More preferably, it is 15-55 mass%.

(b)上記一般式(V)及び(VI)で表される光重合性不飽和化合物は、それぞれ、感光性樹脂組成物に対して、5〜60質量%の範囲が好ましく、より好ましくは、7〜35質量%の範囲であり、さらに好ましくは、10〜30質量%の範囲である。
また、(b)上記一般式(V)及び(VI)で表される光重合性不飽和化合物の総和の、感光性樹脂組成物の総和に対する割合は、5〜70質量%の範囲である。解像度の観点から5質量%以上であり、レジストパターンの可とう性の観点から70質量%以下である。より好ましくは10〜40質量%である。
本発明に用いられる、(c)光重合開始剤として、下記一般式(I)で示されるアクリジンについて説明する。
(B) Each of the photopolymerizable unsaturated compounds represented by the general formulas (V) and (VI) is preferably in the range of 5 to 60% by mass, more preferably, relative to the photosensitive resin composition. It is the range of 7-35 mass%, More preferably, it is the range of 10-30 mass%.
Moreover, (b) The ratio of the sum total of the photopolymerizable unsaturated compound represented by the said general formula (V) and (VI) with respect to the sum total of the photosensitive resin composition is the range of 5-70 mass%. From the viewpoint of resolution, it is 5% by mass or more, and from the viewpoint of flexibility of the resist pattern, it is 70% by mass or less. More preferably, it is 10-40 mass%.
The acridine represented by the following general formula (I) will be described as the photopolymerization initiator (c) used in the present invention.

(式中Aは、水素、アリール基、複素環基、直鎖または分枝鎖の炭素数1〜6のアルキル基又はアルコキシ基、およびNR(Rは水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基)からなる群から選ばれる置換基を表す。) (In the formula, A is hydrogen, an aryl group, a heterocyclic group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, and NR 2 (where R is a hydrogen atom or having 1 to 6 carbon atoms) Represents a substituent selected from the group consisting of an alkyl group).

上記一般式(I)で表される化合物の、感光性樹脂組成物の総和に対する割合は0.1〜20質量%である。この割合が0.1質量%未満であると十分な感度が得られない。また、この割合が20質量%を超えると、露光時にフォトマスクを通した光の回折によるかぶりが発生しやすくなり、その結果として解像性が悪化する。上記一般式(I)であらわされる化合物としては、9−フェニルアクリジン、9−メチルアクリジン、9−エチルアクリジン、9−プロピルアクリジン、9−(4−ピリジル)−アクリジンなどが挙げられる。中でも9−フェニルアクリジンが特に好ましい。   The ratio with respect to the sum total of the photosensitive resin composition of the compound represented by the said general formula (I) is 0.1-20 mass%. If this ratio is less than 0.1% by mass, sufficient sensitivity cannot be obtained. On the other hand, when the ratio exceeds 20% by mass, fogging due to diffraction of light passing through the photomask at the time of exposure tends to occur, and as a result, resolution is deteriorated. Examples of the compound represented by the general formula (I) include 9-phenylacridine, 9-methylacridine, 9-ethylacridine, 9-propylacridine, 9- (4-pyridyl) -acridine and the like. Of these, 9-phenylacridine is particularly preferable.

本発明に用いられる、(c)光重合開始剤として、下記一般式(III)で表される2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含むことは高解像度の観点から好ましい実施態様である。
(式中、C、D、及びEはそれぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキシ基及びハロゲン基のいずれかを表し、c、d、及びeはそれぞれ独立に1〜5の整数である。)
It is a preferred embodiment from the viewpoint of high resolution that the (c) photopolymerization initiator used in the present invention contains a 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the following general formula (III). is there.
(Wherein, C, D, and E each independently represent any of hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen group, and c, d, and e are each independently an integer of 1-5.)

上記一般式(III)で表される化合物においては、2個のロフィン基を結合する共有結合は、1,1’−、1,2’−、1,4’−、2,2’−、2,4’−又は4,4’−位についているが、1,2’−位についている化合物が好ましい。2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体には、例えば、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ビス−(m−メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(p−メトシキフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等があるが、特に、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体が好ましい。   In the compound represented by the general formula (III), the covalent bond for bonding two lophine groups is 1,1′-, 1,2′-, 1,4′-, 2,2′-, Although it is in the 2,4′- or 4,4′-position, a compound in the 1,2′-position is preferred. Examples of the 2,4,5-triarylimidazole dimer include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-bis- ( m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, etc., and in particular, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole. Dimers are preferred.

上記一般式(III)で表される化合物の感光性樹脂組成物の総和に対する割合は、0.1〜19.9質量%が好ましい。0.3質量%以上10質量%以下が好ましく、0.5質量%以上8質量%以下がさらに好ましい。
本発明における(c)光重合開始剤の感光性樹脂組成物の総和に対する割合は0.1〜20質量%である。この割合が0.1質量%未満であると十分な感度が得られない。また、この割合が20質量%を超えると、露光時にフォトマスクを通した光の回折によるかぶりが発生しやすくなり、その結果として解像性が悪化する。
また、上記一般式(I)、(III)で示された化合物の併用も可能であり、又、他の光重合開始剤との併用も可能である。ここでの光重合開始剤とは、各種の活性光線、例えば紫外線等により活性化され、重合を開始する化合物である。
As for the ratio with respect to the sum total of the photosensitive resin composition of the compound represented by the said general formula (III), 0.1-19.9 mass% is preferable. 0.3 mass% or more and 10 mass% or less are preferable, and 0.5 mass% or more and 8 mass% or less are more preferable.
In the present invention, the ratio of the photopolymerization initiator (c) to the total of the photosensitive resin composition is 0.1 to 20% by mass. If this ratio is less than 0.1% by mass, sufficient sensitivity cannot be obtained. On the other hand, when the ratio exceeds 20% by mass, fogging due to diffraction of light passing through the photomask at the time of exposure tends to occur, and as a result, resolution is deteriorated.
In addition, the compounds represented by the general formulas (I) and (III) can be used in combination, and can also be used in combination with other photopolymerization initiators. Here, the photopolymerization initiator is a compound that is activated by various actinic rays such as ultraviolet rays and starts polymerization.

他の光重合開始剤としては、例えば、2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン類、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル等のベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール等がある。
また、例えば、チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン等のチオキサントン類と、ジメチルアミノ安息香酸アルキルエステル化合物等の三級アミン化合物との組み合わせもある。
Other photopolymerization initiators include, for example, quinones such as 2-ethylanthraquinone and 2-tert-butylanthraquinone, aromatic ketones such as benzophenone, benzoin ethers such as benzoin, benzoin methyl ether and benzoin ethyl ether, Examples include benzyl dimethyl ketal and benzyl diethyl ketal.
Further, for example, there are combinations of thioxanthones such as thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, and tertiary amine compounds such as dimethylaminobenzoic acid alkyl ester compounds.

また、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−O−ベンゾイルオキシム、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム等のオキシムエステル類等がある。また、1−フェニル−3−(4−tert−ブチル−スチリル)−5−(p−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリン、1−(4−(ベンゾオキサゾール−2−イル)フェニル)−3−(4−tert−ブチルスチリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−ピラゾリンに代表されるピラゾリン類を用いることもできる。
また、N−アリール−α−アミノ酸化合物も用いることも可能であり、これらの中では、N−フェニルグリシンが特に好ましい。
Further, there are oxime esters such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoyloxime and 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime. In addition, 1-phenyl-3- (4-tert-butyl-styryl) -5- (p-tert-butyl-phenyl) -pyrazoline, 1- (4- (benzoxazol-2-yl) phenyl) -3- Pyrazolines represented by (4-tert-butylstyryl) -5- (4-tert-butylphenyl) -pyrazoline can also be used.
Further, N-aryl-α-amino acid compounds can also be used, and among these, N-phenylglycine is particularly preferable.

本発明における感光性樹脂組成物に下記一般式(IV)で表される化合物を用いることは現像液の分散安定性を良好にし、凝集物の発生を抑えるのに有用である。
(R、Rはエチレン基又はプロピレン基であり、これらは相異なる。m1,n1,m2,n2,m3,n3,m4,n4は0以上の整数でm1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4は0〜40である。−(R−O)−,−(R−O)−の繰り返し構造は、ランダムであっても、ブロックであってもよい。F,G,H,Iは互いに独立な水素又は炭素数1〜30の脂肪酸アシル基である。)
Use of the compound represented by the following general formula (IV) in the photosensitive resin composition of the present invention is useful for improving the dispersion stability of the developer and suppressing the generation of aggregates.
(R 1 and R 2 are ethylene groups or propylene groups, which are different from each other. M1, n1, m2, n2, m3, n3, m4, and n4 are integers of 0 or more, and m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 is 0-40. The repeating structure of (R 1 —O) — and — (R 2 —O) — may be random or block, and F, G, H, and I are each independently hydrogen or carbon number 1 ˜30 fatty acid acyl groups.)

上記一般式(IV)においてm1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4が40を超えると十分な感度、密着性が得られない。また、炭素数1〜30の脂肪酸アシル基には、炭素数1〜30の飽和脂肪酸アシル基及び炭素数1〜30の不飽和脂肪酸アシル基がある。炭素数1〜30の飽和脂肪酸アシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ラウロイル基、ミリスチル基、パルミチル基、ステアリル基等が挙げられる。炭素数1〜30の不飽和脂肪酸アシル基としては、例えば、アクリル基、プロピノイル基、メタクリル基、オレオイル基等が挙げられる。
上記一般式(IV)で示される化合物としては、以下の化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
If m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 in the general formula (IV) exceeds 40, sufficient sensitivity and adhesion cannot be obtained. In addition, the fatty acid acyl group having 1 to 30 carbon atoms includes a saturated fatty acid acyl group having 1 to 30 carbon atoms and an unsaturated fatty acid acyl group having 1 to 30 carbon atoms. Examples of the saturated fatty acid acyl group having 1 to 30 carbon atoms include formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, lauroyl group, myristyl group, palmityl group, stearyl group and the like. Examples of the unsaturated fatty acid acyl group having 1 to 30 carbon atoms include an acryl group, a propinoyl group, a methacryl group, and an oleoyl group.
Although the following compounds are mentioned as a compound shown by the said general formula (IV), It is not limited to this.

エステル型のものとしては、ソルビタンラウレート[F:ラウロイル基、G=H=I:水素、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4=0(例:日本乳化剤(株)製、ニューコール(商標)20)]、ソルビタンステアレート[F:ステアリル基、G=H=I:水素、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4=0(例:三洋化成工業(株)製、イオネット(商標)S−60C)]、ソルビタンオレエート[F:オレオイル基、G=H=I:水素、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4=0(例:三洋化成工業(株)製、イオネット(商標)S−80C)]、ソルビタンパルミテート[F:パルミチル基、G=H=I:水素、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4=0(例:東邦化学工業(株)製、ソルボン(商標)S−40)]、ソルビタンヤシ油脂肪酸エステル[F:ヤシ油脂肪酸のアシル基(ここでヤシ油とはヤシ科の核肉から得られる脂肪のことで、その脂肪酸はラウリン酸やミリスチン酸等の飽和脂肪酸とオレイン酸やリノール酸等の不飽和脂肪酸の混合物である)、G=H=I:水素、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4=0(例:三洋化成工業(株)製、イオネット(商標)S−20)]、ソルビタントリオレエート[F=G=I:オレオイル基、H:水素、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4=0(例:三洋化成工業(株)製、イオネット(商標)S−85、または日本乳化剤(株)製、ニューコール(商標)3−80)]等及びそれらの混合物等が挙げられる。   Examples of the ester type include sorbitan laurate [F: lauroyl group, G = H = I: hydrogen, m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 = 0 (example: New Emuls Co., Ltd., Newcor (trademark) 20)], sorbitan stearate [ F: stearyl group, G = H = I: hydrogen, m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 = 0 (example: Sanyo Chemical Industries, Ionet (trademark) S-60C)], sorbitan oleate [F: oleoyl group, G = H = I: hydrogen, m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 = 0 (Example: Sanyo Chemical Industries, Ionet (trademark) S-80C)], sorbitan palmitate [F: palmityl group, G = H = I: hydrogen, m1 + n1 + m2 + n3 + n3 + n3 + n3 + n4 + Example: Toho Chemical Industry Co., Ltd. Sorbon (trademark) S-40)], sorbitan coconut oil fatty acid ester [F: acyl group of coconut oil fatty acid (where coconut oil is a fat obtained from the palm meat of the palm family, and the fatty acid is lauric acid) And G = H = I: hydrogen, m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 = 0 (eg, Sanyo Chemical Industries, Ionette) S-20)], sorbitan trioleate [F = G = I: oleoyl group, H: hydrogen, m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 = 0 (eg, Sanyo Chemical Industries, Ionet (trademark) S-85, or Japanese emulsifier ( Co., Ltd., New Coal (trademark) 3-80)], and mixtures thereof.

ソルビタンとオキシエチレン鎖の複合型としては、ポリオキシエチレンソルビタンラウ
レート[F:ラウロイル基、G=H=I:水素、m1+m2+m3+m4=20、n1+n2+n3+n4=0、R1:エチレン基(例:日本乳化剤(株)製、ニューコール(商標)25)]、ポリオキシエチレンソルビタンステアレート[F:ステアリル基、G=H=I:水素、m1+m2+m3+m4=20、n1+n2+n3+n4=0、R1:エチレン基(例:三洋化成工業(株)製、イオネット(商標)T−60C)]、ポリオキシエチレンソルビタンオレエート[F:オレイル基、G=H=I:水素、m1+m2+m3+m4=8または20、n1+n2+n3+n4=0、R1:エチレン基(例:日本乳化剤(株)製、ニューコール(商標)82又は85)]、ポリオキシエチレンソルビタンパルミテート[F:パルミチル基、G=H=I:水素、m1+m2+m3+m4=20、n1+n2+n3+n4=0、R1:エチレン基(例:東邦化学工業(株)製、ソルボン(商標)T−40)]、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート[F=G=I:オレオイル基、H:水素、m1+m2+m3+m4=20、n1+n2+n3+n4=0、R1:エチレン基(例:日本乳化剤(株)製、ニューコール(商標)3−85)]、ポリオキシエチレンソルビタンヤシ油脂肪酸エステル[F:ヤシ油脂肪酸のアシル基、G=H=I:水素、m1+m2+m3+m4=20、n1+n2+n3+n4=0、R1:エチレン基(例:三洋化成工業(株)製、イオネット(商標)T−20C)]、ポリオキシアルキレンソルビタン脂肪酸エステル[F:混合脂肪酸のアシル基(オレイン酸:66%、ステアリン酸:2%、炭素数20の飽和及び不飽和脂肪酸:18%、炭素数16の飽和及び不飽和脂肪酸:7%、炭素数20を超える飽和及び不飽和脂肪酸:7%)、G=H=I:水素、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4=30、(m1+m2+m3+m4)/(n1+n2+n3+n4)=2/1、R1:エチレン基、R2:プロピレン基(例:日本乳化剤(株)製、ニューコール(商標)95−FJ)]等及びそれらの混合物などが挙げられる。
As a composite type of sorbitan and oxyethylene chain, polyoxyethylene sorbitan laurate [F: lauroyl group, G = H = I: hydrogen, m1 + m2 + m3 + m4 = 20, n1 + n2 + n3 + n4 = 0, R1: ethylene group (example: Japanese emulsifier (stock) , Newcor (trademark) 25)], polyoxyethylene sorbitan stearate [F: stearyl group, G = H = I: hydrogen, m1 + m2 + m3 + m4 = 20, n1 + n2 + n3 + n4 = 0, R1: ethylene group (example: Sanyo Chemical Industries) Manufactured by Ionette (trademark) T-60C)], polyoxyethylene sorbitan oleate [F: oleyl group, G = H = I: hydrogen, m1 + m2 + m3 + m4 = 8 or 20, n1 + n2 + n3 + n4 = 0, R1: ethylene group ( Example: New Coal (trademark) manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd. 82 or 85)], polyoxyethylene sorbitan palmitate [F: palmityl group, G = H = I: hydrogen, m1 + m2 + m3 + m4 = 20, n1 + n2 + n3 + n4 = 0, R1: ethylene group (example: manufactured by Toho Chemical Co., Ltd., sorbon) (Trademark) T-40)], polyoxyethylene sorbitan trioleate [F = G = I: oleoyl group, H: hydrogen, m1 + m2 + m3 + m4 = 20, n1 + n2 + n3 + n4 = 0, R1: ethylene group (example: Nippon Emulsifier Co., Ltd.) Manufactured by Newcor (trademark) 3-85)], polyoxyethylene sorbitan coconut oil fatty acid ester [F: acyl group of coconut oil fatty acid, G = H = I: hydrogen, m1 + m2 + m3 + m4 = 20, n1 + n2 + n3 + n4 = 0, R1: ethylene Group (eg, Sanyo Chemical Industries, Ionet T-2) C)], polyoxyalkylene sorbitan fatty acid ester [F: acyl group of mixed fatty acid (oleic acid: 66%, stearic acid: 2%, saturated and unsaturated fatty acid with 20 carbon atoms: 18%, saturated with 16 carbon atoms and Unsaturated fatty acids: 7%, saturated and unsaturated fatty acids with more than 20 carbon atoms: 7%), G = H = I: hydrogen, m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 = 30, (m1 + m2 + m3 + m4) / (n1 + n2 + n3 + n4) = 2/1, R1: ethylene group , R2: propylene group (example: Nippon Emulsifier Co., Ltd., New Coal (trademark) 95-FJ)] and mixtures thereof.

これら上記一般式(IV)で示される化合物は単独で使用しても、2種類以上併用しても構わない。上記一般式(IV)で示される化合物は、感光性樹脂組成物の総和に対して0.1〜20質量%含有されているのが好ましい。0.1質量%未満では、現像時の凝集物の十分な低減効果が得られにくく、20質量%を超えると、光重合が効率的に進行せず、現像による感度、解像度等の画像形成性が劣る。好ましくは0.1〜10質量%であり、さらに好ましくは0.5〜5質量%である。   These compounds represented by the general formula (IV) may be used alone or in combination of two or more. The compound represented by the general formula (IV) is preferably contained in an amount of 0.1 to 20% by mass with respect to the total of the photosensitive resin composition. If it is less than 0.1% by mass, it is difficult to obtain a sufficient effect of reducing aggregates during development. If it exceeds 20% by mass, photopolymerization does not proceed efficiently, and image forming properties such as sensitivity and resolution by development are not possible. Is inferior. Preferably it is 0.1-10 mass%, More preferably, it is 0.5-5 mass%.

本発明に用いられる、下記一般式(II)で表される化合物について説明する。
(式中Bは、アリール基、複素環基、直鎖または分枝鎖の炭素数1〜6のアルキル基、およびNR(Rは水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基)からなる群から選ばれる置換基を表す。bは0〜5の整数である。式中Xは、ハロゲン原子を表す。)
The compound represented by the following general formula (II) used in the present invention will be described.
Wherein B is an aryl group, a heterocyclic group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and NR 2 (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). And b represents an integer of 0 to 5. In the formula, X represents a halogen atom.

上記一般式(II)で表される化合物の、感光性樹脂組成物全体に対する割合は、0.01〜10質量%が好ましい。充分な着色性(発色性)が認識できる点から0.01質量%以上、露光部と未露光部のコントラストを有する点と、保存安定性維持の観点から10質量%以下が好ましい。
上記一般式(II)で表される化合物の具体例としては、トリブロモメチルフェニルスルフォン、トリクロロメチルフェニルスルフォン、トリブロモメチル−(4−メチルフェニル)スルフォン等がある。特に、トリブロモメチルフェニルスルフォンが好ましい。
As for the ratio with respect to the whole photosensitive resin composition of the compound represented by the said general formula (II), 0.01-10 mass% is preferable. It is preferably 0.01% by mass or more from the viewpoint of recognizing sufficient colorability (coloring property), 10% by mass or less from the viewpoint of maintaining the contrast between the exposed part and the unexposed part and maintaining storage stability.
Specific examples of the compound represented by the general formula (II) include tribromomethylphenylsulfone, trichloromethylphenylsulfone, tribromomethyl- (4-methylphenyl) sulfone and the like. In particular, tribromomethylphenylsulfone is preferable.

本発明の感光性樹脂組成物には、染料、顔料等の着色物質、または光照射により発色する発色系染料を含有させることもできる。用いられる着色物質としては、例えば、フクシン、フタロシアニングリーン、オーラミン塩基、パラマジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブルー2B、マラカイトグリーン(保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) MALACHITE GREEN)、ビクトリアブルー(保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) VICTORIA PURE BLUE)、ベイシックブルー20、ダイアモンドグリーン(保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) DIAMOND GREEN GH)等が挙げられる。
発色系染料としては、例えば、ロイコ染料又はフルオラン染料と、ハロゲン化合物の組み合わせがある。 ロイコ染料としては、例えば、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン[ロイコクリスタルバイオレット]、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン[ロイコマラカイトグリーン]等が挙げられる。
The photosensitive resin composition of the present invention may contain a coloring substance such as a dye or a pigment, or a coloring dye that develops color when irradiated with light. Examples of the coloring substance used include fuchsin, phthalocyanine green, auramin base, paramadienta, crystal violet, methyl orange, nile blue 2B, malachite green (Eizen (registered trademark) MALACHITE GREEN manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), Victoria blue ( Hodogaya Chemical Co., Ltd. Eisen (registered trademark) VICTORIA PURE BLUE), Basic Blue 20, Diamond Green (Hodogaya Chemical Co., Ltd. Eisen (registered trademark) DIAMOND GREEN GH) and the like.
Examples of the coloring dye include a combination of a leuco dye or a fluorane dye and a halogen compound. Examples of the leuco dye include tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leuco crystal violet], tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leucomalachite green], and the like.

ハロゲン化合物としては、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、四臭化炭素、トリス(2,3−ジブロモプロピル)ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、1,1,1−トリクロロ−2,2−ビス(p−クロロフェニル)エタン、ヘキサクロロエタン、トリアジン化合物等が挙げられる。該トリアジン化合物としては、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンが挙げられる。
このような発色系染料の中でも、トリブロモメチルフェニルスルフォンとロイコ染料との組み合わせや、トリアジン化合物とロイコ染料との組み合わせが有用である。
着色物質及び発色剤の量は、感光性樹脂組成物中において、夫々0.01〜10質量%が好ましい。充分な着色性(発色性)が認識できる点から0.01質量%以上、露光部と未露光部のコントラストを有する点と、保存安定性維持の観点から10質量%以下が好ましい。
Examples of the halogen compound include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzal bromide, methylene bromide, carbon tetrabromide, tris (2,3-dibromopropyl) phosphate, Examples include trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, and triazine compounds. Examples of the triazine compound include 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine and 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine.
Among such coloring dyes, a combination of tribromomethylphenylsulfone and a leuco dye or a combination of a triazine compound and a leuco dye is useful.
The amount of the coloring substance and the color former is preferably 0.01 to 10% by mass in the photosensitive resin composition. It is preferably 0.01% by mass or more from the viewpoint of recognizing sufficient colorability (coloring property), 10% by mass or less from the viewpoint of maintaining the contrast between the exposed part and the unexposed part and maintaining storage stability.

本発明における感光性樹脂組成物の熱安定性、保存安定性を向上させるために、感光性樹脂組成物に下記添加剤を含有させることは好ましいことである。このような添加剤としては、例えば、p−メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコール、塩化第一銅、2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール、2,2‘−メチレンビス(4−エチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、ジフェニルニトロソアミン等が挙げられる。また安定剤として、ビスフェノールAの両側にそれぞれ平均1モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコールの両側にさらにプロピレンオキシドを付加した化合物、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1−(2−ジアルキルアミノ)カルボキシベンゾトリアゾール、ペンタエリスリトール3,5−ジt−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオン酸テトラエステルがある。   In order to improve the thermal stability and storage stability of the photosensitive resin composition in the present invention, it is preferable that the photosensitive resin composition contains the following additives. Examples of such additives include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, 2,2′- Examples include methylene bis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 2,2′-methylene bis (4-methyl-6-tert-butylphenol), diphenylnitrosamine and the like. Further, as stabilizers, a compound in which propylene oxide is further added to both sides of polypropylene glycol in which an average of 1 mol of propylene oxide is added to both sides of bisphenol A, benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1- (2-dialkylamino) carboxybenzo There is triazole, pentaerythritol 3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylpropionic acid tetraester.

上記添加剤の合計添加量は、好ましくは0.01〜3質量%であり、より好ましくは0.05〜1質量%である。感光性樹脂組成物に保存安定性を付与するという観点から0.01質量%以上が好ましく、また、感度を維持するという観点から3質量%以下がより好ましい。
さらに本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて可塑剤を含有させてもよい。このような可塑剤としては、例えばジエチルフタレート等のフタル酸エステル類、o−トルエンスルホン酸アミド、p−トルエンスルホン酸アミド、クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリ−n−プロピル、アセチルクエン酸トリ−n−ブチル、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポ
リエチレングリコールアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテル等が挙げられる。
The total amount of the additives is preferably 0.01 to 3% by mass, more preferably 0.05 to 1% by mass. From the viewpoint of imparting storage stability to the photosensitive resin composition, 0.01 mass% or more is preferable, and from the viewpoint of maintaining sensitivity, 3 mass% or less is more preferable.
Furthermore, you may make the photosensitive resin composition of this invention contain a plasticizer as needed. Examples of such plasticizers include phthalates such as diethyl phthalate, o-toluenesulfonic acid amide, p-toluenesulfonic acid amide, tributyl citrate, triethyl citrate, acetyl triethyl citrate, acetyl citrate tri- Examples thereof include n-propyl, tri-n-butyl acetylcitrate, polypropylene glycol, polyethylene glycol, polyethylene glycol alkyl ether, polypropylene glycol alkyl ether, and the like.

可塑剤の量としては、感光性樹脂組成物中に、5〜50質量%含むことが好ましく、より好ましくは、5〜30質量%である。現像時間の遅延を抑えたり、硬化膜に柔軟性を付与するという観点から5質量%以上が好ましく、また、硬化不足やコールドフローを抑えるという観点から50質量%以下が好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体は、支持体上に前記感光性樹脂組成物を積層し感光性樹脂層を形成することにより作製する。
支持体としては、通常活性光線を透過させる透明な基材フィルムが用いられ、このような基材フィルムとしては厚み10μm以上100μm以下程度のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂フィルムがあるが、通常適度な可とう性と強度を有するポリエチレンテレフタレートが好ましく用いられる。ラミネート時にシワを発生させにくくするため、また支持体の破損を防ぐために、膜厚は10μm以上であることが好ましい。また充分な解像度を得るために、膜厚は30μm以下であることが好ましい。またヘーズは5以下のものが好ましい。本発明の感光性樹脂層の膜厚は用途によって異なるが、通常5μm以上100μm以下である。より好ましくは、5μm以上50μm以下である。
As a quantity of a plasticizer, it is preferable to contain 5-50 mass% in the photosensitive resin composition, More preferably, it is 5-30 mass%. 5 mass% or more is preferable from a viewpoint of suppressing the delay of image development time or providing a softness | flexibility to a cured film, and 50 mass% or less is preferable from a viewpoint of suppressing insufficient hardening and cold flow.
The photosensitive resin laminate of the present invention is produced by laminating the photosensitive resin composition on a support to form a photosensitive resin layer.
As the support, a transparent base film that normally transmits actinic rays is used. Examples of such a base film include synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, polycarbonate, and polyethylene terephthalate having a thickness of about 10 μm to 100 μm. However, polyethylene terephthalate having usually adequate flexibility and strength is preferably used. The film thickness is preferably 10 μm or more in order to make it difficult to generate wrinkles during lamination and to prevent damage to the support. In order to obtain sufficient resolution, the film thickness is preferably 30 μm or less. The haze is preferably 5 or less. Although the film thickness of the photosensitive resin layer of this invention changes with uses, it is 5 micrometers or more and 100 micrometers or less normally. More preferably, they are 5 micrometers or more and 50 micrometers or less.

本発明の感光性樹脂積層体には、必要に応じて感光性樹脂層の支持体とは反対側の面に、保護層を形成する。感光性樹脂層との密着力において、感光性樹脂層と支持体との密着力よりも感光性樹脂層と保護層の密着力が小さいことがこの保護層に必要な特性であり、これにより保護層が容易に剥離できる。
保護層は、本発明の感光性樹脂層を保護する為のフィルムであり、このようなフィルムとしては10〜100μm厚程度のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂フィルムがあるが、ポリエチレンフィルムまたはポリプロピレンフィルムが好ましく用いられる。また、保護層の膜厚は10μm以上50μm以下が好ましい。
In the photosensitive resin laminate of the present invention, a protective layer is formed on the surface of the photosensitive resin layer opposite to the support of the photosensitive resin layer as necessary. It is necessary for the protective layer that the adhesive strength between the photosensitive resin layer and the protective layer is smaller than the adhesive strength between the photosensitive resin layer and the support. The layer can be easily peeled off.
The protective layer is a film for protecting the photosensitive resin layer of the present invention. Examples of such a film include synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, polycarbonate, and polyethylene terephthalate having a thickness of about 10 to 100 μm. A film or a polypropylene film is preferably used. The thickness of the protective layer is preferably 10 μm or more and 50 μm or less.

次に本発明の感光性樹脂積層体の作製方法について説明する。
支持体、感光性樹脂層、及び保護層を順次積層して感光性樹脂積層体を作成する方法は、従来知られている方法を採用することができる。
例えば感光性樹脂層に用いる感光性樹脂組成物を、これらを溶解する溶剤と混ぜ合わせ均一な溶液にしておき、まず支持体上にバーコーターやロールコーターを用いて塗布して乾燥し、支持体上に感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する。
次に感光性樹脂層上に保護層をラミネートすることにより感光性樹脂積層体を作製することができる。
本発明において、基板とは、銅張積層板やフレキシブル基板、金属板が挙げられる。
Next, the manufacturing method of the photosensitive resin laminated body of this invention is demonstrated.
A conventionally known method can be adopted as a method of forming a photosensitive resin laminate by sequentially laminating a support, a photosensitive resin layer, and a protective layer.
For example, the photosensitive resin composition used for the photosensitive resin layer is mixed with a solvent that dissolves them to make a uniform solution, and is first coated on a support using a bar coater or roll coater and dried. A photosensitive resin layer made of a photosensitive resin composition is laminated thereon.
Next, a photosensitive resin laminate can be produced by laminating a protective layer on the photosensitive resin layer.
In the present invention, examples of the substrate include a copper-clad laminate, a flexible substrate, and a metal plate.

<プリント配線板の製造方法>
次に、本発明の感光性樹脂積層体を用いてプリント配線板を製造する方法の一例を説明する。
プリント配線板は、以下の各工程を経て製造される。
(1)ラミネート工程
感光性樹脂積層体の保護層を剥がしながら銅張積層板やフレキシブル基板等の基板上にホットロールラミネーターを用いて密着させる工程。
(2)露光工程
所望の配線パターンを有するマスクフィルムを支持体上に密着させ活性光線源を用いて露光を施す工程。
または、マスクフィルムを介さずにレジスト上に直接配線パターンを描画し、露光を施
す工程。
<Method for manufacturing printed wiring board>
Next, an example of a method for producing a printed wiring board using the photosensitive resin laminate of the present invention will be described.
A printed wiring board is manufactured through the following steps.
(1) Lamination process The process of making it adhere | attach using hot roll laminators on board | substrates, such as a copper clad laminated board and a flexible substrate, peeling off the protective layer of the photosensitive resin laminated body.
(2) Exposure process The process of sticking the mask film which has a desired wiring pattern on a support body, and performing exposure using an actinic light source.
Or the process of drawing and exposing a wiring pattern directly on a resist without a mask film.

(3)現像工程
支持体を剥離した後アルカリ現像液を用いて感光性樹脂層の未露光部分を溶解または分散除去、レジストパターンを基板上に形成する工程。
(4)エッチング工程又はめっき工程
形成されたレジストパターン上からエッチング液を吹き付けレジストパターンによって覆われていない銅面をエッチングする工程、またはレジストパターンによって覆われていない銅面に銅、半田、ニッケルおよび錫等のめっき処理を行う工程。
(5)剥離工程
レジストパターンを、アルカリ剥離液を用いて基板から除去する工程。
(3) Development process The process which melt | dissolves or disperses the unexposed part of the photosensitive resin layer using an alkali developing solution after peeling a support body, and forms a resist pattern on a substrate.
(4) Etching process or plating process An etching solution is sprayed on the formed resist pattern to etch a copper surface not covered with the resist pattern, or copper, solder, nickel, and copper are not covered with the resist pattern. A step of performing a plating process such as tin.
(5) Stripping step The step of removing the resist pattern from the substrate using an alkaline stripping solution.

上記(2)露光工程において用いられる活性光線源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、紫外線蛍光灯、カーボンアーク灯、キセノンランプなどが挙げられる。また、より微細なレジストパターンを得るためには平行光光源を用いるのがより好ましい。ゴミや異物の影響を極力少なくしたい場合には、フォトマスクを支持体上から数十μm以上数百μm以下浮かせた状態で露光(プロキシミティー露光)する場合もある。必要ならば支持体を剥離しフォトマスクを通して活性光により露光してもよい。露光量は、光源照度及び露光時間より決定される。光量計を用いて測定しても良い。
露光工程において、マスクレス露光方法を用いてもよい。マスクレス露光はフォトマスクを使用せず基板上に直接描画して露光する。光源としては波長350〜410nmの半導体レーザーや超高圧水銀灯などが用いられる。描画パターンはコンピューターによって制御され、この場合の露光量は、光源照度および基板の移動速度によって決定される。
Examples of the active light source used in the (2) exposure step include a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, an ultraviolet fluorescent lamp, a carbon arc lamp, and a xenon lamp. In order to obtain a finer resist pattern, it is more preferable to use a parallel light source. When it is desired to reduce the influence of dust or foreign matter as much as possible, exposure (proximity exposure) may be performed in a state where the photomask is floated from several tens of micrometers to several hundreds of micrometers from the support. If necessary, the support may be peeled off and exposed to active light through a photomask. The exposure amount is determined from the light source illuminance and the exposure time. You may measure using a photometer.
In the exposure process, a maskless exposure method may be used. In maskless exposure, exposure is performed by directly drawing on a substrate without using a photomask. As the light source, a semiconductor laser having a wavelength of 350 to 410 nm, an ultrahigh pressure mercury lamp, or the like is used. The drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount in this case is determined by the light source illuminance and the moving speed of the substrate.

また、上記(3)現像工程で用いられるアルカリ現像液としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の水溶液が挙げられる。これらのアルカリ水溶液は感光性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、一般的に0.5質量%以上3質量%以下の炭酸ナトリウム水溶液が用いられる。
上記(4)エッチング工程は、酸性エッチング、アルカリエッチングなど、使用するDFRに適した方法で行われる。
上記(5)剥離工程で用いられるアルカリ剥離液としては、一般的に現像で用いたアルカリ水溶液よりも更に強いアルカリ性の水溶液、例えば1質量%以上5質量%以下の水酸化ナトリウム、水酸化カリウムの水溶液が挙げられる。
また、セミアディティブ工法等めっき工程を設けた場合には、レジストパターンを剥離後に、レジストパターンの下に現れた銅面をエッチングする場合もある。
Examples of the alkaline developer used in the above (3) development step include aqueous solutions of sodium carbonate, potassium carbonate and the like. These alkaline aqueous solutions are selected in accordance with the characteristics of the photosensitive resin layer, but generally an aqueous sodium carbonate solution of 0.5% by mass to 3% by mass is used.
The (4) etching step is performed by a method suitable for the DFR used, such as acidic etching or alkaline etching.
As the alkali stripping solution used in the above (5) stripping step, an alkaline aqueous solution that is generally stronger than the alkaline aqueous solution used in the development, for example, 1% by weight to 5% by weight of sodium hydroxide, potassium hydroxide An aqueous solution may be mentioned.
When a plating process such as a semi-additive method is provided, the copper surface that appears under the resist pattern may be etched after the resist pattern is removed.

<リードフレームの製造方法>
本発明のリードフレームの製造方法は、基板として銅、銅合金、鉄系合金等の金属板を用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する。
その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離して、所望のリードフレームを得る。
<Lead frame manufacturing method>
The lead frame manufacturing method of the present invention is performed through the following steps following the above-described resist pattern forming method using a metal plate of copper, copper alloy, iron-based alloy or the like as a substrate.
First, a conductive pattern is formed by etching the substrate exposed by development.
Thereafter, the resist pattern is peeled off by a method similar to the method for manufacturing a printed wiring board described above to obtain a desired lead frame.

<半導体パッケージの製造方法>
本発明の半導体パッケージを製造方法は、基板としてLSIとしての回路形成が終了したウェハを用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
現像により露出した開口部に銅、はんだ等の柱状のめっきを施して、導体パターンを形成する。
その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離し、
更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去することにより、所望の半導体パッケージを得る。
<Semiconductor package manufacturing method>
The method for producing a semiconductor package of the present invention is performed by performing the following steps following the above-described resist pattern forming method using a wafer on which a circuit as an LSI has been formed as a substrate.
A conductor pattern is formed by performing columnar plating such as copper or solder on the opening exposed by development.
Thereafter, the resist pattern is peeled off by the same method as the above-described printed wiring board manufacturing method,
Furthermore, a desired semiconductor package is obtained by removing the thin metal layer at portions other than the columnar plating by etching.

<サンドブラストによる加工工法>
本発明の感光性樹脂積層体をドライフィルムレジストとして用いてサンドブラスト工法により基材に加工を施す場合には、基材上に前記した方法と同様な方法で、感光性樹脂積層体をラミネートし、露光、現像を施す。更に形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付け目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基材上に残存した樹脂部分をアルカリ剥離液等で基材から除去する剥離工程を経て、基材上に微細なパターンを加工することができる。上前記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えばSiC,SiO、Al、CaCO、ZrO、ガラス、ステンレス等の2〜100μm程度の微粒子が用いられる。
以下、実施例により本発明の実施形態の例をさらに詳しく説明する。
<Processing method by sandblasting>
When processing the substrate by the sandblasting method using the photosensitive resin laminate of the present invention as a dry film resist, the photosensitive resin laminate is laminated on the substrate in the same manner as described above, Exposure and development are performed. Further, a blasting material is sprayed from the formed resist pattern to be cut to a desired depth, and a resin part remaining on the base material is removed from the base material with an alkaline stripping solution, etc. A fine pattern can be processed. The blasting material used for the above-mentioned sandblasting process may be a known material, for example, fine particles of about 2 to 100 μm such as SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , CaCO 3 , ZrO, glass, stainless steel and the like.
Hereinafter, examples of embodiments of the present invention will be described in more detail by way of examples.

以下に、実施例及び比較例の評価用サンプルの作製方法並びに得られたサンプルについての評価方法及び評価結果について示す。
1.評価用サンプルの作製
実施例及び比較例における感光性樹脂積層体は次のようにして作製した。
<感光性樹脂積層体の作製>
表1に示す化合物を用意し、表2に示す組成割合の感光性樹脂組成物をよく攪拌、混合し、支持体として20μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの表面にバーコーターを用いて均一に塗布し、95℃の乾燥機中で4分間乾燥して感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の厚みは40μmであった。
表1に示す組成において、MEKとはメチルエチルケトンを示し、表2におけるP−1〜P−5の質量部は、MEKを含んだ値である。
次いで、感光性樹脂層のポリエチレンテレフタレートフィルムを積層していない表面上に、保護層として25μm厚のポリエチレンフィルムを張り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
Below, the preparation method of the sample for evaluation of an Example and a comparative example, the evaluation method about the obtained sample, and an evaluation result are shown.
1. Production of Evaluation Samples The photosensitive resin laminates in Examples and Comparative Examples were produced as follows.
<Preparation of photosensitive resin laminate>
Prepare the compounds shown in Table 1, thoroughly stir and mix the photosensitive resin composition of the composition ratio shown in Table 2, and apply uniformly to the surface of a 20 μm thick polyethylene terephthalate film as a support using a bar coater, The photosensitive resin layer was formed by drying for 4 minutes in a dryer at 95 ° C. The thickness of the photosensitive resin layer was 40 μm.
In the composition shown in Table 1, MEK represents methyl ethyl ketone, and the mass parts of P-1 to P-5 in Table 2 are values including MEK.
Next, a 25 μm thick polyethylene film was laminated as a protective layer on the surface of the photosensitive resin layer on which the polyethylene terephthalate film was not laminated to obtain a photosensitive resin laminate.

<基板整面>
エッチング液耐性、解像度、密着性、テンティング性評価用基板は、35μm圧延銅箔を積層した1.6mm厚の銅張積層板を用い、表面を湿式バフロール研磨(スリーエム(株)製、スコッチブライト(登録商標)HD#600、2回通し)した。
<ラミネート>
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、整面して60℃に予熱した銅張積層板にホットロールラミネーター(旭化成(株)製、AL−70)により、ロール温度105℃でラミネートした。エアー圧力は0.35MPaとし、ラミネート速度は1.5m/minとした。
<Board surface preparation>
Etching solution resistance, resolution, adhesion, and tenting property evaluation use a 1.6 mm thick copper clad laminate with 35 μm rolled copper foil laminated on the surface, wet buffol polishing (manufactured by 3M Co., Ltd., Scotch Bright) (Registered trademark) HD # 600, twice).
<Laminate>
While peeling the polyethylene film of the photosensitive resin laminate, it was laminated at a roll temperature of 105 ° C. with a hot roll laminator (Asahi Kasei Co., Ltd., AL-70) on a copper clad laminate that had been leveled and preheated to 60 ° C. The air pressure was 0.35 MPa, and the laminating speed was 1.5 m / min.

<露光>
感光性樹脂層に、評価に必要なマスクフィルムを支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルム上におき、超高圧水銀ランプ(オーク製作所製、HMW−201KB)により、ストーファー製21段ステップタブレットが7段となる露光量で露光した。この露光方法を選択した場合は、「フォトマスク」として表2に示す。
または、マスクフィルムを使わず、直接描画式露光装置(日立ビアメカニクス(株)製、DI露光機DE−1AH、光源:GaN青紫ダイオード、主波長407±3nm)により、ストーファー製21段ステップタブレットが7段となる露光量で露光した。この露光方法を選択した場合は、「直接描画」として表2に示す。
<Exposure>
A mask film necessary for evaluation is placed on a polyethylene terephthalate film, which is a support, on a photosensitive resin layer, and a 21-step tablet made by Stöffer is 7 steps by an ultra-high pressure mercury lamp (OMW Seisakusho, HMW-201KB). The exposure amount was as follows. When this exposure method is selected, it is shown in Table 2 as a “photomask”.
Or, using a direct drawing type exposure apparatus (manufactured by Hitachi Via Mechanics Co., Ltd., DI exposure machine DE-1AH, light source: GaN blue-violet diode, main wavelength 407 ± 3 nm) without using a mask film, a 21-step tablet made by Stöffer Was exposed at an exposure amount of 7 steps. When this exposure method is selected, it is shown in Table 2 as “direct drawing”.

<現像>
ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、アルカリ現像機(フジ機工製、ドライフィルム用現像機)を用いて30℃の1質量%NaCO水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を最小限像時間の2倍の時間で溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。
<エッチング>
現像した基板を塩銅エッチング装置(東京化工機製)により塩酸3mol/l、塩化第二銅250g/l、50℃において最小エッチング時間の1.3倍の時間でエッチングした。この際、基板上の銅箔が完全に溶解除去されるときの時間を最小エッチング時間とした。
<Development>
After the polyethylene terephthalate film is peeled off, a 1 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution at 30 ° C. is sprayed for a predetermined time using an alkali developing machine (produced by Fuji Kiko Co., Ltd., a dry film developing machine), and an unexposed portion of the photosensitive resin layer Was dissolved and removed in a time twice the minimum image time. At this time, the minimum time required for completely dissolving the photosensitive resin layer in the unexposed portion was defined as the minimum development time.
<Etching>
The developed substrate was etched with a salt copper etching apparatus (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) at 3 mol / l hydrochloric acid, 250 g / l cupric chloride at 50 ° C. for 1.3 times the minimum etching time. At this time, the time when the copper foil on the substrate was completely dissolved and removed was defined as the minimum etching time.

<レジスト剥離>
現像後の評価基板に、50℃に加温した3質量%の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして硬化したレジストを剥離した。
2.評価方法
(1)解像性評価
ラミネート後15分経過した解像度評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:1の比率のラインパターンで露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストラインが正常に形成されている最小マスク幅を解像度の値とし、解像性を下記のようにランク分けした。
◎:解像度の値が30μm以下
○:解像度の値が30μmを超え、35μm以下
△:解像度の値が35μmを超え、40μm以下
×:解像度の値が40μmを超える
<Resist stripping>
The cured resist was peeled off by spraying a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution heated to 50 ° C. onto the evaluation substrate after development.
2. Evaluation Method (1) Resolution Evaluation A substrate for resolution evaluation that had passed 15 minutes after lamination was exposed with a line pattern in which the width of the exposed area and the unexposed area was 1: 1. Development was performed with a development time twice as long as the minimum development time, and the minimum mask width in which a cured resist line was normally formed was defined as a resolution value, and the resolution was ranked as follows.
A: Resolution value of 30 μm or less ○: Resolution value of more than 30 μm, 35 μm or less Δ: Resolution value of more than 35 μm, 40 μm or less ×: Resolution value of more than 40 μm

(2)凝集性評価
感光性樹脂積層体中の厚さ40μm、面積0.16mの感光層(レジスト層)を、200mlの1質量%NaCO水溶液に溶解させ、循環式スプレー装置を用いてスプレー圧0.1MPa、3時間スプレーを行った。その後、現像液を1日放置し、凝集物の発生を観察した。凝集物が多量に発生するとスプレー装置の底部及び側面に粉状のもの又は油状のものが観察される。また、現像液に凝集物が浮遊することもある。現像液凝集性が良好な組成はこれら凝集物が全く発生しないか、もしくは発生しても極微量で水洗によりスプレー装置から簡単に洗い流すことが可能である。凝集物の発生状態については目視観察により以下のようにランク分けした。
◎:凝集物が全く発生しない
○:スプレー装置の底部もしくは側面には凝集物はないが現像液に目視で確認可能な極微量の凝集物の浮遊が観察されるが水洗すると簡単に洗い流される。
△:スプレー装置の底部もしくは側面の一部及び現像液に凝集物が浮遊している。
水洗してもすべてを洗い流すことはできない。
×:スプレー装置全体に凝集物が見られ且つ現像液に凝集物が浮遊している。
水洗でもすべてを洗い流すことは不可能でほとんどが残留する。
(2) Evaluation of cohesion A photosensitive layer (resist layer) having a thickness of 40 μm and an area of 0.16 m 2 in the photosensitive resin laminate is dissolved in 200 ml of a 1% by mass Na 2 CO 3 aqueous solution, and a circulation spray device is used. The spray pressure was 0.1 MPa for 3 hours. Thereafter, the developer was allowed to stand for 1 day, and the generation of aggregates was observed. When a large amount of agglomerates are generated, powdery or oily substances are observed at the bottom and side surfaces of the spray device. In addition, aggregates may float in the developer. The composition having good developer cohesiveness does not generate these aggregates at all, or even if they are generated, they can be easily washed away from the spray device by washing with water. The state of occurrence of aggregates was ranked by visual observation as follows.
A: No agglomerates are generated. O: There is no agglomerates at the bottom or side of the spray device, but a very small amount of agglomerates that can be visually confirmed are observed in the developer, but they are easily washed away when washed with water.
(Triangle | delta): The aggregate is floating in the bottom part or side surface part of a spray apparatus, and a developing solution.
Even if it is washed with water, everything cannot be washed away.
X: Aggregates are observed in the entire spray apparatus and the aggregates are floating in the developer.
It is impossible to wash everything away with water, and most of it remains.

(3)硬化膜柔軟性評価
厚さ40μmのDFRを銅張り積層板にラミネートし、HMW−201KBにより、ストーファー製21段ステップタブレットが7段となる露光量で全面露光した。支持体であるポリエチレンテレフタレートを剥離した後、30℃の1質量%NaCO水溶液を最小現像時間の2倍でスプレーし、硬化画像を得た。得られた硬化画像に幅1mmの切れ込みを11本ずつ直角につけ、セロテープ(登録商標)剥離を行った。この時、セロテープ(登録商標)剥離による硬化レジストの剥がれ具合により下記のランク付けを行った。レ
ジストが剥がれやすいということは硬化膜柔軟性が不良であることを意味する。
◎:硬化レジストが全く剥がれない。
○:硬化レジストがごく一部剥がれる。
△:硬化レジストがほとんど剥がれる。
×:切込みを入れた際に硬化レジストがはがれてしまう。
(3) Cured film flexibility evaluation DFR having a thickness of 40 μm was laminated on a copper-clad laminate, and the entire surface was exposed with HMW-201KB with a 7-step exposure of a 21-step tablet made by Stöffer. After the polyethylene terephthalate as a support was peeled off, a 1 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution at 30 ° C. was sprayed at twice the minimum development time to obtain a cured image. Eleven cuts with a width of 1 mm were made at right angles to the obtained cured image, and cellotape (registered trademark) was peeled off. At this time, the following ranking was performed according to the degree of peeling of the cured resist by peeling of the cello tape (registered trademark). That the resist is easily peeled means that the cured film has poor flexibility.
A: The cured resist is not peeled off at all.
○: A part of the cured resist is peeled off.
Δ: The cured resist is almost peeled off.
X: The cured resist peels off when the cut is made.

(4)テンティング性
半径6mmのスルーホールが等間隔で存在する(1008穴)テンティング評価用基板に感光性樹脂をラミネートし、HMW−201KBによりストーファー製21段ステップタブレットが7段となる露光量で全面露光し、最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、さらに水洗槽において0.3MPaのスプレー圧で水洗した後の膜破れ率を測定した。
膜破れ率によって下記のようなランク付けを行った。
○:膜破れ率が1%未満。
△:膜破れ率が1〜5%未満。
×:膜破れ率が5%以上。
(4) Tenting property A through-hole with a radius of 6 mm exists at equal intervals (1008 holes). A photosensitive resin is laminated on a tenting evaluation substrate, and a 21-step tablet made by Stöffer becomes 7 steps by HMW-201KB. The entire film was exposed with an exposure amount, developed with a development time twice as long as the minimum development time, and further washed with water at a spray pressure of 0.3 MPa in a water-washing tank, and the film tear rate was measured.
The following ranking was performed according to the film tear rate.
○: Film tear rate is less than 1%.
(Triangle | delta): The film tear rate is less than 1 to 5%.
X: Film tear rate is 5% or more.

(5)エッチング性評価
ラミネート後15分経過した解像度評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:1の比率のラインパターンマスクを通してHMW−201KBによりストーファー製21段ステップタブレットが7段となる露光量で露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、塩酸3mol/l、塩化第二銅250g/l、50℃において最小エッチング時間の1.3倍の時間でエッチングした後レジストを剥離して銅ラインの形成された基板を得た。マスクライン幅が100μmの部分の銅ライントップ幅を測定した。この際銅ライントップ幅が100μmに近いほどレジストの下へのエッチング液しみ込みがなく、エッチング液耐性が強いとみなす。銅ラインの幅によって以下のようなランク付けを行った。
○:80μm以上。
△:70μm以上80μm未満。
×:70μm未満。
3.実施例、参考実施例及び比較例の評価結果は表2に示した。
(5) Etching property evaluation A substrate for resolution evaluation which has passed 15 minutes after lamination is subjected to 7 steps of 21 step tablet made by Stofer using HMW-201KB through a line pattern mask in which the width of the exposed part and the unexposed part is 1: 1. It exposed with the exposure amount used as a step. Developed with a development time twice as long as the minimum development time, etched at 1.3 mol of hydrochloric acid 3 mol / l, cupric chloride 250 g / l, 1.3 times the minimum etching time at 50 ° C, and then stripped the resist to remove the copper line A substrate with a formed thereon was obtained. The copper line top width of the portion having a mask line width of 100 μm was measured. At this time, the closer the copper line top width is to 100 μm, the more the etching solution does not penetrate under the resist, and the etching solution resistance is considered to be stronger. The following ranking was performed according to the width of the copper line.
○: 80 μm or more.
Δ: 70 μm or more and less than 80 μm.
X: Less than 70 micrometers.
3. The evaluation results of Examples , Reference Examples and Comparative Examples are shown in Table 2.

表2からは、実施例1〜は本願要件を満たすため、解像度が良好で、凝集物がほとんど発生せず、硬化膜柔軟性、テンティング性、エッチング液耐性において良好であることがわかる。一方、比較例1は(c)光重合開始剤として一般式(I)で表される化合物を含有しないため、これら効果に劣り、比較例2は(a)共重合成分としてベンジル(メタ)アクリレートを含有するバインダー樹脂を用いていないため、やはりこれら効果に劣り、比較例3〜5は、(a)共重合成分としてベンジル(メタ)アクリレートを含有するバインダー樹脂、及び(c)光重合開始剤として一般式(I)で表される化合物を含有しないため、これら効果に劣ることがわかる。
(a)共重合成分としてベンジル(メタ)アクリレートを含有するバインダー樹脂、及び(c)光重合開始剤として一般式(I)で表される化合物の双方を含有して始めて、本願の効果を奏することがわかる。
From Table 2, it can be seen that Examples 1 to 7 satisfy the requirements of this application, so that the resolution is good, almost no aggregates are generated, and the cured film flexibility, tenting property, and etching solution resistance are good. On the other hand, since Comparative Example 1 does not contain the compound represented by the general formula (I) as (c) photopolymerization initiator, these effects are inferior. Comparative Example 2 is (a) benzyl (meth) acrylate as a copolymerization component. Since a binder resin containing benzene is not used, these effects are also inferior, and Comparative Examples 3 to 5 are (a) a binder resin containing benzyl (meth) acrylate as a copolymerization component, and (c) a photopolymerization initiator. Since the compound represented by the general formula (I) is not contained, these effects are inferior.
The effect of the present invention is exhibited only when both (a) a binder resin containing benzyl (meth) acrylate as a copolymerization component and (c) a compound represented by formula (I) as a photopolymerization initiator are contained. I understand that.

本発明によれば、印刷配線板、フレキシブル配線板、リードフレーム、半導体パッケージ等の製造、金属の精密加工等の分野において、エッチングレジスト又はめっきレジストとして好適である。   According to the present invention, it is suitable as an etching resist or a plating resist in the fields of production of printed wiring boards, flexible wiring boards, lead frames, semiconductor packages and the like, and precision metal processing.

Claims (10)

(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、共重合成分としてベンジル(メタ)アクリレートを10〜90質量%含有し、かつ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダー用樹脂:10〜90質量%、(b)光重合性不飽和化合物:5〜70質量%、(c)光重合開始剤として下記一般式(I)で表される化合物を0.1〜20質量%、下記一般式(II)で表される化合物を0.01〜10質量%含有する感光性樹脂組成物であって、
前記(b)光重合性不飽和化合物として、下記一般式(V)及び(VI)で表される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物
(式中Aは、水素、アリール基、複素環基、直鎖または分枝鎖の炭素数1〜6のアルキル基又はアルコキシ基、およびNR(Rは水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基)からなる群から選ばれる置換基を表す。)
(式中Bは、アリール基、複素環基、直鎖または分枝鎖の炭素数1〜6のアルキル基、およびNR(Rは水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基)からなる群から選ばれる置換基を表す。bは0〜5の整数である。式中Xは、ハロゲン原子を表す。)
(式中、R 及びR は、HまたはCH であり、これらは同一であっても相違してもよい。また、R 及びR は、エチレン基又はプロピレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R −O)−及び−(R −O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m5、m6、n5、及びn6は、それぞれ独立に、0又は正の整数であり、これらの合計は、2〜40である。)
(式中、R 及びR 10 は、HまたはCH であり、これらは同一であっても相違してもよい。また、R 及びR は、エチレン基又はプロピレン基であり、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、異なっている場合、−(R −O)−及び−(R −O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m7、m8、n7、及びn8は、それぞれ独立に、0又は正の整数であり、これらの合計は、2〜40である。)
(A) Resin for binders having a carboxyl group content of 100 to 600 in terms of acid equivalent, 10 to 90% by mass of benzyl (meth) acrylate as a copolymerization component, and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000: 10 to 90% by mass, (b) photopolymerizable unsaturated compound: 5 to 70% by mass, (c) 0.1 to 20% by mass of a compound represented by the following general formula (I) as a photopolymerization initiator, a compound sensitive optical resin composition you containing 0.01 to 10 wt%, represented by the following formula (II),
A photosensitive resin composition comprising at least one compound represented by the following general formulas (V) and (VI) as the photopolymerizable unsaturated compound (b) .
(In the formula, A is hydrogen, an aryl group, a heterocyclic group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, and NR 2 (where R is a hydrogen atom or having 1 to 6 carbon atoms) Represents a substituent selected from the group consisting of an alkyl group).
Wherein B is an aryl group, a heterocyclic group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and NR 2 (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). And b represents an integer of 0 to 5. In the formula, X represents a halogen atom.
(In the formula, R 5 and R 6 are H or CH 3 , and these may be the same or different. R 3 and R 4 are an ethylene group or a propylene group, and are the same respectively. In this case, the repeating unit of — (R 3 —O) — and — (R 4 —O) — may be a block structure or a random structure, m5, m6, n5. , And n6 are each independently 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)
(In the formula, R 9 and R 10 are H or CH 3 , and these may be the same or different. R 7 and R 8 are an ethylene group or a propylene group, and are the same respectively. In this case, the repeating unit of- (R 7 -O) -and- (R 8 -O)-may be a block structure or a random structure.m7, m8, n7 , And n8 are each independently 0 or a positive integer, and the sum of these is 2 to 40.)
(c)光重合開始剤として、下記一般式(III)で表される化合物を0.1〜19.9質量%さらに含有することを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
(式中、C、D、及びEはそれぞれ独立に水素、炭素数が1〜6のアルキル基、及びアルコキシ基、並びにハロゲン基のいずれかを表し、c、d、及びeはそれぞれ独立に1〜5の整数である。)
(C) 0.1 to 19.9 mass% of compounds represented by the following general formula (III) are further contained as a photoinitiator, The photosensitive resin composition of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
(In the formula, C, D, and E each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group; c, d, and e each independently represent 1; It is an integer of ~ 5.)
下記一般式(IV)で表される化合物を0.1〜20質量%さらに含有することを特徴とする請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
(R及びRは、エチレン基又はプロピレン基であり、これらは相異なる。m1,n1,m2,n2,m3,n3,m4、及びn4は、0以上の整数であり、m1+n1+m2+n2+m3+n3+m4+n4は0〜40である。−(R−O)−、及び−(R−O)−の繰り返し構造は、ランダムであっても、ブロックであってもよい。F,G,H及びIはそれぞれ独立に、水素又は炭素数1〜30の脂肪酸アシル基である。)
The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, further comprising 0.1 to 20% by mass of a compound represented by the following general formula (IV).
(R 1 and R 2 are ethylene groups or propylene groups, which are different from each other. M1, n1, m2, n2, m3, n3, m4, and n4 are integers of 0 or more, and m1 + n1 + m2 + n2 + m3 + n3 + m4 + n4 is 0 to 0. 40. The repeating structure of — (R 1 —O) — and — (R 2 —O) — may be random or block, and F, G, H and I are independent of each other. And hydrogen or a fatty acid acyl group having 1 to 30 carbon atoms.)
請求項1〜のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物を支持体上に積層してなる感光性樹脂組成層を有することを特徴とした感光性樹脂積層体。 It has the photosensitive resin composition layer formed by laminating | stacking the photosensitive resin composition of any one of Claims 1-3 on a support body, The photosensitive resin laminated body characterized by the above-mentioned. 請求項記載の感光性樹脂積層体を基板に積層し、露光した後、現像により未露光部を除去する工程を含むレジストパターンの形成方法。 A method for forming a resist pattern, comprising: laminating a photosensitive resin laminate according to claim 4 on a substrate, exposing the laminate, and then removing an unexposed portion by development. 請求項に記載の方法によって、レジストパターンを形成した基板をエッチングまたはめっきする工程を含む導体パターンの製造方法。 A method for producing a conductor pattern, comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 5 . 請求項に記載の方法によって、レジストパターンを形成した基板をエッチングまたはめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法。 A method for producing a printed wiring board, comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 5 . 請求項に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法。 A method for manufacturing a lead frame, comprising a step of etching a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 5 . 請求項記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングするかまたはめっきする工程を含む半導体パッケージの製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor package, comprising a step of etching or plating a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 5 . 請求項記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラスト工程によって加工する方法。 A method for processing a substrate on which a resist pattern is formed by the method according to claim 5 by a sandblasting process.
JP2006260003A 2005-09-28 2006-09-26 Photosensitive resin composition and laminate thereof Active JP4931533B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006260003A JP4931533B2 (en) 2005-09-28 2006-09-26 Photosensitive resin composition and laminate thereof

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005281842 2005-09-28
JP2005281842 2005-09-28
JP2006260003A JP4931533B2 (en) 2005-09-28 2006-09-26 Photosensitive resin composition and laminate thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007122028A JP2007122028A (en) 2007-05-17
JP4931533B2 true JP4931533B2 (en) 2012-05-16

Family

ID=38145871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006260003A Active JP4931533B2 (en) 2005-09-28 2006-09-26 Photosensitive resin composition and laminate thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4931533B2 (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009180796A (en) * 2008-01-29 2009-08-13 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method for manufacturing printed wiring board
JP5476739B2 (en) * 2008-07-30 2014-04-23 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method
JP5294008B2 (en) * 2008-09-19 2013-09-18 日立化成株式会社 Method for producing printed wiring board using photosensitive resin composition
JP5273455B2 (en) * 2008-09-22 2013-08-28 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method
KR101339530B1 (en) 2009-02-26 2013-12-10 히타치가세이가부시끼가이샤 Photosensitive resin composition, and photosensitive element, resist pattern formation method and printed circuit board production method each utilizing same
WO2010098175A1 (en) * 2009-02-26 2010-09-02 日立化成工業株式会社 Photosensitive resin composition, and photosensitive element, resist pattern formation method and printed circuit board production method each utilizing same
JP2010197831A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition and photosensitive element using the composition, method for forming resist pattern and method for manufacturing printed wiring board
JP2010249884A (en) * 2009-04-10 2010-11-04 Dupont Mrc Dryfilm Ltd Photopolymerizable resin composition and photosensitive film using the same
JP2012163603A (en) * 2011-02-03 2012-08-30 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
CN103430100B (en) * 2011-03-03 2016-08-17 日兴材料株式会社 Photosensitive polymer combination, use its photoresist, the forming method of corrosion-resisting pattern and the forming method of conductive pattern
JP5990366B2 (en) * 2011-03-31 2016-09-14 旭化成株式会社 Laminated body and roll using the same
JP2012215787A (en) * 2011-04-01 2012-11-08 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for manufacturing resist pattern, and printed wiring board and method for manufacturing the same
JP5826006B2 (en) * 2011-12-01 2015-12-02 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin composition
WO2015098870A1 (en) 2013-12-27 2015-07-02 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed circuit board
WO2022191125A1 (en) * 2021-03-09 2022-09-15 昭和電工マテリアルズ株式会社 Photosensitive film, photosensitive element, and production method for layered product
WO2023012985A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-09 昭和電工マテリアルズ株式会社 Photosensitive film, photosensitive element, and method for producing multilayer body

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59226002A (en) * 1983-06-06 1984-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd Photo-polymerizable composition
JPH1026834A (en) * 1996-07-09 1998-01-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Image forming method
JPH10153859A (en) * 1996-11-22 1998-06-09 Dainippon Printing Co Ltd Photosensitive colored composition for color filter and color filter
JP3933459B2 (en) * 2001-12-14 2007-06-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 Photosensitive resin composition and laminate
JP2003344635A (en) * 2002-05-22 2003-12-03 Fuji Photo Film Co Ltd Method for manufacturing color filter
JP2005070767A (en) * 2003-08-04 2005-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive transfer sheet
JP4874707B2 (en) * 2005-05-03 2012-02-15 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド Photosensitive resin composition
JP4646759B2 (en) * 2005-09-20 2011-03-09 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007122028A (en) 2007-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4931533B2 (en) Photosensitive resin composition and laminate thereof
JP5155853B2 (en) Photosensitive resin laminate
JP4986591B2 (en) Photosensitive resin composition and use thereof
JP2010117545A (en) Photosensitive resin composition and application thereof
JP4979391B2 (en) Photosensitive resin laminate
WO2009096292A1 (en) Layered product of photosensitive resin
JP4614858B2 (en) Photosensitive resin composition and laminate thereof
KR101167536B1 (en) Photosensitive resin composition and laminate thereof
JP4578269B2 (en) Photopolymerizable resin composition
JP4761923B2 (en) Photosensitive resin composition and laminate
JP2006234995A5 (en)
JP2010286796A (en) Photosensitive resin composition
JP2008094803A (en) Photosensitive resin composition and its laminate
JP4535851B2 (en) Photopolymerizable resin composition
JP5117233B2 (en) Photosensitive resin composition and laminate
JP4346315B2 (en) Photosensitive resin composition and use thereof
JP5465928B2 (en) Photopolymerizable resin composition and use thereof
JP2005301101A (en) Photosensitive resin composition and its use
JP4817824B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate using the same
JP4679356B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate using the same
JP4993458B2 (en) Photosensitive resin composition and use thereof
JP4201555B2 (en) Photosensitive resin composition
JP2013037038A (en) Photopolymerizable resin composition, photopolymerizable resin laminate, method for forming resist pattern, and method for manufacturing circuit board, lead frame and semiconductor package
JP5905773B2 (en) Photopolymerizable resin composition
JP4372501B2 (en) Photosensitive resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20090401

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090807

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110517

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4931533

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350